CN109234684A - 一种紫膜或黄绿膜镜片的镀膜方法 - Google Patents
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Abstract
一种紫膜及黄绿膜镜片的镀膜方法,采用真空镀膜的方式,根据紫膜和黄绿膜镀膜材料以及镀膜厚度要求,采用不同的镀膜工艺,以达到所需的镀膜厚度,本发明主要步骤包括:确定水温、水压,抽真空、除霜、充气,凸面镀膜,凹面镀膜,检验工序。采用本发明的工艺流程加工的镜片,膜层颜色显紫色和黄绿色,紫膜镜片透光率达93%以上,黄绿膜镜片透光率达96%以上,能够满足人们对功能及时尚的多重追求。
Description
技术领域
本发明涉及树脂镜的制造加工领域,特别是涉及一种紫膜、黄绿膜镜片的镀膜方法。
背景技术
无论树脂或玻璃镜片其本身的透光率都只有91%左右,会有部分光线被镜片的两个表面反射回来。镜片的反射可使光线透过率减少并在视网膜形成干扰像而影响成像的质量,并影响配戴者的外观。如镜片外观涡旋明显,照相反光,看不到配戴者的眼睛等等。而镀膜镜片是利用光学薄膜及真空的新技术,镀上一定厚度的单层或多层光学薄膜,使镜片获得一些新的、原本不具备的优良性能,以改善镜片反射光线的能力,起到增强或减少光线透过的作用使镜片的透光率增加到98%。目前眼镜市场上镜片的膜层颜色多为绿膜,随着人们对功能及时尚的多重追求,单一的绿膜已无法满足人们的需求。紫色,在国人的眼中,是尊贵的颜色,紫气东来。紫光,也是我们可见光中波长最短的光。黄绿膜:绿色,可以提高透光率,黄色,可以提高硬度,而且富贵。黄绿膜,是透、硬、贵的象征。
发明内容
针对目前以上镜片的不足,本发明的目的在于提供了一种紫膜或黄绿膜镜片的镀膜方法,是根据紫膜和黄绿膜镀膜材料以及镀膜厚度要求,采用真空镀膜,以达到所需的镀膜厚度。
本发明的技术方案是通过以下方式实现的:一种紫膜或黄绿膜镜片的镀膜方法,包括以下步骤:
1)确定水温、水压:打开镀膜机总电源,再将冰水机电源打开,确定循环泵、压缩机工作,使水压达到0.2Mpa、水温达到18℃—22℃;
2)抽真空、除霜、充气:真空室温度设定在75~95℃,抽真空30~45分钟后,真空室冷冻机进行自动除霜,除霜时间45s后自动停止,再对真空室进行氩气充填,在真空室的气压与外面的大气压成正压0.1Mpa的时候真空室门自动打开;
3)单面蒸镀膜:把待镀膜的镜片放到镀膜机的真空室内,人工添加镀膜所需的紫膜或黄绿膜材料到四个不同的坩埚内,然后根据每层的镀膜工艺决定对相应的坩埚进行加热蒸镀,镀膜真空室温度设定45~55℃,镀膜时间设定30分钟,盛放镀膜材料的坩埚的温度设定1200℃,对镜片进行紫膜或黄绿膜镀膜;
所述的步骤3)紫膜镀膜工艺为:紫膜材料为:SiO2、ZrO2、In2O3、Li,镀膜层数为七层:第一层,材料为SiO2、蒸发率20、镀膜厚度2000-2600nm、电流40%;第二层,材料为ZrO2、蒸发率8、镀膜厚度300-330nm、电流45%;第三层,材料为SiO2、蒸发率8、镀膜厚度90-120nm、电流40%;第四层,材料为ZrO2、蒸发率10、镀膜厚度580-1000nm、电流45%;第五层,材料为In2O3、蒸发率2、镀膜厚度:30-50nm、电流12%;第六层,材料为SiO2、蒸发率10、镀膜厚度650-800nm、电流40%;第七层,材料为Li、蒸发率15、镀膜厚度70-110nm、电流12%。
所述的步骤3)黄绿膜镀膜工艺为:紫膜材料为:SiO2、ZrO2、In2O3、Li,共镀膜层数七层:第一层,材料为SiO2、蒸发率20、镀膜厚度1000-2300nm、电流30%;第二层,材料为ZrO2、蒸发率16、镀膜厚度200-330nm、电流45%;第三层,材料为SiO2、蒸发率10、镀膜厚度100-150nm、电流25%;第四层为材料ZrO2、蒸发率10、镀膜厚度500-550nm、电流30%;第五层,材料为In2O3、蒸发率4、镀膜厚度40-50nm、电流10%;第六层为材料SiO2、蒸发率15、镀膜厚度950-1000nm、电流20%;第七层,材料为Li,蒸发率20、镀膜厚度100-110nm、电流:10%。
4)凸面镀完后再将镜片进行翻转,用同样的工艺对凹面进行蒸镀膜;
5)打开镀膜机,取出镜片,检验,即完成镜片的紫膜或黄绿膜镀膜。
本发明,膜层颜色显紫色和黄绿色,紫膜镜片透光率达93%以上,黄绿膜镜片透光率达96%以上,能够满足人们对功能及时尚的多重追求。
具体实施方式
一种紫膜或黄绿膜镜片的镀膜方法,包括以下步骤:
1、确定水温、水压:打开镀膜机总电源(380V),再将冰水机电源打开,确定循环泵是否工作,压缩机是否工作,水压需达到0.2MPa,水温达到18℃—22℃。
2、抽真空、除霜、充气:真空室温度设定在75~95℃,抽真空30~45分钟,抽真空结束后真空室冷冻机进行自动除霜,除霜时间45s后自动停止,然后对真空室进行氩气充填,在真空室的气压与外面的气压成正压0.1Mpa的时候真空室门自动打开。
3、单面镀膜:3)单面蒸镀膜:把待镀膜的镜片放到镀膜机的真空室内,人工添加镀膜所需的紫膜或黄绿膜材料到四个不同的坩埚内,然后根据每层的镀膜工艺决定对相应的坩埚进行加热蒸镀,镀膜真空室温度设定45~55℃,镀膜时间设定30分钟,盛放镀膜材料的坩埚的温度设定1200℃,对镜片进行紫膜或黄绿膜镀膜;
所述的紫膜镀膜工艺为:紫膜材料为:SiO2、ZrO2、In2O3、Li,镀膜层数为七层:第一层,材料为SiO2、蒸发率20、镀膜厚度2000-2600nm、电流40%;第二层,材料为ZrO2、蒸发率8、镀膜厚度300-330nm、电流45%;第三层,材料为SiO2、蒸发率8、镀膜厚度90-120nm、电流40%;第四层,材料为ZrO2、蒸发率10、镀膜厚度580-1000nm、电流45%;第五层,材料为In2O3、蒸发率2、镀膜厚度:30-50nm、电流12%;第六层,材料为SiO2、蒸发率10、镀膜厚度650-800nm、电流40%;第七层,材料为Li、蒸发率15、镀膜厚度70-110nm、电流12%。
所述的黄绿膜镀膜工艺为:紫膜材料为:SiO2、ZrO2、In2O3、Li,共镀膜层数七层:第一层,材料为SiO2、蒸发率20、镀膜厚度1000-2300nm、电流30%;第二层,材料为ZrO2、蒸发率16、镀膜厚度200-330nm、电流45%;第三层,材料为SiO2、蒸发率10、镀膜厚度100-150nm、电流25%;第四层为材料ZrO2、蒸发率10、镀膜厚度500-550nm、电流30%;第五层,材料为In2O3、蒸发率4、镀膜厚度40-50nm、电流10%;第六层为材料SiO2、蒸发率15、镀膜厚度950-1000nm、电流20%;第七层,材料为Li,蒸发率20、镀膜厚度100-110nm、电流:10%。
4、凸面镀完后再将镜片进行翻转,用同样的工艺对凹面进行蒸镀。
5、打开镀膜机,取出镜片,检验,即完成镜片的紫膜或黄绿膜镀膜。
通过7层镀膜便可以达到所需颜色的镀膜镜片,镀膜过程中需不断的观察镜片膜层颜色,必要的时候对工艺进行微调,镀膜完成后,将镜片送至检验对膜层进行检验合格后方可进入下一步工序。
Claims (3)
1.一种紫膜或黄绿膜镜片的镀膜方法,包括以下步骤:
1)确定水温、水压:打开镀膜机总电源,再将冰水机电源打开,确定循环泵、压缩机工作,使水压达到0.2Mpa、水温达到18℃—22℃;
2)抽真空、除霜、充气:真空室温度设定在75~95℃,抽真空30~45分钟后,真空室冷冻机进行自动除霜,除霜时间45s后自动停止,再对真空室进行氩气充填,在真空室的气压与外面的大气压成正压0.1Mpa的时候真空室门自动打开;
3)单面蒸镀膜:把待镀膜的镜片放到镀膜机的真空室内,人工添加镀膜所需的紫膜或黄绿膜材料到四个不同的坩埚内,然后根据每层的镀膜工艺决定对相应的坩埚进行加热蒸镀,镀膜真空室温度设定45~55℃,镀膜时间设定30分钟,盛放镀膜材料的坩埚的温度设定1200℃,对镜片进行紫膜或黄绿膜镀膜;
4)凸面镀完后再将镜片进行翻转,用同样的工艺对凹面进行蒸镀膜;
5)打开镀膜机,取出镜片,检验,即完成镜片的紫膜或黄绿膜镀膜。
2.根据权利要求1所述的一种紫膜或黄绿膜镜片的镀膜方法,其特征在于:所述的步骤3)紫膜镀膜工艺为:紫膜材料为:SiO2、ZrO2、In2O3、Li,镀膜层数为七层:第一层,材料为SiO2、蒸发率20、镀膜厚度2000-2600nm、电流40%;第二层,材料为ZrO2、蒸发率8、镀膜厚度300-330nm、电流45%;第三层,材料为SiO2、蒸发率8、镀膜厚度90-120nm、电流40%;第四层,材料为ZrO2、蒸发率10、镀膜厚度580-1000nm、电流45%;第五层,材料为In2O3、蒸发率2、镀膜厚度:30-50nm、电流12%;第六层,材料为SiO2、蒸发率10、镀膜厚度650-800nm、电流40%;第七层,材料为Li、蒸发率15、镀膜厚度70-110nm、电流12%。
3.根据权利要求1所述的一种紫膜或黄绿膜镜片的镀膜方法,其特征在于:所述的步骤3)黄绿膜镀膜工艺为:紫膜材料为:SiO2、ZrO2、In2O3、Li,共镀膜层数七层:第一层,材料为SiO2、蒸发率20、镀膜厚度1000-2300nm、电流30%;第二层,材料为ZrO2、蒸发率16、镀膜厚度200-330nm、电流45%;第三层,材料为SiO2、蒸发率10、镀膜厚度100-150nm、电流25%;第四层为材料ZrO2、蒸发率10、镀膜厚度500-550nm、电流30%;第五层,材料为In2O3、蒸发率4、镀膜厚度40-50nm、电流10%;第六层为材料SiO2、蒸发率15、镀膜厚度950-1000nm、电流20%;第七层,材料为Li,蒸发率20、镀膜厚度100-110nm、电流:10%。
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