JP2002229863A - バックアップ回路 - Google Patents

バックアップ回路

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JP2002229863A
JP2002229863A JP2001028616A JP2001028616A JP2002229863A JP 2002229863 A JP2002229863 A JP 2002229863A JP 2001028616 A JP2001028616 A JP 2001028616A JP 2001028616 A JP2001028616 A JP 2001028616A JP 2002229863 A JP2002229863 A JP 2002229863A
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Tatsuo Noda
辰夫 野田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】最近の複合機などはバックアップデータが多い
のでバックアップ時間がかかっていた。 【解決手段】ワークメモリとして用いられるSRAMの
データのうちバックアップの必要なデータをフラッシュ
メモリの第1の領域に格納し、その後でSRAMのデー
タが書き替えられたときには、その変化したSRAMの
ブロックデータのアドレスとブロックデータをフラッシ
ュメモリの第2の領域に順次書き込むことによりバック
アップを行う。この結果バックアップが短時間で効率良
く行えるようになった。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、メモリのバックア
ップ方法に関するものであり、メモリを用いて動作制御
する、複写機やレーザプリンタなど各種の機器で、特に
必要に応じて書き込みされ、しかも、バックアップが必
要なデータを用いる機器に利用される。
【0002】
【従来の技術】例えば、複写機では、ユーザーによって
常時使用する用紙サイズ、複写倍率、用紙カセットの位
置などが、標準と異なる場合がある。これに対処するの
に、ユーザー側の使用頻度の高い、あるいは決まり切っ
た使用条件を優先したデータをユーザー又はサービス担
当者がメモリに手入力し、これをバックアップすること
により電源オフによっても消去されず、繰り返し実行さ
れるようにしている。いわゆるユーザーチョイスデータ
である。また、事後書き込みしてバックアップの必要な
ものとしては、複写枚数のトータルカウンタデータなど
もある。
【0003】従来、一般には、バックアップ電源を持っ
たSRAMや、電源回路に特殊な回路を設け、電源断の
直前にバックアップすべきデータをEEPROMに書き
込むなどのバックアップを行っている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のよ
うなバックアップ方法ではまだ問題がある。近年の画像
形成装置などはデジタル複写機、ファクシミリやプリン
タなどの機能を合わせ持ち、かつ周辺の原稿送り装置
や、後処理装置などのオプションも取付られるので、設
定データの量も多くなってきている。さらにトータルカ
ウントデータ以外にも、部門別にコピー枚数を管理する
必要からコピー枚数のカウントデータも増えてきてい
る。またファクシミリの場合は着信、送信履歴などのデ
ータもバックアップしている。このようにバックアップ
すべきデータが莫大な量になってきている。ところが従
来の技術では、電源のOFFなどをトリガーにしてバッ
クアップを行っており、全てのデータのバックアップを
していては時間がかかりすぎてしまい、いつまでもシス
テムを落とせなかった。また停電やコンセントをうっか
り抜いてしまい電源がOFFになった場合に、従来技術
ではコンセントから電源装置へ電力の供給が無くなって
も、内部のコンデンサの蓄電により数十秒は回路へ電源
は供給されるため、この間にバックアップをしていた
が、バックアップに時間がかかるようではこれもできな
い。
【0005】本件発明は、バックアップデータの量が多
くても、素早くバックアップが可能であり、また不測の
電源OFFに対しても安全にバックアップデータが保持
されているバックアップ回路を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記のような目的を達成
するために本件第1の発明は、複数の操作キーや表示部
などからなるユーザーインターフェースと、画像形成装
置などを制御するCPUと、制御プログラムや初期設定
データなどを格納しており、不揮発性メモリである第1
のメモリ(ROM)と、前記画像形成装置のシステムが
起動されると、前記第1のメモリの制御プログラムや初
期設定データまたはバックアップされた設定データを読
み込みワークメモリとして用いられ、さらにユーザーイ
ンターフェースから入力されるユーザーチョイスデータ
や、トータルカウントデータなどを保持し、所定のブロ
ック単位で書き換え可能な揮発性メモリである第2のメ
モリ(SRAM)と、前記第2のメモリの前記設定デー
タや、ユーザーチョイスデータ、トータルカウントデー
タなどのバックアップ用のメモリとして用いられ、書き
込み可能かつクリアする場合は全ての内容を一括で消去
可能で、特に電源を用いることなく内容を保持すること
ができる第3のメモリ(フラッシュメモリ)と、最初に
前記第2のメモリのバックアップの必要なデータを前記
第3のメモリの第1の領域に格納し、第2のメモリに対
して書き込み信号があった場合には、第2のメモリ(S
RAM)のアクセスのあったブロックのアドレスと、変
化後のブロックデータを、前記第3のメモリの第2の領
域に順次格納していき、前記バックアップデータを再現
する場合には、前記第3のメモリの第1の領域のデータ
を第2のメモリに再現したあと、第2の領域に格納され
たアドレスとバックアップデータに基づいて第2のメモ
リに再現された前記データを部分的に書き換えるバック
アップ制御手段とを有することを特徴とするバックアッ
プ回路を用いる。
【0007】本件第2の発明は、前記バックアップ回路
は、さらに前記第3のメモリと同様の作用をできる第4
のメモリ(フラッシュメモリ)を有し、前記第3のメモ
リの第2の領域がオーバーフローしそうになった場合に
は、前記第2のメモリのバックアップの必要なデータを
前記第4のメモリの第1の領域に格納し、前記第3のメ
モリをクリアし、第2のメモリに対して書き込み信号が
あった場合には、第2のメモリ(SRAM)のアクセス
のあったブロックのアドレスと、変化後のブロックデー
タを、前記第4のメモリの第2の領域に順次格納してい
き、前記バックアップデータを再現する場合には、前記
第4のメモリの第1の領域のデータを第2のメモリに再
現したあと、第2の領域に格納されたアドレスとバック
アップデータに基づいて第2のメモリに再現された前記
データを部分的に書き換えることを特徴とする第1の発
明に記載のバックアップ回路を用いる。
【0008】
【作用】本件第1の発明は、最初にワークメモリとして
用いられるSRAMのデータのうちバックアップの必要
なデータをフラッシュメモリの第1の領域に格納し、そ
の後でSRAMのデータが書き替えられたときには、そ
の変化したSRAMのブロックデータのアドレスとブロ
ックデータをフラッシュメモリの第2の領域に順次書き
込むことによりバックアップを行う。この結果バックア
ップが短時間で効率良く行えるようになった。またバッ
クアップデータを再現するときにはまずフラッシュメモ
リの第1の領域をSRAMにコピーし、続いて第2の領
域に格納された内容に基づきSRAMのデータを更新す
ることにより元の状態を再現する。
【0009】本件第2の発明は、第3のメモリの第2の
領域がオーバーフローしそうに成った場合は、第3のメ
モリと同じような第4のメモリの第1の領域にSARM
の必要なデータを格納してバックアップし、以下第3の
メモリと同じ用い方をする。第4のメモリをバックアッ
プ用として用いているときには、第3のメモリを空にリ
ファインして第4のメモリの第2の領域がオーバーフロ
ーしそうになると再び第3のメモリでバックアップを行
うときに備える。
【0010】
【実施例】本発明を採用するバックアップ回路を図1に
基づいて説明する。ここではこのバックアップ回路を複
写機機能、ファクシミリ、プリンタなどの機能をもつ複
合装置に適応した場合を示している。このバックアップ
回路は、CPU1,メモリ制御手段2、ROM3,SR
AM4,第1フラッシュメモリ51,第2フラッシュメ
モリ52、ユーザーインタフェース6、電源装置7,コ
ントロールバス、アドレスバス、データバスなどのバス
ライン81〜84、その他の接続線91,92などから
構成されている。
【0011】CPU1は当該複合機を制御しており、S
RAM4の制御プログラム41と、例えば露光ランプ電
圧テーブルデータや、トナコンデータ、定着温度デー
タ、オートシャットオフ時間、仕向地の言語、温湿度対
応用のテーブルデータ、給紙搬送タイミング調整用デー
タ等々様々な設定データ43、前記ユーザーインタフェ
ース6から入力されて保持されている、露光量データ、
枚数データ、倍率データ、紙サイズデータ、ジョブデー
タなどのユーザーチョイスデータ42に従って制御さ
れ、バス81を介してダイレクトにSRAM4にアクセ
スしている。またCPU1は、図示していないソータや
DFなどの周辺機器に設けられたCPUと通信したり、
ユーザーインタフェース6から入力された情報をコード
化してSARM41のユーザーチョイスデータ42や設
定データ43を更新する命令をする役割も持っている。
【0012】メモリ制御手段2は、接続されたメモリ3
〜5のメモリの読み出し、書き込みを行う装置であり、
各々のメモリの指定されたアドレスのデータにアクセス
して読み書きを行っている。内部バッファ21は、ブロ
ック単位で扱われるデータを一時的に保持するものであ
る。さらにここでは本件の特徴でもあるバックアップ手
段22も含まれる。
【0013】ROM3は読み出し専用の不揮発性メモリ
で、制御プログラム31や例えば露光ランプ電圧テーブ
ルデータや、トナコンデータ、定着温度データ、オート
シャットオフ時間、仕向地の言語、温湿度対応用のテー
ブルデータ、給紙搬送タイミング調整用データ等々様々
な設定データの初期値が記憶されている。
【0014】SRAM4は揮発性のメモリで、上述した
ように、制御プログラム41を読み込みワークメモリと
しての機能、ユーザーチョイスデータ42、設定データ
43の保持、トータルカウントデータ44の保持などを
行っている。内部ではブッロク単位でアドレスが指定さ
れて記憶されている。通常は2次電源で内容が消えない
ようにされているものもあるが、本実施例では特に2次
電源をもたないので、電源の供給がカットされると内部
のデータは消えてしまう。
【0015】第1フラッシュメモリ51は、読み書き可
能な記憶媒体であり、電源などは無くとも内容を保持で
きる。ここでは特に前記SRAM4のデータのうち、図
2に示すように第1フラッシュメモリ51内の第1の領
域(ブロックA〜L)には予め決められたアドレスにブ
ロック単位でバックアップが必要なデータを記憶してお
り、ユーザーチョイスデータのバックアップデータ51
1、設定データのバックアップデータ512、トータル
カウントデータのバックアップデータ513などが格納
されている。また本件の特徴である第1フラッシュメモ
リ51の第2の領域(ブロックM〜N)には、上記第1
の領域にバックアップされている内容から変化してしま
ったSRAM4のブロックデータのアドレスと、変化後
のブロックデータが順次格納されていく。
【0016】第2のフィラッシュメモリ52は前記第1
のフラッシュメモリ51と同じものを用いており、無く
ても良いが、前記第1のフラッシュメモリ51の第2の
領域がオーバーフローする場合に必要なリファインモー
ドで用いる。
【0017】ユーザーインタフェース6は、ここでは操
作表示部や各種キーのことあでありお、ここからの信号
を時分割された信号としてCPU1に入力したり、逆に
CPU1からの信号をこれらの操作表示部などに送るも
のである。
【0018】電源装置7はCPU1や他の装置に電力を
供給するための装置である。本実施例では電源装置はこ
れのみであり信号線92でCPU1に接続されている
が、図示していない電源ラインで各装置に電源を供給し
ている。その他メモリ内容を保持するための2次電源は
有していない。
【0019】バスライン8は、コントロールバス、アド
レスバス、データバスなどからなり、コントロールバス
は制御信号を、アドレスバスはメモリから読み書きする
ときのアクセス先のアドレス指定に用いられ、データバ
スは画像データなどのビット信号を伝送するために用い
られる。
【0020】通常のバックアップ動作について図3に基
づき説明する。まずSARM4に書き込みのアクセスが
あったかを判断する(S101)。ここではユーザーイ
ンターフェース6からCPU1を介して送られてくる操
作信号やキーを押した信号に基づいてユーザーチョイス
データを書き換える場合、露光ランプ電圧テーブルデー
タや、トナコンデータ、定着温度データ、オートシャッ
トオフ時間、仕向地の言語、温湿度対応用のテーブルデ
ータ、給紙搬送タイミング調整用データ等々様々な設定
データを変更する操作がなされた場合、複写などのプリ
ント動作がなされてカウンタデータがインクリメントさ
れる場合などが考えられる。このようなSRAM4に対
して書き込み動作があった場合は、メモリ制御手段2は
そのアクセスのあったブロックデータのみを内部バッフ
ァ21に読み出し(S102)、このブロックのアドレ
ス情報とともに第1のフラッシュメモリ51の第2の領
域に順次書き込む(S103)。このようにSRAM4
に対しての書き込み動作を監視することに応じて変化し
た部分とその内容のみの部分的なバックアップデータの
作成動作を行っている。
【0021】次にバックアップデータの読み出しについ
て図4のフローチャートに基づいて説明する。まず電源
が切られている状態から、電源SWのONを判断し(S
201)、電源が入るとメモリ制御手段2は順次第1の
フラッシュメモリ51の第1の領域に格納されているデ
ータを読み出して(S202)、SRAMの対応するブ
ロックに書き込む(S203)。続いて第1のフラッシ
ュメモリ51の第2の領域のデータを読み出し、ここに
格納されているアドレス情報に従いSRAMのデータを
書き替える(S205)。前記第1のフラッシュメモリ
51の第2の領域のデータが全てSRAM4に反映され
れば処理は終了する。これと前後してROM3のプログ
ラムデータは同じような手順でSRAM4に記憶されて
システムは立ち上がる。
【0022】しかし上述したような動作を延々と繰り返
していくと第1のフラッシュメモリ51の第2の領域は
オーバーフローしてしまう。さらに第2の領域のデータ
が多すぎると図4で説明したS204、S205の時間
がかかってしまう。そこで本実施例ではフラッシュメモ
リのリファインモードを有する。この動作を図5のフロ
ーチャートを用いて説明する。
【0023】まずリファインの命令があったか否かを判
断し(S301)、あった場合はSRAM4のバックア
ップの必要なデータを読み出し(S302)、第2のフ
ラッシュメモリ52の第1の領域に書き込み(S30
3)、使われなくなった第1のフラッシュメモリ51の
データをクリアし(S304)、処理を終了する。こう
すれば第2のフラッシュメモリ52には最新の情報が格
納される。以後は再びSRAM4のデータが書き替わる
と、それに応じて第2のフラッシュメモリ52の第2の
領域に変化アドレスとそのブロックデータが順次格納さ
れていく。また同様にこの第2のフラッシュメモリ52
を使っているときにリファインの命令があった場合は、
再び第1のフラッシュメモリ51をバックアップ用メモ
リとして使い、第2のフラッシュメモリ52を使う。こ
のようにリファインの度に第1と第2のフラッシュメモ
リ(51,52)を交互に切り替えて用いる。このリフ
ァインのタイミングは任意に設定された時間おきに行っ
ても良いし、または第1、第2のフラッシュメモリ(5
1,52)のバックアップとして使っている方の第2の
領域の空き容量が所定値を下回ったタイミングで行って
も良い。また電源SWがONされた直後に、電源OFF
直前の状態に復帰したタイミングで行こなっても良い。
【0024】このように電源OFF時のバックアップ動
作は特に必要なく、電源が切られるとすぐにシステムダ
ウンが可能である。
【0025】
【発明の効果】本件第1の発明を用いれば、最初にワー
クメモリとして用いられるSRAMのデータのうちバッ
クアップの必要なデータをフラッシュメモリの第1の領
域に格納し、その後でSRAMのデータが書き替えられ
たときには、その変化したSRAMのブロックデータの
アドレスとブロックデータをフラッシュメモリの第2の
領域に順次書き込むことによりバックアップを行う。こ
の結果バックアップが短時間で効率良く行えるようにな
った。またバックアップデータを再現するときにはまず
フラッシュメモリの第1の領域をSRAMにコピーし、
続いて第2の領域に格納された内容に基づきSRAMの
データを更新することにより元の状態を再現することが
できる。
【0026】本件第2の発明を用いれば、第3のメモリ
の第2の領域がオーバーフローしそうに成った場合は、
第3のメモリと同じような第4のメモリの第1の領域に
SARMの必要なデータを格納してバックアップし、以
下第3のメモリと同じ用い方をする。第4のメモリをバ
ックアップ用として用いているときには、第3のメモリ
を空にリファインして第4のメモリの第2の領域がオー
バーフローしそうになると再び第3のメモリでバックア
ップを行うときに備えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を採用する複合装置の構成図の概略であ
る。
【図2】バックアップに用いられるフラッシュメモリの
内部構造の概略である。
【図3】通常のバックアップ動作のフローチャートであ
る。
【図4】電源ON時のバックアップの読み取り動作のフ
ローチャートである。
【図5】リファインモード時のバックアップ動作のフロ
ーチャートである。
【符号の説明】
1;CPU 2;メモリ制御手段 3;ROM 4;SRAM 51;第1のフラッシュメモリ 52;第2のフラッシュメモリ 6;ユーザーインターフェース 7;電源装置 8;バス 9;信号線
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) 5C073

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数の操作キーや表示部などからなるユー
    ザーインターフェースと、画像形成装置などを制御する
    CPUと、制御プログラムや初期設定データなどを格納
    しており、不揮発性メモリである第1のメモリ(RO
    M)と、前記画像形成装置のシステムが起動されると、
    前記第1のメモリの制御プログラムや初期設定データま
    たはバックアップされた設定データを読み込みワークメ
    モリとして用いられ、さらにユーザーインターフェース
    から入力されるユーザーチョイスデータや、トータルカ
    ウントデータなどを保持し、所定のブロック単位で書き
    換え可能な揮発性メモリである第2のメモリ(SRA
    M)と、前記第2のメモリの前記設定データや、ユーザ
    ーチョイスデータ、トータルカウントデータなどのバッ
    クアップ用のメモリとして用いられ、書き込み可能かつ
    クリアする場合は全ての内容を一括で消去可能で、特に
    電源を用いることなく内容を保持することができる第3
    のメモリ(フラッシュメモリ)と、最初に前記第2のメ
    モリのバックアップの必要なデータを前記第3のメモリ
    の第1の領域に格納し、第2のメモリに対して書き込み
    信号があった場合には、第2のメモリ(SRAM)のア
    クセスのあったブロックのアドレスと、変化後のブロッ
    クデータを、前記第3のメモリの第2の領域に順次格納
    していき、前記バックアップデータを再現する場合に
    は、前記第3のメモリの第1の領域のデータを第2のメ
    モリに再現したあと、第2の領域に格納されたアドレス
    とバックアップデータに基づいて第2のメモリに再現さ
    れた前記データを部分的に書き換えるバックアップ制御
    手段とを有することを特徴とするバックアップ回路。
  2. 【請求項2】前記バックアップ回路は、さらに前記第3
    のメモリと同様の作用をできる第4のメモリ(フラッシ
    ュメモリ)を有し、前記第3のメモリの第2の領域がオ
    ーバーフローしそうになった場合には、前記第2のメモ
    リのバックアップの必要なデータを前記第4のメモリの
    第1の領域に格納し、前記第3のメモリをクリアし、第
    2のメモリに対して書き込み信号があった場合には、第
    2のメモリ(SRAM)のアクセスのあったブロックの
    アドレスと、変化後のブロックデータを、前記第4のメ
    モリの第2の領域に順次格納していき、前記バックアッ
    プデータを再現する場合には、前記第4のメモリの第1
    の領域のデータを第2のメモリに再現したあと、第2の
    領域に格納されたアドレスとバックアップデータに基づ
    いて第2のメモリに再現された前記データを部分的に書
    き換えることを特徴とする請求項1に記載のバックアッ
    プ回路。
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