JP2001196480A - フラッシュメモリ素子 - Google Patents
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Abstract
により、セルの過消去を防止してメモリセルアレイのし
きい値電圧分布を均一にすることができるフラッシュメ
モリ素子を提供すること。 【解決手段】 本発明に係るフラッシュメモリ素子は、
セルアレイ地域及び外部回路地域が定義された基板の前
記セルアレイ地域に形成されたフラッシュメモリセル、
ソース及びドレイン領域と、前記外部回路地域に形成さ
れた接合領域と、前記ソース領域上に形成された第1金
属コンタクトと、前記接合領域上に形成された第2及び
第3金属コンタクトと、前記第1金属コンタクトと第2
金属コンタクトとを連結する第1金属線と、前記第3金
属コンタクトに連結される第2金属線と、前記第2金属
線上に形成されるバイアホールとを含んでなることを特
徴とする。
Description
子に係り、特にトンネル酸化膜内に電荷が集中すること
を抑えてセルが過消去されないようにするためのフラッ
シュメモリ素子に関する。
作はセクタ(512Kのセル)単位で行う。消去動作は
主にF−Nトンネリングを用いて行うが、特定セルのソ
ース側トンネル酸化膜内に電荷が蓄積されると、障壁の
高さ(Barrier Height)が低くなる。
でF−Nトンネリング現象を説明するための図である。
おけるF−Nトンネリング現象を示すもので、フローテ
ィングゲートFGに貯えられた電荷がトンネル酸化膜1
1を通してソースS側に通り抜けることを示す。
たフラッシュメモリセルにおけるF−Nトンネリング現
象を示すもので、トンネル酸化膜11に蓄積されたポジ
ティブ電荷12によってフローティングゲートFGから
ソースS側に移動する電荷の速度が速くなる。この結
果、トンネル酸化膜にポジティブ電荷が蓄積されていな
い他のセルに比べて消去速度が速くて、過消去されたセ
ルが発生するという問題点がある。
ップメカニズムを説明するための図であり、NMOS素
子でプラズマによってトンネル酸化膜及びフローティン
グゲートに電荷が集中するメカニズムを説明するための
ものである。
造を説明する。半導体基板21に形成されたPウェル2
2上にゲート酸化膜、フローティングゲート24、誘電
体膜及びコントロールゲート25の積層構造を有するゲ
ート電極が形成され、ゲート電極両側のPウェル22に
接合領域(ソース領域23)が形成される。ソース領域
23と金属線27は金属コンタクト26を介して接触
し、金属線27はバイアホール28を介して外部(デコ
ーダなど)に接続される。
8のエッチング時、金属線を介してポジティブ電荷及び
ネガティブ電荷が伝導されて接合領域23に蓄積され
る。図2に示したセルはN型なので、ネガティブ電荷は
接合領域23を介してPウェル22及び半導体基板21
に通り抜ける反面、ポジティブ電荷は接合領域23に蓄
積される。このように接合領域23に蓄積されたポジテ
ィブ電荷によってセルの消去速度が速くなって過消去さ
れたセルが発生する。次に、かかる問題について図3を
参照して詳細に説明する。
リセル及びセルアレイのレイアウト図である。図3aは
単位セルのレイアウト図であり、一つのセルは大きくフ
ィールド酸化膜31、ゲート電極32、ソースS及びド
レインDから構成される。
5×2メモリセルアレイのレイアウト図である。5つの
単位セルからなるセルブロックの第1ソース線S1は同
じ構造をもつセルブロックの第2ソース線S2と共通ソ
ースCS線に接続される。図2で説明したように、バイ
アホール35のエッチング時、共通ソース線CSに金属
コンタクト34を介して接触する金属線27を通してポ
ジティブ電荷及びネガティブ電荷が伝導されて共通ソー
ス線CSに蓄積される。一方、セルがN型の場合には、
ネガティブ電荷は基板側に通り抜ける反面、ポジティブ
電荷は共通ソース線CSに蓄積される。蓄積されたポジ
ティブ電荷は共通ソース線CSの端部(セクタのエッジ
部分)に集中し、結果としてセルソース側のトンネル酸
化膜及びフローティングゲートにポジティブ電荷が蓄積
される。フローティングゲート内に蓄積されたポジティ
ブ電荷はUV光によって中和(Neutralize)されるが、ト
ンネル酸化膜内のポジティブ電荷は通り抜けるか中和さ
れていない状態で存在し続けてセルの消去速度を加速さ
せる。
リ素子の一セクタで高速消去セルの分布度及びこれによ
るビット線漏洩電流量の関係を説明するためのグラフで
ある。
ットセルの分布を説明するための図である。図3で説明
したように、ソース線に伝導されたポジティブ電荷はソ
ース線の端部(セクタのエッジ部分)に集中するため、
セクタ41の中心部42以外地域のセル(I/O−0、
I/O−15)は高速で消去され、過消去されたセルが
発生する。
aのような時、I/O別ビット線漏洩電流量を示す。特
に、図4bのグラフは5μsの間プログラムPGMした
後、1ms、2ms、3msの間消去(era 1m、era 2
m、era 3m)した後、100μsの間リカバリした場合
の例である。図4bに示すように、セクタのエッジ部分
である0ビット線(I/O−0)AとFビット線(I/
O−15)Bでビット線漏洩電流量が非常に大きいこと
が分かる。
荷が集中して全体ソース線が不均衡にチャージアップさ
れると、セクタエッジ部分のセルが過消去され、これに
よりビット線漏洩電流が増加して素子の信頼性が低下し
てしまうという問題点がある。
は、電荷がセル内に集中することを防止することによ
り、セルの過消去を防止してメモリセルアレイのしきい
値電圧分布を均一にすることができるフラッシュメモリ
素子を提供することにある。
の本発明に係るフラッシュメモリ素子は、セルアレイ地
域及び外部回路地域が定義された基板の前記セルアレイ
地域に形成されたフラッシュメモリセル、ソース及びド
レイン領域と、前記外部回路地域に形成された接合領域
と、前記ソース領域上に形成された第1金属コンタクト
と、前記接合領域上に形成された第2及び第3金属コン
タクトと、前記第1金属コンタクトと第2金属コンタク
トとを連結する第1金属線と、前記第3金属コンタクト
に連結される第2金属線と、前記第2金属線上に形成さ
れるバイアホールとを含んでなることを特徴とする。
ング時に発生する電荷が金属線を介して接続領域に蓄積
されることを防止するために、セルアレイ以外の外部回
路地域に接合領域を形成し、バイアホールを介して外部
回路に連結される金属線が外部回路地域に形成された接
合領域を経由してセルと連結されるようにする。
実施例を詳細に説明する。
モリ素子の構造を説明するための図であり、NMOSト
ランジスタの場合を例として説明する。
れた基板51のセルアレイ地域Aにはフローティングゲ
ート52及びコントロールゲート53からなるNMOS
トランジスタ、ソースS及びドレインD領域が形成され
ている。一方、外部回路地域BにはNウェル54及びP
ウェル55が形成され、Nウェル54内にはP+接合領
域56が形成され、Pウェル55内にはN+接合領域5
7が形成されている。
クト58、P+接合領域56上に第2及び第3金属コン
タクト59、61、N+接合領域57上に第4金属コン
タクト62がそれぞれ形成される。セルソースSとP+
接合領域56は第1金属コンタクト58と第2金属コン
タクト59とを連結する第1金属線60によって連結さ
れ、P+接合領域56とN+接合領域57は第3金属コン
タクト61と第4金属コンタクト62とを連結する第2
金属線63によって連結される。結局、セルソースSは
P+接合領域56を経由して第2金属線63と電気的に
連結される。外部回路とセルを連結するためのバイアホ
ール64は第2金属線63を露出させることにより形成
される。
たポジティブ電荷及びネガティブ電荷は、セルの消去動
作時にNMOSトランジスタのコントロールゲート53
に印加される強いネガティブ電圧によってセル側に移動
するが、第2金属線がP+接合領域56を経由してセル
と連結されるので、ポジティブ電荷はセル側に移動する
前に、P+接合領域56とNウェル54に集中すること
になる。これにより、NMOSトランジスタのトンネル
酸化膜にネガティブ電荷が集中する現象を抑えることが
できる。この際、ネガティブ電荷はN+接合領域57及
びPウェル55に集中する。このような構造で、外部回
路地域BにはP+接合領域56のみ形成しても、セルに
ポジティブ電荷が集中する現象を十分抑えることができ
る。
ルソースを第1金属線を介して外部回路地域BのN+接
合領域57に連結し、N+接合領域57は第2金属線を
介して外部回路地域Bに形成されたP+接合領域56と
連結し、バイアホール64は第2金属線を露出させて形
成する。セル消去動作時、PMOSトランジスタのコン
トロールゲートに強いポジティブ電圧が印加されると、
バイアホールのエッチング時に発生した電荷のうち、ネ
ガティブ電荷はセル側に移動するが、この際、第2金属
線がN+接合領域57を経由してセルと連結されるの
で、ネガティブ電荷はセル側に移動する前に、N+接合
領域57とPウェル55に集中することになる。これに
より、PMOSトランジスタのトンネル酸化膜にネガテ
ィブ電荷が集中する現象を抑えることができる。この
際、ポジティブ電荷はP+接合領域56及びNウェル5
4に集中する。このような構造で、外部回路地域Bには
N+接合領域57のみ形成しても、セルにネガティブ電
荷が集中する現象を十分抑えることができる。
ャージされた電荷がセルアレイに集中しないようにする
ことで、セルの過消去を防止することができ、これによ
りセルのしきい値電圧分布を均一にすることができる。
−Nトンネリング現象を説明するための図である。
ズムを説明するための図である。
ル及びセルアレイのレイアウト図である。
子の一セクタで高速消去セルの分布度及びこれによるビ
ット線漏洩電流量の関係を示すグラフである。
明するための図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 セルアレイ地域及び外部回路地域が定義
された基板の前記セルアレイ地域に形成されたフラッシ
ュメモリセル、ソース及びドレイン領域と、 前記外部回路地域に形成された接合領域と、 前記ソース領域上に形成された第1金属コンタクトと、 前記接合領域上に形成された第2及び第3金属コンタク
トと、 前記第1金属コンタクトと第2金属コンタクトとを連結
する第1金属線と、 前記第3金属コンタクトに連結される第2金属線と、 前記第2金属線上に形成されるバイアホールとを含んで
なることを特徴とするフラッシュメモリ素子。 - 【請求項2】 前記接合領域は、前記フラッシュメモリ
セルがN型の場合にはP+接合構造を有し、前記フラッ
シュメモリセルがP型の場合にはN+接合構造を有する
ことを特徴とする請求項1記載のフラッシュメモリ素
子。 - 【請求項3】 前記接合領域はウェルによって取り囲ま
れることを特徴とする請求項1記載のフラッシュメモリ
素子。 - 【請求項4】 セルアレイ地域及び外部回路地域が定義
された基板の前記セルアレイ地域に形成されたフラッシ
ュメモリセル、ソース及びドレイン領域と、 前記外部回路地域に形成された第1及び第2接合領域
と、 前記ソース領域上に形成された第1金属コンタクトと、 前記第1接合領域上に形成された第2及び第3金属コン
タクトと前記第2接合領域上に形成された第4金属コン
タクトと、 前記第1金属コンタクトと第2金属コンタクトとを連結
する第1金属線と、 前記第3金属コンタクトと第4金属コンタクトとを連結
する第2金属線と、 前記第2金属線上に形成されるバイアホールとを含んで
構成されることを特徴とするフラッシュメモリ素子。 - 【請求項5】 前記第1接合領域と第2接合領域は互い
に異なる導電型を有することを特徴とする請求項4記載
のフラッシュメモリ素子。 - 【請求項6】 前記第1及び第2接合領域はウェルによ
って取り囲まれることを特徴とする請求項4記載のフラ
ッシュメモリ素子。 - 【請求項7】 前記メモリセルがN型の場合、前記第1
接合領域はP+接合構造を有し、前記第2接合領域はN+
接合構造を有することを特徴とする請求項4記載のフラ
ッシュメモリ素子。 - 【請求項8】 前記メモリセルがP型の場合、前記第1
接合領域はN+接合構造を有し、前記第2接合領域はP+
接合構造を有することを特徴とする請求項4記載のフラ
ッシュメモリ素子。
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