JP2001244258A - 半導体用有機絶縁膜形成方法 - Google Patents
半導体用有機絶縁膜形成方法Info
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- JP2001244258A JP2001244258A JP2000053273A JP2000053273A JP2001244258A JP 2001244258 A JP2001244258 A JP 2001244258A JP 2000053273 A JP2000053273 A JP 2000053273A JP 2000053273 A JP2000053273 A JP 2000053273A JP 2001244258 A JP2001244258 A JP 2001244258A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の製造において、エッジリンス
後の膜の外観形状に優れた有機絶縁膜の形成方法を提供
する。 【解決手段】 半導体素子基板上に塗布することにより
半導体用有機絶縁膜を形成する方法において、エッジリ
ンスを行う際、エッジリンス液の溶解度パラメーター値
が１７．０〜２７．０（ＭＰａ）1/2である有機溶剤を
用いることを特徴とし、且つ半導体用有機絶縁膜が、ポ
リアミドであることを特徴とする半導体用有機絶縁膜形
成方法。
後の膜の外観形状に優れた有機絶縁膜の形成方法を提供
する。 【解決手段】 半導体素子基板上に塗布することにより
半導体用有機絶縁膜を形成する方法において、エッジリ
ンスを行う際、エッジリンス液の溶解度パラメーター値
が１７．０〜２７．０（ＭＰａ）1/2である有機溶剤を
用いることを特徴とし、且つ半導体用有機絶縁膜が、ポ
リアミドであることを特徴とする半導体用有機絶縁膜形
成方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
において、エッジリンス後の膜の外観形状に優れた有機
絶縁膜の形成方法に関するものである。
において、エッジリンス後の膜の外観形状に優れた有機
絶縁膜の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体用の層間絶縁膜としては、
化学気相法等で作成された二酸化シリコンなどの無機の
絶縁膜が使用されている。しかしながら、二酸化シリコ
ン等の無機絶縁膜は誘電率が高く、高速化、高性能化の
ため絶縁膜としては有機材料の適用が検討されつつあ
る。半導体用途の有機材料としては、耐熱性、電気特
性、機械的特性に優れたポリイミド樹脂が用いられてい
る。近年、半導体の高機能化、高性能化に伴い、さら
に、耐熱性、電気特性、吸湿性、熱膨張係数等の著しい
向上の要求があり、更に高性能な樹脂が必要とされるよ
うになっている。このようなことから、ポリイミド樹脂
に比べて、吸水性、電気特性に関して優れた性能を示す
ポリベンゾオキサゾール樹脂を半導体用途の絶縁材料に
適用することが試みられている。
化学気相法等で作成された二酸化シリコンなどの無機の
絶縁膜が使用されている。しかしながら、二酸化シリコ
ン等の無機絶縁膜は誘電率が高く、高速化、高性能化の
ため絶縁膜としては有機材料の適用が検討されつつあ
る。半導体用途の有機材料としては、耐熱性、電気特
性、機械的特性に優れたポリイミド樹脂が用いられてい
る。近年、半導体の高機能化、高性能化に伴い、さら
に、耐熱性、電気特性、吸湿性、熱膨張係数等の著しい
向上の要求があり、更に高性能な樹脂が必要とされるよ
うになっている。このようなことから、ポリイミド樹脂
に比べて、吸水性、電気特性に関して優れた性能を示す
ポリベンゾオキサゾール樹脂を半導体用途の絶縁材料に
適用することが試みられている。
【０００３】有機絶縁材料は一般に適当な溶媒に溶解さ
せた樹脂の状態で使用され、このような樹脂をシリコン
ウェハー等の半導体素子基板上に塗布する方法として
は、主にスピンナーを用いた回転塗布が用いられる。そ
の後、塗膜を乾燥させるためにホットプレートまで基板
を搬送するが、その際、搬送する支持体が基板端部に付
着する樹脂で汚染されてパーティクルが発生する可能性
があることから、一般に基板端部の樹脂を適当な溶剤で
除去する工程が取られ、これをエッジリンスという。
せた樹脂の状態で使用され、このような樹脂をシリコン
ウェハー等の半導体素子基板上に塗布する方法として
は、主にスピンナーを用いた回転塗布が用いられる。そ
の後、塗膜を乾燥させるためにホットプレートまで基板
を搬送するが、その際、搬送する支持体が基板端部に付
着する樹脂で汚染されてパーティクルが発生する可能性
があることから、一般に基板端部の樹脂を適当な溶剤で
除去する工程が取られ、これをエッジリンスという。
【０００４】エッジリンスは、樹脂を回転塗布中に行わ
れるが、使用されるエッジリンス液はある程度樹脂と相
溶性を持ったものが好ましい。樹脂とエッジリンス液の
相溶性が悪いと、樹脂自体がリンス液に押されて盛り上
がりを生じたり、また、それによって盛り上がりの幅が
広くなる。図を用いて従来の例を説明する。図１におい
て、樹脂を半導体素子基板３上の絶縁膜形成面に回転塗
布を行っている際に、塗布し形成された有機絶縁膜２の
端部をノズル１より、リンス液を吹き付け流して（流れ
方向４）基板端部の樹脂を除去するが、図２に示すよう
な端部での樹脂の盛り上がりを生じていた。このような
樹脂の盛り上がりは、高すぎると乾燥した後も残り、搬
送中又は他の工程中に欠損してパーティクルとなり、ク
ラックやパターン配線欠落の原因となる。また盛り上が
りの幅が広すぎる場合には、良質な半導体装置を得られ
る面積が少なくなり歩留まりが低下することから、エッ
ジリンス後の膜の外観形状が良好な形成方法が強く望ま
れていた。
れるが、使用されるエッジリンス液はある程度樹脂と相
溶性を持ったものが好ましい。樹脂とエッジリンス液の
相溶性が悪いと、樹脂自体がリンス液に押されて盛り上
がりを生じたり、また、それによって盛り上がりの幅が
広くなる。図を用いて従来の例を説明する。図１におい
て、樹脂を半導体素子基板３上の絶縁膜形成面に回転塗
布を行っている際に、塗布し形成された有機絶縁膜２の
端部をノズル１より、リンス液を吹き付け流して（流れ
方向４）基板端部の樹脂を除去するが、図２に示すよう
な端部での樹脂の盛り上がりを生じていた。このような
樹脂の盛り上がりは、高すぎると乾燥した後も残り、搬
送中又は他の工程中に欠損してパーティクルとなり、ク
ラックやパターン配線欠落の原因となる。また盛り上が
りの幅が広すぎる場合には、良質な半導体装置を得られ
る面積が少なくなり歩留まりが低下することから、エッ
ジリンス後の膜の外観形状が良好な形成方法が強く望ま
れていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体装置
の製造において、エッジリンス後の膜の外観形状に優れ
た有機絶縁膜の形成方法を提供することを目的とする。
の製造において、エッジリンス後の膜の外観形状に優れ
た有機絶縁膜の形成方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体素子基
板上に塗布することにより半導体用有機絶縁膜を形成す
る方法において、半導体用有機絶縁膜が、式（１）で表
される繰り返し単位を有するポリアミドであり、且つ、
前記半導体用有機絶縁膜をエッジリンスを行う際、エッ
ジリンス液の溶解度パラメーター値が１７．０〜２７．
０（ＭＰａ）1/ 2である有機溶剤を用いることを特徴と
する半導体用有機絶縁膜形成方法である。
板上に塗布することにより半導体用有機絶縁膜を形成す
る方法において、半導体用有機絶縁膜が、式（１）で表
される繰り返し単位を有するポリアミドであり、且つ、
前記半導体用有機絶縁膜をエッジリンスを行う際、エッ
ジリンス液の溶解度パラメーター値が１７．０〜２７．
０（ＭＰａ）1/ 2である有機溶剤を用いることを特徴と
する半導体用有機絶縁膜形成方法である。
【０００７】
【化４】 （式（１）中、ｎは２〜１０００までの整数を示し、Ｘ
は式（２）より選ばれる構造を示し、Ｙは２価の有機基
を表す。）
は式（２）より選ばれる構造を示し、Ｙは２価の有機基
を表す。）
【０００８】
【化５】 （式（２）中、Ｚは式（３）より選ばれる構造を示し、
これらの構造中、ベンゼン環上の水素原子がメチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イ
ソブチル基、ｔ−ブチル基、フッ素原子、及びトリフル
オロメチル基からなる群から選ばれる少なくとも１個の
基で置換されていてもよい。）
これらの構造中、ベンゼン環上の水素原子がメチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イ
ソブチル基、ｔ−ブチル基、フッ素原子、及びトリフル
オロメチル基からなる群から選ばれる少なくとも１個の
基で置換されていてもよい。）
【０００９】
【化６】
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明で用いる半導体用有機絶縁
膜は、式（１）で表される繰り返し単位を有するポリア
ミドからなるものである。
膜は、式（１）で表される繰り返し単位を有するポリア
ミドからなるものである。
【００１１】式（１）で表される繰り返し単位を有する
ポリアミドは、Ｘの構造を有するビスアミノフェノール
とＹの構造を有するジカルボン酸とを反応させて合成さ
れ、このポリアミドを約３００〜４００℃で加熱すると
閉環し、ポリベンゾオキサゾールという耐熱性樹脂に変
換できる。
ポリアミドは、Ｘの構造を有するビスアミノフェノール
とＹの構造を有するジカルボン酸とを反応させて合成さ
れ、このポリアミドを約３００〜４００℃で加熱すると
閉環し、ポリベンゾオキサゾールという耐熱性樹脂に変
換できる。
【００１２】Ｘの構造を有するビスアミノフェノールと
しては、例えば、２，４−ジアミノレゾルシノール、
２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）
ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノ−
３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ
フェニル）プロパン、３，３’−ジアミノ−４，４’−
ジヒドロキシジフェニルスルフォン、４，４’−アミノ
−３，３’−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、３，
３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシビフェニル、
４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシビフェニ
ル、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシジフ
ェニルエーテル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒ
ドロキシジフェニルエーテル、２，２−ビス（３−アミ
ノ−４−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−２−
トリフルオロメチル）プロパン、 ２，２−ビス（３−
アミノ−４−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチル）プ
ロパン、 ２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ
−５−トリフルオロメチル）プロパン、 ２，２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシ−６−トリフルオロメチ
ル）プロパン、 ２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒド
ロキシ−６−トリフルオロメチル）プロパン、 ２，２
−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−２−トリフルオ
ロメチル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４
−アミノ−３−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチル）
ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノ−
４−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチル）ヘキサフル
オロプロパン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロ
キシ−５−トリフルオロメチル）ヘキサフルオロプロパ
ン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−６−
トリフルオロメチル）ヘキサフルオロプロパン、２，２
−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−６−トリフルオ
ロメチル）ヘキサフルオロプロパン、３，３’−ジアミ
ノ−４，４’−ジヒドロキシ−２，２’−トリフルオロ
メチルビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジ
ヒドロキシ−２，２’−トリフルオロメチルビフェニ
ル、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシ−
５，５’−トリフルオロメチルビフェニル、４，４’−
ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシ−５，５’−トリフ
ルオロメチルビフェニル、３，３’−ジアミノ−４，
４’−ジヒドロキシ−６，６’−トリフルオロメチルビ
フェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキ
シ−６，６’−トリフルオロメチルビフェニルなどが挙
げられるが、これらに限定されるものではない。これら
のうち、１種又は２種以上を用いることができる。
しては、例えば、２，４−ジアミノレゾルシノール、
２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）
ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノ−
３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ
フェニル）プロパン、３，３’−ジアミノ−４，４’−
ジヒドロキシジフェニルスルフォン、４，４’−アミノ
−３，３’−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、３，
３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシビフェニル、
４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシビフェニ
ル、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシジフ
ェニルエーテル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒ
ドロキシジフェニルエーテル、２，２−ビス（３−アミ
ノ−４−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−２−
トリフルオロメチル）プロパン、 ２，２−ビス（３−
アミノ−４−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチル）プ
ロパン、 ２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ
−５−トリフルオロメチル）プロパン、 ２，２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシ−６−トリフルオロメチ
ル）プロパン、 ２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒド
ロキシ−６−トリフルオロメチル）プロパン、 ２，２
−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−２−トリフルオ
ロメチル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４
−アミノ−３−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチル）
ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノ−
４−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチル）ヘキサフル
オロプロパン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロ
キシ−５−トリフルオロメチル）ヘキサフルオロプロパ
ン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−６−
トリフルオロメチル）ヘキサフルオロプロパン、２，２
−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−６−トリフルオ
ロメチル）ヘキサフルオロプロパン、３，３’−ジアミ
ノ−４，４’−ジヒドロキシ−２，２’−トリフルオロ
メチルビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジ
ヒドロキシ−２，２’−トリフルオロメチルビフェニ
ル、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシ−
５，５’−トリフルオロメチルビフェニル、４，４’−
ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシ−５，５’−トリフ
ルオロメチルビフェニル、３，３’−ジアミノ−４，
４’−ジヒドロキシ−６，６’−トリフルオロメチルビ
フェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキ
シ−６，６’−トリフルオロメチルビフェニルなどが挙
げられるが、これらに限定されるものではない。これら
のうち、１種又は２種以上を用いることができる。
【００１３】またＹの構造を有するジカルボン酸として
は、例えば、３−フルオロイソフタル酸、２−フルオロ
イソフタル酸、３−フルオロフタル酸、２−フルオロフ
タル酸、２−フルオロテレフタル酸、２，４，５，６−
テトラフルオロイソフタル酸、３，４，５，６−テトラ
フルオロフタル酸、４，４’−ヘキサフルオロイソプロ
ピリデンジフェニル−１，１’−ジカルボン酸、パーフ
ルオロスベリン酸、２，２’−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４’−ビフェニレンジカルボン酸、テレフタ
ル酸、イソフタル酸、４，４’−オキシジフェニル−
１，１’−ジカルボン酸等が挙げられるが、これらに限
定されるものではない。これらのうち、１種又は２種以
上を用いることができる。
は、例えば、３−フルオロイソフタル酸、２−フルオロ
イソフタル酸、３−フルオロフタル酸、２−フルオロフ
タル酸、２−フルオロテレフタル酸、２，４，５，６−
テトラフルオロイソフタル酸、３，４，５，６−テトラ
フルオロフタル酸、４，４’−ヘキサフルオロイソプロ
ピリデンジフェニル−１，１’−ジカルボン酸、パーフ
ルオロスベリン酸、２，２’−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４’−ビフェニレンジカルボン酸、テレフタ
ル酸、イソフタル酸、４，４’−オキシジフェニル−
１，１’−ジカルボン酸等が挙げられるが、これらに限
定されるものではない。これらのうち、１種又は２種以
上を用いることができる。
【００１４】本発明で用いるポリアミドは、通常、適当
な溶剤に溶解し、ワニスにして使用するのが好ましい。
溶剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチ
ロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メ
チル−１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３
−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテル、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−３−メトキ
シプロピオネート等を１種、または２種以上混合して用
いることが出来る。
な溶剤に溶解し、ワニスにして使用するのが好ましい。
溶剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチ
ロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メ
チル−１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３
−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテル、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−３−メトキ
シプロピオネート等を１種、または２種以上混合して用
いることが出来る。
【００１５】本発明における溶解度パラメーターδは、
次の式により与えられるものである。 δ2＝Ｅv／Ｖ δ：溶解度パラメーター Ｅv：理想気体に気化させるときのエネルキ゛ー Ｖ：系全体のモル体積
次の式により与えられるものである。 δ2＝Ｅv／Ｖ δ：溶解度パラメーター Ｅv：理想気体に気化させるときのエネルキ゛ー Ｖ：系全体のモル体積
【００１６】本発明で用いるエッジリンス液は、溶解度
パラメーター値が１７．０〜２７．０（ＭＰａ）1/2の
有機溶剤である。溶解度パラメーター値が１７．０（Ｍ
Ｐａ）1/2未満、または２７．０（ＭＰａ）1/2を越える
場合には、本発明における有機絶縁膜を形成する樹脂が
溶解しないために、基板端部の有機絶縁膜樹脂がエッジ
リンス液に押し返されて盛り上がりが大きくなったり、
それにより盛り上がりの幅が広くなり、好ましくない。
パラメーター値が１７．０〜２７．０（ＭＰａ）1/2の
有機溶剤である。溶解度パラメーター値が１７．０（Ｍ
Ｐａ）1/2未満、または２７．０（ＭＰａ）1/2を越える
場合には、本発明における有機絶縁膜を形成する樹脂が
溶解しないために、基板端部の有機絶縁膜樹脂がエッジ
リンス液に押し返されて盛り上がりが大きくなったり、
それにより盛り上がりの幅が広くなり、好ましくない。
【００１７】本発明で用いるエッジリンス液としては、
例えば、アセトン、アセトフェノン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、メチルイソアミルケト
ン、２−ヘプタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサ
ノン、２−メチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノ
ン、γ−ブチロラクトン、εカプロラクトン、Ｎアセチ
ルモルホリン、Ｎアセチルピペリジン、Ｎホルミルモル
ホリン、Ｎホルミルピペリジン、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン、εカプロラクタム、エチレングリコールモノメ
チルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプ
ロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエー
テル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、プ
ロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ
プロピルエーテル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、酢酸プ
ロピル、酢酸−ｎ−ブチル、酢酸−ｎ−アミル、酢酸メ
チルセロソルブ、酢酸エチルセロソルブ、プロピオン酸
メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、酪酸エチ
ル、乳酸エチル、乳酸ブチル、マレイン酸ジエチル、セ
バチン酸ジブチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン
などが挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。
例えば、アセトン、アセトフェノン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、メチルイソアミルケト
ン、２−ヘプタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサ
ノン、２−メチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノ
ン、γ−ブチロラクトン、εカプロラクトン、Ｎアセチ
ルモルホリン、Ｎアセチルピペリジン、Ｎホルミルモル
ホリン、Ｎホルミルピペリジン、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン、εカプロラクタム、エチレングリコールモノメ
チルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプ
ロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエー
テル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、プ
ロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ
プロピルエーテル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、酢酸プ
ロピル、酢酸−ｎ−ブチル、酢酸−ｎ−アミル、酢酸メ
チルセロソルブ、酢酸エチルセロソルブ、プロピオン酸
メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、酪酸エチ
ル、乳酸エチル、乳酸ブチル、マレイン酸ジエチル、セ
バチン酸ジブチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン
などが挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。
【００１８】これらの中で特に好ましいものとしては、
酢酸−ｎ−ブチル、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクト
ン、Ｎホルミルモルホリン、ジメチルスルホキシドが挙
げられ、更に好ましいものとしては、γ−ブチロラクト
ン、Ｎホルミルモルホリン、ジメチルスルホキシドを挙
げることができる。
酢酸−ｎ−ブチル、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクト
ン、Ｎホルミルモルホリン、ジメチルスルホキシドが挙
げられ、更に好ましいものとしては、γ−ブチロラクト
ン、Ｎホルミルモルホリン、ジメチルスルホキシドを挙
げることができる。
【００１９】本発明における半導体用有機絶縁膜の形成
方法としては、適当な溶剤に溶解したポリアミドのワニ
スを、シリコンウェハー等の半導体素子基板上に、スピ
ンナーなどを用いて回転塗布して絶縁膜層を形成し、続
けてエッジリンス液を基板上端部の絶縁膜層に吹き付け
ることにより、基板端部の不要な樹脂が除去される。こ
れを図を用いてエッジリンスを説明すると、図１におい
て、樹脂を半導体素子基板３上の絶縁膜形成面に回転塗
布を行っている際に、塗布し形成された有機絶縁膜２の
端部をノズル１より、リンス液を流れ方向４に吹き付け
流すことによって基板端部の樹脂を除去する工程であ
る。その後、塗膜を乾燥させるためにホットプレートな
どで加熱乾燥させ、更に加熱することにより、絶縁膜を
形成するポリアミドをポリベンゾオキサゾール樹脂に変
換し、ポリベンゾオキサゾール樹脂の有機絶縁膜を得る
ことができる。
方法としては、適当な溶剤に溶解したポリアミドのワニ
スを、シリコンウェハー等の半導体素子基板上に、スピ
ンナーなどを用いて回転塗布して絶縁膜層を形成し、続
けてエッジリンス液を基板上端部の絶縁膜層に吹き付け
ることにより、基板端部の不要な樹脂が除去される。こ
れを図を用いてエッジリンスを説明すると、図１におい
て、樹脂を半導体素子基板３上の絶縁膜形成面に回転塗
布を行っている際に、塗布し形成された有機絶縁膜２の
端部をノズル１より、リンス液を流れ方向４に吹き付け
流すことによって基板端部の樹脂を除去する工程であ
る。その後、塗膜を乾燥させるためにホットプレートな
どで加熱乾燥させ、更に加熱することにより、絶縁膜を
形成するポリアミドをポリベンゾオキサゾール樹脂に変
換し、ポリベンゾオキサゾール樹脂の有機絶縁膜を得る
ことができる。
【００２０】エッジリンス後において、優れた樹脂の外
観形状を形成するためには、ある程度樹脂に対してエッ
ジリンス液が相溶性を持つことが重要である。樹脂とエ
ッジリンス液の相溶性が悪いと、樹脂自体がリンス液に
押されて盛り上がりを生じたり、またそれによって盛り
上がりの幅が広くなり、好ましくない。しかし、本発明
で用いる樹脂とエッジリンス液を組み合わせることによ
り、盛り上がりの高さが低く、その幅も狭い外観形状に
優れた有機絶縁膜を形成することができる。
観形状を形成するためには、ある程度樹脂に対してエッ
ジリンス液が相溶性を持つことが重要である。樹脂とエ
ッジリンス液の相溶性が悪いと、樹脂自体がリンス液に
押されて盛り上がりを生じたり、またそれによって盛り
上がりの幅が広くなり、好ましくない。しかし、本発明
で用いる樹脂とエッジリンス液を組み合わせることによ
り、盛り上がりの高さが低く、その幅も狭い外観形状に
優れた有機絶縁膜を形成することができる。
【００２１】本発明で得られる有機絶縁膜は、半導体用
層間絶縁膜、保護膜、多層回路の層間絶縁膜、フレキシ
ブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜、液晶
配向膜等として用いることが出来る。また、必要により
各種添加剤として、界面活性剤やカップリング剤等を添
加することも可能である。
層間絶縁膜、保護膜、多層回路の層間絶縁膜、フレキシ
ブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜、液晶
配向膜等として用いることが出来る。また、必要により
各種添加剤として、界面活性剤やカップリング剤等を添
加することも可能である。
【００２２】更に、本発明における半導体用有機絶縁材
料は、感光剤としてのナフトキノンジアジド化合物を添
加することで、感光性樹脂組成物として用いることが可
能である。この場合、塗布し、エッジリンス後の乾燥工
程を経て、露光し未硬化部を現像し、さらに熱硬化させ
て絶縁膜とすることができる。
料は、感光剤としてのナフトキノンジアジド化合物を添
加することで、感光性樹脂組成物として用いることが可
能である。この場合、塗布し、エッジリンス後の乾燥工
程を経て、露光し未硬化部を現像し、さらに熱硬化させ
て絶縁膜とすることができる。
【００２３】
【実施例】以下に実施例により本発明を具体的に説明す
るが、実施例の内容になんら限定されるものではない。
以下、部は重量部を示す。
るが、実施例の内容になんら限定されるものではない。
以下、部は重量部を示す。
【００２４】《実施例１》２，２−ビス（３−アミノ−
４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７
３．２部（０．２ｍｏｌ）を温度計、攪拌機、原料投入
口、乾燥窒素ガス導入管を備えた４つ口のセパラブルフ
ラスコに入れ、乾燥したジメチルアセトアミド２００部
に溶解した。これにピリジン３９．６部（０．５ｍｏ
ｌ）を添加後、乾燥窒素下、−１５℃でシクロヘキサン
１００部に２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−
４，４’−ビフェニレンジカルボン酸クロリド８３．０
部（０．２ｍｏｌ）を溶解したものを３０分かけて滴下
した。滴下終了後、室温まで戻し、室温で５時間攪拌し
た。その後、反応液を蒸留水７リットルに滴下し、沈殿
物を集め、乾燥することにより目的のポリアミド（Ａ−
１）１３１．７部（ポリスチレン換算の数平均分子量１
２６００、重量平均分子量２６４００）を得た。このポ
リアミド２０部をＮ−メチル−２−ピロリドン８０部に
溶解し、０．２μｍのテフロンフィルターで濾過し、ポ
リアミド（Ａ−１）ワニスを得た。
４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７
３．２部（０．２ｍｏｌ）を温度計、攪拌機、原料投入
口、乾燥窒素ガス導入管を備えた４つ口のセパラブルフ
ラスコに入れ、乾燥したジメチルアセトアミド２００部
に溶解した。これにピリジン３９．６部（０．５ｍｏ
ｌ）を添加後、乾燥窒素下、−１５℃でシクロヘキサン
１００部に２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−
４，４’−ビフェニレンジカルボン酸クロリド８３．０
部（０．２ｍｏｌ）を溶解したものを３０分かけて滴下
した。滴下終了後、室温まで戻し、室温で５時間攪拌し
た。その後、反応液を蒸留水７リットルに滴下し、沈殿
物を集め、乾燥することにより目的のポリアミド（Ａ−
１）１３１．７部（ポリスチレン換算の数平均分子量１
２６００、重量平均分子量２６４００）を得た。このポ
リアミド２０部をＮ−メチル−２−ピロリドン８０部に
溶解し、０．２μｍのテフロンフィルターで濾過し、ポ
リアミド（Ａ−１）ワニスを得た。
【００２５】このワニスをシリコンウェハー上に、スピ
ンコーターを用いて回転塗布した後、続けてγ−ブチロ
ラクトン（溶解度パラメータ２５．８（ＭＰａ）1/2）
でエッジリンスを行った。その後、ホットプレートにて
１２０℃で４分乾燥し、膜厚約０．５μｍの塗膜を得
た。接触式表面荒さ計により測定したウェハ端部の形状
から、この時の樹脂の盛り上がりの高さは塗布膜の表面
から０．１５μｍ、盛り上がりの幅は１．２ｍｍである
ことが分かった。
ンコーターを用いて回転塗布した後、続けてγ−ブチロ
ラクトン（溶解度パラメータ２５．８（ＭＰａ）1/2）
でエッジリンスを行った。その後、ホットプレートにて
１２０℃で４分乾燥し、膜厚約０．５μｍの塗膜を得
た。接触式表面荒さ計により測定したウェハ端部の形状
から、この時の樹脂の盛り上がりの高さは塗布膜の表面
から０．１５μｍ、盛り上がりの幅は１．２ｍｍである
ことが分かった。
【００２６】《実施例２》実施例１におけるエッジリン
ス液を２−ヘプタノン（溶解度パラメータ１７．４（Ｍ
Ｐａ）1/2）に代えた他は実施例１と同様にして塗膜を
形成し評価を行った。
ス液を２−ヘプタノン（溶解度パラメータ１７．４（Ｍ
Ｐａ）1/2）に代えた他は実施例１と同様にして塗膜を
形成し評価を行った。
【００２７】《実施例３》４，４’−オキシジフェニル
−１，１’−ジカルボン酸６４．６部（０．２５ｍｏ
ｌ）と１−ヒドロキシベンゾトリアゾール６７．６部
（０．５０ｍｏｌ）とを反応させて得られたジカルボン
酸誘導体９６．２部（０．２ｍｏｌ）と、４，４’−ヘ
キサフルオロイソプロピリデンジフェニル−１，１’−
ジカルボン酸３１７．８部（０．８１ｍｏｌ）と１−ヒ
ドロキシベンゾトリアゾール２１８．８部（１．６２ｍ
ｏｌ）とを反応させて得られたジカルボン酸誘導体５０
０．６部（０．８ｍｏｌ）と、２，２−ビス（３−アミ
ノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン
３６６．３部（１ｍｏｌ）とを温度計、攪拌機、原料投
入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた４つ口のセパラブル
フラスコに入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン３０００
部を加えて溶解させた。その後、オイルバスを用いて８
０℃にて８時間反応させた。反応液をろ過した後、反応
液を水／メタノール＝３／１の溶液に投入し、沈殿物を
濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、目的のポ
リアミド（Ａ−２）６４６．２部（ポリスチレン換算の
数平均分子量８５００、重量平均分子量１８８００）を
得た。このポリアミド１６部をＮ−メチル−２−ピロリ
ドン８４部に溶解し、０．２μｍのテフロンフィルター
で濾過してポリアミド（Ａ−２）ワニスを得た。
−１，１’−ジカルボン酸６４．６部（０．２５ｍｏ
ｌ）と１−ヒドロキシベンゾトリアゾール６７．６部
（０．５０ｍｏｌ）とを反応させて得られたジカルボン
酸誘導体９６．２部（０．２ｍｏｌ）と、４，４’−ヘ
キサフルオロイソプロピリデンジフェニル−１，１’−
ジカルボン酸３１７．８部（０．８１ｍｏｌ）と１−ヒ
ドロキシベンゾトリアゾール２１８．８部（１．６２ｍ
ｏｌ）とを反応させて得られたジカルボン酸誘導体５０
０．６部（０．８ｍｏｌ）と、２，２−ビス（３−アミ
ノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン
３６６．３部（１ｍｏｌ）とを温度計、攪拌機、原料投
入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた４つ口のセパラブル
フラスコに入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン３０００
部を加えて溶解させた。その後、オイルバスを用いて８
０℃にて８時間反応させた。反応液をろ過した後、反応
液を水／メタノール＝３／１の溶液に投入し、沈殿物を
濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、目的のポ
リアミド（Ａ−２）６４６．２部（ポリスチレン換算の
数平均分子量８５００、重量平均分子量１８８００）を
得た。このポリアミド１６部をＮ−メチル−２−ピロリ
ドン８４部に溶解し、０．２μｍのテフロンフィルター
で濾過してポリアミド（Ａ−２）ワニスを得た。
【００２８】実施例１においてポリアミド（Ａ−１）ワ
ニスを上記で得たポリアミド（Ａ−２）ワニスに、エッ
ジリンス液を酢酸−ｎ−ブチル（溶解度パラメータ１
７．４（ＭＰａ）1/2）に代えた他は実施例１と同様に
して塗膜を形成し評価を行った。
ニスを上記で得たポリアミド（Ａ−２）ワニスに、エッ
ジリンス液を酢酸−ｎ−ブチル（溶解度パラメータ１
７．４（ＭＰａ）1/2）に代えた他は実施例１と同様に
して塗膜を形成し評価を行った。
【００２９】《実施例４》実施例１においてポリアミド
（Ａ−１）ワニスを上記で得たポリアミド（Ａ−２）ワ
ニスに、エッジリンス液をＮホルミルモルホリン（溶解
度パラメータ２６．６（ＭＰａ）1/2）に代えた他は実
施例１と同様にして塗膜を形成し評価を行った。
（Ａ−１）ワニスを上記で得たポリアミド（Ａ−２）ワ
ニスに、エッジリンス液をＮホルミルモルホリン（溶解
度パラメータ２６．６（ＭＰａ）1/2）に代えた他は実
施例１と同様にして塗膜を形成し評価を行った。
【００３０】《比較例１》実施例１におけるエッジリン
ス液をジエチルエーテル（溶解度パラメータ１５．１
（ＭＰａ）1/2）に代えた他は実施例１と同様にして塗
膜を形成し評価を行った。
ス液をジエチルエーテル（溶解度パラメータ１５．１
（ＭＰａ）1/2）に代えた他は実施例１と同様にして塗
膜を形成し評価を行った。
【００３１】《比較例２》実施例１におけるエッジリン
ス液をＮメチルアセトアミド（溶解度パラメータ２９．
９（ＭＰａ）1/2）に代えた他は実施例１と同様にして
塗膜を形成し評価を行った。
ス液をＮメチルアセトアミド（溶解度パラメータ２９．
９（ＭＰａ）1/2）に代えた他は実施例１と同様にして
塗膜を形成し評価を行った。
【００３２】《比較例３》実施例１においてポリアミド
（Ａ−１）ワニスを上記で得たポリアミド（Ａ−２）ワ
ニスに、エッジリンス液を酢酸イソアミル（溶解度パラ
メータ１６．０（ＭＰａ）1/2）に代えた他は実施例１
と同様にして塗膜を形成し評価を行った。
（Ａ−１）ワニスを上記で得たポリアミド（Ａ−２）ワ
ニスに、エッジリンス液を酢酸イソアミル（溶解度パラ
メータ１６．０（ＭＰａ）1/2）に代えた他は実施例１
と同様にして塗膜を形成し評価を行った。
【００３３】《比較例４》実施例１においてポリアミド
（Ａ−１）ワニスを上記で得たポリアミド（Ａ−２）ワ
ニスに、エッジリンス液をエチレングリコール（溶解度
パラメータ２９．９（ＭＰａ）1/2）に代えた他は実施
例１と同様にして塗膜を形成し評価を行った。
（Ａ−１）ワニスを上記で得たポリアミド（Ａ−２）ワ
ニスに、エッジリンス液をエチレングリコール（溶解度
パラメータ２９．９（ＭＰａ）1/2）に代えた他は実施
例１と同様にして塗膜を形成し評価を行った。
【００３４】以上実施例１〜４、比較例１〜４の評価結
果を表１に示す。
果を表１に示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】
【発明の効果】本発明の方法によれば、半導体装置の製
造においてエッジリンス後の膜の外観形状に優れた有機
絶縁膜を提供することができる。
造においてエッジリンス後の膜の外観形状に優れた有機
絶縁膜を提供することができる。
【図１】エッジリンス中の塗布基板端部の断面を表す。
【図２】エッジリンス後の塗布基板端部の断面を表す。
１ エッジリンス液が流れるノズル ２ 有機絶縁膜 ３ 半導体素子基板 ４ エッジリンス液の流れる方向 ａ 塗布膜の表面からの樹脂の盛り上がりの高さ ｂ 樹脂の盛り上がりの幅
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AB16 CB26 EA10 FA48 2H096 AA25 CA20 LA03 LA18 4J043 PA01 PC015 PC145 QB15 QB21 QB33 QB34 RA06 RA25 SA06 SA71 SB01 SB02 TA12 TA26 TA32 TB01 TB02 UA121 UA122 UA131 UA132 UA141 UA151 UA152 UA161 UB021 UB022 UB061 UB121 UB122 UB131 UB301 XA13 YA06 ZA12 ZA43 ZA46 ZB47 5F058 AA10 AC10 AF04 AG10 AH01 AH02
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体素子基板上に塗布することにより
半導体用有機絶縁膜を形成する方法において、半導体用
有機絶縁膜が、式（１）で表される繰り返し単位を有す
るポリアミドからなり、且つ、前記半導体用有機絶縁膜
をエッジリンスを行う際、エッジリンス液の溶解度パラ
メーター値が１７．０〜２７．０（ＭＰａ）1/2である
有機溶剤を用いることを特徴とする半導体用有機絶縁膜
形成方法。 【化１】 （式（１）中、ｎは２〜１０００までの整数を示し、Ｘ
は式（２）より選ばれる構造を示し、Ｙは２価の有機基
を表す。） 【化２】 （式（２）中、Ｚは式（３）より選ばれる構造を示し、
これらの構造中、ベンゼン環上の水素原子がメチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イ
ソブチル基、ｔ−ブチル基、フッ素原子、及びトリフル
オロメチル基からなる群から選ばれる少なくとも１個の
基で置換されていてもよい。） 【化３】 - 【請求項２】 エッジリンス液が、酢酸−ｎ−ブチル、
２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、Ｎホルミルモル
ホリン、ジメチルスルホキシドから選ばれる１種又は２
種以上の混合物であることを特徴とする請求項１記載の
半導体用有機絶縁膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000053273A JP2001244258A (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 半導体用有機絶縁膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000053273A JP2001244258A (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 半導体用有機絶縁膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001244258A true JP2001244258A (ja) | 2001-09-07 |
Family
ID=18574680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000053273A Pending JP2001244258A (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 半導体用有機絶縁膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001244258A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004045491A (ja) * | 2002-07-09 | 2004-02-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂の膜形成方法 |
| JP2005055886A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Dongjin Semichem Co Ltd | 感光性樹脂組成物除去用洗浄剤組成物 |
| JP2005252260A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Air Products & Chemicals Inc | 溶剤及びそれを用いて基材からケイ素含有残留物を除去する方法 |
| KR20110043543A (ko) * | 2008-06-24 | 2011-04-27 | 다이나로이 엘엘씨 | 후공정 작업에 효과적인 스트리퍼 용액 |
| US9069259B2 (en) | 2005-10-28 | 2015-06-30 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose compositions for the removal of photoresists and method for its use |
| US9158202B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-10-13 | Dynaloy, Llc | Process and composition for removing substances from substrates |
| US9243218B2 (en) | 2005-10-28 | 2016-01-26 | Dynaloy, Llc | Dynamic multipurpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
| US9329486B2 (en) | 2005-10-28 | 2016-05-03 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
-
2000
- 2000-02-29 JP JP2000053273A patent/JP2001244258A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004045491A (ja) * | 2002-07-09 | 2004-02-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂の膜形成方法 |
| JP2005055886A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Dongjin Semichem Co Ltd | 感光性樹脂組成物除去用洗浄剤組成物 |
| JP4494897B2 (ja) * | 2003-08-01 | 2010-06-30 | 東進セミケム株式会社 | 感光性樹脂組成物除去用洗浄剤組成物 |
| JP2005252260A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Air Products & Chemicals Inc | 溶剤及びそれを用いて基材からケイ素含有残留物を除去する方法 |
| US9069259B2 (en) | 2005-10-28 | 2015-06-30 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose compositions for the removal of photoresists and method for its use |
| US9243218B2 (en) | 2005-10-28 | 2016-01-26 | Dynaloy, Llc | Dynamic multipurpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
| US9329486B2 (en) | 2005-10-28 | 2016-05-03 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
| KR20110043543A (ko) * | 2008-06-24 | 2011-04-27 | 다이나로이 엘엘씨 | 후공정 작업에 효과적인 스트리퍼 용액 |
| JP2011525641A (ja) * | 2008-06-24 | 2011-09-22 | ダイナロイ・エルエルシー | 配線工程操作のために有効な剥離剤溶液 |
| TWI450052B (zh) * | 2008-06-24 | 2014-08-21 | Dynaloy Llc | 用於後段製程操作有效之剝離溶液 |
| KR101704045B1 (ko) * | 2008-06-24 | 2017-02-07 | 다이나로이 엘엘씨 | 후공정 작업에 효과적인 스트리퍼 용액 |
| US9158202B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-10-13 | Dynaloy, Llc | Process and composition for removing substances from substrates |
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