JP2001216836A

JP2001216836A - 銅導体組成物及びこれを用いた配線基板

Info

Publication number: JP2001216836A
Application number: JP2000027282A
Authority: JP
Inventors: Yoji Furukubo; 洋二古久保; Kenichi Nagae; 謙一永江; Yasuhide Tami; 保秀民; Kenjiro Fukuda; 憲次郎福田; Noriaki Hamada; 紀彰浜田
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2000-01-31
Filing date: 2000-01-31
Publication date: 2001-08-10
Anticipated expiration: 2020-01-31
Also published as: JP4632472B2

Abstract

(57)【要約】【課題】メタライズ配線層とガラスセラミックスから成
る絶縁基板との接着強度を向上させ、且つ基板の反りを
抑制し、半田濡れ性にも優れた銅導体組成物及びこれを
用いた配線基板を得る。【解決手段】ガラスセラミックスから成る絶縁基板２
と、この絶縁基板２の表面及び／または内部に被着形成
されたメタライズ配線層３とを備えた配線基板１におい
て、、このメタライズ配線層３を、銅成分１００重量部
に対して、ＺｎＯを２０〜８０重量％、ＳｉＯ₂を８０
〜２０重量％、Ｂ₂Ｏ₃を０〜８重量％からなる無機フィ
ラーを０．１〜１０重量部の割合で配合してなる銅導体
組成物を絶縁基板２に被着し、絶縁基板１と同時焼成し
て形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガラスセラミック
スなどの絶縁基板と同時焼成して形成されるメタライズ
配線層を形成するのに適した銅導体組成物及びこれを用
いた配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、配線基板においては、高周波回路
の対応性、高密度化、高速化が要求され、アルミナ系セ
ラミック材料に比較して低い誘電率が得られ、配線層の
低抵抗化が可能な低温焼成配線基板が一層注目されてい
る。

【０００３】この低温焼成配線基板は、ガラスセラミッ
クスからなる絶縁基板に、銅、金、銀などの低抵抗金属
を主体とするメタライズ配線層を施したものが知られて
いる。このような配線基板は、ガラスセラミック組成物
からなるシート状成形体に上記低抵抗金属粉末を含む導
体ペーストを印刷した後、８００〜１０００℃で同時に
焼成して作製される。

【０００４】また、この低温焼成配線基板は、配線層の
低抵抗化、絶縁基板の低誘電率、低誘電損失化によっ
て、半導体素子が収納する半導体素子収納用パッケージ
や、配線回路基板、携帯電話やパーソナルハンディホン
システム、各種衛星通信用に使用される高周波用多層配
線基板など、あらゆる分野への応用が進められている。
例えば、ガラスセラミックスからなる絶縁基板の表面及
び内部に銅粉末を主成分とするメタライズ配線層を形成
する場合には、ガラスセラミック原料粉末、有機バイン
ダーに溶剤を添加して調製したスラリーをドクターブレ
ード法などによってシート状に形成し、得られたグリー
ンシートに貫通孔を打ち抜き加工し、該貫通孔に銅粉末
を主成分とする導体ペーストを充填し、同時にグリーン
シート上に銅粉末を主成分とする導体ペーストを配線パ
ターン状にスクリーン印刷法などで印刷形成しする。そ
して、配線パターンや貫通孔に導体が充填されたビアホ
ール導体が形成されたグリーンシートを複数枚加圧積層
し、８００〜１０００℃で焼成することによってメタラ
イズ配線層を有する配線基板が得られる。

【０００５】しかし、導体ペーストは、ガラスセラミッ
クスとの親和性が悪いため、形成されたメタライズ配線
層とガラスセラミック基板との接着強度が低く、そのた
めにピン端子あるいはボール端子を接続するための接続
パッド部などの高い接着強度を要求される部分では熱的
または機械的な応力が加わると配線基板とガラスセラミ
ック基板とが剥離しやすいという問題があった。

【０００６】そこで前記接着強度を改善するために、酸
化銅、銅粉末を主成分とする導体ペーストにＺｎＯ等を
添加したり（特開平１−３１７１８４号公報）、銅粉末
を主成分とする導体ペーストにＺｎＯを含むガラス粉末
を添加することが提案されている。（特開平３−４６７
０６号公報）が提案されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、酸化
銅、銅粉末を主体とする導体ペーストにＺｎＯ粉末を添
加する方法では、銅の焼結性を阻害し、焼成時にガラス
セラミック基板の収縮挙動との間でずれが生じるため、
配線基板の反りを引き起こし、さらに焼結が著しく阻害
された場合には接着強度の劣化が生じる。

【０００８】一方、銅粉末を主成分とする導体ペースト
にＺｎＯを含むガラス粉末を添加する方法は、高純度な
ＡｌＮ基板に適用するのに好適な例であり、この方法を
ガラスセラミックスを絶縁基板とする配線基板に適用し
た場合には、銅粉末の焼結性は向上するものの、ガラス
セラミック基板との相互作用により銅成分とガラス成分
との分離が生じて、導体ペースト内に含有されたガラス
成分が銅メタライズ配線層の表面に浮上してしまい、そ
の結果、、そのメタライズ配線層上に半田によって端子
等を接続する際に半田濡れ性が低下するという問題があ
った。

【０００９】従って、本発明の目的は、メタライズ配線
層とガラスセラミックスから成る絶縁基板との接着強度
を向上させ、且つ基板の反りを抑制し、半田濡れ性にも
優れた銅導体組成物及びこれを用いた配線基板を提供す
ることである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、銅粉末などの低
抵抗金属粉末に、少なくともＺｎＯ粉末、ＳｉＯ₂粉末
を含有し、さらにはＢ₂Ｏ₃粉末を含有する無機フィラー
を添加した導体組成物を使用してメタライズ配線層を形
成する場合には、ガラスセラミックスから成る絶縁基板
に対する接着強度が向上し、且つ半田濡れ性が良好であ
り、しかも絶縁基板と導体ペーストの焼成収縮差に起因
する基板の反りを抑制できるという新たな事実を見いだ
し、本発明を完成させるに至った。

【００１１】即ち、本発明の銅導体組成物は、銅成分１
００重量部に対して、ＺｎＯ粉末を２０〜８０重量％、
ＳｉＯ₂粉末を８０〜２０重量％、Ｂ₂Ｏ₃粉末を０〜８
重量％からなる無機フィラーを０．１〜１０重量部の割
合で配合してなることを特徴とするものである。

【００１２】また、前記無機フィラーは、ＺｎＯ粉末と
ＳｉＯ₂粉末と、あるいは、ＺｎＯ粉末とＳｉＯ₂粉末と
Ｂ₂Ｏ₃粉末との混合物を１０００〜１５００℃で焼成
後、粉砕したものであることが望ましい。これは各成分
を固相法によって均質な成分にするためである。

【００１３】なお、前記銅成分は、平均粒径０．５〜１
０μｍの球状の銅含有粉末であることが好ましい。これ
により、メタライズ配線層の収縮などの焼結挙動をガラ
スセラミック基板の焼結挙動によりいっそう近似させる
ことができるため、基板の反りを抑制でき、さらにスク
リーン印刷に好適な粒径であるために印刷精度が向上す
る。なお、銅含有粉末は、銅粉末あるいは酸化銅粉末か
らなる。

【００１４】また、本発明の配線基板は、ガラスセラミ
ックスから成る絶縁基板と、この絶縁基板の表面及び／
または内部に被着形成されたメタライズ配線層とを備え
るものであって、このメタライズ配線層が上記の銅導体
組成物を前記絶縁基板に被着し、前記絶縁基板と同時焼
成して形成されたものであることを特徴とする。

【００１５】さらに、前記絶縁基板の０〜４００℃にお
ける熱膨張係数が８〜１８×１０^-6／℃であることが望
ましい。これにより、絶縁基板を半田ボールなどの接続
端子を介して、有機樹脂を絶縁基板中に含有する熱膨張
係数が１３〜３０×１０^-6／℃のプリント配線基板に表
面実装した場合の半田接続部に加わる熱応力を緩和し、
その結果、実装信頼性が改善される。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の銅導体組成物は、銅成分
と、無機フィラーとから構成されるものであって、銅成
分に対して無機フィラーを添加するものであるが、この
無機フィラーが、必須成分として、ＺｎＯおよびＳｉＯ
₂を含み、任意成分としてＢ₂Ｏ₃を含むものである。

【００１７】かかるＺｎＯ、ＳｉＯ₂、あるいはＺｎ
Ｏ、ＳｉＯ₂、Ｂ₂Ｏ₃からなる無機フィラーは、一般に
ＺｎＯ単味の場合に比較して融点が低いため、ＺｎＯ単
味の場合に比較して低い温度で焼結が進むため、焼結性
が向上するという利点がある。

【００１８】無機フィラー中のＺｎＯ、ＳｉＯ₂、Ｂ₂Ｏ
₃の割合は、３成分基準で、ＺｎＯ粉末を２０〜８０重
量％、特に２５〜７５重量％、ＳｉＯ₂粉末を８０〜２
０重量％、特に２５〜７５重量％、Ｂ₂Ｏ₃粉末を０〜８
重量％、特に３〜７重量％の割合で含有するものであ
る。

【００１９】これは、ＺｎＯ量が２０重量％を下回る場
合には、絶縁基板中へのＺｎの拡散量が少なくなり接着
強度が劣化し、半田濡れ性も劣化する。一方ＺｎＯ量が
８０重量％を上回る場合には、無機フィラー中に高融点
のＺｎＯが析出し、導体の焼結性を劣化させ、接着強
度、基板反り、半田濡れ性に悪影響を及ぼす。またＳｉ
Ｏ₂量についてもＺｎＯと同じ理由で上述のような限定
がなされる。

【００２０】さらにＢ₂Ｏ₃については微量の添加でさら
に焼結性が著しく向上する。ただし、Ｂ₂Ｏ₃量が８重量
部を超える場合には、無機フィラーの焼結性が著しく良
くなる結果、低抵抗金属粉末との親和性が無くなり、半
田濡れ性が劣化してしまう。

【００２１】なお、上記の無機フィラーは、銅導体組成
物における金属成分以外の絶縁性の無機物を意味し、本
発明によれば、無機フィラーとして上記のＺｎＯ、Ｓｉ
Ｏ₂、Ｂ₂Ｏ₃以外に、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯなどのア
ルカリ土類酸化物などの他の無機物を本発明の効果を損
なわない限りにおいて、微量含有することも可能である
が、上記のＺｎＯ、ＳｉＯ₂、Ｂ₂Ｏ₃は全無機フィラー
中、９０重量％以上、特に９５重量％以上、さらには９
９重量％以上であることが望ましい。

【００２２】また、本発明における無機フィラーは、Ｚ
ｎＯ粉末とＳｉＯ₂粉末と、あるいは、ＺｎＯ粉末とＳ
ｉＯ₂粉末とＢ₂Ｏ₃粉末との混合物を１０００〜１５０
０℃で焼成後、粉砕したものであって、その平均粒径が
０．５〜３μｍであることが望ましい。

【００２３】これは、各成分が粉末単味である場合より
も均質であるために、強度などの特性がより安定するた
めである。なお、この熱処理物は、結晶性化合物であっ
て、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄からなる結晶中に硼素元素が固溶した
化合物からなる。

【００２４】さらに、無機フィラー中のＺｎＯとＳｉＯ
₂とは、上記結晶性化合物を形成するために、ＺｎＯ：
ＳｉＯ₂重量比が２：８〜８：２であることが望まし
い。

【００２５】なお、上記の無機フィラーは、銅成分１０
０重量部に対して、０．１〜１０重量部の割合で含有し
ていることが必要であって、無機フィラーの含有量が
０．１重量部を下回る場合には、メタライズ配線層とガ
ラスセラミックスから成る絶縁基板との親和性が悪化
し、その結果、メタライズ配線層と絶縁基板との接着強
度が弱くなり、反りも発生する。一方、無機フィラーの
含有量が１０重量部を超える場合には、低抵抗金属粉末
の焼結性を劣化させ、半田濡れ性、接着強度、基板反り
等に悪影響を及ぼす。無機フィラーは１〜５重量部の割
合で含有されているのがより好ましい。また、使用する
無機フィラーはいずれも平均粒径が０．１〜３μｍ程度
であるのが焼結性を高める上で好ましい。

【００２６】銅成分は、銅粉末および／または、還元雰
囲気での熱処理によって銅に還元される酸化銅粉末であ
ってもよい。これらの粉末は平均粒径０．５〜１０μ
ｍ、特に２〜７μｍ、さらには３〜５μｍの粉末、特に
球状の銅粉末を用いることによって、過焼結による接着
強度の低下を防止し、また微細な配線を形成することが
可能となる。

【００２７】次に、図面に基づいて、本発明の銅導体組
成物を用いた配線基板について説明する。図１は、本発
明の一実施形態にかかる配線基板の構造を示しており、
複数のメタライズ配線層を有する多層配線基板である。

【００２８】図１に示すように、配線基板１は、絶縁基
板２とメタライズ配線層３とを含んでいる。絶縁基板２
は、複数のガラスセラミック絶縁層２ａ・・・２ｄを積
層した積層体から構成され、各層間および絶縁基板２の
表面には、厚みが５〜３０μｍのメタライズ配線層３が
被着形成されている。また、絶縁基板２内には、絶縁層
２ａ・・・２ｄの厚さ方向に貫通した直径が５０〜２０
０μｍ程度のビアホール導体４が形成されている。

【００２９】絶縁基板２は、少なくともＳｉＯ₂を含有
するガラス、又はＳｉＯ₂を含有するガラスと無機フィ
ラーとの複合材料からなるガラスセラミックスからな
る。具体的には、ガラスセラミック材料のガラス成分
は、複数の金属酸化物から構成され、焼成後において非
晶質、又は焼成によって、コージェライト、ムライト、
アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウ
ィレマイト、ドロマイト、リチウムシリケートやその置
換誘導体の結晶を析出する結晶化ガラスによって構成さ
れる。

【００３０】ガラス成分としては、例えばＳｉＯ₂以外
にＬｉ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏなどのアルカリ金属酸化
物、ＣａＯ、ＭｇＯなどのアルカリ土類金属酸化物、Ａ
ｌ₂Ｏ₃、Ｐ₂Ｏ₅、ＺｎＯ、Ｂ₂Ｏ₃、ＰｂＯから選ばれる
１種または２種以上を含有するホウ珪酸ガラス、ＢａＯ
系ガラス、ナトリウムソーダガラス等が挙げられる。

【００３１】前記フィラー成分としては、クオーツ、ク
リストバライト、石英、コランダム（αアルミナ）、デ
ィオプサイト、ムライト、コージェライト、およびフォ
ルステライトから選ばれる１種または２種以上が使用可
能である。

【００３２】ガラス成分とフィラー成分との割合は、ガ
ラス成分が３０〜７０重量部、フィラー成分が７０〜３
０重量部からなることが適当である。

【００３３】本発明における前記絶縁基板２は、０〜４
００℃までの熱膨張係数が８〜１８×１０^-6／℃である
のが好ましい。絶縁基板２の熱膨張係数が８×１０^-6／
℃を下回ると、絶縁基板２とプリント配線板との半田接
合部に熱応力が加わり実装信頼性が低下するという問題
があり、逆に１８×１０^-6／℃を超えると絶縁基板２と
シリコンチップとの半田接合部に熱応力が加わり実装信
頼性が低下するという問題がある。

【００３４】多層配線基板における表面のメタライズ配
線層３は、ＩＣチップなどの各種電子部品５を搭載する
ためのパッドとして、シールド用導体膜として、さらに
は、外部回路と接続する端子電極として用いられ、各種
電子部品５が配線層３に半田などの導電性接着剤６を介
して接合される。

【００３５】本発明によれば、多層配線基板の表面およ
び内部のメタライズ配線層３、並びにビアホール導体４
を上記の銅導体組成物によって絶縁基板２と同時焼成に
よって形成するものである。

【００３６】なお、図示していないが、必要に応じて、
配線基板の表面には、更に、珪化タンタル、珪化モリブ
デンなどの厚膜抵抗体膜や配線保護膜などを形成しても
構わない。

【００３７】次に、本発明の配線基板を作製する方法に
ついて説明する。まず、上述したようなガラス成分、又
はガラス成分とフィラーとを混合してガラスセラミック
組成物を調製し、その混合物に有機バインダーなどを加
えた後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法等の適
宜な成形手段によりグリーンシートを得る。

【００３８】ついで、このグリーンシートの表面に導体
ペーストをスクリーン印刷等により配線パターン状に印
刷する。導体ペーストの主成分となる銅成分には前記し
た所定粒径の銅粉末、もしくは酸化銅などの単体または
それらの混合物が用いられる。酸化銅は還元性雰囲気で
焼成されることにより実質的に銅単体に還元される。

【００３９】導体ペーストは、前記した銅成分と無機フ
ィラー以外に、アクリル樹脂などの有機バインダーと、
αテルピネオール、ジブチルフタレート、ブチルカルビ
トールなどの有機溶剤とを均質混合して調製される。

【００４０】有機バインダーは銅成分と無機フィラーと
からなる無機物成分１００重量部に対して１〜１０重量
部、有機溶剤成分は５〜３０重量部の割合で混合するの
が望ましい。

【００４１】一方、ビアホール導体４を形成するには、
前記グリーンシートにレーザーやマイクロドリル、パン
チングなどにより直径５０〜２００μｍの貫通孔を形成
しこの貫通穴の内部に前記メタライズ配線層３と同じ導
体ペーストを充填する。その後、配線層３やビアホール
導体４が形成されたグリーンシートを積層圧着して積層
体を形成する。

【００４２】ついで、この積層体を４００〜８００℃の
窒素雰囲気中で加熱処理してグリーンシート内やペース
ト中に含有されている有機成分を分解除去した後、８０
０〜１０００℃の窒素雰囲気中で同時焼成することによ
り、メタライズ配線層３及びビアホール導体４を具備す
る多層配線基板を作製することができる。

【００４３】尚、本発明の配線基板は上述したような多
層配線基板に限定されるものではなく、単層のガラスセ
ラミックのグリーンシート上に前記と同様な導体ペース
トで配線パターンを印刷し、同時焼成した配線基板をも
包含する。

【００４４】また、配線基板構造が多層構造であって
も、内部配線層４のみを積層体と同時に焼成処理し、表
面配線層４を公知の銅厚膜用の組成物を印刷して焼き付
け処理して形成することも可能である。

【００４５】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
るが、本発明の銅導体組成物およびこれを用いた配線基
板は以下の実施例のみに限定されるものではない。（実施例１）絶縁基板用のグリーンシートとしては重量
比率で４３％ＳｉＯ₂−３７％ＢａＯ−９％Ｂ₂Ｏ₃−６
％Ａｌ₂Ｏ₃−５％ＣａＯ（屈伏点７００℃）の組成のガ
ラスを５０体積％に対してフィラー成分としてＳｉＯ₂
を５０体積％混合したものを用いた。これに分子量３０
万のアクリル系バインダーと可塑剤、分散剤、溶剤を加
え混合し、かかる泥しょうをドクターブレード法により
厚さ平均２００μｍのグリーンシートに成形した。

【００４６】一方、導体ペーストに添加する無機フィラ
ーとしてＺｎＯ、ＳｉＯ₂、Ｂ₂Ｏ₃を表１に示す割合で
秤量し混合したものを１３００℃（固相法）の温度で５
時間保持し、徐令したものを平均粒径が２μｍと成るよ
うに粉砕した。

【００４７】ついで、平均粒径が４μｍの銅粉末粉末
に、上述の無機フィラーを表２に示す割合で加え、これ
ら無機物成分１００重量部に対して有機バインダーとし
てアクリル樹脂を２重量部、有機溶剤としてαテルピネ
オールを１５重量部添加し、混練して導体ペーストを調
整した。

【００４８】このようにして得られた導体ペーストとグ
リーンシートを用いて、以下に示す３種類のサンプルを
作成した。（１）接着強度を評価するサンプル焼成後の寸法が２ｍｍ×２ｍｍで、厚さ約１２μｍのパ
ターンをスクリーン印刷し、このグリーンシートの下部
に同じグリーンシート５枚を加圧積層した。（２）基板反りを評価するサンプル焼成後の寸法が１０ｍｍ×１０ｍｍで、厚さ１２μｍの
パターンをスクリーン印刷し、このグリーンシートの下
部に同じグリーンシート１枚を加圧積層した。（３）半田濡れ性を評価するサンプル焼成後の直径が０．１ｍｍの円形パターンをグリーンシ
ート上にスクリーン印刷し、このグリーンシートの下部
に同じグリーンシート５枚を加圧積層した。

【００４９】このようにして配線パターンが形成された
未焼成状態の積層体を有機バインダーなどの有機成分を
分解除去するために、窒素雰囲気中で７００℃の温度で
３時間保持した後、９５０℃に昇温して１時間保持して
配線基板を得た。なお、前記グリーンシートを焼成して
得た絶縁基板の０〜４００℃での熱膨張係数は１１．５
×１０^-6／℃であった。前記（１）〜（３）のサンプル
を用いて得た各配線基板について、以下の方法にて特性
を評価した。（ａ）接着強度の評価方法得られた配線基板の表面に存在する１辺が２ｍｍ四方の
銅配線層に厚さ１μｍのＮｉメッキを施し、その表面に
厚さ０．１μｍのＡｕメッキを施した。次に、この金メ
ッキ層上に直径０．８ｍｍの錫メッキ銅線を基板と平衡
に半田付けし、ついで錫メッキ銅線を基板に対して垂直
方向に曲げ、錫メッキ導線を１０ｍｍ／ｍｉｎの引っ張
り速度で垂直方向に引っ張り、銅配線層と絶縁基板との
界面が破断したときの最大荷重を銅配線層の接着強度と
して評価した。このとき、接着強度が２Ｋｇ／２ｍｍ角
を超えるものを良品とした。（ｂ）基板反りの評価方法配線基板の表面に存在する一辺が１０ｍｍ四方の銅配線
層の対角方向（長さ１４．２ｍｍ）に沿って接触型の表
面粗さ径にて表面粗さを測定し、Ｒｍａｘが５０μｍ／
１４．２ｍｍ以下のものを良品とした。（ｃ）半田濡れ性の評価方法配線基板の表面に存在する円形パターンの銅配線層にフ
ラックスを塗布し２３５℃に保たれた共晶半田中に、鉛
直方向に対して４５度の角度で５秒間浸漬させたものを
実体顕微鏡にて観察し、銅配線のパターン全面が半田で
濡れているものを良品（〇）、それ以外を不良（×）と
した。

【００５０】

【表１】

【００５１】

【表２】

【００５２】表１、表２から明らかなように無機フィラ
ー中のＢ₂Ｏ₃量が８重量％を上回る試料Ｎｏ．６、１
２、１８では焼結性が極端に良く成りすぎ、半田濡れ性
が劣化した。またＳｉＯ₂が２０重量％よりも少ない試
料Ｎｏ．１９では焼結性が劣化し、基板反り、半田濡れ
性が劣化した。またＺｎＯ量が２０重量％を下回る試料
Ｎｏ．２１ではＺｎＯの拡散量が減少した結果、接着強
度と半田濡れ性が劣化した。

【００５３】さらにＺｎＯのみを用いた試料Ｎｏ．２２
では、焼結性が悪くなった結果、基板反りが劣化した。
またＺｎＯ含有ガラスを用いた試料番号２３では焼結性
は良くなるものの、ガラスの凝集が発生し、半田濡れ性
が劣化した。

【００５４】これらに対して、本発明にかかる試料Ｎ
ｏ．１〜５、７〜１１、１３〜１７、２０では、接着強
度が大きく、基板の反りも抑制され、さらに半田濡れ性
も良好であった。（実施例２）実施例１の結果、良好な結果が得られた表
１の無機フィラー組成Ｎｏ．９について、その添加量を
変化させた実験を行い、実施例１と同様な評価を行な
い、その結果を表３に示した。

【００５５】

【表３】

【００５６】表３から明らかなように、無機フィラーの
添加量が０．１重量部を下回る試料Ｎｏ．２４、２５で
は接着強度が弱く、基板反りも大きくなった。また無機
フィラーの添加量が１０重量部を上回る試料Ｎｏ．３２
では、半田濡れ性が著しく劣化し、接着強度、基板反り
も劣化した。

【００５７】これらに対して本発明にかかる試料Ｎｏ．
２６〜３１、３３〜３６では接着強度が大きく、基板の
反りも抑制され、さらに半田濡れ性も良好であった。

【００５８】

【発明の効果】本発明によれば、銅成分に所定量のＺｎ
Ｏ、ＳｉＯ₂、Ｂ₂Ｏ₃を含有する無機フィラーを添加す
ることにより、特にガラスセラミックスからなる絶縁基
板との親和性が改善されるため、接着強度が向上すると
ともに、半田濡れ性が良好であり、基板の反りも抑制さ
れた配線基板を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線基板の概略断面図である。

【符号の説明】

１配線基板２絶縁基板３メタライズ配線層４ビアホール導体５電子部品

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者福田憲次郎鹿児島県国分市山下町１番４号京セラ株式会社総合研究所内 (72)発明者浜田紀彰鹿児島県国分市山下町１番４号京セラ株式会社総合研究所内Ｆターム(参考） 5G301 AA08 AA27 AB12 AB20 AD06 5G307 GA01 GC02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】銅成分１００重量部に対して、ＺｎＯを２
０〜８０重量％、ＳｉＯ₂を８０〜２０重量％、Ｂ₂Ｏ₃
を０〜８重量％からなる無機フィラーを０．１〜１０重
量部の割合で配合してなることを特徴とする銅導体組成
物。
【請求項２】前記無機フィラーが、ＺｎＯ粉末とＳｉＯ
₂粉末と、あるいは、ＺｎＯ粉末とＳｉＯ₂粉末とＢ₂Ｏ₃
粉末との混合物を１０００〜１５００℃で焼成後、粉砕
したものである請求項１記載の銅導体組成物。
【請求項３】前記銅成分が、平均粒径０．５〜１０μｍ
の球状の銅粉末である請求項１記載の銅導体組成物。
【請求項４】前記銅成分が、銅粉末および／または酸化
銅粉末からなることを特徴とする請求項１記載の銅導体
組成物。
【請求項５】ガラスセラミックスから成る絶縁基板と、
この絶縁基板の表面及び／または内部に被着形成された
メタライズ配線層とを備え、このメタライズ配線層が請
求項１乃至請求項３のいずれかに記載の銅導体組成物を
前記絶縁基板に被着し、前記絶縁基板と同時焼成して形
成されたものであることを特徴とする配線基板。
【請求項６】前記絶縁基板の０〜４００℃における熱膨
張係数が８〜１８×１０^-6／℃である請求項５記載の配
線基板。