JP2001221992A - フリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
フリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2001221992A JP2001221992A JP2000378893A JP2000378893A JP2001221992A JP 2001221992 A JP2001221992 A JP 2001221992A JP 2000378893 A JP2000378893 A JP 2000378893A JP 2000378893 A JP2000378893 A JP 2000378893A JP 2001221992 A JP2001221992 A JP 2001221992A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bus line
- counter electrode
- layer
- liquid crystal
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
-
- H01L27/1288—
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
-
- H01L27/1214—
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造工程を短縮し生産性を向上させることが
できるフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法
を提供する。 【解決手段】 ゲートバスライン１１ａを透明金属層１
０と不透明金属層１１の積層構造に形成し、ゲートバス
ライン形成時にカウンター電極１２の形状を備えた後、
アクティブ領域１３をゲートバスラインを覆うよう形成
する。その後、露出したカウンター電極の表面の不透明
金属層を除去することによりカウンター電極を形成す
る。これに従い、ゲートバスラインを形成するときカウ
ンター電極の形状を同時に構築する。
できるフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法
を提供する。 【解決手段】 ゲートバスライン１１ａを透明金属層１
０と不透明金属層１１の積層構造に形成し、ゲートバス
ライン形成時にカウンター電極１２の形状を備えた後、
アクティブ領域１３をゲートバスラインを覆うよう形成
する。その後、露出したカウンター電極の表面の不透明
金属層を除去することによりカウンター電極を形成す
る。これに従い、ゲートバスラインを形成するときカウ
ンター電極の形状を同時に構築する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフリンジフィールド
（ｆｒｉｎｇｅ ｆｉｅｌｄ）駆動液晶表示装置の製造
方法に関し、より具体的には製造段階を縮小できるフリ
ンジフィールド駆動液晶表示装置に関するものである。
（ｆｒｉｎｇｅ ｆｉｅｌｄ）駆動液晶表示装置の製造
方法に関し、より具体的には製造段階を縮小できるフリ
ンジフィールド駆動液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、フリンジフィールド駆動液晶表
示装置（高開口率及び高透過率の液晶表示装置）は、一
般的なＩＰＳモード液晶表示装置の低い開口率及び透過
率を改善させるため提案されたものであり、これに対し
ては大韓民国特許出願第９８−９２４３号で出願されて
いる。
示装置（高開口率及び高透過率の液晶表示装置）は、一
般的なＩＰＳモード液晶表示装置の低い開口率及び透過
率を改善させるため提案されたものであり、これに対し
ては大韓民国特許出願第９８−９２４３号で出願されて
いる。
【０００３】このようなフリンジフィールド駆動液晶表
示装置は、カウンター電極と画素電極とを透明伝導体に
形成しながらカウンター電極と画素電極との間隔を上下
基板の間の間隔より狭く形成し、カウンター電極と画素
電極との上部にフリンジフィールドが形成されるように
する。
示装置は、カウンター電極と画素電極とを透明伝導体に
形成しながらカウンター電極と画素電極との間隔を上下
基板の間の間隔より狭く形成し、カウンター電極と画素
電極との上部にフリンジフィールドが形成されるように
する。
【０００４】図１を参照し、従来のフリンジフィールド
駆動液晶表示装置の製造方法を説明する。図１を参照す
ると、透明な下部絶縁基板１の上部にＩＴＯ（Ｉｎｄｉ
ｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）層をＡｒガス、Ｏ２ガス、
及びＩＴＯターゲットを利用しスパッタリング方式で形
成した後、櫛形又はプレート（ｐｌａｔｅ）形をなすよ
うパターニングしてカウンター電極２を形成する（第１
マスク工程）。
駆動液晶表示装置の製造方法を説明する。図１を参照す
ると、透明な下部絶縁基板１の上部にＩＴＯ（Ｉｎｄｉ
ｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）層をＡｒガス、Ｏ２ガス、
及びＩＴＯターゲットを利用しスパッタリング方式で形
成した後、櫛形又はプレート（ｐｌａｔｅ）形をなすよ
うパターニングしてカウンター電極２を形成する（第１
マスク工程）。
【０００５】その後、カウンター電極２が形成された下
部基板１の上部に不透明金属膜をスパッタリング方式で
形成し、所定部分をパターニングしてゲートバスライン
３と共通電極線（未図示）を形成する（第２マスク工
程）。
部基板１の上部に不透明金属膜をスパッタリング方式で
形成し、所定部分をパターニングしてゲートバスライン
３と共通電極線（未図示）を形成する（第２マスク工
程）。
【０００６】その後、ゲートバスライン３が形成された
透明な下部絶縁基板１の上部にゲート絶縁膜４と、チャ
ンネル用の非晶質シリコン膜５及びドーピングされた非
晶質シリコン膜６を積層した後、薄膜トランジスタの形
にパターニングする（第３マスク工程）。
透明な下部絶縁基板１の上部にゲート絶縁膜４と、チャ
ンネル用の非晶質シリコン膜５及びドーピングされた非
晶質シリコン膜６を積層した後、薄膜トランジスタの形
にパターニングする（第３マスク工程）。
【０００７】次いで、結果物の上部にＩＴＯ層をスパッ
タリング方式で蒸着した後、カウンター電極２の上部に
櫛形になるようＩＴＯ層をパターニングし、画素電極７
を形成する（第４マスク工程）。
タリング方式で蒸着した後、カウンター電極２の上部に
櫛形になるようＩＴＯ層をパターニングし、画素電極７
を形成する（第４マスク工程）。
【０００８】その後、ゲートパッド部の上部のゲート絶
縁膜を除去してパッドをオープンさせる（第５マスク工
程）。
縁膜を除去してパッドをオープンさせる（第５マスク工
程）。
【０００９】次いで、結果物の上部に不透明金属膜をス
パッタリング方式で蒸着した後、所定部分エッチング
し、ソース、ドレイン電極８ａ、８ｂ及びデータバスラ
イン（未図示）を形成する（第６マスク工程）。
パッタリング方式で蒸着した後、所定部分エッチング
し、ソース、ドレイン電極８ａ、８ｂ及びデータバスラ
イン（未図示）を形成する（第６マスク工程）。
【００１０】次いで、露出したドーピング済みの非晶質
シリコン層７を公知の方式で除去する。このとき、オー
プンされたゲートパッド部とデータバスライン用の金属
膜とがコンタクトされる。
シリコン層７を公知の方式で除去する。このとき、オー
プンされたゲートパッド部とデータバスライン用の金属
膜とがコンタクトされる。
【００１１】しかし、前記のようなフリンジフィールド
駆動液晶表示装置の下部基板の構造物を形成するために
は、前述のように６回のマスク工程が求められる。この
とき、上記マスク工程というのは公知のようにフォトリ
ソグラフィー工程であり、その工程のみでもレジスト塗
布工程、露光工程、現像工程、エッチング工程、レジス
ト除去工程を含む。これに従い、一回のマスク工程を進
めるのに長時間が所要する。
駆動液晶表示装置の下部基板の構造物を形成するために
は、前述のように６回のマスク工程が求められる。この
とき、上記マスク工程というのは公知のようにフォトリ
ソグラフィー工程であり、その工程のみでもレジスト塗
布工程、露光工程、現像工程、エッチング工程、レジス
ト除去工程を含む。これに従い、一回のマスク工程を進
めるのに長時間が所要する。
【００１２】これにより、６回のマスク工程を含むフリ
ンジフィールド駆動液晶表示装置を製造するのに非常に
長い時間が求められ、製造費用が上昇することになり収
率が低下するという問題点が生じている。
ンジフィールド駆動液晶表示装置を製造するのに非常に
長い時間が求められ、製造費用が上昇することになり収
率が低下するという問題点が生じている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は上記
従来のフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法
における問題点に鑑みてなされたものであって、製造工
程を短縮し生産性を向上させることができるフリンジフ
ィールド駆動液晶表示装置の製造方法を提供することを
目的とする。
従来のフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法
における問題点に鑑みてなされたものであって、製造工
程を短縮し生産性を向上させることができるフリンジフ
ィールド駆動液晶表示装置の製造方法を提供することを
目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記のような目的を達成
するためになされた本発明によるフリンジフィールド駆
動液晶表示装置の製造方法は、下部基板上に透明導電層
と不透明金属膜を順次積層した後、所定部分をパターニ
ングして、ゲートバスライン、カウンター電極構造物、
及び下部基板の縁にゲートパッドを形成する段階と、前
記ゲートバスライン及びカウンター電極が形成された下
部基板の上部にゲート絶縁膜、チャンネル用非晶質シリ
コン層及び不純物がドーピングされた非晶質シリコン層
を順次積層し、ドーピングされた非晶質シリコン層及び
チャンネル用非晶質シリコン層を前記ゲートバスライン
を覆うようにパターニングし、アクティブ領域を形成す
る段階と、前記露出したカウンター電極構造物上の不透
明金属膜を除去してカウンター電極を形成する段階と、
前記下部基板の結果物の上部に絶縁膜を蒸着する段階
と、前記絶縁膜の上部に透明導電層を形成し、前記透明
導電層を前記カウンター電極とオーバーラップするよう
に櫛形にパターニングして画素電極を形成する段階と、
前記ゲートパッドがオープンされるように絶縁膜をエッ
チングすると同時に、アクティブ領域上の絶縁膜をエッ
チングする段階と、前記下部基板の結果物の上部に不透
明金属膜を蒸着した後、ゲートバスラインと交差し、ア
クティブ領域の両側に存在するようにパターニングして
データバスライン、ソース及びドレイン電極を形成する
段階とを含み、前記画素電極とカウンター電極との間に
電圧差が発生する際、フリンジフィールドが形成される
ことを特徴とする。
するためになされた本発明によるフリンジフィールド駆
動液晶表示装置の製造方法は、下部基板上に透明導電層
と不透明金属膜を順次積層した後、所定部分をパターニ
ングして、ゲートバスライン、カウンター電極構造物、
及び下部基板の縁にゲートパッドを形成する段階と、前
記ゲートバスライン及びカウンター電極が形成された下
部基板の上部にゲート絶縁膜、チャンネル用非晶質シリ
コン層及び不純物がドーピングされた非晶質シリコン層
を順次積層し、ドーピングされた非晶質シリコン層及び
チャンネル用非晶質シリコン層を前記ゲートバスライン
を覆うようにパターニングし、アクティブ領域を形成す
る段階と、前記露出したカウンター電極構造物上の不透
明金属膜を除去してカウンター電極を形成する段階と、
前記下部基板の結果物の上部に絶縁膜を蒸着する段階
と、前記絶縁膜の上部に透明導電層を形成し、前記透明
導電層を前記カウンター電極とオーバーラップするよう
に櫛形にパターニングして画素電極を形成する段階と、
前記ゲートパッドがオープンされるように絶縁膜をエッ
チングすると同時に、アクティブ領域上の絶縁膜をエッ
チングする段階と、前記下部基板の結果物の上部に不透
明金属膜を蒸着した後、ゲートバスラインと交差し、ア
クティブ領域の両側に存在するようにパターニングして
データバスライン、ソース及びドレイン電極を形成する
段階とを含み、前記画素電極とカウンター電極との間に
電圧差が発生する際、フリンジフィールドが形成される
ことを特徴とする。
【００１５】また、前記透明導電層はＩＴＯ層であり、
前記ゲートバスライン用の不透明金属膜はＭｏ、Ｃｒ、
Ａｌ、ＭｏＷ中から選択される一つであることを特徴と
し、データバスライン用の不透明金属膜はＭｏ、Ａｌ、
Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの多層金属膜、の中から選択される一
つであることを特徴とする。
前記ゲートバスライン用の不透明金属膜はＭｏ、Ｃｒ、
Ａｌ、ＭｏＷ中から選択される一つであることを特徴と
し、データバスライン用の不透明金属膜はＭｏ、Ａｌ、
Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの多層金属膜、の中から選択される一
つであることを特徴とする。
【００１６】本発明によれば、ゲートバスラインを透明
金属層と不透明金属層との積層構造に形成して、ゲート
バスラインの形成時にカウンター電極の形状を備えた
後、アクティブ領域をゲートバスラインを覆うよう形成
する。その後、露出したカウンター電極の表面の不透明
金属層を除去することによりカウンター電極を形成す
る。これに従い、ゲートバスラインを形成するときカウ
ンター電極の形状を同時に構築することができるため、
一回のマスク工程を減少することができる。したがっ
て、従来より一回少ない５回のマスク工程でフリンジフ
ィールド駆動液晶表示装置を製作することができる。
金属層と不透明金属層との積層構造に形成して、ゲート
バスラインの形成時にカウンター電極の形状を備えた
後、アクティブ領域をゲートバスラインを覆うよう形成
する。その後、露出したカウンター電極の表面の不透明
金属層を除去することによりカウンター電極を形成す
る。これに従い、ゲートバスラインを形成するときカウ
ンター電極の形状を同時に構築することができるため、
一回のマスク工程を減少することができる。したがっ
て、従来より一回少ない５回のマスク工程でフリンジフ
ィールド駆動液晶表示装置を製作することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明にかかるフリンジフ
ィールド駆動液晶表示装置の製造方法の実施の形態の具
体例を図面を参照しながら説明する。なお、実施例を説
明するための全ての図面で同一機能を有するものは同一
符号を用い、その反復的な説明は省略する。
ィールド駆動液晶表示装置の製造方法の実施の形態の具
体例を図面を参照しながら説明する。なお、実施例を説
明するための全ての図面で同一機能を有するものは同一
符号を用い、その反復的な説明は省略する。
【００１８】図２乃至図５は、本発明に係るフリンジフ
ィールド駆動液晶表示装置の製造方法を説明するための
各工程別の平面図であり、図６乃至図９は、本発明に係
るフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法を説
明するための各工程別の断面図である。
ィールド駆動液晶表示装置の製造方法を説明するための
各工程別の平面図であり、図６乃至図９は、本発明に係
るフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法を説
明するための各工程別の断面図である。
【００１９】図２及び図６を参照すると、下部基板１０
０の上部に透明な導電層であるＩＴＯ層１０とゲートバ
スライン用金属膜１１、例えばＭｏ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｏ
Ｗのような不透明金属膜とを順次積層する。
０の上部に透明な導電層であるＩＴＯ層１０とゲートバ
スライン用金属膜１１、例えばＭｏ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｏ
Ｗのような不透明金属膜とを順次積層する。
【００２０】次いで、第１マスク工程によりゲートバス
ライン用の金属膜１１とＩＴＯ層１０をパターニング
し、ゲートバスライン１１ａ及びカウンター電極構造物
１１ｂを形成する。このとき、カウンター電極構造物１
１ｂは図２のようにプレート形に形成するか又は櫛形に
形成することができ、ゲートバスライン１１ａはＩＴＯ
層１０とゲートバスライン用の金属膜１１との積層構造
に形成される。このとき、図面に示されていないが、下
部基板１００の縁にはゲートバスライン１１ａの形成と
同時に、ゲートパッド（未図示）が形成される。
ライン用の金属膜１１とＩＴＯ層１０をパターニング
し、ゲートバスライン１１ａ及びカウンター電極構造物
１１ｂを形成する。このとき、カウンター電極構造物１
１ｂは図２のようにプレート形に形成するか又は櫛形に
形成することができ、ゲートバスライン１１ａはＩＴＯ
層１０とゲートバスライン用の金属膜１１との積層構造
に形成される。このとき、図面に示されていないが、下
部基板１００の縁にはゲートバスライン１１ａの形成と
同時に、ゲートパッド（未図示）が形成される。
【００２１】その次に、図３及び図７に示すように、ゲ
ートバスライン１１ａ及びカウンター電極構造物１１が
形成された下部基板１００の上部にゲート絶縁膜１３
ａ、非晶質シリコン層１３ｂ、及びドーピングされた半
導体層１３ｃを順次形成する。その次に、ゲートバスラ
イン１１ａを覆うようにドーピングされた半導体層１３
ｃ、非晶質シリコン層１３ｂ、及びゲート絶縁膜１３ａ
を第２マスク工程により所定部分をパターニングし、ア
クティブ領域１３を形成する。アクティブ領域１３の形
成でカウンター電極構造物１１ｂは露出し、ゲートバス
ライン１１ａはアクティブ領域１３により覆われるよう
になる。
ートバスライン１１ａ及びカウンター電極構造物１１が
形成された下部基板１００の上部にゲート絶縁膜１３
ａ、非晶質シリコン層１３ｂ、及びドーピングされた半
導体層１３ｃを順次形成する。その次に、ゲートバスラ
イン１１ａを覆うようにドーピングされた半導体層１３
ｃ、非晶質シリコン層１３ｂ、及びゲート絶縁膜１３ａ
を第２マスク工程により所定部分をパターニングし、ア
クティブ領域１３を形成する。アクティブ領域１３の形
成でカウンター電極構造物１１ｂは露出し、ゲートバス
ライン１１ａはアクティブ領域１３により覆われるよう
になる。
【００２２】その後、露出したカウンター電極構造物１
１ｂのゲートバスライン用金属膜１１を除去し、透明Ｉ
ＴＯ層でなるカウンター電極１２を形成する。その後、
カウンター電極１２が形成された下部基板１００の上部
に絶縁膜１５を蒸着する。
１ｂのゲートバスライン用金属膜１１を除去し、透明Ｉ
ＴＯ層でなるカウンター電極１２を形成する。その後、
カウンター電極１２が形成された下部基板１００の上部
に絶縁膜１５を蒸着する。
【００２３】図４及び図８に示すように、絶縁膜１５上
部に画素電極用の透明な導電層であるＩＴＯ層を蒸着し
た後、カウンター電極１２とオーバーラップされながら
櫛形を有するようＩＴＯ層を第３マスク工程を介してパ
ターニングし、画素電極１６を形成する。このとき、櫛
形の画素電極１６の形成で下部のカウンター電極１２が
露出される。
部に画素電極用の透明な導電層であるＩＴＯ層を蒸着し
た後、カウンター電極１２とオーバーラップされながら
櫛形を有するようＩＴＯ層を第３マスク工程を介してパ
ターニングし、画素電極１６を形成する。このとき、櫛
形の画素電極１６の形成で下部のカウンター電極１２が
露出される。
【００２４】その後、絶縁膜１５により埋められている
ゲートパッド（未図示）を、第４マスク工程を介してエ
ッチングすることによりゲートパッドを露出させる。こ
のとき、ゲートパッドを露出させるとともにアクティブ
領域１３の上部の絶縁膜１５をエッチングする。
ゲートパッド（未図示）を、第４マスク工程を介してエ
ッチングすることによりゲートパッドを露出させる。こ
のとき、ゲートパッドを露出させるとともにアクティブ
領域１３の上部の絶縁膜１５をエッチングする。
【００２５】その後、図５及び図９に示すように、下部
基板１００の上部にデータバスライン用の金属膜、例え
ばＭｏ、Ａｌ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ等の不透明金属膜を蒸
着する。次いで、データバスライン用の金属膜の所定部
分を第５マスク工程によりパターニングし、ゲートバス
ライン１１ａと交差するデータバスライン１７と、デー
タバスライン１７から延長しアクティブ領域１３の一側
の所定部分とコンタクトされるソース電極１７ａと、ア
クティブ領域１３の他側の所定部分とコンタクトされ画
素電極１６の所定部分とコンタクトされるドレイン電極
１７ｂとを形成する。これにより、５回のマスク工程で
フリンジフィールドで駆動される液晶表示装置を製造す
ることになる。
基板１００の上部にデータバスライン用の金属膜、例え
ばＭｏ、Ａｌ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ等の不透明金属膜を蒸
着する。次いで、データバスライン用の金属膜の所定部
分を第５マスク工程によりパターニングし、ゲートバス
ライン１１ａと交差するデータバスライン１７と、デー
タバスライン１７から延長しアクティブ領域１３の一側
の所定部分とコンタクトされるソース電極１７ａと、ア
クティブ領域１３の他側の所定部分とコンタクトされ画
素電極１６の所定部分とコンタクトされるドレイン電極
１７ｂとを形成する。これにより、５回のマスク工程で
フリンジフィールドで駆動される液晶表示装置を製造す
ることになる。
【００２６】尚、本発明は、本実施例に限られるもので
はない。本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で多様に変
更実施することが可能である。
はない。本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で多様に変
更実施することが可能である。
【００２７】
【発明の効果】以上、詳しく説明したように、本発明に
よればゲートバスラインを透明金属層と不透明金属層の
積層構造に形成し、ゲートバスライン形成時にカウンタ
ー電極の形状を備えた後、アクティブ領域をゲートバス
ラインを覆うよう形成する。その後、露出したカウンタ
ー電極の表面の不透明金属層を除去することによりカウ
ンター電極を形成する。これに従い、ゲートバスライン
を形成するときカウンター電極の形状を同時に構築する
ことができるため一回のマスク工程を減少することがで
きる。したがって、従来より一回少ない５回のマスク工
程でフリンジフィールド駆動液晶表示装置を製作するこ
とができる。
よればゲートバスラインを透明金属層と不透明金属層の
積層構造に形成し、ゲートバスライン形成時にカウンタ
ー電極の形状を備えた後、アクティブ領域をゲートバス
ラインを覆うよう形成する。その後、露出したカウンタ
ー電極の表面の不透明金属層を除去することによりカウ
ンター電極を形成する。これに従い、ゲートバスライン
を形成するときカウンター電極の形状を同時に構築する
ことができるため一回のマスク工程を減少することがで
きる。したがって、従来より一回少ない５回のマスク工
程でフリンジフィールド駆動液晶表示装置を製作するこ
とができる。
【図１】従来技術に係るフリンジフィールド駆動液晶表
示装置の断面図である。
示装置の断面図である。
【図２】本発明に係るフリンジフィールド駆動液晶表示
装置の製造方法を説明するための各工程別の平面図であ
る。
装置の製造方法を説明するための各工程別の平面図であ
る。
【図３】本発明に係るフリンジフィールド駆動液晶表示
装置の製造方法を説明するための各工程別の平面図であ
る。
装置の製造方法を説明するための各工程別の平面図であ
る。
【図４】本発明に係るフリンジフィールド駆動液晶表示
装置の製造方法を説明するための各工程別の平面図であ
る。
装置の製造方法を説明するための各工程別の平面図であ
る。
【図５】本発明に係るフリンジフィールド駆動液晶表示
装置の製造方法を説明するための各工程別の平面図であ
る。
装置の製造方法を説明するための各工程別の平面図であ
る。
【図６】本発明に係るフリンジフィールド駆動液晶表示
装置の製造方法を説明するための各工程別の断面図であ
る。
装置の製造方法を説明するための各工程別の断面図であ
る。
【図７】本発明に係るフリンジフィールド駆動液晶表示
装置の製造方法を説明するための各工程別の断面図であ
る。
装置の製造方法を説明するための各工程別の断面図であ
る。
【図８】本発明に係るフリンジフィールド駆動液晶表示
装置の製造方法を説明するための各工程別の断面図であ
る。
装置の製造方法を説明するための各工程別の断面図であ
る。
【図９】本発明に係るフリンジフィールド駆動液晶表示
装置の製造方法を説明するための各工程別の断面図であ
る。
装置の製造方法を説明するための各工程別の断面図であ
る。
１０ ＩＴＯ層 １１ ゲートバスライン用の金属膜 １１ａ ゲートバスライン １１ｂ カウンター電極構造物 １２ カウンター電極 １３ アクティブ領域 １３ａ ゲート絶縁膜 １３ｂ 非晶質シリコン層 １３ｃ ドーピングされた半導体層 １５ 絶縁膜 １６ 画素電極 １７ データバスライン １７ａ ソース電極 １７ｂ ドレイン電極 １００ 下部基板
Claims (4)
- 【請求項１】 下部基板上に透明導電層と不透明金属膜
を順次積層した後、所定部分をパターニングして、ゲー
トバスライン、カウンター電極構造物、及び下部基板の
縁にゲートパッドを形成する段階と、 前記ゲートバスライン及びカウンター電極が形成された
下部基板の上部にゲート絶縁膜、チャンネル用非晶質シ
リコン層及び不純物がドーピングされた非晶質シリコン
層を順次積層し、ドーピングされた非晶質シリコン層及
びチャンネル用非晶質シリコン層を前記ゲートバスライ
ンを覆うようにパターニングし、アクティブ領域を形成
する段階と、 前記露出したカウンター電極構造物上の不透明金属膜を
除去してカウンター電極を形成する段階と、 前記下部基板の結果物の上部に絶縁膜を蒸着する段階
と、 前記絶縁膜の上部に透明導電層を形成し、前記透明導電
層を前記カウンター電極とオーバーラップするように櫛
形にパターニングして画素電極を形成する段階と、 前記ゲートパッドがオープンされるように絶縁膜をエッ
チングすると同時に、アクティブ領域上の絶縁膜をエッ
チングする段階と、 前記下部基板の結果物の上部に不透明金属膜を蒸着した
後、ゲートバスラインと交差し、アクティブ領域の両側
に存在するようにパターニングしてデータバスライン、
ソース及びドレイン電極を形成する段階とを含み、 前記画素電極とカウンター電極との間に電圧差が発生す
る際、フリンジフィールドが形成されることを特徴とす
るフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記透明導電層は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）層であることを特徴とする請
求項１記載のフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項３】 前記ゲートバスライン用の不透明金属膜
は、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌ、ＭｏＷの中から選択される一つ
であることを特徴とする請求項１記載のフリンジフィー
ルド駆動液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記データバスライン用の不透明金属膜
は、Ｍｏ、Ａｌ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの多層金属膜、の中
から選択される一つであることを特徴とする請求項１記
載のフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1999/P60324 | 1999-12-22 | ||
| KR1019990060324A KR100322968B1 (ko) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | 프린지 필드 구동 액정 표시 장치의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001221992A true JP2001221992A (ja) | 2001-08-17 |
| JP3796566B2 JP3796566B2 (ja) | 2006-07-12 |
Family
ID=19628059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000378893A Expired - Lifetime JP3796566B2 (ja) | 1999-12-22 | 2000-12-13 | フリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6309903B2 (ja) |
| JP (1) | JP3796566B2 (ja) |
| KR (1) | KR100322968B1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005122185A (ja) * | 2003-10-14 | 2005-05-12 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 水平電界の認可型の液晶表示パネル及びその製造方法 |
| WO2008038432A1 (en) | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and liquid crystal display device provided with same |
| US7602456B2 (en) | 2006-05-19 | 2009-10-13 | Mikuni Electoron Co. Ltd | Method of manufacturing LCD apparatus by using halftone exposure method |
| KR101333594B1 (ko) | 2007-08-30 | 2013-11-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| US10269836B2 (en) | 2011-03-23 | 2019-04-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100500684B1 (ko) * | 1999-12-29 | 2005-07-12 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | ４-마스크 공정을 이용한 액정 디스플레이의 제조 방법 |
| KR101111402B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2012-02-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| KR101048903B1 (ko) * | 2004-08-26 | 2011-07-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR101107245B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2012-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101107265B1 (ko) | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
| KR101125254B1 (ko) | 2004-12-31 | 2012-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법과, 그를 이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
| KR101107269B1 (ko) | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
| KR20060104708A (ko) * | 2005-03-31 | 2006-10-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법 |
| KR101201017B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2012-11-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101225440B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2013-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US8470622B1 (en) * | 2012-03-06 | 2013-06-25 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Method for manufacturing array substrate of transmissive liquid crystal display |
| KR102507151B1 (ko) * | 2015-08-27 | 2023-03-08 | 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN108803159B (zh) | 2018-05-24 | 2020-06-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种像素电极的制备方法、像素电极和显示面板 |
| CN112054031B (zh) * | 2019-06-06 | 2023-06-27 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板及其制造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW387997B (en) * | 1997-12-29 | 2000-04-21 | Hyundai Electronics Ind | Liquid crystal display and fabrication method |
-
1999
- 1999-12-22 KR KR1019990060324A patent/KR100322968B1/ko active IP Right Grant
-
2000
- 2000-12-07 US US09/732,212 patent/US6309903B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-13 JP JP2000378893A patent/JP3796566B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005122185A (ja) * | 2003-10-14 | 2005-05-12 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 水平電界の認可型の液晶表示パネル及びその製造方法 |
| US7602456B2 (en) | 2006-05-19 | 2009-10-13 | Mikuni Electoron Co. Ltd | Method of manufacturing LCD apparatus by using halftone exposure method |
| CN101075584B (zh) * | 2006-05-19 | 2012-12-26 | 三国电子有限会社 | 使用半色调曝光法的液晶显示装置的制造法 |
| WO2008038432A1 (en) | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and liquid crystal display device provided with same |
| KR101333594B1 (ko) | 2007-08-30 | 2013-11-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| US10269836B2 (en) | 2011-03-23 | 2019-04-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3796566B2 (ja) | 2006-07-12 |
| US20010005597A1 (en) | 2001-06-28 |
| KR100322968B1 (ko) | 2002-02-02 |
| US6309903B2 (en) | 2001-10-30 |
| KR20010063292A (ko) | 2001-07-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2771820B2 (ja) | アクティブマトリクスパネル及びその製造方法 | |
| US6562645B2 (en) | Method of fabricating fringe field switching mode liquid crystal display | |
| US8563980B2 (en) | Array substrate and manufacturing method | |
| JP3796566B2 (ja) | フリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法 | |
| JP3625598B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2000164584A (ja) | 薄膜の写真エッチング方法及びこれを用いた液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法 | |
| KR100322970B1 (ko) | 프린지 필드 구동 액정표시 장치의 제조방법 | |
| JPH0242761A (ja) | アクティブマトリクス基板の製造方法 | |
| KR20000067121A (ko) | 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치의 제조방법 | |
| JP2008040502A (ja) | 薄膜トランジスタｌｃｄ画素ユニットおよびその製造方法 | |
| WO2014206035A1 (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 | |
| JP2002246607A (ja) | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 | |
| JPH1062819A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP2002076366A (ja) | 薄膜トランジスタ、多層膜構造、薄膜トランジスタの製造方法、および多層膜構造の製造方法 | |
| KR100325072B1 (ko) | 고개구율및고투과율액정표시장치의제조방법 | |
| JP4166300B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2001244473A (ja) | 薄膜トランジスタ、これを利用した液晶表示装置およびそれらの製造方法 | |
| KR20000039794A (ko) | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법 | |
| JPH0580650B2 (ja) | ||
| KR100852806B1 (ko) | 액정 표시 장치의 제조 방법 | |
| JPS62286271A (ja) | 薄膜トランジスタ基板の製造方法 | |
| JPH08262491A (ja) | 液晶表示素子およびその製造方法 | |
| KR100341124B1 (ko) | 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치의 제조방법 | |
| JPS63218925A (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 | |
| KR20020028014A (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051031 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060228 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060328 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3796566 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090428 Year of fee payment: 3 |
|
| S202 | Request for registration of non-exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R315201 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090428 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090428 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100428 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110428 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120428 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120428 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130428 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |