JP2001189480A - ソーラーセルの製造方法 - Google Patents
ソーラーセルの製造方法Info
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Abstract
ラーセルの製造方法であって、電極基板に半田付けされ
るべき基板表面が平坦化されて導電性が十分に確保され
ると共に、ボイドあるいは半田疲労が発生することが少
ないソーラーセルの製造方法を提供する。 【解決手段】 ソーラーセルの基板に保護層を形成する
と共に、開口窓を穿設した後、第1の金属層24を堆積
させ(S10,S12,S14)、ポリイミドからなる
絶縁体層26を付着させ(コーティングし)(S1
6)、通常の硬化処理を行った後、追加的な硬化処理を
行い(S18,S20)、第2の金属層28を堆積させ
る(S22)。
Description
製造方法、より具体的には裏面ポイントコンタクト型の
珪素(シリコン)基板からなるソーラーセルの製造方法
に関する。
き、電荷を生じる。太陽光は基板内の珪素の原子と共動
して電子・正孔対を生じ、電子・正孔対は基板のpドー
プ領域とnドープ領域を移動してドープ領域間に電圧差
を生じる。
のソーラーセルを開示し、そのソーラーセルは、放物線
状の円錐形の光線集光部と、集光された光線を吸収して
白熱光を発生するラディエータ部を備える。光電変換セ
ルがその白熱光を受けてドープ領域間に電圧差を生じ
る。
集光型のソーラーセルに適した裏面ポイントコンタクト
型の珪素基板からなるソーラーセルを開示する。
ば、200から500倍の集光度で10A/cm2 以
上)を生じると共に、出力電圧は比較的低電圧(例えば
0.8V)であるため、ソーラーセルの直列抵抗は、極
度に小さい値(例えば0.003Ω・cm)でなければ
ならない。この極度に小さい抵抗値を得るために、ソー
ラーセルの金属層は、前記米国特許(第4,927,7
70号)に開示されるように、2層金属構造となる。
金属層は半導体の陽極と陰極(pドープ領域およびnド
ープ領域)に非常に幅の狭い配線で接続されて高集光
化、高効率化を図っている。第2の金属層の直列抵抗は
前記した極度に小さい値に保たれると共に、半田付けが
可能でなければならない。
に、前記した米国特許(第4,927,770号)に開
示されるように、酸化珪素や酸化アルミニウムなどから
なる絶縁体(誘電体)層が形成される。
なるソーラーセルにあっては、高集光度(例えば200
から500倍、あるいは入射密度において20から50
W/cm2 )であることから、第1の金属層は非常に厚
く(例えば2から4μm)なる。
が厚くなる結果、絶縁体層上に薄い(例えば1から2μ
mの)第2の金属層を適正に形成するのが困難となり、
第2の金属層が十分な導電性を得られず、最悪の場合に
は断線するなどの不都合が生じる場合がある。
N)または酸化アルミニウム(Al2O3 )などからな
る電極基板に半田付けするとき、基板表面に凹凸がある
と、ボイド(気泡、ピンホールあるいはクラック)の発
生が増加する。換言すれば、基板の表面が平坦化される
ほど、電極基板への半田付けのときにボイドが発生し難
い。
がない方が、ある場合に比して、発生することが少な
い。従って、電極基板に半田付けされるべき基板表面
は、可能な限り平坦であることが望ましい。
なるソーラーセルの製造方法であって、電極基板に半田
付けされるべき基板表面が平坦化されて導電性が十分に
確保されると共に、ボイドあるいは半田疲労の発生を低
減するようにしたソーラーセルの製造方法を提供するこ
とにある。
ために、nドープ領域とpドープ領域を有する珪素基板
からなるソーラーセルの製造方法において、(a)前記
基板の表面にnドープ領域とpドープ領域に開口窓を備
える保護層を形成し、(b)前記保護層の上に第1の金
属層を堆積させて前記第1の金属層を前記nドープ領域
とpドープ領域に接続させ、(c)前記第1の金属層の
上にポリイミドからなる絶縁体層を付着させ(コーティ
ングし)、(d)前記ポリイミドからなる絶縁体層をパ
ターンおよびエッチング処理して前記nドープ領域とp
ドープ領域の少なくとも一方に開口窓を穿設し、(e)
前記ポリイミドからなる絶縁体層を所定の第1の温度で
所定の第1の時間加熱して硬化させ、(f)前記ポリイ
ミドからなる絶縁体層を前記第1の所定の温度より高温
の所定の第2の温度で所定の第2の時間追加的に加熱し
て硬化させ、および(g)前記ポリイミドからなる絶縁
体層の上に第2の金属層を堆積させて前記第2の金属層
を前記nドープ領域とpドープ領域の前記一方に接続さ
せる、工程からなる如く構成した。
き基板表面が平坦化されて導電性が十分に確保されると
共に、ボイドあるいは半田疲労の発生を低減することが
できる。
なる絶縁体層を付着させる(コーティングする)と共
に、そのポリイミドを所定の第2の温度で所定の第2の
時間追加的に加熱して硬化させるようにしたので、ポリ
イミドからなる絶縁体層は十分に硬化させられて収縮
し、よって基板表面を良く平坦化することができて上記
した効果を得ることができる。
前記第2の所定温度が400°C以上で、かつ500°
C未満である如く構成した。
前記第2の所定時間が30分以上で、かつ1時間未満で
ある如く構成した。
堆積させる第1の金属層の厚みと前記工程(c)で付着
させる(コーティングする)ポリイミドからなる絶縁体
層の厚みを合算した厚みより小さい厚みで、前記第2の
金属層を前記工程(g)で堆積させる如く構成した。
は、吸収層(adhesion layer)と、拡散防止機能層と、お
よび半田金属層とを含む多層金属層からなる如く構成し
た。
は、光反射増加層(light reflective enhancement)
と、吸収層(adhesion layer)と、拡散防止機能層と、お
よび半田金属層とを含む多層金属層からなる如く構成し
た。
の実施の形態を説明する。
記した米国特許第4,927,770号公報で開示され
る工程で製造される裏面ポイントコンタクト型の珪素基
板からなるソーラーセルの模式的な説明断面図である。
抵抗を備えた単結晶の珪素基板10を備える。珪素基板
10の上面は酸化珪素からなる保護層12を備えると共
に、その裏面にはnドープ領域14とpドープ領域16
が交互に形成される。nドープ領域14とpドープ領域
16間の裏面は、酸化珪素からなる第1の保護層18と
窒化珪素からなる第2の保護層20で被覆される(図で
は一体的に示す)。
ウムをスパッタしてなる保護層を覆ってnドープ領域1
4と接続される第1の金属層24と、第1の金属層24
上に付着(コーティング)される絶縁体(誘電体)層2
6と、それらの上に堆積されてpドープ領域16と接続
される、アルミニウムなどからなる第2の金属層28が
形成される。
半田層102および電極104からなる層を介してマウ
ント(実装)される。即ち、基板10は、電極基板10
0の電極104に半田付けされる。
4,234,352号公報などで提案される集光器を介
して200から500倍(20から50W/cm2 )に
集光され、図1(a)に符号30で示す集光された太陽
光は珪素基板10にその上面から入り、珪素基板10の
原子と共動して電子・正孔対を生じ、電子・正孔対は基
板内のpドープ領域16とnドープ領域14を移動して
各ドープ領域14,16の間に電圧差を生じる。よって
生じた電圧差は、珪素基板10の裏面側に接続される電
極104から取り出される。
知であり、この発明の要旨はその製造方法にあるので、
以下その点に焦点をおいて説明する。
トコンタクト型の珪素基板からなるソーラーセルの構成
を示す。尚、図示の簡略化のため、図1(a)では、第
1の金属層24はnドープ領域14のみに接続されると
共に、第2の金属層28はpドープ領域16のみに接続
されるように図示した。実際には、図1(b)に示すよ
うに、第1の金属層24(24a,24b)はnドープ
領域14およびpドープ領域16の双方に接続されると
共に、nドープ領域14およびpドープ領域16は相互
に絶縁されるようにパターン処理される。また、第2の
金属層28(28b)は、pドープ領域16に接触する
第1の金属層24(24a)を介してpドープ領域に接
続される。
pドープ領域16が第2の金属層28に接続される基板
部位のみ示すようにした。実際には、図1(b)に示す
ように、nドープ領域14が第2の金属層28aに接続
される部位を含む基板領域も存在する。このように、第
2の金属層28は、nドープ領域14がpドープ領域1
6に接続されないようにパターン処理されて2つの領域
の間で開口される。
タクト型の珪素基板からなるソーラーセル(図1(b)
に示す)の製造工程を示す工程フロー・チャートであ
り、図3および図4は、その製造工程を説明するための
説明断面図である。尚、図3(a)などにおいて、基板
10は裏面を上にして示すと共に、図示の便宜のため、
部材のサイズおよび形状は変形あるいは誇張して示す。
如く、基板10に酸化珪素からなる第1の保護層18が
形成されると共に、第1の保護層18の上に窒化珪素か
らなる第2の保護層20を形成する。さらに、基板10
の上面側には保護層12を形成する。次いで、第1およ
び第2の保護層18,20に開口窓34を穿設して基板
10の表面を露出させ、燐でドープされたガラス36を
第2の保護層20に付着させると共に、開口窓34に充
填する。
如く、最初に穿設した第1群の開口窓34の間に第2群
の開口窓38をそれぞれ穿設し、ホウ素でドープされた
ガラス40を基板10の表面に付着させると共に、第2
群の開口窓38に充填する。次いで、約900°Cから
1150°Cに加熱し、ドープされた酸化層(ガラス)
36,40のドーパントを基板10の表面に拡散させて
前記したnドープ領域14とpドープ領域16を形成す
る。次いで、上述のように構成された基板10に酸化珪
素のエッチング処理を施して基板表面の酸化層(ガラ
ス)36,40を全て除去し、それによって図3(c)
に示す構造を得る。
成された基板」とは、それ以前の工程での処理が行われ
た基板を意味するものとする。
ムをスパッタさせて第1の金属層24を第2の保護層2
0の全面にわたって厚さ2から4μmで堆積させ、図3
(d)に示す如く、全てのnドープ領域14とpドープ
領域16を接続(導通)する。次いで、第1の金属層2
4に、図4(a)に示す如く、ドープ領域14,16が
それぞれ独立した接点を備えるようにパターン処理およ
びエッチング処理を行う。
直面していた課題を再説する。
なるソーラーセルにあっては、高集光度(例えば200
から500倍、あるいは入射密度において20から50
W/cm2 )であることから、第1の金属層24は非常
に厚くなる(例えば2から4μm)。
果、絶縁体層26上に薄い(1から2μmの多層金属層
からなる)第2の金属層28を適正に形成するのが困難
となり、第2の金属層28が十分な導電性を得られず、
最悪の場合には断線するなどの不都合を生じる場合があ
った。
鑑み、酸化アルミニウムに代え、絶縁体層26として弾
性に優れた有機材であるポリイミドを使用するようにし
た。ポリイミドの厚い膜は、第1の金属層24の表面を
滑らかにし、よって平坦な表面を得ることができる。
イミドの厚い膜からなる絶縁体層26は、開口窓44の
縁部の隆起を招きやすい。その結果、その上に形成され
る第2の金属層28が薄くなり過ぎたり、あるいは断線
する不都合を来すことがあった。従って、開口窓の縁部
を隆起させずに、あるいは丸みを帯びた滑らかな形状を
呈するように絶縁体層26をパターン処理することが望
まれていた。
属層24をパターン処理した後、S16に進み、図4
(b)に示す如く、ポリイミド(例えば日立製PiX3400
(商標))からなる絶縁体層26を約5μmの厚さとな
るように第1の金属層24の上に付着させる(コーティ
ングする)。
させ(コーティングし)たポリイミドの中の溶剤を除去
した後、絶縁体層26をパターン処理し、図4(c)に
示す如く、開口窓44を穿設する。より具体的には、フ
ォトレジスト(例えば、Shipley 1813(商標))の薄膜
を形成し、フォトリソグラフィマスク(図示せず)を介
してフォトレジスト膜に紫外線を露光させる。
標))を用いてフォトレジスト膜を現像する。この現像
処理でポリイミドもエッチングされる。次いで、溶剤
(例えば酢酸n−ブチル)を加えてフォトレジスト膜を
除去する。このとき、必要なポリイミドのパターン部分
を除去しないようにする。尚、酢酸セロソルブなどの他
の溶剤を用いても良い。
18に進み、上述のように構成された基板10を炉の中
で加熱し、ポリイミドからなる絶縁体層26を硬化させ
る。より具体的には、上述のように構成された基板10
を(大気中あるいは窒素雰囲気において)120°Cで
30分間加熱し、さらに200°Cで30分間加熱し、
さらに350°Cで1時間加熱する。
れた基板10を(大気中あるいは窒素雰囲気において)
一層高い温度である400°Cで30分間、追加的に加
熱する。この追加的な加熱により、ポリイミドからなる
絶縁体層26は十分に硬化させられて収縮し、開口窓4
4の縁部は丸みを帯びた滑らかな形状を呈するようにな
る。即ち、絶縁体層26を、比較的、平坦化した形状に
することができる。
度および時間は例示であり、それらはポリイミドの種類
あるいは特性ならびに絶縁体層26の厚さによって異な
る。発明者達が知見した限り、400°Cで加熱時間を
1時間まで延長したところ、依然、所期の結果を得るこ
とができたが、温度を500°Cまで昇温したところ、
絶縁体層26が硬化し過ぎて絶縁体層26にクラックが
生じた。
ム/ニッケル/銅の(厚さ約1から2μmの)多層金属
層からなる第2の金属層28を第2の絶縁体層26およ
び第1の金属層24に堆積させ、図4(d)に示す如
く、第2の金属層28の中のアルミニウム層とアルミニ
ウムからなる第1の金属層24のアルミニウムを焼鈍し
て接合させる。
常に使用されるものとは異なり、アルミニウム材同士を
加熱(例えば350°Cから400°C)して接合する
ことを意味する。尚、アルミニウム/クロム/ニッケル
/銅の多層金属層に代え、クロム/ニッケル/銅、ある
いはアルミニウム/チタン/ニッケル/銀、あるいはア
ルミニウム/チタン/パラジウム/銀からなる多層金属
層を用いても良い。
内側の絶縁体層26に堆積されるべき層)1、拡散防止
機能層2、および半田金属層(最外部の層)3からなる
が、各層は図5(a)に示すような金属を、どのように
組み合わせて用いても良い。さらに、上述した組み合わ
せに代え、光反射増加層(a light reflective enhance
ment, 最内部)1、吸収層(adhesion layer)2、拡散防
止機能層3、および半田金属層4から構成すると共に、
それぞれ、図5(b)に示す金属をどのように組み合わ
せて使用しても良い。
第1の金属層24がnドープ領域に、第2の金属層28
がpドープ領域に接続されるように図示したが、実際は
図1(b)に示すように、第1および第2の金属層は、
図4(d)に示すようにnドープ領域とpドープ領域に
共に接続される。
た裏面ポイントコンタクト型の珪素基板からなるソーラ
ーセルの製造方法においては、上記のように構成したこ
とで、電極基板100に半田付けされる基板表面を十分
平坦化することができ、よって十分な導電性を確保する
ことができると共に、ボイドおよび半田疲労も低減する
ことができる。
る裏面ポイントコンタクト型の珪素基板からなるソーラ
ーセルの製造方法を示す工程フロー・チャートである。
らなる絶縁体層26は、第1の金属層24をパターン処
理したときに生じる下部の凹凸を平坦化するのに有益で
あるが、発明者達は、このポリイミドの単一層からなる
絶縁体層26が、バイアス(絶縁体層26の開口窓44
に形成される導電路)を形成して所望の箇所で第2の金
属層28を第1の金属層24に接合するとき、場合によ
っては固有の凹凸を生じることがあるのを知見した。そ
こで、発明者達は、パターン処理後にポリイミドを、厚
みを薄くした2層に分けて付着させる(コーティングす
る)ことで、基板表面のかかる凹凸を低減させることが
できることを見出した。
厚い2層金属構造を備えた場合でも基板表面を一層平坦
化することができる、裏面ポイントコンタクト型の珪素
基板からなるソーラーセルの製造方法を提供しようとす
るものである。
ると、製造工程はS100で開始し、S102まで第1
の実施の形態と同様の処理を行った後、S104に進
み、2から4μmの厚さのアルミニウムからなる第1の
金属層24を堆積させた後、ドープ領域14,16がそ
れぞれ独立した設定を備えるよう、パターン処理および
エッチング処理を行う。次いでS106に進み、ポリイ
ミド(例えば日立製PiX3400 (商標))からなる第1の
絶縁体層26aを約2から4μmの厚さとなるように第
1の金属層24の上に付着させる(コーティングす
る)。
イミド中の溶剤を除去した後、第1の絶縁体層26aを
パターン処理して開口窓44を穿設する。より具体的に
は、第1の実施の形態と同様に、フォトレジスト(例え
ば、Shipley 1813(商標))の薄膜をポリイミド層26
の上に形成し、フォトリソグラフィマスク(図示せず)
を介して紫外線をフォトレジスト膜に露光させる。
標))を用いてフォトレジスト膜を現像すると共に、ポ
リイミドをエッチングする。パターン処理およびエッチ
ング処理において、このポリイミドの膜26aが、図7
(a)に示す如く、第1の金属層24の頂部240を超
えないようにする。次いで、溶剤(例えば酢酸n−ブチ
ル)を加えてフォトレジスト膜を除去する。このとき、
必要なパターンを形成したポリイミド部分を除去しない
ようにする。尚、酢酸セロソルブなどの他の溶剤を用い
ても良いことは、第1の実施の形態と同様である。
された基板10を炉の中で加熱し、ポリイミドからなる
第1の絶縁体層26aを硬化させる。より具体的には、
上述のように構成された基板10を(大気中あるいは窒
素雰囲気において)120°Cで30分間加熱し、さら
に200°Cで30分間加熱し、さらに350°Cで1
時間加熱する。
のであり、省略しても良い。
からなる第2の絶縁体層26bを第1の絶縁体層26a
の上に付着させる(コーティングする)。このとき、第
2の絶縁体層26bは、第1の絶縁体層26aの付着
(コーティング)速度に比して高い速度で(即ち、より
短い時間で)付着させる(コーティングする)。第2の
絶縁体層26bに使用する素材は第1の絶縁体層26a
と同一であるが、第2の絶縁体層26bは粘度が小さい
(薄い)素材を用い、約1μmの薄いポリイミド層を形
成する。次いで、図7(b)に示すように第2の絶縁体
層26bを第1の絶縁体層26aと同様にパターン処理
およびエッチング処理すると共に、開口窓44を穿設す
る。
金属層24の頂部240を僅かに超えるようにする。こ
のように、第1の絶縁体層26aと第2の絶縁体層26
bを、図7(c)に示す如く、開口窓44が穿設される
ようにパターン処理およびエッチング処理する。
6aと同様の手順で、第2の絶縁体層26bを硬化させ
る。
において使用したのと同様の(厚さ約1から2μmの)
多層金属層からなる第2の金属層28を第2の絶縁体層
26bおよび第1の金属層24の上に堆積させ、図7
(d)に示す如く、第2の金属層28の中のアルミニウ
ム層と第1の金属層24のアルミニウムを焼鈍して接合
させる。
てはポリイミドを2層に分けて付着させる(コーティン
グする)ように構成したので、基板表面に所望の厚さの
ポリイミド層を形成するのが容易となる。その結果、縁
部の隆起を低減させて絶縁体層を一層良く平坦化させる
ことができ、ボイドを減少させると共に、電極基板10
0へのストレスも軽減させて、半田疲労に対する信頼性
を向上させることができる。
る裏面ポイントコンタクト型の珪素基板からなるソーラ
ーセルの製造方法を示す工程フロー・チャートである。
いは第2の実施の形態の改良であり、中間の絶縁体層と
して酸化珪素(無機材)およびポリイミド(有機材)か
らなる2層構造を採用し、それらの材料が持つ利点を利
用するようにした。
備え、第1の金属層のアルミニウムの導電構造を保護す
ると共に、ポリイミド層は第2の金属層を堆積させる前
の平坦化および物理的な保護機能を有する。このよう
に、(ポリイミドのような弾性に優れた)有機材と(酸
化珪素のような)無機材を組み合わせて2層構造とする
ことで、電極基板100への半田付けのベースに適した
平坦化を一層良く実現することができる。
これらの素材の特性の比較結果を示す表である。このよ
うに、2層構造としてこれらの素材を組み合わせること
で利点を良く利用することができ、半田疲労に対して強
固なベース層を提供することができる。
の実施の形態を説明すると、製造工程はS200で開始
し、S202にまで進んで同様の処理を行った後、S2
04に進み、アルミニウムからなる第1の金属層24を
2から4μmの厚さで堆積させた後、ドープ領域14,
16がそれぞれ独立した接点を備えるようパターン処理
およびエッチング処理を行う。次いでS206に進み、
図10(a)に示す如く、酸化珪素(SiO2 )からな
る第1の絶縁体層26cを約1μmの厚さとなるように
第1の金属層24および第2の保護層20の上に付着さ
せる(コーティングする)。
ンハンスド・CVDを用いて行う。尚、400°Cでの
低圧CVDあるいは450°Cでの大気圧CVDなどの
手法を用いて酸化珪素を堆積させても良い。
の絶縁体層26cをパターン処理し、図10(b)に示
す如く、それを貫通するように開口窓44を穿設する。
す如く、ポリイミドからなる第2の絶縁体層26dを、
約2.5μmの厚みで、酸化珪素からなる第1の絶縁体
層26cおよび第1の金属層24の上に付着させる(コ
ーティングする)。次いでフォトリソグラフィを介して
第2の絶縁体層26dをパターン処理およびエッチング
処理する。
で加熱し、第2の絶縁体層26dを硬化させる。より具
体的には、基板10を(大気中あるいは窒素雰囲気にお
いて)120°Cで30分間加熱し、さらに200°C
で30分間加熱し、さらに350°Cで1時間加熱す
る。
において使用したのと同様の多層金属層からなる第2の
金属層28を、第2の絶縁体層26dおよび第1の金属
層24に堆積させ、図10(d)に示す如く、第2の金
属層28の中のアルミニウム層とアルミニウムからなる
第1の金属層24を焼鈍して接合させる。
xNy(酸窒化珪素)あるいはAl 2 O3 を第1の絶縁
体層26cとして用いても良い。
ては有機材と無機材からなる2層構造を使用するように
構成したので、電極基板100を半田付けするベースに
適した基板表面の平坦化を一層良く実現することができ
る。尚、残余の構成および効果は従前の実施の形態のそ
れと異ならない。
係る裏面ポイントコンタクト型の珪素基板からなるソー
ラーセルの製造方法を示す工程フロー・チャートであ
る。
層28と第1の金属層24を接合するのに際し、アルミ
ニウム層同士を350°Cから400°Cで焼鈍して接
合するように構成した。これにより、アルミニウムの膨
張に起因して第2の金属層28に凹凸が生じ、アルミニ
ウム層の上にクロム層を形成するのを困難にし、よって
導電性を低下させていた。
は、第2の金属層をアルミニウムを除く素材からなる多
層(3層)金属層で構成し、接点パッドを電極基板10
0上に容易に半田付けできるようにし、導電性を向上さ
せるようにした。
すると、製造工程はS300で開始し、S302,S3
04と進んで第1の実施の形態と同様の処理を行ってS
306に進み、図12(a)に示す如く、第1から第3
の実施の形態のいずれかで開示した手法に従って絶縁体
層26eを付着させ(コーティングし)、次いでS30
8に進み、アルミニウムを除く素材からなる多層(3
層)の第2の金属層28cを、図12(b)に示す如
く、絶縁体層26eの上に堆積させる。
は、第1層280、第2層282および第3層284か
らなる。第1層280は(厚さ約0.05μm)のクロ
ムからなり、第1の金属層24のアルミニウムとポリイ
ミドからなる絶縁体層26eへの堆積手段となる。
μm)のニッケルからなり、第3層284と半田との拡
散防止機能を奏する。第3層284は(厚さ約0.6か
ら1.0μm)の(電極基板に)半田付け可能な銅から
なる。尚、銅を用いることにより、後段の電極基板への
半田付け作業の際に生じる、ニッケルの融解を防止する
ことができる。
グによって絶縁体層26e上に堆積させ、その上に第2
層282をスパッタリングによって堆積させ、その上に
第3層284をスパッタリングによって堆積させる。
80、第2層282、第3層284は、スパッタリング
に代え、シャドーマスクを用いて蒸着させても良く、あ
るいはフォトパターン電子銃などを用いて形成しても良
い。
/ニッケル/銅からなる多層金属層に代え、クロム/ニ
ッケル/銀などの3層金属層を用いても良く、さらには
4層以上の金属層を用いても良い。
ては、アルミニウムを除く素材からなる多層(3層)金
属層を使用したので、アルミニウムの膨張に起因して第
2の金属層に凹凸が生じて導電性を低下させるのを防止
しつつ、電極基板100のベースとして適した基板の平
坦化を実現することができる。さらに、3層金属層はそ
れぞれ十分な厚さで堆積されるので、ソーラーセルの耐
久性を向上させることができる。また、かかる構成は、
後段の半田付け作業を容易とする。
の発明を説明したが、上記は例であって限定されるもの
ではない。例えば、この発明は、裏面ポイントコンタク
ト型以外のソーラーセルにも適用可能である。
て、保護層18,20を備えたが、保護層の一方、例え
ば20は省略しても良い。
が平坦化されて導電性が十分に確保されると共に、ボイ
ドあるいは半田疲労の発生を低減することができる。
なる絶縁体層を付着させる(コーティングする)と共
に、そのポリイミドを所定の第2の温度で所定の第2の
時間追加的に加熱して硬化させるようにしたので、ポリ
イミドからなる絶縁体層は十分に硬化させられて収縮
し、よって基板表面を良く平坦化することができて上記
した効果を得ることができる。
開示される、2層金属構造の公知の裏面ポイントコンタ
クト型の珪素基板からなるソーラーセルおよび、それが
半田付けされる電極基板ならびに、この発明に係る同種
のソーラーセルを全体的に示す概略断面図である。
造方法を示す工程フロー・チャートである。
図である。
ラーセルの断面図である。
可能な金属の組み合わせを示す説明図である。
ルの製造方法を示す工程フロー・チャートである。
図である。
ルの製造方法を示す工程フロー・チャートである。
絶縁体層の材料の特性の比較を示す表である。
面図である。
セルの製造方法を示す工程フロー・チャートである。
断面図である。
面図である。
体層 28,28a,28b,28c 第2の金属層 34,44 開口窓 100 電極基板
Claims (6)
- 【請求項1】 nドープ領域とpドープ領域を有する珪
素基板からなるソーラーセルの製造方法において、
(a)前記基板の表面にnドープ領域とpドープ領域に
開口窓を備える保護層を形成し、(b)前記保護層の上
に第1の金属層を堆積させて前記第1の金属層を前記n
ドープ領域とpドープ領域に接続させ、(c)前記第1
の金属層の上にポリイミドからなる絶縁体層を付着さ
せ、(d)前記ポリイミドからなる絶縁体層をパターン
およびエッチング処理して前記nドープ領域とpドープ
領域の少なくとも一方に開口窓を穿設し、(e)前記ポ
リイミドからなる絶縁体層を所定の第1の温度で所定の
第1の時間加熱して硬化させ、(f)前記ポリイミドか
らなる絶縁体層を前記第1の所定の温度より高温の所定
の第2の温度で所定の第2の時間追加的に加熱して硬化
させ、 および(g)前記ポリイミドからなる絶縁体層の上に第
2の金属層を堆積させて前記第2の金属層を前記nドー
プ領域とpドープ領域の前記一方に接続させる、工程か
らなることを特徴とするソーラーセルの製造方法。 - 【請求項2】 前記工程(f)の前記第2の所定温度が
400°C以上で、かつ500°C未満であることを特
徴とする請求項1項記載のソーラーセルの製造方法。 - 【請求項3】 前記工程(f)の前記第2の所定時間が
30分以上で、かつ1時間未満であることを特徴とする
請求項1項または2項記載のソーラーセルの製造方法。 - 【請求項4】 前記工程(b)で堆積させる第1の金属
層の厚みと前記工程(c)で堆積させるポリイミドから
なる絶縁体層の厚みを合算した厚みより小さい厚みで、
前記第2の金属層を前記工程(g)で堆積させることを
特徴とする請求項1項から3項のいずれかに記載のソー
ラーセルの製造方法。 - 【請求項5】 前記第2の金属層は、吸収層と、拡散防
止機能層と、および半田金属層とを含む多層金属層から
なることを特徴とする請求項1項から4項のいずれかに
記載のソーラーセルの製造方法。 - 【請求項6】 前記第2の金属層は、光反射増加層と、
吸収層と、拡散防止機能層と、および半田金属層とを含
む多層金属層からなることを特徴とする請求項1項から
4項のいずれかに記載のソーラーセルの製造方法。
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Families Citing this family (87)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6833575B2 (en) * | 2002-08-29 | 2004-12-21 | Micron Technology, Inc. | Dopant barrier for doped glass in memory devices |
US7388147B2 (en) * | 2003-04-10 | 2008-06-17 | Sunpower Corporation | Metal contact structure for solar cell and method of manufacture |
US20050022862A1 (en) * | 2003-08-01 | 2005-02-03 | Cudzinovic Michael J. | Methods and apparatus for fabricating solar cells |
US7455787B2 (en) * | 2003-08-01 | 2008-11-25 | Sunpower Corporation | Etching of solar cell materials |
US6998288B1 (en) | 2003-10-03 | 2006-02-14 | Sunpower Corporation | Use of doped silicon dioxide in the fabrication of solar cells |
US7592537B1 (en) | 2004-02-05 | 2009-09-22 | John Raymond West | Method and apparatus for mounting photovoltaic modules |
US7406800B2 (en) * | 2004-05-18 | 2008-08-05 | Andalay Solar, Inc. | Mounting system for a solar panel |
US7390961B2 (en) | 2004-06-04 | 2008-06-24 | Sunpower Corporation | Interconnection of solar cells in a solar cell module |
US7790574B2 (en) | 2004-12-20 | 2010-09-07 | Georgia Tech Research Corporation | Boron diffusion in silicon devices |
US20060235717A1 (en) * | 2005-04-18 | 2006-10-19 | Solaria Corporation | Method and system for manufacturing solar panels using an integrated solar cell using a plurality of photovoltaic regions |
US20070095386A1 (en) * | 2005-06-06 | 2007-05-03 | Solaria Corporation | Method and system for integrated solar cell using a plurality of photovoltaic regions |
US20080178922A1 (en) * | 2005-07-26 | 2008-07-31 | Solaria Corporation | Method and system for manufacturing solar panels using an integrated solar cell using a plurality of photovoltaic regions |
KR101041843B1 (ko) * | 2005-07-30 | 2011-06-17 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물계 화합물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US7468485B1 (en) | 2005-08-11 | 2008-12-23 | Sunpower Corporation | Back side contact solar cell with doped polysilicon regions |
US8227688B1 (en) | 2005-10-17 | 2012-07-24 | Solaria Corporation | Method and resulting structure for assembling photovoltaic regions onto lead frame members for integration on concentrating elements for solar cells |
US7910822B1 (en) | 2005-10-17 | 2011-03-22 | Solaria Corporation | Fabrication process for photovoltaic cell |
US7820475B2 (en) * | 2005-12-21 | 2010-10-26 | Sunpower Corporation | Back side contact solar cell structures and fabrication processes |
US20070169808A1 (en) * | 2006-01-26 | 2007-07-26 | Kherani Nazir P | Solar cell |
US8008575B2 (en) | 2006-07-24 | 2011-08-30 | Sunpower Corporation | Solar cell with reduced base diffusion area |
US8148627B2 (en) | 2006-08-25 | 2012-04-03 | Sunpower Corporation | Solar cell interconnect with multiple current paths |
US20080135092A1 (en) * | 2006-12-11 | 2008-06-12 | Sunmodular, Inc. | Solar roof tiles with heat exchange |
US7728219B2 (en) * | 2006-12-11 | 2010-06-01 | Sunmodular, Inc. | Photovoltaic cells, modules and methods of making same |
US8410350B2 (en) | 2006-12-11 | 2013-04-02 | Ns Acquisition Llc | Modular solar panels with heat exchange |
US8350417B1 (en) | 2007-01-30 | 2013-01-08 | Sunpower Corporation | Method and apparatus for monitoring energy consumption of a customer structure |
EP2122691A4 (en) | 2007-02-16 | 2011-02-16 | Nanogram Corp | SOLAR CELL STRUCTURES, PV MODULES AND CORRESPONDING METHODS |
US8158877B2 (en) | 2007-03-30 | 2012-04-17 | Sunpower Corporation | Localized power point optimizer for solar cell installations |
US20100282316A1 (en) * | 2007-04-02 | 2010-11-11 | Solaria Corporation | Solar Cell Concentrator Structure Including A Plurality of Glass Concentrator Elements With A Notch Design |
US20080236651A1 (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-02 | Solaria Corporation | Solar cell concentrator structure including a plurality of concentrator elements with a notch design and method having a predetermined efficiency |
US7910392B2 (en) * | 2007-04-02 | 2011-03-22 | Solaria Corporation | Method and system for assembling a solar cell package |
US8119902B2 (en) * | 2007-05-21 | 2012-02-21 | Solaria Corporation | Concentrating module and method of manufacture for photovoltaic strips |
US7838062B2 (en) | 2007-05-29 | 2010-11-23 | Sunpower Corporation | Array of small contacts for solar cell fabrication |
US8707736B2 (en) | 2007-08-06 | 2014-04-29 | Solaria Corporation | Method and apparatus for manufacturing solar concentrators using glass process |
US8513095B1 (en) | 2007-09-04 | 2013-08-20 | Solaria Corporation | Method and system for separating photovoltaic strips |
US8049098B2 (en) * | 2007-09-05 | 2011-11-01 | Solaria Corporation | Notch structure for concentrating module and method of manufacture using photovoltaic strips |
US20110017263A1 (en) * | 2007-09-05 | 2011-01-27 | Solaria Corporation | Method and device for fabricating a solar cell using an interface pattern for a packaged design |
US8938919B2 (en) * | 2007-09-21 | 2015-01-27 | Andalay Solar, Inc. | Electrical connectors for solar modules |
US8505248B1 (en) | 2007-09-21 | 2013-08-13 | Andalay Solar, Inc. | Minimal ballasted surface mounting system and method |
US8813460B2 (en) * | 2007-09-21 | 2014-08-26 | Andalay Solar, Inc. | Mounting system for solar panels |
US20090151770A1 (en) * | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Solaria Corporation | Method and material for coupling solar concentrators and photovoltaic devices |
US7910035B2 (en) * | 2007-12-12 | 2011-03-22 | Solaria Corporation | Method and system for manufacturing integrated molded concentrator photovoltaic device |
US8198528B2 (en) * | 2007-12-14 | 2012-06-12 | Sunpower Corporation | Anti-reflective coating with high optical absorption layer for backside contact solar cells |
US8222516B2 (en) * | 2008-02-20 | 2012-07-17 | Sunpower Corporation | Front contact solar cell with formed emitter |
US7851698B2 (en) * | 2008-06-12 | 2010-12-14 | Sunpower Corporation | Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions |
US8207444B2 (en) * | 2008-07-01 | 2012-06-26 | Sunpower Corporation | Front contact solar cell with formed electrically conducting layers on the front side and backside |
US8242354B2 (en) * | 2008-12-04 | 2012-08-14 | Sunpower Corporation | Backside contact solar cell with formed polysilicon doped regions |
US9070804B2 (en) * | 2009-02-24 | 2015-06-30 | Sunpower Corporation | Back contact sliver cells |
US8409911B2 (en) * | 2009-02-24 | 2013-04-02 | Sunpower Corporation | Methods for metallization of solar cells |
US20100294352A1 (en) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | Uma Srinivasan | Metal patterning for electrically conductive structures based on alloy formation |
US20100294349A1 (en) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | Uma Srinivasan | Back contact solar cells with effective and efficient designs and corresponding patterning processes |
US9518596B2 (en) | 2009-07-02 | 2016-12-13 | Solarcity Corporation | Pivot-fit frame, system and method for photovoltaic modules |
EP2449598B1 (en) | 2009-07-02 | 2018-05-30 | SolarCity Corporation | Array of photovoltaic modules interlocked together |
US20110000544A1 (en) * | 2009-07-02 | 2011-01-06 | West John R | Drop-in connection apparatus, system, and method for photovoltaic arrays |
US20110048505A1 (en) * | 2009-08-27 | 2011-03-03 | Gabriela Bunea | Module Level Solution to Solar Cell Polarization Using an Encapsulant with Opened UV Transmission Curve |
US9064999B2 (en) * | 2009-09-07 | 2015-06-23 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method for manufacturing the same |
CN102044579B (zh) | 2009-09-07 | 2013-12-18 | Lg电子株式会社 | 太阳能电池 |
US20120298188A1 (en) | 2009-10-06 | 2012-11-29 | Zep Solar, Inc. | Method and Apparatus for Forming and Mounting a Photovoltaic Array |
WO2011068480A1 (en) * | 2009-12-02 | 2011-06-09 | National University Of Singapore | Method and system for forming a metal electrode for a solar cell |
TWI514599B (zh) * | 2010-06-18 | 2015-12-21 | Semiconductor Energy Lab | 光電轉換裝置及其製造方法 |
US8377738B2 (en) | 2010-07-01 | 2013-02-19 | Sunpower Corporation | Fabrication of solar cells with counter doping prevention |
USD759464S1 (en) | 2010-07-02 | 2016-06-21 | Solarcity Corporation | Leveling foot |
US9816731B2 (en) | 2010-07-02 | 2017-11-14 | Solarcity Corporation | Pivot-fit connection apparatus and system for photovoltaic arrays |
US8426974B2 (en) | 2010-09-29 | 2013-04-23 | Sunpower Corporation | Interconnect for an optoelectronic device |
JP5909499B2 (ja) | 2010-12-09 | 2016-04-26 | ソーラーシティ コーポレーション | 光起電力アレイ用のスカート |
US8912083B2 (en) | 2011-01-31 | 2014-12-16 | Nanogram Corporation | Silicon substrates with doped surface contacts formed from doped silicon inks and corresponding processes |
CN106059456A (zh) | 2011-02-22 | 2016-10-26 | 光城公司 | 光伏模块的枢转配合框架、系统和方法 |
USD699176S1 (en) | 2011-06-02 | 2014-02-11 | Solaria Corporation | Fastener for solar modules |
USD765591S1 (en) | 2011-12-09 | 2016-09-06 | Solarcity Corporation | Panel skirt and photovoltaic panel |
US8822262B2 (en) | 2011-12-22 | 2014-09-02 | Sunpower Corporation | Fabricating solar cells with silicon nanoparticles |
US9320926B2 (en) | 2012-06-28 | 2016-04-26 | Solarcity Corporation | Solar panel fire skirt |
US9812590B2 (en) | 2012-10-25 | 2017-11-07 | Sunpower Corporation | Bifacial solar cell module with backside reflector |
US9035172B2 (en) | 2012-11-26 | 2015-05-19 | Sunpower Corporation | Crack resistant solar cell modules |
US9312406B2 (en) | 2012-12-19 | 2016-04-12 | Sunpower Corporation | Hybrid emitter all back contact solar cell |
US8796061B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-08-05 | Sunpower Corporation | Module assembly for thin solar cells |
US9685571B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-06-20 | Sunpower Corporation | Solar cell module with high electric susceptibility layer |
US8938932B1 (en) * | 2013-12-13 | 2015-01-27 | Quality Product Llc | Rail-less roof mounting system |
US10636924B2 (en) | 2014-11-26 | 2020-04-28 | Sunpower Corporation | Solar module interconnect |
USD822890S1 (en) | 2016-09-07 | 2018-07-10 | Felxtronics Ap, Llc | Lighting apparatus |
US10775030B2 (en) | 2017-05-05 | 2020-09-15 | Flex Ltd. | Light fixture device including rotatable light modules |
USD832494S1 (en) | 2017-08-09 | 2018-10-30 | Flex Ltd. | Lighting module heatsink |
USD833061S1 (en) | 2017-08-09 | 2018-11-06 | Flex Ltd. | Lighting module locking endcap |
USD877964S1 (en) | 2017-08-09 | 2020-03-10 | Flex Ltd. | Lighting module |
USD862777S1 (en) | 2017-08-09 | 2019-10-08 | Flex Ltd. | Lighting module wide distribution lens |
USD872319S1 (en) | 2017-08-09 | 2020-01-07 | Flex Ltd. | Lighting module LED light board |
USD846793S1 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-23 | Flex Ltd. | Lighting module locking mechanism |
USD832495S1 (en) | 2017-08-18 | 2018-10-30 | Flex Ltd. | Lighting module locking mechanism |
USD862778S1 (en) | 2017-08-22 | 2019-10-08 | Flex Ltd | Lighting module lens |
USD888323S1 (en) | 2017-09-07 | 2020-06-23 | Flex Ltd | Lighting module wire guard |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62101430A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-11 | 宇部興産株式会社 | 薄膜形成用耐熱性絶縁基板およびその製法 |
JPS64774A (en) * | 1987-02-20 | 1989-01-05 | Nitto Denko Corp | Flexible photodetector and manufacture thereof |
JPS6450474A (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-27 | Taiyo Yuden Kk | Amorphous semiconductor solar cell |
US4927770A (en) * | 1988-11-14 | 1990-05-22 | Electric Power Research Inst. Corp. Of District Of Columbia | Method of fabricating back surface point contact solar cells |
WO1991017572A1 (en) * | 1990-05-07 | 1991-11-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell |
JPH03257874A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
JPH06151914A (ja) * | 1992-11-13 | 1994-05-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
JPH0745850A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-14 | Sharp Corp | 太陽電池モジュール |
JPH11274538A (ja) * | 1998-01-20 | 1999-10-08 | Sharp Corp | 高強度薄型半導体素子形成用基板、高強度薄型半導体素子及び高強度薄型半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4234352A (en) | 1978-07-26 | 1980-11-18 | Electric Power Research Institute, Inc. | Thermophotovoltaic converter and cell for use therein |
JP3425311B2 (ja) * | 1996-03-04 | 2003-07-14 | 株式会社東芝 | ネガ型感光性ポリマー樹脂組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品 |
JPH09302225A (ja) * | 1996-03-14 | 1997-11-25 | Toshiba Corp | ポリイミド前駆体組成物、ポリイミド膜の形成方法、電子部品および液晶素子 |
US6274402B1 (en) * | 1999-12-30 | 2001-08-14 | Sunpower Corporation | Method of fabricating a silicon solar cell |
-
1999
- 1999-12-30 US US09/474,760 patent/US6387726B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-03-31 JP JP2000099300A patent/JP2001189480A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62101430A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-11 | 宇部興産株式会社 | 薄膜形成用耐熱性絶縁基板およびその製法 |
JPS64774A (en) * | 1987-02-20 | 1989-01-05 | Nitto Denko Corp | Flexible photodetector and manufacture thereof |
JPS6450474A (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-27 | Taiyo Yuden Kk | Amorphous semiconductor solar cell |
US4927770A (en) * | 1988-11-14 | 1990-05-22 | Electric Power Research Inst. Corp. Of District Of Columbia | Method of fabricating back surface point contact solar cells |
JPH03257874A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
WO1991017572A1 (en) * | 1990-05-07 | 1991-11-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell |
JPH06151914A (ja) * | 1992-11-13 | 1994-05-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
JPH0745850A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-14 | Sharp Corp | 太陽電池モジュール |
JPH11274538A (ja) * | 1998-01-20 | 1999-10-08 | Sharp Corp | 高強度薄型半導体素子形成用基板、高強度薄型半導体素子及び高強度薄型半導体素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6387726B1 (en) | 2002-05-14 |
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