JP2001189346A - Ｉｃチップのフィルム状回路基板への接合方法及びｉｃチップ接合体 - Google Patents

Ｉｃチップのフィルム状回路基板への接合方法及びｉｃチップ接合体

Info

Publication number
JP2001189346A
JP2001189346A JP37347999A JP37347999A JP2001189346A JP 2001189346 A JP2001189346 A JP 2001189346A JP 37347999 A JP37347999 A JP 37347999A JP 37347999 A JP37347999 A JP 37347999A JP 2001189346 A JP2001189346 A JP 2001189346A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
circuit board
film
bonding
electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP37347999A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4445624B2 (ja
Inventor
Shunji Onobori
俊司 尾登
Shinji Kanayama
真司 金山
Satoshi Shida
智 仕田
Makoto Akita
誠 秋田
Takafumi Tsujisawa
孝文 辻澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP37347999A priority Critical patent/JP4445624B2/ja
Publication of JP2001189346A publication Critical patent/JP2001189346A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4445624B2 publication Critical patent/JP4445624B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 異方性導電フィルムの貼り付け工程が不要と
なり、工程数を少なくすることができ、ＩＣチップを回
路基板へ接合する接合時間を短くでき、全体として実装
タクトを削減でき、接合後の接合体が薄くすることがで
きるＩＣチップのフィルム状回路基板への接合方法及び
ＩＣチップ接合体を提供する。 【解決手段】 ＩＣチップ１の電極２の金バンプ３と、
フィルム状回路基板４の電極５とを位置合わせし、その
後、ＩＣチップの金バンプを基板の電極に押圧しつつ超
音波を印加して超音波接合させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣチップのフィ
ルム状回路基板へ接合する接合方法及び該接合方法によ
り接合されたＩＣチップ接合体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、回路基板へのＩＣチップの実装
は、図１１及び図１２に示すように、異方性導電フィル
ム（ＡＣＦ）２６を回路基板２４の電極２５へ貼り付け
たのち、異方性導電フィルム２６を介して、ＩＣチップ
２１の電極２２のバンプ２３を回路基板２４の電極２５
へ接合するＡＣＦ接合が主流となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
造のものでは、異方性導電フィルム２６の貼り付け工程
が必要となり、工程数が多いとともに、異方性導電フィ
ルム２６を介してＩＣチップ２１を回路基板２４へ接合
するため接合時間が長くなり、全体として実装タクトロ
スが発生するといった問題があった。また、異方性導電
フィルム２６の分だけ接合後の接合体が厚くなり、接合
体をテーピングしてテーピングカセットにより部品供給
するとき、テープ全体の厚みが大きくなり、テープをリ
ールなどに巻き取りにくくなるといった問題もあった。
【０００４】従って、本発明の目的は、上記問題を解決
することにあって、異方性導電フィルムの貼り付け工程
が不要となり、工程数を少なくすることができるととも
に、異方性導電フィルムが不要となるためＩＣチップを
回路基板へ接合するための接合時間を短くすることがで
き、全体として実装タクトを削減することができ、か
つ、異方性導電フィルムが無い分だけ接合後の接合体が
薄くなり、接合体をテーピングしてテーピングカセット
により部品供給するとき、テープ全体の厚みも小さくす
ることができるＩＣチップのフィルム状回路基板への接
合方法及びＩＣチップ接合体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のように構成する。
【０００６】本発明の第１態様によれば、ＩＣチップの
電極の金バンプと、フィルム状回路基板の電極とを位置
合わせし、その後、上記ＩＣチップの上記電極の上記金
バンプを上記フィルム状回路基板の上記電極に押圧しつ
つ超音波を印加して超音波接合させるようにしたことを
特徴とするＩＣチップのフィルム状回路基板への接合方
法を提供する。
【０００７】本発明の第２態様によれば、上記フィルム
状回路基板の電極はアルミニウム電極である第１態様に
記載のＩＣチップのフィルム状回路基板への接合方法を
提供する。
【０００８】本発明の第３態様によれば、上記フィルム
状回路基板は厚さ０．２ｍｍ以下である第１又は２態様
に記載のＩＣチップのフィルム状回路基板への接合方法
を提供する。
【０００９】本発明の第４態様によれば、上記フィルム
状回路基板は、厚さ０．２ｍｍ以下の絶縁体基板（例え
ば：ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、ポリ
イミド樹脂、塩化ビニル樹脂など）である第３態様に記
載のＩＣチップのフィルム状回路基板への接合方法を提
供する。
【００１０】本発明の第５態様によれば、上記ＩＣチッ
プの上記金バンプと、上記フィルム状回路基板の上記電
極とを接合する前に、上記ＩＣチップ又は上記フィルム
状回路基板のいずれかに接着剤を配置し、上記接合時に
上記接着剤により上記ＩＣチップと上記フィルム状回路
基板とを接着固定するようにした第１〜４のいずれかの
態様に記載のＩＣチップのフィルム状回路基板への接合
方法を提供する。
【００１１】本発明の第６態様によれば、上記接着剤は
絶縁性の熱硬化型エポキシ系樹脂であるようにした第５
態様に記載のＩＣチップのフィルム状回路基板への接合
方法を提供する。
【００１２】本発明の第７態様によれば、上記フィルム
状回路基板はテープ状に連続的に供給され、複数のＩＣ
チップを上記フィルム状回路基板の複数の電極に連続的
に超音波接合するようにした第１〜６のいずれかの態様
に記載のＩＣチップのフィルム状回路基板への接合方法
を提供する。
【００１３】本発明の第８態様によれば、上記フィルム
状回路基板は短冊状に供給され、複数のＩＣチップを上
記フィルム状回路基板の複数の電極に連続的に超音波接
合するようにした第１〜６のいずれかの態様に記載のＩ
Ｃチップのフィルム状回路基板への接合方法を提供す
る。
【００１４】本発明の第９態様によれば、第１〜８のい
ずれかの態様のＩＣチップのフィルム状回路基板への接
合方法により上記ＩＣチップが上記フィルム状回路基板
に接合されたＩＣチップ接合体を提供する。
【００１５】本発明の第１０態様によれば、上記ＩＣチ
ップはＩＣカード用のメモリである第９態様に記載のＩ
Ｃチップ接合体を提供する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる実施の形
態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１７】本発明の第１の実施形態にかかるＩＣチッ
プのフィルム状回路基板への接合方法は、図１及び図２
に示すように、ＩＣチップ１の電極２の金バンプ３のそ
れぞれと、フィルム状回路基板４のアルミニウム電極５
のそれぞれとを位置合わせし、その後、上記ＩＣチップ
１の上記電極２の上記金バンプ３のそれぞれを上記フィ
ルム状回路基板４の上記電極５のそれぞれに押圧しつつ
超音波を印加して加熱し、接合部分の金バンプ３と電極
２との界面において溶融させて金属の分子間接合を行う
ことにより超音波接合させるものである。このように接
合されて製造されるＩＣチップ接合体は、例えば、ＩＣ
カードのメモリなどに使用される。
【００１８】ＩＣチップ１の電極２には、公知のバンプ
ボンディング方法などにより金バンプ３が形成される。
【００１９】一方、フィルム状回路基板４は、例えば、
厚さ０．２ｍｍ以下の薄いフィルム状回路基板であり、
具体例としては０．０５ｍｍの厚さの例えばポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂などの絶縁体基板であ
り、その表面に所定パターンの例えばアルミニウム製の
電極５が形成されている。そのようなパターンの例とし
ては、図３（Ａ）に示すような一対の矩形の電極５ａ，
５ａや、図３（Ｂ）に示すような一対の直角三角形の電
極５ｃ，５ｃの組み合わせなどが挙げられる。図３
（Ａ）の一対の矩形の電極５ａ，５ａではその長手方向
の寸法ＤがＩＣチップ１の一辺の寸法例えば０．１ｍｍ
以上とし、図３（Ｂ）の一対の直角三角形の電極５ｃ，
５ｃではその重複領域の長手方向の寸法ＤがＩＣチップ
１の一辺の寸法例えば０．１ｍｍ以上とする。なお、フ
ィルム状回路基板４の絶縁体の材質としては、ポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂に限定されるもので
はなく、ポリイミド樹脂、塩化ビニル樹脂など任意の材
料を使用することができる。
【００２０】フィルム状回路基板４は、テープ状に連結
されたテープ状の供給形態、所定寸法毎に切断された短
冊状の供給形態などの任意の供給方法により供給され、
供給されたフィルム状回路基板４にＩＣチップ１が装着
されるようにしている。
【００２１】テープ状の供給形態のテープ状のフィルム
状回路基板４Ａの一例を図４に示す。図４では、両側に
長手方向沿いに所定間隔毎にスプロケット係合用穴４
ａ，…，４ａが多数形成されており、この両側のスプロ
ケット係合用穴４ａ，…，４ａに図示しない一対のスプ
ロケットが係合することにより、所定ピッチ毎にテープ
状のフィルム状回路基板４Ａを供給できるようにしてい
る。幅方向に３個の電極形成領域４ｄ，４ｄ，４ｄを配
置し、各電極形成領域４ｄに図３（Ａ）に示す一対の矩
形の電極５ａ，５ａが間隔をあけて配置されている。幅
方向において隣接する電極形成領域４ｄ，４ｄ間の中央
部には、ピッチ検出孔４ｂをパターン形成（ただし、貫
通形成してもよい。）して、テープ状のフィルム状回路
基板４Ａが所定ピッチ送られたことを検出できるように
している。また、長手方向において隣接する電極形成領
域４ｄ，４ｄ間の中央部には、認識マーク４ｃを形成し
て、認識マーク４ｃを検出することにより電極形成領域
４ｄの位置認識が行えるようにしている。なお、認識マ
ーク４ｃの代わりに、テープ状のフィルム状回路基板４
Ａの搬送時にスプロケット係合用穴４ａ，…，４ａの個
数をカウントして電極形成領域４ｄの位置を認識するこ
とにより、電極形成領域４ｄの位置認識が行えるように
してもよい。
【００２２】図６に示すように、リール１２に予め巻き
取られている状態でテープ状のフィルム状回路基板４Ａ
が供給され、巻取リール１１に向けてテープ状のフィル
ム状回路基板４Ａを巻き戻しつつ、装着台１３上でＩＣ
チップ１をテープ状のフィルム状回路基板４Ａの所定電
極５上に装着するようにしてもよい。この場合は、以下
のように処理される。
【００２３】まず、テープ状のフィルム状回路基板４Ａ
がテープ状に巻き取られたリール１２から、所定ピッチ
毎に間欠的にテープ状のフィルム状回路基板４Ａを巻き
戻して、巻取リール１１に巻き取られる。このとき、Ｉ
Ｃチップ１を装着すべき部分が装着台１３上に位置決め
されるようにしている。
【００２４】次いで、吸着ノズル１５により、ＩＣチッ
プ１を吸着保持する。
【００２５】次いで、吸着ノズル１５により吸着保持さ
れたＩＣチップ１の電極２の金バンプ３と、リール１２
から所定間隔毎に間欠的に巻き戻しされたテープ状のフ
ィルム状回路基板４Ａの電極５とをそれぞれ位置合わせ
する。
【００２６】その後、ＩＣチップ１の電極２の金バンプ
３をテープ状のフィルム状回路基板４Ａの電極５に押圧
しつつ、超音波ホーンにより、吸着ノズル１５を介して
ＩＣチップ１の電極２の金バンプ３とテープ状のフィル
ム状回路基板４Ａの電極５との接合部分に超音波を印加
して超音波接合させる。装着された状態を図５に示す。
図５では、理解しやすいように、ＩＣチップ１の電極２
の金バンプ３の位置を透視図的に表示している。この接
合動作により、左右一対の金バンプ３，３が各矩形電極
５ａに接合されることになる。
【００２７】次いで、接合後、上記装着台１３に位置決
めされている領域において、次に装着すべきＩＣチップ
１が有る場合には、そのＩＣチップ１を吸着ノズル１５
により吸着保持して上記と同様な装着動作を行う。
【００２８】これを繰り返して、上記領域において装着
すべきＩＣチップ１が無くなると、テープ状のフィルム
状回路基板４Ａがテープ状に巻き取られたリール１２か
ら、所定間隔だけ間欠的にテープ状のフィルム状回路基
板４Ａを巻き戻して、巻取リール１１に巻き取り、ＩＣ
チップ１を次に装着すべき別の領域が装着台１３上に位
置決めされる。その後、上記と同様に、この別の領域に
対するＩＣチップ１の装着を行う。
【００２９】このように接合されて製造されるＩＣチッ
プ装着後のテープ状のフィルム状回路基板４Ａは、所定
寸法毎に切断されてＩＣチップ接合体とし、例えば、Ｉ
Ｃカードのメモリなどに使用される。
【００３０】ここで、図７に基き、装着台１３の機能に
ついて説明する。装着台１３の表面には、テープ状のフ
ィルム状回路基板４Ａの幅方向に対向して一対の案内突
起１３ｃ，１３ｃを配置して、一対の案内突起１３ｃ，
１３ｃ間でテープ状のフィルム状回路基板４Ａをその長
手方向沿いに円滑に搬送供給できるようにしている。さ
らに、装着台１３の表面には、テープ状のフィルム状回
路基板４Ａにパターン形成されたピッチ検出孔４ｂを検
出可能なピッチ検出孔検出用センサ１３ａを配置して、
センサ１３ａ上をピッチ検出孔４ｂが通過すると、所定
ピッチだけテープ状のフィルム状回路基板４Ａが搬送さ
れたことを検出することにより、搬出動作を停止させ
て、所定ピッチ毎の自動供給を可能とするものである。
所定ピッチ毎に自動供給されたテープ状のフィルム状回
路基板４Ａは、装着台１３の表面に窪んで形成された真
空吸引溝１３ｂにより吸引されて固定保持し、ＩＣチッ
プ１の装着時にテープ状のフィルム状回路基板４Ａが移
動できないように位置決めしている。また、テープ状の
フィルム状回路基板４Ａを搬送するときには、真空吸引
溝１３ｂから矢印２０に示すようにエアプローを行っ
て、テープ状のフィルム状回路基板４Ａを装着台１３の
表面から浮かせることにより、テープ状のフィルム状回
路基板４Ａを円滑に搬送できるようにしている。
【００３１】上記実施形態によれば、ＩＣチップ１の金
バンプ３とテープ状のフィルム状回路基板４Ａの電極５
とが直接的に接合されるため、異方性導電フィルムを使
用する従来の場合と比較して、異方性導電フィルムの貼
り付け工程が不要となり、工程数を少なくすることがで
きる。また、異方性導電フィルムが不要となるためＩＣ
チップ１を回路基板４Ａへ接合するための接合時間を短
くすることができ、全体として実装タクトを削減するこ
とができる。また、異方性導電フィルムが無い分だけ接
合後のＩＣチップ接合体が薄くなり、ＩＣチップ接合体
をテーピングしてテーピングカセットにより部品供給す
るときのテープ全体の厚みを小さくすることができる。
また、ＩＣカードなどに適用するときには、ＩＣカード
をより薄くすることができる。また、異方性導電フィル
ムを介在させるのではなく、ＩＣチップ１のバンプ３と
テープ状のフィルム状回路基板４Ａの電極５とが直接的
に接合されるため、異方性導電フィルムを使用する場合
と比較して、より強固な接合が可能となり、信頼性を向
上させることができる。
【００３２】また、テープ状のフィルム状回路基板４Ａ
が巻き取られたリール１２からテープ状のフィルム状回
路基板４Ａを巻き戻すことにより、テープ状のフィルム
状回路基板４Ａを連続的に供給してＩＣチップ１を連続
的に装着することができ、装着効率を向上させることが
できる。また、リール１２から所定ピッチ毎に巻き戻す
ことにより、テープ状のフィルム状回路基板４Ａを安定
して供給することができ、かつ、搬送タクトの低減を実
現することができる。さらに、テープ状のフィルム状回
路基板４ＡとＩＣチップ１を超音波接合するにあたり、
テープ状のフィルム状回路基板４Ａの電極５の材質を金
ではなくアルミニウムにすることにより、コストダウン
を実現することができる。
【００３３】また、異方性導電フィルムを用意して貼り
付けたり、異方性導電フィルムを加熱して硬化させると
いった接合工程の前後工程の簡略化を図ることができ、
実装タクトを削減できて、生産性を向上させることがで
きる。上記実施形態においては、例えば、ＩＣチップ１
個当たり１秒程度で接合作業を終えることができる。
【００３４】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、その他種々の態様で実施できる。
【００３５】例えば、上記テープ状のフィルム状回路基
板４Ａの別の例として、図８に示すように、短冊状フィ
ルム状回路基板４Ｂを装着台１４上に一枚ずつ個別に供
給して位置決め固定する。
【００３６】次いで、吸着ノズル１５により、ＩＣチッ
プ１を吸着保持する。
【００３７】次いで、吸着ノズル１５により吸着保持さ
れたＩＣチップ１の電極２の金バンプ３と、短冊状フィ
ルム状回路基板４Ｂの電極５とをそれぞれ位置合わせす
る。
【００３８】その後、ＩＣチップ１の電極２の金バンプ
３を短冊状フィルム状回路基板４Ｂの電極５に押圧しつ
つ、超音波ホーンにより、吸着ノズル１５を介してＩＣ
チップ１の電極２の金バンプ３と短冊状フィルム状回路
基板４Ｂの電極５との接合部分に超音波を印加して超音
波接合させる。装着された状態を図５に示す。
【００３９】次いで、接合後、上記装着台１４に位置決
めされている領域において、次に装着すべきＩＣチップ
１が有る場合には、そのＩＣチップ１を吸着ノズル１５
により吸着保持して上記と同様な装着動作を行う。
【００４０】これを繰り返して、上記領域において装着
すべきＩＣチップ１が無くなると、ＩＣチップ装着済み
の短冊状フィルム状回路基板４Ｂを装着台１４から搬出
したのち、ＩＣチップ１を次に装着すべき別の新たな短
冊状フィルム状回路基板４Ｂを装着台１４に供給して位
置決め固定する。その後、上記と同様に、この別の領域
に対するＩＣチップ１の装着を行う。
【００４１】このように接合されて製造されるＩＣチッ
プ装着後のフィルム状回路基板４Ｂは、所定寸法毎に切
断されてＩＣチップ接合体とし、例えば、ＩＣカードの
メモリなどに使用される。
【００４２】この実施形態によれば、ＩＣチップ１の金
バンプ３と短冊状のフィルム状回路基板４Ｂの電極５と
が直接的に接合されるため、異方性導電フィルムを使用
する従来の場合と比較して、異方性導電フィルムの貼り
付け工程が不要となり、工程数を少なくすることができ
る。また、異方性導電フィルムが不要となるためＩＣチ
ップ１を回路基板４Ｂへ接合するための接合時間を短く
することができ、全体として実装タクトを削減すること
ができる。また、異方性導電フィルムが無い分だけ接合
後のＩＣチップ接合体が薄くなり、ＩＣカードなどに適
用するときには、ＩＣカードをより薄くすることができ
る。また、異方性導電フィルムを介在させるのではな
く、ＩＣチップ１のバンプ３と短冊状のフィルム状回路
基板４Ｂの電極５とが直接的に接合されるため、異方性
導電フィルムを使用する場合と比較して、より強固な接
合が可能となり、信頼性を向上させることができる。
【００４３】また、短冊状にフィルム状回路基板４Ｂを
供給することができるため、基板入れ換えタクトは増え
るが、従来の一般的な基板搬送方式でも対応可能となる
とともに、リールなどに巻き取る必要がないので、ＩＣ
への損傷を少なくすることができる。さらに、短冊状の
フィルム状回路基板４ＢとＩＣチップ１を超音波接合す
るにあたり、短冊状のフィルム状回路基板４Ｂの電極５
の材質を金ではなくアルミニウムにすることにより、コ
ストダウンを実現することができる。
【００４４】また、異方性導電フィルムを用意して貼り
付けたり、異方性導電フィルムを加熱して硬化させると
いった接合工程の前後工程の簡略化を図ることができ、
実装タクトを削減できて、生産性を向上させることがで
きる。上記実施形態においては、例えば、ＩＣチップ１
個当たり１秒程度で接合作業を終えることができる。
【００４５】また、本発明の別の実施形態として、図９
及び図１０に示すように、ＩＣチップ１の金バンプ３
と、フィルム状回路基板４の電極５とを接合する前に、
ＩＣチップ１又はフィルム状回路基板４のいずれかに絶
縁性の熱硬化型接着剤７を配置し、接合時に接着剤７に
よりＩＣチップ１とフィルム状回路基板４とを接着する
とともに、加熱することにより接着剤７を硬化させて固
定することもできる。接着剤７としては、一例として、
絶縁性の熱硬化型エポキシ系樹脂を使用するのが好まし
い。また、絶縁性の熱硬化型エポキシ系樹脂を使用する
ため、接合部を樹脂で密閉することができて、酸化等に
よる接合部の老化を防止することができる。
【００４６】この実施形態によれば、上記異方性導電フ
ィルム使用しない場合の効果に加えて、接着剤７によ
り、ＩＣチップ１とフィルム状回路基板４との接合強度
の向上を図ることができ、ＩＣチップ１のフィルム状回
路基板４からの剥離を確実に防止できる。また、接着剤
７により、超音波接合の接合時間の短縮化をさらに図る
ことができる。
【００４７】
【発明の効果】本発明によれば、ＩＣチップの金バンプ
とフィルム状回路基板の電極とが直接的に接合されるた
め、異方性導電フィルムを使用する従来の場合と比較し
て、異方性導電フィルムの貼り付け工程が不要となり、
工程数を少なくすることができる。
【００４８】また、異方性導電フィルムが不要となるた
めＩＣチップをフィルム状回路基板へ接合するための接
合時間を短くすることができ、全体として実装タクトを
削減することができる。
【００４９】また、異方性導電フィルムが無い分だけ接
合後のＩＣチップ接合体が薄くなり、例えばＩＣチップ
接合体をテーピングしてテーピングカセットにより部品
供給するときにはテープ全体の厚みを小さくすることが
できる。
【００５０】また、ＩＣカードなどに適用するときに
は、ＩＣカードをより薄くすることができる。
【００５１】また、異方性導電フィルムを介在させるの
ではなく、ＩＣチップのバンプとフィルム状回路基板の
電極とが直接的に接合されるため、異方性導電フィルム
を使用する場合と比較して、より強固な接合が可能とな
り、信頼性を向上させることができる。
【００５２】さらに、フィルム状回路基板とＩＣチップ
を超音波接合するにあたり、フィルム状回路基板の電極
の材質を金ではなくアルミニウムにすることにより、コ
ストダウンを実現することができる。
【００５３】また、異方性導電フィルムを用意して貼り
付けたり、異方性導電フィルムを加熱して硬化させると
いった接合工程の前後工程の簡略化を図ることができ、
実装タクトを削減できて、生産性を向上させることがで
きる。
【００５４】また、テープ状のフィルム状回路基板が巻
き取られたリールからテープ状のフィルム状回路基板を
巻き戻すことにより、テープ状のフィルム状回路基板を
連続的に供給してＩＣチップを連続的に装着することが
でき、装着効率を向上させることができる。また、リー
ルから所定ピッチ毎に巻き戻すことにより、テープ状の
フィルム状回路基板を安定して供給することができ、か
つ、搬送タクトの低減を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態にかかるＩＣチップのフ
ィルム状回路基板への接合方法を示す説明図である。
【図２】 図１により接合されたＩＣチップ接合体の一
部拡大図である。
【図３】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図１のフィルム状
回路基板の電極の種々の例である。
【図４】 図１のフィルム状回路基板の一部拡大図であ
る。
【図５】 図１により接合されたＩＣチップ接合体のＩ
Ｃチップのバンプとフィルム状回路基板の電極との接合
状態を透視的に示す説明図である。
【図６】 フィルム状回路基板をテープ状の供給形態と
する場合の説明図である。
【図７】 図６の装着台の斜視図である。
【図８】 フィルム状回路基板を短冊状の供給形態とす
る場合の説明図である。
【図９】 本発明の別の実施形態にかかるＩＣチップの
フィルム状回路基板への接合方法を示す説明図である。
【図１０】 図９により接合されたＩＣチップ接合体の
一部拡大図である。
【図１１】 従来の回路基板へのＩＣチップの実装を示
す説明図である。
【図１２】 従来の回路基板へのＩＣチップの実装を示
す一部拡大断面図である。
【符号の説明】
１ＩＣチップ…、２…電極、３…金バンプ、４…フィル
ム状回路基板、４a…、４b…ピッチ検出孔、４Ａ…テー
プ状のフィルム状回路基板、４B…短冊状フィルム状回
路基板、５…電極、５a…矩形電極、５ｃ…直角三角形
の電極、７…接着剤、１１…リール、１２…リール、１
３…装着台、１３a…ピッチ検出孔検出用センサ、１３b
…真空吸引溝、１３ｃ…案内突起、１４…装着台、１５
…吸着ノズル、２０…矢印。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 仕田 智 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 秋田 誠 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 辻澤 孝文 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F044 KK03 KK18 LL04 NN00

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＩＣチップ（１）の電極（２）の金バン
    プ（３）と、フィルム状回路基板（４，４Ａ，４Ｂ）の
    電極（５，５ａ，５ｃ）とを位置合わせし、その後、上
    記ＩＣチップの上記電極の上記金バンプを上記フィルム
    状回路基板の上記電極に押圧しつつ超音波を印加して超
    音波接合させるようにしたことを特徴とするＩＣチップ
    のフィルム状回路基板への接合方法。
  2. 【請求項２】 上記フィルム状回路基板の電極はアルミ
    ニウム電極である請求項１に記載のＩＣチップのフィル
    ム状回路基板への接合方法。
  3. 【請求項３】 上記フィルム状回路基板は厚さ０．２ｍ
    ｍ以下である請求項１又は２に記載のＩＣチップのフィ
    ルム状回路基板への接合方法。
  4. 【請求項４】 上記フィルム状回路基板は、厚さ０．２
    ｍｍ以下の絶縁体基板である請求項３に記載のＩＣチッ
    プのフィルム状回路基板への接合方法。
  5. 【請求項５】 上記ＩＣチップの上記金バンプと、上記
    フィルム状回路基板の上記電極とを接合する前に、上記
    ＩＣチップ又は上記フィルム状回路基板のいずれかに接
    着剤（７）を配置し、上記接合時に上記接着剤により上
    記ＩＣチップと上記フィルム状回路基板とを接着固定す
    るようにした請求項１〜４のいずれかに記載のＩＣチッ
    プのフィルム状回路基板への接合方法。
  6. 【請求項６】 上記接着剤は絶縁性の熱硬化型エポキシ
    系樹脂であるようにした請求項５に記載のＩＣチップの
    フィルム状回路基板への接合方法。
  7. 【請求項７】 上記フィルム状回路基板（４Ａ）はテー
    プ状に連続的に供給され、複数のＩＣチップを上記フィ
    ルム状回路基板の複数の電極に連続的に超音波接合する
    ようにした請求項１〜６のいずれかに記載のＩＣチップ
    のフィルム状回路基板への接合方法。
  8. 【請求項８】 上記フィルム状回路基板（４Ｂ）は短冊
    状に供給され、複数のＩＣチップを上記フィルム状回路
    基板の複数の電極に連続的に超音波接合するようにした
    請求項１〜６のいずれかに記載のＩＣチップのフィルム
    状回路基板への接合方法。
  9. 【請求項９】 請求項１〜８のいずれかのＩＣチップの
    フィルム状回路基板への接合方法により上記ＩＣチップ
    が上記フィルム状回路基板に接合されたＩＣチップ接合
    体。
  10. 【請求項１０】 上記ＩＣチップはＩＣカード用のメモ
    リである請求項９に記載のＩＣチップ接合体。
JP37347999A 1999-12-28 1999-12-28 Ｉｃチップのフィルム状回路基板への接合方法及びｉｃチップ接合体 Expired - Fee Related JP4445624B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP37347999A JP4445624B2 (ja) 1999-12-28 1999-12-28 Ｉｃチップのフィルム状回路基板への接合方法及びｉｃチップ接合体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP37347999A JP4445624B2 (ja) 1999-12-28 1999-12-28 Ｉｃチップのフィルム状回路基板への接合方法及びｉｃチップ接合体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001189346A true JP2001189346A (ja) 2001-07-10
JP4445624B2 JP4445624B2 (ja) 2010-04-07

Family

ID=18502236

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP37347999A Expired - Fee Related JP4445624B2 (ja) 1999-12-28 1999-12-28 Ｉｃチップのフィルム状回路基板への接合方法及びｉｃチップ接合体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4445624B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005183459A (ja) * 2003-12-16 2005-07-07 Fujitsu Ltd 電子部品のボンディング方法及び装置
JP2008177352A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Fujitsu Ltd 電子装置の製造方法
JP2010040566A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 Dainippon Printing Co Ltd 電子回路基板の製造方法
US8613623B2 (en) 2008-09-30 2013-12-24 Sony Chemical & Information Device Corporation Acrylic insulating adhesive

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005183459A (ja) * 2003-12-16 2005-07-07 Fujitsu Ltd 電子部品のボンディング方法及び装置
JP4585196B2 (ja) * 2003-12-16 2010-11-24 富士通セミコンダクター株式会社 電子部品のボンディング方法及び装置
JP2008177352A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Fujitsu Ltd 電子装置の製造方法
JP2010040566A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 Dainippon Printing Co Ltd 電子回路基板の製造方法
US8613623B2 (en) 2008-09-30 2013-12-24 Sony Chemical & Information Device Corporation Acrylic insulating adhesive

Also Published As

Publication number Publication date
JP4445624B2 (ja) 2010-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100317648B1 (ko) 절연접착테이프에의하여다이접착되는반도체소자및다이접착방법그리고그장치
KR20020081333A (ko) 비접촉 아이디 카드류 및 그의 제조방법
JPH1084014A (ja) 半導体装置の製造方法
JP4372486B2 (ja) 絶縁接着テープを使用するチップ接着装置
KR19980018984A (ko) 리드 온 칩용 리드 프레임(lead frame for lead on chip)
JP4445624B2 (ja) Ｉｃチップのフィルム状回路基板への接合方法及びｉｃチップ接合体
US10360492B2 (en) Carrier tape, method for manufacturing same, and method for manufacturing RFID tag
JP2960713B1 (ja) テープ剥ぎ取り装置
JPH0435000A (ja) 回路基板へのチップ部品の実装方法
JP3695177B2 (ja) 半導体装置用中間製品
JP2003006594A (ja) 両面テープを用いたｒｆ−ｉｄメディアの形成方法
JP2002124543A (ja) フィルムキャリア形成用テープおよび電子部品実装用フィルムキャリアテープ
JP4238626B2 (ja) 接着剤テープリール、接着装置、接続方法及び接着剤テープ接続体
JPH1131702A (ja) 接着シートの貼付方法
JP3701132B2 (ja) 基板への接着用テープ貼着方法
JPH10290064A (ja) 異方性導電膜の貼付装置
JP2643884B2 (ja) バンプ形成方法
JPH1150016A (ja) 接着用テープの貼付方法及び貼付装置
JPH07161771A (ja) フィルムキャリア、電子部品および離型紙剥離方法
JPH1050882A (ja) チップキャリア並びにその製造装置及び製造方法
JP3070563B2 (ja) テープ型半導体装置組立用キャリア、およびテープ型半導体装置の製造方法
JP3402130B2 (ja) キャリアフィルム付接着シート
JP2004331330A5 (ja)
JP4050867B2 (ja) 電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法
JP2004207303A (ja) 配線基板及び半導体装置並びにこれらの製造方法、回路基板並びに電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061114

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081001

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090825

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091013

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091222

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100118

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees