JP2001196645A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
る発光ダイオードに係わり、色ズレや色むらが少なくR
GB発光波長成分がそれぞれピークとして取り出すこと
が可能な発光ダイオードを提供する。 【解決手段】井戸層がIn濃度の異なる複数の窒化物半
導体層を有する発光素子と、該発光素子からの光を受け
てそれよりも長波長の蛍光を発する蛍光体とを有する発
光装置である。
Description
る発光素子と、発光素子からの光を吸収し波長変換して
蛍光を発する蛍光体とを利用した発光装置に係わり、特
に、色ズレや色むらが少なくRGB発光波長成分がそれ
ぞれピークとして取り出すことが可能な発光装置に関す
るものである。
半導体(InxGayAl1-x-yN、0≦x≦1、0≦y
≦1)を利用した発光素子と、この発光素子からの青色
光を吸収し黄色光が発光可能な蛍光体とを組み合わせ
て、これらの混色光により図3に示す如く白色系が発光
可能な発光ダイオードが開発された。白色発光ダイオー
ドは、一対のリード電極(315)と導電性ワイヤー
(304)によって電気的に接続されたLEDチップ
(303)が筐体(316)のキャビティー内に配置さ
れている。キャビティーには、蛍光体(302)が含有
された樹脂(301)によって、充填されている。この
発光ダイオードは、発光ダイオードの小型軽量、低消費
電力で信頼性の高い特性を併せ持つことから、液晶装置
のバックライトや車載用の光源などとして急速に普及し
つつある。
スペクトルを示す。図4に示す如く発光ダイオードから
は、単色性のピーク波長を持った発光素子からの青色光
と、発光素子と比べ比較的ブロードな発光スペクトルを
発するとはいえ、蛍光体からは赤みを発光する波長域は
少ない黄色光との混色光が発せられる。そのため、演色
性が低くなる。発光ダイオードからの白色光を着色フィ
ルターを利用してRGB(赤色、緑色、青色)それぞれ
の波長域に分けると赤色成分が少なく、色再現性が悪く
なる傾向にある。これらを防止するためには、赤色を発
光する蛍光体或いは発光素子を加えることによって、解
決することもできる。
ると共に色を調節させることが極めて難しい。したがっ
て、場合によっては、色むらや色ズレが生じ歩留まりが
低下することとなる。特に、白色発光ダイオードを液晶
のバックライト光源などにする場合、発光ダイオードか
らの光を着色フィルターによって光の三原色であるRG
B(赤色、緑色、青色)の成分に分ける。それぞれのR
GBの成分を液晶によって透過率を制御することでマル
チカラー表示させることができる。そのため、RGBの
成分を高輝度に出せなければ、より明るく演色性の高い
マルチカラー表示が難しい。
比較的簡単な構成で、より色ズレや色むらの少ないRG
Bの発光成分が高輝度に発光可能な白色発光ダイオード
を提供することにある。より高輝度低消費電力が求めら
れる現在においては、上記発光ダイオードの構成におい
ては十分ではなく更なる改良が求められている。
濃度の異なる複数の窒化物半導体層を有する発光素子
と、発光素子からの光を受けてそれよりも長波長の蛍光
を発する蛍光体とを有する発光装置である。このような
1チップ二端子の比較的簡単な構成によって、演色性の
極めて高く且つ、高輝度に混色発光可能な発光ダイオー
ドを歩留まりよく形成させることができる。
光素子が青色の波長域を含む単色性のピーク波長が発光
可能な窒化物半導体層及び、緑色の波長域を含む単色性
のピーク波長が発光可能な窒化物半導体層とを有すると
共に蛍光体が発する蛍光は赤色の波長域を含む発光装置
である。これによって、比較的簡単な構成で、RGBを
高輝度に発光可能な白色発光ダイオードを形成させるこ
とができる。
光体が発光素子からの青色単色性のピーク波長によって
主として励起される発光装置である。これによって、信
頼性高く高輝度に発光可能な蛍光体を利用することがで
きる。
光体がCeで付活されたY2O3・5/3Al2O3、Eu
及び/又はCrで付活された窒素含有CaO−Al2O3
−SiO2から選択される1種である。これにより簡便
で高輝度に信頼性の高い混色発光可能な発光装置とする
ことができる。
能な窒化物半導体発光素子と、赤色が発光可能な蛍光体
とを組み合わせることによって、比較的簡単な構成によ
りRGBの成分をバランスよく高輝度に取り出すことが
できる白色発光ダイオードとすることができることを見
出したものである。
は、Inの組成比を増減させることで紫外から赤色まで
発光可能な発光素子を形成させることが可能であるとさ
れている。これは、活性層のIn含有量を増やすことに
より、その組成比に応じて長波長の発光を得られる傾向
があるためである。しかし、Inを多く含んだ窒化物半
導体は、高温になると分解されやすい。また、結晶性の
良好なIn量の多いな窒化物半導体層を形成させること
は極めて難しい。そのため、青色、緑色や黄色が発光可
能な発光素子は、現在のところ比較的制御性よく高輝度
に発光可能なものが形成できるが、赤色成分を含む単色
性のピーク波長が発光可能な発光素子が形成しがたい理
由の一つである。
色成分及び緑色成分が発光可能な窒化物半導体を多重量
子井戸構造を利用した発光素子として形成させる。つま
り、複数の井戸層の混晶比が異なっており、各井戸層か
ら異なる色成分、例えば青色成分及び緑色成分の発光を
させ合成光を取り出させる。他方、残りの赤色成分を発
光素子から放出された電磁波例えば青色の可視光によっ
て励起され、それよりも長波長の可視光に変換する蛍光
体を利用して白色発光ダイオードを形成させるものであ
る。
体的な構成について詳述するがこれのみに限られないこ
とは言うまでもない。本発明の半導体は、MOCVD法
を利用し、原料ガスとしてTMG(トリメチルガリウ
ム)ガス、TMA(トリメチルアルミニウム)ガス、T
MI(トリメチルインジウム)ガス、アンモニアガス、
不純物ガスとしてSiH4(シラン)、Cp2Mg(シク
ロペンタジエニルマグネシウム)及びキャリアガスとし
て水素ガスを種々所望に応じて流し、所望の半導体膜を
成膜させることができる。
上に、低温で成膜させたGaNからなるバッファ層(1
04)、n型不純物濃度が少ない或いはドープされてい
ないn型GaN層、n型電極が形成されるSi含有のG
aNからなるn型コンタクト層、n型不純物濃度が少な
い或いはドープされていないn型GaN層(これら三つ
のn型窒化物半導体層を模式的に105としてい
る。)、Si含有のAlGaN及びSi含有のGaNを
複数積層させ好適に用いられたn型クラッド層(不示
図)、量子井戸構造とされる膜厚の障壁層としてのGa
N(106)(108)(110)/井戸層としてのI
nGaN(107)(109)を複数組積層させた発光
層、MgがドープされたGaN/MgがドープされたG
aInNを複数組積層させたp型クラッド層(11
1)、MgがドープされたGaNからなるp型コンタク
ト層(112)を積層させてなる。こうして積層された
半導体ウエハのn型及びp型コンタクト層をエッチング
により露出させると共にそれぞれn型及びp型用の電極
(113)をスパッタリング法などにより半導体ウエハ
上に形成させる。各電極露出面以外をSiO2の絶縁部
材で被覆する。その後、半導体ウエハを各発光素子の大
きさにダイサーやスクライバーを利用して切断すること
により、それぞれを発光素子とすることができる。
くGaN(106)(108)/InGaN(107)
(109)/GaN(106)(110)が複数組有
り、In組成比が異なる井戸層(107)(109)が
少なくとも2種類ある。特に、その内少なくとも一つが
420nmから490nmに単色性のピーク波長を持つ
青色光が発光可能にIn組成比が好適に選択されてい
る。他方、残りの井戸層の内少なくとも一つが495n
mから555nmに単色性のピーク波長を持つ緑色光が
発光可能にIn組成比が好適に選択されている。そのた
め、発光素子から放出される光は例えば青色と緑色の混
色光であるシアンが観測されることとなる。なお、より
短波長を発光する発光層の方が結晶性よく形成できる傾
向にあるため、サファイア基板、スピネル基板、窒化ガ
リウム基板やSiC基板上から窒化物半導体を形成させ
る場合、青色を発光する井戸層を緑色を発光する井戸層
よりも基板側に配置させることが好ましい。また、各色
の発光強度を調節させるためには井戸層の積層数を増減
させてやれば比較的簡単に調節させることができる。
光によって、励起されそれよりも長波長の赤色系が発光
可能な蛍光体を用いる。蛍光体は、励起波長よりも長波
長の蛍光を発する方が効率が高い。また、蛍光体には無
機蛍光体と有機蛍光体があるが有機蛍光体は、励起波長
と発光波長とが比較的近づけることができ、且つ効率よ
く発光可能なものとすることができる。したがって、発
光素子からの青色光を受け赤色が発光可能な蛍光染料や
有機蛍光顔料だけでなく、緑色光を吸収して赤色光が発
光可能な蛍光染料や有機蛍光顔料を用いることができ
る。これによって、色味を調整させやすくすることもで
きる。他方、無機蛍光体は、より発光素子に近接して設
けても長時間にわたって信頼性よく発光可能な傾向にあ
る。
で付活されたY2O3・5/3Al2O3、Eu及び/又は
Crで付活された窒素含有CaO−Al2O3−SiO2
が挙げられる。他にも、Mg5Li6Sb2O13:Mn、
Mg2TiO4:Mn、Y2O3:Eu、Y2O2S:Eu、
3.5MgO・MgF2・GeO2:Mnやペリレン系誘
導体などを好適に挙げることができる。
窒素含有CaO−Al2O3−SiO 2蛍光体は、酸化ア
ルミニウム、酸化イットリウム、窒化珪素及び酸化カル
シウムなどの原料に希土類原料を所定比に混合した粉末
を窒素雰囲気下において1300℃から1900℃(よ
り好ましくは1500℃から1750℃)において溶融
し成形させる。成形品をボールミルして洗浄、分離、乾
燥、最後に篩を通して蛍光体を形成させることができ
る。これにより450nmにピークをもった励起スペク
トルと約450nmにピークがある青色光により赤色発
光が発光可能なEu及び/又はCrで付活されたCa−
Al−Si−O−N系オキシナイトライド蛍光硝子とす
ることができる。
a−Al−Si−O−N系オキシナイトライド蛍光硝子
の窒素含有量を増減することによって発光スペクトルの
ピークを575nmから690nmに連続的にシフトす
ることができる。同様に、励起スペクトルも連続的にシ
フトさせることができる。そのため、Mg、Znなどの
不純物がドープされたGaNやInGaNを発光層に含
む窒化ガリウム系化合物半導体からの光を、約580n
mの蛍光体の光の合成光により白色系を発光させること
ができる。特に、約490nmの光が高輝度に発光可能
なInGaNを発光層に含む窒化ガリウム系化合物半導
体からなる発光素子との組合せに理想的に発光を得るこ
ともできる。
とEu2O3を塩酸で溶解後、しゅう酸塩として共沈させ
る。この沈殿物を空気中で800から1000℃で招請
して酸化物とする。さらに硫黄と炭酸ソーダ及びフラッ
クスを混合しアルミナの坩堝に入れ1000℃から12
00℃の空気中で2時間から3時間焼成して焼成品を得
る。焼成品を粉砕、洗浄、分離乾燥して最後に篩に通す
ことでY2O2S:Euの蛍光体を得る。この蛍光体は、
発光素子からの青色光を効率よく吸収して赤色系の蛍光
を発することができる。上述の蛍光体は1種類で用いて
も良いし、2種類上を混合させて用いることもできる。
点硝子などのバインダー(102)中に、この蛍光体
(101)を混合しスラリーとする。上述した青色及び
緑色がそれぞれ発光可能な活性層を持った多重量子井戸
構造の発光素子に蛍光体含有のスラリーを塗布、硬化さ
せて発光装置を形成させる。或いは、ダイボンド樹脂と
して併用することもできる。より具体的には、回路基板
上に発光素子を配置させて金線などの導電性ワイヤーや
Agペーストなどの導電性ペースト(114)を利用し
て電気的に接続させた後、蛍光体が入った樹脂を塗布、
注入、印刷、蛍光体含有物質の張り合わせなど種々の方
法を利用して形成させることができる。発光素子からの
光を吸収して蛍光を発することができる限り、発光素子
上に被覆するものだけでなく、近接配置させるだけのも
のでも良い。
から電流を流すと図2に示す如く約460nmにピーク
がある単色性の発光波長と、約535nmにピーク波長
がある単色性のピーク波長を発光素子が発光する。そし
て、蛍光体からは発光素子からの光によって励起され、
それよりも長波長の赤色系が主として発光することがで
きる。そのため、発光素子上に1種類の蛍光体を塗布等
する極めて簡単な構成、且つ簡便な方法で、RGBが、
それぞれ強発光可能な白色光を発光させることができ
る。
り、上記蛍光体に加えて種々の蛍光体や発光素子を利用
できることもいうまでもない。
形成できる多色発光素子を利用して、光の三原色のう
ち、2色を形成させると共に、残りの1色を多色発光素
子から供給された光を利用してRGB成分が高輝度に発
光可能な白色系が発光可能な発光ダイオードを提供でき
るものである。特に、本発明の発光ダイオードは、例え
ば2端子から電流を供給することで1つの発光素子を発
光させているにすぎない。そのため、極めて簡単な構造
にも係わらず、色ズレや色むらなく高輝度にRGB成分
を含んだ白色発光ダイオードとすることができる。この
ように、RGB成分を高輝度に含んだ発光ダイオード
は、RGBのフィルタ及び液晶を利用することによっ
て、フルカラーやマルチカラーの表示装置を構成させる
ことができる。同様に、演色性の極めて高い照明用など
の発光ダイオードとすることもできる。
面図を示す。
クトル図を示す。
ドの模式的断面図を示す。
オードの発光スペクトル図を示す。
Claims (4)
- 【請求項1】 井戸層がIn濃度の異なる複数の窒化物
半導体層を有する発光素子と、該発光素子からの光を受
けてそれよりも長波長の蛍光を発する蛍光体とを有する
ことを特徴とする発光装置。 - 【請求項2】 前記発光素子は、青色の波長域を含む単
色性のピーク波長が発光可能な窒化物半導体層及び、緑
色の波長域を含む単色性のピーク波長が発光可能な窒化
物半導体層とを有すると共に前記蛍光体が発する蛍光は
赤色の波長域を含む請求項1に記載の白色系が発光可能
な発光装置。 - 【請求項3】 前記蛍光体は発光素子が発光する青色の
ピーク波長によって主として励起される請求項2に記載
の発光装置。 - 【請求項4】 前記蛍光体は、Ceで付活されたY2O3
・5/3Al2O3、Eu及び/又はCrで付活された窒
素含有CaO−Al2O3−SiO2から選択される1種
である請求項1乃至請求項3記載の発光装置。
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JP (1) | JP3511993B2 (ja) |
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