JP2001199765A - 誘電体磁器組成物用原料粉体、および誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物用原料粉体、および誘電体磁器組成物Info
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- JP2001199765A JP2001199765A JP2000009081A JP2000009081A JP2001199765A JP 2001199765 A JP2001199765 A JP 2001199765A JP 2000009081 A JP2000009081 A JP 2000009081A JP 2000009081 A JP2000009081 A JP 2000009081A JP 2001199765 A JP2001199765 A JP 2001199765A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】反応性に富んだ、低温で焼結させることができ
る、誘電体磁器組成物用原料粉体を提供する。この原料
粉体を用いた誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイ
ト構造を備えた誘電体磁器組成物の製造に用いられる原
料粉体のうちの少なくとも１種の比表面積が５ｍ 2／ｇ
以上である。また、原料粉体は、比表面積が５ｍ2／ｇ
以上の原料粉体を含む複数の原料粉体を混合し仮焼して
得られたものである。一般式ＡＢＯ3で表わされるペロ
ブスカイト構造を備えた誘電体磁器組成物は、比表面積
が５ｍ2／ｇ以上の原料粉体を含む原料粉体を成形し焼
成して得られたものである。
る、誘電体磁器組成物用原料粉体を提供する。この原料
粉体を用いた誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイ
ト構造を備えた誘電体磁器組成物の製造に用いられる原
料粉体のうちの少なくとも１種の比表面積が５ｍ 2／ｇ
以上である。また、原料粉体は、比表面積が５ｍ2／ｇ
以上の原料粉体を含む複数の原料粉体を混合し仮焼して
得られたものである。一般式ＡＢＯ3で表わされるペロ
ブスカイト構造を備えた誘電体磁器組成物は、比表面積
が５ｍ2／ｇ以上の原料粉体を含む原料粉体を成形し焼
成して得られたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般式ＡＢＯ3で
表わされるペロブスカイト構造を備えた、誘電体磁器組
成物用の原料粉体、およびそれを用いて得られる誘電体
磁器組成物に関する。
表わされるペロブスカイト構造を備えた、誘電体磁器組
成物用の原料粉体、およびそれを用いて得られる誘電体
磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、一般式ＡＢＯ3で表わされるペロ
ブスカイト構造を備えた、誘電体磁器組成物を得るため
の原料粉体としては、金属酸化物粉体、またはこれら金
属酸化物粉体の複数種をあらかじめ反応させて得たＡＢ
Ｏ3型結晶構造を有する粉体などが用いられている。
ブスカイト構造を備えた、誘電体磁器組成物を得るため
の原料粉体としては、金属酸化物粉体、またはこれら金
属酸化物粉体の複数種をあらかじめ反応させて得たＡＢ
Ｏ3型結晶構造を有する粉体などが用いられている。
【０００３】そして、ＡＢＯ3型結晶構造を有する粉体
を得る方法としては、次のような方法が行なわれてき
た。すなわち、まず第１には、低温で結晶性の高いＡＢ
Ｏ3型の粉体を得る方法として、水熱合成法や加水分解
法を用いる方法である。第２には、ＢａＣＯ3やＣａＣ
Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2などの粉体を混合し、メディア
などで粉砕することによって、各粉体を微粒化し均一化
して反応性を高めた後、仮焼する固相法である。
を得る方法としては、次のような方法が行なわれてき
た。すなわち、まず第１には、低温で結晶性の高いＡＢ
Ｏ3型の粉体を得る方法として、水熱合成法や加水分解
法を用いる方法である。第２には、ＢａＣＯ3やＣａＣ
Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2などの粉体を混合し、メディア
などで粉砕することによって、各粉体を微粒化し均一化
して反応性を高めた後、仮焼する固相法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＡＢＯ3原料の製造方法において、水熱合成法や加水分
解法は、固相法と比較して量産性に乏しく、得られる原
料が高価なものになるという欠点を有していた。
ＡＢＯ3原料の製造方法において、水熱合成法や加水分
解法は、固相法と比較して量産性に乏しく、得られる原
料が高価なものになるという欠点を有していた。
【０００５】また、従来の固相法においては、機械的な
粉砕で微粒化するのには限界があり、原料粉体としての
ＡＢＯ3を得るための仮焼温度も高くせざるを得なかっ
た。また、そのような原料粉体を用いた誘電体磁器の焼
結温度もあまり低下させることができなかった。
粉砕で微粒化するのには限界があり、原料粉体としての
ＡＢＯ3を得るための仮焼温度も高くせざるを得なかっ
た。また、そのような原料粉体を用いた誘電体磁器の焼
結温度もあまり低下させることができなかった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、上述の問題点を
解決して、反応性に富んだ、すなわち低温で焼結させる
ことができる、誘電体磁器組成物用原料粉体を提供する
ことにある。また、この原料粉体を用いた誘電体磁器組
成物を提供することにある。
解決して、反応性に富んだ、すなわち低温で焼結させる
ことができる、誘電体磁器組成物用原料粉体を提供する
ことにある。また、この原料粉体を用いた誘電体磁器組
成物を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の誘電体磁器組成物用原料粉体は、一般式Ａ
ＢＯ3で表わされるペロブスカイト構造を備えた誘電体
磁器組成物の製造に用いられる原料粉体において、前記
一般式のＡサイトまたはＢサイトを構成する元素を含む
原料粉体のうちの少なくとも１種の比表面積が５ｍ2／
ｇ以上であることを特徴とする。
め、本発明の誘電体磁器組成物用原料粉体は、一般式Ａ
ＢＯ3で表わされるペロブスカイト構造を備えた誘電体
磁器組成物の製造に用いられる原料粉体において、前記
一般式のＡサイトまたはＢサイトを構成する元素を含む
原料粉体のうちの少なくとも１種の比表面積が５ｍ2／
ｇ以上であることを特徴とする。
【０００８】また、本発明の誘電体磁器組成物用原料粉
体は、一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト構造
を備えた、誘電体磁器組成物用原料粉体において、該原
料粉体は、比表面積が５ｍ2／ｇ以上の原料粉体を含む
複数の原料粉体を混合し仮焼して得られたものであるこ
とを特徴とする。
体は、一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト構造
を備えた、誘電体磁器組成物用原料粉体において、該原
料粉体は、比表面積が５ｍ2／ｇ以上の原料粉体を含む
複数の原料粉体を混合し仮焼して得られたものであるこ
とを特徴とする。
【０００９】さらに、本発明の誘電体磁器組成物は、一
般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト構造を備えた
誘電体磁器組成物において、該誘電体磁器組成物は、比
表面積が５ｍ2／ｇ以上の原料粉体を含む原料粉体を成
形し焼成して得られたものであることを特徴とする。
般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト構造を備えた
誘電体磁器組成物において、該誘電体磁器組成物は、比
表面積が５ｍ2／ｇ以上の原料粉体を含む原料粉体を成
形し焼成して得られたものであることを特徴とする。
【００１０】そして、前記一般式ＡＢＯ3で表わされる
ペロブスカイト構造を備えた誘電体磁器組成物または誘
電体磁器組成物用原料粉体は、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3
系であることを特徴とする。
ペロブスカイト構造を備えた誘電体磁器組成物または誘
電体磁器組成物用原料粉体は、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3
系であることを特徴とする。
【００１１】なお、本発明でいうところの比表面積は、
ＢＥＴ法により求めたものである。
ＢＥＴ法により求めたものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を実施
例に基づいて説明する。
例に基づいて説明する。
【００１３】（実施例１）まず、誘電体磁器組成物用原
料粉体として、比表面積が３．５ｍ2／ｇおよび５．０
ｍ2／ｇのＢａＣＯ3粉体と、比表面積が４．０ｍ2／
ｇ、５．０ｍ2／ｇおよび８．０ｍ2／ｇのＴｉＯ2粉体
と、比表面積が４．０ｍ2／ｇおよび５．０ｍ2／ｇのＺ
ｒＯ2粉体を用意した。その後、これら原料粉体の種類
を表１に示すように組み合わせ、かつ、Ｂａ／（Ｔｉ＋
Ｚｒ）モル比が１．０００、Ｔｉ／Ｚｒモル比が１．５
００となるように秤量し、湿式混合した。
料粉体として、比表面積が３．５ｍ2／ｇおよび５．０
ｍ2／ｇのＢａＣＯ3粉体と、比表面積が４．０ｍ2／
ｇ、５．０ｍ2／ｇおよび８．０ｍ2／ｇのＴｉＯ2粉体
と、比表面積が４．０ｍ2／ｇおよび５．０ｍ2／ｇのＺ
ｒＯ2粉体を用意した。その後、これら原料粉体の種類
を表１に示すように組み合わせ、かつ、Ｂａ／（Ｔｉ＋
Ｚｒ）モル比が１．０００、Ｔｉ／Ｚｒモル比が１．５
００となるように秤量し、湿式混合した。
【００１４】次に、混合済み原料を乾燥後、１０００℃
以上の温度で２時間仮焼した。その後、乾式粉砕機で解
砕して、一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト構
造を備えた、誘電体磁器組成物用原料粉体としてのＢａ
（Ｔｉ0.6Ｚｒ0.4）Ｏ3粉体を得た。表１にはＸ線回折
分析により、Ｂａ（Ｔｉ0.6Ｚｒ0.4）Ｏ3が合成された
と認められた最低仮焼温度を示す。なお、表１において
試料番号に＊印を付したものは本発明の範囲外のもので
あり、その他はすべて本発明の範囲内のものである。
以上の温度で２時間仮焼した。その後、乾式粉砕機で解
砕して、一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト構
造を備えた、誘電体磁器組成物用原料粉体としてのＢａ
（Ｔｉ0.6Ｚｒ0.4）Ｏ3粉体を得た。表１にはＸ線回折
分析により、Ｂａ（Ｔｉ0.6Ｚｒ0.4）Ｏ3が合成された
と認められた最低仮焼温度を示す。なお、表１において
試料番号に＊印を付したものは本発明の範囲外のもので
あり、その他はすべて本発明の範囲内のものである。
【００１５】
【表１】
【００１６】表１から明らかなように、誘電体磁器組成
物用原料粉体としてのＢａＣＯ3粉体、ＴｉＯ2粉体、Ｚ
ｒＯ2粉体のうちの少なくとも１種について、その比表
面積が５ｍ2／ｇ以上であれば、従来と比較して、一般
式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト構造を備えた、
誘電体磁器組成物用原料粉体としてのＢａ（Ｔｉ0.6Ｚ
ｒ0.4）Ｏ3の合成温度を５０℃以上低下させることがで
きる。
物用原料粉体としてのＢａＣＯ3粉体、ＴｉＯ2粉体、Ｚ
ｒＯ2粉体のうちの少なくとも１種について、その比表
面積が５ｍ2／ｇ以上であれば、従来と比較して、一般
式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト構造を備えた、
誘電体磁器組成物用原料粉体としてのＢａ（Ｔｉ0.6Ｚ
ｒ0.4）Ｏ3の合成温度を５０℃以上低下させることがで
きる。
【００１７】すなわち、出発原料として、比表面積が５
ｍ2／ｇ以上のものを使用することにより粒子の反応性
が高くなり、従来より５０℃以上低い温度で、従来と同
等の１次粒子、結晶性を有する粉体の作製が可能とな
る。
ｍ2／ｇ以上のものを使用することにより粒子の反応性
が高くなり、従来より５０℃以上低い温度で、従来と同
等の１次粒子、結晶性を有する粉体の作製が可能とな
る。
【００１８】（実施例２）実施例１の試料番号１に示し
た、湿式混合後であって仮焼前のＢａ（Ｔｉ0.6Ｚ
ｒ0.4）Ｏ3用の原料粉体の粒径は、粒度分布計によるＤ
５０で１．４μｍであった。この原料粉体をさらにＤ５
０で０．９５μｍになるまで湿式粉砕し、その後、実施
例１と同様にして、１０００℃以上の温度で２時間仮焼
して、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3粉体を得た。
た、湿式混合後であって仮焼前のＢａ（Ｔｉ0.6Ｚ
ｒ0.4）Ｏ3用の原料粉体の粒径は、粒度分布計によるＤ
５０で１．４μｍであった。この原料粉体をさらにＤ５
０で０．９５μｍになるまで湿式粉砕し、その後、実施
例１と同様にして、１０００℃以上の温度で２時間仮焼
して、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3粉体を得た。
【００１９】そして、Ｘ線回折分析により、Ｂａ（Ｔｉ
0.6Ｚｒ0.4）Ｏ3が合成されたと認められる最低仮焼温
度は、粉砕前の実施例１の試料番号１の１１００℃と比
較して３０℃低い１０７０℃であることを確認した。以
上の結果を表２に試料番号６として示す。
0.6Ｚｒ0.4）Ｏ3が合成されたと認められる最低仮焼温
度は、粉砕前の実施例１の試料番号１の１１００℃と比
較して３０℃低い１０７０℃であることを確認した。以
上の結果を表２に試料番号６として示す。
【００２０】
【表２】
【００２１】このように、粉砕により、誘電体磁器組成
物用原料粉体の粒径を小さくすることによって、さらに
合成温度を３０℃低下させることができる。
物用原料粉体の粒径を小さくすることによって、さらに
合成温度を３０℃低下させることができる。
【００２２】すなわち、従来の粒径の大きな原料を使用
すると、機械的粉砕による限界粒径が大きく、１μｍ以
下には粉砕できなかった。しかしながら、粒径の小さな
原料の場合、その限界粒径が小さくなり１μｍ以下にな
るため、粒径が小さくなることによる合成温度低下の効
果が得られる。
すると、機械的粉砕による限界粒径が大きく、１μｍ以
下には粉砕できなかった。しかしながら、粒径の小さな
原料の場合、その限界粒径が小さくなり１μｍ以下にな
るため、粒径が小さくなることによる合成温度低下の効
果が得られる。
【００２３】（実施例３）実施例１の試料番号１および
試料番号２と、実施例２の試料番号６で得られたＢａ
（Ｔｉ0.6Ｚｒ0.4）Ｏ3粉体に、ＭｎＯとガラス粉末を
湿式混合した。これを乾燥した後、成形して単板を作製
し、２時間焼成した。そして、この単板の焼結密度を測
定し、理論密度の９５％以上、すなわち５．７０ｇ／ｃ
ｍ3になる焼成温度を焼結温度として表３に示す。な
お、表３において、試料番号７は実施例１の試料番号１
に、試料番号８は試料番号２に、それぞれＭｎＯおよび
ガラス粉末を添加したものであり、試料番号９は実施例
２の試料番号６に、ＭｎＯおよびガラス粉体を添加した
ものである。なお、表３において試料番号に＊印を付し
た試料番号８は本発明の範囲外のものであり、その他は
本発明の範囲内のものである。
試料番号２と、実施例２の試料番号６で得られたＢａ
（Ｔｉ0.6Ｚｒ0.4）Ｏ3粉体に、ＭｎＯとガラス粉末を
湿式混合した。これを乾燥した後、成形して単板を作製
し、２時間焼成した。そして、この単板の焼結密度を測
定し、理論密度の９５％以上、すなわち５．７０ｇ／ｃ
ｍ3になる焼成温度を焼結温度として表３に示す。な
お、表３において、試料番号７は実施例１の試料番号１
に、試料番号８は試料番号２に、それぞれＭｎＯおよび
ガラス粉末を添加したものであり、試料番号９は実施例
２の試料番号６に、ＭｎＯおよびガラス粉体を添加した
ものである。なお、表３において試料番号に＊印を付し
た試料番号８は本発明の範囲外のものであり、その他は
本発明の範囲内のものである。
【００２４】
【表３】
【００２５】表３から明らかなように、一般式ＡＢＯ3
で表わされるペロブスカイト構造を備えた誘電体磁器組
成物の製造において、その原料として、比表面積が５ｍ
2／ｇ以上の原料粉体を含む原料粉体を用いることによ
り、焼結温度を下げて誘電体磁器組成物を得ることがで
きる。
で表わされるペロブスカイト構造を備えた誘電体磁器組
成物の製造において、その原料として、比表面積が５ｍ
2／ｇ以上の原料粉体を含む原料粉体を用いることによ
り、焼結温度を下げて誘電体磁器組成物を得ることがで
きる。
【００２６】すなわち、低い仮焼温度で合成された、Ａ
ＢＯ3系組成物を原料粉体として用いた誘電体磁器は、
その焼結温度を低下させることができる。
ＢＯ3系組成物を原料粉体として用いた誘電体磁器は、
その焼結温度を低下させることができる。
【００２７】なお、上記各実施例においては、一般式Ａ
ＢＯ3で表わされるペロブスカイト構造を備えた誘電体
磁器組成物の製造に用いられる原料粉体が、ＢａＣ
Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、およびこれらの複合仮焼品で
あるＢａ（Ｔｉ0.6Ｚｒ0.4）Ｏ3である場合、すなわ
ち、一般式ＡＢＯ3がＢａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3系の場合に
ついて説明したが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。
ＢＯ3で表わされるペロブスカイト構造を備えた誘電体
磁器組成物の製造に用いられる原料粉体が、ＢａＣ
Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、およびこれらの複合仮焼品で
あるＢａ（Ｔｉ0.6Ｚｒ0.4）Ｏ3である場合、すなわ
ち、一般式ＡＢＯ3がＢａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3系の場合に
ついて説明したが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。
【００２８】一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイ
ト構造を備えた組成物において、Ａサイトを占める２、
３価の元素（例えば、Ｂａ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，
Ｐｂ，Ｂｉ，Ｙ，原子番号５７〜７１の希土類元素な
ど）を含む化合物粉体、Ｂサイトを占める３、４、５価
の元素（例えば、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓｎ，Ｙ，原子番
号５７〜７１の希土類元素，Ａｌ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｓｎ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，
Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉなど）を含む化合物粉体、またはこれ
らの複合仮焼粉体（例えば、ＢａＴｉＯ3，ＳｒＴｉ
Ｏ3，ＣａＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3，ＢａＺｒＯ3，ＣａＺ
ｒＯ3，Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3、Ｂａ（Ｒｅ，Ｔｉ）Ｏ
3など、ただしＲｅは希土類元素）を誘電体磁器組成物
の原料として用いる場合においても同様の効果を得るこ
とができる。
ト構造を備えた組成物において、Ａサイトを占める２、
３価の元素（例えば、Ｂａ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，
Ｐｂ，Ｂｉ，Ｙ，原子番号５７〜７１の希土類元素な
ど）を含む化合物粉体、Ｂサイトを占める３、４、５価
の元素（例えば、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓｎ，Ｙ，原子番
号５７〜７１の希土類元素，Ａｌ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｓｎ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，
Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉなど）を含む化合物粉体、またはこれ
らの複合仮焼粉体（例えば、ＢａＴｉＯ3，ＳｒＴｉ
Ｏ3，ＣａＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3，ＢａＺｒＯ3，ＣａＺ
ｒＯ3，Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3、Ｂａ（Ｒｅ，Ｔｉ）Ｏ
3など、ただしＲｅは希土類元素）を誘電体磁器組成物
の原料として用いる場合においても同様の効果を得るこ
とができる。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト構
造を備えた誘電体磁器組成物の製造に用いられる原料粉
体について、その比表面積を５ｍ2／ｇ以上とすること
により、反応性に富んだ、すなわち低温で焼結させるこ
とができる原料粉体を得ることができる。
よれば、一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト構
造を備えた誘電体磁器組成物の製造に用いられる原料粉
体について、その比表面積を５ｍ2／ｇ以上とすること
により、反応性に富んだ、すなわち低温で焼結させるこ
とができる原料粉体を得ることができる。
【００３０】また、この原料粉体を用いることにより、
焼結温度を下げて誘電体磁器組成物を得ることができ
る。
焼結温度を下げて誘電体磁器組成物を得ることができ
る。
Claims (6)
- 【請求項１】 一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカ
イト構造を備えた誘電体磁器組成物の製造に用いられる
原料粉体において、前記一般式のＡサイトまたはＢサイ
トを構成する元素を含む原料粉体のうちの少なくとも１
種の比表面積が５ｍ2／ｇ以上であることを特徴とす
る、誘電体磁器組成物用原料粉体。 - 【請求項２】 前記一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブ
スカイト構造を備えた誘電体磁器組成物は、Ｂａ（Ｔ
ｉ，Ｚｒ）Ｏ3系であることを特徴とする、請求項１に
記載の誘電体磁器組成物用原料粉体。 - 【請求項３】 一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカ
イト構造を備えた、誘電体磁器組成物用原料粉体におい
て、該原料粉体は、比表面積が５ｍ2／ｇ以上の原料粉
体を含む複数の原料粉体を混合し仮焼して得られたもの
であることを特徴とする、誘電体磁器組成物用原料粉
体。 - 【請求項４】 前記一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブ
スカイト構造を備えた、誘電体磁器組成物用原料粉体
は、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3系であることを特徴とす
る、請求項３に記載の誘電体磁器組成物用原料粉体。 - 【請求項５】 一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカ
イト構造を備えた誘電体磁器組成物において、該誘電体
磁器組成物は、比表面積が５ｍ2／ｇ以上の原料粉体を
含む原料粉体を成形し焼成して得られたものであること
を特徴とする、誘電体磁器組成物。 - 【請求項６】 前記一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブ
スカイト構造を備えた誘電体磁器組成物は、Ｂａ（Ｔ
ｉ，Ｚｒ）Ｏ3系であることを特徴とする、請求項５に
記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000009081A JP2001199765A (ja) | 2000-01-18 | 2000-01-18 | 誘電体磁器組成物用原料粉体、および誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000009081A JP2001199765A (ja) | 2000-01-18 | 2000-01-18 | 誘電体磁器組成物用原料粉体、および誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001199765A true JP2001199765A (ja) | 2001-07-24 |
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ID=18537273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000009081A Pending JP2001199765A (ja) | 2000-01-18 | 2000-01-18 | 誘電体磁器組成物用原料粉体、および誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001199765A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007119275A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Kyocera Corp | 誘電体磁器 |
| US7791859B2 (en) | 2005-03-29 | 2010-09-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method for manufacturing dielectric ceramic powder, and multilayer ceramic capacitor obtained by using the ceramic powder |
| JP2011516380A (ja) * | 2008-04-04 | 2011-05-26 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | 熱分解法二酸化チタンからチタン酸バリウム粉末を製造する方法 |
| JPWO2012008041A1 (ja) * | 2010-07-12 | 2013-09-05 | 株式会社ユーテック | 強誘電体膜、ゾルゲル溶液、成膜方法及び強誘電体膜の製造方法 |
| CN111747745A (zh) * | 2020-05-20 | 2020-10-09 | 四会市康荣新材料有限公司 | 一种5g滤波器用介质粉体及其制备方法 |
-
2000
- 2000-01-18 JP JP2000009081A patent/JP2001199765A/ja active Pending
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