JP2001216786A - 記憶装置と記憶データの処理方法、及び画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 特定のメモリ領域の書込回数が所定限界回数
を超えるのを防止して記憶素子の寿命を向上させ、且つ
データの消失やシステムの暴走・誤動作を回避すること
ができるようにした。 【解決手段】 乱数データ発生部から乱数データを読み
取り（Ｓ１１）、乱数データに基づきアドレスのオフセ
ット値を計算する（Ｓ１２）。次いで、ＥＥＰＲＯＭの
データ格納領域に格納されている乱数データをクリアし
（Ｓ１３）、上記オフセット値に基づいてバックアップ
するデータをＥＥＰＲＯＭに順次格納していく（Ｓ１
４）。そして、バックアップするデータを全てＥＥＰＲ
ＯＭに格納した後、取得した乱数データをＥＥＰＲＯＭ
のデータ格納領域に格納し（Ｓ１５）、処理を終了す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は記憶装置と記憶デー
タの処理方法、及び画像形成装置に関し、より詳しく
は、所謂バックアップデータを記憶することのできる記
憶装置と、記憶データを修復処理する記憶データの処理
方法、及び前記記憶装置を搭載した画像形成装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】複写機に代表される画像形成装置等の各
種システムでは、読み書き可能な半導体記憶装置を搭載
し、該記憶装置を使用して蓄積された記憶データを読み
出したり、新規データの書込が行われている。

【０００３】この種記憶装置の記憶素子としては、従来
より、ダイナミックＲＡＭ（Dynamic Random Access Me
mory；以下、「ＤＲＡＭ」という）やスタティックＲＡ
Ｍ（Static Random Access Memory；以下、「ＳＲＡ
Ｍ」という）等の揮発性メモリが使用されていた。

【０００４】しかしながら、上記揮発性メモリは、デー
タの読み書きを高速で行うことができるという利点を有
する一方で、電源電圧の供給が遮断された場合はメモリ
に蓄積されたデータ内容を保存することができず、この
ため、外部からの電源供給が停止された場合であっても
メモリ内の記憶データを保持すべく、システム内にバッ
クアップ電源部を備えておく必要があり、その結果コス
ト高を招来するという欠点があった。

【０００５】しかも、バックアップ電源部は、通常、電
池やコンデンサなどで構成されるため、揮発性メモリへ
の電源供給可能時間が電池容量やコンデンサ容量に依存
し、したがって記憶データの保持可能時間が有限である
という欠点もあった。

【０００６】そこで、斯かる欠点を解消する手段とし
て、データの書換が可能な不揮発性メモリを使用するに
至った。

【０００７】そして、上記不揮発性メモリとしては、半
導体製造過程でデータを書込むことができ、データの消
去が不可能なマスクＲＯＭ（Masked Read Only Memor
y）等の固定メモリを使用することが一般的であった
が、近年、数百回から数万回に亙ってデータを電気的に
消去及び書込を行うことのできるＥＥＰＲＯＭ（Electr
ically Erasable Read Only Memory）が市場に登場して
きている。

【０００８】該ＥＥＰＲＯＭは、電源の供給が停止して
も記憶データを保持することができるので、バックアッ
プ電源部をシステム内に設ける必要がなくなり、また、
ＥＥＰＲＯＭ内のデータは電気的に消去、書込みが可能
であり、したがってシステムに実装したまま記憶データ
の変更を行うことができる。

【０００９】しかしながら、前記ＥＥＰＲＯＭは、ＤＲ
ＡＭ等の揮発性メモリに比べ、データの書換に長時間を
要し、したがって、高速でデータ更新を行うことが要求
されるシステムには適さないという欠点があった。

【００１０】そこで、上記揮発性メモリと不揮発性メモ
リとしてのＥＥＰＲＯＭの双方を実装し、互いの欠点を
補完したバックアップ記憶装置が使用されている。

【００１１】該記憶装置では、外部からの電源電圧がシ
ステムに供給されている場合は、ＥＥＰＲＯＭに蓄積さ
れた記憶データを揮発性メモリ上の対応したアドレスに
展開し、記憶データの読出し要求や書込み要求がシステ
ムから指令された場合は、揮発性メモリが上述した読出
し要求や書込み要求に対処している。そして、システム
から揮発性メモリのバックアップデータの要求が指令さ
れてきた場合や外部からの電源電圧の供給停止の要求が
行われた場合は、揮発性メモリに展開されているデータ
をＥＥＰＲＯＭに書き込み、これによりデータの保持を
行っている。

【００１２】また、ＥＥＰＲＯＭに蓄積された記憶デー
タが内的要因や外的要因等、何らかの原因により破壊さ
れた場合は、前記ＥＥＰＲＯＭに蓄積されたデータを揮
発性メモリに展開すると、揮発性メモリ上の展開された
領域には意味不明の不定データが蓄積されることとな
り、このため特にモータやアクチュエータを備えたシス
テムでは、システムの暴走や誤作動等を招く虞がある。

【００１３】そこで、上述した何らかの原因によりＥＥ
ＰＲＯＭ内の記憶データが破壊された場合は、記憶装置
内のマスクＲＯＭ等、固定メモリに蓄積された初期デー
タを揮発性メモリに展開することも行われている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の記憶装置では、各種システムからのデータ書込要求
やデータ読出要求を高速でもって対処することができ、
電源供給停止された場合バックアップ電源部を備えてい
なくとも記憶データを保持することができるものの、上
述したようにＥＥＰＲＯＭの書込回数には限界があり、
書込回数が所定の限界書込回数を超えた場合は最早記憶
データを書き込むことができなくなり、したがって記憶
データをバックアップすることができなくなる。

【００１５】一方、この種のバックアップ機能を有する
記憶装置では、ＥＥＰＲＯＭのアドレスと揮発性メモリ
のアドレスとを関連付けてＥＥＰＲＯＭにバックアップ
データを保存する必要がある。

【００１６】したがって、従来の記憶装置では、書込回
数の多くなったメモリ領域と書込回数が比較的少ないメ
モリ領域とが１個のＥＥＰＲＯＭ上に混在した場合、書
込回数の多いメモリ領域が限界書込回数を超えてしまっ
たときは書込回数の少ないメモリ領域が存在するにも拘
わらず、ＥＥＰＲＯＭを交換しなければならず、ＥＥＰ
ＲＯＭの全メモリ領域を有効活用することができないと
いう問題点があった。

【００１７】しかも、重要なデータは更新される毎にデ
ータの書込みを行ってデータの消失を防止することがで
きるが、書込回数が限界書込回数を超えてしまった場合
はデータが消失してしまう虞があり、斯かる事態が生じ
るとシステム全体としても動作に支障が生じ、場合によ
っては致命的な障害が発生する虞があるという問題点が
あった。

【００１８】また、上記記憶装置の搭載されるシステム
が複写機等の画像形成装置の場合は、その耐久寿命がＥ
ＥＰＲＯＭの限界書込回数よりも長い場合が多く、コピ
ー枚数やプリント枚数のカウント値等の書き込みが不可
能となったメモリ領域にバックアップデータが記憶され
ている場合は、画像形成装置の寿命管理に支障を来たす
という問題点があった。

【００１９】本発明はこのような事情に鑑みなされたも
のであって、特定のメモリ領域の書込回数が所定限界回
数を超えるのを防止して記憶素子の寿命を向上させ、且
つデータの消失やシステムの暴走・誤動作を回避するこ
とができる記憶装置と記憶データの処理方法、及び画像
形成装置を提供することを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る記憶装置は、記憶データの読出し及び書
込みが可能な揮発性メモリからなる第１の記憶手段と、
該第１の記憶手段に記憶される記憶データをバックアッ
プデータとして保存する不揮発性メモリからなる第２の
記憶手段とを有する記憶装置において、乱数データを発
生する乱数データ発生手段と、該乱数データ発生手段に
より発生した乱数データに基づいて第２の記憶手段にお
けるメモリ領域の移動量を算出する移動量算出手段と、
該移動量算出手段により算出された移動量だけ移動した
メモリ領域に前記バックアップデータを保存する保存手
段とを備えていることを特徴としている。

【００２１】また、本発明に係る記憶装置は、記憶デー
タの読出し及び書込みが可能な揮発性メモリからなる第
１の記憶手段と、該第１の記憶手段に記憶される記憶デ
ータをバックアップデータとして保存する不揮発性メモ
リからなる第２の記憶手段とを有する記憶装置におい
て、日付データを発生する日付データ発生手段と、該日
付データ発生手段により発生した日付データに基づいて
第２の記憶手段におけるメモリ領域の移動量を算出する
移動量算出手段と、該移動量算出手段により算出された
移動量だけ移動したメモリ領域に前記バックアップデー
タを保存する保存手段とを備えていることを特徴とする
のも好ましい。

【００２２】本発明に係る記憶データの処理方法は、記
憶データの読出し及び書込みが可能な揮発性メモリから
なる第１の記憶手段と、該第１の記憶手段に記憶される
記憶データをバックアップデータとして保存する不揮発
性メモリからなる第２の記憶手段とを有し、前記第２の
記憶手段に記憶されているバックアップデータを前記第
１の記憶手段に復元する記憶データの処理方法におい
て、乱数データを発生する乱数データ発生ステップと、
該乱数データ発生ステップで発生した乱数データに基づ
いて第２の記憶手段におけるメモリ領域の移動量を算出
する移動量算出ステップと、該移動量算出ステップで算
出された移動量だけ移動したメモリ領域に前記バックア
ップデータを保存する保存ステップとを含むことを特徴
としている。

【００２３】また、本発明に係る記憶データの処理方法
は、記憶データの読出し及び書込みが可能な揮発性メモ
リからなる第１の記憶手段と、該第１の記憶手段に記憶
される記憶データをバックアップデータとして保存する
不揮発性メモリからなる第２の記憶手段とを有し、前記
第２の記憶手段に記憶されているバックアップデータを
前記第１の記憶手段に復元する記憶データの処理方法に
おいて、日付データを発生する日付データ発生ステップ
と、該日付データ発生ステップで発生した日付データに
基づいて前記第２の記憶手段におけるメモリ領域の移動
量を算出する移動量算出ステップと、該移動量算出ステ
ップで算出された移動量だけ移動したメモリ領域に前記
バックアップデータを保存する保存ステップとを含むこ
とを特徴とするのも好ましい。

【００２４】本発明に係る画像形成装置は、上記記憶装
置を備えていることを特徴としている。

【００２５】尚、本発明の他の特徴は下記の発明の実施
の形態の記載により明らかとなろう。

【００２６】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳説する。

【００２７】図１は、本発明に係る画像形成装置として
のデジタル複写機の一実施の形態を示す内部構成図であ
って、該デジタル複写機は、原稿に描かれている画像デ
ータを読み取る画像入力部１と、該画像入力部１に載設
された自動原稿送り部２と、画像データに記録用紙を出
力する画像形成部３と、該画像形成部３から排出される
記録用紙を複数のビンに仕分けして排出するソータ４と
を備えている。

【００２８】また、画像入力部１は、原稿台に載置され
た原稿を照射しながら走査する光源５と、該光源５によ
り反射された原稿からの反射光の光路上に配設されたミ
ラー６〜８と、該ミラー６〜８からの光が集光するレン
ズ９と、該レンズ９を透過した光が結像するＣＣＤ１０
とを備えている。

【００２９】画像形成部３は、画像入力部１からの出力
に応じてレーザ光を発する光学照射部１１と、該光学照
射部１１からのレーザ光により照射される感光ドラム１
２と、該感光ドラム１２を介して記録用紙に転写された
画像データを定着する定着ローラ１３と、記録用紙が収
納された給紙トレイ１４、１５と、大量の記録用紙が収
納可能な給紙デッキ１６と、ＯＨＰシートや厚紙、はが
きサイズ紙等、特殊な記録用紙を容易に給紙するための
手差トレイ１７と、搬送路上に配設された適数個の搬送
ローラ１８…とを備えている。また、排紙トレイ２０は
前記ソータ４により仕分けられた記録用紙を排紙する。

【００３０】尚、前記光学照射部１１は、ポリゴンミラ
ー２１とレンズ２２と反射ミラー２３とを有している。

【００３１】このように構成されたデジタル複写機にお
いては、光源５が光学系モータ（不図示）からの駆動力
を得て左右方向に往復駆動する。そして、光源５により
反射された原稿からの光は、光源５と一体的に駆動する
ミラー６〜８及びレンズ９を介してＣＣＤ１０に結像さ
れ、該ＣＣＤ１０により光学像は電気信号に変換され
る。そして、画像入力部１における各制御値は後述する
バックアップ記憶部に記憶される。

【００３２】次いで、画像入力部１で電気信号に変換さ
れた画像データは、画像処理部でデジタル信号に変換さ
れ、種々の補正処理とユーザの希望する処理による画像
処理が加えられ、画像メモリ（不図示）に蓄積される。
そして、画像処理部における各制御値も後述するバック
アップ記憶部に記憶される。

【００３３】次いで、前記画像メモリに蓄積された画像
データは該画像メモリから読み出されてアナログ信号に
変換され、画像形成部３に転送される。そして、画像形
成部３では、画像データが露光制御部（不図示）により
適正な出力値に増幅され、光学照射部１１により光信号
に変換される。すなわち、光信号はポリゴンミラー２
１、レンズ２２及び反射ミラー２３を介して感光ドラム
１２に照射され、静電潜像が形成される。そして、該静
電潜像はトナーにより可視化され、給紙トレイ１４、１
５、給紙デッキ１６又は手差しトレイ１７から搬送され
てくる記録用紙上に転写され、さらに定着ローラ１３に
より記録用紙上にトナーが定着されて画像データが記録
された後、ソータ４に送られ、該ソータ４で仕分けされ
た記録用紙は排紙トレイ２０上に排紙される。そして、
これら画像形成部３における各制御値もバックアップ記
憶部に記憶される。

【００３４】このように本デジタル複写機では、原稿か
ら画像データを読み取った後、ＣＣＤ１０により画素化
されて画像データとして読み込まれ、必要な画像処理が
行われた後、画像メモリに蓄えられ、該画像データは画
像形成部３に転送され、画像再生されて記録用紙に出力
される。

【００３５】尚、バックアップ記憶部には記録用紙のコ
ピー枚数のカウント値やプリント枚数のカウント値が格
納される。

【００３６】図２は本体制御部とバックアップ記憶部と
の関係を示すブロック構成図である。

【００３７】すなわち、本体制御部２４は、上述した画
像入力部１、画像処理部及び画像形成部３における各制
御値を取得する。また、バックアップ記憶部２５は、読
出専用の固定メモリとしてのマスクＲＯＭと、読み書き
可能な揮発性メモリとしてのＤＲＡＭと、不揮発性メモ
リとしてのＥＥＰＲＯＭとを有し、本体制御部２４で得
られた各制御値はバックアップ記憶部２５内のＤＲＡＭ
に書き込み、またＤＲＡＭから読み出す。

【００３８】また、本体制御部２４の各制御値は、ＤＲ
ＡＭからＥＥＰＲＯＭに転送されてバックアップされる
と共に、本体制御部２４からもバックアップ記憶部２５
のＥＥＰＲＯＭに直接記憶させてデータのバックアップ
を行うことができる。

【００３９】図３はバックアップ記憶部２５の詳細を示
すブロック構成図であって、該バックアップ記憶部２５
は、マスクＲＯＭ２６、ＤＲＡＭ２７、ＥＥＰＲＯＭ２
８、乱数データ発生部２９及びエラー表示部３０が制御
部３１に接続されている。

【００４０】マスクＲＯＭ２６は、電源又はアースに線
を接続することにより所望のデータが記憶されるもので
あり、蓄積させておきたいデータを予めマスクとして用
意し、ウエハ上にステッパーで焼き付けて製造される。
このため、マスクＲＯＭ２６に対してはデータの消去や
書込を行うことは不可能であるが、必要な回路は基本的
には番地選択回路のみで足り、したがって大容量化が容
易である。

【００４１】また、ＤＲＡＭ２７は、１ビットに相当す
る情報をコンデンサの電荷で蓄積するものであり、した
がって、例えば、電荷がコンデンサに蓄積されている場
合は「１」、蓄積されていない場合は「０」に設定され
るが、電圧がコンデンサに印加されていないときは時間
の経過と共にコンデンサに蓄積されている電荷量が減少
し、情報は保持できなくなる。したがってＤＲＡＭ２７
においては一定周期でコンデンサに電荷を蓄積し直すリ
フレッシュ作業を行う必要がある。逆に言うと、ＤＲＡ
Ｍ２７は、リフレッシュ作業以外ではＤＲＡＭ２７に電
力の供給する必要がなく、低電力で大量の情報を保持す
ることができる。そして、ＤＲＡＭ２７はバックアップ
記憶部２５が外部から電力供給されているときに外部か
らのデータの読み出し要求、書き込み要求に応える。

【００４２】ＥＥＰＲＯＭ２８は、フローティングゲー
ト型電界効果トランジスタを有しており、フローティン
グゲートに蓄積された電荷により１ビットの情報を記憶
する。フローティングゲート型電界効果トランジスタに
印加される電圧によりフローティングゲートに電荷を蓄
積したり、電荷を放電することができ、これにより電気
的に情報の消去及び書込みを行うことができる。

【００４３】また、ＥＥＰＲＯＭ２８はデータ格納領域
２８ａを備えている。データ格納領域２８ａには８バイ
トや１６バイトなど任意の適当なデータ長を有する乱数
データが格納され、また、該乱数データは、制御部３１
からの指令に基づきー定の乱数データフォーマットによ
り記述される。

【００４４】乱数データ発生部２９は、現在の乱数デー
タを発生する。すなわち、乱数データは制御部３１の指
令に基づき乱数データ発生部２９から読み出される。エ
ラー表示部３０は、ＥＥＰＲＯＭ２８に蓄積されている
記憶データが破壊された場合にエラー情報を表示し、前
記記憶データが破壊されたことをユーザに通知する。

【００４５】制御部３１は、マスクＲＯＭ２６、ＤＲＡ
Ｍ２７、及びＥＥＰＲＯＭ２８等を管理し、外部からの
データ転送要求や外部からの指示によるデータのバック
アップし、修復を行う。

【００４６】図４は、ＥＥＰＲＯＭ２８に記憶されてい
るバックアップデータをＤＲＡＭ２７に展開する展開手
順を示すフローチャートであって、本プログラムは外部
からバックアップ記憶部２５に電源供給がなされたとき
に制御部３１で実行される。

【００４７】ステップＳ１ではＥＥＰＲＯＭ２８上のデ
ータ格納領域２８ａに格納されている乱数データを読み
取り、ステップＳ２で乱数データを正しく読み込むこと
ができたか否かを判断する。そして、その答が肯定（Ｙ
ｅｓ）、すなわち正しく読み取れたと判断された場合は
ステップＳ３に進み、乱数データに基づいてアドレスの
オフセット値（移動量）を算出し、バックアップされた
データがＥＥＰＲＯＯＭ２８上のどのアドレス領域にあ
るか検出する。尚、このオフセット値は、常時書きこみ
を行うバックアップデータに使用するするため、ＤＲＡ
Ｍ２７に保存する。

【００４８】そしてこの後、ステップＳ４ではステップ
Ｓ３で算出されたアドレスのオフセット値に基づきＥＥ
ＰＲＯＭ２８に格納されているデータを、対応するＤＲ
ＡＭ２７のアドレス領域に展開し、処理を終了する。

【００４９】一方、ステップＳ２の答が否定（Ｎｏ）、
すなわち乱数データを正しく読み取れなかった場合は、
ＥＥＰＲＯＭ２８のデータが破壊されたと判断してステ
ップＳ５に進み、マスクＲＯＭ２６に書き込まれている
初期データのうち、ＥＥＰＲＯＭ２８に格納されている
データに対応する初期データをＥＥＰＲＯＭ２８に展開
してリカバリ処理を実行し、続くステップＳ６ではＥＥ
ＰＲＯＭ２８に格納されているデータが正しくない旨を
ユーザに知らせるため、エラー表示部３０にその旨を表
示し、処理を終了する。

【００５０】図５は、乱数データに基づいてアドレスの
オフセット値を計算し、ＥＥＰＲＯＭ２８にデータを格
納する格納手順を示すフローチャートであって、本プロ
グラムは、外部からバックアップ記憶部２５に供給され
ている電源電圧の遮断要求が生じた場合に制御部３１で
実行される。

【００５１】ステップＳ１１で乱数データ発生部２９か
ら乱数データを読み取り、続くステップＳ１２で乱数デ
ータに基づきアドレスのオフセット値（移動量）を算出
する。次いで、ステップＳ１３ではＥＥＰＲＯＭ２８の
データ格納領域２８ａに格納されている乱数データをク
リアする。すなわち、バックアップするデータをＥＥＰ
ＲＯＭ２８に書込む前に、現在格納されているＥＥＰＲ
ＯＭ２８上の乱数データを破壊する。そしてこの後、ス
テップＳ１４で上記オフセット値に基づいてバックアッ
プするデータをＥＥＰＲＯＭ２８に順次格納していく。

【００５２】このようにしてバックアップするデータを
全てＥＥＰＲＯＭ２８に格納した後、ステップＳ１５で
は取得した乱数データをＥＥＰＲＯＭ２８のデータ格納
領域２８ａに格納し、処理を終了する。

【００５３】これにより、ＥＥＰＲＯＭ２８へのバック
アップデータ書込み途中に停電が生じたり電源コンセン
トがプラグから抜脱されてデータの書込に必要な電源供
給が遮断されれた場合は、ＥＥＰＲＯＭ２８のデータ格
納領域２８ａには正しくない不正の値が格納されるた
め、バックアップデータのリカバリ時にＥＥＰＲＯＭ２
８へのバックアップが正常に終了しなかったと判断する
ことができる。また、ＥＥＰＲＯＭ２８のデータ格納領
域に正しい値が保存されている場合は、正常にバックア
ップ動作が完了した事を判断することができる。

【００５４】そして、本実施の形態では、外部から供給
されている電源電圧の遮断要求がきた場合に、バックア
ップデータをＥＥＰＲＯＭ２８に書き込む際に、乱数デ
ータ発生部２９より乱数データを読み出し、その乱数デ
ータから書込むデータのアドレス領域に対するオフセッ
ト値を算出して、アドレスをオフセットさせてバックア
ップデータをＥＥＰＲＯＭ２８に格納することにより、
毎回同じアドレス領域に書込むのではなく、異なるアド
レス領域に書込むことができ、これによりＥＥＰＲＯＭ
２８の特定のアドレス領域が書込限度を超えることを防
止することができ、ＥＥＰＲＯＭ２８を有効に使用でき
る。

【００５５】また、外部電源投入時に、ＥＥＰＲＯＭ２
８の乱数データが正しく読み取れるか否かを判定し、乱
数データが正しくない場合には、ＥＥＰＲＯＭ２８のデ
ータが破壊されていると判断し、ＥＥＰＲＯＭ２８のデ
ータを展開すべきＤＲＡＭ２７のメモリ領域をマスクＲ
ＯＭ２６に蓄積されている初期データでリカバリするこ
とができる。

【００５６】図６はバックアップ記憶部２５の第２の実
施の形態を示すブロック構成図であって、該第２の実施
の形態では乱数データ発生部に代えて現在の日付データ
を出力する日付データ発生部３２が設けられており、Ｅ
ＥＰＲＯＭ２８のデータ格納領域２８ａには８バイトや
１６バイトなど任意の適当なデータ長を有する日付デー
タが格納される。

【００５７】図７は、ＥＥＰＲＯＭ２８に記憶されてい
るバックアップデータをＤＲＡＭ２７に展開する展開手
順を示すフローチャートであって、本プログラムは外部
からバックアップ記憶部２５に電源供給がなされたとき
に制御部３１で実行される。

【００５８】ステップＳ２１ではＥＥＰＲＯＭ２８のデ
ータ格納領域２８ａに格納されている日付データを読み
取り、ステップＳ２２で日付データを正しく読み込むこ
とができたか否かを判断する。そして、その答が肯定
（Ｙｅｓ）、すなわち正しく読み取れたと判断された場
合はステップＳ２３に進み、日付データに基づいてアド
レスのオフセット値を算出し、実際にバックアップされ
たデータがＥＥＰＲＯＭ２８のどのアドレス領域にある
かを検索する。尚、このオフセット値は、常時書きこみ
を行うバックアップデータに使用するするため、ＤＲＡ
Ｍ２７上に保持する。

【００５９】次にステップＳ２４ではステップＳ２３で
算出されたアドレスのオフセット値に基づきＥＥＰＲＯ
Ｍ２８に格納されているデータを対応するＤＲＡＭ２７
のアドレス領域に展開し、処理を終了する。

【００６０】一方、ステップＳ２２の答が否定（Ｎ
ｏ）、すなわち日付データを正しく読み取れない場合
は、ＥＥＰＲＯＭ２８のデータが破壊されたと判断して
ステップＳ２５に進み、マスクＲＯＭ２６に書き込まれ
ている初期データのうち、ＥＥＰＲＯＭ２８に格納され
ているデータに対応する初期データをＥＥＰＲＯＭ２８
に展開してリカバリ処理を実行し、続くステップＳ６で
はＥＥＰＲＯＭ２８に格納されているデータが正しくな
い旨をユーザに知らせるため、エラー表示部３０にその
旨を表示し、処理を終了する。

【００６１】図８は、日付データに基づいてアドレスの
オフセット値を算出し、ＥＥＰＲＯＭ２８にデータを格
納する格納手順を示すフローチャートであって、本プロ
グラムは、外部からバックアップ記憶部２５に供給され
ている電源電圧の遮断要求が生じた場合に制御部３１で
実行される。

【００６２】ステップＳ３１で日付データ発生部３２か
ら日付データを読み取り、続くステップＳ３２ではステ
ップＳ３１で取得された日付データとＥＥＰＲＯＭ２８
のデータ格納領域２８ａに格納されている日付データと
を比較し、ステップＳ３３で両者が同一の日付データか
否かを判断する。そして、その答が否定（Ｎｏ）、すな
わち日付データが異なるときはアドレスのオフセット値
を算出してステップＳ３６に進む。一方、ステップＳ３
３の答が肯定（Ｙｅｓ）、すなわち、日付データが同一
のときは前回書き込んだ時と日付データが同一であるた
め、アドレスのオフセット値を算出することなくＥＥＰ
ＲＯＭ２８上に既に保持されているオフセット値を使用
することを決定し、ステップＳ３６に進む。

【００６３】次いで、ステップＳ３６ではＥＥＰＲＯＭ
２８のデータ格納領域２８ａに格納されている日付デー
タをクリアする。すなわち、バックアップするデータを
ＥＥＰＲＯＭ２８に書き込む前に、現在格納されている
ＥＥＰＲＯＭ２８上の日付データを破壊する。そしてこ
の後、ステップＳ３７で上記オフセット値に基づいてバ
ックアップするデータをＥＥＰＲＯＭ２８に順次格納し
ていく。このようにしてバックアップするデータを全て
ＥＥＰＲＯＭ２８に格納した後、ステップＳ３８では取
得した日付データをＥＥＰＲＯＭ２８のデータ格納領域
２８ａに格納し、処理を終了する。

【００６４】これによりＥＥＰＲＯＭ２８へのバックア
ップデータの書込み途中に停電やコンセントの抜脱が生
じてデータの書込みに必要な電源供給が遮断された場
合、ＥＥＰＲＯＭ２８のデータ格納領域２８ａには不正
な値が格納されるため、バックアップデータのリカバリ
時にＥＥＰＲＯＭ２８へのバックアップが正常に終了し
なかったと判断することができる。また、ＥＥＰＲＯＭ
２８の日付データ格納領域に正しい値が入っていれば、
正常にバックアップ動作が完了したことを判断すること
ができる。

【００６５】そして、本第２の実施の形態では、外部か
ら供給されている電源電圧の遮断要求が生じた場合、バ
ックアップデータをＥＥＰＲＯＭ２８に書きこむ際に、
日付データ発生部３２より日付データを読み出し、その
日付データから書きこむデータのアドレス領域に対する
オフセット値を算出して、アドレスをオフセットさせて
バックアップデータをＥＥＰＲＯＭ２８に格納すること
により、毎回同じアドレス領域に書込むのではなく、異
なるアドレス領域に書込むことによって、ＥＥＰＲＯＭ
２８の特定のアドレス領域が書きこみ限度を超えること
を防止することができ、ＥＥＰＲＯＭ２８を有効に使用
できる。

【００６６】また、外部電源投入時に、ＥＥＰＲＯＭ２
８の日付データが正しく読み取れるか否かを判定し、日
付データが正しくない場合には、ＥＥＰＲＯＭ２８のデ
ータが破壊されていると判断し、ＥＥＰＲＯＭ２８のデ
ータを展開すべきＤＲＡＭ２７をマスクＲＯＭ２６に蓄
積されている初期データでリカバリすること可能である
ことがわかる。

【００６７】尚、本発明は上記実施の形態に限定される
ものではなく、例えば、ＳＲＡＭを使用してもよい。Ｓ
ＲＡＭはフリップフロップのようにトランジスタを複数
個組み合わせて１ビットに相当する情報を蓄積するデバ
イスであり、トランジスタのみで情報を記憶させるた
め、ＤＲＡＭよりも高速の読み出し動作、書き込み動作
を行うことができる。

【００６８】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、バ
ックアップデータを第２の記憶手段に書込む際に、所定
データ発生手段より乱数データ（又は日付データ）を読
み出して、該所定データから書込むべきデータのメモリ
領域に対する移動量を算出して、メモリ領域を移動させ
てバックアップデータを第２の記憶手段に格納すること
により、毎回同じメモリ領域に書込むのではなく、異な
るメモリ領域に書込むことができるので、第２の記憶手
段の特定メモリ領域のみが書込限度を超えるのを防止す
ることができ、システムの動作に必要なデータの損失を
防ぐことが可能となる。

【００６９】また、第２の記憶手段の乱数データ（又は
日付データ）が正しく読み取れるか否かを判定し、乱数
データ（又は日付データ）が正しく読み取れない場合に
は、第２の記憶手段のデータが破壊されていると判断
し、該第２の記憶手段のデータを展開すべき第１の記憶
手段の記憶領域を第３の記憶手段に蓄積されている初期
データでリカバリすることができる。

【００７０】また、アクチュエータ等を有するシステム
の場合、第２の記憶手段に保存された記憶データの一部
が破壊された場合であっても、破壊されたメモリ領域に
は初期データを転送して該初期データを第１の記憶手段
に展開することにより、システムの暴走や誤動作を防ぐ
ことができる。

【００７１】また、本発明は異常表示手段を有すること
により、第２の記憶手段に蓄積されたデータが不正であ
る場合は、該データの異常を容易に表示することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る画像形成装置としてのデジタル複
写機の一実施の形態を示す内部構造図である。

【図２】画像形成装置の本体制御部とバックアップ記憶
部との関係を示すブロック構成図である

【図３】本発明に係る記憶装置の一実施の形態（第１の
実施の形態）を示すブロック構成図である。

【図４】バックアップデータのＤＲＡＭへの展開手順を
示すフローチャートである。

【図５】ＥＥＰＲＯＭにデータを格納する場合の格納手
順を示すフローチャートである。

【図６】本発明に係る記憶装置の第２の実施の形態を示
すブロック構成図である。

【図７】第２の実施の形態に係るバックアップデータの
ＤＲＡＭへの展開手順を示すフローチャートである。

【図８】第２の実施の形態に係るＥＥＰＲＯＭにデータ
を格納する場合の格納手順を示すフローチャートであ
る。

【符号の説明】

２７ ＤＲＡＭ（第１の記憶手段） ２８ ＥＥＰＲＯＭ（第２の記憶手段） ２８ａ データ格納領域（乱数データ格納領域、日付デ
ータ格納領域） ２９ 乱数データ発生部（乱数データ発生手段） ３０ エラー表示部（表示手段） ３１ 制御部（移動量算出手段、保存手段、乱数データ
読出手段、判断手段、データ転送手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲吉▼川 智康 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 渡辺 直人 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 伊勢村 圭三 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 大川 知志 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 仁村 光夫 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 松井 規明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 5B025 AD01 AD04 AD05 AE08

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記憶データの読出し及び書込みが可能な
   揮発性メモリからなる第１の記憶手段と、該第１の記憶
   手段に記憶される記憶データをバックアップデータとし
   て保存する不揮発性メモリからなる第２の記憶手段とを
   有する記憶装置において、 乱数データを発生する乱数データ発生手段と、該乱数デ
   ータ発生手段により発生した乱数データに基づいて第２
   の記憶手段におけるメモリ領域の移動量を算出する移動
   量算出手段と、該移動量算出手段により算出された移動
   量だけ移動したメモリ領域に前記バックアップデータを
   保存する保存手段とを備えていることを特徴とする記憶
   装置。
2. 【請求項２】 前記第２の記憶手段は、前記乱数データ
   を格納する乱数データ格納領域を有すると共に、前記乱
   数データ発生手段により発生した乱数データが前記乱数
   データ格納領域に格納されることを特徴とする請求項１
   記載の記憶装置。
3. 【請求項３】 前記乱数データ格納領域に乱数データを
   格納する前に、前記乱数データ格納領域に格納されてい
   る既データを破壊する乱数データ破壊手段を有している
   ことを特徴とする請求項２記載の記憶装置。
4. 【請求項４】 記憶データを読み出す読出専用の第３の
   記憶手段と、前記乱数データ格納領域に格納されている
   乱数データを読み出す乱数データ読出手段と、該乱数デ
   ータ読出手段により乱数データが正確に読み出されたか
   否かを判断する判断手段とを備え、 該判断手段の判断結果が否定的なときは前記第３の記憶
   手段に記憶されている記憶データを前記第２の記憶手段
   に転送するデータ転送手段を有していることを特徴とす
   る請求項２又は請求項３記載の記憶装置。
5. 【請求項５】 前記判断手段の判断結果が否定的なとき
   は異常表示を行う表示手段を有していることを特徴とす
   る請求項４記載の記憶装置。
6. 【請求項６】 記憶データの読出し及び書込みが可能な
   揮発性メモリからなる第１の記憶手段と、該第１の記憶
   手段に記憶される記憶データをバックアップデータとし
   て保存する不揮発性メモリからなる第２の記憶手段とを
   有する記憶装置において、 日付データを発生する日付データ発生手段と、該日付デ
   ータ発生手段により発生した日付データに基づいて第２
   の記憶手段におけるメモリ領域の移動量を算出する移動
   量算出手段と、該移動量算出手段により算出された移動
   量だけ移動したメモリ領域に前記バックアップデータを
   保存する保存手段とを備えていることを特徴とする記憶
   装置。
7. 【請求項７】 前記第２の記憶手段は、前記日付データ
   を格納する日付データ格納領域を有すると共に、前記日
   付データ発生手段により発生した日付データが前記日付
   データ格納領域に格納されることを特徴とする請求項６
   記載の記憶装置。
8. 【請求項８】 前記日付データ格納領域に日付データを
   格納する前に、前記日付データ格納領域に格納されてい
   る既データを破壊する日付データ破壊手段を有している
   ことを特徴とする請求項７記載の記憶装置。
9. 【請求項９】 記憶データを読み出す読出専用の第３の
   記憶手段と、前記日付データ格納領域に格納されている
   日付データを読み出す日付データ読出手段と、該日付デ
   ータ読出手段により日付データが正確に読み出されたか
   否かを判断する判断手段とを備え、 該判断手段の判断結果が否定的なときは前記第３の記憶
   手段に記憶されている記憶データを前記第２の記憶手段
   に転送するデータ転送手段を有していることを特徴とす
   る請求項７又は請求項８記載の記憶装置。
10. 【請求項１０】 前記判断手段の判断結果が否定的なと
    きは異常表示を行う表示手段を有していることを特徴と
    する請求項９記載の記憶装置。
11. 【請求項１１】 記憶データの読出し及び書込みが可能
    な揮発性メモリからなる第１の記憶手段と、該第１の記
    憶手段に記憶される記憶データをバックアップデータと
    して保存する不揮発性メモリからなる第２の記憶手段と
    を有し、前記第２の記憶手段に記憶されているバックア
    ップデータを前記第１の記憶手段に復元する記憶データ
    の処理方法において、 乱数データを発生する乱数データ発生ステップと、該乱
    数データ発生ステップで発生した乱数データに基づいて
    第２の記憶手段におけるメモリ領域の移動量を算出する
    移動量算出ステップと、該移動量算出ステップで算出さ
    れた移動量だけ移動したメモリ領域に前記バックアップ
    データを保存する保存ステップとを含むことを特徴とす
    る記憶データの処理方法。
12. 【請求項１２】 前記第２の記憶手段は、前記乱数デー
    タを格納する乱数データ格納領域を有すると共に、前記
    乱数データ発生ステップで発生した乱数データが前記乱
    数データ格納領域に格納されることを特徴とする請求項
    １１記載の記憶データの処理方法。
13. 【請求項１３】 前記乱数データ格納領域に乱数データ
    を格納する前に、前記乱数データ格納領域に格納されて
    いる既データを破壊することを特徴とする請求項１２記
    載の記憶データの処理方法。
14. 【請求項１４】 記憶データを読み出す読出専用の第３
    の記憶手段を有し、 さらに、前記乱数データ格納領域に格納されている乱数
    データを読み出す乱数データ読出ステップと、該乱数デ
    ータ読出ステップで乱数データが正確に読み出されたか
    否かを判断する判断ステップと、該判断ステップでの判
    断結果が否定的なときは前記第３の記憶手段に記憶され
    ている記憶データを前記第２の記憶手段に転送するデー
    タ転送ステップとを含んでいることを特徴とする請求項
    １２又は請求項１３記載の記憶データの処理方法。
15. 【請求項１５】 前記判断ステップでの判断結果が否定
    的なときは表示手段に異常表示を行うことを特徴とする
    請求項１４記載の記憶データの処理方法。
16. 【請求項１６】 記憶データの読出し及び書込みが可能
    な揮発性メモリからなる第１の記憶手段と、該第１の記
    憶手段に記憶される記憶データをバックアップデータと
    して保存する不揮発性メモリからなる第２の記憶手段と
    を有し、前記第２の記憶手段に記憶されているバックア
    ップデータを前記第１の記憶手段に復元する記憶データ
    の処理方法において、 日付データを発生する日付データ発生ステップと、該日
    付データ発生ステップで発生した日付データに基づいて
    前記第２の記憶手段におけるメモリ領域の移動量を算出
    する移動量算出ステップと、該移動量算出ステップで算
    出された移動量だけ移動したメモリ領域に前記バックア
    ップデータを保存する保存ステップとを含むことを特徴
    とする記憶データの処理方法。
17. 【請求項１７】 前記第２の記憶手段は、前記日付デー
    タを格納する日付データ格納領域を有すると共に、前記
    日付データ発生ステップで発生した日付データを前記日
    付データ格納領域に格納することを特徴とする請求項１
    ６記載の記憶データの処理方法。
18. 【請求項１８】 前記日付データ格納領域に日付データ
    を格納する前に、前記日付データ格納領域に格納されて
    いる既データを破壊することを特徴とする請求項１７記
    載の記憶データの処理方法。
19. 【請求項１９】 記憶データを読み出す読出専用の第３
    の記憶手段を有し、 さらに、前記日付データ格納領域に格納されている日付
    データを読み出す日付データ読出ステップと、該日付デ
    ータ読出ステップで日付データが正確に読み出されたか
    否かを判断する判断ステップと、該判断ステップでの判
    断結果が否定的なときは前記第３の記憶手段に記憶され
    ている記憶データを前記第２の記憶手段に転送するデー
    タ転送ステップとを含んでいることを特徴とする請求項
    １７又は請求項１８記載の記憶データの処理方法。
20. 【請求項２０】 前記判断ステップでの判断結果が否定
    的なときは表示手段に異常表示を行うことを特徴とする
    請求項１９記載の記憶データの処理方法。
21. 【請求項２１】 請求項１乃至請求項１０のいずれかに
    記載の記憶装置を備えていることを特徴とする画像形成
    装置。