JP2001209588A - 記憶装置と記憶データの処理方法、及び画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 バックアップデータについて所望の復元処理
を行うことができ、且つデータが破壊されてもシステム
に損傷を与えるのを回避することができるようにした。 【解決手段】 ＳＲＡＭへの書込を禁止し、ＥＥＰＲＯ
Ｍ（以下、「ＰＲＯＭ」）のアドレスＡＤＲ及びリカバ
リ総和ＳＵＭを初期化し（Ｓ２１〜Ｓ２３）、次いで、
ＰＲＯＭのバックアップデータを読み出し、データ値を
総和ＳＵＭに加算し、ＳＲＡＭに書き込み（Ｓ２４〜Ｓ
２６）、次いでアドレスをインクリメントして上述の処
理を繰返す（Ｓ２７〜Ｓ２８）。終端アドレスになると
リカバリ総和ＳＵＭ２とバックアップ総和ＳＵＭとが等
しいか否かを判断し、同一の場合は正常にリカバリされ
たと判断してＳＲＡＭの書込みを許可し、異なる場合は
リカバリに失敗したと判断してエラー処理を行う（Ｓ２
９〜Ｓ３２）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は記憶装置と記憶デー
タの処理方法、及び画像形成装置に関し、より詳しく
は、所謂バックアップデータを記憶することのできる記
憶装置と、バックアップデータを揮発性メモリに復元す
る記憶データの処理方法、及び前記記憶装置を搭載した
画像形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】複写機に代表される画像形成装置等の各
種システムでは、読み書き可能な半導体記憶装置を搭載
し、該記憶装置を使用して蓄積された記憶データを読み
出したり、新規データの書込が行われている。

【０００３】この種記憶装置の記憶素子としては、従来
より、ダイナミックＲＡＭ（Dynamic Random Access Me
mory；以下、「ＤＲＡＭ」という）やスタティックＲＡ
Ｍ（Static Random Access Memory；以下、「ＳＲＡ
Ｍ」という）等の揮発性メモリが使用されていた。

【０００４】しかしながら、上記揮発性メモリは、デー
タの読み書きを高速で行うことができるという利点を有
する一方で、電源電圧の供給が遮断された場合はメモリ
に蓄積されたデータ内容を保存することができず、この
ため、外部からの電源供給が停止された場合であっても
メモリ内の記憶データを保持すべく、システム内にバッ
クアップ電源部を備えておく必要があり、その結果コス
ト高を招来するという欠点があった。

【０００５】しかも、バックアップ電源部は、通常、電
池やコンデンサなどで構成されるため、揮発性メモリへ
の電源供給可能時間が電池容量やコンデンサ容量に依存
し、したがって記憶データの保持可能時間が有限である
という欠点もあった。

【０００６】そこで、斯かる欠点を解消する手段とし
て、データの書換が可能な不揮発性メモリを使用するに
至った。

【０００７】そして、上記不揮発性メモリとしては、半
導体製造過程でデータを書込むことができ、データの消
去が不可能なマスクＲＯＭ（Masked Read Only Memor
y）等の固定メモリを使用することが一般的であった
が、近年、数百回から数万回に亙ってデータを電気的に
消去及び書込を行うことのできるＥＥＰＲＯＭ（Electr
ically Erasable Read Only Memory）が市場に登場して
きている。

【０００８】該ＥＥＰＲＯＭは、電源の供給が停止して
も記憶データを保持することができるので、バックアッ
プ電源部をシステム内に設ける必要がなくなり、また、
ＥＥＰＲＯＭ内のデータは電気的に消去、書込みが可能
であり、したがってシステムに実装したまま記憶データ
の変更を行うことができる。

【０００９】しかしながら、前記ＥＥＰＲＯＭは、ＤＲ
ＡＭ等の揮発性メモリに比べ、データの書換に長時間を
要し、したがって、高速でデータ更新を行うことが要求
されるシステムには適さないという欠点があった。

【００１０】そこで、上記揮発性メモリと不揮発性メモ
リとしてのＥＥＰＲＯＭの双方を実装し、互いの欠点を
補完したバックアップ記憶装置が使用されている。

【００１１】該記憶装置では、外部からの電源電圧がシ
ステムに供給されている場合は、ＥＥＰＲＯＭに蓄積さ
れた記憶データを揮発性メモリ上の対応したアドレスに
展開し、記憶データの読出し要求や書込み要求がシステ
ムから指令された場合は、揮発性メモリが上述した読出
し要求や書込み要求に対処している。そして、システム
から揮発性メモリのバックアップデータの要求が指令さ
れてきた場合や外部からの電源電圧の供給停止の要求が
行われた場合は、揮発性メモリに展開されているデータ
をＥＥＰＲＯＭに書き込み、これによりデータの保持を
行っている。

【００１２】このように従来の記憶装置では、システム
からの高速なデータの書込要求や読出要求に対応するこ
とができ、また外部からの電源電圧の供給が停止されて
いる場合でもバックアップ電源部を要することなく記憶
データを保持することができる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、この種従来
の記憶装置では、システムの誤作動等様々な内的要因や
外的要因によってＥＥＰＲＯＭに蓄積された記憶データ
が破壊されることがあり、また、ＥＥＰＲＯＭに誤った
データが書き込まれることがある。

【００１４】したがって、上記従来の記憶装置では、Ｅ
ＥＰＲＯＭに蓄積されたデータを揮発性メモリに展開す
る場合、何らかの原因により破壊されたデータや誤った
データが揮発性メモリに展開された場合、特にモータや
アクチュエータを備えたシステムでは、システムの暴走
や誤作動等を招く虞があるという問題点があった。

【００１５】そして、上記記憶装置の搭載されるシステ
ムとして複写機等の画像形成装置を使用した場合は、例
えば、コピー枚数やプリント枚数のカウント値、各給紙
段に格納されている記録紙のサイズや向きのデータ等、
画像形成装置における各補正値や操作者が設定した値等
の可変データが使用される。したがって、これらのデー
タを格納している記憶装置が外部からの電源供給がなく
なった状態においても保持し、電源供給が再び行われた
際に円滑に動作するようにしなければならず、このた
め、画像形成装置に用いられている記憶装置は外部から
の電源供給が停止されている場合でも、完璧な形態でデ
ータを保持できるようにする必要がある。

【００１６】本発明はこのような事情に鑑みなされたも
のであって、バックアップデータについて所望の復元処
理を行うことができ、且つデータが破壊されてもシステ
ムに損傷を与えるのを回避することができる記憶装置と
記憶データの処理方法、及び画像形成装置を提供するこ
とを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る記憶装置は、記憶データの読出し及び書
込みが可能な揮発性メモリからなる第１の記憶手段と、
該第１の記憶手段に記憶されている記憶データをバック
アップデータとして保存する不揮発性メモリからなる第
２の記憶手段とを有する記憶装置において、前記第１の
記憶手段に記憶されている記憶データを前記第２の記憶
手段にバックアップするときにバックアップされるデー
タの総和を算出する第１の総和算出手段と、前記第２の
記憶手段に保存されたバックアップデータを前記第１の
記憶手段に復元するときに復元されたデータの総和を算
出する第２の総和算出手段と、前記第１の総和算出手段
の算出結果と前記第２の総和算出手段の算出結果とを比
較する比較手段と、該比較手段の比較結果に基づいて前
記第１の記憶手段への記憶データの復元状態を判定する
復元状態判定手段とを備えていることを特徴としてい
る。

【００１８】また、本発明に係る記憶データの処理方法
は、記憶データの読出し及び書込みが可能な揮発性メモ
リからなる第１の記憶手段と、該第１の記憶手段に記憶
されている記憶データをバックアップデータとして保存
する不揮発性メモリからなる第２の記憶手段とを有し、
前記第２の記憶手段に記憶されているバックアップデー
タを前記第１の記憶手段に復元する記憶データの処理方
法において、前記第１の記憶手段に記憶されている記憶
データを前記第２の記憶手段にバックアップするときに
バックアップされるデータの総和を算出する第１の総和
算出ステップと、前記第２の記憶手段に保存されたバッ
クアップデータを前記第１の記憶手段に復元するときに
復元されたデータの総和を算出する第２の総和算出ステ
ップと、前記第１の総和算出ステップでの算出結果と前
記第２の総和算出ステップでの算出結果とを比較する比
較ステップと、該比較ステップにおける比較結果に基づ
いて前記第１の記憶手段への記憶データの復元状態を判
定する復元状態判定ステップとを含んでいることを特徴
としている。

【００１９】また、本発明に係る画像形成装置は、上記
記憶装置を備えていることを特徴としている。

【００２０】尚、本発明の他の特徴は下記の発明の実施
の形態の記載により明らかとなろう。

【００２１】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳説する。

【００２２】図１は、本発明に係る画像形成装置として
のデジタル複写機の一実施の形態を示す内部構成図であ
って、該デジタル複写機は、原稿に描かれている画像デ
ータを読み取る画像入力部１と、該画像入力部１に載設
された自動原稿送り部２と、画像データに記録用紙を出
力する画像形成部３と、該画像形成部３から排出される
記録用紙を複数のビンに仕分けして排出するソータ４と
を備えている。

【００２３】また、画像入力部１は、原稿台に載置され
た原稿を照射しながら走査する光源５と、該光源５によ
り反射された原稿からの反射光の光路上に配設されたミ
ラー６〜８と、該ミラー６〜８からの光が集光するレン
ズ９と、該レンズ９を透過した光が結像するＣＣＤ１０
とを備えている。

【００２４】画像形成部３は、画像入力部１からの出力
に応じてレーザ光を発する光学照射部１１と、該光学照
射部１１からのレーザ光により照射される感光ドラム１
２と、該感光ドラム１２を介して記録用紙に転写された
画像データを定着する定着ローラ１３と、記録用紙が収
納された給紙トレイ１４、１５と、大量の記録用紙が収
納可能な給紙デッキ１６と、ＯＨＰシートや厚紙、はが
きサイズ紙等、特殊な記録用紙を容易に給紙するための
手差トレイ１７と、搬送路上に配設された適数個の搬送
ローラ１８…とを備えている。また、排紙トレイ２０は
前記ソータ４により仕分けられた記録用紙を排紙する。

【００２５】尚、前記光学照射部１１は、ポリゴンミラ
ー２１とレンズ２２と反射ミラー２３とを有している。

【００２６】このように構成されたデジタル複写機にお
いては、光源５が光学系モータ（不図示）からの駆動力
を得て左右方向に往復駆動する。そして、光源５により
反射された原稿からの光は、光源５と一体的に駆動する
ミラー６〜８及びレンズ９を介してＣＣＤ１０に結像さ
れ、該ＣＣＤ１０により光学像は電気信号に変換され
る。そして、画像入力部１における各制御値は後述する
バックアップ記憶部に記憶される。

【００２７】次いで、画像入力部１で電気信号に変換さ
れた画像データは、画像処理部でデジタル信号に変換さ
れ、種々の補正処理とユーザの希望する処理による画像
処理が加えられ、画像メモリ（不図示）に蓄積される。
そして、画像処理部における各制御値も後述するバック
アップ記憶部に記憶される。

【００２８】次いで、前記画像メモリに蓄積された画像
データは該画像メモリから読み出されてアナログ信号に
変換され、画像形成部３に転送される。そして、画像形
成部３では、画像データが露光制御部（不図示）により
適正な出力値に増幅され、光学照射部１１により光信号
に変換される。すなわち、光信号はポリゴンミラー２
１、レンズ２２及び反射ミラー２３を介して感光ドラム
１２に照射され、静電潜像が形成される。そして、該静
電潜像はトナーにより可視化され、給紙トレイ１４、１
５、給紙デッキ１６又は手差しトレイ１７から搬送され
てくる記録用紙上に転写され、さらに定着ローラ１３に
より記録用紙上にトナーが定着されて画像データが記録
された後、ソータ４に送られ、該ソータ４で仕分けされ
た記録用紙は排紙トレイ２０上に排紙される。そして、
これら画像形成部３における各制御値もバックアップ記
憶部に記憶される。

【００２９】このように本デジタル複写機では、原稿か
ら画像データを読み取った後、ＣＣＤ１０により画素化
されて画像データとして読み込まれ、必要な画像処理が
行われた後、画像メモリに蓄えられ、該画像データは画
像形成部３に転送され、画像再生されて記録用紙に出力
される。

【００３０】尚、バックアップ記憶部には記録用紙のコ
ピー枚数のカウント値やプリント枚数のカウント値が格
納される。

【００３１】図２は本体制御部とバックアップ記憶部と
の関係を示すブロック構成図である。

【００３２】すなわち、本体制御部２４は、上述した画
像入力部１、画像処理部及び画像形成部３における各制
御値を取得する。また、バックアップ記憶部２５は、読
出専用の固定メモリとしてのマスクＲＯＭと、読み書き
可能な揮発性メモリとしてのＳＲＡＭと、不揮発性メモ
リとしてのＥＥＰＲＯＭとを有し、本体制御部２４で得
られた各制御値はバックアップ記憶部２５内のＳＲＡＭ
に書き込み、またＳＲＡＭから読み出す。

【００３３】また、本体制御部２４の各制御値は、ＤＲ
ＡＭからＥＥＰＲＯＭに転送されてバックアップされる
と共に、本体制御部２４からもバックアップ記憶部２５
のＥＥＰＲＯＭに直接記憶させてデータのバックアップ
を行うことができる。

【００３４】図３はバックアップ記憶部２５の詳細を示
すブロック構成図であって、該バックアップ記憶部２５
は、ＳＲＡＭ２６及びＥＥＰＲＯＭ２７が制御部２８に
接続されている。

【００３５】ＳＲＡＭ２６の各アドレス（アドレス０〜
アドレスＮ）にはデータが書き込まれる。尚、ＳＲＡＭ
２６は、フリップフロップのようにトランジスタを複数
個組み合わせて１ビットに相当する情報を蓄積するデバ
イスであり、トランジスタのみで情報を記憶させるた
め、ＤＲＡＭよりも高速の読出動作、書込動作を行うこ
とができる。

【００３６】ＥＥＰＲＯＭ２７は、ＳＲＡＭ２６に蓄積
されている記憶データをバックアップする際、該ＳＲＡ
Ｍのアドレスに対応してデータのバックアップが可能と
なるようにＮ個のアドレス（アドレス０〜アドレスＮ）
を有し、さらにバックアップされた全データの総和を格
納する判定符号領域２７ａを具備している。

【００３７】このように本実施の形態では、ＥＥＰＲＯ
Ｍ２７をバックアップ領域として機能させ、該バックア
ップデータは外部からの電源供給が再開された直後にＳ
ＲＡＭ２６に展開するように構成されている。

【００３８】図４はＳＲＡＭ２６の全データをＥＥＰＲ
ＯＭ２７のアドレス領域にバックアップする場合の処理
手順を示すフローチャートであって、本プログラムは本
体制御部２４からバックアップ記憶部２５にリカバリ処
理要求が指令された場合や外部電源の供給が遮断された
場合に制御部２８で実行される。

【００３９】ステップＳ１では、ＳＲＡＭ２６への書込
禁止処理を実行する。すなわち、まず、バックアップ処
理を行うのに先立ち、外部からのＳＲＡＭ２６への書込
みを禁止する。

【００４０】次いで、ステップＳ２ではアドレス値ＡＤ
Ｒをアドレス０（先頭アドレス）に設定し、続くステッ
プＳ３ではバックアップされる全データの総和（以下、
「バックアップ総和」という）ＳＵＭを「０」に初期化
する。

【００４１】そして、ステップＳ４では上記アドレスＡ
ＤＲ（アドレス０）に対応するＳＲＡＭ２６のデータ
（関数Ｒsram）を読み出し、斯かるＳＲＡＭ２６から読
み出した領域（アドレス０）のデータをＳＲＡＭ２６
（変数ＤＡＴＡ）に格納する。

【００４２】続くステップＳ５では、ステップＳ４で読
込んだ変数ＤＡＴＡをバックアップ総和ＳＵＭに加算し
て新たなバックアップ総和ＳＵＭを算出する。尚、変数
ＤＡＴＡを加算したときにバックアップ総和ＳＵＭが所
定値以上となった場合であっても斯かる処理を続行す
る。

【００４３】ステップＳ６では、関数Ｗeepromを呼び出
し、ＳＲＡＭ２６の変数ＤＡＴＡに格納されているデー
タをＥＥＰＲＯＭ２７の対応するアドレスＡＤＲに変数
ＤＡＴＡに書き込む。

【００４４】次いで、ステップＳ７では、アドレス値Ａ
ＤＲを「２」だけインクリメントし、次ループでバック
アップ対象となるアドレスを指示する。ここで、「２」
ずつインクリメントしているのは、データがワード長を
有しており、バックアップ処理がワード長毎に行われる
ためである。

【００４５】ステップＳ８では、アドレスＡＤＲがＳＲ
ＡＭ２６の終端アドレス（アドレスＮ）より大きくなっ
たか否かを判断し、その答が否定（Ｎｏ）のときはステ
ップＳ４に戻り、アドレスＡＤＲが終端アドレスになる
まで上述の処理を繰返す。

【００４６】一方、ステップＳ８の答が肯定（Ｙｅ
ｓ）、すなわちアドレス値ＡＤＲが終端アドレスを超え
たときは全てのバックアップ処理が終了したと判断し、
ステップＳ９に進む。

【００４７】そして、ステップＳ９では、ＥＥＰＲＯＭ
２７へデータの書きこみを行うための関数Ｗeepromを呼
び出し、ループ処理で演算されたバックアップ総和ＳＵ
ＭをＥＥＰＲＯＭ２７の判定符号領域２７ａに書き込
み、バックアップ処理を終了する。そして、この後ステ
ップＳ１０で書込許可処理を実行し、ＳＲＡＭ２６への
外部からの書込みを許可し、処理を終了する。

【００４８】図５は、ＥＥＰＲＯＭ２７に保存されてい
るバックアップデータをＳＲＡＭ２６のメモリ領域にリ
カバリする場合の処理手順を示すフローチャートであっ
て、本プログラムは本体制御部２４からバックアップ記
憶部２５にリカバリ処理要求が指令された場合や外部電
源の供給が開始された場合に制御部２８で実行される。

【００４９】ステップＳ２１では、ＳＲＡＭ２６への書
込禁止処理を実行する。すなわち、まず、リカバリ処理
を行うのに先立ち、外部からのＳＲＡＭ２６への書込み
を禁止する。

【００５０】次いで、ステップＳ２２ではアドレスＡＤ
Ｒをアドレス０（先頭アドレス）に設定し、続くステッ
プＳ２３ではリカバリされる全データの総和（以下、
「リカバリ総和」という）ＳＵＭ２を「０」に初期化す
る。

【００５１】そして、ステップＳ２４では上記アドレス
ＡＤＲ（アドレス０）に対応するＥＥＰＲＯＭ２７のバ
ックアップデータ（関数Ｒeeprom）を読み出し、斯かる
ＥＥＰＲＯＭ２７から読み出した領域（アドレス０）の
データ値ＤＡＴＡをＥＥＰＲＯＭ２７に格納する。

【００５２】続くステップＳ２５では、ステップＳ２４
で読込んだデータ値ＤＡＴＡをリカバリ総和ＳＵＭ２に
加算して新たなリカバリ総和ＳＵＭ２を算出する。尚、
データ値ＤＡＴＡを加算したときにリカバリ総和ＳＵＭ
２が所定値以上となった場合であっても斯かる処理を続
行する。

【００５３】ステップＳ２６では、ＳＲＡＭ２６の先頭
アドレス（アドレス）にステップＳ４で読み出されたバ
ックアップデータをＳＲＡＭ２６に書き込む。

【００５４】次いで、ステップＳ２７では、アドレス値
ＡＤＲを「２」だけインクリメントし、次ループでリカ
バリ対象となるアドレスを指示する。

【００５５】ステップＳ２８では、アドレスＡＤＲがＥ
ＥＰＲＯＭ２７の終端アドレス（アドレスＮ）より大き
くなったか否かを判断し、その答が否定（Ｎｏ）のとき
はステップＳ２４に戻り、アドレスＡＤＲが終端アドレ
スになるまで上述の処理を繰返す。

【００５６】一方、ステップＳ２８の答が肯定（Ｙｅ
ｓ）、すなわちアドレスＡＤＲが終端アドレスを超えた
ときは全てのリカバリ処理が終了したと判断し、ステッ
プＳ２９に進む。

【００５７】そして、ステップＳ２９では、ＳＲＡＭ２
６へデータの書き込みを行うための関数Ｒeepromを読み
出し、バックアップ総和ＳＵＭをＥＥＰＲＯＭ２７の判
定符号領域２７ａから読み出し、ステップＳ３０ではリ
カバリ総和ＳＵＭ２がバックアップ総和ＳＵＭと同一値
か否かを判断する。

【００５８】そして、両者が同一値であると判断された
ときは正常にリカバリ処理が行われてと判断してステッ
プＳ３１に進み、本体制御部２４からＳＲＡＭ２６へ書
込を許可して処理を終了する。

【００５９】一方、両者が同一値でないと判断されたと
きは正常なリカバリ処理が行われていない判断してステ
ップＳ３２に進み、所定のエラー処理を実行して処理を
終了する。尚、エラー処理としては、操作者に対しリカ
バリ処理の失敗通知等を表示部への表示や警告ブザー等
で行い、また、リカバリ処理のリトライを行うこともで
きるように構成されている。

【００６０】以上のように本実施の形態によれば、バッ
クアップ時の総和とリカバリ時の総和とを比較すること
により、リカバリ処理時にＥＥＰＲＯＭ２７に保存され
たデータが正しく展開されたか否かを判別することがで
きる。

【００６１】尚、本発明は上記実施の形態に限定される
ものではない。上記実施の形態では、揮発性メモリとし
てＳＲＡＭを使用したがＤＲＡＭを使用した場合も同様
に本発明を適用することができる。ＤＲＡＭ２７は、１
ビットに相当する情報をコンデンサの電荷で蓄積するも
のであり、したがって、例えば、電荷がコンデンサに蓄
積されている場合は「１」、蓄積されていない場合は
「０」に設定されるが、電圧がコンデンサに印加されて
いないときは時間の経過と共にコンデンサに蓄積されて
いる電荷量が減少し、情報は保持できなくなる。したが
ってＤＲＡＭ２７においては一定周期でコンデンサに電
荷を蓄積し直すリフレッシュ作業を行う必要がある。逆
に言うと、ＤＲＡＭ２７は、リフレッシュ作業以外では
ＤＲＡＭ２７に電力の供給する必要がなく、低電力で大
量の情報を保持することができる。

【００６２】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、第
２の記憶手段に保存されているバックアップデータを第
１の記憶手段に復元する場合、第２の記憶手段に保存さ
れたデータが何らかの原因により破壊された場合等、バ
ックアップ時と異なるデータが第１の記憶手段上に展開
されたか否かを判断することができる。したがって、特
にモータやアクチュエータを備えた画像形成装置等のシ
ステムでは誤ったデータが展開されたと判断されたとき
に、システムの動作を禁止することが可能となり、暴走
や誤作動等を未然に防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る画像形成装置としてのデジタル複
写機の一実施の形態を示す内部構造図である。

【図２】画像形成装置の本体制御部とバックアップ記憶
部との関係を示すブロック構成図である

【図３】本発明に係る記憶装置としてのバックアップ記
憶部の詳細を示すブロック構成図である。

【図４】ＳＲＡＭの全データをＥＥＰＲＯＭのアドレス
領域にバックアップする場合の処理手順を示すフローチ
ャートである。

【図５】ＥＥＰＲＯＭに保存されているバックアップデ
ータをＳＲＡＭのメモリ領域にリカバリする場合の処理
手順を示すフローチャートである。

【符号の説明】

２６ ＳＲＡＭ（第１の記憶手段） ２７ ＥＥＰＲＯＭ（第２の記憶手段） ２８ 制御部（第１及び第２の総和算出手段、比較手
段、修復状態判定手段、エラー処理実行手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 1/21 Ｈ０４Ｎ 1/21 ５Ｃ０７３ // Ｂ４１Ｊ 29/46 Ｂ４１Ｊ 29/46 Ｚ ９Ａ００１ (72)発明者 ▲吉▼川 智康 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 渡辺 直人 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 伊勢村 圭三 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 大川 知志 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 仁村 光夫 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 松井 規明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2C061 AP04 AQ06 HV01 HV31 2C087 AC08 BA03 BB10 BC02 BC07 5B018 GA04 GA06 HA13 KA01 KA03 KA12 KA22 NA02 QA05 QA06 RA11 5B021 AA02 NN15 5C062 AA05 AB43 AB44 AB53 AC21 AC58 AD05 BA00 5C073 BA06 BB01 BB07 BC02 9A001 BB03 EE07 FF05 GG01 JJ35 LL02 LL05

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記憶データの読出し及び書込みが可能な
   揮発性メモリからなる第１の記憶手段と、該第１の記憶
   手段に記憶されている記憶データをバックアップデータ
   として保存する不揮発性メモリからなる第２の記憶手段
   とを有する記憶装置において、 前記第１の記憶手段に記憶されている記憶データを前記
   第２の記憶手段にバックアップするときにバックアップ
   されるデータの総和を算出する第１の総和算出手段と、
   前記第２の記憶手段に保存されたバックアップデータを
   前記第１の記憶手段に復元するときに復元されたデータ
   の総和を算出する第２の総和算出手段と、前記第１の総
   和算出手段の算出結果と前記第２の総和算出手段の算出
   結果とを比較する比較手段と、該比較手段の比較結果に
   基づいて前記第１の記憶手段への記憶データの復元状態
   を判定する復元状態判定手段とを備えていることを特徴
   とする記憶装置。
2. 【請求項２】 前記復元状態判定手段は、前記比較手段
   により前記第１の総和算出手段の算出結果と前記第２の
   総和算出手段の算出結果とが同一であるときはデータが
   正常に復元されたと判定することを特徴とする請求項１
   記載の記憶装置。
3. 【請求項３】 前記復元状態判定手段は、前記比較手段
   により前記第１の総和算出手段の算出結果と前記第２の
   総和算出手段の算出結果とが異なるときはデータの復元
   に失敗したと判定することを特徴とする請求項１記載の
   記憶装置。
4. 【請求項４】 前記復元状態判定手段により記憶データ
   の復元に失敗したと判定されたときは所定のエラー処理
   を実行するエラー処理実行手段を有していることを特徴
   とする請求項３記載の記憶装置。
5. 【請求項５】 前記エラー処理実行手段は、再度所定の
   復元処理を実行することを特徴とする請求項４記載の記
   憶装置。
6. 【請求項６】 前記第１の記憶手段に記憶されている記
   憶データを前記第２の記憶手段にバックアップすると
   き、及び前記第２の記憶手段に保存されたバックアップ
   データを前記第１の記憶手段に復元するときは、外部機
   器からのデータの書込処理を禁止することを特徴とする
   請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の記憶装置。
7. 【請求項７】 前記第２の記憶手段は、記憶装置本体に
   着脱自在に装着されていることを特徴とする請求項１乃
   至請求項６のいずれかに記載の記憶装置。
8. 【請求項８】 記憶データの読出し及び書込みが可能な
   揮発性メモリからなる第１の記憶手段と、該第１の記憶
   手段に記憶されている記憶データをバックアップデータ
   として保存する不揮発性メモリからなる第２の記憶手段
   とを有し、前記第２の記憶手段に記憶されているバック
   アップデータを前記第１の記憶手段に復元する記憶デー
   タの処理方法において、 前記第１の記憶手段に記憶されている記憶データを前記
   第２の記憶手段にバックアップするときにバックアップ
   されるデータの総和を算出する第１の総和算出ステップ
   と、前記第２の記憶手段に保存されたバックアップデー
   タを前記第１の記憶手段に復元するときに復元されたデ
   ータの総和を算出する第２の総和算出ステップと、前記
   第１の総和算出ステップでの算出結果と前記第２の総和
   算出ステップでの算出結果とを比較する比較ステップ
   と、該比較ステップにおける比較結果に基づいて前記第
   １の記憶手段への記憶データの復元状態を判定する復元
   状態判定ステップとを含んでいることを特徴とする記憶
   データの処理方法。
9. 【請求項９】 前記復元状態判定ステップは、前記比較
   手段により前記第１の総和算出手段の算出結果と前記第
   ２の総和算出手段の算出結果とが同一であるときは記憶
   データが正常に復元したと判定することを特徴とする請
   求項８記載の記憶データの処理方法。
10. 【請求項１０】 前記復元状態判定ステップは、前記比
    較手段により前記第１の総和算出手段の算出結果と前記
    第２の総和算出手段の算出結果とが異なるときは記憶デ
    ータの復元に失敗したと判定することを特徴とする請求
    項８記載の記憶データの処理方法。
11. 【請求項１１】 前記復元状態判定ステップで記憶デー
    タの復元に失敗したと判定されたときは所定のエラー処
    理を実行するエラー処理実行ステップを有していること
    を特徴とする請求項１０記載の記憶データの処理方法。
12. 【請求項１２】 前記エラー処理実行ステップは、再度
    所定の復元処理を実行することを特徴とする請求項１１
    記載の記憶データの処理方法。
13. 【請求項１３】 前記第１の記憶手段に記憶されている
    記憶データを前記第２の記憶手段にバックアップすると
    き、及び前記第２の記憶手段に保存されたバックアップ
    データを前記第１の記憶手段に転送するときは、外部機
    器からのデータの書込処理を禁止することを特徴とする
    請求項８乃至請求項１２のいずれかに記載の記憶データ
    の処理方法。
14. 【請求項１４】 請求項１乃至請求項７のいずれかに記
    載の記憶装置を備えていることを特徴とする画像形成装
    置。