JP2001203940A - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサInfo
- Publication number
- JP2001203940A JP2001203940A JP2001006218A JP2001006218A JP2001203940A JP 2001203940 A JP2001203940 A JP 2001203940A JP 2001006218 A JP2001006218 A JP 2001006218A JP 2001006218 A JP2001006218 A JP 2001006218A JP 2001203940 A JP2001203940 A JP 2001203940A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodetector
- floating diffusion
- pixel
- signal
- sensing node
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 78
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 13
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005421 electrostatic potential Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/571—Control of the dynamic range involving a non-linear response
- H04N25/575—Control of the dynamic range involving a non-linear response with a response composed of multiple slopes
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/59—Control of the dynamic range by controlling the amount of charge storable in the pixel, e.g. modification of the charge conversion ratio of the floating node capacitance
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アクティブピクセルの半導体イメージセンサ
の感度及び大きなダイナミックレンジを向上する。 【解決手段】 Ｘ−Ｙアドレス可能なピクセルのアレイ
を有したイメージセンサであって、各ピクセルの中に
は、第１の光の帯域幅を感知するように構成された光検
出器２２と、第２の光の帯域幅を感知するように構成さ
れた浮遊拡散部２８と、光検出器２２及び浮遊拡散部２
８をそれぞれ所定の電位にリセットできるリセットトラ
ンジスタと、電荷を光検出器２２から浮遊拡散部２８へ
転送する転送ゲート２６とが含まれる。浮遊拡散部２８
は遮光部を持たずに第２の光検出器として機能する。浮
遊拡散部２８にて生成された光電子を電圧信号として読
み出した後、光検出器２２にて生成された光電子を浮遊
拡散部２８に転送して電圧信号として読み出し、それら
信号を合成する。
の感度及び大きなダイナミックレンジを向上する。 【解決手段】 Ｘ−Ｙアドレス可能なピクセルのアレイ
を有したイメージセンサであって、各ピクセルの中に
は、第１の光の帯域幅を感知するように構成された光検
出器２２と、第２の光の帯域幅を感知するように構成さ
れた浮遊拡散部２８と、光検出器２２及び浮遊拡散部２
８をそれぞれ所定の電位にリセットできるリセットトラ
ンジスタと、電荷を光検出器２２から浮遊拡散部２８へ
転送する転送ゲート２６とが含まれる。浮遊拡散部２８
は遮光部を持たずに第２の光検出器として機能する。浮
遊拡散部２８にて生成された光電子を電圧信号として読
み出した後、光検出器２２にて生成された光電子を浮遊
拡散部２８に転送して電圧信号として読み出し、それら
信号を合成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ベースのイ
メージセンサに関し、より詳しくは、高い感度及び大き
なダイナミックレンジを有するアクティブピクセルのイ
メージセンサに関する。
メージセンサに関し、より詳しくは、高い感度及び大き
なダイナミックレンジを有するアクティブピクセルのイ
メージセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブピクセルのイメージセンサ
（Active Pixel image Sensor：ＡＰＳ）は、それぞれ
のピクセルが光感知手段及び少なくとも１つの他の能動
素子の両方を含む固体のイメージャであり、信号（電圧
信号又は電流信号のいずれか）に変換される電荷を生成
する。この信号は、ピクセルの受光面に入射する光の量
を表す。イメージング用感知デバイスのダイナミックレ
ンジ（ＤＲ）は、センサのノイズレベルの二乗平均平方
根値（σnoise）に対する、一般に飽和信号（Ｖsat）と
呼ばれる有効最大検出可能な信号レベルの比率として定
義される。これは式１に示されている。
（Active Pixel image Sensor：ＡＰＳ）は、それぞれ
のピクセルが光感知手段及び少なくとも１つの他の能動
素子の両方を含む固体のイメージャであり、信号（電圧
信号又は電流信号のいずれか）に変換される電荷を生成
する。この信号は、ピクセルの受光面に入射する光の量
を表す。イメージング用感知デバイスのダイナミックレ
ンジ（ＤＲ）は、センサのノイズレベルの二乗平均平方
根値（σnoise）に対する、一般に飽和信号（Ｖsat）と
呼ばれる有効最大検出可能な信号レベルの比率として定
義される。これは式１に示されている。
【数１】 ダイナミックレンジ＝Ｖsat／σnoise ……式１
【０００３】入射フォトンによって生成される電荷を積
分する電荷結合素子（ＣＣＤ）などのイメージセンサ素
子は、ダイナミックレンジを有していて、このダイナミ
ックレンジは、所定の受光面内に集めて保持することが
できる電荷量（Ｖsat）によって制限される。例えば、
どのような所定のＣＣＤでも、ピクセル内に集めて検出
することができる電荷量は、ピクセルの面積に比例す
る。このため、メガピクセルのディジタルスチルカメラ
（ＤＳＣ）内で使用する市販の固体撮像素子について
は、Ｖsatを表す電子の数はおよそ13,000から20,000個
である。入射光が極めて明るくて、ピクセル又は光検出
器内で保持することができる電子よりも多くの電子が生
成される場合、これらの過剰の電子は、ピクセル内のブ
ルーミング防止手段によって取り除かれ、飽和信号を増
加させることには寄与しない。従って、最大検出可能な
信号レベルは、光検出器又はピクセル内に保持すること
ができる電荷量に制限される。ＤＲは、センサのノイズ
レベルσnoiseによっても制限される。Ｖsatについての
制限のために、σnoiseを極めて低いレベルにまで減ら
すために、ＣＣＤの分野において多くの努力がなされて
きた。典型的には、市販のメガピクセルのＤＳＣ素子の
ダイナミックレンジは、1000 : 1 以下である。
分する電荷結合素子（ＣＣＤ）などのイメージセンサ素
子は、ダイナミックレンジを有していて、このダイナミ
ックレンジは、所定の受光面内に集めて保持することが
できる電荷量（Ｖsat）によって制限される。例えば、
どのような所定のＣＣＤでも、ピクセル内に集めて検出
することができる電荷量は、ピクセルの面積に比例す
る。このため、メガピクセルのディジタルスチルカメラ
（ＤＳＣ）内で使用する市販の固体撮像素子について
は、Ｖsatを表す電子の数はおよそ13,000から20,000個
である。入射光が極めて明るくて、ピクセル又は光検出
器内で保持することができる電子よりも多くの電子が生
成される場合、これらの過剰の電子は、ピクセル内のブ
ルーミング防止手段によって取り除かれ、飽和信号を増
加させることには寄与しない。従って、最大検出可能な
信号レベルは、光検出器又はピクセル内に保持すること
ができる電荷量に制限される。ＤＲは、センサのノイズ
レベルσnoiseによっても制限される。Ｖsatについての
制限のために、σnoiseを極めて低いレベルにまで減ら
すために、ＣＣＤの分野において多くの努力がなされて
きた。典型的には、市販のメガピクセルのＤＳＣ素子の
ダイナミックレンジは、1000 : 1 以下である。
【０００４】ダイナミックレンジについての同様な制限
が、ＡＰＳ素子についても存在する。Ｖsatは、光検出
器内に保持及び隔離することができる電荷量によって制
限される。過剰な電荷は失われる。このことは、ＡＰＳ
に対してはＣＣＤに比べてさらに問題となり得る。なぜ
ならば、ＡＰＳにおいては、ピクセル内のアクティブ素
子により、光検出器にとって利用可能な領域が制限さ
れ、またＡＰＳ素子内で使用される電源及びクロックの
電圧が低いからである。さらに、ＡＰＳ素子は１チップ
に構成されたイメージセンサシステムを提供するように
使用されてきたので、ＣＣＤには存在しない、タイミン
グ、コントロール及びアナログ−デジタル変換などのＡ
ＰＳ素子上で使用されるデジタル及びアナログ回路は、
ＣＣＤと比べてＡＰＳ素子上で一層高いノイズフロア
（noise floor）を与える。これは、オンチップのアナ
ログ−デジタル変換器からの可能な量子化ノイズだけで
なく、より高い一時的なノイズが原因である。
が、ＡＰＳ素子についても存在する。Ｖsatは、光検出
器内に保持及び隔離することができる電荷量によって制
限される。過剰な電荷は失われる。このことは、ＡＰＳ
に対してはＣＣＤに比べてさらに問題となり得る。なぜ
ならば、ＡＰＳにおいては、ピクセル内のアクティブ素
子により、光検出器にとって利用可能な領域が制限さ
れ、またＡＰＳ素子内で使用される電源及びクロックの
電圧が低いからである。さらに、ＡＰＳ素子は１チップ
に構成されたイメージセンサシステムを提供するように
使用されてきたので、ＣＣＤには存在しない、タイミン
グ、コントロール及びアナログ−デジタル変換などのＡ
ＰＳ素子上で使用されるデジタル及びアナログ回路は、
ＣＣＤと比べてＡＰＳ素子上で一層高いノイズフロア
（noise floor）を与える。これは、オンチップのアナ
ログ−デジタル変換器からの可能な量子化ノイズだけで
なく、より高い一時的なノイズが原因である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本出願と共通の譲受人
に譲渡された米国特許出願第０９／４２６，８７０号で
は、Guidashは、ＡＰＳ素子のダイナミックレンジを拡
大するための従来技術の方式を説明し、光検出器からブ
ルームする電荷を収集することによって、ダイナミック
レンジを拡大するための新規な発明を開示している。そ
の方式は、小さいピクセルでダイナミックレンジを拡大
するが、センサ内の固定パターンノイズの原因になる光
検出器の飽和レベルの空間的変動についての潜在的な不
都合があり、センサの感度を向上させない。
に譲渡された米国特許出願第０９／４２６，８７０号で
は、Guidashは、ＡＰＳ素子のダイナミックレンジを拡
大するための従来技術の方式を説明し、光検出器からブ
ルームする電荷を収集することによって、ダイナミック
レンジを拡大するための新規な発明を開示している。そ
の方式は、小さいピクセルでダイナミックレンジを拡大
するが、センサ内の固定パターンノイズの原因になる光
検出器の飽和レベルの空間的変動についての潜在的な不
都合があり、センサの感度を向上させない。
【０００６】従来技術のＡＰＳ素子も、ピクセル内のア
クティブ素子の集積によって、またピクセルの上に配置
されたカラーのフィルタ層を通る入射光の透過損失によ
って、フィルファクタが制限されることにより、光に対
する感度が低い。
クティブ素子の集積によって、またピクセルの上に配置
されたカラーのフィルタ層を通る入射光の透過損失によ
って、フィルファクタが制限されることにより、光に対
する感度が低い。
【０００７】前述した説明から、固定したパターンノイ
ズが低いこと、ピクセルが小さいこと及び感度が高いこ
とを維持しながら、ダイナミックレンジを拡大させる要
望が、素子についての従来技術の中に存在することは明
白である。
ズが低いこと、ピクセルが小さいこと及び感度が高いこ
とを維持しながら、ダイナミックレンジを拡大させる要
望が、素子についての従来技術の中に存在することは明
白である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、従来技
術の問題に対する解決策が提供される。本発明において
は、各ピクセル内の浮遊拡散領域が、個別の光検出器の
領域として使用され、拡大されたダイナミックレンジ及
び高い感度を提供する。
術の問題に対する解決策が提供される。本発明において
は、各ピクセル内の浮遊拡散領域が、個別の光検出器の
領域として使用され、拡大されたダイナミックレンジ及
び高い感度を提供する。
【０００９】本発明の第１の実施形態では、各ピクセル
内に設けられた浮遊拡散領域を、遮光せずに個別の光検
出器領域として使用することによって、拡大されたダイ
ナミックレンジ及びより高い感度が提供される。光検出
器上に信号の電荷が集積されている間に、浮遊拡散領域
上に入射する光に比例して、電荷が浮遊拡散領域上にも
集められる。従来技術の素子では、浮遊拡散領域は電荷
の電圧への変換ノードとして、積分の間の光検出器用の
オーバーフローのドレインとして、又は全体的なフレー
ム捕獲のための電荷記憶領域として利用される。その結
果、光が浮遊拡散領域に又はその近くに入射する結果と
して生ずる光の蓄積を防ぐために、及び光検出器の領域
からブルーミング電荷を排出させるために、浮遊拡散領
域は入射光から遮光されるか、又はリセットモードに維
持される。本発明では、浮遊拡散領域に入射する光の量
に比例して、光検出器の積分時間とは別個にコントロー
ルされた時間だけ、電荷が浮遊拡散領域に積分される。
浮遊拡散領域上に積分された電荷は、次に、光検出器上
に積分された電荷とは別個に読み出される。この第１の
実施形態では、所定のピクセル内の光検出器及び浮遊拡
散領域は、同じカラーフィルタによってカバーされる
か、又は両方ともどのようなカラーフィルタにもカバー
されない。
内に設けられた浮遊拡散領域を、遮光せずに個別の光検
出器領域として使用することによって、拡大されたダイ
ナミックレンジ及びより高い感度が提供される。光検出
器上に信号の電荷が集積されている間に、浮遊拡散領域
上に入射する光に比例して、電荷が浮遊拡散領域上にも
集められる。従来技術の素子では、浮遊拡散領域は電荷
の電圧への変換ノードとして、積分の間の光検出器用の
オーバーフローのドレインとして、又は全体的なフレー
ム捕獲のための電荷記憶領域として利用される。その結
果、光が浮遊拡散領域に又はその近くに入射する結果と
して生ずる光の蓄積を防ぐために、及び光検出器の領域
からブルーミング電荷を排出させるために、浮遊拡散領
域は入射光から遮光されるか、又はリセットモードに維
持される。本発明では、浮遊拡散領域に入射する光の量
に比例して、光検出器の積分時間とは別個にコントロー
ルされた時間だけ、電荷が浮遊拡散領域に積分される。
浮遊拡散領域上に積分された電荷は、次に、光検出器上
に積分された電荷とは別個に読み出される。この第１の
実施形態では、所定のピクセル内の光検出器及び浮遊拡
散領域は、同じカラーフィルタによってカバーされる
か、又は両方ともどのようなカラーフィルタにもカバー
されない。
【００１０】本発明の第２の実施形態においては、所定
のピクセル内の光検出器及び浮遊拡散領域に対して異な
る又は別個のカラーフィルタを備えた第１の実施形態を
利用することによって、入射光に対する拡大されたダイ
ナミックレンジ及び高い感度が提供される。これによ
り、ピクセル当たり２つのカラーに関連した信号の電荷
が提供される。
のピクセル内の光検出器及び浮遊拡散領域に対して異な
る又は別個のカラーフィルタを備えた第１の実施形態を
利用することによって、入射光に対する拡大されたダイ
ナミックレンジ及び高い感度が提供される。これによ
り、ピクセル当たり２つのカラーに関連した信号の電荷
が提供される。
【００１１】本発明によれば、素子のダイナミックレン
ジ及び感度を著しく増加させ、現在のシステム設計にお
いて使用することができる、アクティブピクセルのセン
サ素子が、内部に複数のピクセルを有するＸ−Ｙアドレ
ス可能なイメージャによって提供される。それぞれの複
数のピクセル内には第１の光の帯域幅を感知するように
構成された光検出器と、第２の光の帯域幅を感知するよ
うに構成された感知ノードと、光検出器及び感知ノード
に対して動作するように構成されて、それぞれの光検出
器及び感知ノードを所定の電位にリセットできるリセッ
ト機構と、電荷を光検出器から感知ノードへ転送するよ
うに構成された転送機構と、が含まれ、感知ノードは遮
光部を持たずに第２の光検出器として動作できるように
形成される。第１及び第２の帯域幅は、設計上の選択に
より、異なっていても同一でもよい。Ｘ−Ｙアドレス可
能なイメージャは、感知ノード上に蓄積された電荷に関
連した信号を記憶するための第１の記憶機構、光検出器
上に蓄積された電荷に関連した信号を記憶するための第
２の記憶機構、及びそれぞれの複数のピクセルについて
感知ノード及び光検出器の積分と転送とをコントロール
するタイミング回路を有するシステムから成るように構
成される。
ジ及び感度を著しく増加させ、現在のシステム設計にお
いて使用することができる、アクティブピクセルのセン
サ素子が、内部に複数のピクセルを有するＸ−Ｙアドレ
ス可能なイメージャによって提供される。それぞれの複
数のピクセル内には第１の光の帯域幅を感知するように
構成された光検出器と、第２の光の帯域幅を感知するよ
うに構成された感知ノードと、光検出器及び感知ノード
に対して動作するように構成されて、それぞれの光検出
器及び感知ノードを所定の電位にリセットできるリセッ
ト機構と、電荷を光検出器から感知ノードへ転送するよ
うに構成された転送機構と、が含まれ、感知ノードは遮
光部を持たずに第２の光検出器として動作できるように
形成される。第１及び第２の帯域幅は、設計上の選択に
より、異なっていても同一でもよい。Ｘ−Ｙアドレス可
能なイメージャは、感知ノード上に蓄積された電荷に関
連した信号を記憶するための第１の記憶機構、光検出器
上に蓄積された電荷に関連した信号を記憶するための第
２の記憶機構、及びそれぞれの複数のピクセルについて
感知ノード及び光検出器の積分と転送とをコントロール
するタイミング回路を有するシステムから成るように構
成される。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施形態では、各
ピクセル内に設けられた浮遊拡散領域を、遮光せずに個
別の光検出器領域として使用することによって、拡大さ
れたダイナミックレンジ及びより高い感度が提供され
る。光検出器上に信号の電荷が集積されている間に、浮
遊拡散領域上に入射する光に比例して、電荷が浮遊拡散
領域上にも集められる。浮遊拡散領域の積分時間は、光
検出器の積分時間とは別にコントロールされる。このこ
とは、図１及び図２に示したピクセルを用いて行われ
る。これは、本出願と共通の譲受人に譲渡された米国特
許出願第０９／４２６，８７０号及び０９／１３０，６
６５号においてGuidashによって開示されたものと同様
のピクセル設計である。このピクセル１０は、光検出器
１２（ピンド・フォトダイオードＰが好ましい）、転送
ゲート１６、浮遊拡散部１８、行選択トランジスタ７、
浮遊拡散部１８であるソースとリセットゲート１７とリ
セットドレイン１９とから成るリセットトランジスタ、
及び水平オーバーフロー領域６から構成される。
ピクセル内に設けられた浮遊拡散領域を、遮光せずに個
別の光検出器領域として使用することによって、拡大さ
れたダイナミックレンジ及びより高い感度が提供され
る。光検出器上に信号の電荷が集積されている間に、浮
遊拡散領域上に入射する光に比例して、電荷が浮遊拡散
領域上にも集められる。浮遊拡散領域の積分時間は、光
検出器の積分時間とは別にコントロールされる。このこ
とは、図１及び図２に示したピクセルを用いて行われ
る。これは、本出願と共通の譲受人に譲渡された米国特
許出願第０９／４２６，８７０号及び０９／１３０，６
６５号においてGuidashによって開示されたものと同様
のピクセル設計である。このピクセル１０は、光検出器
１２（ピンド・フォトダイオードＰが好ましい）、転送
ゲート１６、浮遊拡散部１８、行選択トランジスタ７、
浮遊拡散部１８であるソースとリセットゲート１７とリ
セットドレイン１９とから成るリセットトランジスタ、
及び水平オーバーフロー領域６から構成される。
【００１３】図２は、対カラムの信号処理をさらに詳細
に示す、図１に示した本発明の第１の実施形態のピクセ
ルの図である。図２に示したピクセル１０は、行および
列に配置された、Ｘ−Ｙアドレス可能ピクセルのアレイ
の一部であることが好ましい。一般に、ピクセル内に蓄
積された電荷の呼出しは、一度に１つの行を選択し、そ
の行内の複数の列を読み出すことによって行われる。そ
れぞれの列は、個々のピクセルの出力を処理するための
回路を有している。本発明によって構成される列回路
は、信号をそれぞれコンデンサＣ4，Ｃ5及びＣ6に蓄積
するために、ゲート信号SHSpd，SHR及びSHSfdによって
コントロールされるスイッチとして動作するトランジス
タ１，２及び３である。コンデンサＣ4，Ｃ5及びＣ6内
にゲート信号SHSpd，SHR及びSHSfdのもとで蓄積される
ピクセル１０からの信号は、差動増幅器３１，３２への
入力として使用される。これらの差動増幅器は、浮遊拡
散部１８に対するリセット値をそれぞれの浮遊拡散部１
８及び光検出器１２からの蓄積された信号値と比較す
る。
に示す、図１に示した本発明の第１の実施形態のピクセ
ルの図である。図２に示したピクセル１０は、行および
列に配置された、Ｘ−Ｙアドレス可能ピクセルのアレイ
の一部であることが好ましい。一般に、ピクセル内に蓄
積された電荷の呼出しは、一度に１つの行を選択し、そ
の行内の複数の列を読み出すことによって行われる。そ
れぞれの列は、個々のピクセルの出力を処理するための
回路を有している。本発明によって構成される列回路
は、信号をそれぞれコンデンサＣ4，Ｃ5及びＣ6に蓄積
するために、ゲート信号SHSpd，SHR及びSHSfdによって
コントロールされるスイッチとして動作するトランジス
タ１，２及び３である。コンデンサＣ4，Ｃ5及びＣ6内
にゲート信号SHSpd，SHR及びSHSfdのもとで蓄積される
ピクセル１０からの信号は、差動増幅器３１，３２への
入力として使用される。これらの差動増幅器は、浮遊拡
散部１８に対するリセット値をそれぞれの浮遊拡散部１
８及び光検出器１２からの蓄積された信号値と比較す
る。
【００１４】本発明の第１の実施形態の動作は、図２の
ピクセル１０について、図３のタイミング図に示されて
おり、図４及び図５に示した出力信号転送関数が結果と
して生ずる。図３を参照すると、転送ゲート１６（信号
ＴＧとして示されている）にオン及びオフのパルスを加
えて、電荷を光検出器１２から浮遊拡散部１８に転送
し、次に、リセットゲート１７を動作させて、浮遊拡散
部１８をリセットすることによって、ピクセル１０をリ
セットすなわち初期化する。リセットゲート１７は浮遊
拡散部１８を、リセットゲートのパルス幅、リセットト
ランジスタのスレショルド電圧及びリセットドレイン１
９の電位によって決定される電位にリセットする。初期
化すなわちリセットシーケンスの後で、転送ゲート１６
がオフに切り換えられると、光検出器の積分時間（ｔ
intpd）が開始する。リセットゲートはオンのままであ
る。水平オーバーフロー領域の静電ポテンシャルは、転
送ゲートのオフ電位よりも低いレベルに設定されて、光
検出器内の過剰な電荷が、水平オーバーフロー領域を通
って隣のピクセルのリセットドレイン内にブルームす
る。このオーバーフローのメカニズムは、電荷が浮遊拡
散部内にブルーミングすること、及び浮遊拡散部上に蓄
積された電荷が劣化することを防止する。このオーバー
フローのメカニズムは、この技術において周知のどのよ
うな手段でもよい。光検出器の積分時間（ｔintpd）が
進行すると、浮遊拡散部も積分を開始することができ
る。浮遊拡散部の積分時間は、リセットゲートがオフに
切り替わると開始する。リセットゲートがオフに切り替
わる時間と浮遊拡散部をリセットする時間との間の経過
時間は、浮遊拡散部の積分時間ｔintfdと呼ばれる。所
望の浮遊拡散部の積分時間ｔintfdが終わると、浮遊拡
散部１８上に積分された電荷のレベルは、浮遊拡散部１
８の信号をコンデンサＣ6上に移すSHSfdのパルスによっ
てサンプル及び保持される。続いて、ＲＧによって浮遊
拡散部１８がリセットされ、浮遊拡散部のリセットレベ
ルをコンデンサＣ5上に移すSHRによって、リセットレベ
ルがサンプル及び保持される。次に、ＴＧ１６をオン及
びオフするパルスによって、電荷が光検出器１２から浮
遊拡散部１８に移動され、その信号レベルは、次に、SH
Spdによってサンプル及び保持されて、コンデンサＣ4上
に移される。光検出器及び浮遊拡散部からのサンプル及
び保持された信号レベルを、次に、電圧ドメイン内で加
算して、合計信号を作ることができる。この１つの実施
例を図２で示す。本発明は、コンデンサＣ6上の浮遊拡
散信号とコンデンサＣ5上のリセットレベルとの差動増
幅器３２を経由した差分呼出し、及びコンデンサＣ4上
の光検出器の信号レベルとコンデンサＣ5上のリセット
レベルとの差動増幅器３１を経由した第２の差分呼出し
を構成して、これにより、光検出器の信号レベルに対し
て正しい補正された二重サンプリングを提供する。次
に、いくつかの手段によって、最終出力信号を決定する
ことができる。１つの例は、２つの差動増幅器３１及び
３２からの信号を別個に読み出して、外部のチップにて
加えることができる、ピクセル当たり２つの信号値を提
供することである。第２の実施形態は、ピクセル当たり
の単一の信号レベルとして信号を読み出すために、これ
らの信号を第３の増幅器及び後続の信号処理チェーンへ
の入力として提供することによって達成される。電圧ド
メイン内で信号を結合するこの呼出し方法は、電荷ドメ
イン内で信号を結合することよりも、より大きな最大ピ
クセル信号レベルＶmaxをも提供する。これは、浮遊拡
散部が、積分された光検出器の信号及び積分された浮遊
拡散部の信号を同時に保持する必要がないからである。
このため、Ｖmaxは、浮遊拡散部の容量に光検出器の容
量を加えた全容量まで拡大される。
ピクセル１０について、図３のタイミング図に示されて
おり、図４及び図５に示した出力信号転送関数が結果と
して生ずる。図３を参照すると、転送ゲート１６（信号
ＴＧとして示されている）にオン及びオフのパルスを加
えて、電荷を光検出器１２から浮遊拡散部１８に転送
し、次に、リセットゲート１７を動作させて、浮遊拡散
部１８をリセットすることによって、ピクセル１０をリ
セットすなわち初期化する。リセットゲート１７は浮遊
拡散部１８を、リセットゲートのパルス幅、リセットト
ランジスタのスレショルド電圧及びリセットドレイン１
９の電位によって決定される電位にリセットする。初期
化すなわちリセットシーケンスの後で、転送ゲート１６
がオフに切り換えられると、光検出器の積分時間（ｔ
intpd）が開始する。リセットゲートはオンのままであ
る。水平オーバーフロー領域の静電ポテンシャルは、転
送ゲートのオフ電位よりも低いレベルに設定されて、光
検出器内の過剰な電荷が、水平オーバーフロー領域を通
って隣のピクセルのリセットドレイン内にブルームす
る。このオーバーフローのメカニズムは、電荷が浮遊拡
散部内にブルーミングすること、及び浮遊拡散部上に蓄
積された電荷が劣化することを防止する。このオーバー
フローのメカニズムは、この技術において周知のどのよ
うな手段でもよい。光検出器の積分時間（ｔintpd）が
進行すると、浮遊拡散部も積分を開始することができ
る。浮遊拡散部の積分時間は、リセットゲートがオフに
切り替わると開始する。リセットゲートがオフに切り替
わる時間と浮遊拡散部をリセットする時間との間の経過
時間は、浮遊拡散部の積分時間ｔintfdと呼ばれる。所
望の浮遊拡散部の積分時間ｔintfdが終わると、浮遊拡
散部１８上に積分された電荷のレベルは、浮遊拡散部１
８の信号をコンデンサＣ6上に移すSHSfdのパルスによっ
てサンプル及び保持される。続いて、ＲＧによって浮遊
拡散部１８がリセットされ、浮遊拡散部のリセットレベ
ルをコンデンサＣ5上に移すSHRによって、リセットレベ
ルがサンプル及び保持される。次に、ＴＧ１６をオン及
びオフするパルスによって、電荷が光検出器１２から浮
遊拡散部１８に移動され、その信号レベルは、次に、SH
Spdによってサンプル及び保持されて、コンデンサＣ4上
に移される。光検出器及び浮遊拡散部からのサンプル及
び保持された信号レベルを、次に、電圧ドメイン内で加
算して、合計信号を作ることができる。この１つの実施
例を図２で示す。本発明は、コンデンサＣ6上の浮遊拡
散信号とコンデンサＣ5上のリセットレベルとの差動増
幅器３２を経由した差分呼出し、及びコンデンサＣ4上
の光検出器の信号レベルとコンデンサＣ5上のリセット
レベルとの差動増幅器３１を経由した第２の差分呼出し
を構成して、これにより、光検出器の信号レベルに対し
て正しい補正された二重サンプリングを提供する。次
に、いくつかの手段によって、最終出力信号を決定する
ことができる。１つの例は、２つの差動増幅器３１及び
３２からの信号を別個に読み出して、外部のチップにて
加えることができる、ピクセル当たり２つの信号値を提
供することである。第２の実施形態は、ピクセル当たり
の単一の信号レベルとして信号を読み出すために、これ
らの信号を第３の増幅器及び後続の信号処理チェーンへ
の入力として提供することによって達成される。電圧ド
メイン内で信号を結合するこの呼出し方法は、電荷ドメ
イン内で信号を結合することよりも、より大きな最大ピ
クセル信号レベルＶmaxをも提供する。これは、浮遊拡
散部が、積分された光検出器の信号及び積分された浮遊
拡散部の信号を同時に保持する必要がないからである。
このため、Ｖmaxは、浮遊拡散部の容量に光検出器の容
量を加えた全容量まで拡大される。
【００１５】この方法はリセットレベルを基準値とした
ピクセルの差分呼出しを使用しているので、ピクセルの
オフセットノイズは相殺される。さらに、ピクセル内に
どのような素子も追加することなく、ダイナミックレン
ジを拡大するので、この方法は、低コストの民生用のデ
ジタル画像形成用途に実用的な小さなピクセルで実行す
ることができる。浮遊拡散部及び光検出器の両方が積分
のために使用されるので、ピクセルの感度が増大され
て、このためピクセル内により大きな光能動的な領域が
提供される。浮遊拡散部が、光検出器からブルームする
電荷を集めるのではなく、浮遊拡散部に入射する光から
作られる電荷を積分するので、電荷が光検出器からブル
ームするポイントの変動による固定パターンノイズが取
り除かれる。この方法では、リセットレベルが浮遊拡散
部の信号レベルに対して補正されないため、浮遊拡散部
上に積分された電荷のピクセル読取りノイズは増加され
る。これは、一般に、３０個の電子以下であり、有効信
号レベルにおけるゲインと比較すると小さい。
ピクセルの差分呼出しを使用しているので、ピクセルの
オフセットノイズは相殺される。さらに、ピクセル内に
どのような素子も追加することなく、ダイナミックレン
ジを拡大するので、この方法は、低コストの民生用のデ
ジタル画像形成用途に実用的な小さなピクセルで実行す
ることができる。浮遊拡散部及び光検出器の両方が積分
のために使用されるので、ピクセルの感度が増大され
て、このためピクセル内により大きな光能動的な領域が
提供される。浮遊拡散部が、光検出器からブルームする
電荷を集めるのではなく、浮遊拡散部に入射する光から
作られる電荷を積分するので、電荷が光検出器からブル
ームするポイントの変動による固定パターンノイズが取
り除かれる。この方法では、リセットレベルが浮遊拡散
部の信号レベルに対して補正されないため、浮遊拡散部
上に積分された電荷のピクセル読取りノイズは増加され
る。これは、一般に、３０個の電子以下であり、有効信
号レベルにおけるゲインと比較すると小さい。
【００１６】図３について説明した動作の結果として、
センサの出力応答は、図４及び図５に示すようになる。
この出力応答は２つの領域から成る。光のレベルが低い
場合は、出力応答は線形領域Ａによる。線形領域Ａの傾
斜は、光検出器と浮遊拡散部とによって与えられた応答
の重ね合わせであり、光検出器及び浮遊拡散部の両方の
積分時間に比例している。光電子の数が光検出器の容量
を超えると、この電荷は水平オーバーフロー領域を通っ
て流れて、リセットドレインすなわち隣接するピクセル
のＶＤＤを経由して取り除かれる。光検出器の信号電荷
は、Ｖpdsatと呼ばれるこのポイントで飽和する。この
ポイントで、ピクセルの出力応答は、線形領域Ｂに従
う。好ましい実施形態では、図３に示したタイミングに
よって、線形領域Ｂにおいて線形の応答が提供される。
この線形領域Ｂの傾斜は、浮遊拡散部の積分時間ｔ
intfdに依存すると共に正比例する。２つの図面（図４
及び図５）は、線形領域Ａ及び線形領域Ｂに対して２つ
の異なる傾斜を示している。図４の浮遊拡散部の積分時
間は、図５のそれよりも短い。その結果、図５の線形領
域Ａ及び線形領域Ｂの傾斜は、図４のものより大きい。
センサの出力応答は、図４及び図５に示すようになる。
この出力応答は２つの領域から成る。光のレベルが低い
場合は、出力応答は線形領域Ａによる。線形領域Ａの傾
斜は、光検出器と浮遊拡散部とによって与えられた応答
の重ね合わせであり、光検出器及び浮遊拡散部の両方の
積分時間に比例している。光電子の数が光検出器の容量
を超えると、この電荷は水平オーバーフロー領域を通っ
て流れて、リセットドレインすなわち隣接するピクセル
のＶＤＤを経由して取り除かれる。光検出器の信号電荷
は、Ｖpdsatと呼ばれるこのポイントで飽和する。この
ポイントで、ピクセルの出力応答は、線形領域Ｂに従
う。好ましい実施形態では、図３に示したタイミングに
よって、線形領域Ｂにおいて線形の応答が提供される。
この線形領域Ｂの傾斜は、浮遊拡散部の積分時間ｔ
intfdに依存すると共に正比例する。２つの図面（図４
及び図５）は、線形領域Ａ及び線形領域Ｂに対して２つ
の異なる傾斜を示している。図４の浮遊拡散部の積分時
間は、図５のそれよりも短い。その結果、図５の線形領
域Ａ及び線形領域Ｂの傾斜は、図４のものより大きい。
【００１７】ダイナミックレンジは２つの方法で拡大さ
れる。第１は、浮遊拡散領域を使用して光電子を積分及
び記憶するので、最大電子容量は、光検出器を用するだ
けよりは大きくなる。第２は、光検出器及び浮遊拡散領
域に対して異なる積分時間を使用することによって、有
効な又は推定された信号レベルＶeffは、光検出器及び
浮遊拡散領域の積分時間の比率、光検出器及び浮遊拡散
領域の応答度の比率、及びそれぞれからの測定された信
号レベルから決定することができる。光検出器の積分時
間ｔintpdの浮遊拡散部の積分時間ｔintfdに対する比率
を大きくすることができるので、光検出器及び浮遊拡散
部の容量によって限定される信号を大きく超えて、Ｖef
fを増大させることができる。
れる。第１は、浮遊拡散領域を使用して光電子を積分及
び記憶するので、最大電子容量は、光検出器を用するだ
けよりは大きくなる。第２は、光検出器及び浮遊拡散領
域に対して異なる積分時間を使用することによって、有
効な又は推定された信号レベルＶeffは、光検出器及び
浮遊拡散領域の積分時間の比率、光検出器及び浮遊拡散
領域の応答度の比率、及びそれぞれからの測定された信
号レベルから決定することができる。光検出器の積分時
間ｔintpdの浮遊拡散部の積分時間ｔintfdに対する比率
を大きくすることができるので、光検出器及び浮遊拡散
部の容量によって限定される信号を大きく超えて、Ｖef
fを増大させることができる。
【００１８】センサの出力信号を、線形領域Ｂからの有
効信号レベルを決めずに、直接表示することも可能であ
る。このことは、より大きな入射光源の範囲を直接検出
可能な信号の電圧範囲内にマッピング及び直接表示する
ことによって、さらにダイナミックレンジを拡大する。
この直接出力応答は、図４及び図５内で示されているも
のである。
効信号レベルを決めずに、直接表示することも可能であ
る。このことは、より大きな入射光源の範囲を直接検出
可能な信号の電圧範囲内にマッピング及び直接表示する
ことによって、さらにダイナミックレンジを拡大する。
この直接出力応答は、図４及び図５内で示されているも
のである。
【００１９】図３に示すタイミング図は、浮遊拡散部及
び光検出器上の電荷を別個に読み出す好ましい実施形態
を示している。この場合、信号は電圧ドメイン内で結合
される。呼出しは、単一呼出しによって行うこともでき
る。この単一呼出しでは、光検出器内の信号の電荷は浮
遊拡散部に転送され、結合された電荷は図６に示すよう
に読み出される。この方法は、単一呼出しの利点を有す
るため、呼出し時間が早いが、有効電荷容量が小さく、
差分呼出しが補正されない不都合がある。
び光検出器上の電荷を別個に読み出す好ましい実施形態
を示している。この場合、信号は電圧ドメイン内で結合
される。呼出しは、単一呼出しによって行うこともでき
る。この単一呼出しでは、光検出器内の信号の電荷は浮
遊拡散部に転送され、結合された電荷は図６に示すよう
に読み出される。この方法は、単一呼出しの利点を有す
るため、呼出し時間が早いが、有効電荷容量が小さく、
差分呼出しが補正されない不都合がある。
【００２０】本発明の第２の実施形態は、２つの異なる
カラーフィルタα及びβと結合された浮遊拡散部２８及
び光検出器２２からの電荷を、別個に読み出す方法を利
用している。これらのカラーフィルタα及びβは、所定
のピクセル２０内の光検出器２２及び浮遊拡散部２８の
上に設けられている。このことは、図７に示されてい
る。この発明では、２つの異なるカラーに関連した信号
レベルを得ることができ、それぞれのピクセルの場所か
ら別々に測定される。図７を参照すると、浮遊拡散部２
８上に蓄積された電荷はタイミング信号SHSfdによって
コンデンサＣ6上に記憶される、本発明の第２の実施形
態が示されている。図３に示したタイミング図に呼応し
た方法では、SHSfd信号の後に、リセット信号がリセッ
トゲート（ＲＧ）２７に印加されて、その結果、浮遊拡
散部２８がリセットされ、次に、その浮遊拡散部２８の
電位レベルが、タイミング信号SHRが加えられることに
よってコンデンサＣ5上に記憶される。次に、光検出器
２２内に蓄積された電荷は、タイミング信号ＴＧによっ
て浮遊拡散部２８に転送される。浮遊拡散部２８上の光
検出器２２の電荷は、次に、タイミング信号SHSpdを動
作させることによって、コンデンサＣ4上に記憶され
る。本発明の好ましい実施形態においては、差動増幅器
３１への基準入力としてコンデンサＣ5上のリセットレ
ベルを使用して、コンデンサＣ4上のカラーフィルタα
の浮遊拡散部２８の信号レベルを読み取る、差分呼出し
を採用するように構成されている。コンデンサＣ6上の
カラーフィルタβの光検出器２２の信号レベルについて
の第２の差分呼出しが、コンデンサＣ 5上のリセットレ
ベルを再度基準入力として差動増幅器３２を経由して行
われ、これにより、光検出器２２の信号レベルについて
の真の補正された二重サンプリングが提供される。次
に、最終的な出力信号がいくつかの手段によって決定さ
れる。１つの例は、２つの差動増幅器３１及び３２から
の信号を別個に読み出して、外部のチップにて加えるこ
とができるピクセル当たり２つの信号値を提供すること
である。ピクセル当たりの単一のカラー差のレベルとし
て信号を読み出すために、カラーフィルタα及びカラー
フィルタβの信号を第３の増幅器及び信号処理チェーン
への入力として提供することによって、第２の実施形態
の呼出しが得られるように構成される。このことは、ピ
クセルごとにアナログ電圧ドメイン内にカラーの減算又
はカラーの加算のいずれかを設けた任意の方法で、又は
単一のピクセル若しくは隣接するピクセルからの２つの
カラー信号を使用して、これらの信号の所望の組合わせ
を得るような何らかの方法で行うこともできる。
カラーフィルタα及びβと結合された浮遊拡散部２８及
び光検出器２２からの電荷を、別個に読み出す方法を利
用している。これらのカラーフィルタα及びβは、所定
のピクセル２０内の光検出器２２及び浮遊拡散部２８の
上に設けられている。このことは、図７に示されてい
る。この発明では、２つの異なるカラーに関連した信号
レベルを得ることができ、それぞれのピクセルの場所か
ら別々に測定される。図７を参照すると、浮遊拡散部２
８上に蓄積された電荷はタイミング信号SHSfdによって
コンデンサＣ6上に記憶される、本発明の第２の実施形
態が示されている。図３に示したタイミング図に呼応し
た方法では、SHSfd信号の後に、リセット信号がリセッ
トゲート（ＲＧ）２７に印加されて、その結果、浮遊拡
散部２８がリセットされ、次に、その浮遊拡散部２８の
電位レベルが、タイミング信号SHRが加えられることに
よってコンデンサＣ5上に記憶される。次に、光検出器
２２内に蓄積された電荷は、タイミング信号ＴＧによっ
て浮遊拡散部２８に転送される。浮遊拡散部２８上の光
検出器２２の電荷は、次に、タイミング信号SHSpdを動
作させることによって、コンデンサＣ4上に記憶され
る。本発明の好ましい実施形態においては、差動増幅器
３１への基準入力としてコンデンサＣ5上のリセットレ
ベルを使用して、コンデンサＣ4上のカラーフィルタα
の浮遊拡散部２８の信号レベルを読み取る、差分呼出し
を採用するように構成されている。コンデンサＣ6上の
カラーフィルタβの光検出器２２の信号レベルについて
の第２の差分呼出しが、コンデンサＣ 5上のリセットレ
ベルを再度基準入力として差動増幅器３２を経由して行
われ、これにより、光検出器２２の信号レベルについて
の真の補正された二重サンプリングが提供される。次
に、最終的な出力信号がいくつかの手段によって決定さ
れる。１つの例は、２つの差動増幅器３１及び３２から
の信号を別個に読み出して、外部のチップにて加えるこ
とができるピクセル当たり２つの信号値を提供すること
である。ピクセル当たりの単一のカラー差のレベルとし
て信号を読み出すために、カラーフィルタα及びカラー
フィルタβの信号を第３の増幅器及び信号処理チェーン
への入力として提供することによって、第２の実施形態
の呼出しが得られるように構成される。このことは、ピ
クセルごとにアナログ電圧ドメイン内にカラーの減算又
はカラーの加算のいずれかを設けた任意の方法で、又は
単一のピクセル若しくは隣接するピクセルからの２つの
カラー信号を使用して、これらの信号の所望の組合わせ
を得るような何らかの方法で行うこともできる。
【００２１】第２の実施形態において最終出力信号を得
るための別の方法は、カラーの１つに白色光を表示させ
ることである。この第２の実施形態のバージョンでは、
カラーフィルタは、浮遊拡散部２８又は光検出器２２の
いずれかに対しては、事実上、空のスペースとする。カ
ラーなしのフィルタを用いて、浮遊拡散部２８又は光検
出器２２の上にこの空のスペースを作ることにより、白
色フィルタを作成することが好ましい。白色フィルタ
は、光検出器２２又は浮遊拡散部２８上のカラーフィル
タよりも早く光電子を蓄積するので、それぞれのピクセ
ル２０に関連するカラー信号を維持しながら、ピクセル
２０の感度を増加させることができる。この方法を用い
て、イメージセンサをカラー又は単色のセンサとして使
用することができる。
るための別の方法は、カラーの１つに白色光を表示させ
ることである。この第２の実施形態のバージョンでは、
カラーフィルタは、浮遊拡散部２８又は光検出器２２の
いずれかに対しては、事実上、空のスペースとする。カ
ラーなしのフィルタを用いて、浮遊拡散部２８又は光検
出器２２の上にこの空のスペースを作ることにより、白
色フィルタを作成することが好ましい。白色フィルタ
は、光検出器２２又は浮遊拡散部２８上のカラーフィル
タよりも早く光電子を蓄積するので、それぞれのピクセ
ル２０に関連するカラー信号を維持しながら、ピクセル
２０の感度を増加させることができる。この方法を用い
て、イメージセンサをカラー又は単色のセンサとして使
用することができる。
【００２２】他の方法は、それぞれのピクセル内の光検
出器又は浮遊拡散領域に対して緑のカラーフィルタを設
けることである。この実施形態においては、ピクセル当
たりのより正確な輝度のサンプルを作ることができる。
従来技術の装置は、一般に、隣接したピクセルのカラー
フィルタで処理した光のサンプルの補間から、各ピクセ
ルにおいて輝度チャネルを作る。これにより、カラーフ
ィルタの補間に関連するノイズは存在しないので、より
少ないノイズのイメージを提供することができる。ま
た、本発明が提供する特徴を用いて、デジタルイメージ
ング技術を拡大し変更させることができる。
出器又は浮遊拡散領域に対して緑のカラーフィルタを設
けることである。この実施形態においては、ピクセル当
たりのより正確な輝度のサンプルを作ることができる。
従来技術の装置は、一般に、隣接したピクセルのカラー
フィルタで処理した光のサンプルの補間から、各ピクセ
ルにおいて輝度チャネルを作る。これにより、カラーフ
ィルタの補間に関連するノイズは存在しないので、より
少ないノイズのイメージを提供することができる。ま
た、本発明が提供する特徴を用いて、デジタルイメージ
ング技術を拡大し変更させることができる。
【００２３】図面には示していないが、この方法は当業
者に明白な多くの変形例を用いて実施することができ
る。例えば、光検出器はフォトゲートとすることがで
き、リセット用トランジスタは任意のリセット手段に置
き換えることができ、水平オーバーフロー領域は水平オ
ーバーフローゲート又は他のオーバーフロー手段であっ
てもよく、行選択トランジスタはどのような行選択手段
によって置き換えることもできる。それぞれのピクセル
は、異なるカラーの対を持つことができる。
者に明白な多くの変形例を用いて実施することができ
る。例えば、光検出器はフォトゲートとすることがで
き、リセット用トランジスタは任意のリセット手段に置
き換えることができ、水平オーバーフロー領域は水平オ
ーバーフローゲート又は他のオーバーフロー手段であっ
てもよく、行選択トランジスタはどのような行選択手段
によって置き換えることもできる。それぞれのピクセル
は、異なるカラーの対を持つことができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明は、次のような利点を有する。本
発明は、センサのダイナミックレンジ及び感度の拡大を
提供するものであり、これはほとんど又はまったく変更
なしに現在のセンサ及びピクセルの設計の中で容易に採
用することができる。高い充填比を有する小さいピクセ
ルによって、ピクセル当たり２つのカラーからの別個の
信号が提供される。
発明は、センサのダイナミックレンジ及び感度の拡大を
提供するものであり、これはほとんど又はまったく変更
なしに現在のセンサ及びピクセルの設計の中で容易に採
用することができる。高い充填比を有する小さいピクセ
ルによって、ピクセル当たり２つのカラーからの別個の
信号が提供される。
【図１】 光検出器及び浮遊拡散部の両方に入射するフ
ォトンから作られる光電子の積分によってダイナミック
レンジを拡大する、本発明の第１の実施形態のピクセル
の模式的な構成図である。
ォトンから作られる光電子の積分によってダイナミック
レンジを拡大する、本発明の第１の実施形態のピクセル
の模式的な構成図である。
【図２】 対カラムの信号処理をさらに詳細に示す、図
１に示した本発明の第１の実施形態のピクセルの模式的
な構成図である。
１に示した本発明の第１の実施形態のピクセルの模式的
な構成図である。
【図３】 図２に示したピクセルについての動作を説明
するタイミング図である。
するタイミング図である。
【図４】 図２のピクセルにおける図３のタイミング図
に示される動作による一対の伝達関数を示すグラフであ
って、線形領域Ｂに対して小さい傾斜をもたらす短い浮
遊拡散積分時間に対応したグラフである。
に示される動作による一対の伝達関数を示すグラフであ
って、線形領域Ｂに対して小さい傾斜をもたらす短い浮
遊拡散積分時間に対応したグラフである。
【図５】 図２のピクセルにおける図３のタイミング図
に示される動作による一対の伝達関数を示すグラフであ
って、線形領域Ｂに対して大きい傾斜をもたらす長い浮
遊拡散積分時間に対応したグラフである。
に示される動作による一対の伝達関数を示すグラフであ
って、線形領域Ｂに対して大きい傾斜をもたらす長い浮
遊拡散積分時間に対応したグラフである。
【図６】 図２に示したピクセルについての他の動作を
説明するタイミング図である。
説明するタイミング図である。
【図７】 光検出器及び浮遊拡散部の両方に入射するフ
ォトンから作られる光電子の積分によってダイナミック
レンジを拡大する、本発明の第２の実施形態のピクセル
の図である。
ォトンから作られる光電子の積分によってダイナミック
レンジを拡大する、本発明の第２の実施形態のピクセル
の図である。
１，２，３ トランジスタ、６ 水平オーバーフロー領
域、７ 行選択トランジスタ、１０，２０ ピクセル、
１２，２２ 光検出器、１６，２６ 転送ゲート、１
７，２７ リセットゲート、１８，２８ 浮遊拡散部、
１９，２９ リセットドレイン、３１，３２ 差動増幅
器。
域、７ 行選択トランジスタ、１０，２０ ピクセル、
１２，２２ 光検出器、１６，２６ 転送ゲート、１
７，２７ リセットゲート、１８，２８ 浮遊拡散部、
１９，２９ リセットドレイン、３１，３２ 差動増幅
器。
Claims (3)
- 【請求項１】 複数のピクセルから成るイメージングア
レイを有する半導体ベースのＸ−Ｙアドレス可能なイメ
ージセンサであって、 少なくとも１つの前記ピクセルは、 第１の光の帯域幅を感知するように構成された光検出器
と、 第２の光の帯域幅を感知するように構成された感知ノー
ドと、 前記光検出器及び前記感知ノードに対して動作するよう
に構成されて、前記光検出器と前記感知ノードとを所定
の電位にリセットできるリセット機構と、 前記光検出器にて生成された電荷を前記感知ノードへ転
送するように構成された転送機構と、 を備え、 前記感知ノードは、遮光部を持たずに第２の光検出器と
して動作できるように形成されること、 を特徴とするイメージセンサ。 - 【請求項２】 複数のピクセルから成る半導体ベースの
Ｘ−Ｙアドレス可能なＭＯＳイメージセンサであって、 少なくとも１つの前記ピクセルは、 光検出器と、 前記光検出器に結合された感知ノードと、 前記光検出器及び前記感知ノードに対して動作するよう
に構成されて、前記光検出器と前記感知ノードとを所定
の電位にリセットできるリセット機構と、 前記光検出器にて生成された電荷を前記感知ノードへ転
送するように構成された転送機構と、 を備え、 前記感知ノードは、遮光部を持たずに第２の光検出器と
して動作できるように形成されること、 を特徴とするイメージセンサ。 - 【請求項３】 請求項２に記載のＸ−Ｙアドレス可能な
ＭＯＳイメージセンサであって、 前記光検出器に蓄積された信号電荷に応じた信号レベル
を記憶するために使用される第１の記憶機構と、 前記感知ノードに蓄積された信号電荷に応じた信号レベ
ルを記憶するために使用される第２の記憶機構と、 前記ピクセルにおける信号電荷の蓄積及び転送のタイミ
ングをコントロールするためのタイミング回路と、 をさらに備えることを特徴とするイメージセンサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/484156 | 2000-01-18 | ||
| US09/484,156 US6710804B1 (en) | 2000-01-18 | 2000-01-18 | CMOS active pixel image sensor with extended dynamic range and sensitivity |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001203940A true JP2001203940A (ja) | 2001-07-27 |
| JP4614545B2 JP4614545B2 (ja) | 2011-01-19 |
Family
ID=23922986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001006218A Expired - Lifetime JP4614545B2 (ja) | 2000-01-18 | 2001-01-15 | イメージセンサ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6710804B1 (ja) |
| EP (1) | EP1119188B1 (ja) |
| JP (1) | JP4614545B2 (ja) |
| KR (1) | KR100814211B1 (ja) |
| TW (1) | TW497355B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008543061A (ja) * | 2005-05-27 | 2008-11-27 | イーストマン コダック カンパニー | グローバルシャッターを有するピン光ダイオード画素 |
| JP2009506724A (ja) * | 2005-08-30 | 2009-02-12 | マイクロン テクノロジー， インク． | Ｃｍｏｓ撮像素子内での効率的な電荷転送 |
| JP2009077381A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-04-09 | Panasonic Corp | 固体撮像素子 |
| US9245920B2 (en) | 2012-03-21 | 2016-01-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of driving image sensors including unit pixels having photoelectric conversion and floating diffusion regions |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6972794B1 (en) * | 1999-06-15 | 2005-12-06 | Micron Technology, Inc. | Dual sensitivity image sensor |
| KR100397663B1 (ko) * | 2000-06-23 | 2003-09-13 | (주) 픽셀플러스 | 데이터 입출력선이 리셋 모드의 전압으로 유지되는 씨모스 이미지 센서 |
| US6365926B1 (en) | 2000-09-20 | 2002-04-02 | Eastman Kodak Company | CMOS active pixel with scavenging diode |
| US6950131B1 (en) * | 2000-09-26 | 2005-09-27 | Valley Oak Semiconductor | Simultaneous access and reset system for an active pixel sensor |
| US7050094B2 (en) * | 2000-10-26 | 2006-05-23 | Micron Technology, Inc. | Wide dynamic range operation for CMOS sensor with freeze-frame shutter |
| US8009206B2 (en) | 2001-01-11 | 2011-08-30 | Melexis Tessenderlo Nv | Adaptive sensitivity control, on a pixel-by-pixel basis, for a digital imager |
| US6924841B2 (en) * | 2001-05-02 | 2005-08-02 | Agilent Technologies, Inc. | System and method for capturing color images that extends the dynamic range of an image sensor using first and second groups of pixels |
| JP3827145B2 (ja) * | 2001-07-03 | 2006-09-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| KR20030096659A (ko) * | 2002-06-17 | 2003-12-31 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 화소 어레이 영역, 그 구조체 및 그 제조방법 |
| US7173666B1 (en) | 2002-08-22 | 2007-02-06 | Smal Camera Technologies | System and method for displaying a non-standard aspect ratio image on a standard aspect ratio monitor |
| JP4208559B2 (ja) | 2002-12-03 | 2009-01-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| US7105793B2 (en) * | 2003-07-02 | 2006-09-12 | Micron Technology, Inc. | CMOS pixels for ALC and CDS and methods of forming the same |
| US7859581B2 (en) * | 2003-07-15 | 2010-12-28 | Eastman Kodak Company | Image sensor with charge binning and dual channel readout |
| JP4135594B2 (ja) * | 2003-08-19 | 2008-08-20 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| US7115855B2 (en) * | 2003-09-05 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Image sensor having pinned floating diffusion diode |
| US20050157194A1 (en) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Altice Peter P.Jr. | Imager device with dual storage nodes |
| JP3976754B2 (ja) * | 2004-07-13 | 2007-09-19 | マイクロン テクノロジー，インコーポレイテッド | 選択読取りによる広ダイナミックレンジ撮像デバイス |
| US7397509B2 (en) * | 2004-08-27 | 2008-07-08 | Micron Technology, Inc. | High dynamic range imager with a rolling shutter |
| US7551059B2 (en) * | 2005-01-06 | 2009-06-23 | Goodrich Corporation | Hybrid infrared detector array and CMOS readout integrated circuit with improved dynamic range |
| US7616231B2 (en) * | 2005-01-06 | 2009-11-10 | Goodrich Corporation | CMOS active pixel sensor with improved dynamic range and method of operation for object motion detection |
| US7518645B2 (en) * | 2005-01-06 | 2009-04-14 | Goodrich Corp. | CMOS active pixel sensor with improved dynamic range and method of operation |
| JP4743839B2 (ja) * | 2005-02-15 | 2011-08-10 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| JP4745876B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-08-10 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置及び画像処理方法 |
| JP4835270B2 (ja) * | 2006-06-03 | 2011-12-14 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 |
| US8184191B2 (en) * | 2006-08-09 | 2012-05-22 | Tohoku University | Optical sensor and solid-state imaging device |
| DE102007045448A1 (de) * | 2007-09-24 | 2009-04-02 | Arnold & Richter Cine Technik Gmbh & Co. Betriebs Kg | Bildsensor |
| US8063964B2 (en) * | 2007-11-20 | 2011-11-22 | Altasens, Inc. | Dual sensitivity image sensor |
| US7940315B2 (en) * | 2008-01-07 | 2011-05-10 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus for identification and correction of aberrant pixels in an image sensor |
| FR2937150B1 (fr) * | 2008-10-15 | 2010-12-24 | Soc Fr Detecteurs Infrarouges Sofradir | Dispositif et procede pour realiser la lecture de courants electriques resultant d'un detecteur de signaux electromagnetiques |
| CN101764958B (zh) * | 2008-12-15 | 2012-07-04 | 昆山锐芯微电子有限公司 | 组合滚筒式曝光控制方法及图像传感器 |
| RU2517917C2 (ru) * | 2012-07-20 | 2014-06-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Функционально-интегрированная ячейка фоточувствительной матрицы |
| US9462202B2 (en) | 2013-06-06 | 2016-10-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pixel arrays and imaging devices with reduced blooming, controllers and methods |
| US9526468B2 (en) * | 2014-09-09 | 2016-12-27 | General Electric Company | Multiple frame acquisition for exposure control in X-ray medical imagers |
| US11462581B2 (en) | 2016-05-31 | 2022-10-04 | BAE Systems Imaging Solutions Inc. | Photodetector adapted to provide additional color information |
| US11095842B2 (en) * | 2019-07-26 | 2021-08-17 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with electronic global shutter and differential sensing using reset-sampling capacitor shared among multiple image storage capacitors |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05207376A (ja) * | 1992-01-29 | 1993-08-13 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置及びその制御方法 |
| JPH11150256A (ja) * | 1997-09-12 | 1999-06-02 | Nikon Corp | 光電変換素子及び光電変換装置 |
| JP2000059688A (ja) * | 1998-08-05 | 2000-02-25 | Canon Inc | 光電変換装置 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5885690A (ja) * | 1981-11-18 | 1983-05-23 | Hitachi Ltd | 固体カラ−撮像装置 |
| US5130774A (en) | 1990-07-12 | 1992-07-14 | Eastman Kodak Company | Antiblooming structure for solid-state image sensor |
| EP0544260A1 (en) | 1991-11-25 | 1993-06-02 | Eastman Kodak Company | Antiblooming structure for CCD image sensor |
| US5349215A (en) | 1993-07-23 | 1994-09-20 | Eastman Kodak Company | Antiblooming structure for solid-state image sensor |
| JP2953297B2 (ja) | 1994-03-30 | 1999-09-27 | 日本電気株式会社 | 受光素子およびその駆動方法 |
| US5625210A (en) | 1995-04-13 | 1997-04-29 | Eastman Kodak Company | Active pixel sensor integrated with a pinned photodiode |
| US5614744A (en) | 1995-08-04 | 1997-03-25 | National Semiconductor Corporation | CMOS-based, low leakage active pixel array with anti-blooming isolation |
| JP3590158B2 (ja) | 1995-08-29 | 2004-11-17 | オリンパス株式会社 | Ｍｏｓ増幅型撮像装置 |
| US5587596A (en) | 1995-09-20 | 1996-12-24 | National Semiconductor Corporation | Single MOS transistor active pixel sensor cell with automatic anti-blooming and wide dynamic range |
| US5608243A (en) | 1995-10-19 | 1997-03-04 | National Semiconductor Corporation | Single split-gate MOS transistor active pixel sensor cell with automatic anti-blooming and wide dynamic range |
| US5841158A (en) | 1996-03-01 | 1998-11-24 | Foveonics, Inc. | Low-stress photodiode with reduced junction leakage |
| US5872371A (en) | 1997-02-27 | 1999-02-16 | Eastman Kodak Company | Active pixel sensor with punch-through reset and cross-talk suppression |
| US5986297A (en) | 1996-05-22 | 1999-11-16 | Eastman Kodak Company | Color active pixel sensor with electronic shuttering, anti-blooming and low cross-talk |
| US5903021A (en) | 1997-01-17 | 1999-05-11 | Eastman Kodak Company | Partially pinned photodiode for solid state image sensors |
| US6141050A (en) | 1997-06-20 | 2000-10-31 | Lucent Technologies Inc. | MOS image sensor |
| US6107655A (en) * | 1997-08-15 | 2000-08-22 | Eastman Kodak Company | Active pixel image sensor with shared amplifier read-out |
| US5952686A (en) | 1997-12-03 | 1999-09-14 | Hewlett-Packard Company | Salient integration mode active pixel sensor |
| US5965875A (en) * | 1998-04-24 | 1999-10-12 | Foveon, Inc. | Color separation in an active pixel cell imaging array using a triple-well structure |
| US6307195B1 (en) * | 1999-10-26 | 2001-10-23 | Eastman Kodak Company | Variable collection of blooming charge to extend dynamic range |
-
2000
- 2000-01-18 US US09/484,156 patent/US6710804B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-28 TW TW089125214A patent/TW497355B/zh not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-01-08 EP EP01200017.0A patent/EP1119188B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-01-15 JP JP2001006218A patent/JP4614545B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-01-17 KR KR1020010002678A patent/KR100814211B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05207376A (ja) * | 1992-01-29 | 1993-08-13 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置及びその制御方法 |
| JPH11150256A (ja) * | 1997-09-12 | 1999-06-02 | Nikon Corp | 光電変換素子及び光電変換装置 |
| JP2000059688A (ja) * | 1998-08-05 | 2000-02-25 | Canon Inc | 光電変換装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008543061A (ja) * | 2005-05-27 | 2008-11-27 | イーストマン コダック カンパニー | グローバルシャッターを有するピン光ダイオード画素 |
| JP2009506724A (ja) * | 2005-08-30 | 2009-02-12 | マイクロン テクノロジー， インク． | Ｃｍｏｓ撮像素子内での効率的な電荷転送 |
| JP2009077381A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-04-09 | Panasonic Corp | 固体撮像素子 |
| US9245920B2 (en) | 2012-03-21 | 2016-01-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of driving image sensors including unit pixels having photoelectric conversion and floating diffusion regions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1119188A3 (en) | 2002-09-04 |
| EP1119188A2 (en) | 2001-07-25 |
| US6710804B1 (en) | 2004-03-23 |
| KR100814211B1 (ko) | 2008-03-17 |
| EP1119188B1 (en) | 2015-04-01 |
| KR20010076314A (ko) | 2001-08-11 |
| JP4614545B2 (ja) | 2011-01-19 |
| TW497355B (en) | 2002-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4614545B2 (ja) | イメージセンサ | |
| US7830435B2 (en) | Image sensor and image capture system with extended dynamic range | |
| US6943838B2 (en) | Active pixel sensor pixel having a photodetector whose output is coupled to an output transistor gate | |
| US5986297A (en) | Color active pixel sensor with electronic shuttering, anti-blooming and low cross-talk | |
| US7091531B2 (en) | High dynamic range pixel amplifier | |
| US20050128327A1 (en) | Device and method for image sensing | |
| EP2323409B1 (en) | Image sensor with charge binning | |
| US7375748B2 (en) | Differential readout from pixels in CMOS sensor | |
| US20140239161A1 (en) | Pixel Array With Global Shutter | |
| US7057150B2 (en) | Solid state imager with reduced number of transistors per pixel | |
| EP2123019B1 (en) | Extended dynamic range using variable sensitivity pixels | |
| US10033947B2 (en) | Multi-port image pixels | |
| EP1003220B1 (en) | Three transistor active pixel sensor architecture with correlated double sampling | |
| JPH1084507A (ja) | 能動画素イメージセンサ及びその製造方法 | |
| US9001240B2 (en) | Common element pixel architecture (CEPA) for fast speed readout | |
| JPH11177886A (ja) | 増幅型光電変換素子、増幅型固体撮像装置及びその駆動方法 | |
| JP2001177775A (ja) | 固体撮像装置、撮像システム及び固体撮像装置の駆動方法 | |
| JP2000059688A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP3724188B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH114385A (ja) | Ｃｍｏｓを基礎とするピクセル構造の高ダイナミックレンジの読み出し信号を得る方法及びそのｃｍｏｓを基礎とするピクセル構造 | |
| JP2005332880A (ja) | 撮像素子および画像入力処理装置 | |
| US6218692B1 (en) | Color active pixel sensor with electronic shuttering, anti-blooming and low cross talk | |
| EP2093997B1 (en) | Active pixel array with charge binning | |
| EP3609176A1 (en) | Pixel with variable size | |
| JPH0730816A (ja) | 固体撮像素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080108 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080108 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100602 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100608 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100907 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100928 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101019 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4614545 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131029 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131029 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131029 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |