JP2001244253A

JP2001244253A - 液晶表示体基板用プラズマ処理装置

Info

Publication number: JP2001244253A
Application number: JP2000381801A
Authority: JP
Inventors: Kenji Amano; 健次天野
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1999-12-22
Filing date: 2000-12-15
Publication date: 2001-09-07
Anticipated expiration: 2020-12-15
Also published as: JP4450983B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】液晶表示体基板用プラズマ処理装置の基板受
け渡し機構でプラズマ処理中に異常放電が発生し、その
堆積物がパーティクルの原因になる虞れがある。【解決手段】プラズマ処理を施す液晶表示体用基板を
載置する載置台２を有する処理室１と、この処理室に連
結された搬送機構を有する搬送室とを備え、上記処理室
は上記搬送機構と上記載置台との間で上記液晶表示体用
基板を受け渡す受け渡し機構１１，１２を有し、上記受
け渡し機構１１，１２は上記載置台２の近傍に設けら
れ、更に、上記受け渡し機構は、正逆回転可能で且つ昇
降可能な支持ロッドと、この支持ロッドの上端から水平
に張り出す液晶表示体用基板受け渡し用支持部材を備
え、この受け渡し用支持部材が収納される筺体を設けた
ことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示体基板用
プラズマ処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来か
ら液晶表示体用基板（以下、「ＬＣＤ用基板」と称
す。）にプラズマ処理を施すための装置が種々提案され
ている。例えば図１２はマルチチャンバータイプのプラ
ズマ処理装置の外観を示す図である。同図に示すプラズ
マ処理装置は、例えば３室の処理室１０１と、これらの
処理室１０１がゲートバルブ１０２を介して連結された
矩形状の搬送室１０３と、この搬送室１０３にゲートバ
ルブ１０４を介して連結されたロードロック室１０５
と、ロードロック室１０５にゲートバルブ１０６を介し
て隣接する搬入搬出機構１０７と、搬入搬出機構１０７
の左右に配設されたインデクサ１０８とを備えている。

【０００３】インデクサ１０８にはＬＣＤ用基板Ｓを例
えば２５枚収納したカセットＣが載置され、搬入搬出機
構１０７を介してカセット内のＬＣＤ用基板Ｓをロード
ロック室１０５内へ搬入すると共に処理済みのＬＣＤ用
基板Ｓをロードロック室１０５内から搬出する。ロード
ロック室１０５内へＬＣＤ用基板Ｓを搬入すると、ゲー
トバルブ１０６を閉じる。次いで、ロードロック室１０
５内を所定の真空度まで減圧した後、搬送室１０３とロ
ードロック室１０５間のゲートバルブ１０４が開き、ロ
ードロック室１０５内のＬＣＤ用基板Ｓを搬送室１０３
内の搬送機構（図示せず）を介して搬送室１０３内へ搬
入した後、ゲートバルブ１０４を閉じる。搬送室１０３
内では更に減圧してロードロック室１０５内よりも高い
真空度まで減圧した後ゲートバルブ１０２を開き、処理
室１０１内の下部電極との間で未処理のＬＣＤ用基板Ｓ
と処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’とを交換する（図１３参
照）。交換後、処理室１０１内では下部電極と上部電極
間にプラズマを発生させＬＣＤ用基板Ｓに対して所定の
プラズマ処理を行う。３室の処理室１０１では同一の処
理（例えばエッチング処理等）を行っても良いし、互い
に異なった処理（例えばエッチング処理とアッシング処
理等）を行うようにしても良い。

【０００４】ところが、ＬＣＤ用基板Ｓは半導体ウエハ
と異なり処理面積が大きく、プラズマ装置自体が半導体
ウエハ用と比較して大型であるため、半導体ウエハ用の
プラズマ処理装置の仕様では対応しきれない種々の問題
がある。例えば、下部電極におけるＬＣＤ用基板Ｓの受
け渡し機構も以下で説明するように半導体ウエハの場合
とは異なる独自の機構がある。また、下部電極、上部電
極等の構成部材は半導体ウエハ用の場合と比較して大き
く、しかも最近はＬＣＤ用基板Ｓ自体が益々大面積化し
ているため、液晶表示体基板用プラズマ処理装置独自の
難しい問題がある。

【０００５】さて、ここで液晶表示体基板用プラズマ処
理装置独自の機構であるＬＣＤ用基板Ｓの受け渡し機構
について図１３、図１４を参照しながら説明する。処理
室１０１内には図１４に示すようにＬＣＤ用基板Ｓを載
置する載置台を兼ねる下部電極１０９が配設され、搬送
室１０３内には例えば多関節型の搬送機構（図１３では
ハンド１１０のみを図示してある）が配設されている。
また、下部電極１０９には第１、第２受け渡し機構１１
１、１１２が配設され、第１、第２受け渡し機構１１
１、１１２を介して下部電極１０９と搬送機構のハンド
１１０との間で未処理ＬＣＤ用基板Ｓ及び処理済みＬＣ
Ｄ用基板Ｓ’の受け渡しを行う。ハンド１１０は図１３
に示すように上下二段のフォーク１１０Ａ、１１０Ｂを
有し、上フォーク１１０Ａで未処理のＬＣＤ用基板Ｓを
支持し、下フォーク１１０Ｂで処理済みのＬＣＤ用基板
Ｓ’を支持する。

【０００６】第１、第２受け渡し機構１１１、１１２に
ついて図１３、図１４を参照しながら更に説明する。第
１受け渡し機構１１１は、例えば下部電極１０９の左右
両側縁部の前後に配設された二対の第１昇降ピン１１１
Ａを有し、ＬＣＤ用基板Ｓの左右両側縁からＬＣＤ用基
板Ｓを水平に支持する。第２受け渡し機構１１２は、例
えば下部電極１０９の周囲を被覆する枠状のシールドリ
ング１１３の左右に配設された二対の第２昇降ピン１１
２Ａを有している。第２昇降ピン１１２Ａは例えば上端
部が水平方向、上方向へ二度に渡って９０°ずつ折曲形
成され、Ｌ字状の先端で第１昇降ピン１Ａよりも高い位
置で未処理のＬＣＤ用基板Ｓを支持する。また、第２昇
降ピン１１２Ａは正逆方向に回転可能になっており、Ｌ
ＣＤ用基板Ｓを受け渡す時には図１４の（ｂ）に示すよ
うにＬ字状部を反時計方向へ９０°回転させ下部電極１
０９の内側に向け、その他の時にはＬ字状部を時計方向
へ９０°回転させてシールドリング１１３に形成された
凹部１１３Ａ内に後退し、蓋１１２Ｂで凹部１１３Ａを
閉じる。

【０００７】従って、未処理及び処理済みのＬＣＤ用基
板Ｓ、Ｓ’の受け渡し（交換）は以下のように実施す
る。まず、第２受け渡し機構１１２では図１４の（ａ）
の状態から蓋１１２Ｂが開いた後、同図の（ｂ）の矢印
で示すように第２昇降ピン１１２Ａがシールドリング１
１３の凹部１１３Ａから上昇すると共にＬ字状部を下部
電極１０９の内側に向ける。引き続き第１受け渡し機構
１１１では第１昇降ピン１１１Ａが上昇して処理済みＬ
ＣＤ用基板Ｓ’を水平に持ち上げる。そして、搬送機構
のハンド１１０が下部電極１０９に向けて進出すると、
上フォーク１１０Ａに載置された未処理のＬＣＤ用基板
Ｓが第２昇降ピン１１２ＡのＬ字状部のやや上方に位置
すると共に下フォーク１１０Ｂが処理済みのＬＣＤ用基
板Ｓ’のやや下方に位置する。次いで、第２昇降ピン１
１２Ａが上昇して上フォーク１１０Ａから未処理のＬＣ
Ｄ用基板Ｓを受け取った後、第１昇降ピンが下降して処
理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’を下フォーク１１０Ｂへ引き
渡す。引き続きハンド１１０が下部電極１０９から後退
し、第１昇降ピン１１１Ａがやや上昇すると共に第２昇
降ピン１１２Ａが下降し、未処理のＬＣＤ用基板Ｓを第
２昇降ピン１１２Ａから第１昇降ピン１１１Ａへ引き渡
す。更に、第１昇降ピン１１１Ａが下降して下部電極１
０９内に後退しＬＣＤ用基板Ｓを下部電極１０９上に載
置する。第２昇降ピン１１２Ａは未処理のＬＣＤ用基板
Ｓを引き渡した後、Ｌ字状部が逆向きに９０°回転した
後下降してシールドリング１１３の凹部１１３Ａ内へ後
退し、蓋１１２Ｂを閉じ、一連のＬＣＤ用基板の受け渡
しを終了する。

【０００８】ところで、第２受け渡し機構１１２の第２
昇降ピン１１２Ａはシールドリング１１３の凹部１１３
Ａ内に収納され、蓋１１２Ｂによって凹部１１３Ａを閉
じるようにしているため、蓋１１２Ｂと凹部１１３Ａに
は開閉用のクリアランスが必要である。また、第２昇降
ピン１１２Ａの駆動部は下部電極中の空洞に配設されて
いるため、プラズマ処理時にはこのクリアランスを通っ
て異常放電が発生する虞があり、また、このクリアラン
スからプラズマ副生成物が進入し、副生成物が凹部１１
３Ａ内に堆積し、パーティクルの原因になる虞がある。
また、第２受け渡し機構１１２がＬＣＤ用基板Ｓに隣接
するシールドリング１１３に設けられているため、その
可動部から発生したパーティクルが隣のＬＣＤ用基板Ｓ
を汚染する虞がある。

【０００９】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、プラズマ処理時の異常放電を防止すると共
にＬＣＤ用基板をパーティクルの汚染から防止すること
ができる液晶表示体基板用プラズマ処理装置を提供する
ことを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の液晶表示体基板用プラズマ処理装置は、プラズマ処理
を施す液晶表示体用基板を載置する載置台を有する処理
室と、この処理室に連結された搬送機構を有する搬送室
とを備え、上記処理室は上記搬送機構と上記載置台との
間で上記液晶表示体用基板を受け渡す受け渡し機構を有
し、上記受け渡し機構は上記載置台の近傍に設けられ、
更に、上記受け渡し機構は、正逆回転可能で且つ昇降可
能な支持ロッドと、この支持ロッドの上端から水平に張
り出す液晶表示体用基板受け渡し用支持部材と、この受
け渡し用支持部材を下降端で収納する筐体とを有するこ
とを特徴とするものである。

【００１１】また、本発明の請求項２に記載の液晶表示
体基板用プラズマ処理装置は、請求項１に記載の発明に
おいて、上記筐体の上端は、上記載置台の載置面よりも
１０〜５０ｍｍ下方に位置していることを特徴とするも
のである。

【００１２】また、本発明の請求項３に記載の液晶表示
体基板用プラズマ処理装置は、請求項１または請求項２
に記載の発明において、上記受け渡し用支持部材は、上
記液晶表示体用基板を受ける受け部材と、この受け部材
と平行にその上部に設けられ且つ上記筐体の上端開口を
閉じる蓋部材とを有することを特徴とするものである。

【００１３】また、本発明の請求項４に記載の液晶表示
体基板用プラズマ処理装置は、請求項３に記載の発明に
おいて、上記受け渡し機構は、上記受け部材が回転する
時に上記蓋部材の回転を拘束する拘束機構を有すること
を特徴とするものである。

【００１４】また、本発明の請求項５に記載の液晶表示
体基板用プラズマ処理装置は、請求項４に記載の発明に
おいて、上記拘束機構は、上記蓋部材から垂下するロッ
ドと、上記ロッドに対応して上記筐体に設けられた昇降
ガイドとを有することを特徴とするものである。

【００１５】また、本発明の請求項６に記載の液晶表示
体基板用プラズマ処理装置は、請求項５に記載の発明に
おいて、上記受け部材は、上記蓋部材に上記支持ロッド
と同軸状に取り付けられた軸部材で回転自在に支持され
ていることを特徴とするものである。

【００１６】また、本発明の請求項７に記載の液晶表示
体基板用プラズマ処理装置は、請求項１〜請求項６のい
ずれか１項に記載の発明において、上記筐体を弾性的に
支持する支持機構を有することを特徴とするものであ
る。

【００１７】また、本発明の請求項８に記載の液晶表示
体基板用プラズマ処理装置は、請求項７に記載の発明に
おいて、上記支持機構は、垂直ガイドロッドと、この垂
直ガイドロッドの上端を挿着した第１スリーブと、第１
スリーブと所定間隔を空けてその下方に装着された第２
スリーブと、第１、第２スリーブの間に弾装された弾性
部材と、この弾性部材を囲むように上記筐体に固定され
た第３スリーブとを有し、上記筐体を弾力的に支持する
ことを特徴とするものである。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図１〜図１１に示す実施形
態に基づいて本発明を説明する。本実施形態の液晶表示
体基板用プラズマ処理装置（以下、単に「プラズマ処理
装置」と称する。）は、基本的には従来と同様に、ＬＣ
Ｄ用基板Ｓにプラズマ処理を施す上部電極及び下部電極
を有する処理室と、この処理室に連結された搬送機構を
有する搬送室とを備えている。本実施形態の処理室１の
側壁には図１の（ａ）に示すようにゲートバルブＧが取
り付けられ、このゲートバルブＧを介して処理室１と搬
送室（図示せず）は連通可能になっている。この処理室
１内には下部電極２Ａを有する載置台２が配設され、こ
の載置台２の上方には隙間を介してプロセスガスの供給
部を兼ねる上部電極３が対向配置されている。上部電極
３はマッチング回路３Ａを介して高周波電源３Ｂに接続
され、高周波電源３Ｂから上部電極３に１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力を印加する。また、処理室１の外側には
プロセスガス供給源４が配設され、このプロセスガス供
給源４からプロセスガスを処理室１内に供給する。従っ
て、プロセスガス供給源４から処理室１内へプロセスガ
スを供給すると共に上部電極３に高周波電力を印加する
ことにより、下部電極２Ａと上部電極３間でプロセスガ
スのプラズマを発生させ、ＬＣＤ用基板Ｓに対してエッ
チングあるいはアッシング等のプラズマ処理を行うこと
ができる。

【００１９】図１の（ａ）に示すようにプロセスガス供
給源４はマスフローコントローラ４Ａ、開閉バルブ４Ｂ
及びガス配管５を介して上部電極３に接続され、処理室
１近傍のガス配管５は処理室１の側壁に形成された貫通
孔１Ａを貫通している。また、処理室１は上端近傍で上
下に二分割されて処理室１の上部が開閉可能になってお
り、内部のメンテナンスを行い易いようにしてある。こ
れに伴ってガス配管５も分割され、同図の（ｂ）に拡大
して示すようにそれぞれの分割端にはフランジ５Ａ、５
Ａが取り付けられている。フランジ５Ａの周縁部は処理
室１の側壁の分割面に穿設されたリング状凹陥部１Ｂ内
に収納されている。そして、フランジ５Ａ、５Ａの衝合
面間、各フランジ５Ａとリング状凹陥部１Ｂとの衝合面
間にはそれぞれシール部材５Ｂ、５Ｃが介装され、更
に、側壁の分割面間にもシール部材１Ｃが介装され、こ
れらのシール部材１Ｃによって処理室１内の気密を保持
している。このようにガス配管５を処理室１の壁面内に
収納することで処理室１を開閉する場合にはガス配管５
が邪魔になることがない。また、上部電極３を冷却する
場合にはその冷媒配管を側壁の貫通孔１Ａに通しても良
い。

【００２０】処理室１の底面には図１の（ａ）、図２に
示すように排気口１Ｅが５箇所に略均等に分散して形成
され、これらの排気口１Ｅから処理室１内のガスを排気
する。排気口１Ｅは載置台２の周囲の他、載置台２の下
方にも形成され、排気口１Ｅに接続された排気管６を介
して排気の高速化や処理室１内の排気流の均一化を図る
ようにしてあるため、処理室１内のプロセスガスの分布
を均一化してエッチング処理等のプラズマ処理の均一化
を実現することができる。

【００２１】載置台２は処理室１の底面中央に配置さ
れ、例えば４本の中空状の支柱７によって底面から浮上
した状態で支持されている。この支柱７は図２に示すよ
うに処理室１の底面の貫通孔１Ｆに対してフランジ結合
されており、ユーティリティ関連の収納配管を兼ねてい
る。即ち、下部電極２Ａの内部には冷媒流路２Ｂが形成
され、この冷媒流路２Ｂは冷媒供給源（図示せず）に連
なる冷媒配管２Ｃに接続され、この冷媒配管２Ｃを介し
て冷媒流路２Ｂを循環する冷媒により下部電極２Ａを所
定の温度まで冷却制御する。また、下部電極２Ａの表面
には静電チャック８が配設され、静電チャック８を介し
てＬＣＤ用基板Ｓを静電吸着する。この静電チャック８
は配線８Ａを介して電源８Ｂに接続されている。これら
の冷媒配管２Ｃ、配線８Ａ及び下部電極２Ａのアース配
線２Ｄ等のユーティリティ関連の配管、配線が支柱７内
に収納されている。

【００２２】また、図１の（ａ）に示すように下部電極
２Ａの外周縁部はセラミックス等の耐プラズマ性材料に
よって枠状に形成されたシールドリング９によって被覆
され、このシールドリング９によって下部電極２Ａ外周
縁部をスパッタリングによる損傷から防止すると共に上
部電極３の間に発生したプラズマの下部電極２Ａの外側
への広がりを防止する。また、このシールドリング９
は、下部電極２Ａの外周縁部を被覆するリング状枠９Ａ
と、下部電極２Ａの外周面を被覆する筒状体９Ｂからな
っている。これら両者９Ａ、９Ｂは同図に示すように分
割されたものであっても一体化したものであっても良
い。

【００２３】静電チャック８は図１の（ａ）に示すよう
に下部電極２Ａの周縁部に配設されたリング状枠９Ａ及
びその上面のガス整流ブロック１０によって囲まれてい
る。ガス整流ブロック１０はＬＣＤ用基板Ｓを搬入、搬
出する場合には上部電極３の方に上昇するようになって
いる。このガス整流ブロック１０はセラミック等の耐プ
ラズマ性材料によって図３の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に
示すように断面がＬ字状を呈する枠状に形成され、上部
電極３から下降流で供給されるプロセスガスがＬＣＤ用
基板Ｓ表面全体に均一な流速で行き渡るようにしてあ
る。即ち、上部電極３からプロセスガスを下降流で供給
した後、使用後のガスを排気口１Ｅから排気する。この
時の排気流はＬＣＤ用基板Ｓの中央部よりも周縁部の方
が速いが、ガス整流ブロック１０を設けることでガス流
がガス整流ブロック１０によって堰き止められてＬＣＤ
用基板Ｓの周縁部のガス流速が遅くなる。この結果、ガ
ス整流ブロック１０内側のＬＣＤ用基板Ｓ全面でのプロ
セスガスの密度が均一化され、プラズマ処理を均一化す
ることができる。このような結果をより確実に得るため
には、ガス整流ブロック１０のＬＣＤ用基板Ｓ表面から
の高さは例えば２５mm程度に設定することが好ましい。

【００２４】また、ガス整流ブロック１０は、図３の
（ａ）、（ｂ）に示すように、矩形状の基板枠１０Ａ
と、この基板枠１０Ａの内周縁に着脱自在に複数の固定
用ピン１０Ｂを介して取り付けられた整流枠１０Ｃと、
この整流枠１０Ｃを基板枠１０Ａに装着した状態で整流
枠１０Ｃを側面から押圧し固定用ピン１０Ｂを介して基
板枠１０Ａ上に整流枠１０Ｃを固定するカム等の固定具
１０Ｄとを有している。固定用ピン１０Ｂは整流枠１０
Ｃの下端に所定間隔を空けて全周に渡って垂直下方に向
けて取り付けられ、基板枠１０Ａに設けられたピン孔に
嵌入するようになっている。また、カム等の固定具１０
Ｄは例えば図３の（ａ）に示すように基板枠１０Ａの各
辺に取り付けられている。従って、メンテナンス時には
整流枠１０Ｃは固定具１０Ｄを手動操作することで基板
枠１０Ａから簡単に着脱することができるため、整流枠
１０Ｃにプラズマ副生成物が付着、堆積した場合にはク
リーニングを簡単に行うことができる。尚、基板枠１０
Ａに対する整流枠１０Ｃの位置決め及び取り付けは、固
定用ピン１０Ｂ以外の構成を採用することもできる。例
えば、図３の（ｃ）に示すように整流枠１０Ｃの下端部
に段部１０Ｅを設けると共に基板枠１０Ａの内周に段部
１０Ｅと係合する凸部１０Ｆを設け、段部１０Ｅと凸部
１０Ｆを係合させて一体化しても良い。

【００２５】而して、図４に示すように処理室１内には
搬送室の搬送機構と載置台２との間でＬＣＤ用基板Ｓを
受け渡す第１、第２受け渡し機構１１、１２が配設され
ている。第１受け渡し機構１１は同図に示すように従来
と同様に下部電極２Ａの内周縁部に沿って配設された４
本の昇降ピン１１Ａを有している。図示してないが、こ
れらの昇降ピン１１Ａは太さ（外径）が一定のピンであ
っても良く、また、上端部のみが太くその下方から縊れ
て一定の細さになったピンであっても良い。昇降ピン１
１Ａが出没する下部電極２Ａの孔には絶縁性材料によっ
て形成されたブッシュ（図示せず）が装着され、このブ
ッシュに従って昇降ピン１１Ａが昇降する。このブッシ
ュは下部電極２Ａを形成する電極板（図示せず）の裏面
側に装着され、ブッシュ自体が電極表面に露呈しないよ
うになっており、下部電極２Ａの孔での放電を防止して
いる。一方、第２受け渡し機構１２は、載置台２に隣接
させて処理室１の底面に第１受け渡し機構１１に対応し
て配設されている。

【００２６】そこで、本実施形態の第２受け渡し機構１
２について詳述する。第２受け渡し機構１２は、例えば
図４、図５に示すように、正逆回転可能で且つ昇降可能
な支持ロッド１３と、この支持ロッド１３の上端から水
平に張り出す長円形状の支持部材１４と、この支持部材
１４を上端開口から受け入れて下降端で収納する長円形
状の筐体１５と、この筐体１５を支持する支持機構１６
とを有している。この筐体１５は載置台２の側面に平行
に配置され、その上端が載置台２の載置面より１０〜５
０ｍｍだけ低く位置している。そして、筐体１５等の各
部材は基本的には表面がアルマイト加工されたアルミニ
ウムによって形成されている。

【００２７】図５に示すように支持ロッド１３は処理室
１の底面に形成された貫通孔１Ｇを貫通し、底面の下方
に配設されたリフタ１７に対して接続部材１３Ａを介し
て連結されている。このリフタ１７は底面の下方に配設
された回転駆動機構及び昇降駆動機構（共に図示せず）
を介して正逆回転及び昇降可能になっている。従って、
支持ロッド１３はリフタ１７を介して正逆回転及び昇降
可能になっており、しかも、接続部材１３Ａを介してリ
フタ１７から取り外せるようになっている。また、底面
の貫通孔１Ｇの裏側にはフランジ１８Ａを介してベロー
ズ１８が取り付けられ、このベローズ１８内にリフタ１
７が収納されている。支持ロッド１３は筐体１５よりも
下側の部分が筒状部材１９内に収納されている。この筒
状部材１９の下端にはフランジ１９Ａが形成され、この
フランジ１９Ａを介して支持機構１６の基板１６Ａの一
端に固定されている。そして、筒状部材１９の上端開口
にはブッシュ１９Ｂが装着され、筒状部材１９内ひいて
は底面下側空間から処理室１内を遮断し、底面下方の駆
動機構によって発生するパーティクルが筒状部材１９か
ら処理室１内へ入り込まないようにしてある。また、ブ
ッシュ１９Ｂは支持ロッド１３の昇降ガイドの機能も有
している。

【００２８】また、図５に示すように支持部材１４は筐
体１５内に収まるように筐体１５と相似形状を呈するよ
うに形成され、その基端で支持ロッド１３の上端に連結
されている。この支持部材１４は、ＬＣＤ用基板Ｓを受
ける受け部材１４Ａと、筐体１５の上端開口を開閉する
蓋部材１４Ｂとを有している。受け部材１４Ａは例えば
表面がアルマイト加工されたアルミニウムによって先端
側が薄肉状の受け部として形成されていると共に基端側
が厚肉状に形成され、受け部においてＬＣＤ用基板Ｓを
受けるようになっている。この受け部材１４Ａの表面に
はフッ素系樹脂等の摩擦係数の大きな耐熱、耐食性の材
料からなる滑り止め１４Ｃが設けられ、この滑り止め１
４ＣによってＬＣＤ用基板Ｓの受け部材１４Ａからの滑
落を防止している。蓋部材１４Ｂはセラミックス等の耐
プラズマ性材料によって平面形状が筐体１５と略同一大
きさに形成され、受け部材１４Ａの厚肉部に固定されて
いる。従って、支持部材１４が支持ロッド１３を介して
下降端に達すると、筐体１５の上端開口を蓋部材１４Ｂ
によって閉じるようになっている。筐体１５の開口端面
には全周に渡ってシール部材２０が取り付けられ、シー
ル部材２０を介して筐体１５内を処理室１から遮断し、
プラズマ処理時にプラズマ副生成物が筐体１５内に進入
して付着、堆積しないようにしてある。従って、ＬＣＤ
用基板Ｓを載置する受け部材１４Ａは常に清浄に保たれ
る。

【００２９】筐体１５の底面には図５に示すように基端
部に支持ロッド１３が遊嵌する孔１５Ａが形成され、ま
た、その底面には長軸線に沿って所定間隔を空けて２個
の孔が形成され、これらの孔を介して支持機構１６が連
結されている。支持機構１６は、同図に示すように、筐
体１５の２個の孔をそれぞれ垂直に貫通するガイドロッ
ド１６Ｂ、１６Ｂと、ガイドロッド１６Ｂ、１６Ｂの上
端がそれぞれ挿着されたフランジを有する第１スリーブ
１６Ｃ、１６Ｃと、第１スリーブ１６Ｃ、１６Ｃとそれ
ぞれ所定間隔を空けてそれぞれの下方に装着された第２
スリーブ１６Ｄ、１６Ｄと、第１、第２スリーブ１６
Ｃ、１６Ｄの間に弾装された弾性部材（例えばコイルス
プリング）１６Ｅ、１６Ｅと、コイルスプリング１６
Ｅ、１６Ｅをそれぞれ囲んで筐体１５の下面にそれぞれ
固定された第３スリーブ１６Ｆ、１６Ｆとを有してい
る。各ガイドロッド１６Ｂ、１６Ｂは第１スリーブ１６
Ｃ、１６Ｃ上端のフランジから突出し、突出端において
連結板１６Ｇを介して互いに連結されている。第１スリ
ーブ１６Ｃ、１６Ｃは筐体１５内に位置するフランジを
介して筐体１５の底面に固定されている。従って、支持
ロッド１３が下降して支持部材１４が筐体１５内へ収納
される時に、蓋部材１４Ｂが下降端に達すると支持機構
１６のスプリング１６Ｅを介して弾力的に支持された筐
体１５の開口端面と弾力的に接触し、シール部材２０を
介して筐体１５内を確実に封止する。尚、蓋部材１４Ｂ
は筐体１５の開口端面に弾力的に接触するため、シール
部材２０を省略することもできる。

【００３０】一方、上部電極３は図１の（ａ）に示すよ
うに中空状に形成され、処理室１上面の中央孔に絶縁性
部材からなる枠体２１を介して装着されている。この上
部電極３の下面（下部電極と対向する面）全面には多数
の分散孔３Ｃが均等に分散配置され、各分散孔３Ｃから
処理室１内全体へプロセスガスを下降流で供給する。ま
た、同図に示すように上部電極３の内部には第１、第２
バッフル板２２、２３が上下二段に所定間隔を空けて取
り付けられている。各バッフル板２２、２３にはぞれぞ
れ全面に渡って分散孔２２Ａ、２３Ａが均等に分散して
形成され、しかも各分散孔２２Ａ、２３Ａは互い違いに
なっている。

【００３１】また、上部電極３の上壁内面と第１バッフ
ル板２２は、例えば図６に示すように、第１、第２仕切
板２４、２５によって連結され、上壁と第１バッフル板
２２間の空間を３つの部屋３Ｄ、３Ｅ、３Ｆに分割して
いる。第１仕切板２４は平面形状が上部電極３と相似形
の枠体として形成され、第２仕切板２５は第１仕切板２
４の両側面と上部電極３の内壁面を連結する矩形板とし
て形成されている。また、各部屋３Ｄ、３Ｅ、３Ｆには
図１の（ａ）に示すようにガス配管５の分岐管５Ｄ、５
Ｅ、５Ｆが連結されている。これらの分岐管５Ｄ、５
Ｅ、５Ｆにはコントロールバルブ２６、２６、２６がそ
れぞれ取り付けられ、各部屋３Ｄ、３Ｅ、３Ｆへのプロ
セスガスの流量を個別に制御できるようにしてある。こ
のように各部屋３Ｄ、３Ｅ、３Ｆへのガス流量を個別に
制御することにより、ＬＣＤ用基板Ｓが大面積化しても
ＬＣＤ用基板Ｓ全領域でのガス流量を均等化することが
でき、ひいてはプラズマ処理を均一化することができ
る。

【００３２】また、上部電極３の下面周縁部には図１の
（ａ）に示すように枠状のシールドリング２７が取り付
けられ、このシールドリング２７は基本的には下部電極
２Ａのシールドリング９と同様の機能を有するもので、
耐プラズマ性材料によって形成されている。このシール
ドリング２７はＬＣＤ用基板Ｓの大面積化に伴って大型
化するため、一体物では取り扱いなどが難しく、図７に
示すように４つに分割し、互いに隙間なく密着してい
る。しかも、各繋ぎ目２７Ａは同図に示すように水平方
向及び垂直方法に段差を有し、繋ぎ目同士が重なるよう
になっているため、異常放電を防止することができ、繋
ぎ目からプラズマ副生成物が進入しない。尚、図１の
（ａ）に示す下部電極２Ａ側のシールドリング９も上部
電極３のシールドリング２７と同様に分割して形成され
ている。

【００３３】次に、動作について説明する。処理室１内
でＬＣＤ用基板Ｓのプラズマ処理を終了すると、ゲート
バルブＧが開く。これに伴って第２受け渡し機構１２は
支持ロッド１３が図５に示す状態から一点鎖線で示す上
方の接続部材１３Ａの位置まで上昇した後、図４に示す
ように時計方向へ９０°回転し、支持部材１４を載置台
２の内側に向ける。引き続き第１、第２受け渡し機構１
１、１２及び搬送室内の搬送機構（図示せず）が作動
し、載置台２においてＬＣＤ用基板Ｓ、Ｓ’の受け渡し
を行う。この際、搬送機構及び第１受け渡し機構１１は
従来と同様に作動するため、本実施形態の第２受け渡し
機構１２の動作を中心に説明する。即ち、第１受け渡し
機構１１を介して処理済みＬＣＤ用基板Ｓ’を水平に持
ち上げ、搬送機構を介してＬＣＤ用基板Ｓが支持部材１
４の受け部材１４Ａと蓋部材１４Ｂの隙間に進入する。
次いで、支持ロッド１３が上昇して搬送機構から未処理
のＬＣＤ用基板Ｓを受け部材１４Ａで受け取った後、第
１受け渡し機構１１の昇降ピン１１Ａが下降して処理済
みのＬＣＤ用基板Ｓ’を搬送機構へ引き渡すと、搬送機
構は従来と同様に処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’を処理室
１から搬出した後、ゲートバルブＧを閉じる。

【００３４】一方、処理室１内では第１受け渡し機構１
１の昇降ピン１１Ａがやや上昇すると共に第２受け渡し
機構１２の支持ロッド１３が下降し、未処理のＬＣＤ用
基板Ｓを支持部材１４から第１受け渡し機構１１の昇降
ピン１１Ａへ引き渡す。これと同時に支持ロッド１３を
介して支持部材１４が反時計方向へ９０°回転し、載置
台２から退避すると共に支持ロッド１３を介して支持部
材１４が下降し、蓋部材１４Ｂが筐体１５の開口端面へ
弾力的に着地し筐体１５を密閉すると共に受け部材１４
Ａが筐体１５内へ収納される。この間に第１受け渡し機
構１１の昇降ピン１１Ａが下降して下部電極２Ａ内に後
退し、ＬＣＤ用基板Ｓを下部電極２Ａ上へ引き渡し、一
連のＬＣＤ用基板Ｓ、Ｓ’の交換を終了する。下部電極
２Ａ上のＬＣＤ用基板Ｓは静電チャック８によって確実
に固定される。

【００３５】次いで、処理室１内では上部電極３に高周
波電力を印加してプラズマ処理を行う。この際、プロセ
スガスはガス配管５の分岐管５Ｄ、５Ｅ、５Ｆを介して
上部電極３の各部屋３Ｄ、３Ｅ、３Ｆへ分配供給され
る。各部屋３Ｄ、３Ｅ、３Ｆへ供給されたプロセスガス
は第１、第２バッフル板２２、２３及び上部電極３の分
散孔２２Ａ、２３Ａ及び３Ｃを経由して処理室１内へ下
降流で供給される。この時点で上部電極３には高周波電
力が印加されているため、下部電極２Ａと上部電極３間
でプロセスガスのプラズマを生成する。この際、載置台
２のシールドリング９（更に詳しくは、リング状枠９
Ａ）には従来のように受け渡し機構が存在せず、ひいて
はリング状枠体９Ａ表面には受け渡し機構に起因する隙
間（クリアランス）がないため、上部電極３との間で異
常放電を発生することがない。しかもプラズマは下部電
極２Ａ及び上部電極３それぞれのシールドリング９、２
７の働きで各電極の外側へ広がることない。上部電極３
からのプロセスガスは下降流でＬＣＤ用基板Ｓの表面に
達し、ガス整流ブロック１０の働きでＬＣＤ用基板Ｓ中
央部のガス流速とその周縁部のガス流速が略均一にな
り、ＬＣＤ用基板Ｓに対して均一なプラズマ処理を施す
ことができる。しかも、処理室１の底面には全領域に分
散配置した排気口１Ｅを介して処理室１全体から高速且
つ均等に排気することができ、プロセスガスの遍在を防
止することができ、更にＬＣＤ用基板Ｓに対して均一な
プラズマ処理を施すことができる。

【００３６】プラズマ処理中には副生成物が生成し、処
理室１内の隙間に進入するが、本実施形態では下部電極
２Ａのシールドリング９には第２受け渡し機構１２に起
因する隙間がないため、副生成物がシールドリング９内
に進入することがない。また、上部電極３のシールドリ
ング２７には繋ぎ目２７Ａがあるが、繋ぎ目２７は段違
いに重ねて接合されているため、繋ぎ目２７Ａから副生
成物が内部へ進入することがない。また、第２受け渡し
機構１２の筐体１５は支持部材１４の蓋部材１４Ｂによ
って密閉されているため、筐体１５内へ副生成物が進入
することはない。

【００３７】プラズマ処理が終了すると、上部電極３へ
の高周波電力の印加を停止し、上述した要領で処理済み
のＬＣＤ用基板Ｓ’と未処理のＬＣＤ用基板Ｓを交換す
る。そして、所定枚数のＬＣＤ用基板Ｓの処理が終了
し、処理室１内のクリーニングを行ったり、メンテナン
スを行う場合には、処理室１の上部を開放した状態で内
部のクリーニング、メンテナンスを行うことができる。
この際、ガス配管５は処理室１の壁面内に収納されてい
るため、ガス配管５等が邪魔になることはない。

【００３８】尚、本実施形態では搬送室の搬送装置が図
１３に示すように上下二段のフォーク１１０Ａ、１１０
Ｂを有する場合について説明したが、一枚のフォークを
有する搬送装置を用いた場合にも本発明を適用すること
ができる。即ち、まず、搬送装置のフォークにより未処
理のＬＣＤ用基板Ｓを処理室１内の載置台２の上方まで
搬入する。この状態で、第２受け渡し機構１２の支持ロ
ッド１３が上昇、回転してＬＣＤ用基板Ｓを受け部材１
４Ａと蓋部材１４Ｂの間に配置した後、支持ロッド１３
を上昇させて受け部材１４ＡでフォークからＬＣＤ用基
板Ｓを受け取る。次いで、フォークが載置台２から一旦
退避した後、第１受け渡し機構１１の昇降ピン１１Ａが
上昇して処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’を下部電極２Ａか
ら持ち上げる。次いで、フォークが処理済みのＬＣＤ用
基板Ｓ’のやや下方から載置台２上へ進出した後、昇降
ピン１１Ａが下降して処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’をフ
ォークへ引き渡す。この状態でフォークが載置台２から
後退して処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’を処理室１から搬
出した後、受け部材１４Ａから昇降ピン１１Ａに未処理
のＬＣＤ用基板Ｓを引き渡し、昇降ピン１１Ａを介して
未処理のＬＣＤ用基板Ｓを下部電極２Ａ上へ載置するこ
とができる。

【００３９】以上説明したように本実施形態によれば、
第２受け渡し機構１２を載置台２の外側近傍に設けたた
め、載置台２のシールドリング９のリング状枠９Ａに従
来のような隙間がなく、プラズマ処理中に異常放電を発
生することがなく、均一で安定したプラズマ処理を行う
ことができる。また、第２受け渡し機構１２は載置台２
から離間し、しかも可動部が筒状部材１９によって処理
室１から隔絶されているため、その可動部からパーティ
クルが発生することがあってもパーティクルは排気口に
向かうため下部電極２Ａ上のＬＣＤ用基板Ｓを汚染から
防止することができる。

【００４０】また、第２受け渡し機構１２の支持部材１
４は、筐体１５の上端開口を閉じる蓋部材１４Ｂとを有
しているため、プラズマ処理中に筐体１５内へ副生成物
が堆積することを防止し、パーティクルの発生源を少な
くすることができる。また、支持ロッド１３をリフタ１
７から取り外し可能にしてあるため、適宜交換したり、
取り外してクリーニングしたりすることができる。筐体
１５の上端面にはシール部材２０が取り付けられている
ため、筐体１５内をより確実に密閉することができる。
支持機構１６は、ガイドロッド１６Ｂと、このガイドロ
ッド１６Ｂの上端に挿着された第１スリーブ１６Ｃと、
第１スリーブ１６Ｃと所定間隔を空けてその下方に装着
された第２スリーブ１６Ｄと、第１、第２スリーブ１６
Ｃ、１６Ｄの間に弾装されたコイルスプリング１６Ｅ
と、このコイルスプリング１６Ｅを囲むように筐体１５
の下面に固定された第３スリーブ１６Ｆとを有し、筐体
１５をコイルスプリング１６Ｅを介して弾力的に支持す
るようにしたため、支持部材１４を筐体１５内へ円滑に
収納することができ、筐体１５内を確実に密閉すること
ができる。

【００４１】また、図８〜図１０はプラズマ処理装置の
他の実施形態を示す図である。このプラズマ処理装置
は、上記実施形態の上部電極に代えて高周波アンテナが
誘導結合プラズマの発生源として用いられている。図示
してないが、このプラズマ処理装置は上記実施形態で説
明した載置台及び第１、第２受け渡し機構を備えて構成
されている。本実施形態では図８に示すように処理室１
の上部がセラミック、石英等からなる誘電体壁３１によ
って水平に仕切られ、誘電体壁３１の上方に渦巻状の高
周波アンテナ３２を収納するアンテナ室３３が形成さ
れ、誘電体壁３１の下方にプラズマ処理室３４が形成さ
れている。この高周波アンテナ３２の給電部３２Ａは処
理室１の上壁を貫通し、マッチング回路３２Ｂ及び高周
波電源３２Ｃに接続されている。

【００４２】誘電体壁３１は図９に示すように十文字に
４分割され、ＬＣＤ用基板が大面積化しても誘電体壁３
１の製作、搬送、組立が容易なようになっている。４枚
の誘電体壁ユニット３１Ａはそれぞれ十字状の接続部材
３５を介して互いに接合され、例えば四フッ化エチレン
樹脂等の合成樹脂板３６を介してアンテナ室３３側で誘
電体３１として一体化している。そして、各誘電体壁ユ
ニット３１Ａ及び接続部材３５は吊持部材３７を介して
処理室１の上壁に取り外し可能に連結され、吊持部材３
７を介して処理室１の上壁で吊持されている。この吊持
部材３７の両端にはフランジ３７Ａが形成され、フラン
ジ３７Ａを介して処理室１の上壁及び誘電体壁ユニット
３１Ａ側に固定するようになっている。そして、合成樹
脂板３６は外周が枠状の押さえ部材３８によって処理室
１の内周面全周に渡って段状の係止部１Ａに固定されて
いる。

【００４３】また、図８、図１０に示すように接続部材
３５の上面には吊持部材３７に対応する位置に突起３５
Ａが形成され、この突起３５Ａと吊持部材３７のフラン
ジ３７Ａが合成樹脂板３６を介して連結されている。そ
して、合成樹脂板３６と突起３５Ａ間にはシール部材３
９が介装されプラズマ処理室３４の真空漏れを防止して
いる。更に、図１０に示すように合成樹脂板３６と係止
部１Ａ間にもシール部材３９が介装され、プラズマ処理
室３４の真空漏れを防止している。

【００４４】また、図８に示すように処理室１の上壁中
心にはガス配管４０が貫通し、このガス配管４０は更に
アンテナ室３３を貫通して十字状の接続部材３５の中心
に連結されている。また、図８〜図１０に示すように十
字状の接続部材３５内には接続部材３５の形状に沿った
十字状のガス流路３５Ｂが形成され、このガス流路３５
Ｂは図９に示すように接続部材３５の十字に沿って所定
間隔を空けた複数箇所でプラズマ処理室３４内へのガス
供給口３５Ｃとして開口している。従って、プロセスガ
スは接続部材３５のガス流路３５Ｂ及びガス供給口３５
Ｃを経由してプラズマ処理室３４全体に均等に供給され
る。

【００４５】従って、高周波アンテナ３２に１３．５６
ＭＨｚの高周波電力を印加した状態でプロセスガスをガ
ス配管４０を介して供給すると、プロセスガスは十字状
の接続部材２５内部のガス流路３５Ｂを経由してガス供
給口３５Ｃからプラズマ処理室３４全体に均等に供給さ
れる。これによりプラズマ処理室３４では高密度の誘導
結合プラズマが発生し、載置台（図示せず）上のＬＣＤ
用基板がプラズマ処理を受ける。

【００４６】また、図１１は本発明の他の実施形態に係
る第２受け渡し機構１２の要部を示す断面図ある。尚、
本実施形態では上記実施形態と同一部分または相当部分
には同一符号を附して説明する。本実施形態では、蓋部
材１４Ｂは受け部材１４Ａと共に昇降するが、受け部材
１４Ａと共には回転しないようになっている。即ち、蓋
部材１４Ｂの両端部にはガイドロッド５１がそれぞれ取
り付けられ、これらのガイドロッド５１は蓋部材１４Ｂ
から垂直下方に延設されている。また、筐体１５の底部
両端部には２本のガイドロッド５１に対応するガイドス
リーブ５２が貫通して取り付けられ、これらのガイドス
リーブ５２をガイドロッド５１が昇降自在に貫通してい
る。更に、筐体１５底面の両端部にはガイドスリーブ５
２を貫通したガイドロッド５１を収納し処理室１内の雰
囲気から遮断する筒状部材５３が取り付けられている。
この筒状部材５３は筐体１５の底面から垂直下方に延設
されている。また、受け部材１４Ａの基端部の厚肉部上
面には円形状の凹陥部５４が支持ロッド１３と同軸状に
形成され、この凹陥部５４に蓋部材１４Ｂに取り付けら
れた軸部材５５が同軸状に嵌入している。これらの凹陥
部５４と軸部材５５間にはスラストベアリング及びラジ
アルベアリングからなるベアリング５６が介在し、受け
部材１４Ａが支持ロッド１３を介して軸部材５５を中心
に回転するようになっている。尚、図１１では省略され
ているが、図５に示す機構と同じ態様で支持機構１６、
筒状部材１９等が設けられる。

【００４７】従って、支持ロッド１３が上昇すると、受
け部材１４Ａ及び蓋部材１４Ｂがガイドロッド５１及び
ガイドスリーブ５２を介して上昇する。そして、支持ロ
ッド１３が回転すると、受け部材１４Ａは蓋部材１４Ｂ
の軸部材５５を中心に回転して載置台の内側に張り出す
るが、蓋部材１４Ｂはガイドロッド５１及びガイドスリ
ーブ５２で拘束されて回転せず載置台の側方で平行状態
を維持する。つまり、ガイドロッド５１及びガイドスリ
ーブ５２は蓋部材１４Ｂの回転を拘束する機構として機
能する。このように本実施形態によれば、プラズマ処理
中に蓋部材１４Ｂの上面にパーティクルが付着しても、
ＬＣＤ用基板を交換する時に受け部材１４Ａが載置台の
上方へ回転しても蓋部材１４Ｂは載置台の側方から動く
ことがないため、蓋部材１４Ｂ上に堆積したパーティク
ルが交換中のＬＣＤ用基板上に落下することがなく、蓋
部材１４ＢのパーティクルによってＬＣＤ用基板を汚染
することがない。

【００４８】尚、本発明は上記実施形態に何等制限され
るものではなく、必要に応じて各構成要素を適宜設計変
更することができる、要は本発明の要旨を逸脱しない限
り本発明に包含される。

【００４９】

【発明の効果】本発明の請求項１〜請求項８に記載の発
明によれば、プラズマ処理時の異常放電を防止すると共
にＬＣＤ用基板をパーティクルの汚染から防止すること
ができる液晶表示体基板用プラズマ処理装置を提供する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマ処理装置を示す図で、（ａ）
は処理室の断面図、（ｂ）は処理室の接合部を拡大して
示す断面図である。

【図２】図１に示す処理室の底面を示す平面図である。

【図３】図１に示すガス整流ブロックを示す図で、
（ａ）はその斜視図、（ｂ）、（ｃ）はガス整流ブロッ
クを固定する状態を示す側断面図である。

【図４】図１に示すプラズマ処理装置に用いられる第２
受け渡し機構と下部電極の関係を示す部分斜視図であ
る。

【図５】図４に示す第２受け渡し機構を示す断面図であ
る。

【図６】図１に示す上部電極の内部を上方から見た示す
平面図である。

【図７】図１に示す上部電極のシールドリングを示す斜
視図である。

【図８】他のプラズマ処理装置の要部を示す断面図であ
る。

【図９】図８に示す誘電体壁を下方から見た平面図であ
る。

【図１０】図８の一部を拡大して示す断面図である。

【図１１】本発明の他の実施形態に係る第２受け渡し機
構を示す断面図である。

【図１２】マルチチャンバー処理装置を示す斜視図であ
る。

【図１３】図１２に示すプラズマ処理装置の搬送機構で
下部電極のＬＣＤ用基板を交換する状態を示す斜視図で
ある。

【図１４】図１３の受け渡し機構を示す図で、（ａ）は
受け渡し機構が作動していない状態を示す斜視図、
（ｂ）は受け渡し機構が作動している状態を示す斜視図
である。

【符号の説明】

１処理室２載置台２Ａ下部電極３上部電極１１第１受け渡し機構１２第２受け渡し機構１３支持ロッド１４支持部材１５筐体１６支持機構１６Ｂガイドロッド１６Ｃ第１スリーブ１６Ｄ第２スリーブ１６Ｅコイルスプリング（弾性部材）１６Ｆ第３スリーブ１９筒状部材５１ガイドロッド（拘束機構）５２ガイドスリーブ（拘束機構）５３筒状部材（拘束機構）５５軸部材

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラズマ処理を施す液晶表示体用基板を
載置する載置台を有する処理室と、この処理室に連結さ
れた搬送機構を有する搬送室とを備え、上記処理室は上
記搬送機構と上記載置台との間で上記液晶表示体用基板
を受け渡す受け渡し機構を有し、上記受け渡し機構は上
記載置台の近傍に設けられ、更に、上記受け渡し機構
は、正逆回転可能で且つ昇降可能な支持ロッドと、この
支持ロッドの上端から水平に張り出す液晶表示体用基板
受け渡し用支持部材と、この受け渡し用支持部材を下降
端で収納する筐体とを有することを特徴とする液晶表示
体基板用プラズマ処理装置。
【請求項２】上記筐体の上端は、上記載置台の載置面
よりも１０〜５０ｍｍ下方に位置していることを特徴と
する請求項１に記載の液晶表示体基板用プラズマ処理装
置。
【請求項３】上記受け渡し用支持部材は、上記液晶表
示体用基板を受ける受け部材と、この受け部材と平行に
その上部に設けられ且つ上記筐体の上端開口を閉じる蓋
部材とを有することを特徴とする請求項１または請求項
２に記載の液晶表示体基板用プラズマ処理装置。
【請求項４】上記受け渡し機構は、上記受け部材が回
転する時に上記蓋部材の回転を拘束する拘束機構を有す
ることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示体基板用
プラズマ処理装置。
【請求項５】上記拘束機構は、上記蓋部材から垂下す
るロッドと、上記ロッドに対応して上記筐体に設けられ
た昇降ガイドとを有することを特徴とする請求項４に記
載の液晶表示体基板用プラズマ処理装置。
【請求項６】上記受け部材は、上記蓋部材に上記支持
ロッドと同軸状に取り付けられた軸部材で回転自在に支
持されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表
示体基板用プラズマ処理装置。
【請求項７】上記筐体を弾性的に支持する支持機構を
有することを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか
１項に記載の液晶表示体基板用プラズマ処理装置。
【請求項８】上記支持機構は、垂直ガイドロッドと、
この垂直ガイドロッドの上端を挿着した第１スリーブ
と、第１スリーブと所定間隔を空けてその下方に装着さ
れた第２スリーブと、第１、第２スリーブの間に弾装さ
れた弾性部材と、この弾性部材を囲むように上記筐体に
固定された第３スリーブとを有し、上記筐体を弾力的に
支持することを特徴とする請求項７に記載の液晶表示体
基板用プラズマ処理装置。