JP2001195316A - バックアップ記憶装置、画像形成装置、バックアップ記憶装置制御方法及び記憶媒体 - Google Patents

バックアップ記憶装置、画像形成装置、バックアップ記憶装置制御方法及び記憶媒体

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JP2001195316A
JP2001195316A JP2000006382A JP2000006382A JP2001195316A JP 2001195316 A JP2001195316 A JP 2001195316A JP 2000006382 A JP2000006382 A JP 2000006382A JP 2000006382 A JP2000006382 A JP 2000006382A JP 2001195316 A JP2001195316 A JP 2001195316A
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JP2000006382A
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English (en)
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Manabu Yamauchi
学 山内
智康 ▲吉▼川
Tomoyasu Yoshikawa
Naoto Watanabe
直人 渡辺
Noriaki Matsui
規明 松井
Ichiro Sasaki
一郎 佐々木
Keizo Isemura
圭三 伊勢村
Tomoshi Okawa
知志 大川
Mitsuo Nimura
光夫 仁村
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Original Assignee
Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 不揮発性メモリの全アドレス領域のうち、最
も書き込み回数が多いと予想されるアドレス領域への書
き込み回数をカウントし、そのカウント値を表示するこ
とにより、不揮発性メモリの寿命をサービスマン等が確
認することを可能としたバックアップ記憶装置、画像形
成装置、バックアップ記憶装置制御方法及び記憶媒体を
提供する。 【解決手段】 制御装置1により、揮発性メモリ3の全
アドレス領域の内、書き込み回数が最も多いと考えられ
るターゲットアドレス領域7への書き込み回数をカウン
トし、カウントしたカウント値を不揮発性メモリ4のカ
ウント値格納領域8に格納し、カウント値を表示装置5
に表示する制御を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、バックアップ記憶
装置、画像形成装置、バックアップ記憶装置制御方法及
び記憶媒体に関し、特に、不揮発性メモリの寿命を確認
する場合に好適なバックアップ記憶装置、前記バックア
ップ記憶装置が内蔵される画像形成装置、前記バックア
ップ記憶装置に適用されるバックアップ記憶装置制御方
法及び前記バックアップ記憶装置に適用される記憶媒体
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、システムに組み込まれた記憶
装置において、蓄えられたデータの読み出し及び書き込
みが可能である半導体記憶装置が幅広く採用されてい
る。これら読み書き可能な半導体記憶装置としては、ダ
イナミックRAM(Dynamic Random Access Memory、以
下DRAMと記述)やスタティックRAM(Static Ran
dom Access Memory、以下SRAMと記述)などの揮発
性メモリが用いられる。これらの揮発性メモリは、電源
電圧の供給がなければ内部に蓄積されたデータ内容を保
持することは不可能である。しかし、揮発性メモリで
は、高速にデータの読み出し及び書き込みが可能である
特徴を有している。
【0003】これらの揮発性メモリを記憶装置として持
つシステムにおいて、外部からの電源供給が遮断されて
も記憶装置に蓄積されているデータを保持するために、
バックアップ電源をシステム内に装備する必要があり、
コスト面で不利であった。また、バックアップ電源とし
ては電池やコンデンサなどを使用するが、上記の揮発性
メモリに電源を供給可能な時間、つまりデータを保持可
能な時間が有限であるという問題もあった。そこで、上
記の揮発性メモリを採用することで生じる問題を解決す
るために、データの書き換えが可能な不揮発性メモリを
採用することが考えられる。
【0004】従来、不揮発性メモリとしては、半導体製
造過程でデータを書き込んでしまいデータの消去が不可
能なマスクROM(Masked Read Only Memory)が一般
的であったが、近年、データを電気的に消去及び書き込
みが数百回から数万回可能なEEPROM(Electrical
ly Erasable Read Only Memory)などが市場に登場して
いる。不揮発性メモリは電源供給をすることなく内容デ
ータを保持することが可能であり、バックアップ電源が
不要となる利点がある。また、不揮発性メモリ内のデー
タは電気的に消去/書き込みが可能であり、システムに
実装したまま内容の変更が可能である。
【0005】しかし、EEPROMなどの不揮発性メモ
リに蓄えられるデータの内容を書き換えるためには、D
RAMやSRAMに比べ、非常に時間が必要となる欠点
がある。特に高速なデータの更新が要求されるシステム
の場合では、上述のような記憶装置として不揮発性メモ
リをDRAMやSRAMの置き換えとして実装するのは
不向きであった。
【0006】そこで、揮発性メモリと不揮発性メモリの
両方を実装し、互いの欠点を補完したバックアップ記憶
装置がある。これは、システムが外部から電源電圧が供
給されている場合には、EEPROMなどの不揮発性メ
モリに蓄えられたデータの内容をDRAMやSRAMな
どの揮発性メモリ上の対応したアドレスに展開し、シス
テムによりデータの読み込み要求や書き込み要求がきた
場合には、揮発性メモリが対応する。また、システムが
揮発性メモリのデータのバックアップ要求がきた場合や
システムが外部から供給されている電源電圧の遮断要求
がきた場合、揮発性メモリに展開されたデータを不揮発
性メモリに書き込む処理が行われる。
【0007】また、不揮発性メモリに蓄積されたデータ
が何らかの原因により破壊されたと判断された時、DR
AMやSRAMなどの揮発性メモリ上にデータを展開し
なければ、展開されなかった領域は不定の値が残ったま
まとなる。特にモータやアクチュエータを備えたシステ
ムに装備されている上記のようなバックアップ記憶装置
においては、記憶領域に不定の値が入ることは、システ
ムの暴走や誤動作を招く恐れがある。
【0008】そこで、不揮発性メモリが搭載されている
装置において、蓄積されたデータが何らかの原因により
破壊されたと判断された場合、バックアップ記憶装置内
のマスクRAMなどの固定記憶装置に蓄積された初期デ
ータを揮発性メモリ上に展開するバックアップ記憶装置
も存在する。
【0009】他方、従来の複写機等の画像形成装置で
は、画像形成装置内部の画像処理部における各補正値や
操作者が設定した値等の可変データが利用される。例え
ば、コピー枚数やプリント枚数のカウント値、各給紙段
に格納されている記録紙のサイズや向きのデータなどで
ある。これらのデータを格納するバックアップ記憶装置
が画像形成装置に内蔵されている。バックアップ記憶装
置は、外部からの電源供給がなくなった状態においても
そのデータを保持し、電源供給が再び行われた際に円滑
に動作するようにしなければならない。そのため、画像
形成装置に用いられているバックアップ記憶装置は、外
部からの電源供給が無い場合でもデータを保持できるよ
うな工夫が必要となる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上述のようなバックア
ップ記憶装置は、システムからの高速なデータの書き込
み要求や読み出し要求に対応でき、また、外部の電源電
圧の供給や外部の電源電圧の供給が無い場合のバックア
ップ電源装置がなくても、蓄積されているデータを保持
することが可能となる。
【0011】しかしながら、EEPROMなどの不揮発
性メモリへのデータの書き込み回数には、不揮発性メモ
リを供給するメーカが保証する寿命があり、同一アドレ
ス領域への書き込み回数は制限される。メーカ保証を超
える書き込み回数を行ったアドレス領域に格納されてい
るデータは、所望の値ではない不定な値となる可能性が
ある。特にモータやアクチュエータを備えたシステムに
装備されている上記のようなバックアップ記憶装置にお
いては、このように記憶領域に不定の値が入ったまま、
システムを制御すれば暴走や誤動作を招く恐れがある。
【0012】また、EEPROMなどの不揮発性メモリ
にはアドレス毎に書き込み限界回数が設定されており、
データ書き込みを行った結果、頻繁にデータ書き込みが
行われたアドレスのみが書き込み不可能になるという欠
点がある。そのために、一つのアドレスが書き込み不可
能になったために、バックアップ動作はできなくなり、
サービスマンコール等によってシステムダウンを発生さ
せてしまうという問題があった。
【0013】一方、このようなバックアップ記憶装置を
有するシステムの設計要求として、バックアップしたい
データの容量が不揮発性メモリ単独の容量を超える可能
性がありうる。このような場合、複数個の不揮発性メモ
リを使用する必要性があるが、その場合バックアップデ
ータを保存するための不揮発性メモリ上のアドレスと、
実際にシステムの読み出し要求や書き込み要求に応じる
揮発性メモリ上のアドレスを関連付ける必要がある。実
際、複数個の不揮発性メモリを使用する場合、それぞれ
に対し各々固有の判別符号を不揮発性メモリの記憶領域
の適当なアドレスに書き込んである場合が多い。
【0014】また、EEPROMのような不揮発性メモ
リにおいても、装置の誤動作等の様々な内的、外的要因
により内部に蓄積されたデータが破壊される可能性があ
る。複数個の不揮発性メモリを持つバックアップ記憶装
置において、複数不揮発性メモリのうちの幾つかのデー
タが破壊されたと判断した場合、全ての領域に対し固定
記憶装置に蓄えられている初期データを揮発性メモリ領
域に展開したのでは非合理的である。
【0015】また、不揮発性メモリには上述した如く書
き込み回数の制限があるものが多く存在し、不揮発性メ
モリに書き込む場合にその書き込み回数を注意して装置
を動作させなければならない。また、書き込み回数を不
揮発性メモリに書き込んでおいたとしても書き込み回数
を記憶するためにも、不揮発性メモリも書き込み制限を
注意しなければならない。また、全てのデータに対し、
書き込み回数データを持っているとすると、メモリ使用
の半分を書き込み回数用のデータとしなければならな
い。
【0016】本発明は、上述した点に鑑みなされたもの
であり、不揮発性メモリの全アドレス領域のうち、最も
書き込み回数が多いと予想されるアドレス領域への書き
込み回数をカウントし、そのカウント値を表示すること
により、不揮発性メモリの寿命をサービスマン等が確認
することを可能としたバックアップ記憶装置、画像形成
装置、バックアップ記憶装置制御方法及び記憶媒体を提
供することを第1の目的とする。
【0017】また、本発明は、外部電源OFF時に、一
番データ書き込み回数が多いデータ書き込み回数のみを
不揮発性メモリ(EEPROM)に書き込んで記憶する
ことで、不揮発性メモリ(EEPROM)のデータを寿
命近くまで使用することを可能としたバックアップ記憶
装置、画像形成装置、バックアップ記憶装置制御方法及
び記憶媒体を提供することを第2の目的とする。
【0018】また、本発明は、バックアップ動作を繰り
返すことで不揮発性メモリのアドレス毎に設定された書
き込み限界回数に達した場合でも、自動的にバックアッ
プアドレスを変更していくことで、バックアップ不可能
によるサービスマンコールを避けることを可能としたバ
ックアップ記憶装置、画像形成装置、バックアップ記憶
装置制御方法及び記憶媒体を提供することを第3の目的
とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の発明は、データの読み出しが可能な第一
記憶手段と、データの読み出し及び書き込みが可能な第
二記憶手段と、前記第一及び前記第二記憶手段との間で
データのやり取りが可能な第三記憶手段とを有し、各種
のバックアップデータを記憶するバックアップ記憶装置
であって、前記第三記憶手段の全アドレス領域のうち書
き込み回数が最も多いと考えられるアドレス領域への書
き込み回数をカウントすると共に、カウント値を前記第
三記憶手段に格納する制御手段と、前記カウント値を表
示する表示手段とを有することを特徴とする。
【0020】上記目的を達成するため、請求項2の発明
は、前記第一記憶手段は固定記憶手段であり、前記第二
記憶手段は揮発性記憶手段であり、前記第三記憶手段は
不揮発性記憶手段であることを特徴とする。
【0021】上記目的を達成するため、請求項3の発明
は、データの読み出しが可能な第一記憶手段、データの
読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手段、前記第一
及び前記第二記憶手段との間でデータのやり取りが可能
な第三記憶手段を有するバックアップ記憶装置と、画像
読取手段と、画像形成手段とを具備し、前記画像読取手
段により原稿から読取った画像を前記画像形成手段によ
り記録紙上に形成すると共に、画像形成枚数や記録紙の
サイズ/向きのデータ等を前記バックアップ記憶装置に
記憶する画像形成装置であって、前記バックアップ記憶
装置は、前記第三記憶手段の全アドレス領域のうち書き
込み回数が最も多いと考えられるアドレス領域への書き
込み回数をカウントすると共に、カウント値を前記第三
記憶手段に格納する制御手段と、前記カウント値を表示
する表示手段とを有することを特徴とする。
【0022】上記目的を達成するため、請求項4の発明
は、前記バックアップ記憶装置における前記第一記憶手
段は固定記憶手段であり、前記第二記憶手段は揮発性記
憶手段であり、前記第三記憶手段は不揮発性記憶手段で
あることを特徴とする。
【0023】上記目的を達成するため、請求項5の発明
は、データの読み出しが可能な第一記憶手段と、データ
の読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手段と、前記
第一及び前記第二記憶手段との間でデータのやり取りが
可能な第三記憶手段とを有し、各種のバックアップデー
タを記憶するバックアップ記憶装置に適用されるバック
アップ記憶装置制御方法であって、前記第三記憶手段の
全アドレス領域のうち書き込み回数が最も多いと考えら
れるアドレス領域への書き込み回数をカウントすると共
に、カウント値を前記第三記憶手段に格納する制御工程
と、前記カウント値を表示する表示工程とを有すること
を特徴とする。
【0024】上記目的を達成するため、請求項6の発明
は、前記バックアップ記憶装置における前記第一記憶手
段は固定記憶手段であり、前記第二記憶手段は揮発性記
憶手段であり、前記第三記憶手段は不揮発性記憶手段で
あることを特徴とする。
【0025】上記目的を達成するため、請求項7の発明
は、データの読み出しが可能な第一記憶手段と、データ
の読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手段と、前記
第一及び前記第二記憶手段との間でデータのやり取りが
可能な第三記憶手段とを有し、各種のバックアップデー
タを記憶するバックアップ記憶装置に適用されるバック
アップ記憶装置制御方法を実行するプログラムを記憶し
たコンピュータにより読み出し可能な記憶媒体であっ
て、前記バックアップ記憶装置制御方法は、前記第三記
憶手段の全アドレス領域のうち書き込み回数が最も多い
と考えられるアドレス領域への書き込み回数をカウント
するように制御すると共に、カウント値を前記第三記憶
手段に格納するように制御する制御ステップと、前記カ
ウント値を表示するように制御する表示ステップとを有
することを特徴とする。
【0026】上記目的を達成するため、請求項8の発明
は、前記バックアップ記憶装置における前記第一記憶手
段は固定記憶手段であり、前記第二記憶手段は揮発性記
憶手段であり、前記第三記憶手段は不揮発性記憶手段で
あることを特徴とする。
【0027】上記目的を達成するため、請求項9の発明
は、データの読み出しが可能な第一記憶手段と、データ
の読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手段と、前記
第一及び前記第二記憶手段との間でデータのやり取りが
可能な第三記憶手段とを有し、各種のバックアップデー
タを記憶するバックアップ記憶装置であって、前記第二
記憶手段、前記第三記憶手段は、最も多く書き込まれる
データに関して前記第三記憶手段の書き込み回数を記憶
する書込回数記憶領域を各々有し、前記第三記憶手段の
前記書込回数記憶領域から前記第二記憶手段の前記書込
回数記憶領域へ書き込み回数データを転送する書込回数
データ読出手段と、前記第二記憶手段の前記書込回数記
憶領域の書き込み回数データを前記第三記憶手段の前記
書込回数記憶領域に書き込む書込回数データ書込手段
と、前記第二記憶手段の前記書込回数記憶領域の書き込
み回数データを加算し、加算データを前記第二記憶手段
及び前記第三記憶手段に書き込む第一書込手段と、前記
加算データを前記第二記憶手段に書き込み且つ前記第三
記憶手段には書き込まない第二書込手段とを有すること
を特徴とする。
【0028】上記目的を達成するため、請求項10の発
明は、前記第一記憶手段は固定記憶手段であり、前記第
二記憶手段は揮発性記憶手段であり、前記第三記憶手段
はデータの書き込み回数に制限がある複数設けられた不
揮発性記憶手段であることを特徴とする。
【0029】上記目的を達成するため、請求項11の発
明は、前記第一書込手段と前記第二書込手段を切り替え
制御する制御手段を有することを特徴とする。
【0030】上記目的を達成するため、請求項12の発
明は、電源がオフとなった場合、前記書込回数データ書
込手段を動作させ確実に前記書き込み回数データを前記
第三記憶手段に記憶可能な電力を有することを特徴とす
る。
【0031】上記目的を達成するため、請求項13の発
明は、前記電力とは、充電可能な電池による電力である
ことを特徴とする。
【0032】上記目的を達成するため、請求項14の発
明は、前記電力とは、コンデンサによる電力であること
を特徴とする。
【0033】上記目的を達成するため、請求項15の発
明は、電源オフを検出する電源オフ検出手段を有するこ
とを特徴とする。
【0034】上記目的を達成するため、請求項16の発
明は、前記電源オフ検出手段で電源オフを検出した場
合、前記書込回数データ書込手段を動作させ前記書き込
み回数データを前記第三記憶手段に記憶させる制御手段
を有することを特徴とする。
【0035】上記目的を達成するため、請求項17の発
明は、電源が遮断されたことを検出する電源遮断検出手
段を有することを特徴とする。
【0036】上記目的を達成するため、請求項18の発
明は、前記電源遮断検出手段で電源の遮断を検出した場
合、前記書込回数データ書込手段を動作させることが可
能な電力を有することを特徴とする。
【0037】上記目的を達成するため、請求項19の発
明は、前記電力とは、充電可能な電池による電力である
ことを特徴とする。
【0038】上記目的を達成するため、請求項20の発
明は、前記電力とは、コンデンサによる電力であること
を特徴とする。
【0039】上記目的を達成するため、請求項21の発
明は、前記制御手段は、前記第一書込手段と前記第二書
込手段の切り替え制御はデータの内容に応じて行うこと
を特徴とする。
【0040】上記目的を達成するため、請求項22の発
明は、前記制御手段は、データが課金に関わるデータの
場合、前記第一書込手段に切り替えて前記課金に関わる
データの書き込みを行わせることを特徴とする。
【0041】上記目的を達成するため、請求項23の発
明は、前記制御手段による前記第一書込手段と前記第二
書込手段の切り替え制御は、前記第二記憶手段にデータ
毎に登録されていることを特徴とする。
【0042】上記目的を達成するため、請求項24の発
明は、前記第二記憶手段に登録されているデータは、前
記第一書込手段を使用するデータのみ登録されているこ
とを特徴とする。
【0043】上記目的を達成するため、請求項25の発
明は、前記制御手段は、最も書き込み回数が多いデータ
の場合、前記第一書込手段に切り替えて前記最も書き込
み回数が多いデータの書き込みを行わせることを特徴と
する。
【0044】上記目的を達成するため、請求項26の発
明は、データの読み出しが可能な第一記憶手段、データ
の読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手段、前記第
一及び前記第二記憶手段との間でデータのやり取りが可
能な第三記憶手段を有するバックアップ記憶装置と、画
像読取手段と、画像形成手段とを具備し、前記画像読取
手段により原稿から読取った画像を前記画像形成手段に
より記録紙上に形成すると共に、画像形成枚数や記録紙
のサイズ/向きのデータ等を前記バックアップ記憶装置
に記憶する画像形成装置であって、前記バックアップ記
憶装置における前記第二記憶手段、前記第三記憶手段
は、最も多く書き込まれるデータに関して前記第三記憶
手段の書き込み回数を記憶する書込回数記憶領域を各々
有し、前記バックアップ記憶装置は、前記第三記憶手段
の前記書込回数記憶領域から前記第二記憶手段の前記書
込回数記憶領域へ書き込み回数データを転送する書込回
数データ読出手段と、前記第二記憶手段の前記書込回数
記憶領域の書き込み回数データを前記第三記憶手段の前
記書込回数記憶領域に書き込む書込回数データ書込手段
と、前記第二記憶手段の前記書込回数記憶領域の書き込
み回数データを加算し、加算データを前記第二記憶手段
及び前記第三記憶手段に書き込む第一書込手段と、前記
加算データを前記第二記憶手段に書き込み且つ前記第三
記憶手段には書き込まない第二書込手段とを有すること
を特徴とする。
【0045】上記目的を達成するため、請求項27の発
明は、前記バックアップ記憶装置における前記第一記憶
手段は固定記憶手段であり、前記第二記憶手段は揮発性
記憶手段であり、前記第三記憶手段はデータの書き込み
回数に制限がある複数設けられた不揮発性記憶手段であ
ることを特徴とする。
【0046】上記目的を達成するため、請求項28の発
明は、データの読み出しが可能な第一記憶手段と、デー
タの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手段と、前
記第一及び前記第二記憶手段との間でデータのやり取り
が可能な第三記憶手段とを有し、各種のバックアップデ
ータを記憶するバックアップ記憶装置に適用されるバッ
クアップ記憶装置制御方法であって、前記第二記憶手
段、前記第三記憶手段は、最も多く書き込まれるデータ
に関して前記第三記憶手段の書き込み回数を記憶する書
込回数記憶領域を各々有し、前記第三記憶手段の前記書
込回数記憶領域から前記第二記憶手段の前記書込回数記
憶領域へ書き込み回数データを転送する書込回数データ
読出工程と、前記第二記憶手段の前記書込回数記憶領域
の書き込み回数データを前記第三記憶手段の前記書込回
数記憶領域に書き込む書込回数データ書込工程と、前記
第二記憶手段の前記書込回数記憶領域の書き込み回数デ
ータを加算し、加算データを前記第二記憶手段及び前記
第三記憶手段に書き込む第一書込工程と、前記加算デー
タを前記第二記憶手段に書き込み且つ前記第三記憶手段
には書き込まない第二書込工程とを有することを特徴と
する。
【0047】上記目的を達成するため、請求項29の発
明は、前記第一記憶手段は固定記憶手段であり、前記第
二記憶手段は揮発性記憶手段であり、前記第三記憶手段
はデータの書き込み回数に制限がある複数設けられた不
揮発性記憶手段であることを特徴とする。
【0048】上記目的を達成するため、請求項30の発
明は、データの読み出しが可能な第一記憶手段と、デー
タの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手段と、前
記第一及び前記第二記憶手段との間でデータのやり取り
が可能な第三記憶手段とを有し、各種のバックアップデ
ータを記憶するバックアップ記憶装置に適用されるバッ
クアップ記憶装置制御方法を実行するプログラムを記憶
したコンピュータにより読み出し可能な記憶媒体であっ
て、前記バックアップ記憶装置制御方法は、前記第三記
憶手段に設けられ最も多く書き込まれるデータに関して
前記第三記憶手段の書き込み回数を記憶する書込回数記
憶領域から前記第二記憶手段に設けられた書込回数記憶
領域へ書き込み回数データを転送するように制御する書
込回数データ読出ステップと、前記第二記憶手段の前記
書込回数記憶領域の書き込み回数データを前記第三記憶
手段の前記書込回数記憶領域に書き込むように制御する
書込回数データ書込ステップと、前記第二記憶手段の前
記書込回数記憶領域の書き込み回数データを加算し、加
算データを前記第二記憶手段及び前記第三記憶手段に書
き込むように制御する第一書込ステップと、前記加算デ
ータを前記第二記憶手段に書き込み且つ前記第三記憶手
段には書き込まないように制御する第二書込ステップと
を有することを特徴とする。
【0049】上記目的を達成するため、請求項31の発
明は、前記第一記憶手段は固定記憶手段であり、前記第
二記憶手段は揮発性記憶手段であり、前記第三記憶手段
はデータの書き込み回数に制限がある複数設けられた不
揮発性記憶手段であることを特徴とする。
【0050】上記目的を達成するため、請求項32の発
明は、データの読み出しが可能な第一記憶手段と、デー
タの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手段と、前
記第一及び前記第二記憶手段との間でデータのやり取り
が可能な第三記憶手段とを有し、各種のバックアップデ
ータを記憶するバックアップ記憶装置であって、前記第
一記憶手段、前記第三記憶手段は、該両記憶手段の各領
域を結び付けるための判別符号を各々の内部ブロック毎
に有し、前記第二記憶手段から前記バックアップデータ
を前記第三記憶手段へ格納後に前記第三記憶手段から前
記バックアップデータを読み出した結果、前記バックア
ップデータを正常に書き込みできなかったと判定した場
合、前記第三記憶手段の空き内部ブロックに前記バック
アップデータを格納し該空き内部ブロックの判別符号領
域に、前記書き込みができなかった領域の判別符号を書
き込むと共に、前記書き込みができなかった領域の判別
符号領域の判別符号を破壊する制御手段を有することを
特徴とする。
【0051】上記目的を達成するため、請求項33の発
明は、データの読み出しが可能な第一記憶手段と、デー
タの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手段と、前
記第一及び前記第二記憶手段との間でデータのやり取り
が可能な第三記憶手段とを有し、各種のバックアップデ
ータを記憶するバックアップ記憶装置であって、前記第
一記憶手段、前記第三記憶手段は、該両記憶手段の各領
域を結び付けるための判別符号を各々の内部ブロック毎
に有し、前記第二記憶手段から前記バックアップデータ
を前記第三記憶手段へ格納後に前記第三記憶手段から前
記バックアップデータを読み出した結果、前記バックア
ップデータを正常に書き込みできなかったと判定した場
合、前記第三記憶手段の全領域データと前記書き込みが
できなかったバックアップデータとを合わせて、予備と
して用意した記憶手段にコピーし、前記第三記憶手段の
全判別符号領域の判別符号を破壊する制御手段を有する
ことを特徴とする。
【0052】上記目的を達成するため、請求項34の発
明は、前記第一記憶手段は固定記憶手段であり、前記第
二記憶手段は揮発性記憶手段であり、前記第三記憶手段
及び前記予備として用意した記憶手段は不揮発性記憶手
段であることを特徴とする。
【0053】上記目的を達成するため、請求項35の発
明は、前記第三記憶手段の全領域データと前記書き込み
ができなかったバックアップデータとを合わせて前記予
備として用意した記憶手段にコピーした情報を表示する
表示手段を有することを特徴とする。
【0054】上記目的を達成するため、請求項36の発
明は、前記制御手段は、前記判別符号の書き込み処理中
は外部からのデータ書き込み及び読み出し処理要求を禁
止することを特徴とする。
【0055】上記目的を達成するため、請求項37の発
明は、前記第三記憶手段は、装置本体に着脱可能である
ことを特徴とする。
【0056】上記目的を達成するため、請求項38の発
明は、データの読み出しが可能な第一記憶手段、データ
の読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手段、前記第
一及び前記第二記憶手段との間でデータのやり取りが可
能な第三記憶手段を有するバックアップ記憶装置と、画
像読取手段と、画像形成手段とを具備し、前記画像読取
手段により原稿から読取った画像を前記画像形成手段に
より記録紙上に形成すると共に、画像形成枚数や記録紙
のサイズ/向きのデータ等を前記バックアップ記憶装置
に記憶する画像形成装置であって、前記バックアップ記
憶装置における前記第一記憶手段、前記第三記憶手段
は、該両記憶手段の各領域を結び付けるための判別符号
を各々の内部ブロック毎に有し、前記バックアップ記憶
装置は、前記第二記憶手段から前記バックアップデータ
を前記第三記憶手段へ格納後に前記第三記憶手段から前
記バックアップデータを読み出した結果、前記バックア
ップデータを正常に書き込みできなかったと判定した場
合、前記第三記憶手段の空き内部ブロックに前記バック
アップデータを格納し該空き内部ブロックの判別符号領
域に、前記書き込みができなかった領域の判別符号を書
き込むと共に、前記書き込みができなかった領域の判別
符号領域の判別符号を破壊する制御手段を有することを
特徴とする。
【0057】上記目的を達成するため、請求項39の発
明は、データの読み出しが可能な第一記憶手段、データ
の読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手段、前記第
一及び前記第二記憶手段との間でデータのやり取りが可
能な第三記憶手段を有するバックアップ記憶装置と、画
像読取手段と、画像形成手段とを具備し、前記画像読取
手段により原稿から読取った画像を前記画像形成手段に
より記録紙上に形成すると共に、画像形成枚数や記録紙
のサイズ/向きのデータ等を前記バックアップ記憶装置
に記憶する画像形成装置であって、前記バックアップ記
憶装置における前記第一記憶手段、前記第三記憶手段
は、該両記憶手段の各領域を結び付けるための判別符号
を各々の内部ブロック毎に有し、前記バックアップ記憶
装置は、前記第二記憶手段から前記バックアップデータ
を前記第三記憶手段へ格納後に前記第三記憶手段から前
記バックアップデータを読み出した結果、前記バックア
ップデータを正常に書き込みできなかったと判定した場
合、前記第三記憶手段の全領域データと前記書き込みが
できなかったバックアップデータとを合わせて、予備と
して用意した記憶手段にコピーし、前記第三記憶手段の
全判別符号領域の判別符号を破壊する制御手段を有する
ことを特徴とする。
【0058】上記目的を達成するため、請求項40の発
明は、前記バックアップ記憶装置における前記第一記憶
手段は固定記憶手段であり、前記第二記憶手段は揮発性
記憶手段であり、前記第三記憶手段及び前記予備として
用意した記憶手段は不揮発性記憶手段であることを特徴
とする。
【0059】上記目的を達成するため、請求項41の発
明は、データの読み出しが可能な第一記憶手段と、デー
タの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手段と、前
記第一及び前記第二記憶手段との間でデータのやり取り
が可能な第三記憶手段とを有し、各種のバックアップデ
ータを記憶するバックアップ記憶装置に適用されるバッ
クアップ記憶装置制御方法であって、前記第一記憶手
段、前記第三記憶手段は、該両記憶手段の各領域を結び
付けるための判別符号を各々の内部ブロック毎に有し、
前記第二記憶手段から前記バックアップデータを前記第
三記憶手段へ格納後に前記第三記憶手段から前記バック
アップデータを読み出した結果、前記バックアップデー
タを正常に書き込みできなかったと判定した場合、前記
第三記憶手段の空き内部ブロックに前記バックアップデ
ータを格納し該空き内部ブロックの判別符号領域に、前
記書き込みができなかった領域の判別符号を書き込むと
共に、前記書き込みができなかった領域の判別符号領域
の判別符号を破壊する制御工程を有することを特徴とす
る。
【0060】上記目的を達成するため、請求項42の発
明は、データの読み出しが可能な第一記憶手段と、デー
タの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手段と、前
記第一及び前記第二記憶手段との間でデータのやり取り
が可能な第三記憶手段とを有し、各種のバックアップデ
ータを記憶するバックアップ記憶装置に適用されるバッ
クアップ記憶装置制御方法であって、前記第一記憶手
段、前記第三記憶手段は、該両記憶手段の各領域を結び
付けるための判別符号を各々の内部ブロック毎に有し、
前記第二記憶手段から前記バックアップデータを前記第
三記憶手段へ格納後に前記第三記憶手段から前記バック
アップデータを読み出した結果、前記バックアップデー
タを正常に書き込みできなかったと判定した場合、前記
第三記憶手段の全領域データと前記書き込みができなか
ったバックアップデータとを合わせて、予備として用意
した記憶手段にコピーし、前記第三記憶手段の全判別符
号領域の判別符号を破壊する制御工程を有することを特
徴とする。
【0061】上記目的を達成するため、請求項43の発
明は、前記バックアップ記憶装置における前記第一記憶
手段は固定記憶手段であり、前記第二記憶手段は揮発性
記憶手段であり、前記第三記憶手段及び前記予備として
用意した記憶手段は不揮発性記憶手段であることを特徴
とする。
【0062】上記目的を達成するため、請求項44の発
明は、データの読み出しが可能な第一記憶手段と、デー
タの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手段と、前
記第一及び前記第二記憶手段との間でデータのやり取り
が可能な第三記憶手段とを有し、各種のバックアップデ
ータを記憶するバックアップ記憶装置に適用されるバッ
クアップ記憶装置制御方法を実行するプログラムを記憶
したコンピュータにより読み出し可能な記憶媒体であっ
て、前記バックアップ記憶装置制御方法は、前記第二記
憶手段から前記バックアップデータを前記第三記憶手段
へ格納後に前記第三記憶手段から前記バックアップデー
タを読み出した結果、前記バックアップデータを正常に
書き込みできなかったと判定した場合、前記第三記憶手
段の空き内部ブロックに前記バックアップデータを格納
し該空き内部ブロックの判別符号領域に、前記書き込み
ができなかった領域の判別符号を書き込むと共に、前記
書き込みができなかった領域の判別符号領域の判別符号
を破壊するように制御する制御ステップを有することを
特徴とする。
【0063】上記目的を達成するため、請求項45の発
明は、データの読み出しが可能な第一記憶手段と、デー
タの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手段と、前
記第一及び前記第二記憶手段との間でデータのやり取り
が可能な第三記憶手段とを有し、各種のバックアップデ
ータを記憶するバックアップ記憶装置に適用されるバッ
クアップ記憶装置制御方法を実行するプログラムを記憶
したコンピュータにより読み出し可能な記憶媒体であっ
て、前記バックアップ記憶装置制御方法は、前記第二記
憶手段から前記バックアップデータを前記第三記憶手段
へ格納後に前記第三記憶手段から前記バックアップデー
タを読み出した結果、前記バックアップデータを正常に
書き込みできなかったと判定した場合、前記第三記憶手
段の全領域データと前記書き込みができなかったバック
アップデータとを合わせて、予備として用意した記憶手
段にコピーし、前記第三記憶手段の全判別符号領域の判
別符号を破壊するように制御する制御ステップを有する
ことを特徴とする。
【0064】上記目的を達成するため、請求項46の発
明は、前記バックアップ記憶装置における前記第一記憶
手段は固定記憶手段であり、前記第二記憶手段は揮発性
記憶手段であり、前記第三記憶手段及び前記予備として
用意した記憶手段は不揮発性記憶手段であることを特徴
とする。
【0065】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
【0066】[第1の実施の形態]図1は本発明の第1
の実施の形態に係るバックアップ記憶装置の構成を示す
ブロック図である。本発明の第1の実施の形態に係るバ
ックアップ記憶装置は、制御装置1、固定記憶メモリ
(ROM)2、揮発性メモリ(DRAM)3、不揮発性
メモリ(EEPROM)4、表示装置5を備える構成と
なっている。図中6は制御装置1が書き込み回数のカウ
ント時に使用するカウント用計数領域、7は書き込み回
数が最も多いと考えられるターゲットアドレス領域、8
は書き込み回数のカウント値を格納するカウント値格納
領域である。
【0067】上記構成を詳述すると、制御装置1は、本
装置全体を制御するものであり、後述の本発明のプログ
ラムに基づき図2のフローチャートに示す処理を実行す
る。固定記憶メモリ2は、読み出しのみ可能なメモリで
ある。揮発性メモリ3は、読み出し及び書き込みが可能
なメモリである。不揮発性メモリ4は、本装置の外部か
らの電源供給が遮断された場合のデータを蓄積するメモ
リであり、固定記憶メモリ2及び揮発性メモリ3との間
でデータのやり取りを行う。表示装置5は、不揮発性メ
モリ4内のカウント値格納領域8に格納されている値を
表示し、書き込み回数が最も多いと考えられる不揮発性
メモリ4内のターゲットアドレス領域7への書き込み回
数を表示する。固定記憶メモリ2は、本実施形態ではマ
スクROMが記憶デバイスとして採用されている。マス
クROMは電源或いはアースに線を接続することにより
記憶されるので、蓄積させておきたいデータを予めマス
クとして用意し、ウェハ上にステッパで焼き付けて製造
されるデバイスである。そのため、マスクROMに書き
込まれているデータは消去及び書き込みを行うことは不
可能である。しかし、必要な回路は基本的には番地選択
回路のみであり、大容量化が容易である。本実施形態に
おいては、固定記憶メモリ2はバックアップ記憶装置の
初期状態のデータを蓄積している装置である。
【0068】揮発性メモリ3は、本実施形態ではDRA
Mが使用されている。DRAMの記憶原理は、1ビット
に相当する情報をコンデンサの電荷で蓄積するものであ
る。即ち、コンデンサに電荷が溜まっていれば“1”、
溜まっていなければ“0”(またはその逆でも可)とす
る情報を表現するデバイスである。しかし、コンデンサ
に電圧を加えていなければ時間が経つにつれコンデンサ
に蓄積されている電荷量は減少してしまい、情報を保持
できなくなってしまう。従って、DRAMにおいては一
定周期でコンデンサに電荷を蓄えなおす作業(リフレッ
シュ)を行う必要がある。逆にいえばリフレッシュ作業
以外ではDRAMに電力を供給する必要が無く、低電力
で大量の情報を保持可能なデバイスである。また、DR
AMの特徴として、比較的高速な読み出し動作、書き込
み動作が可能である。そのため、システムのCPUやA
SIC(特定用途向けIC)等のデータの一時保管に広
く利用されている。
【0069】一方、揮発性メモリとしてはSRAMも広
く利用されている。SRAMは、フリップフロップのよ
うにトランジスタを複数個組み合わせて1ビットに相当
する情報を蓄積するデバイスである。トランジスタのみ
で情報を記憶させるため、DRAMよりも更に高速の読
み出し動作、書き込み動作が可能である。しかし、SR
AMは、DRAMに比べ記憶容量が小さく、また消費電
力が大きいというデメリットがある。本実施形態におい
ては、揮発性メモリ3はバックアップ記憶装置が外部か
ら電力供給されているときに外部からのデータの読み出
し要求、書き込み要求に応えるための装置である。
【0070】不揮発性メモリ4は、本実施形態ではEE
PROMが用いられている。EEPROMの記憶原理
は、どこにも接続されていないフローティングゲートを
備えると共に、フローティングゲートに蓄えられた電荷
により1ビットの情報を記憶するデバイスである。この
フローティングゲート型電界効果トランジスタに加える
電圧によりフローティングゲートに電荷を溜めたり、電
荷を逃がしたりすることができる。即ち、電気的にメモ
リ内の情報の消去及び書き込みが可能なメモリデバイス
である。また、EEPROMは電気的に蓄積された情報
を書き換えることが可能であるが、上述のDRAMやS
RAMと比べデータの書き込み時間が遅いという欠点を
持つ。本実施形態においては、バックアップ記憶装置の
外部からの電源供給が遮断された場合のデータをこの不
揮発性メモリ4に蓄積する構成となっている。
【0071】制御装置1は、上記の固定記憶メモリ2、
揮発性メモリ3、不揮発性メモリ4のそれぞれを管理
し、外部からのデータ転送要求や外部からの指示による
データのバックアップを行う装置である。また、本発明
の特徴である書き込み回数のカウントを行う装置でもあ
る。
【0072】上記不揮発性メモリ4の全アドレス領域の
内、書き込み回数が最も多いと考えられるアドレス領域
をターゲットアドレス領域7とし、該ターゲットアドレ
ス領域7に書き込みを行った回数を制御装置1によりカ
ウントし、そのカウント値を格納するカウント値格納領
域8もまた、上記不揮発性メモリ4内に装備する。ま
た、制御装置1が書き込み回数のカウント制御時に使用
するために、揮発性メモリ3内にカウント用計数領域6
を装備する。
【0073】図15は本発明のプログラム及び関連デー
タが記憶媒体から装置に供給される概念例を示す説明図
である。本発明のプログラム及び関連データは、フロッ
ピディスクやCD−ROM等の記憶媒体151をコンピ
ュータ等の装置82に装備された記憶媒体ドライブ挿入
口153に挿入することで供給される。その後、本発明
のプログラム及び関連データを記憶媒体151から一旦
ハードディスクにインストールしハードディスクからR
AMにロードするか、或いはハードディスクにインスト
ールせずに直接RAMにロードすることで、本発明のプ
ログラム及び関連データを実行することが可能となる。
【0074】この場合、本発明の第1、第3、第4の実
施の形態のバックアップ記憶装置、第2、第4、第6の
実施の形態の画像形成装置において本発明のプログラム
を実行する場合は、例えば上記図15に示したような手
順でバックアップ記憶装置、画像形成装置に本発明のプ
ログラム及び関連データを供給するか、或いはバックア
ップ記憶装置、画像形成装置に予め本発明のプログラム
及び関連データを格納しておくことで、プログラム実行
が可能となる。
【0075】図14は本発明のプログラム及び関連デー
タを記憶した記憶媒体の記憶内容の構成例を示す説明図
である。本発明の記憶媒体は、例えばボリューム情報1
41、ディレクトリ情報142、プログラム実行ファイ
ル143、プログラム関連データファイル144等の記
憶内容で構成される。本発明のプログラムは、後述の図
2、図6〜図9、図11〜図13のフローチャートに基
づきプログラムコード化されたものである。
【0076】尚、本発明の特許請求の範囲における各構
成要件と、本発明の第1の実施の形態並びに後述の第2
〜第6の実施の形態における各部との対応関係は下記の
通りである。第一記憶手段は固定記憶メモリ2、52、
112に対応し、第二記憶手段は揮発性メモリ3、5
3、113に対応し、第三記憶手段は不揮発性メモリ
4、54、55、114、115に対応し、制御手段は
制御装置1に対応し、書込回数データ読出手段、書込回
数データ書込手段、第一書込手段、第二書込手段、制御
手段、電源オフ検出手段、電源遮断検出手段は制御装置
51に対応し、制御手段は制御装置111に対応し、表
示手段は表示装置5、エラー表示装置116に対応し、
画像読取手段は本体画像入力部11に対応し、画像形成
手段は本体画像出力部10に対応する。
【0077】次に、上記の如く構成された本発明の第1
の実施の形態に係るバックアップ記憶装置における電源
ON時のカウント制御手段(制御装置1のカウント制御
機能)を初期設定する手順を上記図1並びに図2を参照
しながら詳細に説明する。
【0078】本処理のスタート後、ステップS21で、
制御装置1は不揮発性メモリ4内のカウント値格納領域
8から、前回までに不揮発性メモリ4内のターゲットア
ドレス領域7に書き込まれた総回数を読み出す。処理終
了後、ステップS22へ処理を進める。ステップS22
では、制御装置1は上記ステップS21で読み出された
前回までの総書き込み回数を揮発性メモリ3内のカウン
ト用計数領域6に代入する。これで、初期設定を完了す
る。処理終了後、ステップS23へ処理を進める。ステ
ップS23では、不揮発性メモリ4へのバックアップデ
ータの書き込み要求を待っている。バックアップ要求が
あれば、ステップS24へ処理を進め、バックアップ要
求が無ければ、ステップS23で、再びバックアップ要
求が来るのを待つ。
【0079】ステップS24では、制御装置1は上記ス
テップS23で要求されたバックアップデータを不揮発
性メモリ4の指定アドレスへの格納を行う。処理終了
後、ステップS25へ処理を進める。ステップS25で
は、制御装置1はバックアップに指定されたアドレスが
不揮発性メモリ4内のターゲットアドレス領域7である
かの判断を行っている。ここで、指定されたアドレスが
ターゲットアドレス領域7で無ければ、処理を上記ステ
ップS23に戻す。指定されたアドレスがターゲットア
ドレス領域7であれば、ステップS26へ処理を進め
る。
【0080】ステップS26において、揮発性メモリ3
内のカウント用計数領域6には、不揮発性メモリ4内の
ターゲットアドレス領域7に前回までに書き込まれた総
回数が代入されており、制御装置1は揮発性メモリ3内
のカウント用計数領域6の値に1加算する。処理終了
後、ステップS27へ処理を進める。ステップS27で
は、制御装置1は上記ステップS26で1加算された揮
発性メモリ3内のカウント用計数領域6の値を、不揮発
性メモリ4内のカウント値格納領域8にバックアップデ
ータとして格納する。処理終了後、上記ステップS23
に戻り、バックアップ要求を待つ。
【0081】上記制御において、制御装置1は、不揮発
性メモリ4内のカウント値格納領域8に格納されている
値を表示装置5により表示させると共に、書き込み回数
が最も多いと考えられる不揮発性メモリ4内のターゲッ
トアドレス領域7への書き込み回数を表示装置5により
表示させる。
【0082】本発明の第1の実施の形態では、本バック
アップ記憶装置における不揮発性メモリ4内のターゲッ
トアドレス領域7へのバックアップ要求毎に、不揮発性
メモリ4内のカウント値格納領域8へカウント値の格納
を行っているが、例えば、本バックアップ記憶装置を内
蔵する製品の電源OFF時に、揮発性メモリ3内のカウ
ント用計数領域6から不揮発性メモリ4内のカウント値
格納領域8にデータをバックアップし、カウント値格納
領域8への書き込み回数を減らすことが可能であること
は言うまでもない。
【0083】以上説明したように、本発明の第1の実施
の形態に係るバックアップ記憶装置によれば、制御装置
1により、揮発性メモリ3の全アドレス領域の内、書き
込み回数が最も多いと考えられるターゲットアドレス領
域7への書き込み回数をカウントし、カウントしたカウ
ント値を不揮発性メモリ4のカウント値格納領域8に格
納し、カウント値を表示装置5に表示する制御を行う構
成としているため、下記のような作用及び効果を奏す
る。
【0084】不揮発性メモリ4の全アドレス領域のう
ち、最も書き込み回数が多いと予想されるアドレス領域
への書き込み回数をカウントし、そのカウント値を表示
することにより、不揮発性メモリ4の寿命をサービスマ
ン等が確認することが可能となる効果を奏する。
【0085】[第2の実施の形態]図3は本発明の第2
の実施の形態に係る画像形成装置の内部構造を示す構成
図である。本発明の第2の実施の形態に係る画像形成装
置は、本体画像出力部10と、本体画像入力部11と、
自動原稿送り装置12と、ソータ13とを備える構成と
なっている。また、本発明の第2の実施の形態に係る画
像形成装置は、上記第1の実施の形態で説明した、制御
装置1と、固定記憶メモリ2と、カウント用計数領域6
を有する揮発性メモリ3と、ターゲットアドレス領域7
及びカウント値格納領域8を有する不揮発性メモリ4
と、表示装置5とを備えたバックアップ記憶装置(上記
図1参照)を内蔵している。
【0086】上記構成を詳述すると、本体画像出力部1
0は、記録紙に原稿画像を形成し出力する。本体画像入
力部11は、原稿から画像データを読み取る。自動原稿
送り装置12は、本体画像入力部11の上部に装着され
ており、読取対象の原稿を自動給送する。ソータ13
は、本体画像出力部10から搬送されてきた画像形成済
み記録紙(コピー用紙)を複数のビンに仕分けして排出
する。本画像形成装置はディジタル複写機として構成さ
れており、原稿上の画像は本体画像入力部11のCCD
26により画素化され画像データとして読み込まれ、必
要な画像処理が行われた後、画像メモリに蓄えられる。
その画像データは本体画像出力部10に転送され、画像
再生して記録紙にコピーされる。
【0087】本体画像入力部11は、該本体画像入力部
11上面の原稿台に載置された原稿を照射しながら走査
する光源21を備える。光源21は光学系モータ(図示
略)から駆動力を得て、図3の左右方向に往復駆動され
る。光源21から発生した光は原稿台上に載置された原
稿により反射され、光学像が得られる。その光学像をミ
ラー22、23、24及びレンズ25を介してCCD2
6に伝送される。また、ミラー22、23、24は光源
21と一体的に駆動される。
【0088】CCD26は光を電気信号に変換する光電
変換素子により構成されており、伝送されてきた光学像
がCCD26の上記光電変換素子の働きにより電気信号
に変換され、更にディジタル信号(画像データ)に変換
される。本体画像入力部11における各調整値は、本画
像形成装置に内蔵されているバックアップ記憶装置によ
り記憶される。また、読み込まれた原稿の画像データ
は、種々の補正処理とユーザの希望する処理による画像
処理が加えられ、画像メモリ(図示略)に蓄積される。
上記画像処理部における各調整値は、本画像形成装置に
内蔵されているバックアップ記憶装置により記憶され
る。
【0089】本体画像出力部10は、画像メモリに蓄積
された画像データを読み出し、ディジタル信号からアナ
ログ信号に再変換し、更に本体画像出力部10内の露光
制御部(図示略)により適正な出力値に増幅し、本体画
像出力部10内の光学照射部27により光信号に変換す
る。その光信号は本体画像出力部10内のスキャナ2
8、レンズ29及びミラー30を伝播して、感光ドラム
31上に照射され静電による潜像が形成される。この潜
像はトナーにより画像を形成し、本体画像出力部10内
を搬送されてくる記録紙上に転写され、更に定着ローラ
32により記録紙上にトナーが定着され、画像データが
記録され、ソータ13に送られる。上記の本体画像出力
部10における各調整値は、本画像形成装置に内蔵され
ているバックアップ記憶装置により記憶される。
【0090】ソータ13は、本体画像出力部10の側部
(図3で左側)に設置されている装置であり、本体画像
出力部10から出力された記録紙を複数の排紙トレイ3
3に仕分けして排紙する処理を行う。複数の排紙トレイ
33は本体制御部(図示略)により制御され、出力され
た記録紙は本体制御部が指示した任意の排紙トレイ33
に排出される。
【0091】他方、本体画像出力部10内の下部には給
紙トレイ34、35が配設されており、記録紙をある程
度蓄積しておくことが可能である。本体制御部により、
給紙トレイ34、35に蓄積された記録紙を搬送し画像
出力を行う。更に、本体画像出力部10の側部(図3で
右側)には給紙デッキ36が配設されており、記録紙を
大量に蓄積しておくことが可能である。上記給紙トレイ
34、35と同様に、本体制御部により、給紙デッキ3
6に蓄積された記録紙を搬送し画像出力を行う。上記給
紙トレイ34、35は操作者により記録紙がセットされ
るが、その際、記録紙のサイズや向きの設定が行われる
が、記録紙サイズ/向きの設定データは、本画像形成装
置に内蔵されているバックアップ記憶装置により記憶さ
れる。
【0092】更に、本体画像出力部10の側部(図3で
右側)には手差しトレイ37が配設されており、操作者
が少数の任意種類の記録紙(コピー用紙)を比較的容易
に給紙することが可能である。また、この手差しトレイ
37は、OHPシートや厚紙、はがきサイズ紙など特殊
な記録紙を使用する場合にも使用される。本体画像出力
部10内に配設されている給紙ローラ38、39、4
0、41、42は紙搬送用のローラであり、各ローラ3
8〜42はコピー出力処理の給紙を行う際、記録紙を実
際に搬送する役割を担っている。その際にも、本画像形
成装置に内蔵されているバックアップ記憶装置には、コ
ピー枚数のカウント値やプリント枚数のカウント値が記
憶される。
【0093】図4は本発明の第2の実施の形態に係る画
像形成装置の画像形成装置制御部とバックアップ記憶装
置制御部の構成を示すブロック図である。本発明の第2
の実施の形態に係る画像形成装置は、画像形成装置制御
部45と、バックアップ記憶装置制御部46とを備える
構成となっている。
【0094】上記構成を詳述すると、画像形成装置制御
部45により、本画像形成装置に内蔵されているバック
アップ記憶装置に対する上記各データの書き込み/読み
出しが行われる場合、バックアップ記憶装置制御部46
は、高速に読み書き可能である揮発性メモリへの書き込
み/読み出し処理を行う。揮発性メモリから不揮発性メ
モリへのバックアップ処理は、画像形成装置からのバッ
クアップ処理要求によっても行うことが可能な構成とな
っている。尚、本画像形成装置に内蔵されているバック
アップ記憶装置の構成は上記第1の実施の形態と同様で
あり、その詳細構成は上記第1の実施の形態で詳述した
ので説明を省略する。
【0095】以上説明したように、本発明の第2の実施
の形態に係る画像形成装置によれば、原稿を自動給送す
る自動原稿送り装置12、原稿から画像を読み取る本体
画像入力部11、記録紙に画像を形成する本体画像出力
部10、画像形成された記録紙を複数のビンに仕分けし
て排出するソータ13を備えると共に、上記第1の実施
の形態と同様構成を有するバックアップ記憶装置を内蔵
する構成としているため、下記のような作用及び効果を
奏する。
【0096】画像形成装置に搭載されたバックアップ記
憶装置における不揮発性メモリの全アドレス領域のう
ち、最も書き込み回数が多いと予想されるアドレス領域
への書き込み回数をカウントし、そのカウント値を表示
することにより、不揮発性メモリの寿命をサービスマン
等が確認することが可能となる効果を奏する。
【0097】[第3の実施の形態]図5は本発明の第3
の実施の形態に係るバックアップ記憶装置の構成を示す
ブロック図である。本発明の第3の実施の形態に係るバ
ックアップ記憶装置は、制御装置51、固定記憶メモリ
(ROM)52、揮発性メモリ(DRAM)53、複数
個の不揮発性メモリ(EEPROM)54、55…、エ
ラー表示装置56を備える構成となっている。図中5
7、58は固定記憶メモリ52に蓄積されている判別符
号の領域、59は不揮発性メモリ54に蓄積されている
判別符号の領域、60は不揮発性メモリ55に蓄積され
ている判別符号の領域である。
【0098】上記構成を詳述すると、制御装置51は、
本装置全体を制御するものであり、上述の本発明のプロ
グラムに基づき図6〜図9のフローチャートに示す処理
を実行する。固定記憶メモリ52は、読み出しのみ可能
なメモリである。揮発性メモリ53は、読み出し及び書
き込みが可能なメモリである。不揮発性メモリ54、5
5は、本装置の外部からの電源供給が遮断された場合の
データを蓄積するメモリであり、固定記憶メモリ52及
び揮発性メモリ53との間でデータのやり取りを行う。
エラー表示装置56は、不揮発性メモリ54、55に格
納されているデータが破壊された旨を表示する。
【0099】固定記憶メモリ52は、本実施形態ではマ
スクROMが記憶デバイスとして採用されている。マス
クROMは電源或いはアースに線を接続することにより
記憶されるので、蓄積させておきたいデータを予めマス
クとして用意し、ウェハ上にステッパで焼き付けて製造
されるデバイスである。そのため、マスクROMに書き
込まれているデータは消去及び書き込みを行うことは不
可能である。しかし、必要な回路は基本的には番地選択
回路のみであり、大容量化が容易である。本実施形態に
おいては、固定記憶メモリ2はバックアップ記憶装置の
初期状態のデータを蓄積している装置である。
【0100】揮発性メモリ53は、本実施形態ではDR
AMが使用されている。DRAMの記憶原理は、1ビッ
トに相当する情報をコンデンサの電荷で蓄積するもので
ある。即ち、コンデンサに電荷が溜まっていれば
“1”、溜まっていなければ“0”(またはその逆でも
可)とする情報を表現するデバイスである。しかし、コ
ンデンサに電圧を加えていなければ時間が経つにつれコ
ンデンサに蓄積されている電荷量は減少してしまい、情
報を保持できなくなってしまう。従って、DRAMにお
いては一定周期でコンデンサに電荷を蓄えなおす作業
(リフレッシュ)を行う必要がある。逆にいえばリフレ
ッシュ作業以外ではDRAMに電力を供給する必要が無
く、低電力で大量の情報を保持可能なデバイスである。
また、DRAMの特徴として、比較的高速な読み出し動
作、書き込み動作が可能である。そのため、システムの
CPUやASIC(特定用途向けIC)等のデータの一
時保管に広く利用されている。
【0101】一方、揮発性メモリとしてはSRAMも広
く利用されている。SRAMは、フリップフロップのよ
うにトランジスタを複数個組み合わせて1ビットに相当
する情報を蓄積するデバイスである。トランジスタのみ
で情報を記憶させるため、DRAMよりも更に高速の読
み出し動作、書き込み動作が可能である。しかし、SR
AMは、DRAMに比べ記憶容量が小さく、また消費電
力が大きいというデメリットがある。本実施形態におい
ては、揮発性メモリ3はバックアップ記憶装置が外部か
ら電力供給されているときに外部からのデータの読み出
し要求、書き込み要求に応えるための装置である。
【0102】不揮発性メモリ54、55…は、本実施形
態ではEEPROMが用いられている。EEPROMの
記憶原理は、どこにも接続されていないフローティング
ゲートを備えると共に、フローティングゲートに蓄えら
れた電荷により1ビットの情報を記憶するデバイスであ
る。このフローティングゲート型電界効果トランジスタ
に加える電圧によりフローティングゲートに電荷を溜め
たり、電荷を逃がしたりすることができる。即ち、電気
的にメモリ内の情報の消去及び書き込みが可能なメモリ
デバイスである。また、EEPROMは電気的に蓄積さ
れた情報を書き換えることが可能であるが、上述のDR
AMやSRAMと比べデータの書き込み時間が遅いとい
う欠点を持つ。本実施形態においては、このEEPRO
Mを複数個持つ構成となっている。また、バックアップ
記憶装置の外部からの電源供給が遮断された場合のデー
タをこの不揮発性メモリ54、55に蓄積する構成とな
っている。
【0103】制御装置51は、上記の固定記憶メモリ5
2、揮発性メモリ53、不揮発性メモリ54、55…の
それぞれを管理し、外部からのデータ転送要求や外部か
らの指示によるデータのバックアップを行う装置であ
り、また、本発明の特徴であるリカバリを行う装置でも
ある。また、制御装置51は、電源OFF検出機能、電
源遮断検出機能を有する。
【0104】上述したように、判別符号領域57、58
は固定記憶メモリ52に蓄積され、判別符号領域59は
不揮発性メモリ54に蓄積され、判別符号領域60は不
揮発性メモリ55に蓄積されている。判別符号は不揮発
性メモリ1つに対し1つ割り当てられており、それぞれ
独立したデータになっている。判別符号データは、8バ
イトや16バイトなど任意の適当なデータ長を持ってい
る。また、不揮発性メモリ54、55…の判別符号が正
しいか否かを判定するための正しいデータが固定記憶メ
モリ52の判別符号領域57、58にも蓄積されてい
る。判別符号を比較するとき、データ長の内1ビットで
も異なるデータが格納されていた場合、不揮発性メモリ
に格納されているデータが破壊されていると判断する。
もし不揮発性メモリに格納されているデータが破壊され
たと判断された場合、制御装置51はエラー表示装置5
6にエラー情報を表示し、不揮発性メモリに格納されて
いるデータが破壊されたことをユーザに伝える。
【0105】尚、バックアップ記憶装置は、電源OFF
時に確実に書き込みデータを不揮発性メモリに記憶可能
な電力、電源遮断時に揮発性メモリの書き込み回数デー
タを不揮発性メモリに書き込み可能な電力を有する。こ
の場合、電力とは充電可能な電池による電力、コンデン
サによる電力である。
【0106】次に、上記の如く構成された本発明の第3
の実施の形態に係るバックアップ記憶装置における動作
を図6〜図9を参照しながら詳細に説明する。
【0107】最初に、バックアップ記憶装置において複
数個の不揮発性メモリ54、55…の判別符号を判定
し、バックアップ記憶装置の電源供給時に揮発性メモリ
53にデータを展開する手順について図6・図7のフロ
ーチャートに基づき説明する。先ず符号について説明す
る。図中、ErrFlag[]は各不揮発性メモリ5
4、55…の判別符号の状態を格納する配列変数であ
り、不揮発性メモリの数分が用意されている。EEPR
OMFlag[]は各不揮発性メモリの順番の値を格納
する配列変数であり、不揮発性メモリの数分が用意され
ている。EEPROMID[]は各不揮発性メモリの判
別符号の値を格納する配列変数であり、不揮発性メモリ
の数分が用意されている。i、jは判別符号の判定を行
っている不揮発性メモリの番号を格納するための変数で
あり、NUMは不揮発性メモリの数を示す定数である。
【0108】本処理はバックアップ記憶装置に外部から
電源が供給されたとき、一番最初に制御装置51により
行われる処理である。処理スタート後、ステップS20
1へ処理を進める。ステップS201においては、全て
のErrFlag[]を“0”にする初期化処理を行っ
ている。初期化処理終了後、ステップS202へ処理を
進める。ステップS202では、EEPROMFlag
[]の内容を有り得ない値に初期化する。そしてステッ
プS203に進む。
【0109】ステップS203においては、変数iに第
1の不揮発性メモリを指し示す値である“0”を入れる
処理を行っている。次にステップS204へ処理を進め
る。ステップS204では、EEPROMの数分だけル
ープするようにiの数がNUMになるまでステップS2
05に進むように分岐を設けている。ステップS205
では、i番目のEEPROMの符号をリードし、EEP
ROMID[i]に格納する。そしてステップS206
に進む。ステップS206では、iの値を1プラスして
上記ステップS204に戻る。ステップS204では、
iの値がEEPROMの数になった時点でステップS2
07に進む。
【0110】ステップS207では、変数iを0にクリ
アし、ステップS208に進む。ステップS208で
は、上記ステップS204と同じようにEEPROMの
数分だけループするように分岐を設ける。iの値がNU
M以下の場合にはステップS209に進み、NUMの値
より大きくなればステップS215に進む。ステップS
209では、変数jを0にクリアし、ステップS210
に進む。ステップS210では、jの値がNUM以下の
場合にはステップS211に進み、NUMの値より大き
くなればステップS214に進む。ステップS211で
は、上記ステップS205でリードしたi番目の符号と
ROM52に記憶されているj番目の符号とを比較し、
一致していればステップS212に進む。一致していな
ければステップS213に進む。
【0111】ステップS212では、一致した番号をE
EPROMFlag[i]にjとして格納する。そして
ステップS214に進む。ステップS213では、jの
値を1プラスして上記ステップS210に戻る。ステッ
プS214では、iの値を1プラスして上記ステップS
208に戻る。ステップS215では、上記ステップS
208からステップS214で検知したEEPROMの
順番が正しいかどうかをチェックするルーチンに入りこ
の処理を終了する。
【0112】次に、バックアップ記憶装置の動作中に不
揮発性メモリ(EEPROM)54、55…にデータを
書き込む処理及び書き込み回数データ加算処理、揮発性
メモリ53にデータを書き込む処理について図8のフロ
ーチャートに基づき説明する。ステップS301では、
データ書き込み要求があるかをチェックし、書き込み要
求があった場合にはステップS302に進む。書き込み
要求がなければそのまま処理を終了する。ステップS3
02では、揮発性メモリ53にデータを書き込み、ステ
ップS303に進む。ステップS303では、このデー
タがEEPROMにあるかどうかをチェックし、EEP
ROM登録データであればステップS304に進む。そ
うでなければ上記ステップS301に戻る。
【0113】ステップS304では、今書き込まれたデ
ータが重要なデータであるかどうかを検索し、登録され
ていればステップS305に進む。登録されていなけれ
ばそのまま上記ステップS301に戻る。ステップS3
05では、他の処理でEEPROMを使用しているかど
うかをチェックし、他の処理で使用している場合にはス
テップS305で待機する。他の処理で使用していない
時、使用が終了した場合には現在この処理がEEPRO
Mを使用中であるというフラグをセットし、ステップS
306に進む。ステップS306では、EEPROMに
書き込む処理を行う。先ずデータの存在している第1記
憶領域のアドレスからEEPROMのアドレスを計算
し、計算されたアドレスにデータを書き込む。そしてス
テップS308に進む。ステップS308では、EEP
ROM使用中のフラグをリセットし、上記ステップS3
01に戻る。
【0114】次に、バックアップ記憶装置における外部
電源OFF時の処理を図9のフローチャートに基づき説
明する。ステップS401では、電源OFFかどうかを
チェックし、電源OFFになっていなければそのままス
テップS401を続ける。電源OFFになった場合には
ステップS402に進む。ステップS402では、EE
PROMに書き込み動作を行うためのデータの検索を行
う。そしてステップS403に進む。ステップS403
では、データ書き込みが終了している場合にはステップ
S406に進み、終了していない場合にはステップS4
04に進む。
【0115】ステップS404では、通常動作中にEE
PROMに書き込みしていなかったデータに関してEE
PROMへの書き込みを行う。そしてステップS405
に進む。ステップS405では、EEPROMに書き込
んだデータに対する書き込み回数データを加算し、上記
ステップS403に戻る。ステップS406では、最終
的に電源OFFとなるために、揮発性メモリ53に記憶
されていた書き込み回数データをEEPROMに書き込
んで終了する。また、通常、装置によってデータ書き込
み回数が多いものは判明しているので、書き込み回数の
データは一番多く書き込まれたデータに対してのみ行う
ことで、上記ステップS403からステップS405の
ループ回数中1回しか処理しなくても済むこともある。
【0116】以上説明したように、本発明の第3の実施
の形態に係るバックアップ記憶装置によれば、外部電源
がOFFとなった場合、制御装置51により、不揮発性
メモリに書き込み動作を行うためのデータの検索を行
い、通常動作中に不揮発性メモリに書き込みしていなか
ったデータに関して不揮発性メモリへの書き込みを行
い、不揮発性メモリに書き込んだデータに対する書き込
み回数データを加算し、揮発性メモリ53に記憶されて
いた書き込み回数データを不揮発性メモリに書き込む制
御を行う構成としているため、下記のような作用及び効
果を奏する。
【0117】複数個の不揮発性メモリ(EEPROM)
等を用いたバックアップメモリを有するバックアップ記
憶装置において、動作中は、不揮発性メモリへの書き込
み回数を極力減らし且つ正確な書き込み回数を記憶させ
るために、電源ON時に不揮発性メモリから揮発性メモ
リにデータを展開し、電源ON中は極力、揮発性メモリ
上でデータの更新を行い、課金に関わるようなデータに
関してはその都度、不揮発性メモリに書き込みを行う。
また、不揮発性メモリにデータを書き込んだ場合には、
書き込み回数データも加算する。但し、書き込み回数制
限を超えないようにするため、書き込み回数データの不
揮発性メモリへの書き込みは行わない。
【0118】このようにすることで、重要なデータに関
しては、その都度データを書き込み、それ以外のデータ
及び書き込み回数データに関しては、電源OFF時に行
うようにする。これにより、書き込み回数データを単に
書き込むことによる書き込み回数データでの書き込み回
数制限を抑えることができ、装置寿命より長く不揮発性
メモリを使用することができ、且つ書き込み回数を把握
することで不揮発性メモリの寿命を判断することが可能
となる。
【0119】即ち、外部電源OFF時に、一番データ書
き込み回数が多いデータ書き込み回数のみを不揮発性メ
モリ(EEPROM)に書き込んで記憶することで、不
揮発性メモリ(EEPROM)のデータを寿命近くまで
使用することが可能となる効果を奏する。
【0120】[第4の実施の形態]図3は本発明の第4
の実施の形態に係る画像形成装置の内部構造を示す構成
図である。本発明の第4の実施の形態に係る画像形成装
置は、上記第2の実施の形態と同様に、本体画像出力部
10と、本体画像入力部11と、自動原稿送り装置12
と、ソータ13とを備える構成となっている。また、本
発明の第4の実施の形態に係る画像形成装置は、上記第
3の実施の形態で説明した、制御装置51と、判別符号
領域57、58を有する固定記憶メモリ52と、揮発性
メモリ53と、判別符号領域59、60を各々有する不
揮発性メモリ54、55…と、エラー表示装置56とを
備えたバックアップ記憶装置(上記図5参照)を内蔵し
ている。画像形成装置各部の構成については上記第2の
実施の形態で詳述したので説明を省略する。
【0121】図4は本発明の第4の実施の形態に係る画
像形成装置の画像形成装置制御部とバックアップ記憶装
置制御部の構成を示すブロック図である。本発明の第4
の実施の形態に係る画像形成装置は、上記第2の実施の
形態と同様に、画像形成装置制御部45と、バックアッ
プ記憶装置制御部46とを備える構成となっている。画
像形成装置制御部とバックアップ記憶装置制御部の構成
については上記第2の実施の形態で詳述したので説明を
省略する。
【0122】以上説明したように、本発明の第4の実施
の形態に係る画像形成装置によれば、原稿を自動給送す
る自動原稿送り装置12、原稿から画像を読み取る本体
画像入力部11、記録紙に画像を形成する本体画像出力
部10、画像形成された記録紙を複数のビンに仕分けし
て排出するソータ13を備えると共に、上記第3の実施
の形態と同様構成を有するバックアップ記憶装置を内蔵
する構成としているため、下記のような作用及び効果を
奏する。
【0123】画像形成装置に搭載されたバックアップ記
憶装置における不揮発性メモリの全アドレス領域のう
ち、最も書き込み回数が多いと予想されるアドレス領域
への書き込み回数をカウントし、そのカウント値を表示
することにより、不揮発性メモリの寿命をサービスマン
等が確認することが可能となる効果を奏する。
【0124】[第5の実施の形態]図10は本発明の第
5の実施の形態に係るバックアップ記憶装置の構成を示
すブロック図である。本発明の第5の実施の形態に係る
バックアップ記憶装置は、制御装置111、固定記憶メ
モリ(ROM)112、揮発性メモリ(DRAM)11
3、複数個の不揮発性メモリ(EEPROM)114、
115…、エラー表示装置116を備える構成となって
いる。図中121、122は固定記憶メモリ112に蓄
積されている判別符号の領域、131、132は不揮発
性メモリ114内部でブロック分割化された領域(1、
2)の判別符号の領域、141、142は不揮発性メモ
リ115内部でブロック分割化された領域(1、2)の
判別符号の領域である。不揮発性メモリ115は不揮発
性メモリ114のバックアップ用として用意されている
ため、不揮発性メモリ114が使用可能状態にあるとき
は、不揮発性メモリ115は未使用状態にある。
【0125】上記構成を詳述すると、制御装置111
は、本装置全体を制御するものであり、上述の本発明の
プログラムに基づき図11〜図13のフローチャートに
示す処理を実行する。固定記憶メモリ112は、読み出
しのみ可能なメモリである。揮発性メモリ113は、読
み出し及び書き込みが可能なメモリである。不揮発性メ
モリ114、115は、本装置の外部からの電源供給が
遮断された場合のデータを蓄積するメモリであり、固定
記憶メモリ112及び揮発性メモリ113との間でデー
タのやり取りを行う。エラー表示装置116は、不揮発
性メモリ114、115に格納されているデータが破壊
された旨を表示する。
【0126】固定記憶メモリ112は、本実施形態では
マスクROMが記憶デバイスとして採用されている。マ
スクROMは電源或いはアースに線を接続することによ
り記憶されるので、蓄積させておきたいデータを予めマ
スクとして用意し、ウェハ上にステッパで焼き付けて製
造されるデバイスである。そのため、マスクROMに書
き込まれているデータは消去及び書き込みを行うことは
不可能である。しかし、必要な回路は基本的には番地選
択回路のみであり、大容量化が容易である。本実施形態
においては、固定記憶メモリ112はバックアップ記憶
装置の初期状態のデータを蓄積している装置である。
【0127】揮発性メモリ113は、本実施形態ではD
RAMが使用されている。DRAMの記憶原理は、1ビ
ットに相当する情報をコンデンサの電荷で蓄積するもの
である。即ち、コンデンサに電荷が溜まっていれば
“1”、溜まっていなければ“0”(またはその逆でも
可)とする情報を表現するデバイスである。しかし、コ
ンデンサに電圧を加えていなければ時間が経つにつれコ
ンデンサに蓄積されている電荷量は減少してしまい、情
報を保持できなくなってしまう。従って、DRAMにお
いては一定周期でコンデンサに電荷を蓄えなおす作業
(リフレッシュ)を行う必要がある。逆にいえばリフレ
ッシュ作業以外ではDRAMに電力を供給する必要が無
く、低電力で大量の情報を保持可能なデバイスである。
また、DRAMの特徴として、比較的高速な読み出し動
作、書き込み動作が可能である。そのため、システムの
CPUやASIC(特定用途向けIC)等のデータの一
時保管に広く利用されている。
【0128】一方、揮発性メモリとしてはSRAMも広
く利用されている。SRAMは、フリップフロップのよ
うにトランジスタを複数個組み合わせて1ビットに相当
する情報を蓄積するデバイスである。トランジスタのみ
で情報を記憶させるため、DRAMよりも更に高速の読
み出し動作、書き込み動作が可能である。しかし、SR
AMは、DRAMに比べ記憶容量が小さく、また消費電
力が大きいというデメリットがある。本実施形態におい
ては、揮発性メモリ3はバックアップ記憶装置が外部か
ら電力供給されているときに外部からのデータの読み出
し要求、書き込み要求に応えるための装置である。
【0129】不揮発性メモリ114、115…は、本実
施形態ではEEPROMが用いられている。EEPRO
Mの記憶原理は、どこにも接続されていないフローティ
ングゲートを備えると共に、フローティングゲートに蓄
えられた電荷により1ビットの情報を記憶するデバイス
である。このフローティングゲート型電界効果トランジ
スタに加える電圧によりフローティングゲートに電荷を
溜めたり、電荷を逃がしたりすることができる。即ち、
電気的にメモリ内の情報の消去及び書き込みが可能なメ
モリデバイスである。また、EEPROMは電気的に蓄
積された情報を書き換えることが可能であるが、上述の
DRAMやSRAMと比べデータの書き込み時間が遅い
という欠点を持つ。本実施形態においては、このEEP
ROMを複数個持つ構成となっている。また、バックア
ップ記憶装置の外部からの電源供給が遮断された場合の
データをこの不揮発性メモリ114、115に蓄積する
構成となっている。
【0130】制御装置111は、上記の固定記憶メモリ
112、揮発性メモリ113、不揮発性メモリ114、
115…のそれぞれを管理し、外部からのデータ転送要
求や外部からの指示によるデータのバックアップを行う
装置である。また、本発明の特徴であるリカバリを行う
装置でもある。
【0131】上述したように、判別符号領域121、1
22は固定記憶メモリ52に蓄積され、判別符号領域1
31、132は不揮発性メモリ114内部でブロック分
割化された領域(1、2)に蓄積され、判別符号領域1
41、142は不揮発性メモリ115内部でブロック分
割化された領域(1、2)に蓄積されている。判別符号
は全て独立した値が割り当てられており、この値によっ
て、固定記憶メモリ112の各領域と、不揮発性メモリ
114、115…の各領域とが結び付けられている。但
し、不揮発性メモリ115は、不揮発性メモリ114の
バックアップ用として用意されているので、不揮発性メ
モリ114が使用されている場合、不揮発性メモリ11
5の判別符号領域141、142は未使用状態になって
いる。そして、電源投入時には、固定記憶メモリ112
の判別符号によって不揮発性メモリ内部ブロックに対応
している揮発性メモリ113のアドレス領域にデータ展
開を行う。
【0132】判別符号データは、8バイトや16バイト
など任意の適当なデータ長を持ち、また、使用されてい
ない未使用な不揮発性メモリの領域については、既定デ
ータである0が書き込まれている。また、ブロック領域
の書き込み限界数を超えてしまったために不揮発性メモ
リのブロック領域に書き込みが行えなくなった場合に
は、不揮発性メモリの判別符号を破壊することで(=本
例では既定データである0xffffを書き込む)、そ
の領域は使用不可として処理することが可能となる。そ
して、判別符号を比較するとき、データがぴったり一致
したときのみ、不揮発性メモリ内部ブロックに蓄積され
ているデータが有効として処理を行う。もし固定記憶メ
モリ112の領域の判別符号が不揮発性メモリ内部ブロ
ックの判別符号領域に見当たらない場合や、2つ以上の
同じ判別符号データがあったと判断された場合、制御装
置111はエラー表示装置116にエラー情報を表示
し、不揮発性メモリ内部ブロックに格納されているデー
タが破壊されたことをユーザに伝える。
【0133】次に、上記の如く構成された本発明の第5
の実施の形態に係るバックアップ記憶装置における動作
を図11〜図13を参照しながら詳細に説明する。
【0134】最初に、バックアップ記憶装置における不
揮発性メモリ114の内部複数ブロックにデータをバッ
クアップする手順について図11のフローチャートに基
づき説明する。処理スタート後、ステップS501で、
揮発性メモリ113上にあるバックアップデータ(領域
1)をアドレス対応する固定記憶メモリ112の領域1
の判別符号121が、不揮発性メモリ114内部ブロッ
クの領域1の判別符号131と一致したことにより、不
揮発性メモリ114内部ブロックの領域1にバックアッ
プデータを格納する。その後、ステップS502で、バ
ックアップしたデータを格納先である不揮発性メモリ1
14内部ブロックから読み出しを行い、データが一致す
るかどうかを判定する。
【0135】上記ステップS502の判定でバックアッ
プデータが正常に書き込まれたと判定された場合は、そ
のまま処理を終了する。しかし、上記ステップS502
の判定でバックアップデータが正常に書き込まれなかっ
たと判定された場合は、ステップS503で、不揮発性
メモリ114内部ブロックの判別符号領域に空きがある
かどうかを検索する。空きがある場合は、ステップS5
04で、不揮発性メモリ114内部ブロックの判別符号
領域のデータが0になっている空き領域があるかどうか
を判定し、空き領域があると判定された場合は、続いて
ステップS505で、空き判別符号領域に上記ステップ
S502の処理で書き込みができなかった判別符号を新
しく空いている判別符号領域に書き込み、対応するデー
タ領域にバックアップデータを書き込む。
【0136】ステップS506では、上記ステップS5
05の処理の後に、上記ステップS502の処理で書き
込みができなかった判別符号領域に破壊データ(0xf
fff)を書き込み、処理を終了する。また、上記ステ
ップS504の判定で空き領域が無いと判定された場合
には、ステップS507で、不揮発性メモリ114のデ
ータ全てと上記ステップS502で書き込みができなか
ったデータを組み合わせて、不揮発性メモリ115上に
コピーを行う。ステップS507の後、ステップS50
8で、不揮発性メモリ114を使用不能にするために、
全ての内部ブロックの判別符号領域に破壊データ(0x
ffff)を書き込み、処理を終了する。
【0137】尚、上記ステップS508の処理が起きた
場合は、後日サービスマンのサービス対応で使用不能に
なった不揮発性メモリ114を交換することで、再びバ
ックアップ用の不揮発性メモリを用意する。また、上記
ステップS508の処理で使用不能になった不揮発性メ
モリ114の内容は、サービス対応時、上記図10のエ
ラー表示装置116の表示にて確認可能である。
【0138】本実施形態での不揮発性メモリは装置本体
に脱着が可能なために、単純に置き換えることで交換は
可能である。そしてまた、上記図11の処理が行われて
いる時は、外部からの不揮発性メモリへのアクセスは禁
止とすることで、バックアップ書き込み動作が正常に行
われるようにする。
【0139】次に、バックアップ記憶装置における不揮
発性メモリ114、115の初期化処理について図12
のフローチャートに基づき説明する。この初期化処理
は、工場出荷時に必ず行われるもので、上述した不揮発
性メモリ114、115の判別符号領域を初期化するの
を目的とする。尚、上述したサービス対応での交換用の
不揮発性メモリは、ステップS600の初期化処理のみ
を行っているものとする。先ずステップS600の処理
として、不揮発性メモリ114、115の判別符号領域
を全て空き領域にするために、全判別符号領域に0を書
き込んで初期化を行う。その後にステップS601で、
固定記憶メモリ112の領域の判別符号を不揮発性メモ
リ114の頭の空き領域から順々に入れていき、処理を
終了する。
【0140】次に、電源投入時にバックアップ記憶装置
における不揮発性メモリ114または不揮発性メモリ1
15から揮発性メモリ113の領域にデータをコピーす
ることで、初期データを読み込む処理について図13の
フローチャートに基づき説明する。この電源投入処理を
行うことで、バックアップデータの比較的高速な読み出
し動作、書き込み動作が可能となる。先ず最初にステッ
プS700で、不揮発性メモリ114(或いは、不揮発
性メモリ114が使用不能になっている場合は不揮発性
メモリ115)の内部ブロックの判別符号を全てチェッ
クする。ステップS700の後、ステップS701で、
揮発性メモリ113上にバックアップデータを展開する
ために、固定記憶メモリ112の各領域の判別符号と不
揮発性メモリ114内部ブロックの各領域の判別符号と
が一致した領域のデータを、固定記憶メモリ112の各
領域とアドレス対応する揮発性メモリ113上の各領域
にコピーする処理を行う。全領域のコピーが終了したら
処理を終了する。
【0141】以上説明したように、本発明の第5の実施
の形態に係るバックアップ記憶装置によれば、制御装置
111により、揮発性メモリ113からバックアップデ
ータを不揮発性メモリ114に格納し格納終了後、不揮
発性メモリ114からデータを読み出した結果、バック
アップデータが正常に書き込みができなかった場合、不
揮発性メモリ114の空き内部ブロックにバックアップ
データを格納し、空き内部ブロックの判別符号領域に上
記書き込みができなかった領域の判別符号を書き込み、
上記書き込みができなかった領域の判別符号領域の判別
符号を破壊する制御を行う構成としているため、下記の
ような作用及び効果を奏する。
【0142】EEPROMなどのアドレス毎に書き込み
限界回数が設定されている不揮発性メモリを用いたバッ
クアップ記憶装置においては、不揮発性メモリ内部をブ
ロック分割化すると共に、内部ブロックに各々判別符号
を持ち、そのブロックの書き込み限界に達したことでデ
ータの書き込みが行えなくなった場合に、自動的に不揮
発性メモリ内部ブロックに空きブロックがあるかどうか
を判別し、空きブロックがある場合は、新たに書き込み
ができなかったデータを書き込み、また空きブロックが
無い場合には、予備に用意してある不揮発性メモリにデ
ータを全てコピーすることで、不揮発性メモリの書き込
み失敗時のリカバリを行うことが可能であることが分か
る。
【0143】即ち、バックアップ記憶装置の不揮発性メ
モリ内部ブロックへデータをバックアップしバックアッ
プ終了後、不揮発性メモリからデータを読み出した結
果、バックアップデータが正常に書き込みができなかっ
た場合、不揮発性メモリの空き内部ブロックにバックア
ップデータを格納し、空き内部ブロックの判別符号領域
に正常に書き込みができなかった領域の判別符号を書き
込み、そして正常に書き込みができなかった領域の判別
符号領域の判別符号を破壊するという手法により、不揮
発性メモリのブロック毎の書き込み限界数を超えた場合
でも、不揮発性メモリの空き領域にデータ領域を移すこ
とで再びバックアップ動作を行うことが可能となる。
【0144】また、不揮発性メモリの空き領域が無くな
ってしまった場合でも、予備に不揮発性メモリを用意す
ることで予備の不揮発性メモリにデータをコピーし、書
き込みができなくなったブロックを持つ不揮発性メモリ
の全判別符号領域を破壊することで、バックアップ動作
を継続することが可能となる。そして、書き込みができ
なくなった不揮発性メモリについては後日サービスマン
対応で新品の不揮発性メモリを予備として用意すること
で、再び不揮発性メモリのバックアップの予備ができる
ことになる。
【0145】このことにより、バックアップ動作を繰り
返すことで不揮発性メモリのアドレス毎に設定された書
き込み限界回数に達した場合でも、自動的にバックアッ
プアドレスを変更していくことで、バックアップ不可能
によるサービスマンコールを避けることが可能となる効
果を奏する。
【0146】[第6の実施の形態]図3は本発明の第6
の実施の形態に係る画像形成装置の内部構造を示す構成
図である。本発明の第6の実施の形態に係る画像形成装
置は、上記第2の実施の形態と同様に、本体画像出力部
10と、本体画像入力部11と、自動原稿送り装置12
と、ソータ13とを備える構成となっている。また、本
発明の第6の実施の形態に係る画像形成装置は、上記第
5の実施の形態で説明した、制御装置111と、判別符
号領域121、122を有する固定記憶メモリ112
と、揮発性メモリ113と、判別符号領域131・13
2、141・142を各々有する不揮発性メモリ11
4、115…と、エラー表示装置116とを備えたバッ
クアップ記憶装置(上記図10参照)を内蔵している。
画像形成装置各部の構成については上記第2の実施の形
態で詳述したので説明を省略する。
【0147】図4は本発明の第6の実施の形態に係る画
像形成装置の画像形成装置制御部とバックアップ記憶装
置制御部の構成を示すブロック図である。本発明の第6
の実施の形態に係る画像形成装置は、上記第2の実施の
形態と同様に、画像形成装置制御部45と、バックアッ
プ記憶装置制御部46とを備える構成となっている。画
像形成装置制御部とバックアップ記憶装置制御部の構成
については上記第2の実施の形態で詳述したので説明を
省略する。
【0148】以上説明したように、本発明の第6の実施
の形態に係る画像形成装置によれば、原稿を自動給送す
る自動原稿送り装置12、原稿から画像を読み取る本体
画像入力部11、記録紙に画像を形成する本体画像出力
部10、画像形成された記録紙を複数のビンに仕分けし
て排出するソータ13を備えると共に、上記第5の実施
の形態と同様構成を有するバックアップ記憶装置を内蔵
する構成としているため、下記のような作用及び効果を
奏する。
【0149】画像形成装置に搭載されたバックアップ記
憶装置における不揮発性メモリの全アドレス領域のう
ち、最も書き込み回数が多いと予想されるアドレス領域
への書き込み回数をカウントし、そのカウント値を表示
することにより、不揮発性メモリの寿命をサービスマン
等が確認することが可能となる効果を奏する。
【0150】[他の実施の形態] (1)上述した本発明の第1、第3、第5の実施の形態
においては、バックアップ記憶装置単体の場合を例に上
げたが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発
明のバックアップ記憶装置を各種電子機器に搭載するこ
とが可能である。
【0151】(2)また、上述した本発明の第2、第
4、第6の実施の形態においては、バックアップ記憶装
置を内蔵した画像形成装置単体の場合を例に上げたが、
本発明はこれに限定されるものではなく、本発明のバッ
クアップ記憶装置を内蔵した画像形成装置と、例えばコ
ンピュータ等の情報処理装置やプリンタ等の印刷装置と
を接続したシステムに適用することも可能である。
【0152】尚、本発明は、複数の機器から構成される
システムに適用しても、1つの機器からなる装置に適用
してもよい。上述した実施形態の機能を実現するソフト
ウエアのプログラムコードを記憶した記憶媒体を、シス
テム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコ
ンピュータ(またはCPUやMPU)が記憶媒体に格納
されたプログラムコードを読み出し実行することによっ
ても、達成されることは言うまでもない。
【0153】この場合、記憶媒体から読み出されたプロ
グラムコード自体が上述した実施形態の機能を実現する
ことになり、そのプログラムコードを記憶した記憶媒体
は本発明を構成することになる。プログラムコードを供
給するための記憶媒体としては、例えば、フロッピディ
スク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、
CD−ROM、CD−R、磁気テープ、不揮発性のメモ
リカード、ROMなどを用いることができる。
【0154】また、コンピュータが読出したプログラム
コードを実行することにより、上述した実施形態の機能
が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示
に基づき、コンピュータ上で稼働しているOSなどが実
際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上
述した実施形態の機能が実現される場合も含まれること
は言うまでもない。
【0155】更に、記憶媒体から読出されたプログラム
コードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードや
コンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメ
モリに書込まれた後、そのプログラムコードの指示に基
づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わる
CPUなどが実際の処理の一部または全部を行い、その
処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合
も含まれることは言うまでもない。
【0156】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1〜2記載
のバックアップ記憶装置、請求項3〜4記載の画像形成
装置、請求項5〜6記載のバックアップ記憶装置制御方
法、請求項7〜8記載の記憶媒体によれば、不揮発性記
憶手段の全アドレス領域のうち、最も書き込み回数が多
いと予想されるアドレス領域への書き込み回数をカウン
トし、そのカウント値を表示することにより、不揮発性
記憶手段の寿命をサービスマン等が確認することが可能
となる効果を奏する。
【0157】請求項9〜25記載のバックアップ記憶装
置、請求項26〜27記載の画像形成装置、請求項28
〜29記載のバックアップ記憶装置制御方法、請求項3
0〜31記載の記憶媒体によれば、外部電源OFF時
に、一番データ書き込み回数が多いデータ書き込み回数
のみを不揮発性記憶手段に書き込んで記憶することで、
不揮発性記憶手段のデータを寿命近くまで使用すること
が可能となる効果を奏する。
【0158】請求項32〜37記載のバックアップ記憶
装置、請求項38〜40記載の画像形成装置、請求項4
1〜43記載のバックアップ記憶装置制御方法、請求項
44〜46記載の記憶媒体によれば、バックアップ記憶
装置の不揮発性記憶手段の内部ブロックへデータをバッ
クアップしバックアップ終了後、不揮発性記憶手段から
データを読み出した結果、バックアップデータが正常に
書き込みができなかった場合、不揮発性記憶手段の空き
内部ブロックにバックアップデータを格納し、空き内部
ブロックの判別符号領域に正常に書き込みができなかっ
た領域の判別符号を書き込み、そして正常に書き込みが
できなかった領域の判別符号領域の判別符号を破壊する
という手法により、不揮発性記憶手段のブロック毎の書
き込み限界数を超えた場合でも、不揮発性記憶手段の空
き領域にデータ領域を移すことで再びバックアップ動作
を行うことが可能となる。
【0159】また、不揮発性記憶手段の空き領域が無く
なってしまった場合でも、予備に不揮発性記憶手段を用
意することで予備の不揮発性記憶手段にデータをコピー
し、書き込みができなくなったブロックを持つ不揮発性
記憶手段の全判別符号領域を破壊することで、バックア
ップ動作を継続することが可能となる。そして、書き込
みができなくなった不揮発性記憶手段については後日サ
ービスマン対応で新品の不揮発性記憶手段を予備として
用意することで、再び不揮発性記憶手段のバックアップ
の予備ができることになる。
【0160】このことにより、バックアップ動作を繰り
返すことで不揮発性記憶手段のアドレス毎に設定された
書き込み限界回数に達した場合でも、自動的にバックア
ップアドレスを変更していくことで、バックアップ不可
能によるサービスマンコールを避けることが可能となる
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係るバックアップ
記憶装置の構成を示すブロック図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態に係るバックアップ
記憶装置におけるバックアップ制御処理及びカウント処
理を示すフローチャートである。
【図3】本発明の第2、第4、第6の実施の形態に係る
画像形成装置の内部構造を示す構成図である。
【図4】本発明の第2、第4、第6の実施の形態に係る
画像形成装置の画像形成装置制御部とバックアップ記憶
装置制御部の構成を示すブロック図である。
【図5】本発明の第3の実施の形態に係るバックアップ
記憶装置の構成を示すブロック図である。
【図6】本発明の第3の実施の形態に係るバックアップ
記憶装置における複数個の不揮発性メモリの判別符号を
判定し揮発性メモリにデータを展開する手順を示すフロ
ーチャートである。
【図7】本発明の第3の実施の形態に係るバックアップ
記憶装置における複数個の不揮発性メモリの判別符号を
判定し揮発性メモリにデータを展開する手順を示すフロ
ーチャートである。
【図8】本発明の第3の実施の形態に係るバックアップ
記憶装置における装置動作中の処理を示すフローチャー
トである。
【図9】本発明の第3の実施の形態に係るバックアップ
記憶装置における装置電源OFF時の処理を示すフロー
チャートである。
【図10】本発明の第5の実施の形態に係るバックアッ
プ記憶装置の構成を示すブロック図である。
【図11】本発明の第5の実施の形態に係るバックアッ
プ記憶装置における不揮発性メモリの内部ブロックにデ
ータをバックアップする手順を示すフローチャートであ
る。
【図12】本発明の第5の実施の形態に係るバックアッ
プ記憶装置における不揮発性メモリの内部ブロックを初
期化する手順を示すフローチャートである。
【図13】本発明の第5の実施の形態に係るバックアッ
プ記憶装置における電源投入時のバックアップデータの
読み出し処理を示すフローチャートである。
【図14】本発明のプログラム及び関連データを記憶し
た記憶媒体の記憶内容の構成例を示す説明図である。
【図15】本発明のプログラム及び関連データが記憶媒
体から装置に供給される概念例を示す説明図である。
【符号の説明】
1、51、111 制御装置 2、52、112 固定記憶メモリ 3、53、113 揮発性メモリ 4、54、55、114、115 不揮発性メモリ 5 表示装置 10 本体画像出力部 11 本体画像入力部 56、116 エラー表示装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 直人 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 松井 規明 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 佐々木 一郎 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 伊勢村 圭三 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 大川 知志 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 仁村 光夫 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 5B018 GA04 GA10 HA23 JA26 KA01 KA03 KA14 KA22 NA06 QA05 RA11 5B082 AA13 DE06 JA04

Claims (46)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 データの読み出しが可能な第一記憶手段
    と、データの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手
    段と、前記第一及び前記第二記憶手段との間でデータの
    やり取りが可能な第三記憶手段とを有し、各種のバック
    アップデータを記憶するバックアップ記憶装置であっ
    て、 前記第三記憶手段の全アドレス領域のうち書き込み回数
    が最も多いと考えられるアドレス領域への書き込み回数
    をカウントすると共に、カウント値を前記第三記憶手段
    に格納する制御手段と、前記カウント値を表示する表示
    手段とを有することを特徴とするバックアップ記憶装
    置。
  2. 【請求項2】 前記第一記憶手段は固定記憶手段であ
    り、前記第二記憶手段は揮発性記憶手段であり、前記第
    三記憶手段は不揮発性記憶手段であることを特徴とする
    請求項1記載のバックアップ記憶装置。
  3. 【請求項3】 データの読み出しが可能な第一記憶手
    段、データの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手
    段、前記第一及び前記第二記憶手段との間でデータのや
    り取りが可能な第三記憶手段を有するバックアップ記憶
    装置と、画像読取手段と、画像形成手段とを具備し、前
    記画像読取手段により原稿から読取った画像を前記画像
    形成手段により記録紙上に形成すると共に、画像形成枚
    数や記録紙のサイズ/向きのデータ等を前記バックアッ
    プ記憶装置に記憶する画像形成装置であって、 前記バックアップ記憶装置は、前記第三記憶手段の全ア
    ドレス領域のうち書き込み回数が最も多いと考えられる
    アドレス領域への書き込み回数をカウントすると共に、
    カウント値を前記第三記憶手段に格納する制御手段と、
    前記カウント値を表示する表示手段とを有することを特
    徴とする画像形成装置。
  4. 【請求項4】 前記バックアップ記憶装置における前記
    第一記憶手段は固定記憶手段であり、前記第二記憶手段
    は揮発性記憶手段であり、前記第三記憶手段は不揮発性
    記憶手段であることを特徴とする請求項3記載の画像形
    成装置。
  5. 【請求項5】 データの読み出しが可能な第一記憶手段
    と、データの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手
    段と、前記第一及び前記第二記憶手段との間でデータの
    やり取りが可能な第三記憶手段とを有し、各種のバック
    アップデータを記憶するバックアップ記憶装置に適用さ
    れるバックアップ記憶装置制御方法であって、 前記第三記憶手段の全アドレス領域のうち書き込み回数
    が最も多いと考えられるアドレス領域への書き込み回数
    をカウントすると共に、カウント値を前記第三記憶手段
    に格納する制御工程と、前記カウント値を表示する表示
    工程とを有することを特徴とするバックアップ記憶装置
    制御方法。
  6. 【請求項6】 前記バックアップ記憶装置における前記
    第一記憶手段は固定記憶手段であり、前記第二記憶手段
    は揮発性記憶手段であり、前記第三記憶手段は不揮発性
    記憶手段であることを特徴とする請求項5記載のバック
    アップ記憶装置制御方法。
  7. 【請求項7】 データの読み出しが可能な第一記憶手段
    と、データの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手
    段と、前記第一及び前記第二記憶手段との間でデータの
    やり取りが可能な第三記憶手段とを有し、各種のバック
    アップデータを記憶するバックアップ記憶装置に適用さ
    れるバックアップ記憶装置制御方法を実行するプログラ
    ムを記憶したコンピュータにより読み出し可能な記憶媒
    体であって、 前記バックアップ記憶装置制御方法は、前記第三記憶手
    段の全アドレス領域のうち書き込み回数が最も多いと考
    えられるアドレス領域への書き込み回数をカウントする
    ように制御すると共に、カウント値を前記第三記憶手段
    に格納するように制御する制御ステップと、前記カウン
    ト値を表示するように制御する表示ステップとを有する
    ことを特徴とする記憶媒体。
  8. 【請求項8】 前記バックアップ記憶装置における前記
    第一記憶手段は固定記憶手段であり、前記第二記憶手段
    は揮発性記憶手段であり、前記第三記憶手段は不揮発性
    記憶手段であることを特徴とする請求項7記載の記憶媒
    体。
  9. 【請求項9】 データの読み出しが可能な第一記憶手段
    と、データの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手
    段と、前記第一及び前記第二記憶手段との間でデータの
    やり取りが可能な第三記憶手段とを有し、各種のバック
    アップデータを記憶するバックアップ記憶装置であっ
    て、 前記第二記憶手段、前記第三記憶手段は、最も多く書き
    込まれるデータに関して前記第三記憶手段の書き込み回
    数を記憶する書込回数記憶領域を各々有し、 前記第三記憶手段の前記書込回数記憶領域から前記第二
    記憶手段の前記書込回数記憶領域へ書き込み回数データ
    を転送する書込回数データ読出手段と、前記第二記憶手
    段の前記書込回数記憶領域の書き込み回数データを前記
    第三記憶手段の前記書込回数記憶領域に書き込む書込回
    数データ書込手段と、前記第二記憶手段の前記書込回数
    記憶領域の書き込み回数データを加算し、加算データを
    前記第二記憶手段及び前記第三記憶手段に書き込む第一
    書込手段と、前記加算データを前記第二記憶手段に書き
    込み且つ前記第三記憶手段には書き込まない第二書込手
    段とを有することを特徴とするバックアップ記憶装置。
  10. 【請求項10】 前記第一記憶手段は固定記憶手段であ
    り、前記第二記憶手段は揮発性記憶手段であり、前記第
    三記憶手段はデータの書き込み回数に制限がある複数設
    けられた不揮発性記憶手段であることを特徴とする請求
    項9記載のバックアップ記憶装置。
  11. 【請求項11】 前記第一書込手段と前記第二書込手段
    を切り替え制御する制御手段を有することを特徴とする
    請求項9記載のバックアップ記憶装置。
  12. 【請求項12】 電源がオフとなった場合、前記書込回
    数データ書込手段を動作させ確実に前記書き込み回数デ
    ータを前記第三記憶手段に記憶可能な電力を有すること
    を特徴とする請求項9記載のバックアップ記憶装置。
  13. 【請求項13】 前記電力とは、充電可能な電池による
    電力であることを特徴とする請求項記12載のバックア
    ップ記憶装置。
  14. 【請求項14】 前記電力とは、コンデンサによる電力
    であることを特徴とする請求項12記載のバックアップ
    記憶装置。
  15. 【請求項15】 電源オフを検出する電源オフ検出手段
    を有することを特徴とする請求項9記載のバックアップ
    記憶装置。
  16. 【請求項16】 前記電源オフ検出手段で電源オフを検
    出した場合、前記書込回数データ書込手段を動作させ前
    記書き込み回数データを前記第三記憶手段に記憶させる
    制御手段を有することを特徴とする請求項15記載のバ
    ックアップ記憶装置。
  17. 【請求項17】 電源が遮断されたことを検出する電源
    遮断検出手段を有することを特徴とする請求項9記載の
    バックアップ記憶装置。
  18. 【請求項18】 前記電源遮断検出手段で電源の遮断を
    検出した場合、前記書込回数データ書込手段を動作させ
    ることが可能な電力を有することを特徴とする請求項1
    7記載のバックアップ記憶装置。
  19. 【請求項19】 前記電力とは、充電可能な電池による
    電力であることを特徴とする請求項18記載のバックア
    ップ記憶装置。
  20. 【請求項20】 前記電力とは、コンデンサによる電力
    であることを特徴とする請求項18記載のバックアップ
    記憶装置。
  21. 【請求項21】 前記制御手段は、前記第一書込手段と
    前記第二書込手段の切り替え制御はデータの内容に応じ
    て行うことを特徴とする請求項11記載のバックアップ
    記憶装置。
  22. 【請求項22】 前記制御手段は、データが課金に関わ
    るデータの場合、前記第一書込手段に切り替えて前記課
    金に関わるデータの書き込みを行わせることを特徴とす
    る請求項11記載のバックアップ記憶装置。
  23. 【請求項23】 前記制御手段による前記第一書込手段
    と前記第二書込手段の切り替え制御は、前記第二記憶手
    段にデータ毎に登録されていることを特徴とする請求項
    11記載のバックアップ記憶装置。
  24. 【請求項24】 前記第二記憶手段に登録されているデ
    ータは、前記第一書込手段を使用するデータのみ登録さ
    れていることを特徴とする請求項23記載のバックアッ
    プ記憶装置。
  25. 【請求項25】 前記制御手段は、最も書き込み回数が
    多いデータの場合、前記第一書込手段に切り替えて前記
    最も書き込み回数が多いデータの書き込みを行わせるこ
    とを特徴とする請求項11記載のバックアップ記憶装
    置。
  26. 【請求項26】 データの読み出しが可能な第一記憶手
    段、データの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手
    段、前記第一及び前記第二記憶手段との間でデータのや
    り取りが可能な第三記憶手段を有するバックアップ記憶
    装置と、画像読取手段と、画像形成手段とを具備し、前
    記画像読取手段により原稿から読取った画像を前記画像
    形成手段により記録紙上に形成すると共に、画像形成枚
    数や記録紙のサイズ/向きのデータ等を前記バックアッ
    プ記憶装置に記憶する画像形成装置であって、 前記バックアップ記憶装置における前記第二記憶手段、
    前記第三記憶手段は、最も多く書き込まれるデータに関
    して前記第三記憶手段の書き込み回数を記憶する書込回
    数記憶領域を各々有し、 前記バックアップ記憶装置は、前記第三記憶手段の前記
    書込回数記憶領域から前記第二記憶手段の前記書込回数
    記憶領域へ書き込み回数データを転送する書込回数デー
    タ読出手段と、前記第二記憶手段の前記書込回数記憶領
    域の書き込み回数データを前記第三記憶手段の前記書込
    回数記憶領域に書き込む書込回数データ書込手段と、前
    記第二記憶手段の前記書込回数記憶領域の書き込み回数
    データを加算し、加算データを前記第二記憶手段及び前
    記第三記憶手段に書き込む第一書込手段と、前記加算デ
    ータを前記第二記憶手段に書き込み且つ前記第三記憶手
    段には書き込まない第二書込手段とを有することを特徴
    とする画像形成装置。
  27. 【請求項27】 前記バックアップ記憶装置における前
    記第一記憶手段は固定記憶手段であり、前記第二記憶手
    段は揮発性記憶手段であり、前記第三記憶手段はデータ
    の書き込み回数に制限がある複数設けられた不揮発性記
    憶手段であることを特徴とする請求項26記載の画像形
    成装置。
  28. 【請求項28】 データの読み出しが可能な第一記憶手
    段と、データの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶
    手段と、前記第一及び前記第二記憶手段との間でデータ
    のやり取りが可能な第三記憶手段とを有し、各種のバッ
    クアップデータを記憶するバックアップ記憶装置に適用
    されるバックアップ記憶装置制御方法であって、 前記第二記憶手段、前記第三記憶手段は、最も多く書き
    込まれるデータに関して前記第三記憶手段の書き込み回
    数を記憶する書込回数記憶領域を各々有し、 前記第三記憶手段の前記書込回数記憶領域から前記第二
    記憶手段の前記書込回数記憶領域へ書き込み回数データ
    を転送する書込回数データ読出工程と、前記第二記憶手
    段の前記書込回数記憶領域の書き込み回数データを前記
    第三記憶手段の前記書込回数記憶領域に書き込む書込回
    数データ書込工程と、前記第二記憶手段の前記書込回数
    記憶領域の書き込み回数データを加算し、加算データを
    前記第二記憶手段及び前記第三記憶手段に書き込む第一
    書込工程と、前記加算データを前記第二記憶手段に書き
    込み且つ前記第三記憶手段には書き込まない第二書込工
    程とを有することを特徴とするバックアップ記憶装置制
    御方法。
  29. 【請求項29】 前記第一記憶手段は固定記憶手段であ
    り、前記第二記憶手段は揮発性記憶手段であり、前記第
    三記憶手段はデータの書き込み回数に制限がある複数設
    けられた不揮発性記憶手段であることを特徴とする請求
    項28記載のバックアップ記憶装置制御方法。
  30. 【請求項30】 データの読み出しが可能な第一記憶手
    段と、データの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶
    手段と、前記第一及び前記第二記憶手段との間でデータ
    のやり取りが可能な第三記憶手段とを有し、各種のバッ
    クアップデータを記憶するバックアップ記憶装置に適用
    されるバックアップ記憶装置制御方法を実行するプログ
    ラムを記憶したコンピュータにより読み出し可能な記憶
    媒体であって、 前記バックアップ記憶装置制御方法は、前記第三記憶手
    段に設けられ最も多く書き込まれるデータに関して前記
    第三記憶手段の書き込み回数を記憶する書込回数記憶領
    域から前記第二記憶手段に設けられた書込回数記憶領域
    へ書き込み回数データを転送するように制御する書込回
    数データ読出ステップと、前記第二記憶手段の前記書込
    回数記憶領域の書き込み回数データを前記第三記憶手段
    の前記書込回数記憶領域に書き込むように制御する書込
    回数データ書込ステップと、前記第二記憶手段の前記書
    込回数記憶領域の書き込み回数データを加算し、加算デ
    ータを前記第二記憶手段及び前記第三記憶手段に書き込
    むように制御する第一書込ステップと、前記加算データ
    を前記第二記憶手段に書き込み且つ前記第三記憶手段に
    は書き込まないように制御する第二書込ステップとを有
    することを特徴とする記憶媒体。
  31. 【請求項31】 前記第一記憶手段は固定記憶手段であ
    り、前記第二記憶手段は揮発性記憶手段であり、前記第
    三記憶手段はデータの書き込み回数に制限がある複数設
    けられた不揮発性記憶手段であることを特徴とする請求
    項28記載の記憶媒体。
  32. 【請求項32】 データの読み出しが可能な第一記憶手
    段と、データの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶
    手段と、前記第一及び前記第二記憶手段との間でデータ
    のやり取りが可能な第三記憶手段とを有し、各種のバッ
    クアップデータを記憶するバックアップ記憶装置であっ
    て、 前記第一記憶手段、前記第三記憶手段は、該両記憶手段
    の各領域を結び付けるための判別符号を各々の内部ブロ
    ック毎に有し、 前記第二記憶手段から前記バックアップデータを前記第
    三記憶手段へ格納後に前記第三記憶手段から前記バック
    アップデータを読み出した結果、前記バックアップデー
    タを正常に書き込みできなかったと判定した場合、前記
    第三記憶手段の空き内部ブロックに前記バックアップデ
    ータを格納し該空き内部ブロックの判別符号領域に、前
    記書き込みができなかった領域の判別符号を書き込むと
    共に、前記書き込みができなかった領域の判別符号領域
    の判別符号を破壊する制御手段を有することを特徴とす
    るバックアップ記憶装置。
  33. 【請求項33】 データの読み出しが可能な第一記憶手
    段と、データの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶
    手段と、前記第一及び前記第二記憶手段との間でデータ
    のやり取りが可能な第三記憶手段とを有し、各種のバッ
    クアップデータを記憶するバックアップ記憶装置であっ
    て、 前記第一記憶手段、前記第三記憶手段は、該両記憶手段
    の各領域を結び付けるための判別符号を各々の内部ブロ
    ック毎に有し、 前記第二記憶手段から前記バックアップデータを前記第
    三記憶手段へ格納後に前記第三記憶手段から前記バック
    アップデータを読み出した結果、前記バックアップデー
    タを正常に書き込みできなかったと判定した場合、前記
    第三記憶手段の全領域データと前記書き込みができなか
    ったバックアップデータとを合わせて、予備として用意
    した記憶手段にコピーし、前記第三記憶手段の全判別符
    号領域の判別符号を破壊する制御手段を有することを特
    徴とするバックアップ記憶装置。
  34. 【請求項34】 前記第一記憶手段は固定記憶手段であ
    り、前記第二記憶手段は揮発性記憶手段であり、前記第
    三記憶手段及び前記予備として用意した記憶手段は不揮
    発性記憶手段であることを特徴とする請求項32又は3
    3記載のバックアップ記憶装置。
  35. 【請求項35】 前記第三記憶手段の全領域データと前
    記書き込みができなかったバックアップデータとを合わ
    せて前記予備として用意した記憶手段にコピーした情報
    を表示する表示手段を有することを特徴とする請求項3
    3記載のバックアップ記憶装置。
  36. 【請求項36】 前記制御手段は、前記判別符号の書き
    込み処理中は外部からのデータ書き込み及び読み出し処
    理要求を禁止することを特徴とする請求項32又は33
    記載のバックアップ記憶装置。
  37. 【請求項37】 前記第三記憶手段は、装置本体に着脱
    可能であることを特徴とする請求項32乃至35の何れ
    かに記載のバックアップ記憶装置。
  38. 【請求項38】 データの読み出しが可能な第一記憶手
    段、データの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手
    段、前記第一及び前記第二記憶手段との間でデータのや
    り取りが可能な第三記憶手段を有するバックアップ記憶
    装置と、画像読取手段と、画像形成手段とを具備し、前
    記画像読取手段により原稿から読取った画像を前記画像
    形成手段により記録紙上に形成すると共に、画像形成枚
    数や記録紙のサイズ/向きのデータ等を前記バックアッ
    プ記憶装置に記憶する画像形成装置であって、 前記バックアップ記憶装置における前記第一記憶手段、
    前記第三記憶手段は、該両記憶手段の各領域を結び付け
    るための判別符号を各々の内部ブロック毎に有し、 前記バックアップ記憶装置は、前記第二記憶手段から前
    記バックアップデータを前記第三記憶手段へ格納後に前
    記第三記憶手段から前記バックアップデータを読み出し
    た結果、前記バックアップデータを正常に書き込みでき
    なかったと判定した場合、前記第三記憶手段の空き内部
    ブロックに前記バックアップデータを格納し該空き内部
    ブロックの判別符号領域に、前記書き込みができなかっ
    た領域の判別符号を書き込むと共に、前記書き込みがで
    きなかった領域の判別符号領域の判別符号を破壊する制
    御手段を有することを特徴とする画像形成装置。
  39. 【請求項39】 データの読み出しが可能な第一記憶手
    段、データの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶手
    段、前記第一及び前記第二記憶手段との間でデータのや
    り取りが可能な第三記憶手段を有するバックアップ記憶
    装置と、画像読取手段と、画像形成手段とを具備し、前
    記画像読取手段により原稿から読取った画像を前記画像
    形成手段により記録紙上に形成すると共に、画像形成枚
    数や記録紙のサイズ/向きのデータ等を前記バックアッ
    プ記憶装置に記憶する画像形成装置であって、 前記バックアップ記憶装置における前記第一記憶手段、
    前記第三記憶手段は、該両記憶手段の各領域を結び付け
    るための判別符号を各々の内部ブロック毎に有し、 前記バックアップ記憶装置は、前記第二記憶手段から前
    記バックアップデータを前記第三記憶手段へ格納後に前
    記第三記憶手段から前記バックアップデータを読み出し
    た結果、前記バックアップデータを正常に書き込みでき
    なかったと判定した場合、前記第三記憶手段の全領域デ
    ータと前記書き込みができなかったバックアップデータ
    とを合わせて、予備として用意した記憶手段にコピー
    し、前記第三記憶手段の全判別符号領域の判別符号を破
    壊する制御手段を有することを特徴とする画像形成装
    置。
  40. 【請求項40】 前記バックアップ記憶装置における前
    記第一記憶手段は固定記憶手段であり、前記第二記憶手
    段は揮発性記憶手段であり、前記第三記憶手段及び前記
    予備として用意した記憶手段は不揮発性記憶手段である
    ことを特徴とする請求項38又は39記載の画像形成装
    置。
  41. 【請求項41】 データの読み出しが可能な第一記憶手
    段と、データの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶
    手段と、前記第一及び前記第二記憶手段との間でデータ
    のやり取りが可能な第三記憶手段とを有し、各種のバッ
    クアップデータを記憶するバックアップ記憶装置に適用
    されるバックアップ記憶装置制御方法であって、 前記第一記憶手段、前記第三記憶手段は、該両記憶手段
    の各領域を結び付けるための判別符号を各々の内部ブロ
    ック毎に有し、 前記第二記憶手段から前記バックアップデータを前記第
    三記憶手段へ格納後に前記第三記憶手段から前記バック
    アップデータを読み出した結果、前記バックアップデー
    タを正常に書き込みできなかったと判定した場合、前記
    第三記憶手段の空き内部ブロックに前記バックアップデ
    ータを格納し該空き内部ブロックの判別符号領域に、前
    記書き込みができなかった領域の判別符号を書き込むと
    共に、前記書き込みができなかった領域の判別符号領域
    の判別符号を破壊する制御工程を有することを特徴とす
    るバックアップ記憶装置制御方法。
  42. 【請求項42】 データの読み出しが可能な第一記憶手
    段と、データの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶
    手段と、前記第一及び前記第二記憶手段との間でデータ
    のやり取りが可能な第三記憶手段とを有し、各種のバッ
    クアップデータを記憶するバックアップ記憶装置に適用
    されるバックアップ記憶装置制御方法であって、 前記第一記憶手段、前記第三記憶手段は、該両記憶手段
    の各領域を結び付けるための判別符号を各々の内部ブロ
    ック毎に有し、 前記第二記憶手段から前記バックアップデータを前記第
    三記憶手段へ格納後に前記第三記憶手段から前記バック
    アップデータを読み出した結果、前記バックアップデー
    タを正常に書き込みできなかったと判定した場合、前記
    第三記憶手段の全領域データと前記書き込みができなか
    ったバックアップデータとを合わせて、予備として用意
    した記憶手段にコピーし、前記第三記憶手段の全判別符
    号領域の判別符号を破壊する制御工程を有することを特
    徴とするバックアップ記憶装置制御方法。
  43. 【請求項43】 前記バックアップ記憶装置における前
    記第一記憶手段は固定記憶手段であり、前記第二記憶手
    段は揮発性記憶手段であり、前記第三記憶手段及び前記
    予備として用意した記憶手段は不揮発性記憶手段である
    ことを特徴とする請求項41又は42記載のバックアッ
    プ記憶装置制御方法。
  44. 【請求項44】 データの読み出しが可能な第一記憶手
    段と、データの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶
    手段と、前記第一及び前記第二記憶手段との間でデータ
    のやり取りが可能な第三記憶手段とを有し、各種のバッ
    クアップデータを記憶するバックアップ記憶装置に適用
    されるバックアップ記憶装置制御方法を実行するプログ
    ラムを記憶したコンピュータにより読み出し可能な記憶
    媒体であって、 前記バックアップ記憶装置制御方法は、前記第二記憶手
    段から前記バックアップデータを前記第三記憶手段へ格
    納後に前記第三記憶手段から前記バックアップデータを
    読み出した結果、前記バックアップデータを正常に書き
    込みできなかったと判定した場合、前記第三記憶手段の
    空き内部ブロックに前記バックアップデータを格納し該
    空き内部ブロックの判別符号領域に、前記書き込みがで
    きなかった領域の判別符号を書き込むと共に、前記書き
    込みができなかった領域の判別符号領域の判別符号を破
    壊するように制御する制御ステップを有することを特徴
    とする記憶媒体。
  45. 【請求項45】 データの読み出しが可能な第一記憶手
    段と、データの読み出し及び書き込みが可能な第二記憶
    手段と、前記第一及び前記第二記憶手段との間でデータ
    のやり取りが可能な第三記憶手段とを有し、各種のバッ
    クアップデータを記憶するバックアップ記憶装置に適用
    されるバックアップ記憶装置制御方法を実行するプログ
    ラムを記憶したコンピュータにより読み出し可能な記憶
    媒体であって、 前記バックアップ記憶装置制御方法は、前記第二記憶手
    段から前記バックアップデータを前記第三記憶手段へ格
    納後に前記第三記憶手段から前記バックアップデータを
    読み出した結果、前記バックアップデータを正常に書き
    込みできなかったと判定した場合、前記第三記憶手段の
    全領域データと前記書き込みができなかったバックアッ
    プデータとを合わせて、予備として用意した記憶手段に
    コピーし、前記第三記憶手段の全判別符号領域の判別符
    号を破壊するように制御する制御ステップを有すること
    を特徴とする記憶媒体。
  46. 【請求項46】 前記バックアップ記憶装置における前
    記第一記憶手段は固定記憶手段であり、前記第二記憶手
    段は揮発性記憶手段であり、前記第三記憶手段及び前記
    予備として用意した記憶手段は不揮発性記憶手段である
    ことを特徴とする請求項44又は45記載の記憶媒体。
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