JPH1050882A - チップキャリア並びにその製造装置及び製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、バイアホールに相当する各導電性
柱部材の形成の後に周囲に絶縁層を形成することによ
り、レーザや金型による穴あけ工程を省略して低コスト
化を実現でき、層間接続配線の導通を確保して信頼性の
向上を図る。 【解決手段】 略中央に半導体チップ搭載用の開口部(2
1)が形成された第１配線層(22)と、第１配線層の片面上
に選択的に形成された各導電性柱部材(23)と、第１配線
層の片面上で各導電性柱部材とは異なる部位に選択的に
形成された絶縁層(24)と、絶縁層及び各導電性柱部材の
上面に形成され、各導電性柱部材を介して第１配線層に
電気的に接続された第２配線層(25)と、第２配線層から
連続的に櫛歯状に形成され先端が開口部の周縁よりも内
側に位置する半導体接続用電極(26)と、第１配線層から
連続的に形成され、外部要素と電気的に接続するための
外部接続手段(27)とを備えたチップキャリア並びにその
製造装置及び製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップのパ
ッケージに用いられるチップキャリア並びにその製造装
置及び製造方法に係わり、特に、微細な配線であっても
配線層間の接続不良を無くし、信頼性を向上し得るチッ
プキャリア並びにその製造装置及び製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、ノートブック型パソコン、ハンデ
ィビデオ機器及び携帯電話などの携帯可能な電子機器が
広く販売されている。このため、これら電子機器内に半
導体装置を実装する際のパッケージに対して小形化、高
機能化の要求が高まりつつある。

【０００３】この種のパッケージには、ＬＳＩ等の半導
体チップを搭載可能なＢＧＡ(BallGrid Array) 型ある
いはＱＦＰ(Quad Flat Package) 型などのチップキャリ
アが用いられている。なお、チップキャリアに半導体チ
ップが搭載されて樹脂封止されることにより、外部要素
のマザーボード等に実装可能な半導体装置が製造され
る。

【０００４】図１０及び図１１はこの種のＢＧＡ型のチ
ップキャリアの製造方法を模式的に示す工程断面図であ
る。図１０（ａ）に示すように、約２５μｍ厚のポリイ
ミドテープ１の片面に接着剤２が塗布され、図１０
（ｂ）に示すように、この接着剤２上にＧＮＤ配線層と
なる約３５μｍ厚の銅箔３が貼付けられる。また、図１
０（ｃ）に示すように、ポリイミドテープ１の他の片面
にも接着剤４が塗布され、しかる後、図１０（ｄ）に示
すように、半導体チップを搭載するための開口部５（以
下、デバイスホールという）が金型を用いて打抜きによ
り形成される。

【０００５】続いて、図１０（ｅ）に示すように、この
接着剤４上に配線層となる約１８μｍ厚の銅箔６が貼付
けられ、図１０（ｆ）に示すように、１回目に貼付けた
銅箔３がエッチングされて複数のランド３ａを有するＧ
ＮＤ配線層３ｂが形成される。

【０００６】また、図１１（ｇ）に示すように、エキシ
マレーザ（又は金型による打抜き）により、ポリイミド
テープ１に銅箔６に達する深さの穴７（ブラインドホー
ル）が形成され、レーザ加工後の酸化を阻止するため、
洗浄工程により洗浄される。

【０００７】この洗浄の後、乾燥されると、この穴７は
導電性金属のめっき（又は導電性ペーストの印刷）によ
り充填され、図１１（ｈ）に示すように、配線層となる
銅箔６とＧＮＤ配線層３ｂとが電気的に接続されてバイ
アホール８が形成される。

【０００８】また、この銅箔６が図１１（ｉ）に示すよ
うにエッチングされ、デバイスホール５近傍に複数の半
導体接続用電極６ａを有する配線層６ｂが形成される。
さらに、図１１（ｊ）に示すように、この配線層６ｂ及
びＧＮＤ配線層３ｂの表面が金等のめっき処理により金
９等で被覆される。

【０００９】また、これらの各配線層３ｂ，６ｂを後工
程にて用いられるハンダ等から保護するため、図１１
（ｋ）に示すように、ソルダーレジスト（ＳＲ）からな
る表面保護層１０が各半導体接続用電極６ａ及び各ラン
ド３ａ以外の各配線層３ａ，３ｂの表面に選択的に形成
される。しかる後、図１１（ｌ）に示すように、各ラン
ド３ａに夫々ハンダボール１１がマウントされ、チップ
キャリアが完成される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ようなチップキャリアでは、以下に述べるように、バイ
アホール８を低コストで、且つ高い信頼性を有するよう
に形成することが困難である問題がある。

【００１１】バイアホール８となる穴７の形成工程で
は、エキシマレーザを用いる場合、加工部の酸化を防ぐ
ための洗浄工程を必要とするため、工程が煩雑になり、
生産効率を低下させると共に、コストの上昇につながる
問題がある。また、この洗浄工程の洗浄液に影響されな
い絶縁材料を用いる必要があるため、絶縁材料が制約さ
れ、生産効率を低下させる問題がある。

【００１２】一方、バイアホール８となる穴７を金型に
より打抜く場合、金型の製作コストが高いためにコスト
を上昇させる問題がある上、近年、強く要求される高集
積化のための微細な穴あけ加工が困難となっている問題
がある。

【００１３】一方、めっき工程では、微細なバイアホー
ル８の場合、気泡等の影響により、めっき液が穴７内に
侵入しにくく、導通不良を生じさせ易い問題がある。ま
た、穴７内を導電性ペーストの印刷により充填する場合
も、同様に、導電性ペーストが穴７内に侵入しにくいた
め、バイアホール８の信頼性を低下させている。

【００１４】なお、この穴径の目安としては、７５μｍ
厚のフィルムにバイアを形成する場合、５０μｍ未満の
穴径では非常に困難であり、１００μｍ未満の穴径でも
導通不良が生じやすく、量産性を考慮した場合、適切で
はなかった。

【００１５】本発明は上記実情を考慮してなされたもの
で、バイアホールに相当する層間接続配線を形成してか
らその周囲に絶縁層を形成することにより、レーザや金
型による穴あけ工程を省略して低コスト化を実現でき、
且つ、層間接続配線の導通を確保して信頼性を向上し得
るチップキャリア並びにその製造装置及び製造方法を提
供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】請求項１に対応する発明
は、略中央に半導体チップを搭載するための開口部が形
成された第１配線層と、前記第１配線層の片面上に選択
的に形成された複数の導電性柱部材と、前記第１配線層
の片面上で前記各導電性柱部材とは異なる部位に選択的
に形成された絶縁層と、前記絶縁層及び前記各導電性柱
部材の上面に形成され、前記各導電性柱部材を介して前
記第１配線層に電気的に接続された第２配線層と、前記
第２配線層から連続的に櫛歯状に形成され、前記第１配
線層の略中央に位置する半導体チップ搭載部の周囲に位
置する半導体接続用電極と、前記第１配線層から連続的
に形成され、外部要素と電気的に接続するための外部接
続手段とを備えたチップキャリアである。

【００１７】また、請求項２に対応する発明は、略中央
に半導体チップを搭載するための開口部が形成された第
１配線層と、前記第１配線層の片面上に選択的に形成さ
れた複数の第１導電性柱部材と、前記第１配線層の片面
上で前記各第１導電性柱部材とは異なる部位に選択的に
形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層及び前記各第
１導電性柱部材の上面に形成され、前記各第１導電性柱
部材を介して前記第１配線層に電気的に接続された第２
配線層と、前記第１配線層の他の片面上に選択的に形成
された複数の第２導電性柱部材と、前記第１配線層の他
の片面上で前記各第２導電性柱部材とは異なる部位に選
択的に形成された第２絶縁層と、前記第２絶縁層及び前
記各第２導電性柱部材の上面に形成され、前記各第２導
電性柱部材を介して前記第１配線層に電気的に接続され
た第３配線層と、前記第２配線層あるいは前記第３配線
層から連続的に櫛歯状に形成され、前記第１配線層の略
中央に位置する半導体チップ搭載部の周囲に位置する半
導体接続用電極と、前記第２配線層及び前記第３配線層
のうち、前記半導体接続用電極の形成されない方の配線
層から連続的に形成され、外部要素と電気的に接続する
ための外部接続手段とを備えたチップキャリアである。

【００１８】さらに、請求項３に対応する発明は、請求
項１又は請求項２に対応するチップキャリアにおいて、
前記各導電性柱部材としては、ボンディングされたワイ
ヤ、あるいは印刷され硬化された導電性ペーストからな
るチップキャリアである。

【００１９】また、請求項４に対応する発明は、請求項
１乃至請求項３のいずれか１項に対応するチップキャリ
アにおいて、前記外部接続手段としては、互いにマトリ
ックス状に形成された複数のランドであるチップキャリ
アである。

【００２０】さらに、請求項５に対応する発明は、請求
項１乃至請求項４のいずれか１項に対応するチップキャ
リアを用いた半導体装置であって、前記半導体チップ搭
載部に、前記半導体接続用電極に電気的に接続された半
導体チップを配置してなる半導体装置である。

【００２１】また、請求項６に対応する発明は、請求項
１乃至請求項４のいずれか１項に対応するチップキャリ
アを製造するためのチップキャリア製造装置において、
前記第１配線層となる導電箔テープを巻出すための巻出
し部と、前記巻出し部から巻出された導電箔テープを巻
取るための巻取り部とを有し、前記導電箔テープを所定
のピッチで間欠的に走行させる巻出／巻取手段と、前記
巻出し部から巻出された導電箔テープの走行が停止した
とき、前記導電箔テープ上に前記各導電性柱部材を形成
する導電柱形成手段と、前記導電箔テープの前記導電柱
形成面に液状絶縁樹脂を塗布する樹脂塗布手段と、前記
巻取り部よりも前記導電箔テープの走行方向上流側に設
けられ、前記樹脂塗布手段により塗布された液状絶縁樹
脂を乾燥させる樹脂乾燥手段とを備えたチップキャリア
製造装置である。

【００２２】さらに、請求項７に対応する発明は、請求
項１に対応するチップキャリアを製造するためのチップ
キャリア製造方法において、前記第１配線層となる導電
箔の略中央に、半導体チップを搭載するための開口部を
形成する開口部形成工程と、前記開口部の形成された導
電箔の片面上に複数の導電性柱部材を選択的に形成する
導電柱形成工程と、前記導電箔の前記導電柱形成面に液
状絶縁樹脂を塗布する樹脂塗布工程と、前記塗布された
液状絶縁樹脂を硬化させて前記絶縁層を形成する絶縁層
形成工程と、前記形成された絶縁層及び各導電性柱部材
の上面に導電層を形成する導電層形成工程と、前記各導
電性柱部材を露出させないように前記導電箔をパターニ
ングして前記第１配線層及び前記外部接続手段を形成す
る第１配線層形成工程と、前記各導電性柱部材を露出さ
せないように前記導電層をパターニングして前記第２配
線層及び前記半導体接続用電極を形成する第２配線層形
成工程とを含んでいるチップキャリア製造方法である。

【００２３】また、請求項８に対応する発明は、請求項
２に対応するチップキャリアを製造するためのチップキ
ャリア製造方法において、前記第１配線層となる導電箔
の略中央に、半導体チップを搭載するための開口部を形
成する開口部形成工程と、前記開口部の形成された導電
箔の片面上に複数の第１導電性柱部材を選択的に形成す
る第１導電柱形成工程と、前記導電箔の前記第１導電柱
形成面に液状絶縁樹脂を塗布する第１樹脂塗布工程と、
前記塗布された液状絶縁樹脂を硬化させて前記第１絶縁
層を形成する第１絶縁層形成工程と、前記形成された第
１絶縁層及び各第１導電性柱部材の上面に第１導電層を
形成する第１導電層形成工程と、前記各第１導電性柱部
材を露出させないように前記導電箔をパターニングして
前記第１配線層を形成する第１配線層形成工程と、前記
第１配線層上に複数の第２導電性柱部材を選択的に形成
する第２導電柱形成工程と、前記第１配線層上及び前記
第１絶縁層上に液状絶縁樹脂を塗布する第２樹脂塗布工
程と、前記塗布された液状絶縁樹脂を硬化させて前記第
２絶縁層を形成する第２絶縁層形成工程と、前記形成さ
れた第２絶縁層及び各第２導電性柱部材の上面に第２導
電層を形成する第２導電層形成工程と、前記各第１及び
各第２導電性柱部材を露出させないように前記第１及び
第２導電層をパターニングして前記第２配線層、前記第
３配線層、前記半導体接続用電極及び前記外部接続手段
を形成する第２第３配線層形成工程とを含んでいるチッ
プキャリア製造方法である。 （用語）各導電性柱部材の形成方法としては、例えば、
金、アルミニウム又は銅等の導電性ワイヤのボンディン
グによる形成が工程の簡易化の観点から好ましく、他に
は、銅又は銀等の導電性ペーストの印刷及びその硬化に
よる形成が使用可能となっている。

【００２４】外部接続手段は、ＢＧＡ型チップキャリア
の場合には互いにマトリックス状に形成された複数のラ
ンドであり、ＱＦＰ型チップキャリアの場合には互いに
櫛歯状に形成された複数のアウターリードである。

【００２５】巻出／巻取手段における間欠的な走行の具
体的な構成としては、例えば、巻出し部と巻取り部との
間に搬送部を設け、巻出し部と搬送部との間及び搬送部
と巻取り部との間では導電箔テープにたるみをもたせて
巻取り部及び巻出し部を連続的に回転させ、搬送部にて
導電箔テープを間欠的に駆動させる方式が適用可能であ
る。なお、この場合、導電箔テープは両側に夫々スプロ
ケットホール列を有し、且つ搬送部は各スプロケットホ
ールに係合可能な爪部を有することが正確な位置決めの
観点から好ましい。また、導電箔テープにたるみを持た
せない構成としては、巻取り部にスリップリングを設け
て所定値以上の張力が加わった場合には巻取り部を空転
させる構造とし、且つ前述同様に巻取り部を連続的に回
転させながら搬送部で導電箔テープを間欠的に駆動させ
る方式が適用可能となっている。また一方、巻出し部及
び巻取り部を互いに同期させて間欠的に駆動させる方式
も使用可能となっている。

【００２６】絶縁層を形成するための液状絶縁樹脂とし
ては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂又
はシリコン樹脂等が適宜使用可能となっている。樹脂塗
布手段及び各樹脂塗布工程における「塗布」は、「印
刷」並びに「噴霧」を包含し、具体的には、カーテンコ
ータ、スロットコータ、スクリーン印刷、ディップコー
タ又はロールコータ等の方法が適宜使用可能となってい
る。 （作用）従って、請求項１に対応する発明は以上のよう
な手段を講じたことにより、略中央に半導体チップを搭
載するための開口部が形成された第１配線層と、第１配
線層の片面上に選択的に形成された複数の導電性柱部材
と、第１配線層の片面上で各導電性柱部材とは異なる部
位に選択的に形成された絶縁層と、絶縁層及び各導電性
柱部材の上面に形成され、各導電性柱部材を介して第１
配線層に電気的に接続された第２配線層と、第２配線層
から連続的に櫛歯状に形成され、第１配線層の略中央に
位置する半導体チップ搭載部の周囲に位置する半導体接
続用電極と、第１配線層から連続的に形成され、外部要
素と電気的に接続するための外部接続手段とを備えてい
るので、バイアホールに相当する層間接続配線としての
各導電性柱部材を形成してからその周囲に絶縁層を形成
することにより、レーザや金型による穴あけ工程を省略
して低コスト化を実現でき、且つ、層間接続配線の導通
を確保して信頼性を向上させることができる。

【００２７】また、請求項２に対応する発明は、略中央
に半導体チップを搭載するための開口部が形成された第
１配線層と、第１配線層の片面上に選択的に形成された
複数の第１導電性柱部材と、第１配線層の片面上で各第
１導電性柱部材とは異なる部位に選択的に形成された第
１絶縁層と、第１絶縁層及び各第１導電性柱部材の上面
に形成され、各第１導電性柱部材を介して第１配線層に
電気的に接続された第２配線層と、第１配線層の他の片
面上に選択的に形成された複数の第２導電性柱部材と、
第１配線層の他の片面上で各第２導電性柱部材とは異な
る部位に選択的に形成された第２絶縁層と、第２絶縁層
及び各第２導電性柱部材の上面に形成され、各第２導電
性柱部材を介して第１配線層に電気的に接続された第３
配線層と、第２配線層あるいは第３配線層から連続的に
櫛歯状に形成され、第１配線層の略中央に位置する半導
体チップ搭載部の周囲に位置する半導体接続用電極と、
第２配線層及び第３配線層のうち、半導体接続用電極の
形成されない方の配線層から連続的に形成され、外部要
素と電気的に接続するための外部接続手段とを備えてい
るので、請求項１に対応する作用と同様の作用に加え、
３層の配線層を有するため、より複雑な回路構成をもっ
たチップキャリアを実現することができる。

【００２８】さらに、請求項３に対応する発明は、各導
電性柱部材としては、ボンディングされたワイヤ、ある
いは印刷され硬化された導電性ペーストから構成される
ため、請求項１又は請求項２に対応する作用と同様の作
用を容易且つ確実に奏することができる。

【００２９】また、請求項４に対応する発明は、外部接
続手段としては、互いにマトリックス状に形成された複
数のランドであるため、請求項１乃至請求項３のいずれ
かに対応する作用と同様の作用を奏するＢＧＡ型チップ
キャリアを実現することができる。

【００３０】さらに、請求項５に対応する発明は、半導
体チップ搭載部に、半導体接続用電極に電気的に接続さ
れた半導体チップを配置してなるので、請求項１乃至請
求項４のいずれかに対応する作用と同様の作用を奏する
半導体装置を実現することができる。

【００３１】また、請求項６に対応する発明は、巻出し
部が、第１配線層となる導電箔テープを巻出すと共に、
巻取り部が巻出し部から巻出された導電箔テープを巻取
る過程において、巻出／巻取手段が導電箔テープを所定
のピッチで間欠的に走行させ、導電柱形成手段が、巻出
し部から巻出された導電箔テープの走行が停止したと
き、導電箔テープ上に各導電性柱部材を形成し、樹脂塗
布手段が、導電箔テープの導電柱形成面に液状絶縁樹脂
を塗布し、巻取り部よりも導電箔テープの走行方向上流
側に設けられた樹脂乾燥手段が、樹脂塗布手段により塗
布された液状絶縁樹脂を乾燥させるので、請求項１乃至
請求項４に対応する作用と同様の作用を奏するチップキ
ャリアを容易且つ確実に製造することができる。

【００３２】さらに、請求項７に対応する発明は、開口
部形成工程では、第１配線層となる導電箔の略中央に、
半導体チップを搭載するための開口部が形成され、導電
柱形成工程では、開口部の形成された導電箔の片面上に
複数の導電性柱部材が選択的に形成され、樹脂塗布工程
では、導電箔の導電柱形成面に液状絶縁樹脂が塗布さ
れ、絶縁層形成工程では、塗布された液状絶縁樹脂が硬
化されて絶縁層が形成され、導電層形成工程では、形成
された絶縁層及び各導電性柱部材の上面に導電層が形成
され、第１配線層形成工程では、各導電性柱部材を露出
させないように導電箔がパターニングされて第１配線層
及び外部接続手段が形成され、第２配線層形成工程で
は、各導電性柱部材を露出させないように導電層がパタ
ーニングされて第２配線層及び半導体接続用電極が形成
されるので、請求項１に対応する作用と同様の作用を奏
するチップキャリアを容易且つ確実に製造することがで
きる。

【００３３】また、請求項８に対応する発明は、開口部
形成工程では、第１配線層となる導電箔の略中央に、半
導体チップを搭載するための開口部が形成され、第１導
電柱形成工程では、開口部の形成された導電箔の片面上
に複数の第１導電性柱部材が選択的に形成され、第１樹
脂塗布工程では、導電箔の第１導電柱形成面に液状絶縁
樹脂が塗布され、第１絶縁層形成工程では、塗布された
液状絶縁樹脂が硬化されて第１絶縁層が形成され、第１
導電層形成工程では、形成された第１絶縁層及び各第１
導電性柱部材の上面に第１導電層が形成され、第１配線
層形成工程では、各第１導電性柱部材を露出させないよ
うに導電箔がパターニングされて第１配線層が形成さ
れ、第２導電柱形成工程では、第１配線層上に複数の第
２導電性柱部材が選択的に形成され、第２樹脂塗布工程
では、形成された各第２導電性柱部材を回避するように
導電箔の他の片面上に液状絶縁樹脂が塗布され、第２絶
縁層形成工程では、塗布された液状絶縁樹脂が硬化され
て第２絶縁層が形成され、第２導電層形成工程では、形
成された第２絶縁層及び各第２導電性柱部材の上面に第
２導電層が形成され、第２第３配線層形成工程では、各
第１及び各第２導電性柱部材を露出させないように第１
及び第２導電層がパターニングされて第２配線層、第３
配線層、半導体接続用電極及び外部接続手段が形成され
るので、請求項２に対応する作用と同様の作用を奏する
チップキャリアを容易且つ確実に製造することができ
る。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。 （第１の実施の形態）図１は本発明の第１の実施の形態
に係るチップキャリアの構成を模式的に示す断面図であ
り、図２はこのチップキャリアの回路構成を模式的に示
す平面図である。このチップキャリアは、略中央に半導
体チップを搭載するためのデバイスホール２１が形成さ
れたＧＮＤ配線層２２と、ＧＮＤ配線層２２の片面上に
選択的に形成された複数の導電性柱部材２３と、ＧＮＤ
配線層２２の片面上で各導電性柱部材２３とは異なる部
位に選択的に形成された絶縁層２４と、絶縁層２４及び
各導電性柱部材２３の上面に形成され、各導電性柱部材
２３を介してＧＮＤ配線層２２に電気的に接続された配
線層２５と、配線層２５から連続的に櫛歯状に形成され
る半導体接続用電極２６と、ＧＮＤ配線層２２から連続
的に形成され、外部要素と電気的に接続するためのマト
リックス状に配置された複数のランド２７とを備えてい
る。

【００３５】ここで、半導体接続用電極２６は、絶縁層
２４から先端が突出して形成されているが、突出しない
構成としてもよい。以下の各実施の形態でも同様であ
る。続いて、このようなチップキャリアを製造するため
のチップキャリア製造装置について説明する。図３はこ
のチップキャリア製造装置の概略構成を示す模式図であ
る。このチップキャリア製造装置は、巻出し部３１並び
に巻取り部３２を有する巻出／巻取装置３３、バンピン
グ部３４、ワニス塗布部３５及びヒータ３６を備えてい
る。

【００３６】ここで、巻出／巻取装置３３は、ＧＮＤ配
線層２２となる銅箔テープ２２ａを巻出すための巻出し
部３１と、巻出し部３１から巻出された銅箔テープ２２
ａを巻取るための巻取り部３２とを有し、銅箔テープ２
２ａを所定のピッチで間欠的に走行させる機能をもって
いる。

【００３７】バンピング部３４は、巻出し部３１から巻
出された銅箔テープ２２ａの走行が停止したとき、銅箔
テープ２２ａ面上に各導電性柱部材２３を形成する機能
を有し、ここでは、金ワイヤ２３ａのボンディングによ
り導電性柱部材２３を形成している。また、ボンディン
グ方法としては、１回目のボンディング後に金ワイヤ２
３ａを切断する方法、あるいは１回目のボンディング後
に同一箇所に２回目のボンディングを行ない、その後に
金ワイヤ２３ａを切断する方法が適宜使用可能となって
いる。

【００３８】ワニス塗布部３５は、各導電性柱部材２３
が形成された銅箔テープ２２ａ面上にＰＩワニス（ポリ
イミドワニス）２４ａを塗布する機能を有し、この塗布
機能の実現方法としては、例えばカーテンコータ、スロ
ットコータ、スクリーン印刷、ディップコータ、ロール
コータ等が使用可能である。なお、ＰＩワニス２４ａは
液状の絶縁樹脂であり、絶縁樹脂としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂等が適用可能
となっている。

【００３９】ヒータ３６は、巻取り部３２よりも銅箔テ
ープの走行方向上流側に設けられ、ワニス塗布部３５に
より塗布されたＰＩワニス２４ａを乾燥させるためのも
のである。なお、ヒータ３６による加熱に代えて、ラン
プによる光照射（露光）により感光性の液状の絶縁樹脂
を硬化させる構成としてもよい。

【００４０】次に、以上のようなチップキャリアの製造
方法及び作用を説明する。 （製造方法）いま、ＧＮＤ配線層２２となる３５μｍ厚
の銅箔テープ２２ａの略中央に、金型による打抜き工程
が用いられ、半導体チップを搭載するためのデバイスホ
ール２１が形成される。

【００４１】このデバイスホール２１の形成された銅箔
テープ２２ａは、巻出し部３１及び巻取り部３２を有す
る巻出／巻取装置３３により順次、巻出し及び巻取が実
行される。

【００４２】巻出し部３１により巻出される銅箔テープ
２２ａは、巻出／巻取装置３３により所定のピッチで間
欠的に走行される。ここで、図４（ａ）に示すように、
巻出し部３１から巻き出された銅箔テープ２２ａの走行
が停止したとき、バンピング部３４により、銅箔テープ
２２ａの片面上の複数の所定位置に直径２５μｍφの金
ワイヤ２３ａがボンディングされ、各金ワイヤ２３ａが
つぶされて太くなることにより、直径５０μｍφで高さ
７５μｍの複数の導電性柱部材２３が選択的に形成され
る。

【００４３】次いで、図４（ｂ）に示すように、ワニス
塗布部３５により、各導電性柱部材３３を回避するよう
に銅箔テープ２２ａの片面上に２５μ厚でＰＩワニス２
４ａが塗布されると共に、ヒータ３６により、このＰＩ
ワニス２４ａが硬化されて絶縁層２４が形成され、しか
る後、銅箔テープ２２ａが巻取り部３２に巻取られる。

【００４４】次に、図４（ｃ）に示すように、バフ研磨
等により、各導電性柱部材２３及び絶縁層２４の上面が
平滑化され、図４（ｄ）に示すように、平滑化された絶
縁層２４及び各導電性柱部材２３の上面に、１８μｍ厚
の銅箔が圧着されて銅層２５ａが形成される。

【００４５】しかる後、図４（ｅ）に示すように、各導
電性柱部材２３を露出させないように銅箔テープ２２ａ
がパターニングされてＧＮＤ配線層２２及び各ランド２
７が形成され、同時に、各導電性柱部材２３を露出させ
ないように銅層２５ａがパターニングされて配線層２５
及び半導体接続用電極２６が形成される。

【００４６】以下、前述同様に、各半導体接続用電極２
６及び各ランド２７の表面が５μｍ厚のニッケルめっき
を下地めっきとして０．３μｍ厚の金めっきにより被覆
され、その後、感光性液状樹脂（ソルダーレジスト）が
カーテンコート等の手段で塗布され、露光現像されるこ
とにより、ソルダーレジストからなる表面保護層が各半
導体接続用電極２６及び各ランド２７以外の各配線層２
２，２５の表面に選択的に形成され、チップキャリアが
完成される。

【００４７】また、このチップキャリアは、図５に示す
ように、デバイスホール２１の周縁よりも内側に位置す
るように、半導体チップ２８が半導体接続用電極２６に
電気的に接続され、しかる後、各ランド２７を露出させ
るようにしつつ全体が絶縁樹脂２４ｂにて封止され、こ
れら各ランド２７にハンダボール２９が形成される。ま
た、このチップキャリアは、各ハンダボール２９が形成
されると、各ハンダボール２９を介してマザーボード等
の外部要素と接続可能な半導体装置となる。 （作用）このようなチップキャリアは、銅箔テープ２２
ａ上に各導電性柱部材（バイア）２３が形成され、しか
る後、絶縁層２４や配線層２５が形成されるので、原理
上、従来とは異なりめっき不良によるバイアの断線が存
在せず、もって、信頼性を向上させることができる。

【００４８】また、レーザ又は金型による穴あけ工程を
無くしたため、レーザ後の煩雑な洗浄・乾燥工程又は高
い金型製作費などを無くすことができ、もって、低コス
ト化を図ることができる。

【００４９】さらに、従来技術では量産不可能とされる
５０μｍの微細なバイアであっても、本発明の技術では
安定的に形成できるため、高機能化・高集積化の要請に
も充分対応することができる。

【００５０】また、穴あけ工程及びこの穴あけ工程に伴
う穴内のめっき工程が無いため、容易にリール方式によ
る処理を実現でき、もって、量産化を図ることができ
る。例えば、銅箔テープ２２ａを巻出し、デバイスホー
ル２１を形成し、バイアを設けたい位置にボンディング
により各導電性柱部材２３を形成し、ＰＩワニス２４ａ
の塗布後、ＰＩワニス２４ａの乾燥処理、というよう
に、リール方式で連続的に処理することができる。

【００５１】また、この後の銅層２５ａの圧着や、レジ
スト形成並びにエッチング処理からなるパターニング、
また、表面保護層の形成といった処理も、リール方式で
連続的に実行することができる。さらに、銅層２５ａを
圧着に代えてめっきにて形成する場合であっても、従来
の如き穴内のめっきとは異なり、平面へのめっき工程な
ので、穴内にめっき液を流通させるための吹上げ等の工
程が不要なため、リール方式にて量産化を図ることがで
きる。

【００５２】さらに、金ワイヤ２３ａをボンディングし
たので、銅箔テープ２２ａとの間に強い接合力が得ら
れ、また接合条件の制御により、接合面積を制御でき、
もってワイヤ径を適切に選択することと合わせて、微細
な導電性柱部材２３を高い信頼性で形成することができ
る。

【００５３】上述したように第１の実施の形態によれ
ば、バイアホールに相当する層間接続配線としての各導
電性柱部材２３を形成してからその周囲に絶縁層２４を
形成することにより、レーザや金型による穴あけ工程を
省略して低コスト化を実現でき、且つ、層間接続配線の
導通を確保して信頼性を向上させることができる。

【００５４】また、各導電性柱部材２３により、確実に
層間を接続でき、且つ各導電性柱部材２３の直径を５０
μｍ程度に微細な径にできるため、高精度で高密度なチ
ップキャリアを製造でき、もって、高機能化、高集積化
の要請にも対応することができる。また、各導電性柱部
材２３を簡易な工程で容易且つ確実に製造できるため、
信頼性を向上させることができる。

【００５５】さらに、本実施の形態に係るチップキャリ
ア及びこのチップキャリアを用いた半導体装置は、リー
ル処理により製造できるため、量産化に対応でき、もっ
て、生産性を向上させることができる。 （第２の実施の形態）次に、本発明の第２の実施の形態
に係るチップキャリアについて説明する。

【００５６】図６はこのチップキャリアの構成を模式的
に示す断面図である。このチップキャリアは、第１の実
施の形態よりも配線層が１層多い３層構造となってい
る。具体的には、このチップキャリアは、略中央に半導
体チップを搭載するためのデバイスホール４１が形成さ
れたＧＮＤ（第１）配線層４２と、ＧＮＤ配線層４２の
片面上に選択的に形成された複数の第１導電性柱部材４
３と、ＧＮＤ配線層４２の片面上で各第１導電性柱部材
４３とは異なる部位に選択的に形成された第１絶縁層４
４と、第１絶縁層４４及び各第１導電性柱部材４３の上
面に形成され、各第１導電性柱部材４３を介してＧＮＤ
配線層４２に電気的に接続された第２配線層４５と、Ｇ
ＮＤ配線層４２の他の片面上に選択的に形成された複数
の第２導電性柱部材４６と、ＧＮＤ配線層４２の他の片
面上で各第２導電性柱部材４６とは異なる部位に選択的
に形成された第２絶縁層４７と、第２絶縁層４７及び各
第２導電性柱部材４６の上面に形成され、各第２導電性
柱部材４６を介してＧＮＤ配線層４２に電気的に接続さ
れた第３配線層４８と、第２配線層４５から連続的に櫛
歯状に形成される半導体接続用電極４９と、第３配線層
４８から連続的に形成され、外部要素と電気的に接続す
るためのマトリックス状に配置された複数のランド５０
とを備えている。

【００５７】次に、以上のようなチップキャリアの製造
方法及び作用を説明する。 （製造方法）いま、前述同様に、図７（ａ）に示すよう
に、ＧＮＤ配線層４２となる銅箔テープ４２ａに対し
て、デバイスホール４１、各第１導電性柱部材４３、第
１絶縁層４４及び、第２配線層４５となる第１銅層４５
ａが形成されたとする。

【００５８】次いで、図７（ｂ）に示すように、各第１
導電性柱部材４３を露出させないように銅箔テープ４２
ａがパターニングされてＧＮＤ配線層４２が形成され
る。この後、ボンディングにより、このＧＮＤ配線層上
に複数の第２導電性柱部材が選択的に形成される。ま
た、前述同様に、図７（ｃ）に示すように、各第２導電
性柱部材４３を回避するようにＧＮＤ配線層４２上にＰ
Ｉワニスが塗布され硬化されて第２絶縁層４７が形成さ
れる。

【００５９】さらに、前述同様に、第２絶縁層４７及び
各第２導電性柱部材４６の上面が平滑化され、しかる
後、図７（ｄ）に示すように、第３配線層４８となる１
８μｍ厚の第２銅層４８ａが形成される。

【００６０】また、前述同様に、図７（ｅ）に示すよう
に、各第１及び各第２導電性柱部材４３，４６を露出さ
せないように第１及び第２銅層４５ａ，４８ａをパター
ニングして第２配線層４５、第３配線層４８、各半導体
接続用電極４９及び各ランド５０が形成される。

【００６１】以下、前述同様に、各半導体接続用電極４
９及び各ランド５０の表面が５μｍ厚のニッケルめっき
を下地めっきとして０．３μｍ厚の金めっきにより被覆
され、その後、ソルダーレジストからなる表面保護層が
各半導体接続用電極４９及び各ランド５０以外の各配線
層４５，４８の表面に選択的に形成され、３層構造のチ
ップキャリアが完成される。

【００６２】また、このチップキャリアは、図８に示す
ように、デバイスホール４１の周縁よりも内側に位置す
るように、半導体チップ５１が半導体接続用電極４９に
電気的に接続され、しかる後、各ランド５０を露出させ
るようにしつつ全体が絶縁樹脂５２にて封止され、これ
ら各ランド５０にハンダボール５３が形成される。ま
た、このチップキャリアは、各ハンダボール５３が形成
されると、各ハンダボール５３を介してマザーボード等
の外部要素と接続可能な半導体装置となる。 （作用）このように、３層の配線層４２，４４，４７を
もつ多層構造のチップキャリアを容易に製造することが
できる。また、同様の製造工程により、３層を越える配
線層をもつチップキャリアであっても容易に製造するこ
とができる。

【００６３】また、微細な穴あけ工程を無くしたことに
よる前述した低コスト化の効果を配線層の層数に比例し
て得ることができる。上述したように第２の実施の形態
によれば、第１の実施の形態の効果に加え、３層の配線
層４２，４４，４７を有するチップキャリアを製造でき
るので、より複雑な回路構成のチップキャリア並びに半
導体装置を実現でき、もって、高機能化、高集積化の要
請にも一層、対応することができる。 （他の実施の形態）なお、第１の実施の形態では、チッ
プキャリア製造装置のバンピング部３４、ワニス塗布部
３５及びヒータ３６を夫々１つずつ設けた構成とした
が、これに限らず、図９に示すように、バンピング部３
４、ワニス塗布部３５及びヒータ３６を適宜銅箔テープ
２２ａの幅方向（又は走行方向）に沿って複数段設けた
構成としても、本発明を同様に実施して同様の効果を得
ることができ、さらに、本発明に係るチップキャリア及
び半導体装置の量産化を図ることができる。

【００６４】また、第１の実施の形態では、直径２５μ
ｍφの金ワイヤ２３ａをボンディングして直径５０μｍ
φの各導電性柱部材２３を形成した場合について説明し
たが、これに限らず、最小寸法の場合、直径１０μｍφ
の金ワイヤをボンディングして（つぶれて太くなること
により）直径２５〜３０μｍφの導電性柱部材２３を形
成でき、同様に、本発明を同様に実施して同様の効果を
得ることができる。また、導電性柱部材の高さとして
は、ワイヤ直径の３倍までは安定して形成可能となって
いる。

【００６５】また、第１及び第２の実施の形態では、導
電性柱部材２３，４３，４６の形成に金ワイヤ２３ａを
用いた場合を説明したが、これに限らず、アルミニウム
又は銅などの導電性材料からなるワイヤを用いた構成と
しても、本発明を同様に実施して同様の効果を得ること
ができる。

【００６６】また、第１及び第２の実施の形態では、導
電性ワイヤのボンディングにより導電性柱部材２３，４
３，４６を形成した場合を説明したが、これに限らず、
銅、銀等の導電性ペーストの印刷により導電性柱部材を
形成する構成としても、導電性ペーストの印刷面を加熱
等により硬化させる工程を付加することにより、本発明
を同様に実施して同様の効果を得ることができる。

【００６７】また、第１及び第２の実施の形態では、外
部接続手段を複数のランド２７，５０としたＢＧＡ型チ
ップキャリアとした場合を説明したが、これに限らず、
外部接続手段をアウターリードとしたＱＦＰ型チップキ
ャリアであっても、本発明を同様に実施して同様の効果
を得ることができる。

【００６８】また、第１及び第２の実施の形態では、各
半導体接続用電極２６，４９及び各ランド２７，５０の
表面に、ニッケルめっきを下地めっきとして、金めっき
を形成した場合を説明したが、これに限らず、他に銀、
すずめっき等の導電性めっきを形成した構成としても、
本発明を同様に実施して同様の効果を得ることができ
る。

【００６９】また、第１及び第２の実施の形態では、２
層目以上の銅層２５ａ，４５ａ，４８ａを圧着により形
成した場合について説明したが、これに限らず、スパッ
タ後に電解メッキ、あるいは無電解メッキ等の工程によ
り銅層を形成しても、本発明を同様に実施して同様の効
果を得ることができる。

【００７０】また、第２の実施の形態では、３層構造４
２，４５，４８のチップキャリアについて説明したが、
これに限らず、３層よりも多い配線層をもつ多層構造の
チップキャリアとしても、本発明と同様に実施でき同様
の効果を得ることができる。

【００７１】また、第２の実施の形態では、半導体接続
用電極４９が第２配線層４５から連続的に形成され、各
ランド５０が第３配線層４８から連続的に形成された場
合を説明したが、これに限らず、半導体接続用電極４９
が第３配線層４８から連続的に形成され、各ランド５０
が第２配線層４５から連続的に形成された構成として
も、相対的に裏表が変わるものの互いに同一構造なの
で、本発明を同様に実施して同様の効果を得ることがで
きる。

【００７２】また、第１及び第２の実施の形態では、チ
ップキャリアを製造する場合について説明したが、チッ
プキャリアに限らず、層間接続用のバイアホールを有す
る２層以上の半導体装置用基板であれば、本発明と同様
に実施でき同様の効果を得ることができる。その他、本
発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施で
きる。

【００７３】

【発明の効果】以上説明したように請求項１の発明によ
れば、略中央に半導体チップを搭載するための開口部が
形成された第１配線層と、第１配線層の片面上に選択的
に形成された複数の導電性柱部材と、第１配線層の片面
上で各導電性柱部材とは異なる部位に選択的に形成され
た絶縁層と、絶縁層及び各導電性柱部材の上面に形成さ
れ、各導電性柱部材を介して第１配線層に電気的に接続
された第２配線層と、第２配線層から連続的に櫛歯状に
形成され、第１配線層の略中央に位置する半導体チップ
搭載部の周囲に位置する半導体接続用電極と、第１配線
層から連続的に形成され、外部要素と電気的に接続する
ための外部接続手段とを備えているので、バイアホール
に相当する層間接続配線としての各導電性柱部材を形成
してからその周囲に絶縁層を形成することにより、レー
ザや金型による穴あけ工程を省略して低コスト化を実現
でき、且つ、層間接続配線の導通を確保して信頼性を向
上できるチップキャリアを提供できる。

【００７４】また、請求項２の発明によれば、略中央に
半導体チップを搭載するための開口部が形成された第１
配線層と、第１配線層の片面上に選択的に形成された複
数の第１導電性柱部材と、第１配線層の片面上で各第１
導電性柱部材とは異なる部位に選択的に形成された第１
絶縁層と、第１絶縁層及び各第１導電性柱部材の上面に
形成され、各第１導電性柱部材を介して第１配線層に電
気的に接続された第２配線層と、第１配線層の他の片面
上に選択的に形成された複数の第２導電性柱部材と、第
１配線層の他の片面上で各第２導電性柱部材とは異なる
部位に選択的に形成された第２絶縁層と、第２絶縁層及
び各第２導電性柱部材の上面に形成され、各第２導電性
柱部材を介して第１配線層に電気的に接続された第３配
線層と、第２配線層あるいは第３配線層から連続的に櫛
歯状に形成され、第１配線層の略中央に位置する半導体
チップ搭載部の周囲に位置する半導体接続用電極と、第
２配線層及び第３配線層のうち、半導体接続用電極の形
成されない方の配線層から連続的に形成され、外部要素
と電気的に接続するための外部接続手段とを備えている
ので、請求項１の効果に加え、３層の配線層を有するた
め、より複雑な回路構成をもったチップキャリアを提供
できる。

【００７５】さらに、請求項３の発明によれば、各導電
性柱部材としては、ボンディングされたワイヤ、あるい
は印刷され硬化された導電性ペーストから構成されるた
め、請求項１又は請求項２の効果を容易且つ確実に奏す
るチップキャリアを提供できる。

【００７６】また、請求項４の発明によれば、外部接続
手段としては、互いにマトリックス状に形成された複数
のランドであるため、請求項１乃至請求項３のいずれか
の効果を奏するＢＧＡ型チップキャリアを提供できる。

【００７７】さらに、請求項５の発明によれば、半導体
チップ搭載部に、半導体接続用電極に電気的に接続され
た半導体チップを配置してなるので、請求項１乃至請求
項４のいずれかの効果を奏する半導体装置を提供でき
る。

【００７８】また、請求項６の発明によれば、巻出し部
が、第１配線層となる導電箔テープを巻出すと共に、巻
取り部が巻出し部から巻出された導電箔テープを巻取る
過程において、巻出／巻取手段が導電箔テープを所定の
ピッチで間欠的に走行させ、導電柱形成手段が、巻出し
部から巻出された導電箔テープの走行が停止したとき、
導電箔テープ上に各導電性柱部材を形成し、樹脂塗布手
段が、導電箔テープの導電柱形成面に選択的に液状絶縁
樹脂を塗布し、巻取り部よりも導電箔テープの走行方向
上流側に設けられた樹脂乾燥手段が、樹脂塗布手段によ
り塗布された液状絶縁樹脂を乾燥させるので、請求項１
乃至請求項４のいずれかの効果を奏するチップキャリア
を容易且つ確実に製造できるチップキャリア製造装置を
提供できる。

【００７９】さらに、請求項７の発明によれば、開口部
形成工程では、第１配線層となる導電箔の略中央に、半
導体チップを搭載するための開口部が形成され、導電柱
形成工程では、開口部の形成された導電箔の片面上に複
数の導電性柱部材が選択的に形成され、樹脂塗布工程で
は、導電箔の導電柱形成面に液状絶縁樹脂が塗布され、
絶縁層形成工程では、塗布された液状絶縁樹脂が硬化さ
れて絶縁層が形成され、導電層形成工程では、形成され
た絶縁層及び各導電性柱部材の上面に導電層が形成さ
れ、第１配線層形成工程では、各導電性柱部材を露出さ
せないように導電箔がパターニングされて第１配線層及
び外部接続手段が形成され、第２配線層形成工程では、
各導電性柱部材を露出させないように導電層がパターニ
ングされて第２配線層及び半導体接続用電極が形成され
るので、請求項１の効果を奏するチップキャリアを容易
且つ確実に製造できるチップキャリア製造方法を提供で
きる。

【００８０】また、請求項８の発明によれば、開口部形
成工程では、第１配線層となる導電箔の略中央に、半導
体チップを搭載するための開口部が形成され、第１導電
柱形成工程では、開口部の形成された導電箔の片面上に
複数の第１導電性柱部材が選択的に形成され、第１樹脂
塗布工程では、導電箔の第１導電柱形成面に液状絶縁樹
脂が塗布され、第１絶縁層形成工程では、塗布された液
状絶縁樹脂が硬化されて第１絶縁層が形成され、第１導
電層形成工程では、形成された第１絶縁層及び各第１導
電性柱部材の上面に第１導電層が形成され、第１配線層
形成工程では、各第１導電性柱部材を露出させないよう
に導電箔がパターニングされて第１配線層が形成され、
第２導電柱形成工程では、第１配線層上に複数の第２導
電性柱部材が選択的に形成され、第２樹脂塗布工程で
は、形成された各第２導電性柱部材を回避するように導
電箔の他の片面上に液状絶縁樹脂が塗布され、第２絶縁
層形成工程では、塗布された液状絶縁樹脂が硬化されて
第２絶縁層が形成され、第２導電層形成工程では、形成
された第２絶縁層及び各第２導電性柱部材の上面に第２
導電層が形成され、第２第３配線層形成工程では、各第
１及び各第２導電性柱部材を露出させないように第１及
び第２導電層がパターニングされて第２配線層、第３配
線層、半導体接続用電極及び外部接続手段が形成される
ので、請求項２の効果を奏するチップキャリアを容易且
つ確実に製造できるチップキャリア製造方法を提供でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係るチップキャリ
アの構成を模式的に示す断面図

【図２】同実施の形態におけるチップキャリアの回路構
成を模式的に示す平面図

【図３】同実施の形態におけるチップキャリア製造装置
の概略構成を示す模式図

【図４】同実施の形態におけるチップキャリアの製造方
法を示す工程断面図

【図５】同実施の形態における半導体装置の構成を模式
的に示す断面図

【図６】本発明の第２の実施の形態に係るチップキャリ
アの構成を模式的に示す断面図

【図７】同実施の形態におけるチップキャリアの製造方
法を示す工程断面図

【図８】同実施の形態における半導体装置の構成を模式
的に示す断面図

【図９】本発明の他の実施の形態に係るチップキャリア
製造装置の概略構成を示す模式図

【図１０】従来のチップキャリアの製造方法を模式的に
示す工程断面図

【図１１】従来のチップキャリアの製造方法を模式的に
示す工程断面図

【符号の説明】

２１，４１…デバイスホール ２２，４２…ＧＮＤ配線層 ２２ａ，４２ａ…銅箔テープ ２３…導電性柱部材 ２３ａ…金ワイヤ ２４…絶縁層 ２４ａ…ＰＩワニス ２４ｂ，５２…絶縁樹脂 ２５…配線層 ２５ａ…銅層 ２６，４９…半導体接続用電極 ２７，５０…ランド ２８，５１…半導体チップ ２９，５３…ハンダボール ３１…巻出し部 ３２…巻取り部 ３３…巻出／巻取装置 ３４…バンピング部 ３５…ワニス塗布部 ３６…ヒータ ４３…第１導電性柱部材 ４４…第１絶縁層 ４５…第２配線層 ４５ａ…第１銅層 ４６…第２導電性柱部材 ４７…第２絶縁層 ４８…第３配線層 ４８ａ…第２銅層

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 略中央に半導体チップを搭載するための
   開口部が形成された第１配線層と、 前記第１配線層の片面上に選択的に形成された複数の導
   電性柱部材と、 前記第１配線層の片面上で前記各導電性柱部材とは異な
   る部位に選択的に形成された絶縁層と、 前記絶縁層及び前記各導電性柱部材の上面に形成され、
   前記各導電性柱部材を介して前記第１配線層に電気的に
   接続された第２配線層と、 前記第２配線層から連続的に櫛歯状に形成され、前記第
   １配線層の略中央に位置する半導体チップ搭載部の周囲
   に位置する半導体接続用電極と、 前記第１配線層から連続的に形成され、外部要素と電気
   的に接続するための外部接続手段とを備えたことを特徴
   とするチップキャリア。
2. 【請求項２】 略中央に半導体チップを搭載するための
   開口部が形成された第１配線層と、 前記第１配線層の片面上に選択的に形成された複数の第
   １導電性柱部材と、 前記第１配線層の片面上で前記各第１導電性柱部材とは
   異なる部位に選択的に形成された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層及び前記各第１導電性柱部材の上面に形
   成され、前記各第１導電性柱部材を介して前記第１配線
   層に電気的に接続された第２配線層と、 前記第１配線層の他の片面上に選択的に形成された複数
   の第２導電性柱部材と、 前記第１配線層の他の片面上で前記各第２導電性柱部材
   とは異なる部位に選択的に形成された第２絶縁層と、 前記第２絶縁層及び前記各第２導電性柱部材の上面に形
   成され、前記各第２導電性柱部材を介して前記第１配線
   層に電気的に接続された第３配線層と、 前記第２配線層あるいは前記第３配線層から連続的に櫛
   歯状に形成され、前記第１配線層の略中央に位置する半
   導体チップ搭載部の周囲に位置する半導体接続用電極
   と、 前記第２配線層及び前記第３配線層のうち、前記半導体
   接続用電極の形成されない方の配線層から連続的に形成
   され、外部要素と電気的に接続するための外部接続手段
   とを備えたことを特徴とするチップキャリア。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載のチップキ
   ャリアにおいて、 前記各導電性柱部材は、ボンディングされたワイヤ、あ
   るいは印刷され硬化された導電性ペーストからなること
   を特徴とするチップキャリア。
4. 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれか１項に
   記載のチップキャリアにおいて、 前記外部接続手段は、互いにマトリックス状に形成され
   た複数のランドであることを特徴とするチップキャリ
   ア。
5. 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれか１項に
   記載のチップキャリアを用いた半導体装置であって、 前記半導体チップ搭載部に、前記半導体接続用電極に電
   気的に接続された半導体チップを配置してなることを特
   徴とする半導体装置。
6. 【請求項６】 請求項１乃至請求項４のいずれか１項に
   記載のチップキャリアを製造するためのチップキャリア
   製造装置において、 前記第１配線層となる導電箔テープを巻出すための巻出
   し部と、前記巻出し部から巻出された導電箔テープを巻
   取るための巻取り部とを有し、前記導電箔テープを所定
   のピッチで間欠的に走行させる巻出／巻取手段と、 前記巻出し部から巻出された導電箔テープの走行が停止
   したとき、前記導電箔テープ上に前記各導電性柱部材を
   形成する導電柱形成手段と、 前記導電箔テープの前記導電柱形成面に液状絶縁樹脂を
   塗布する樹脂塗布手段と、 前記巻取り部よりも前記導電箔テープの走行方向上流側
   に設けられ、前記樹脂塗布手段により塗布された液状絶
   縁樹脂を乾燥させる樹脂乾燥手段とを備えたことを特徴
   とするチップキャリア製造装置。
7. 【請求項７】 請求項１に記載のチップキャリアを製造
   するためのチップキャリア製造方法において、 前記第１配線層となる導電箔の略中央に、半導体チップ
   を搭載するための開口部を形成する開口部形成工程と、 前記開口部の形成された導電箔の片面上に複数の導電性
   柱部材を選択的に形成する導電柱形成工程と、 前記導電箔の前記導電柱形成面に液状絶縁樹脂を塗布す
   る樹脂塗布工程と、 前記塗布された液状絶縁樹脂を硬化させて前記絶縁層を
   形成する絶縁層形成工程と、 前記形成された絶縁層及び各導電性柱部材の上面に導電
   層を形成する導電層形成工程と、 前記各導電性柱部材を露出させないように前記導電箔を
   パターニングして前記第１配線層及び前記外部接続手段
   を形成する第１配線層形成工程と、 前記各導電性柱部材を露出させないように前記導電層を
   パターニングして前記第２配線層及び前記半導体接続用
   電極を形成する第２配線層形成工程とを含んでいること
   を特徴とするチップキャリア製造方法。
8. 【請求項８】 請求項２に記載のチップキャリアを製造
   するためのチップキャリア製造方法において、 前記第１配線層となる導電箔の略中央に、半導体チップ
   を搭載するための開口部を形成する開口部形成工程と、 前記開口部の形成された導電箔の片面上に複数の第１導
   電性柱部材を選択的に形成する第１導電柱形成工程と、 前記導電箔の前記第１導電柱形成面に液状絶縁樹脂を塗
   布する第１樹脂塗布工程と、 前記塗布された液状絶縁樹脂を硬化させて前記第１絶縁
   層を形成する第１絶縁層形成工程と、 前記形成された第１絶縁層及び各第１導電性柱部材の上
   面に第１導電層を形成する第１導電層形成工程と、 前記各第１導電性柱部材を露出させないように前記導電
   箔をパターニングして前記第１配線層を形成する第１配
   線層形成工程と、 前記第１配線層上に複数の第２導電性柱部材を選択的に
   形成する第２導電柱形成工程と、 前記第１配線層上及び前記第１絶縁層上に液状絶縁樹脂
   を塗布する第２樹脂塗布工程と、 前記塗布された液状絶縁樹脂を硬化させて前記第２絶縁
   層を形成する第２絶縁層形成工程と、 前記形成された第２絶縁層及び各第２導電性柱部材の上
   面に第２導電層を形成する第２導電層形成工程と、 前記各第１及び各第２導電性柱部材を露出させないよう
   に前記第１及び第２導電層をパターニングして前記第２
   配線層、前記第３配線層、前記半導体接続用電極及び前
   記外部接続手段を形成する第２第３配線層形成工程とを
   含んでいることを特徴とするチップキャリア製造方法。