JP2002099467A

JP2002099467A - 記憶装置、データバックアップ・リカバリ方法、記憶媒体および画像形成装置

Info

Publication number: JP2002099467A
Application number: JP2000287032A
Authority: JP
Inventors: Tomoyasu Yoshikawa; 智康吉川; Naoto Watanabe; 直人渡辺; Manabu Yamauchi; 学山内; Keizo Isemura; 圭三伊勢村; Hiroto Nishihara; 寛人西原; Ichiro Sasaki; 一郎佐々木; Noriaki Matsui; 規明松井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-09-21
Filing date: 2000-09-21
Publication date: 2002-04-05

Abstract

(57)【要約】【課題】不揮発性の第１記憶手段の論理データを揮発
性の第２記憶手段へ書き込む際に、この第２記憶手段に
不定なデータが書き込まれることをなくすことができ、
第２記憶手段への不定なデータの書込みに起因するシス
テムの暴走さや誤動作を未然に回避することができる記
憶装置を提供する。【解決手段】ＥＥＰＲＯＭ５３には各領域１０３，１
０４，１０５にそれぞれ論理データがバックアップされ
ており、この論理データをＳＲＡＭ５２上に展開する際
には、ＥＥＰＲＯＭの各領域１０３，１０４，１０５に
格納されたデータ値が読み出されて多数決処理ユニット
１０６に入力され、多数決処理ユニット１０６は、各領
域１０３，１０４，１０５からそれぞれデータ値を比較
する。この比較された３つのデータ値の中で、２つ以上
同一のデータ値が存在すれば、そのデータ値がＳＲＡＭ
５２の領域１０２に書き込まれる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、不揮発性の第１記
憶手段および前記第１記憶手段との間でデータのやり取
りが可能な揮発性の第２記憶手段を有する記憶装置、デ
ータバックアップ・リカバリ方法、記憶媒体、およびこ
の記憶装置を搭載した画像形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、システムに組み込まれた記憶装置
としては、蓄えられたデータの読出しおよび書込みが可
能である半導体記憶装置が幅広く採用されている。

【０００３】これら読み書き可能な半導体記憶装置とし
ては、高速にデータの読出しおよび書込みが可能である
ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory)、ＳＲＡＭ
（Static Random Access Memory）などの揮発性メモリ
が用いられる。しかし、これらの揮発性メモリは、電源
電圧の供給がなければ、内部に蓄積されたデータ内容を
保持することができない。

【０００４】これらの揮発性メモリを記憶装置として有
するシステムにおいては、外部からの電源供給が遮断さ
れても、記憶装置に蓄積されているデータを保持するこ
とが要求されるために、揮発性メモリに対するバックア
ップ電源をシステム内に保持する必要があり、コストが
余分に掛かる。また、バックアップ電源としては、電池
やコンデンサなどが使用されるが、揮発性メモリに電源
を供給可能な時間すなわち揮発性メモリに蓄積されたデ
ータを保持可能な時間は無限ではない。

【０００５】そこで，上述の揮発性メモリを採用するこ
とによって生じる問題を解決するために、データの書き
換えが可能な不揮発性メモリを採用することが考えられ
る。この不揮発性メモリとしては、半導体製造過程でデ
ータを書き込んでしまいデータの消去が不可能なマスク
ＲＯＭ（Masked Read Only Memory）が一般的である。

【０００６】また、近年、データを電気的に消去および
書込みが数百回から数万回可能なＥＥＰＲＯＭ（Electr
ically Erasable Read Only Memory）などが市場に登場
している。不揮発性メモリは、電源供給をすることなく
内容データを保持することが可能であり、バックアップ
電源が不要である。また、ＥＥＰＲＯＭなどの不揮発性
メモリに関しては、そのデータを電気的に消去、また書
き込むことが可能であるので、システムに実装したまま
内容の変更が可能である。

【０００７】しかし、ＥＥＰＲＯＭなどの不揮発性メモ
リに蓄えられるデータの内容を書き換える際には、ＤＲ
ＡＭやＳＲＡＭに比して、長い時間が掛かる。特に高速
なデータの更新が要求されるシステムに対して、記憶装
置として不揮発性メモリをＤＲＡＭやＳＲＡＭに代えて
用いることは適さない。

【０００８】そこで、揮発性メモリと不揮発性メモリの
両方を実装し、互いの欠点を補完したバックアップ記憶
装置がある。これは、システムが外部から電源電圧が供
給されている場合には、ＥＥＰＲＯＭなどの不揮発性メ
モリに蓄えられたデータの内容をＤＲＡＭ、ＳＲＡＭな
どの揮発性メモリ上の対応したアドレスに展開し、シス
テムによりデータの読込み要求や書込み要求がきた場合
がきた場合には揮発性メモリが対応することになる。ま
た、システムが揮発性メモリのデータのバックアップを
要求された場合やシステムが外部から供給されている電
源電圧の遮断を要求された場合、揮発性メモリに展開さ
れたデータを不揮発性メモリに書き込む処理が行われ
る。

【０００９】画像形成装置においても、上述のような処
理を行うバックアップ記憶装置を搭載したものがある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述したバックアップ
記憶装置は、システムからの高速なデータの書込み要求
や読出し要求に対応することができ、またバックアップ
電源装置を用いることなく蓄積されているデータを保持
することが可能である。

【００１１】しかし、ＥＥＰＲＯＭのような不揮発性メ
モリにおいては、その書込み速度が遅いため、揮発性メ
モリから不揮発性メモリへの書込み中に不意に電源の供
給が遮断されると、正しいデータが不揮発性メモリにバ
ックアップされない可能性がある。

【００１２】また、ＥＥＰＲＯＭのような不揮発性メモ
リにおいても、装置の誤作動などの様々な内的要因、静
電気やサージ電流、電気ノイズなどの外的要因により蓄
積されたデータが破壊される可能性がある。

【００１３】このような要因で不定なデータが不揮発性
メモリに保持され、バックアップ記憶装置に対して不揮
発性メモリから揮発性メモリへのリカバリ要求が発生し
た場合、そのまま不定なデータが揮発性メモリに展開さ
れることとなり、システムの暴走や誤動作を招く恐れが
ある。

【００１４】本発明の目的は、不揮発性の第１記憶手段
の論理データを揮発性の第２記憶手段へ書き込む際に、
この第２記憶手段に不定なデータが書き込まれることを
なくすことができ、第２記憶手段への不定なデータの書
込みに起因するシステムの暴走さや誤動作を未然に回避
することができる記憶装置、データバックアップ・リカ
バリ方法、記憶媒体および画像形成装置を提供すること
にある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
不揮発性の第１記憶手段および該第１記憶手段との間で
データのやり取りが可能な揮発性の第２記憶手段を有す
る記憶装置において、前記第２記憶手段内の１つの論理
データに対して前記第１記憶手段内に複数の物理データ
領域を確保し、該１つの論理データを前記第２記憶手段
から読み出して前記確保された複数の物理データ領域へ
それぞれ書き込むバックアップ手段と、前記１つの論理
データに対して前記第１記憶手段内に確保された複数の
物理データ領域のデータ内容の中で数が最も多い同一の
データ内容を前記１つの論理データとして採決する多数
決手段と、前記多数決手段により採決された１つの論理
データを前記第１記憶手段から読み出して前記第２記憶
手段に書き込むリカバリ手段とを備えることを特徴とす
る。

【００１６】請求項２記載の発明は、請求項１記載の記
憶装置において、前記バックアップ手段は、前記第２記
憶手段から前記第１憶手段に前記１つの論理データを書
き込む際には、前記１つの論理データに対する前記第１
記憶手段内の前記複数の物理データ領域への同時書込み
を禁止することを特徴とする。

【００１７】請求項３記載の発明は、請求項１記載の記
憶装置において、前記論理データの初期値を格納する不
揮発性の第３記憶手段を有し、前記リカバリ手段は、前
記多数決手段により採決が不可能であるときには、前記
第３記憶手段の初期値を前記１つの論理データとして前
記第２記憶手段に書き込むことを特徴とする。

【００１８】請求項４記載の発明は、不揮発性の第１記
憶手段および該第１記憶手段との間でデータのやり取り
が可能な揮発性の第２記憶手段とを用いたデータバック
アップ・リカバリ方法において、前記第２記憶手段内の
１つの論理データ対して前記第１記憶手段内に複数の物
理データ領域を確保し、該１つの論理データを前記第２
記憶手段から読み出して前記第１記憶手段内に確保され
た複数の物理データ領域へそれぞれ書き込むバックアッ
プ工程と、前記第２記憶手段の全ての論理データの前記
第１記憶手段へ書込みが終了するまで前記バックアップ
工程を繰り返す工程と、前記１つの論理データに対して
前記第１記憶手段内に確保された複数の物理データ領域
のデータ内容の中で数が最も多い同一のデータ内容を前
記１つの論理データとして採決する多数決処理工程と、
前記採決された１つの論理データを前記第１記憶手段か
ら読み出して前記第２記憶手段に書き込むリカバリ工程
と、前記第１記憶手段の全ての論理データの前記第２記
憶手段への書込みが終了するまで前記多数決工程と前記
リカバリ工程とを順に繰り返す工程とを有することを特
徴とする。

【００１９】請求項５記載の発明は、請求項４記載のデ
ータバックアップ・リカバリ方法において、前記バック
アップ工程は、前記第２記憶手段から前記第1憶手段に
前記論理データを書き込む際には、前記１つの論理デー
タに対する前記第１記憶手段内の前記複数の物理データ
領域への同時書込みを禁止することを特徴とする。

【００２０】請求項６記載の発明は、請求項４記載のデ
ータバックアップ・リカバリ方法において、前記論理デ
ータの初期値を格納する第３記憶手段が設けられ、前記
リカバリ工程は、前記多数決工程における採決が不可能
であるときには、前記論理データの初期値を前記３記憶
手段から読み出して前記第２記憶手段に書き込むことを
特徴とする。

【００２１】請求項７記載の発明は、不揮発性の第１記
憶手段および該第１記憶手段との間でデータのやり取り
が可能な揮発性の第２記憶手段を有する記憶装置を制御
するためのプログラムを格納したコンピュータ読取り可
能な記憶媒体において、前記プログラムは、前記第２記
憶手段内の１つの論理データに対して前記第1記憶手段
内に複数の物理データ領域を確保し、該１つの論理デー
タを前記第２記憶手段から読み出して前記確保された複
数の物理データ領域へそれぞれ書き込むバックアップモ
ジュールと、前記１つの論理データに対して前記第１記
憶手段内に確保された複数の物理データ領域のデータ内
容の中で数が最も多い同一のデータ内容を前記１つの論
理データとして採決する多数決モジュールと、前記多数
決モジュールにより採決された１つの論理データを前記
第１記憶手段から読み出して前記第２記憶手段に書き込
むリカバリモジュールを有することを特徴とする。

【００２２】請求項８記載の発明は、請求項７記載の記
憶媒体において、前記バックアップモジュールは、前記
第２記憶手段から前記第１憶手段に前記１つの論理デー
タを書き込む際には、前記１つの論理データに対する前
記第１記憶手段内の前記複数の物理データ領域への同時
書込みを禁止することを特徴とする。

【００２３】請求項９記載の発明は、請求項７記載の記
憶媒体において、前記記憶装置は、前記論理データの初
期値を格納する不揮発性の第３記憶手段を有し、前記リ
カバリモジュールは、前記多数決モジュールにより採決
が不可能であるときには、前記初期値を前記第３記憶手
段から読み出して前記第２記憶手段に書き込むことを特
徴とする。

【００２４】請求項１０記載の発明は、不揮発性の第１
記憶手段および該第１記憶手段との間でデータのやり取
りが可能な揮発性の第２記憶手段を有する記憶装置を搭
載した画像形成装置において、前記記憶装置は、前記第
２記憶手段内の１つの論理データに対して前記第１記憶
手段内に複数の物理データ領域を確保し、該１つの論理
データを前記第２記憶手段から読み出して前記確保され
た複数の物理データ領域へそれぞれ書き込むバックアッ
プ手段と、前記１つの論理データ毎に前記第１記憶手段
内に確保された複数の物理データ領域のデータ内容の中
で数が最も多い同一のデータ内容を前記１つの論理デー
タとして採決する多数決手段と、前記多数決手段により
採決された１つの論理データを前記第１記憶手段から読
み出して前記第２記憶手段に書き込むリカバリ手段とを
備えることを特徴とする。

【００２５】請求項１１記載の発明は、請求項１０記載
の画像形成装置において、前記バックアップ手段は、前
記第２記憶手段から前記第1憶手段に前記１つの論理デ
ータを書き込む際には、前記１つの論理データに対する
前記第１記憶手段内の前記複数の物理データ領域への同
時書込みを禁止することを特徴とする。

【００２６】請求項１２記載の発明は、請求項１０記載
の画像形成装置において、前記論理データの初期値を格
納する不揮発性の第３記憶手段を有し、前記リカバリ手
段は、前記多数決手段により採決が不可能であるときに
は、前記初期値を前記第３記憶手段から読み出して前記
第２記憶手段に書き込むことを特徴とする。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。

【００２８】図１は本発明の実施の一形態に係る記憶装
置が搭載された画像形成装置の構成を模式的に示す図で
ある。

【００２９】画像形成装置はディジタル複写機であり、
該複写機は、図１に示すように、原稿を自動的に搬送す
る自動原稿送り装置１２を搭載し、この自動原稿送り装
置１２により原稿台上に搬送された原稿の画像を読み取
るための本体画像入力部１１と、読み取られた画像を用
紙上に形成して出力する本体画像出力部１０と、本体画
像出力部１０から排出される用紙を複数のビンに仕分け
して排出するためのソータ１３とを備える。

【００３０】本体画像入力部１１は、その上面に原稿台
を有し、この原稿台に自動原稿送り装置１２から搬送さ
れた原稿を照明するための光源２１を有する。この原稿
上の画像を読み取る際には、光源２１は、光学系モータ
（図示せず）の駆動力により、副走査方向（図中の左右
方向）へ移動される。光源２１から発せられた光は、原
稿により反射され、この反射光はミラー２２，２３，２
４を介してレンズ２５に導かれる。ここで、ミラー２
２，２３，２４は光源２１と一体的に駆動される。レン
ズ２５はＣＣＤ２６の撮像面上に光像を結像し、ＣＣＤ
２６は撮像面に結像された光学像を電気信号に変換して
出力する。この出力された電気信号は、Ａ／Ｄ変換器
（図示せず）によりデジタル信号（画像データ）に変換
される。

【００３１】この読み取られた原稿の画像データは、種
々の補正処理とユーザにより設定された画像処理が施さ
れた後に、画像メモリ(図示せず)に蓄積される。

【００３２】本体画像出力部１０は、上記画像メモリに
蓄積された画像データを読み出してビデオ信号に変換し
て露光制御部２７に出力する。露光制御部２７は、入力
されたビデオ信号に基づきレーザ光を変調して出力する
光学照射部２７ａを有し、光学照射部２７ａからのレー
ザ光は、ポリゴンミラー２８、レンズ２９およびミラー
３０を介して感光ドラム３１上に照射される。このレー
ザ光により、感光ドラム３１上には静電潜像が形成さ
れ、この静電潜像はトナーによりトナー像として可視像
化される。感光ドラム３１上のトナー像は、給紙カセッ
ト３４，３５、給紙デッキ３６または手差しトレイ３７
から搬送された用紙上に転写され、このトナー像が転写
された用紙は定着ローラ３２に送られる。この用紙は定
着ローラ３２により熱圧され、トナー像は用紙上に定着
される。これにより用紙上には画像が形成され、この画
像形成の用紙はフラッパ３８および排出ローラ４０を介
してソータ１３に送られる。また、画像形成の用紙は必
要に応じて再給紙ローラ３９により反転されて両面パス
４１に導かれ、再度感光ドラム３１に送られる。これに
より両面に画像が形成される。

【００３３】給紙トレイ３４，３５は本体画像出力部１
０の下部に搭載され、各給紙トレイ３４，３５に積載さ
れた用紙は、対応する搬送ローラ４２により感光ドラム
３１に向けて送られる。ユーザにより給紙トレイ３４，
３５に用紙をセットする際には、用紙のサイズや向きの
設定が行われる。給紙デッキ３６は本体画像出力部１０
の右側に設置され、大量の用紙積載量を有する。この給
紙デッキ３６に積載された用紙は、給紙トレイ３４，３
５と同様に、対応する搬送ローラ４２により感光ドラム
に向けて送られる。また手差しトレイ３７は、本体画像
出力部１０の右側部に設けられ、ユーザが所望の種類の
用紙を給紙するためのトレイである。また、この手差し
トレイ３７は、ＯＨＰシート、厚紙、はがきサイズ紙な
ど特殊な用紙を給紙する場合にも使用される。

【００３４】ソータ１３は、本体画像出力部１０の左側
に設置されている装置であり、本体画像出力部１０から
出力された用紙を各排紙トレイ３３に仕分けして排紙す
る処理を行う。各排紙トレイ３３は、本体画像出力部１
０から出力された用紙を受け入れるように上下方向へ駆
動される。

【００３５】画像形成装置には、後述するバックアップ
記憶装置が内蔵されている。このバックアップ記憶装置
には、上記本体画像入力部１１における各種設定値、上
記本体画像出力部１０における各種設定値、例えば給紙
トレイ３４，３５に積載された用紙サイズ、その向き、
コピー枚数のカウント値、プリント枚数のカウント値な
どが格納される。このバックアップ記憶装置に格納され
ている各種設定値などのデータは、上記本体画像入力部
１１、上記本体画像出力部１０、ソータ１３などの制御
に用いられ、これら制御は主制御部（図示せず）により
行われる。

【００３６】次に、上記バックアップ記憶装置について
図２を参照しながら説明する。図２は図１の画像形成装
置に内蔵されているバックアップ記憶装置の構成を示す
ブロック図である。

【００３７】バックアップ記憶装置は、図２に示すよう
に、揮発性記憶手段であるＳＲＡＭ５２と、不揮発性記
憶手段であるＥＥＰＲＯＭ５３と、固定記憶手段である
ＲＯＭ５４と、画像形成装置の上記主制御部の要求に従
い各記憶手段からのデータの読込みおよび書込み動作を
制御する制御手段５１とを有する。

【００３８】ＳＲＡＭ５２は、フリップフロップのよう
に複数のトランジスタを組み合わせて１ビットに相当す
る情報を蓄積するデバイスであり、トランジスタのみで
情報を記憶させるために高速の読出し動作、書込み動作
が可能である。しかし、比較的記憶容量が小さく、また
消費電力が大きいというデメリットがある。

【００３９】本実施の形態においては、このＳＲＡＭ５
２の特徴を生かし、バックアップ記憶装置に電力が供給
されているときには、上記設定値などのデータを保持
し、画像形成装置の主制御部からの読み書き動作に高速
に応答することが可能である。

【００４０】ＥＥＰＲＯＭ５３の記憶原理は、どこにも
接続されていないフローティングゲートを有しており、
フローティングゲートに蓄えられた電荷により1ビット
の情報を記憶するデバイスである。このフローティング
ゲート型電界効果トランジスタに加える電圧によりフロ
ーティングゲートに電荷を溜めたり、電荷を逃がしたり
することができる。すなわち、電気的にメモリ内の情報
の消去および書込みが可能なメモリデバイスである。ま
たＥＥＰＲＯＭ５３は、電気的に蓄積された情報を書き
換えることが可能であるが、上述したＳＲＡＭ５２に比
してデータの書込み速度が遅いという欠点を持つ。

【００４１】本実施の形態においては、このＥＥＰＲＯ
Ｍ５３の特徴を生かし、バックアップ記憶装置に電力供
給がカットされているときには、このＥＥＰＲＯＭ５３
が上記設定値などのデータを保持する役割を担うように
構成されている。

【００４２】ＲＯＭ５４は、製造工程でデータ値を書き
込み、半永久的にそのデータを消去、書き換えすること
ができないデバイスである。

【００４３】このバックアップ記憶装置は、装置への電
力供給が始まった時点で、ＥＥＰＲＯＭ５３にバックア
ップされているデータをＳＲＡＭ５２の対応するアドレ
スへ展開する。画像形成装置が稼動中であり、バックア
ップ記憶装置へ電力が供給されている場合には、画像形
成装置からの読出し、書込み要求に応じてＳＲＡＭ５３
からのデータの読出しおよび書込みが行われる。

【００４４】このバックアップ記憶装置においては、画
像形成装置から電源の供給カット要求がバックアップ記
憶装置に出された場合、ＳＲＡＭ５２上に展開されたデ
ータをＥＥＰＲＯＭ５３へバックアップする処理が行わ
れる。このバックアップ処理では、１つの論理データに
対してＥＥＰＲＯＭ５３内に複数の物理データ領域を確
保し、１つの論理データを各物理データ領域にそれぞれ
書き込む。

【００４５】これに対し、装置への電力供給が始まった
時点で、ＥＥＰＲＯＭ５３にバックアップされているデ
ータをＳＲＡＭ５２の対応するアドレスへ展開するリカ
バリ処理が行われる。このリカバリ処理では、１つの論
理データに対してＥＥＰＲＯＭ５３に確保された複数の
物理データ領域のデータ内容の中で数が最も多い同一の
データ内容を１つの論理データとして採決する多数決処
理を行い、この多数決処理により採決された１つの論理
データをＥＥＰＲＯＭ５３から読み出してＳＲＡＭ５２
の対応するアドレスに書き込む。

【００４６】次に、バックアップ記憶装置の各メモリの
アドレス空間とリカバリ処理について図３を参照しなが
ら説明する。図３は図２のＳＲＡＭ５２およびＥＥＰＲ
ＯＭ５３のアドレス空間を示す図である。

【００４７】ＲＯＭ５４においては、図３に示すよう
に、ある論理データの初期値が領域１０１に格納されて
いる。ＳＲＡＭ５２においては、ある論理データを格納
する領域として領域１０２が確保されている。ＥＥＰＲ
ＯＭ５３においては、１つの論理データに対してそれを
格納するための３つの領域１０３，１０４，１０５が確
保されている。そして、ＳＲＡＭ５２とＥＥＰＲＯＭ５
３との間には、上述した多数決処理を行う多数決処理ユ
ニット１０６が配置されている。実際には、この多数決
処理ユニット１０６は制御手段５１に組み込まれてい
る。

【００４８】ユーザの操作により画像形成装置に電源が
投入されると、バックアップ記憶装置に電力供給が開始
され、バックアップ記憶装置は電源遮断時のデータバッ
クアップ領域であるＥＥＰＲＯＭ５３に格納されたデー
タをＳＲＡＭ５２上の対応するアドレスの領域に展開す
る。

【００４９】ここで、ＥＥＰＲＯＭ５３には各領域１０
３，１０４，１０５にそれぞれ論理データがバックアッ
プされているとし、この論理データをＳＲＡＭ５２上に
展開する際には、ＥＥＰＲＯＭの各領域１０３，１０
４，１０５に格納されたデータ値が読み出されて多数決
処理ユニット１０６に入力され、多数決処理ユニット１
０６は、各領域１０３，１０４，１０５からそれぞれデ
ータ値を比較する。この比較された３つのデータ値の中
で、２つ以上同一のデータ値が存在すれば、そのデータ
値がＳＲＡＭ５２の領域１０２に書き込まれる。

【００５０】ユーザの操作により画像形成装置の電源が
落とされるときなどのタイミングでは、ＳＲＡＭ５２上
に展開されている論理データ例えば領域１０２の論理デ
ータは、この論理データに対して確保されたＥＥＰＲＯ
Ｍ５３上の各領域１０３，１０４，１０５に書き込まれ
る。この際、ＥＥＰＲＯＭ５３上の各１０３，１０４，
１０５への書き込み処理は、各領域１０３，１０４，１
０５に対してある程度の時間を待って行われる。これ
は、連続した書き込み中に不可抗力によるＥＥＰＲＯＭ
５３へのデータ書き込み処理の中断、失敗による不定デ
ータの書き込みを最小限にするためである。

【００５１】次に、多数決処理によりリカバリされるデ
ータが採決されたなかった場合の処理について図４を参
照しながら説明する。図４は図２のバックアップ記憶装
置における多数決処理によりリカバリされるデータが採
決されたなかった場合のデータの流れを示す図である。

【００５２】多数決処理によりリカバリされるデータが
採決されたなかった場合としては、例えばＥＥＰＲＯＭ
５３上の各領域１０３，１０４，１０５にそれぞれ異な
るデータ値が書き込まれていた場合である。

【００５３】この場合、各領域１０３，１０４，１０５
に保存されたデータ値に対する信頼性が乏しいと判断さ
れ、ＲＯＭ５４の領域１０１に書き込まれている論理デ
ータの初期値をＳＲＡＭ５２上にリカバリする処理が行
われる（図中の実線で示した矢印を参照）。

【００５４】また、本処理が実行される際には、画像形
成装置の制御部に対し、バックアップ記憶装置の制御手
段５１は、ＥＥＰＲＯＭ５３に格納されているデータが
破壊されたため、初期値がリカバリされたことを通知す
る。画像形成装置側では、それを受け、データの種類に
よっては再計算処理、アラーム表示などの制御が実行さ
れる。

【００５５】次に、バックアップ記憶装置のリカバリ処
理について図５を参照しながら説明する。図５は図２の
バックアップ記憶装置におけるリカバリ処理の手順を示
すフローチャートである。ここでは、図３および図４に
示す各メモリのアドレス関係を例に説明する。すなわ
ち、ＥＥＰＲＯＭ５３には、１つの論理データに対して
３つの領域が確保され、論理データが３つの領域にそれ
ぞれ格納されているものとする。

【００５６】本処理は、画像形成装置へ電源投入に伴い
バックアップ記憶装置への電力供給が開始されたタイミ
ングで開始される。まず、ステップＳ１０１において、
ＥＥＰＲＯＭ５３の保存されている複数のデータ値の
内、領域EEP＿DATA1（図３の領域１０３に対応する）の
データ値と領域EEP＿DATA2（図３の領域１０４に対応す
る）のデータ値を比較し、両者が一致するか否かを判定
する。ここで、領域EEP＿DATA1のデータ値と領域EEP＿D
ATA2のデータ値が等しければ、多数決によりＥＥＰＲＯ
Ｍ５３に保存されているデータ値の中で領域EEP＿DATA1
に保存されているデータ値が採決されたと判断してステ
ップＳ１０４に進み、ＥＥＰＲＯＭ５３の領域EEP＿DAT
A1に保存されているデータ値をＳＲＡＭ５２上の対応す
るアドレス領域（図３の領域１０２に対応する）に書き
込み、本処理を終了する。

【００５７】上記ステップＳ１０１において領域EEP＿D
ATA1のデータ値と領域EEP＿DATA2のデータ値が等しくな
いと判定されると、多数決が成立しないため、ステップ
Ｓ１０２に進み、ＥＥＰＲＯＭ５３に保存されている複
数のバックアップデータ値の内、領域EEP＿DATA1のデー
タ値と領域EEP＿DATA3（図３の領域１０５に対応する）
のデータ値を比較し、両者が一致するか否かを判定す
る。ここで、領域EEP＿DATA1のデータ値と領域EEP＿DAT
A3領域のデータ値が等しければ、多数決により領域EEP
＿DATA1に保存されているデータ値が採決されたと判断
してステップＳ１０４に進み、ＥＥＰＲＯＭ５３の領域
EEP＿DATA1に保存されているデータ値をＳＲＡＭ５２上
の対応するアドレス領域に書き込み、本処理を終了す
る。

【００５８】上記ステップＳ１０２において領域EEP＿D
ATA1のデータ値と領域EEP＿DATA3のデータ値が等しくな
ければ、多数決が成立しないので、ステップＳ１０３に
進み、ＥＥＰＲＯＭ５３の領域EEP＿DATA2のデータ値と
領域EEP＿DATA3のデータ値を比較し、両者が一致するか
否かを判定する。ここで、領域EEP＿DATA2のデータ値と
領域EEP＿DATA3のデータ値が等しければ、多数決により
領域EEP＿DATA2に保存されているデータ値が採決された
と判断してステップＳ１０５に進み、ＥＥＰＲＯＭ５３
の領域EEP＿DATA1に保存されているデータ値をＳＲＡＭ
５２上の対応するアドレス領域に書き込み、本処理を終
了する。

【００５９】領域EEP＿DATA2のデータ値と領域EEP＿DAT
A3のデータ値が等しくなければ、ＥＥＰＲＯＭ５３に保
存されている全てのバックアップデータ値に対して多数
決が成立しなかったため、このバックアップデータ値が
不定データである可能性があると判断してステップＳ１
０６に進み、ＲＯＭ５４の領域に保存されている初期デ
ータ値INIT＿DATAをＳＲＡＭ５２上の対応するアドレス
領域に書き込み、本処理を終了する。

【００６０】このように、本実施の形態では、ＥＥＰＲ
ＯＭ５３からＳＲＡＭ５２への論理データを書き込む際
すなわちリカバリ時には、このＳＲＡＭ５２に不定なデ
ータが書き込まれることをなくすことができ、ＳＲＡＭ
５２への不定なデータの書込みに起因する画像形成装置
の暴走さや誤動作を未然に回避することができる。

【００６１】なお、上述の実施形態の機能（図５に示す
フローチャートを含む）を実現するソフトウェアのプロ
グラムコードを記録した記憶媒体を、システムあるいは
装置に供給し、そのシステムあるいは装置のコンピュー
タ（またはＣＰＵやＭＰＵ）が記憶媒体に格納されたプ
ログラムコードを読出し実行することによっても、達成
されることはいうまでもない。

【００６２】この場合、記憶媒体から読出されたプログ
ラムコード自体が前述した実施形態の機能を実現するこ
とになり、そのプログラムコードを記憶した記憶媒体は
本発明を構成することになる。

【００６３】プログラムコードを供給するための記憶媒
体としては、例えば、フロッピディスク，ハードディス
ク，光ディスク，光磁気ディスク，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ
−Ｒ，磁気テープ，不揮発性のメモリカード，ＲＯＭな
どを用いることができる。

【００６４】また、コンピュータが読出したプログラム
コードを実行することにより、前述した実施形態の機能
が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示
に基づき、コンピュータ上で稼働しているＯＳ（オペレ
ーティングシステム）などが実際の処理の一部または全
部を行い、その処理によって前述した実施形態の機能が
実現される場合も含まれることはいうまでもない。

【００６５】さらに、記憶媒体から読出されたプログラ
ムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボード
やコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わる
メモリに書込まれた後、そのプログラムコードの指示に
基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わ
るＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行い、そ
の処理によって前述した実施形態の機能が実現される場
合も含まれることはいうまでもない。

【００６６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の記憶装置
によれば、第２記憶手段内の１つの論理データに対して
第１記憶手段内に複数の物理データ領域を確保し、該１
つの論理データを第２記憶手段から読み出して確保され
た複数の物理データ領域へそれぞれ書き込むバックアッ
プ手段と、１つの論理データに対して第１記憶手段内に
確保された複数の物理データ領域のデータ内容の中で数
が最も多い同一のデータ内容を１つの論理データとして
採決する多数決手段と、多数決手段により採決された１
つの論理データを第１記憶手段から読み出して第２記憶
手段に書き込むリカバリ手段とを備えるから、不揮発性
の第１記憶手段の論理データを揮発性の第２記憶手段へ
書き込む際に、この第２記憶手段に不定なデータが書き
込まれることをなくすことができ、第２記憶手段への不
定なデータの書込みに起因するシステムの暴走さや誤動
作を未然に回避することができる。

【００６７】また、第２記憶手段から第１憶手段に１つ
の論理データを書き込む際には、１つの論理データに対
する第１記憶手段内の複数の物理データ領域への同時書
込みを禁止することによって、同一の論理データを第1
記憶手段の該当領域に同時に書き込むことを防ぎ、その
結果としてデータ書込み中に不意の電源遮断などの事象
が発生して第１記憶手段のある領域に不定データの書込
みが行われたとしても、リカバリの際に正しいデータを
第２記憶手段に書き込むことが可能になる。

【００６８】さらに、論理データの初期値を格納する不
揮発性の第３記憶手段を有し、多数決手段により採決が
不可能であるときには、第３記憶手段の初期値を１つの
論理データとして第２記憶手段に書き込むように構成す
ることができる。

【００６９】本発明のデータバックアップ・リカバリ方
法によれば、第２記憶手段内の１つの論理データ対して
第１記憶手段内に複数の物理データ領域を確保し、該１
つの論理データを第２記憶手段から読み出して第１記憶
手段内に確保された複数の物理データ領域へそれぞれ書
き込むバックアップ工程と、第２記憶手段の全ての論理
データの第１記憶手段へ書込みが終了するまでバックア
ップ工程を繰り返す工程と、１つの論理データに対して
第１記憶手段内に確保された複数の物理データ領域のデ
ータ内容の中で数が最も多い同一のデータ内容を１つの
論理データとして採決する多数決処理工程と、採決され
た１つの論理データを第１記憶手段から読み出して第２
記憶手段に書き込むリカバリ工程と、第１記憶手段の全
ての論理データの第２記憶手段への書込みが終了するま
で多数決工程とリカバリ工程とを順に繰り返す工程とを
有するから、不揮発性の第１記憶手段の論理データを揮
発性の第２記憶手段へ書き込む際に、この第２記憶手段
に不定なデータが書き込まれることをなくすことがで
き、第２記憶手段への不定なデータの書込みに起因する
システムの暴走さや誤動作を未然に回避することができ
る。

【００７０】また、第２記憶手段から第１憶手段に１つ
の論理データを書き込む際には、１つの論理データに対
する第１記憶手段内の複数の物理データ領域への同時書
込みを禁止することによって、同一の論理データを第１
記憶手段の該当領域に同時に書き込むことを防ぎ、その
結果としてデータ書込み中に不意の電源遮断などの事象
が発生して第１記憶手段のある領域に不定データの書込
みが行われたとしても、リカバリの際に正しいデータを
第２記憶手段に書き込むことが可能になる。

【００７１】さらに、論理データの初期値を格納する不
揮発性の第３記憶手段を有し、多数決手段により採決が
不可能であるときには、第３記憶手段の初期値を１つの
論理データとして第２記憶手段に書き込むように構成す
ることができる。

【００７２】本発明の記憶媒体によれば、プログラム
は、第２記憶手段内の１つの論理データに対して第1記
憶手段内に複数の物理データ領域を確保し、該１つの論
理データを第２記憶手段から読み出して確保された複数
の物理データ領域へそれぞれ書き込むバックアップモジ
ュールと、１つの論理データに対して第１記憶手段内に
確保された複数の物理データ領域のデータ内容の中で数
が最も多い同一のデータ内容を１つの論理データとして
採決する多数決モジュールと、多数決モジュールにより
採決された１つの論理データを第１記憶手段から読み出
して第２記憶手段に書き込むリカバリモジュールを有す
るから、不揮発性の第１記憶手段の論理データを揮発性
の第２記憶手段へ書き込む際に、この第２記憶手段に不
定なデータが書き込まれることをなくすことができ、第
２記憶手段への不定なデータの書込みに起因するシステ
ムの暴走さや誤動作を未然に回避することができる。

【００７３】また、第２記憶手段から第１憶手段に１つ
の論理データを書き込む際には、１つの論理データに対
する第１記憶手段内の複数の物理データ領域への同時書
込みを禁止することによって、同一の論理データを第１
記憶手段の該当領域に同時に書き込むことを防ぎ、その
結果としてデータ書込み中に不意の電源遮断などの事象
が発生して第１記憶手段のある領域に不定データの書込
みが行われたとしても、リカバリの際に正しいデータを
第２記憶手段に書き込むことが可能になる。

【００７４】さらに、論理データの初期値を格納する不
揮発性の第３記憶手段を有し、多数決手段により採決が
不可能であるときには、第３記憶手段の初期値を１つの
論理データとして第２記憶手段に書き込むように構成す
ることができる。

【００７５】本発明の画像形成装置によれば、記憶装置
は、第２記憶手段内の１つの論理データに対して第1記
憶手段内に複数の物理データ領域を確保し、該１つの論
理データを前記第２記憶手段から読み出して確保された
複数の物理データ領域へそれぞれ書き込むバックアップ
手段と、１つの論理データ毎に第１記憶手段内に確保さ
れた複数の物理データ領域のデータ内容の中で数が最も
多い同一のデータ内容を前記１つの論理データとして採
決する多数決手段と、多数決手段により採決された１つ
の論理データを第１記憶手段から読み出して第２記憶手
段に書き込むリカバリ手段とを備えるから、不揮発性の
第１記憶手段の論理データを揮発性の第２記憶手段へ書
き込む際に、この第２記憶手段に不定なデータが書き込
まれることをなくすことができ、第２記憶手段への不定
なデータの書込みに起因するシステムの暴走さや誤動作
を未然に回避することができる。

【００７６】また、第２記憶手段から第１憶手段に１つ
の論理データを書き込む際には、１つの論理データに対
する第１記憶手段内の複数の物理データ領域への同時書
込みを禁止することによって、同一の論理データを第1
記憶手段の該当領域に同時に書き込むことを防ぎ、その
結果としてデータ書込み中に不意の電源遮断などの事象
が発生して第１記憶手段のある領域に不定データの書込
みが行われたとしても、リカバリの際に正しいデータを
第２記憶手段に書き込むことが可能になる。

【００７７】さらに、論理データの初期値を格納する不
揮発性の第３記憶手段を有し、多数決手段により採決が
不可能であるときには、第３記憶手段の初期値を１つの
論理データとして第２記憶手段に書き込むように構成す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の一形態に係る記憶装置が搭載さ
れた画像形成装置の構成を模式的に示す図である。

【図２】図１の画像形成装置に内蔵されているバックア
ップ記憶装置の構成を示すブロック図である。

【図３】図２のＳＲＡＭ５２およびＥＥＰＲＯＭ５３の
アドレス空間を示す図である。

【図４】図２のバックアップ記憶装置における多数決処
理によりリカバリされるデータが採決されたなかった場
合のデータの流れを示す図である。

【図５】図２のバックアップ記憶装置におけるリカバリ
処理の手順を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１０本体画像出力部１１本体画像入力部１２自動原稿送り装置１３ソータ５１制御手段５２ＳＲＡＭ５３ＥＥＰＲＯＭ５４ＲＯＭ１０６多数決処理ユニット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山内学東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者伊勢村圭三東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者西原寛人東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者佐々木一郎東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者松井規明東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 5B018 GA04 HA04 HA06 HA35 NA02 NA06 QA11 5C073 AB04 BA04 BA06 BB07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】不揮発性の第１記憶手段および該第１記
憶手段との間でデータのやり取りが可能な揮発性の第２
記憶手段を有する記憶装置において、前記第２記憶手段
内の１つの論理データに対して前記第１記憶手段内に複
数の物理データ領域を確保し、該１つの論理データを前
記第２記憶手段から読み出して前記確保された複数の物
理データ領域へそれぞれ書き込むバックアップ手段と、
前記１つの論理データに対して前記第１記憶手段内に確
保された複数の物理データ領域のデータ内容の中で数が
最も多い同一のデータ内容を前記１つの論理データとし
て採決する多数決手段と、前記多数決手段により採決さ
れた１つの論理データを前記第１記憶手段から読み出し
て前記第２記憶手段に書き込むリカバリ手段とを備える
ことを特徴とする記憶装置。
【請求項２】前記バックアップ手段は、前記第２記憶
手段から前記第１憶手段に前記１つの論理データを書き
込む際には、前記１つの論理データに対する前記第１記
憶手段内の前記複数の物理データ領域への同時書込みを
禁止することを特徴とする請求項１記載の記憶装置。
【請求項３】前記論理データの初期値を格納する不揮
発性の第３記憶手段を有し、前記リカバリ手段は、前記
多数決手段により採決が不可能であるときには、前記第
３記憶手段の初期値を前記１つの論理データとして前記
第２記憶手段に書き込むことを特徴とする請求項１記載
の記憶装置。
【請求項４】不揮発性の第１記憶手段および該第１記
憶手段との間でデータのやり取りが可能な揮発性の第２
記憶手段とを用いたデータバックアップ・リカバリ方法
において、前記第２記憶手段内の１つの論理データ対し
て前記第1記憶手段内に複数の物理データ領域を確保
し、該１つの論理データを前記第２記憶手段から読み出
して前記第１記憶手段内に確保された複数の物理データ
領域へそれぞれ書き込むバックアップ工程と、前記第２
記憶手段の全ての論理データの前記第１記憶手段へ書込
みが終了するまで前記バックアップ工程を繰り返す工程
と、前記１つの論理データに対して前記第１記憶手段内
に確保された複数の物理データ領域のデータ内容の中で
数が最も多い同一のデータ内容を前記１つの論理データ
として採決する多数決処理工程と、前記採決された１つ
の論理データを前記第１記憶手段から読み出して前記第
２記憶手段に書き込むリカバリ工程と、前記第１記憶手
段の全ての論理データの前記第２記憶手段への書込みが
終了するまで前記多数決工程と前記リカバリ工程とを順
に繰り返す工程とを有することを特徴とするデータバッ
クアップ・リカバリ方法。
【請求項５】前記バックアップ工程は、前記第２記憶
手段から前記第１憶手段に前記論理データを書き込む際
には、前記１つの論理データに対する前記第１記憶手段
内の前記複数の物理データ領域への同時書込みを禁止す
ることを特徴とする請求項４記載のデータバックアップ
・リカバリ方法。
【請求項６】前記論理データの初期値を格納する第３
記憶手段が設けられ、前記リカバリ工程は、前記多数決
工程における採決が不可能であるときには、前記論理デ
ータの初期値を前記３記憶手段から読み出して前記第２
記憶手段に書き込むことを特徴とする請求項４記載のデ
ータバックアップ・リカバリ方法。
【請求項７】不揮発性の第１記憶手段および該第１記
憶手段との間でデータのやり取りが可能な揮発性の第２
記憶手段を有する記憶装置を制御するためのプログラム
を格納したコンピュータ読取り可能な記憶媒体におい
て、前記プログラムは、前記第２記憶手段内の１つの論
理データに対して前記第１記憶手段内に複数の物理デー
タ領域を確保し、該１つの論理データを前記第２記憶手
段から読み出して前記確保された複数の物理データ領域
へそれぞれ書き込むバックアップモジュールと、前記１
つの論理データに対して前記第１記憶手段内に確保され
た複数の物理データ領域のデータ内容の中で数が最も多
い同一のデータ内容を前記１つの論理データとして採決
する多数決モジュールと、前記多数決モジュールにより
採決された１つの論理データを前記第１記憶手段から読
み出して前記第２記憶手段に書き込むリカバリモジュー
ルを有することを特徴とする記憶媒体。
【請求項８】前記バックアップモジュールは、前記第
２記憶手段から前記第1憶手段に前記１つの論理データ
を書き込む際には、前記１つの論理データに対する前記
第１記憶手段内の前記複数の物理データ領域への同時書
込みを禁止することを特徴とする請求項７記載の記憶媒
体。
【請求項９】前記記憶装置は、前記論理データの初期
値を格納する不揮発性の第３記憶手段を有し、前記リカ
バリモジュールは、前記多数決モジュールにより採決が
不可能であるときには、前記初期値を前記第３記憶手段
から読み出して前記第２記憶手段に書き込むことを特徴
とする請求項７記載の記憶媒体。
【請求項１０】不揮発性の第１記憶手段および該第１
記憶手段との間でデータのやり取りが可能な揮発性の第
２記憶手段を有する記憶装置を搭載した画像形成装置に
おいて、前記記憶装置は、前記第２記憶手段内の１つの
論理データに対して前記第１記憶手段内に複数の物理デ
ータ領域を確保し、該１つの論理データを前記第２記憶
手段から読み出して前記確保された複数の物理データ領
域へそれぞれ書き込むバックアップ手段と、前記１つの
論理データ毎に前記第１記憶手段内に確保された複数の
物理データ領域のデータ内容の中で数が最も多い同一の
データ内容を前記１つの論理データとして採決する多数
決手段と、前記多数決手段により採決された１つの論理
データを前記第１記憶手段から読み出して前記第２記憶
手段に書き込むリカバリ手段とを備えることを特徴とす
る画像形成装置。
【請求項１１】前記バックアップ手段は、前記第２記
憶手段から前記第1憶手段に前記１つの論理データを書
き込む際には、前記１つの論理データに対する前記第１
記憶手段内の前記複数の物理データ領域への同時書込み
を禁止することを特徴とする請求項１０記載の画像形成
装置。
【請求項１２】前記論理データの初期値を格納する不
揮発性の第３記憶手段を有し、前記リカバリ手段は、前
記多数決手段により採決が不可能であるときには、前記
初期値を前記第３記憶手段から読み出して前記第２記憶
手段に書き込むことを特徴とする請求項１０記載の画像
形成装置。