JP2001244188A - 真空紫外用光学部材およびこれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 - Google Patents
真空紫外用光学部材およびこれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低吸収で、潮解性や劈開性も少ない真空紫外
用光学部材を実現する。 【解決手段】 Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｓ等のアルカリハライド
と、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎ等のアルカリ土類金
属その他のハライドを１対１で混合して焼結し、ＡＭＦ
3 型ペロブスカイト構造のフッ化物結晶を成長させる。
この結晶を加工して、エキシマレーザ用のレンズ、ミラ
ー、プリズム等の光学部材の基体を製作する。あるいは
上記結晶を蒸着源として光学部材の基体にコーティング
する。真空紫外域において低吸収で、耐久性にすぐれた
光学部品を得ることができる。
用光学部材を実現する。 【解決手段】 Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｓ等のアルカリハライド
と、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎ等のアルカリ土類金
属その他のハライドを１対１で混合して焼結し、ＡＭＦ
3 型ペロブスカイト構造のフッ化物結晶を成長させる。
この結晶を加工して、エキシマレーザ用のレンズ、ミラ
ー、プリズム等の光学部材の基体を製作する。あるいは
上記結晶を蒸着源として光学部材の基体にコーティング
する。真空紫外域において低吸収で、耐久性にすぐれた
光学部品を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロプロセッ
サ、メモリ、システムＬＳＩ、イメージセンサ、発光素
子、表示素子等の半導体デバイスを作製するための露光
装置の光源光学系や投影光学系等の光学部品として用い
られる真空紫外用光学部材およびこれを用いた露光装置
ならびにデバイス製造方法に関するものである。
サ、メモリ、システムＬＳＩ、イメージセンサ、発光素
子、表示素子等の半導体デバイスを作製するための露光
装置の光源光学系や投影光学系等の光学部品として用い
られる真空紫外用光学部材およびこれを用いた露光装置
ならびにデバイス製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】エキシマレーザは、紫外域で発振する唯
一の高出力レーザーとして注目されており、電子産業や
化学産業やエネルギー産業において応用が期待されてい
る。具体的には金属、樹脂、ガラス、セラミックス、半
導体等の加工や化学反応等に利用されている。近年で
は、短波長性を生かした超微細リソグラフィー用露光装
置等の光源として著しい進展がみられている。
一の高出力レーザーとして注目されており、電子産業や
化学産業やエネルギー産業において応用が期待されてい
る。具体的には金属、樹脂、ガラス、セラミックス、半
導体等の加工や化学反応等に利用されている。近年で
は、短波長性を生かした超微細リソグラフィー用露光装
置等の光源として著しい進展がみられている。
【０００３】リソグラフィー工程では、マスク上に描か
れたパターンをレンズでウエハ上に転写する方法（光リ
ソグラフィー）が主流である。一般的に、転写パターン
の解像度は、レンズの開口数（ＮＡ）、および光の波長
の逆数にそれぞれ比例して高くなる。しかしレンズの開
口数に関しては製造上の問題があり、解像度を高めるに
は、光の波長を短くすることが有効である。このため光
リソグラフィー用光源として、ｇ線（４３６ｎｍ）から
ｉ線（３６５ｎｍ）、さらにはＫｒＦエキシマレーザ
（２４８ｎｍ）と短波長化が実現されてきた。
れたパターンをレンズでウエハ上に転写する方法（光リ
ソグラフィー）が主流である。一般的に、転写パターン
の解像度は、レンズの開口数（ＮＡ）、および光の波長
の逆数にそれぞれ比例して高くなる。しかしレンズの開
口数に関しては製造上の問題があり、解像度を高めるに
は、光の波長を短くすることが有効である。このため光
リソグラフィー用光源として、ｇ線（４３６ｎｍ）から
ｉ線（３６５ｎｍ）、さらにはＫｒＦエキシマレーザ
（２４８ｎｍ）と短波長化が実現されてきた。
【０００４】特に、ＫｒＦエキシマレーザを光源とした
縮小投影型の露光装置では、解像度０．２３μｍが達成
されている。
縮小投影型の露光装置では、解像度０．２３μｍが達成
されている。
【０００５】ＫｒＦエキシマレーザ、あるいはこれより
も短波長、特に２００ｎｍ以下の波長、いわゆる真空紫
外域の光を光源として用いる装置においては、レンズ等
の光学材料として、吸収が少なく、かつ大口径で研磨可
能な合成石英ガラスが適していると従来は考えられてき
た。また結晶では、フッ化リチウム結晶、フッ化マグネ
シウム結晶およびフッ化カルシウム結晶（蛍石）が提案
されている。
も短波長、特に２００ｎｍ以下の波長、いわゆる真空紫
外域の光を光源として用いる装置においては、レンズ等
の光学材料として、吸収が少なく、かつ大口径で研磨可
能な合成石英ガラスが適していると従来は考えられてき
た。また結晶では、フッ化リチウム結晶、フッ化マグネ
シウム結晶およびフッ化カルシウム結晶（蛍石）が提案
されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、フッ化リチウム結晶には著しい潮解性
があり、研磨加工が困難であるため実用的ではない。ま
た、フッ化マグネシウム結晶は二軸性結晶のため、光学
的異方性の性質を持ち、複屈折現象が生じる。このた
め、複屈折現象を利用した偏光プリズムなどの偏光素子
や、真空系窓材など高い結像性能の要求されない光学部
材には使用可能であるが、光リソグラフィーで使用され
るレンズ、プリズム等の高い結像性能が要求される光学
部品の材料としては不適当である。
の技術によれば、フッ化リチウム結晶には著しい潮解性
があり、研磨加工が困難であるため実用的ではない。ま
た、フッ化マグネシウム結晶は二軸性結晶のため、光学
的異方性の性質を持ち、複屈折現象が生じる。このた
め、複屈折現象を利用した偏光プリズムなどの偏光素子
や、真空系窓材など高い結像性能の要求されない光学部
材には使用可能であるが、光リソグラフィーで使用され
るレンズ、プリズム等の高い結像性能が要求される光学
部品の材料としては不適当である。
【０００７】蛍石結晶は、潮解性および光学的異方性は
認められず、優れた紫外線透過材料であり、精密光学系
に使用可能であると有望視されてきた。しかし蛍石結晶
は劈開性が高いという問題がある。
認められず、優れた紫外線透過材料であり、精密光学系
に使用可能であると有望視されてきた。しかし蛍石結晶
は劈開性が高いという問題がある。
【０００８】光の吸収はバンドギャップの広いものほど
起こりにくい。次式は光子のエネルギー換算式である。 Ｅ（ｅＶ）＝１２４０／λ（ｎｍ）
起こりにくい。次式は光子のエネルギー換算式である。 Ｅ（ｅＶ）＝１２４０／λ（ｎｍ）
【０００９】この式から分かるように、真空紫外域の１
２０ｎｍ以下の波長で吸収を防ぐためには１０ｅＶ以上
の広いバンドギャップを有する材料が必要である。そし
て、結晶構造が光学的異方性の無い立方晶を有する結晶
が最適である。また、従来の蛍石の融点は約１４００℃
であるが、実用化のためには１０００℃以下の融点をも
つ結晶が好ましい。
２０ｎｍ以下の波長で吸収を防ぐためには１０ｅＶ以上
の広いバンドギャップを有する材料が必要である。そし
て、結晶構造が光学的異方性の無い立方晶を有する結晶
が最適である。また、従来の蛍石の融点は約１４００℃
であるが、実用化のためには１０００℃以下の融点をも
つ結晶が好ましい。
【００１０】本発明は上記従来の技術の有する未解決の
課題に鑑みてなされたものであり、潮解性や劈開性がな
く、加工が容易で実用性が高く、しかも吸収が少ない高
品質な真空紫外用光学部材および露光装置ならびにデバ
イス製造方法を提供することを目的とするものである。
課題に鑑みてなされたものであり、潮解性や劈開性がな
く、加工が容易で実用性が高く、しかも吸収が少ない高
品質な真空紫外用光学部材および露光装置ならびにデバ
イス製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の真空紫外用光学部材は、ＡＭＦ3 型ペロブ
スカイト構造の結晶を加工して得られた基体を有するこ
とを特徴とする。
め、本発明の真空紫外用光学部材は、ＡＭＦ3 型ペロブ
スカイト構造の結晶を加工して得られた基体を有するこ
とを特徴とする。
【００１２】基体と、ＡＭＦ3 型ペロブスカイト構造の
結晶を蒸着源とするコーティングを有するものでもよ
い。
結晶を蒸着源とするコーティングを有するものでもよ
い。
【００１３】ＡがＬｉ、Ｎａ、Ｃｓのいずれかであり、
ＭがＣａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎのいずれかであると
よい。
ＭがＣａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎのいずれかであると
よい。
【００１４】ＡがＫであり、ＭがＢａまたはＺｎであっ
てもよい。
てもよい。
【００１５】
【作用】本発明者は、アルカリハライドであるＬｉＦ等
と、ＭｇＦ2 またはＣａＦ2 等を１対１で混合してＡＭ
Ｆ3 型ペロブスカイト構造の単結晶を成長させると、こ
の結晶は、光学的異方性のない立方晶であり、複屈折率
が低く、真空紫外域において吸収が少ないうえに、潮解
性や劈開性もないすぐれた光学材料として、露光装置等
の光学部材に用いることができるのを見い出した。
と、ＭｇＦ2 またはＣａＦ2 等を１対１で混合してＡＭ
Ｆ3 型ペロブスカイト構造の単結晶を成長させると、こ
の結晶は、光学的異方性のない立方晶であり、複屈折率
が低く、真空紫外域において吸収が少ないうえに、潮解
性や劈開性もないすぐれた光学材料として、露光装置等
の光学部材に用いることができるのを見い出した。
【００１６】すなわち、上記の結晶を加工して得られた
基体を有するレンズ、ミラー、プリズム、窓材等の光学
部材を真空紫外域の光を照明光とする露光装置の投影光
学系や光源光学系に用いることで、微細化の進んだ光リ
ソグラフィーに対応することができる。
基体を有するレンズ、ミラー、プリズム、窓材等の光学
部材を真空紫外域の光を照明光とする露光装置の投影光
学系や光源光学系に用いることで、微細化の進んだ光リ
ソグラフィーに対応することができる。
【００１７】また、上記のＡＭＦ3 型ペロブスカイト構
造の結晶を蒸着源とする蒸発粒子をレンズ、ミラー、プ
リズム、窓材等の表面に被着させ、フッ化物結晶のコー
ティングを形成してもよい。
造の結晶を蒸着源とする蒸発粒子をレンズ、ミラー、プ
リズム、窓材等の表面に被着させ、フッ化物結晶のコー
ティングを形成してもよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００１９】アルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃｓ）の
ハライドとアルカリ土類金属およびその他（Ｃａ，Ｓ
ｒ，Ｂａ，Ｍｇ，Ｚｎ）のハライドを１対１で混合し
て、公知の結晶成長法により、１０ｅＶ程度の広いバン
ドギャップを有し、真空紫外域の吸収端が１２０ｎｍ以
下であるＡＭＦ3 型ペロブスカイト構造のフッ化物結晶
を製作し、該結晶を、レンズ、プリズム、ミラー等の真
空紫外用光学部材の基体として加工する。あるいは、上
記光学部材の表面に蒸着させてコーティングを形成す
る。
ハライドとアルカリ土類金属およびその他（Ｃａ，Ｓ
ｒ，Ｂａ，Ｍｇ，Ｚｎ）のハライドを１対１で混合し
て、公知の結晶成長法により、１０ｅＶ程度の広いバン
ドギャップを有し、真空紫外域の吸収端が１２０ｎｍ以
下であるＡＭＦ3 型ペロブスカイト構造のフッ化物結晶
を製作し、該結晶を、レンズ、プリズム、ミラー等の真
空紫外用光学部材の基体として加工する。あるいは、上
記光学部材の表面に蒸着させてコーティングを形成す
る。
【００２０】上記結晶の製造工程のフローチャートを図
１に示す。
１に示す。
【００２１】（前処理工程）ステップ１で、出発物質を
混合し、ステップ２で単結晶製造工程前の焼結体を作製
する。これにより出発物質に含まれる水分をできるだけ
多く除去する。
混合し、ステップ２で単結晶製造工程前の焼結体を作製
する。これにより出発物質に含まれる水分をできるだけ
多く除去する。
【００２２】（単結晶製造工程）上記工程で処理した焼
結体を、坩堝降下型の成長炉を用いて、１０００℃程度
まで坩堝を加熱して、溶融させた後、徐徐に冷却する
（ステップ３）。なお、この徐冷では、一時間あたり
０．１〜５．０ｍｍの速度で坩堝を引き下げて徐冷する
ことが好ましい。
結体を、坩堝降下型の成長炉を用いて、１０００℃程度
まで坩堝を加熱して、溶融させた後、徐徐に冷却する
（ステップ３）。なお、この徐冷では、一時間あたり
０．１〜５．０ｍｍの速度で坩堝を引き下げて徐冷する
ことが好ましい。
【００２３】（アニール工程）成長した単結晶をステッ
プ４でアニール炉を用いて熱処理する。この工程では、
坩堝を９００〜１３００℃に加熱する。加熱時間は２０
時間以上、より好ましくは２０〜３０時間である。
プ４でアニール炉を用いて熱処理する。この工程では、
坩堝を９００〜１３００℃に加熱する。加熱時間は２０
時間以上、より好ましくは２０〜３０時間である。
【００２４】こうして得られる単結晶は、酸素を２５ｐ
ｐｍ以下、水、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）そしてク
ロム（Ｃｒ）等の好ましくない不純物量をそれぞれ１０
ｐｐｍ以下にすることができる。
ｐｍ以下、水、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）そしてク
ロム（Ｃｒ）等の好ましくない不純物量をそれぞれ１０
ｐｐｍ以下にすることができる。
【００２５】上記工程により得られた単結晶を、透過率
測定を行ない吸収端と複屈折率（歪み）を調べたうえ
で、ステップ５でレンズ等の基体の形状に加工する。あ
るいは、上記のようにして得られた結晶を、蒸着装置を
用いて蒸発させて、レンズ等の基体の表面に付着させる
ことにより、コーティングを形成する。
測定を行ない吸収端と複屈折率（歪み）を調べたうえ
で、ステップ５でレンズ等の基体の形状に加工する。あ
るいは、上記のようにして得られた結晶を、蒸着装置を
用いて蒸発させて、レンズ等の基体の表面に付着させる
ことにより、コーティングを形成する。
【００２６】図２は、上記のフッ化物結晶をレンズ等の
光学部材にコーティングする方法を示す。真空槽２０２
中の蒸着源２０６上にフッ化物結晶２０５を載置し、コ
ーティングされる光学部材２０４をその上方に配置す
る。真空槽２０２の真空度は約１．３３×１０-3Ｐａ
（約１×１０-5Ｔｏｒｒ）に調整する。次に、蒸発源２
０６を７００〜１２００℃に加熱し、フッ化物結晶２０
５を蒸発させ、基板加熱ヒータ２０３により１００〜２
００℃に加熱した光学部材２０４の表面に薄膜を形成す
る。このようにして、フッ化物結晶によるコーティング
が形成される。
光学部材にコーティングする方法を示す。真空槽２０２
中の蒸着源２０６上にフッ化物結晶２０５を載置し、コ
ーティングされる光学部材２０４をその上方に配置す
る。真空槽２０２の真空度は約１．３３×１０-3Ｐａ
（約１×１０-5Ｔｏｒｒ）に調整する。次に、蒸発源２
０６を７００〜１２００℃に加熱し、フッ化物結晶２０
５を蒸発させ、基板加熱ヒータ２０３により１００〜２
００℃に加熱した光学部材２０４の表面に薄膜を形成す
る。このようにして、フッ化物結晶によるコーティング
が形成される。
【００２７】図３は、上記のフッ化物結晶を基体とする
光学部材またはこの結晶でコーティングした光学部材が
用いられた露光装置を示す。露光装置としては、レンズ
光学系を用いた縮小投影型露光装置、レンズ式等倍投影
型露光装置が挙げられる。特にウエハ全面を露光するた
めに、ウエハの１小区画（フィールド）を露光してはウ
エハを１ステップ移動させて隣の１フィールドを露光す
る、いわゆるステップアンドリピート方式を採用したス
テッパーが望ましい。また、マイクロスキャン方式の露
光装置にも好適に用いられることはいうまでもない。
光学部材またはこの結晶でコーティングした光学部材が
用いられた露光装置を示す。露光装置としては、レンズ
光学系を用いた縮小投影型露光装置、レンズ式等倍投影
型露光装置が挙げられる。特にウエハ全面を露光するた
めに、ウエハの１小区画（フィールド）を露光してはウ
エハを１ステップ移動させて隣の１フィールドを露光す
る、いわゆるステップアンドリピート方式を採用したス
テッパーが望ましい。また、マイクロスキャン方式の露
光装置にも好適に用いられることはいうまでもない。
【００２８】図３において光源光学系３２１と露光部３
２２は、それぞれ別個独立に構成されている。すなわ
ち、両者は物理的に分離状態にある。
２２は、それぞれ別個独立に構成されている。すなわ
ち、両者は物理的に分離状態にある。
【００２９】光源光学系３２１は、光源３２３、例え
ば、エキシマレーザのような高出力の大型光源と、ミラ
ー３２４と、凹レンズ３２５と、凸レンズ３２６を有
し、凹レンズ３２５および凸レンズ３２６は、ビームエ
キスパンダーとしての役割を持っており、レーザのビー
ム径をおおよそオプティカルインテグレータ３２８の大
きさに拡げるものである。
ば、エキシマレーザのような高出力の大型光源と、ミラ
ー３２４と、凹レンズ３２５と、凸レンズ３２６を有
し、凹レンズ３２５および凸レンズ３２６は、ビームエ
キスパンダーとしての役割を持っており、レーザのビー
ム径をおおよそオプティカルインテグレータ３２８の大
きさに拡げるものである。
【００３０】また、ミラー３２７がレチクル３３１上を
均一に照明するためのオプティカルインテグレータ３２
８の上流側に設けられており、光源光学系３２１は、光
源３２３からオプティカルインテグレータ３２８までで
構成されている。
均一に照明するためのオプティカルインテグレータ３２
８の上流側に設けられており、光源光学系３２１は、光
源３２３からオプティカルインテグレータ３２８までで
構成されている。
【００３１】露光部は、ミラー３２９、コンデンサレン
ズ３３０を有し、オプティカルインテグレータ３２８か
ら出射した光束をコリメートする。
ズ３３０を有し、オプティカルインテグレータ３２８か
ら出射した光束をコリメートする。
【００３２】その下に、回路パターンが描かれているレ
チクル３３１、レチクル３３１を吸着保持するレチクル
ホルダ３３１ａ、レチクルパターンを投影する投影光学
系３３２、レチクルパターンが焼き付けられるウエハ３
３３、ＸＹステージ３３４が配設され、ＸＹステージ３
３４は、ウエハ３３３を吸着保持し、かつ、ステップア
ンドリピートで焼き付けを行なう際にＸＹ方向に移動す
る。
チクル３３１、レチクル３３１を吸着保持するレチクル
ホルダ３３１ａ、レチクルパターンを投影する投影光学
系３３２、レチクルパターンが焼き付けられるウエハ３
３３、ＸＹステージ３３４が配設され、ＸＹステージ３
３４は、ウエハ３３３を吸着保持し、かつ、ステップア
ンドリピートで焼き付けを行なう際にＸＹ方向に移動す
る。
【００３３】上記露光部３２２は、光学系の一部である
ミラー３２９から定盤３３５上のＸＹステージ３３４ま
でで構成されている。さらに、ＴＴＬアライメントに用
いられるアライメント手段３３６、図示しないオートフ
ォーカス機構、ウエハ搬送機構等が配設される。
ミラー３２９から定盤３３５上のＸＹステージ３３４ま
でで構成されている。さらに、ＴＴＬアライメントに用
いられるアライメント手段３３６、図示しないオートフ
ォーカス機構、ウエハ搬送機構等が配設される。
【００３４】図４は、露光装置の投影光学系を示す。こ
のレンズアセンブリは、Ｌ１〜Ｌ１１の１１枚のレンズ
を互いに接着することなく組み合わせて構成されてい
る。
のレンズアセンブリは、Ｌ１〜Ｌ１１の１１枚のレンズ
を互いに接着することなく組み合わせて構成されてい
る。
【００３５】本実施の形態は、図３、図４に示すレンズ
やミラーの基体を構成する母材として、あるいは、これ
らのレンズやミラーの表面に設けられる反射防止膜また
は増反射膜等のコーティング材として上記のフッ化物結
晶を用いる。
やミラーの基体を構成する母材として、あるいは、これ
らのレンズやミラーの表面に設けられる反射防止膜また
は増反射膜等のコーティング材として上記のフッ化物結
晶を用いる。
【００３６】図５は、上記露光装置の光源として用いら
れるエキシマレーザ発振器の構成を示す。図５の（ａ）
のエキシマレーザ発振器は、エキシマレーザを発光させ
共振させる装置で、２つの窓材５０１を有するプラズマ
チューブ５８３と、このプラズマチューブ５８３から出
たエキシマレーザを絞る絞り穴５８２と、エキシマレー
ザの波長を短波長化させるためのプリズム５８４と、エ
キシマレーザを反射させるための反射鏡５８１から構成
される。
れるエキシマレーザ発振器の構成を示す。図５の（ａ）
のエキシマレーザ発振器は、エキシマレーザを発光させ
共振させる装置で、２つの窓材５０１を有するプラズマ
チューブ５８３と、このプラズマチューブ５８３から出
たエキシマレーザを絞る絞り穴５８２と、エキシマレー
ザの波長を短波長化させるためのプリズム５８４と、エ
キシマレーザを反射させるための反射鏡５８１から構成
される。
【００３７】また、図５の（ｂ）のエキシマレーザ発振
器は、２つの窓材６０１を有するプラズマチューブ６８
３と、このプラズマチューブ６８３から出たエキシマレ
ーザを絞る絞り穴６８２と、エキシマレーザの波長を短
波長化させるためのエタロン６８５と、エキシマレーザ
を反射させるための反射鏡６８１から構成される。
器は、２つの窓材６０１を有するプラズマチューブ６８
３と、このプラズマチューブ６８３から出たエキシマレ
ーザを絞る絞り穴６８２と、エキシマレーザの波長を短
波長化させるためのエタロン６８５と、エキシマレーザ
を反射させるための反射鏡６８１から構成される。
【００３８】本実施の形態によるフッ化物結晶を、上記
のプリズムや窓材、エタロン等として加工し、エキシマ
レーザ発振器に搭載すれば、プリズムやエタロン等を介
してエキシマレーザの波長幅をより狭くすることができ
る。換言すれば、エキシマレーザを短波長化することが
できる。
のプリズムや窓材、エタロン等として加工し、エキシマ
レーザ発振器に搭載すれば、プリズムやエタロン等を介
してエキシマレーザの波長幅をより狭くすることができ
る。換言すれば、エキシマレーザを短波長化することが
できる。
【００３９】本実施の形態による露光装置を用いて、レ
チクルのパターンをウエハに転写することで、微細化の
進んだ半導体デバイス等を容易に製造できる。
チクルのパターンをウエハに転写することで、微細化の
進んだ半導体デバイス等を容易に製造できる。
【００４０】（実施例１）フッ化リチウムとフッ化カル
シウムを１対１のモル比で混合した。
シウムを１対１のモル比で混合した。
【００４１】この混合物を精製炉の坩堝に入れて９００
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＬｉＣａＦ3 焼結
体を得た。
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＬｉＣａＦ3 焼結
体を得た。
【００４２】次に上記焼結体を単結晶成長炉の坩堝に入
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
【００４３】次に、坩堝にＬｉＣａＦ3 の種結晶を接触
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＬｉＣａＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＬｉＣａＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
【００４４】得られた結晶の真空紫外域の吸収端と複屈
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
【００４５】（実施例２）フッ化リチウムとフッ化スト
ロンチウムを１対１のモル比で混合した。
ロンチウムを１対１のモル比で混合した。
【００４６】この混合物を精製炉の坩堝に入れて９００
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＬｉＳｒＦ3 焼結
体を得た。
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＬｉＳｒＦ3 焼結
体を得た。
【００４７】次に上記焼結体を単結晶成長炉の坩堝に入
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
【００４８】次に、坩堝にＬｉＳｒＦ3 の種結晶を接触
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＬｉＳｒＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＬｉＳｒＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
【００４９】得られた結晶の真空紫外域の吸収端と複屈
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
【００５０】（実施例３）フッ化リチウムとフッ化バリ
ウムを１対１のモル比で混合した。
ウムを１対１のモル比で混合した。
【００５１】この混合物を精製炉の坩堝に入れて９００
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＬｉＢａＦ3 焼結
体を得た。
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＬｉＢａＦ3 焼結
体を得た。
【００５２】次に上記焼結体を単結晶成長炉の坩堝に入
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
【００５３】次に、坩堝にＬｉＢａＦ3 の種結晶を接触
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＬｉＢａＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＬｉＢａＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
【００５４】得られた結晶の真空紫外域の吸収端と複屈
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
【００５５】（実施例４）フッ化リチウムとフッ化マグ
ネシウムを１対１のモル比で混合した。
ネシウムを１対１のモル比で混合した。
【００５６】この混合物を精製炉の坩堝に入れて９００
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＬｉＭｇＦ3 焼結
体を得た。
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＬｉＭｇＦ3 焼結
体を得た。
【００５７】次に上記焼結体を単結晶成長炉の坩堝に入
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
【００５８】次に、坩堝にＬｉＭｇＦ3 の種結晶を接触
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＬｉＭｇＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＬｉＭｇＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
【００５９】得られた結晶の真空紫外域の吸収端と複屈
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
【００６０】（実施例５）フッ化リチウムとフッ化亜鉛
を１対１のモル比で混合した。
を１対１のモル比で混合した。
【００６１】この混合物を精製炉の坩堝に入れて９００
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＬｉＺｎＦ3 焼結
体を得た。
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＬｉＺｎＦ3 焼結
体を得た。
【００６２】次に上記焼結体を単結晶成長炉の坩堝に入
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
【００６３】次に、坩堝にＬｉＺｎＦ3 の種結晶を接触
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＬｉＺｎＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＬｉＺｎＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
【００６４】得られた結晶の真空紫外域の吸収端と複屈
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
【００６５】（実施例６）フッ化ナトリウムとフッ化カ
ルシウムを１対１のモル比で混合した。
ルシウムを１対１のモル比で混合した。
【００６６】この混合物を精製炉の坩堝に入れて９００
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＮａＣａＦ3 焼結
体を得た。
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＮａＣａＦ3 焼結
体を得た。
【００６７】次に上記焼結体を単結晶成長炉の坩堝に入
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
【００６８】次に、坩堝にＮａＣａＦ3 の種結晶を接触
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＮａＣａＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＮａＣａＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
【００６９】得られた結晶の真空紫外域の吸収端と複屈
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
【００７０】（実施例７）フッ化ナトリウムとフッ化ス
トロンチウムを１対１のモル比で混合した。
トロンチウムを１対１のモル比で混合した。
【００７１】この混合物を精製炉の坩堝に入れて９００
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＮａＳｒＦ3 焼結
体を得た。
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＮａＳｒＦ3 焼結
体を得た。
【００７２】次に上記焼結体を単結晶成長炉の坩堝に入
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
【００７３】次に、坩堝にＮａＳｒＦ3 の種結晶を接触
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＮａＳｒＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＮａＳｒＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
【００７４】得られた結晶の真空紫外域の吸収端と複屈
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
【００７５】（実施例８）フッ化ナトリウムとフッ化バ
リウムを１対１のモル比で混合した。
リウムを１対１のモル比で混合した。
【００７６】この混合物を精製炉の坩堝に入れて９００
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＮａＢａＦ3 焼結
体を得た。
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＮａＢａＦ3 焼結
体を得た。
【００７７】次に上記焼結体を単結晶成長炉の坩堝に入
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
【００７８】次に、坩堝にＮａＢａＦ3 の種結晶を接触
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＮａＢａＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＮａＢａＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
【００７９】得られた結晶の真空紫外域の吸収端と複屈
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
【００８０】（実施例９）フッ化ナトリウムとフッ化マ
グネシウムを１対１のモル比で混合した。
グネシウムを１対１のモル比で混合した。
【００８１】この混合物を精製炉の坩堝に入れて９００
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＮａＭｇＦ3 焼結
体を得た。
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＮａＭｇＦ3 焼結
体を得た。
【００８２】次に上記焼結体を単結晶成長炉の坩堝に入
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
【００８３】次に、坩堝にＮａＭｇＦ3 の種結晶を接触
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＮａＭｇＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＮａＭｇＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
【００８４】得られた結晶の真空紫外域の吸収端と複屈
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
【００８５】（実施例１０）フッ化ナトリウムとフッ化
亜鉛を１対１のモル比で混合した。
亜鉛を１対１のモル比で混合した。
【００８６】この混合物を精製炉の坩堝に入れて９００
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＮａＺｎＦ3 焼結
体を得た。
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＮａＺｎＦ3 焼結
体を得た。
【００８７】次に上記焼結体を単結晶成長炉の坩堝に入
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
【００８８】次に、坩堝にＮａＺｎＦ3 の種結晶を接触
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＮａＺｎＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＮａＺｎＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
【００８９】得られた結晶の真空紫外域の吸収端と複屈
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
【００９０】（実施例１１）フッ化セシウムとフッ化カ
ルシウムを１対１のモル比で混合した。
ルシウムを１対１のモル比で混合した。
【００９１】この混合物を精製炉の坩堝に入れて９００
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＣｓＣａＦ3 焼結
体を得た。
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＣｓＣａＦ3 焼結
体を得た。
【００９２】次に上記焼結体を単結晶成長炉の坩堝に入
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
【００９３】次に、坩堝にＣｓＣａＦ3 の種結晶を接触
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＣｓＣａＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＣｓＣａＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
【００９４】得られた結晶の真空紫外域の吸収端と複屈
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
【００９５】（実施例１２）フッ化セシウムとフッ化ス
トロンチウムを１対１のモル比で混合した。
トロンチウムを１対１のモル比で混合した。
【００９６】この混合物を精製炉の坩堝に入れて９００
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＣｓＳｒＦ3 焼結
体を得た。
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＣｓＳｒＦ3 焼結
体を得た。
【００９７】次に上記焼結体を単結晶成長炉の坩堝に入
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
【００９８】次に、坩堝にＣｓＳｒＦ3 の種結晶を接触
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＣｓＳｒＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＣｓＳｒＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
【００９９】得られた結晶の真空紫外域の吸収端と複屈
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
【０１００】（実施例１３）フッ化セシウムとフッ化バ
リウムを１対１のモル比で混合した。
リウムを１対１のモル比で混合した。
【０１０１】この混合物を精製炉の坩堝に入れて９００
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＣｓＢａＦ3 焼結
体を得た。
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＣｓＢａＦ3 焼結
体を得た。
【０１０２】次に上記焼結体を単結晶成長炉の坩堝に入
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
【０１０３】次に、坩堝にＣｓＢａＦ3 の種結晶を接触
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＣｓＢａＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＣｓＢａＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
【０１０４】得られた結晶の真空紫外域の吸収端と複屈
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
【０１０５】（実施例１４）フッ化セシウムとフッ化マ
グネシウムを１対１のモル比で混合した。
グネシウムを１対１のモル比で混合した。
【０１０６】この混合物を精製炉の坩堝に入れて９００
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＣｓＭｇＦ3 焼結
体を得た。
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＣｓＭｇＦ3 焼結
体を得た。
【０１０７】次に上記焼結体を単結晶成長炉の坩堝に入
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
【０１０８】次に、坩堝にＣｓＭｇＦ3 の種結晶を接触
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＣｓＭｇＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＣｓＭｇＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
【０１０９】得られた結晶の真空紫外域の吸収端と複屈
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
【０１１０】（実施例１５）フッ化セシウムとフッ化亜
鉛を１対１のモル比で混合した。
鉛を１対１のモル比で混合した。
【０１１１】この混合物を精製炉の坩堝に入れて９００
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＣｓＺｎＦ3 焼結
体を得た。
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＣｓＺｎＦ3 焼結
体を得た。
【０１１２】次に上記焼結体を単結晶成長炉の坩堝に入
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
【０１１３】次に、坩堝にＣｓＺｎＦ3 の種結晶を接触
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＣｓＺｎＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
させ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニー
ル炉の坩堝に成長させたＣｓＺｎＦ3 単結晶を入れ、炉
内を排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１０
０℃／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持し
た。そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却し
た。この作業を５回繰り返して行なった。
【０１１４】得られた結晶の真空紫外域の吸収端と複屈
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
【０１１５】（実施例１６）フッ化カリウムとフッ化バ
リウムを１対１のモル比で混合した。
リウムを１対１のモル比で混合した。
【０１１６】この混合物を精製炉の坩堝に入れて９００
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＫＢａＦ3 焼結体
を得た。
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＫＢａＦ3 焼結体
を得た。
【０１１７】次に上記焼結体を単結晶成長炉の坩堝に入
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
【０１１８】次に、坩堝にＫＢａＦ3 の種結晶を接触さ
せ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニール
炉の坩堝に成長させたＫＢａＦ3 単結晶を入れ、炉内を
排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１００℃
／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持した。
そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却した。こ
の作業を５回繰り返して行なった。
せ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニール
炉の坩堝に成長させたＫＢａＦ3 単結晶を入れ、炉内を
排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１００℃
／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持した。
そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却した。こ
の作業を５回繰り返して行なった。
【０１１９】得られた結晶の真空紫外域の吸収端と複屈
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
【０１２０】（実施例１７）フッ化カリウムとフッ化亜
鉛を１対１のモル比で混合した。
鉛を１対１のモル比で混合した。
【０１２１】この混合物を精製炉の坩堝に入れて９００
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＫＺｎＦ3 焼結体
を得た。
℃に加熱したのち、冷却し、焼結してＫＺｎＦ3 焼結体
を得た。
【０１２２】次に上記焼結体を単結晶成長炉の坩堝に入
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
れた。炉内は真空度６×１０-4Ｔｏｒｒとし、室温から
１０００℃まで昇温させ、真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、温度１０００℃として１１時間保った。
【０１２３】次に、坩堝にＫＺｎＦ3 の種結晶を接触さ
せ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニール
炉の坩堝に成長させたＫＺｎＦ3 単結晶を入れ、炉内を
排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１００℃
／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持した。
そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却した。こ
の作業を５回繰り返して行なった。
せ、１ｍｍ／ｈの速度で引き上げた。続いて、アニール
炉の坩堝に成長させたＫＺｎＦ3 単結晶を入れ、炉内を
排気して坩堝の温度を室温から８００℃に速度１００℃
／ｈで上昇させたのち、２０時間８００℃に保持した。
そして６℃／ｈの速度で徐冷し、室温まで冷却した。こ
の作業を５回繰り返して行なった。
【０１２４】得られた結晶の真空紫外域の吸収端と複屈
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
折率の平均値を求めた。吸収端は１２０ｎｍ以下であ
り、複屈折率の平均値は約２０ｎｍ／ｃｍであった。
【０１２５】上記のフッ化物結晶からなる真空紫外用光
学材料は、いずれも潮解性、劈開性が低く、高エネルギ
ー光を繰り返し照射した場合でも高い耐久性を有し、し
かも、真空紫外の吸収端が１２０ｎｍ以下であり、複屈
折率（歪み）の少ない光学材料である。これらを、エキ
シマレーザ用の光学部材、特にエキシマレーザを用いた
フォトリソグラフィー用の露光装置の光源光学系や投影
光学系のレンズ等の基体やコーティング材として用いる
ことで、転写精度が高く、耐久性にすぐれた露光装置を
実現できる。
学材料は、いずれも潮解性、劈開性が低く、高エネルギ
ー光を繰り返し照射した場合でも高い耐久性を有し、し
かも、真空紫外の吸収端が１２０ｎｍ以下であり、複屈
折率（歪み）の少ない光学材料である。これらを、エキ
シマレーザ用の光学部材、特にエキシマレーザを用いた
フォトリソグラフィー用の露光装置の光源光学系や投影
光学系のレンズ等の基体やコーティング材として用いる
ことで、転写精度が高く、耐久性にすぐれた露光装置を
実現できる。
【０１２６】次に上記の露光装置によるデバイス製造方
法の実施例を説明する。図６は半導体デバイス（ＩＣや
ＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ
等）の製造フローを示す。ステップ１（回路設計）では
半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マス
ク製作）では設計した回路パターンを形成した原版であ
るマスクを製作する。ステップ３（ウエハ製造）ではシ
リコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いて、前記露光装置によるリソグラフ
ィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ス
テップ５（組立）は後工程と呼ばれ、ステップ４によっ
て作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程で
あり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
法の実施例を説明する。図６は半導体デバイス（ＩＣや
ＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ
等）の製造フローを示す。ステップ１（回路設計）では
半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マス
ク製作）では設計した回路パターンを形成した原版であ
るマスクを製作する。ステップ３（ウエハ製造）ではシ
リコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いて、前記露光装置によるリソグラフ
ィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ス
テップ５（組立）は後工程と呼ばれ、ステップ４によっ
て作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程で
あり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【０１２７】図７は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方法
を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体
デバイスを製造することができる。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方法
を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体
デバイスを製造することができる。
【０１２８】
【発明の効果】本発明は上述のとおり構成されているの
で、次に記載するような効果を奏する。
で、次に記載するような効果を奏する。
【０１２９】潮解性、劈開性が低く、耐久性にすぐれた
ＡＭＦ3 型のフッ化物結晶をレンズ等の基体とすること
で、真空紫外域における吸収が少なくて、複屈折率が低
く、しかも耐久性にすぐれた高品質な真空紫外用光学部
材を実現できる。
ＡＭＦ3 型のフッ化物結晶をレンズ等の基体とすること
で、真空紫外域における吸収が少なくて、複屈折率が低
く、しかも耐久性にすぐれた高品質な真空紫外用光学部
材を実現できる。
【０１３０】また、レンズ、プリズム、ミラー等の光学
部品のコーティング材として上記のフッ化物結晶を用い
ることで、真空紫外域の吸収を低減し、耐久性等を向上
させることもできる。
部品のコーティング材として上記のフッ化物結晶を用い
ることで、真空紫外域の吸収を低減し、耐久性等を向上
させることもできる。
【図１】一実施の形態による真空紫外用光学部材の製造
工程を示すフローチャートである。
工程を示すフローチャートである。
【図２】フッ化物結晶を光学部材にコーティングする装
置を示す図である。
置を示す図である。
【図３】露光装置を説明する図である。
【図４】露光装置の投影光学系を示す図である。
【図５】露光装置の光源であるレーザ発振器を示す図で
ある。
ある。
【図６】半導体デバイス製造工程を示すフローチャート
である。
である。
【図７】ウエハプロセスを示すフローチャートである。
２０１ 蒸着装置 ２０２ 真空槽 ２０３ 基板加熱ヒータ ２０４ 光学部材 ２０５ フッ化物結晶 ２０６ 蒸着源 ３２１ 光源光学系 ３２２ 露光部 ３２３ 照明光源 ３２４ ミラー ３２５ 凹レンズ ３２６ 凸レンズ ３２７ ミラー ３２８ オプティカルインテグレーター ３２９ ミラー ３３０ コンデンサーレンズ ３３１ レチクル ３３１ａ レチクルホルダ ３３２ 投影光学系 ３３３ ウエハ ３３４ ＸＹステージ ３３５ 定盤 ３３６ アライメント手段 Ｌ１〜Ｌ１１ レンズ ５０１、６０１ 窓材 ５８１、６８１ 反射鏡 ５８２、６８２ 絞り穴 ５８３、６８３ プラズマチューブ ５８４ プリズム ６８５ エタロン
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H097 CA06 CA13 GB01 LA10 4G077 AA02 AB04 BE02 FJ06 HA01 5F046 BA04 CA04 CA07 CB07 CB10 CB12 CB27
Claims (9)
- 【請求項１】 ＡＭＦ3 型ペロブスカイト構造の結晶を
加工して得られた基体を有することを特徴とする真空紫
外用光学部材。 - 【請求項２】 基体と、ＡＭＦ3 型ペロブスカイト構造
の結晶を蒸着源とするコーティングを有することを特徴
とする真空紫外用光学部材。 - 【請求項３】 ＡがＬｉ、Ｎａ、Ｃｓのいずれかであ
り、ＭがＣａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎのいずれかであ
ることを特徴とする請求項１または２記載の真空紫外用
光学部材。 - 【請求項４】 ＡがＫであり、ＭがＢａまたはＺｎであ
ることを特徴とする請求項１または２記載の真空紫外用
光学部材。 - 【請求項５】 透過率の吸収端が１２０ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１ないし４いずれか１項記載の
真空紫外用光学部材。 - 【請求項６】 真空紫外用光学部材が、レンズ、プリズ
ム、ハーフミラーまたは窓材であることを特徴とする請
求項１ないし５いずれか１項記載の真空紫外用光学部
材。 - 【請求項７】 請求項１ないし６いずれか１項記載の真
空紫外用光学部材を搭載する投影光学系を有する露光装
置。 - 【請求項８】 請求項１ないし６いずれか１項記載の真
空紫外用光学部材を搭載する光源光学系を有する露光装
置。 - 【請求項９】 請求項７または８記載の露光装置によっ
てウエハを露光する工程を有することを特徴とするデバ
イス製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000056618A JP2001244188A (ja) | 2000-03-02 | 2000-03-02 | 真空紫外用光学部材およびこれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
| EP01301818A EP1130419A3 (en) | 2000-03-02 | 2001-02-28 | Optical member for vacuum ultraviolet, and aligner and device manufacture method using same |
| US09/794,354 US6813070B2 (en) | 2000-03-02 | 2001-02-28 | Optical member for vacuum ultraviolet, and aligner and device manufacture method using same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000056618A JP2001244188A (ja) | 2000-03-02 | 2000-03-02 | 真空紫外用光学部材およびこれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001244188A true JP2001244188A (ja) | 2001-09-07 |
| JP2001244188A5 JP2001244188A5 (ja) | 2007-03-29 |
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ID=18577528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000056618A Withdrawn JP2001244188A (ja) | 2000-03-02 | 2000-03-02 | 真空紫外用光学部材およびこれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6813070B2 (ja) |
| EP (1) | EP1130419A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001244188A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006251805A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Schott Ag | マイクロリトグラフィー用光学素子の作製方法、同方法により得られるレンズ系、及び同レンズ系の使用方法 |
| JP2007005777A (ja) * | 2005-05-25 | 2007-01-11 | Tokuyama Corp | 液浸式露光装置のラストレンズ |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10102969A1 (de) * | 2001-01-19 | 2002-07-25 | Kugler Gmbh | Gekühlte Spiegelvorrichtung |
| CN1514943A (zh) | 2001-05-16 | 2004-07-21 | 康宁股份有限公司 | 来自立方体材料的较佳晶体取向光学元件 |
| US6649326B2 (en) | 2001-09-14 | 2003-11-18 | Corning Incorporated | Photolithographic method and UV transmitting fluoride crystals with minimized spatial dispersion |
| US6669920B2 (en) | 2001-11-20 | 2003-12-30 | Corning Incorporated | Below 160NM optical lithography crystal materials and methods of making |
| JP2003241049A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-08-27 | Nikon Corp | 光学素子保持方法、光学素子研磨加工方法及び光学素子成膜方法 |
| US7075905B2 (en) | 2002-09-11 | 2006-07-11 | Qualcomm Incorporated | Quality indicator bit (QIB) generation in wireless communications systems |
| JP2005289776A (ja) * | 2004-04-05 | 2005-10-20 | Canon Inc | 結晶製造方法および結晶製造装置 |
| US7141794B2 (en) * | 2004-06-28 | 2006-11-28 | General Electric Company | Scintillator compositions, related processes, and articles of manufacture |
| DE102005010655A1 (de) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung von optischen Elementen für die Mikrolithographie, damit erhältliche Linsensysteme und deren Verwendung |
| US7700003B2 (en) * | 2005-03-30 | 2010-04-20 | General Electric Company | Composition, article, and method |
| US20100230601A1 (en) * | 2005-03-30 | 2010-09-16 | General Electric Company | Composition, article, and method |
| US20060279836A1 (en) * | 2005-05-27 | 2006-12-14 | Tokuyama Corporation | Last lens of immersion lithography equipment |
| JP2008150276A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-07-03 | Canon Inc | 紫外光用ガラス組成物及びそれを用いた光学装置 |
| JP2008230958A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-10-02 | Tokuyama Corp | ＢａＬｉＦ３単結晶体の製造方法 |
| JP2009086038A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Canon Inc | 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO2014121844A1 (en) * | 2013-02-08 | 2014-08-14 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Beam reverser module and optical power amplifier having such a beam reverser module |
| WO2016021112A1 (en) * | 2014-08-07 | 2016-02-11 | Okinawa Institute Of Science And Technology School Corporation | System and method based on multi-source deposition for fabricating perovskite film |
| CN206773352U (zh) * | 2017-06-16 | 2017-12-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光源组件、背光模组及显示装置 |
| CN109234684A (zh) * | 2018-10-16 | 2019-01-18 | 镇江视伟光学有限公司 | 一种紫膜或黄绿膜镜片的镀膜方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL181960C (nl) * | 1976-07-13 | 1987-12-01 | Philips Nv | Luminescerend scherm; werkwijze voor de bereiding van een luminescerend fluoride. |
| US4377864A (en) * | 1981-08-10 | 1983-03-22 | Gte Laboratories Incorporated | Chromium (III) ordered perovskite lasers and media therefor |
| DE3941859C1 (ja) * | 1989-12-19 | 1991-01-24 | Deutsche Spezialglas Ag, 3223 Gruenenplan, De | |
| ES2096453T3 (es) * | 1993-02-22 | 1997-03-01 | British Telecomm | Composiciones de vidrio halurico. |
| US5909314A (en) * | 1994-02-15 | 1999-06-01 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Optical functional materials and process for producing the same |
| JP3697008B2 (ja) | 1996-03-22 | 2005-09-21 | キヤノン株式会社 | フッ化物結晶及びフッ化物結晶レンズの製造方法 |
| JPH10260349A (ja) * | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Nikon Corp | 紫外線レーザ用結像光学系 |
| JP3337638B2 (ja) | 1997-03-31 | 2002-10-21 | キヤノン株式会社 | フッ化物結晶の製造方法及び光学部品の製造方法 |
| JPH10279378A (ja) | 1997-04-01 | 1998-10-20 | Canon Inc | 結晶製造方法及び製造装置 |
| JP4174086B2 (ja) | 1997-07-02 | 2008-10-29 | キヤノン株式会社 | 結晶成長用の種結晶及びフッ化物結晶 |
| JP3969865B2 (ja) | 1997-10-24 | 2007-09-05 | キヤノン株式会社 | フッ化物結晶の製造方法 |
| JP3624082B2 (ja) * | 1997-11-13 | 2005-02-23 | キヤノン株式会社 | 反射防止膜及びその製造方法 |
| JP3631063B2 (ja) | 1998-10-21 | 2005-03-23 | キヤノン株式会社 | フッ化物の精製方法及びフッ化物結晶の製造方法 |
| US6630117B2 (en) | 1999-06-04 | 2003-10-07 | Corning Incorporated | Making a dispersion managing crystal |
-
2000
- 2000-03-02 JP JP2000056618A patent/JP2001244188A/ja not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-02-28 EP EP01301818A patent/EP1130419A3/en not_active Withdrawn
- 2001-02-28 US US09/794,354 patent/US6813070B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006251805A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Schott Ag | マイクロリトグラフィー用光学素子の作製方法、同方法により得られるレンズ系、及び同レンズ系の使用方法 |
| JP2007005777A (ja) * | 2005-05-25 | 2007-01-11 | Tokuyama Corp | 液浸式露光装置のラストレンズ |
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