JP2001189205A - ポリイミド樹脂被膜を有する希土類系永久磁石の製造方法 - Google Patents
ポリイミド樹脂被膜を有する希土類系永久磁石の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた耐食性・電気絶縁性・耐熱性を有する
ポリイミド樹脂被膜を、簡便な方法で優れた密着性のも
とに磁石上に形成する、該被膜を有する希土類系永久磁
石の製造方法を提供すること。 【解決手段】 希土類系永久磁石表面に、付加型ポリイ
ミド樹脂を芳香族溶剤と含酸素溶剤とからなる混合溶剤
に溶解して得られる溶液を塗布した後、１００℃〜４０
０℃の温度範囲内でこれを加熱硬化させることを特徴と
する。
ポリイミド樹脂被膜を、簡便な方法で優れた密着性のも
とに磁石上に形成する、該被膜を有する希土類系永久磁
石の製造方法を提供すること。 【解決手段】 希土類系永久磁石表面に、付加型ポリイ
ミド樹脂を芳香族溶剤と含酸素溶剤とからなる混合溶剤
に溶解して得られる溶液を塗布した後、１００℃〜４０
０℃の温度範囲内でこれを加熱硬化させることを特徴と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車用モータや
家電製品などに使用される、優れた耐食性・電気絶縁性
・耐熱性が要求される希土類系永久磁石の製造方法に関
する。より詳細には、優れた耐食性・電気絶縁性・耐熱
性を有するポリイミド樹脂被膜を、簡便な方法で優れた
密着性のもとに磁石上に形成する、該被膜を有する希土
類系永久磁石の製造方法に関する。
家電製品などに使用される、優れた耐食性・電気絶縁性
・耐熱性が要求される希土類系永久磁石の製造方法に関
する。より詳細には、優れた耐食性・電気絶縁性・耐熱
性を有するポリイミド樹脂被膜を、簡便な方法で優れた
密着性のもとに磁石上に形成する、該被膜を有する希土
類系永久磁石の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石に代表される
Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石などの希土類系永久磁石は、高
い磁気特性を有しており、今日様々な分野で使用されて
いる。しかし、希土類系永久磁石は、大気中で酸化腐食
されやすい金属種（特にＲ）を含む。それ故、表面処理
を行わずに使用した場合には、わずかな酸やアルカリや
水分などの影響によって表面から腐食が進行して錆が発
生し、それに伴って、磁気特性の劣化やばらつきを招く
ことになる。さらに、磁気回路などの装置に組み込んだ
磁石に錆が発生した場合、錆が飛散して周辺部品を汚染
する恐れがある。上記の点に鑑み、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系永久
磁石に優れた耐食性・電気絶縁性・耐熱性を付与するこ
とを目的として、その表面にポリイミド樹脂被膜を形成
することはこれまでにも検討がなされている（例えば、
特開平９−１８０９２２号公報を参照）。
Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石などの希土類系永久磁石は、高
い磁気特性を有しており、今日様々な分野で使用されて
いる。しかし、希土類系永久磁石は、大気中で酸化腐食
されやすい金属種（特にＲ）を含む。それ故、表面処理
を行わずに使用した場合には、わずかな酸やアルカリや
水分などの影響によって表面から腐食が進行して錆が発
生し、それに伴って、磁気特性の劣化やばらつきを招く
ことになる。さらに、磁気回路などの装置に組み込んだ
磁石に錆が発生した場合、錆が飛散して周辺部品を汚染
する恐れがある。上記の点に鑑み、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系永久
磁石に優れた耐食性・電気絶縁性・耐熱性を付与するこ
とを目的として、その表面にポリイミド樹脂被膜を形成
することはこれまでにも検討がなされている（例えば、
特開平９−１８０９２２号公報を参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これまでに提
案されている技術は、いずれも二種類の原料モノマー
（芳香族カルボン酸二無水物と芳香族ジアミン）を使用
した縮合型ポリイミド樹脂からなる被膜を蒸着重合法に
よって形成する方法に関するものである。これらの技術
は、優れた性能を有するポリイミド樹脂被膜を形成する
方法として価値あるものであるが、蒸着重合法を行うた
めには大がかりな装置が必要である。また、清浄化など
の前処理を厳格に行わなければならない。従って、製造
コストの上昇を招き、量産化の観点からは必ずしも満足
すべきものではない。そこで、本発明においては、優れ
た耐食性・電気絶縁性・耐熱性を有するポリイミド樹脂
被膜を、簡便な方法で優れた密着性のもとに磁石上に形
成する、該被膜を有する希土類系永久磁石の製造方法を
提供することを目的としている。
案されている技術は、いずれも二種類の原料モノマー
（芳香族カルボン酸二無水物と芳香族ジアミン）を使用
した縮合型ポリイミド樹脂からなる被膜を蒸着重合法に
よって形成する方法に関するものである。これらの技術
は、優れた性能を有するポリイミド樹脂被膜を形成する
方法として価値あるものであるが、蒸着重合法を行うた
めには大がかりな装置が必要である。また、清浄化など
の前処理を厳格に行わなければならない。従って、製造
コストの上昇を招き、量産化の観点からは必ずしも満足
すべきものではない。そこで、本発明においては、優れ
た耐食性・電気絶縁性・耐熱性を有するポリイミド樹脂
被膜を、簡便な方法で優れた密着性のもとに磁石上に形
成する、該被膜を有する希土類系永久磁石の製造方法を
提供することを目的としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の点
に鑑み種々の検討を行う過程において、ポリイミド樹脂
の中で特に付加型ポリイミド樹脂に着目した。付加型ポ
リイミド樹脂は、樹脂分子の末端に不飽和基を有し、付
加反応やラジカル反応による三次元架橋により得られる
ものであるが、有機溶剤に可溶であるため溶液状で塗布
でき、また、硬化に際して水が生成することがないの
で、磁石が酸化腐食されやすいことを考慮すれば非常に
都合のよい樹脂である。本発明者らは、付加型ポリイミ
ド樹脂を使用した樹脂被膜について、鋭意検討を行った
結果、付加型ポリイミド樹脂を特定の溶剤に溶解して磁
石表面に塗布した後、特定の条件下でこれを硬化させる
と、形成される樹脂被膜は、磁石表面の微細な凹凸にも
空隙を生ずることなく浸透し、磁石表面に対して優れた
密着性を有することを知見した。
に鑑み種々の検討を行う過程において、ポリイミド樹脂
の中で特に付加型ポリイミド樹脂に着目した。付加型ポ
リイミド樹脂は、樹脂分子の末端に不飽和基を有し、付
加反応やラジカル反応による三次元架橋により得られる
ものであるが、有機溶剤に可溶であるため溶液状で塗布
でき、また、硬化に際して水が生成することがないの
で、磁石が酸化腐食されやすいことを考慮すれば非常に
都合のよい樹脂である。本発明者らは、付加型ポリイミ
ド樹脂を使用した樹脂被膜について、鋭意検討を行った
結果、付加型ポリイミド樹脂を特定の溶剤に溶解して磁
石表面に塗布した後、特定の条件下でこれを硬化させる
と、形成される樹脂被膜は、磁石表面の微細な凹凸にも
空隙を生ずることなく浸透し、磁石表面に対して優れた
密着性を有することを知見した。
【０００５】本発明は、かかる知見に基づきなされたも
ので、本発明のポリイミド樹脂被膜を有する希土類系永
久磁石の製造方法は、請求項１記載の通り、希土類系永
久磁石表面に、付加型ポリイミド樹脂を芳香族溶剤と含
酸素溶剤とからなる混合溶剤に溶解して得られる溶液を
塗布した後、１００℃〜４００℃の温度範囲内でこれを
加熱硬化させることを特徴とする。また、請求項２記載
の製造方法は、請求項１記載の製造方法において、希土
類系永久磁石がＲ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石であることを特
徴とする。また、請求項３記載の製造方法は、請求項１
または２記載の製造方法において、付加型ポリイミド樹
脂が下記一般式（Ｉ）で表されるビスアルケニル置換ナ
ジイミドであることを特徴とする。
ので、本発明のポリイミド樹脂被膜を有する希土類系永
久磁石の製造方法は、請求項１記載の通り、希土類系永
久磁石表面に、付加型ポリイミド樹脂を芳香族溶剤と含
酸素溶剤とからなる混合溶剤に溶解して得られる溶液を
塗布した後、１００℃〜４００℃の温度範囲内でこれを
加熱硬化させることを特徴とする。また、請求項２記載
の製造方法は、請求項１記載の製造方法において、希土
類系永久磁石がＲ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石であることを特
徴とする。また、請求項３記載の製造方法は、請求項１
または２記載の製造方法において、付加型ポリイミド樹
脂が下記一般式（Ｉ）で表されるビスアルケニル置換ナ
ジイミドであることを特徴とする。
【化２】 ［式中、ＡはＣ２〜Ｃ２０のアルキレン基、Ｃ５〜Ｃ８
のシクロアルキレン基、Ｃ６〜Ｃ１２の２価の芳香族
基、−Ａ’ａ−Ｃ６Ｈ４−Ａ”−（ａは０または１、
Ａ’、Ａ”はそれぞれ独立に選ばれたＣ１〜Ｃ４のアル
キレン基）で表されるアルキレン・フェニレン基、−Ｃ
６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−（Ｔはメチレン基、エチリデン
基、プロピリデン基）で表される基を示す。］ また、請求項４記載の製造方法は、請求項１乃至３のい
ずれかに記載の製造方法において、芳香族溶剤／含酸素
溶剤が重量比で１０／９０〜９０／１０であることを特
徴とする。また、請求項５記載の製造方法は、請求項１
乃至４のいずれかに記載の製造方法において、含酸素溶
剤がケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤か
ら選択される少なくとも一種であることを特徴とする。
また、請求項６記載の製造方法は、請求項１乃至４のい
ずれかに記載の製造方法において、含酸素溶剤がメチル
エチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチルから
選択される少なくとも一種であることを特徴とする。ま
た、請求項７記載の製造方法は、請求項１乃至６のいず
れかに記載の製造方法において、希土類系永久磁石が、
磁石上に金属被膜を有するものであることを特徴とす
る。また、請求項８記載の製造方法は、請求項１乃至７
のいずれかに記載の製造方法において、付加型ポリイミ
ド樹脂を芳香族溶剤と含酸素溶剤とからなる混合溶剤に
溶解して得られる溶液がさらにレベリング剤を含んでい
ることを特徴とする。
のシクロアルキレン基、Ｃ６〜Ｃ１２の２価の芳香族
基、−Ａ’ａ−Ｃ６Ｈ４−Ａ”−（ａは０または１、
Ａ’、Ａ”はそれぞれ独立に選ばれたＣ１〜Ｃ４のアル
キレン基）で表されるアルキレン・フェニレン基、−Ｃ
６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−（Ｔはメチレン基、エチリデン
基、プロピリデン基）で表される基を示す。］ また、請求項４記載の製造方法は、請求項１乃至３のい
ずれかに記載の製造方法において、芳香族溶剤／含酸素
溶剤が重量比で１０／９０〜９０／１０であることを特
徴とする。また、請求項５記載の製造方法は、請求項１
乃至４のいずれかに記載の製造方法において、含酸素溶
剤がケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤か
ら選択される少なくとも一種であることを特徴とする。
また、請求項６記載の製造方法は、請求項１乃至４のい
ずれかに記載の製造方法において、含酸素溶剤がメチル
エチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチルから
選択される少なくとも一種であることを特徴とする。ま
た、請求項７記載の製造方法は、請求項１乃至６のいず
れかに記載の製造方法において、希土類系永久磁石が、
磁石上に金属被膜を有するものであることを特徴とす
る。また、請求項８記載の製造方法は、請求項１乃至７
のいずれかに記載の製造方法において、付加型ポリイミ
ド樹脂を芳香族溶剤と含酸素溶剤とからなる混合溶剤に
溶解して得られる溶液がさらにレベリング剤を含んでい
ることを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明における付加型ポリイミド
樹脂としては、例えば、ビスアルケニル置換ナジイミ
ド、末端ナジック酸型ポリイミド（ＰＭＲ）、ビスマレ
イミド型ポリイミド、末端アセチレン型ポリイミドなど
の公知のものを使用することができる。本発明では、こ
れらの中でも特に、無水アリルナジック酸とジアミンか
ら合成され、脱水閉環反応が完結した両末端にアリル基
を有するイミドモノマーである、下記一般式（Ｉ）で表
されるビスアルケニル置換ナジイミドから得られる樹脂
を使用することが、有機溶剤への優れた溶解性と磁石表
面に対する優れた密着性の点で望ましい。なお、下記一
般式（Ｉ）で表されるビスアルケニル置換ナジイミド
は、公知の化合物であるか、または公知の化合物から自
体周知の方法によって合成することができる（例えば、
特開平５−９２２２号公報や特開平７−５３５１６号公
報を参照）。
樹脂としては、例えば、ビスアルケニル置換ナジイミ
ド、末端ナジック酸型ポリイミド（ＰＭＲ）、ビスマレ
イミド型ポリイミド、末端アセチレン型ポリイミドなど
の公知のものを使用することができる。本発明では、こ
れらの中でも特に、無水アリルナジック酸とジアミンか
ら合成され、脱水閉環反応が完結した両末端にアリル基
を有するイミドモノマーである、下記一般式（Ｉ）で表
されるビスアルケニル置換ナジイミドから得られる樹脂
を使用することが、有機溶剤への優れた溶解性と磁石表
面に対する優れた密着性の点で望ましい。なお、下記一
般式（Ｉ）で表されるビスアルケニル置換ナジイミド
は、公知の化合物であるか、または公知の化合物から自
体周知の方法によって合成することができる（例えば、
特開平５−９２２２号公報や特開平７−５３５１６号公
報を参照）。
【０００７】
【化３】 ［式中、ＡはＣ２〜Ｃ２０のアルキレン基、Ｃ５〜Ｃ８
のシクロアルキレン基、Ｃ６〜Ｃ１２の２価の芳香族
基、−Ａ’ａ−Ｃ６Ｈ４−Ａ”−（ａは０または１、
Ａ’、Ａ”はそれぞれ独立に選ばれたＣ１〜Ｃ４のアル
キレン基）で表されるアルキレン・フェニレン基、−Ｃ
６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−（Ｔはメチレン基、エチリデン
基、プロピリデン基）で表される基を示す。］
のシクロアルキレン基、Ｃ６〜Ｃ１２の２価の芳香族
基、−Ａ’ａ−Ｃ６Ｈ４−Ａ”−（ａは０または１、
Ａ’、Ａ”はそれぞれ独立に選ばれたＣ１〜Ｃ４のアル
キレン基）で表されるアルキレン・フェニレン基、−Ｃ
６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−（Ｔはメチレン基、エチリデン
基、プロピリデン基）で表される基を示す。］
【０００８】本発明の、磁石表面へのポリイミド樹脂被
膜の形成は、付加型ポリイミド樹脂を芳香族溶剤と含酸
素溶剤とからなる混合溶剤に溶解して得られる溶液を磁
石表面に塗布した後、これを熱処理により硬化させる方
法、いわゆる溶液法によって行う。この方法は、蒸着重
合法と比較して簡便に行え、製造コストの上昇を招くこ
となく量産化が可能となる点において有利である。
膜の形成は、付加型ポリイミド樹脂を芳香族溶剤と含酸
素溶剤とからなる混合溶剤に溶解して得られる溶液を磁
石表面に塗布した後、これを熱処理により硬化させる方
法、いわゆる溶液法によって行う。この方法は、蒸着重
合法と比較して簡便に行え、製造コストの上昇を招くこ
となく量産化が可能となる点において有利である。
【０００９】混合溶剤を構成する芳香族溶剤は、特に限
定されず、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エ
チルベンゼンおよびこれらの混合物などを使用すること
ができる。
定されず、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エ
チルベンゼンおよびこれらの混合物などを使用すること
ができる。
【００１０】一方、含酸素溶剤としては、例えば、ケト
ン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、アルコー
ル系溶剤、グリコールエーテル系溶剤が挙げられるが、
これらの中でも、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エス
テル系溶剤を使用することが、磁石表面に対するポリイ
ミド樹脂被膜の密着性や平滑性を優れたものにする点で
望ましい。ケトン系溶剤としては、具体的には、メチル
エチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどが挙げら
れる。エーテル系溶剤としては、具体的には、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサンなどが挙げられる。エステル系
溶剤としては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、
プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチルなどが挙げら
れる。これらの含酸素溶剤は、単独で使用しても二種以
上を混合して使用してもよい。
ン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、アルコー
ル系溶剤、グリコールエーテル系溶剤が挙げられるが、
これらの中でも、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エス
テル系溶剤を使用することが、磁石表面に対するポリイ
ミド樹脂被膜の密着性や平滑性を優れたものにする点で
望ましい。ケトン系溶剤としては、具体的には、メチル
エチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどが挙げら
れる。エーテル系溶剤としては、具体的には、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサンなどが挙げられる。エステル系
溶剤としては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、
プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチルなどが挙げら
れる。これらの含酸素溶剤は、単独で使用しても二種以
上を混合して使用してもよい。
【００１１】芳香族溶剤と含酸素溶剤の混合比は、芳香
族溶剤の含量が少なくなると付加型ポリイミド樹脂に対
する溶解力が小さくなり、また、含酸素溶剤の含量が少
なくなるとポリイミド樹脂被膜の磁石表面に対する密着
性が悪くなったり、表面平滑性が低下してゆず肌気味に
なる恐れがあるため、芳香族溶剤／含酸素溶剤の重量比
で１０／９０〜９０／１０が望ましく、３０／７０〜７
０／３０がより望ましい。
族溶剤の含量が少なくなると付加型ポリイミド樹脂に対
する溶解力が小さくなり、また、含酸素溶剤の含量が少
なくなるとポリイミド樹脂被膜の磁石表面に対する密着
性が悪くなったり、表面平滑性が低下してゆず肌気味に
なる恐れがあるため、芳香族溶剤／含酸素溶剤の重量比
で１０／９０〜９０／１０が望ましく、３０／７０〜７
０／３０がより望ましい。
【００１２】付加型ポリイミド樹脂を混合溶剤に溶解し
た際の溶液濃度は、樹脂が常温で混合溶剤に完全に溶解
する範囲であれば特に限定されないが、通常は、混合溶
剤に溶解した樹脂濃度で、５重量％〜８０重量％が望ま
しく、１５重量％〜６０重量％がより望ましい。樹脂を
溶解する方法は特に限定されず、常温で溶け難い場合は
加温して溶解することもできる。
た際の溶液濃度は、樹脂が常温で混合溶剤に完全に溶解
する範囲であれば特に限定されないが、通常は、混合溶
剤に溶解した樹脂濃度で、５重量％〜８０重量％が望ま
しく、１５重量％〜６０重量％がより望ましい。樹脂を
溶解する方法は特に限定されず、常温で溶け難い場合は
加温して溶解することもできる。
【００１３】付加型ポリイミド樹脂を混合溶剤に溶解し
て得られる溶液の磁石表面への塗布方法としては、ディ
ップコーティング法、スプレー法、スピンコート法など
の公知の方法を用いることができる。
て得られる溶液の磁石表面への塗布方法としては、ディ
ップコーティング法、スプレー法、スピンコート法など
の公知の方法を用いることができる。
【００１４】付加型ポリイミド樹脂を混合溶剤に溶解し
て得られる溶液を磁石表面に塗布した後、これを熱処理
により硬化させる。この時の熱処理は１００℃〜４００
℃の温度範囲で行う。望ましくは１５０℃〜３００℃の
温度範囲である。１００℃未満であると硬化反応が十分
に進行しない恐れがあり、４００℃を越えると樹脂被膜
の劣化を招く恐れがあるからである。熱処理時間は、通
常、１分〜３０時間、望ましくは３分〜５時間である。
なお、必要に応じて、熱処理を行う前に、混合溶剤を除
去するための乾燥処理（例えば、室温〜９０℃の条件
下、５分〜１時間）を行ってもよい。
て得られる溶液を磁石表面に塗布した後、これを熱処理
により硬化させる。この時の熱処理は１００℃〜４００
℃の温度範囲で行う。望ましくは１５０℃〜３００℃の
温度範囲である。１００℃未満であると硬化反応が十分
に進行しない恐れがあり、４００℃を越えると樹脂被膜
の劣化を招く恐れがあるからである。熱処理時間は、通
常、１分〜３０時間、望ましくは３分〜５時間である。
なお、必要に応じて、熱処理を行う前に、混合溶剤を除
去するための乾燥処理（例えば、室温〜９０℃の条件
下、５分〜１時間）を行ってもよい。
【００１５】本発明のポリイミド樹脂被膜は、磁石上に
形成された金属被膜表面に形成することもできる。例え
ば、予め、金属被膜としてＡｌ被膜、Ｎｉ被膜、Ｃｕ被
膜などを磁石上に形成し、これらの被膜表面にポリイミ
ド樹脂被膜を形成することで、両被膜が相俟って機能す
ることにより、いっそう優れた耐食性を付与することが
できる。
形成された金属被膜表面に形成することもできる。例え
ば、予め、金属被膜としてＡｌ被膜、Ｎｉ被膜、Ｃｕ被
膜などを磁石上に形成し、これらの被膜表面にポリイミ
ド樹脂被膜を形成することで、両被膜が相俟って機能す
ることにより、いっそう優れた耐食性を付与することが
できる。
【００１６】磁石上に金属被膜を形成する方法は特段限
定されるものではないが、磁石と金属被膜が酸化腐食さ
れやすいことに配慮すれば、気相成長法によることが望
ましい。例えば、Ａｌ被膜を形成するために採用するこ
とができる気相成長法としては、真空蒸着法、イオンス
パッタリング法、イオンプレーティング法などの公知の
方法が挙げられる。Ａｌ被膜は各方法における一般的な
条件にて形成すればよいが、形成される被膜の膜厚の均
一性、作業性などの観点からはイオンプレーティング法
によることが望ましい。また、金属被膜形成後にはショ
ットピーニングなどの処理を行ってもよい。なお、被膜
形成前に磁石表面に対し、洗浄、脱脂、スパッタリング
などの公知の清浄化処理を施してもよいことは言うまで
もない。
定されるものではないが、磁石と金属被膜が酸化腐食さ
れやすいことに配慮すれば、気相成長法によることが望
ましい。例えば、Ａｌ被膜を形成するために採用するこ
とができる気相成長法としては、真空蒸着法、イオンス
パッタリング法、イオンプレーティング法などの公知の
方法が挙げられる。Ａｌ被膜は各方法における一般的な
条件にて形成すればよいが、形成される被膜の膜厚の均
一性、作業性などの観点からはイオンプレーティング法
によることが望ましい。また、金属被膜形成後にはショ
ットピーニングなどの処理を行ってもよい。なお、被膜
形成前に磁石表面に対し、洗浄、脱脂、スパッタリング
などの公知の清浄化処理を施してもよいことは言うまで
もない。
【００１７】金属被膜形成時における磁石の温度は、２
００℃〜５００℃に設定することが望ましい。該温度が
２００℃未満であると磁石表面に対して優れた密着性を
有する被膜が形成されない恐れがあり、５００℃を越え
ると被膜形成後の冷却過程で被膜に亀裂が発生し、被膜
が磁石から剥離する恐れがあるからである。
００℃〜５００℃に設定することが望ましい。該温度が
２００℃未満であると磁石表面に対して優れた密着性を
有する被膜が形成されない恐れがあり、５００℃を越え
ると被膜形成後の冷却過程で被膜に亀裂が発生し、被膜
が磁石から剥離する恐れがあるからである。
【００１８】金属被膜の膜厚は、０．０１μｍ未満であ
ると金属被膜に基づく優れた耐食性が十分に発揮されな
い恐れがあり、５０μｍを越えると製造コストの上昇を
招く恐れがあるだけでなく、磁石の有効体積が小さくな
る恐れがあるので、０．０１μｍ〜５０μｍが望まし
く、０．０５μｍ〜２５μｍがより望ましい。
ると金属被膜に基づく優れた耐食性が十分に発揮されな
い恐れがあり、５０μｍを越えると製造コストの上昇を
招く恐れがあるだけでなく、磁石の有効体積が小さくな
る恐れがあるので、０．０１μｍ〜５０μｍが望まし
く、０．０５μｍ〜２５μｍがより望ましい。
【００１９】なお、金属被膜表面へのポリイミド樹脂被
膜の形成は、磁石表面へのポリイミド樹脂被膜の形成方
法と同様の方法で行えばよい。
膜の形成は、磁石表面へのポリイミド樹脂被膜の形成方
法と同様の方法で行えばよい。
【００２０】また、酸素雰囲気中での酸化処理や大気中
での自然酸化によって、磁石表面や金属被膜表面に酸化
被膜を形成した後、その表面にポリイミド樹脂被膜を形
成してもよい。このような構成を採ることにより、磁石
表面や磁石上の金属被膜表面に対するポリイミド樹脂被
膜の密着性を向上させることができる。
での自然酸化によって、磁石表面や金属被膜表面に酸化
被膜を形成した後、その表面にポリイミド樹脂被膜を形
成してもよい。このような構成を採ることにより、磁石
表面や磁石上の金属被膜表面に対するポリイミド樹脂被
膜の密着性を向上させることができる。
【００２１】本発明ではさらに、付加型ポリイミド樹脂
を芳香族溶剤と含酸素溶剤とからなる混合溶剤に溶解し
て得られる溶液にレベリング剤を配合して使用すること
ができる。レベリング剤を配合することにより、形成さ
れるポリイミド樹脂被膜の、磁石表面の微細な凹凸に対
する浸透性を促進し、樹脂被膜の磁石表面に対する密着
性をさらに高めるとともに、樹脂被膜の表面平滑性およ
び膜厚の均一性を向上させることができる。
を芳香族溶剤と含酸素溶剤とからなる混合溶剤に溶解し
て得られる溶液にレベリング剤を配合して使用すること
ができる。レベリング剤を配合することにより、形成さ
れるポリイミド樹脂被膜の、磁石表面の微細な凹凸に対
する浸透性を促進し、樹脂被膜の磁石表面に対する密着
性をさらに高めるとともに、樹脂被膜の表面平滑性およ
び膜厚の均一性を向上させることができる。
【００２２】配合可能なレベリング剤は特に限定される
ものではなく、例えば、アクリル系アルキルエステル
（例えば、楠本化成社製の商品名：ディスパロン１９７
０、三菱レイヨン社製の商品名：ダイヤエイドＡＤ−９
００２など）、ノニオン系フッ素化アルキルエステル
（例えば、住友スリーエム社製の商品名：フロラートＦ
Ｃ−４３０、大日本インキ化学工業社製の商品名：メガ
ファックＦ−１７７など）、シリコーン系化合物（例え
ば、楠本化成社製の商品名：ディスパロン１７６１、信
越化学工業社製の商品名：信越シリコーンＫＰ３４１な
ど）などの公知のものを使用することができる。レベリ
ング剤の配合量は常用的な範囲内で特に制限はないが、
多すぎる場合には硬化後にひび割れや膨れが発生する恐
れがあるため、付加型ポリイミド樹脂溶液１００重量部
に対して、１０重量部以下とすることが望ましく、０．
００５重量部〜５重量部がさらに望ましい。
ものではなく、例えば、アクリル系アルキルエステル
（例えば、楠本化成社製の商品名：ディスパロン１９７
０、三菱レイヨン社製の商品名：ダイヤエイドＡＤ−９
００２など）、ノニオン系フッ素化アルキルエステル
（例えば、住友スリーエム社製の商品名：フロラートＦ
Ｃ−４３０、大日本インキ化学工業社製の商品名：メガ
ファックＦ−１７７など）、シリコーン系化合物（例え
ば、楠本化成社製の商品名：ディスパロン１７６１、信
越化学工業社製の商品名：信越シリコーンＫＰ３４１な
ど）などの公知のものを使用することができる。レベリ
ング剤の配合量は常用的な範囲内で特に制限はないが、
多すぎる場合には硬化後にひび割れや膨れが発生する恐
れがあるため、付加型ポリイミド樹脂溶液１００重量部
に対して、１０重量部以下とすることが望ましく、０．
００５重量部〜５重量部がさらに望ましい。
【００２３】上記の方法によって形成されるポリイミド
樹脂被膜は、磁石表面や磁石上の金属被膜表面に対して
強固に密着しているので、膜厚が１μｍ以上であれば優
れた耐食性などの性能を発揮する。ポリイミド樹脂被膜
の膜厚の上限は限定されるものではないが、磁石自体の
小型化に基づく要請から、１５μｍ以下が望ましく、１
０μｍ以下がより望ましい。なお、必要に応じて、付加
型ポリイミド樹脂を混合溶剤に溶解して得られる溶液の
磁石表面への塗布とそれに続く熱処理を複数回繰り返し
て行ってもよい。
樹脂被膜は、磁石表面や磁石上の金属被膜表面に対して
強固に密着しているので、膜厚が１μｍ以上であれば優
れた耐食性などの性能を発揮する。ポリイミド樹脂被膜
の膜厚の上限は限定されるものではないが、磁石自体の
小型化に基づく要請から、１５μｍ以下が望ましく、１
０μｍ以下がより望ましい。なお、必要に応じて、付加
型ポリイミド樹脂を混合溶剤に溶解して得られる溶液の
磁石表面への塗布とそれに続く熱処理を複数回繰り返し
て行ってもよい。
【００２４】本発明の方法によって得られたポリイミド
樹脂被膜の上に、さらに別の被膜を積層形成してもよ
い。このような構成を採用することによって、ポリイミ
ド樹脂被膜の特性を増強・補完したり、さらなる機能性
を付与したりすることができる。
樹脂被膜の上に、さらに別の被膜を積層形成してもよ
い。このような構成を採用することによって、ポリイミ
ド樹脂被膜の特性を増強・補完したり、さらなる機能性
を付与したりすることができる。
【００２５】本発明において用いられる希土類系永久磁
石における希土類元素（Ｒ）は、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｔｂ、Ｓｍのうち少なくとも１種、あるいはさら
に、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌ
ｕ、Ｙのうち少なくとも１種を含むものが望ましい。ま
た、通常はＲのうち１種をもって足りるが、実用上は２
種以上の混合物（ミッシュメタルやジジムなど）を入手
上の便宜などの理由によって使用することもできる。
石における希土類元素（Ｒ）は、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｔｂ、Ｓｍのうち少なくとも１種、あるいはさら
に、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌ
ｕ、Ｙのうち少なくとも１種を含むものが望ましい。ま
た、通常はＲのうち１種をもって足りるが、実用上は２
種以上の混合物（ミッシュメタルやジジムなど）を入手
上の便宜などの理由によって使用することもできる。
【００２６】Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石におけるＲの含量
は、１０原子％未満では結晶構造がα−Ｆｅと同一構造
の立方晶組織となるため、高磁気特性、特に高い保磁力
（ＨｃＪ）が得られず、一方、３０原子％を超えるとＲ
リッチな非磁性相が多くなり、残留磁束密度（Ｂｒ）が
低下して優れた特性の永久磁石が得られないので、Ｒの
含量は組成の１０原子％〜３０原子％であることが望ま
しい。
は、１０原子％未満では結晶構造がα−Ｆｅと同一構造
の立方晶組織となるため、高磁気特性、特に高い保磁力
（ＨｃＪ）が得られず、一方、３０原子％を超えるとＲ
リッチな非磁性相が多くなり、残留磁束密度（Ｂｒ）が
低下して優れた特性の永久磁石が得られないので、Ｒの
含量は組成の１０原子％〜３０原子％であることが望ま
しい。
【００２７】Ｆｅの含量は、６５原子％未満ではＢｒが
低下し、８０原子％を超えると高いＨｃＪが得られない
ので、６５原子％〜８０原子％の含有が望ましい。ま
た、Ｆｅの一部をＣｏで置換することによって、得られ
る磁石の磁気特性を損なうことなしに温度特性を改善す
ることができるが、Ｃｏ置換量がＦｅの２０％を超える
と、磁気特性が劣化するので望ましくない。Ｃｏ置換量
が５原子％〜１５原子％の場合、Ｂｒは置換しない場合
に比較して増加するため、高磁束密度を得るのに望まし
い。
低下し、８０原子％を超えると高いＨｃＪが得られない
ので、６５原子％〜８０原子％の含有が望ましい。ま
た、Ｆｅの一部をＣｏで置換することによって、得られ
る磁石の磁気特性を損なうことなしに温度特性を改善す
ることができるが、Ｃｏ置換量がＦｅの２０％を超える
と、磁気特性が劣化するので望ましくない。Ｃｏ置換量
が５原子％〜１５原子％の場合、Ｂｒは置換しない場合
に比較して増加するため、高磁束密度を得るのに望まし
い。
【００２８】Ｂの含量は、２原子％未満では菱面体構造
が主相となり、高いＨｃＪは得られず、２８原子％を超
えるとＢリッチな非磁性相が多くなり、Ｂｒが低下して
優れた特性の永久磁石が得られないので、２原子％〜２
８原子％の含有が望ましい。また、磁石の製造性の改善
や低価格化のために、２．０ｗｔ％以下のＰ、２．０ｗ
ｔ％以下のＳのうち、少なくとも１種、合計量で２．０
ｗｔ％以下を含有していてもよい。さらに、Ｂの一部を
３０ｗｔ％以下のＣで置換することによって、磁石の耐
食性を改善することができる。
が主相となり、高いＨｃＪは得られず、２８原子％を超
えるとＢリッチな非磁性相が多くなり、Ｂｒが低下して
優れた特性の永久磁石が得られないので、２原子％〜２
８原子％の含有が望ましい。また、磁石の製造性の改善
や低価格化のために、２．０ｗｔ％以下のＰ、２．０ｗ
ｔ％以下のＳのうち、少なくとも１種、合計量で２．０
ｗｔ％以下を含有していてもよい。さらに、Ｂの一部を
３０ｗｔ％以下のＣで置換することによって、磁石の耐
食性を改善することができる。
【００２９】さらに、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｂ
ｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｚｒ、
Ｎｉ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｈｆ、Ｇａのうち少なくとも１種の
添加は、保磁力や減磁曲線の角型性の改善、製造性の改
善、低価格化に効果がある。なお、その添加量は、最大
エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘを１５９ｋＪ／ｍ３以上と
するためには、Ｂｒが少なくとも０．９Ｔ以上必要とな
るので、該条件を満たす範囲で添加することが望まし
い。なお、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石には、Ｒ、Ｆｅ、Ｂ
以外に工業的生産上不可避な不純物を含有するものでも
差し支えない。
ｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｚｒ、
Ｎｉ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｈｆ、Ｇａのうち少なくとも１種の
添加は、保磁力や減磁曲線の角型性の改善、製造性の改
善、低価格化に効果がある。なお、その添加量は、最大
エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘを１５９ｋＪ／ｍ３以上と
するためには、Ｂｒが少なくとも０．９Ｔ以上必要とな
るので、該条件を満たす範囲で添加することが望まし
い。なお、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石には、Ｒ、Ｆｅ、Ｂ
以外に工業的生産上不可避な不純物を含有するものでも
差し支えない。
【００３０】さらに、上記以外のＲ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁
石としては、特開平９−９２５１５号公報に記載されて
いるような異方性Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石、特開平８
−２０３７１４号公報に記載されているようなソフト磁
性相（例えば、α−ＦｅやＦｅ３Ｂ）とハード磁性相
（Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ）を有するＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系ナノコ
ンポジット磁石、従来から広く使用されている液体急冷
系等方性Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末（例えば、商品名：
ＭＱＰ−Ｂ・ＭＱＩ社製）を用いたボンド磁石などが挙
げられる。これらはいずれも、エポキシ樹脂などのバイ
ンダーを用い、所定の形状に成形されることによって使
用される。
石としては、特開平９−９２５１５号公報に記載されて
いるような異方性Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石、特開平８
−２０３７１４号公報に記載されているようなソフト磁
性相（例えば、α−ＦｅやＦｅ３Ｂ）とハード磁性相
（Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ）を有するＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系ナノコ
ンポジット磁石、従来から広く使用されている液体急冷
系等方性Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末（例えば、商品名：
ＭＱＰ−Ｂ・ＭＱＩ社製）を用いたボンド磁石などが挙
げられる。これらはいずれも、エポキシ樹脂などのバイ
ンダーを用い、所定の形状に成形されることによって使
用される。
【００３１】また、Ｒ−Ｆｅ−Ｎ系永久磁石としては、
例えば、特公平５−８２０４１号公報記載の（Ｆｅ
１−ｘＲｘ）１−ｙＮｙ（０．０７≦ｘ≦０．３，０．
００１≦ｙ≦０．２）で表されることを特徴とする永久
磁石が挙げられる。
例えば、特公平５−８２０４１号公報記載の（Ｆｅ
１−ｘＲｘ）１−ｙＮｙ（０．０７≦ｘ≦０．３，０．
００１≦ｙ≦０．２）で表されることを特徴とする永久
磁石が挙げられる。
【００３２】
【実施例】以下、本発明を実施例によってさらに詳細に
説明する。なお、以下の実施例は、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系焼結
磁石を用いて行ったものであるが、本発明はこれに限定
されるものではない。
説明する。なお、以下の実施例は、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系焼結
磁石を用いて行ったものであるが、本発明はこれに限定
されるものではない。
【００３３】例えば、米国特許４７７０７２３号公報に
記載されているようにして、公知の鋳造インゴットを粉
砕し、微粉砕後に成形、焼結、熱処理、表面加工を行う
ことによって得られた１７Ｎｄ−１Ｐｒ−７５Ｆｅ−７
Ｂ組成の２３ｍｍ×１０ｍｍ×６ｍｍ寸法の焼結磁石
（以下「磁石体試験片」と称する）を用いて以下の実験
を行った。以下の実験において、ポリイミド樹脂被膜の
膜厚および金属被膜の膜厚は破断面の電子顕微鏡観察に
よって測定した。
記載されているようにして、公知の鋳造インゴットを粉
砕し、微粉砕後に成形、焼結、熱処理、表面加工を行う
ことによって得られた１７Ｎｄ−１Ｐｒ−７５Ｆｅ−７
Ｂ組成の２３ｍｍ×１０ｍｍ×６ｍｍ寸法の焼結磁石
（以下「磁石体試験片」と称する）を用いて以下の実験
を行った。以下の実験において、ポリイミド樹脂被膜の
膜厚および金属被膜の膜厚は破断面の電子顕微鏡観察に
よって測定した。
【００３４】実施例１−実施例４：付加型ポリイミド樹
脂として、上述の一般式（Ｉ）における置換基Ａが（−
Ｃ ６Ｈ４−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ４−）基である物質（丸善石
油化学社製の商品名：ＢＡＮＩ−Ｍ）を使用し、これを
表１に示す組成の混合溶剤に溶解して、樹脂濃度３０重
量％の溶液を調製した。この樹脂溶液をスプレー法によ
り磁石体試験片の表面に塗布し、室温で１０分間風乾し
た後、２５０℃で１５分間加熱硬化させ、磁石体試験片
表面にポリイミド樹脂被膜を形成した。形成されたポリ
イミド樹脂被膜の膜厚はいずれも５μｍであり、磁石体
試験片表面とポリイミド樹脂被膜の界面に空隙は観察さ
れなかった。次いで、ポリイミド樹脂被膜を有する各磁
石体試験片を温度５０℃×相対湿度９０％の高温高湿条
件下に放置して耐食性加速試験を行った。結果を表１に
示す。表１から明らかなように、いずれの試験片も試験
開始から９００時間までは錆は発生せず、優れた耐食性
を示した。ポリイミド樹脂被膜を有する各磁石体試験片
の電気絶縁性を体積抵抗率（ρ）によって評価したとこ
ろ、いずれの試験片も１×１０１５Ω・ｃｍ以上という
優れた値を示した。なお、体積抵抗率は、試験片に電極
付けを行い、被膜表面と磁石間の抵抗を測定し、ρ＝Ｒ
・Ｓ／ｌの数式から求めた（Ｒ：抵抗（Ω）、Ｓ：電極
面積（ｃｍ２）、ｌ：ポリイミド樹脂被膜膜厚（ｃ
ｍ））。ポリイミド樹脂被膜を有する各磁石体試験片の
耐熱性を熱変形温度によって評価したところ、いずれの
試験片も２８０℃以上という優れた値を示した。なお、
熱変形温度は、大気中２０時間その温度に放置して被膜
の変色、亀裂などが生じる温度とした。
脂として、上述の一般式（Ｉ）における置換基Ａが（−
Ｃ ６Ｈ４−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ４−）基である物質（丸善石
油化学社製の商品名：ＢＡＮＩ−Ｍ）を使用し、これを
表１に示す組成の混合溶剤に溶解して、樹脂濃度３０重
量％の溶液を調製した。この樹脂溶液をスプレー法によ
り磁石体試験片の表面に塗布し、室温で１０分間風乾し
た後、２５０℃で１５分間加熱硬化させ、磁石体試験片
表面にポリイミド樹脂被膜を形成した。形成されたポリ
イミド樹脂被膜の膜厚はいずれも５μｍであり、磁石体
試験片表面とポリイミド樹脂被膜の界面に空隙は観察さ
れなかった。次いで、ポリイミド樹脂被膜を有する各磁
石体試験片を温度５０℃×相対湿度９０％の高温高湿条
件下に放置して耐食性加速試験を行った。結果を表１に
示す。表１から明らかなように、いずれの試験片も試験
開始から９００時間までは錆は発生せず、優れた耐食性
を示した。ポリイミド樹脂被膜を有する各磁石体試験片
の電気絶縁性を体積抵抗率（ρ）によって評価したとこ
ろ、いずれの試験片も１×１０１５Ω・ｃｍ以上という
優れた値を示した。なお、体積抵抗率は、試験片に電極
付けを行い、被膜表面と磁石間の抵抗を測定し、ρ＝Ｒ
・Ｓ／ｌの数式から求めた（Ｒ：抵抗（Ω）、Ｓ：電極
面積（ｃｍ２）、ｌ：ポリイミド樹脂被膜膜厚（ｃ
ｍ））。ポリイミド樹脂被膜を有する各磁石体試験片の
耐熱性を熱変形温度によって評価したところ、いずれの
試験片も２８０℃以上という優れた値を示した。なお、
熱変形温度は、大気中２０時間その温度に放置して被膜
の変色、亀裂などが生じる温度とした。
【００３５】
【表１】
【００３６】比較例１：付加型ポリイミド樹脂の溶剤と
してトルエンを単独で使用した以外は実施例１と同様に
して磁石体試験片の表面にポリイミド樹脂被膜を形成し
た。形成されたポリイミド樹脂被膜の膜厚は５μｍであ
った。次いで、実施例１と同様の方法で試験片の耐食性
加速試験を行った結果、当該試験片は約１００時間で被
膜剥離と発錆が観察され、ポリイミド樹脂被膜の密着性
が不十分であると判断された。
してトルエンを単独で使用した以外は実施例１と同様に
して磁石体試験片の表面にポリイミド樹脂被膜を形成し
た。形成されたポリイミド樹脂被膜の膜厚は５μｍであ
った。次いで、実施例１と同様の方法で試験片の耐食性
加速試験を行った結果、当該試験片は約１００時間で被
膜剥離と発錆が観察され、ポリイミド樹脂被膜の密着性
が不十分であると判断された。
【００３７】実施例５：真空容器内に磁石体試験片を収
容し、内部を１×１０−４Ｐａに真空排気した後、Ａｒ
ガス圧１０Ｐａ、バイアス電圧−４００Ｖの条件下で、
１５分間スパッタリングを行って、磁石体試験片表面を
清浄化した。次に、Ａｒガス圧１０Ｐａ、バイアス電圧
−５０Ｖ、磁石温度２５０℃の条件下で、ターゲットと
して金属アルミニウムを用い、２０分間アークイオンプ
レーティングを行い、磁石体試験片表面にアルミニウム
被膜を形成し、放冷した。得られたアルミニウム被膜の
膜厚は１．１μｍであった。上記の方法で得られたアル
ミニウム被膜付き磁石体試験片を使用し、実施例１と同
様にして、アルミニウム被膜表面にポリイミド樹脂被膜
を形成した。形成されたポリイミド樹脂被膜の膜厚は５
μｍであった。実施例１と同様の方法で試験片の耐食性
加速試験を行った結果、試験開始から１５００時間を経
過しても発錆や被膜剥離などは観察されず、優れた耐食
性を示した。実施例１と同様の方法で電気絶縁性を体積
抵抗率（ρ）によって評価したところ、１×１０１５Ω
・ｃｍ以上という優れた値を示した。実施例１と同様の
方法で耐熱性を熱変形温度によって評価したところ、２
８０℃以上という優れた値を示した。
容し、内部を１×１０−４Ｐａに真空排気した後、Ａｒ
ガス圧１０Ｐａ、バイアス電圧−４００Ｖの条件下で、
１５分間スパッタリングを行って、磁石体試験片表面を
清浄化した。次に、Ａｒガス圧１０Ｐａ、バイアス電圧
−５０Ｖ、磁石温度２５０℃の条件下で、ターゲットと
して金属アルミニウムを用い、２０分間アークイオンプ
レーティングを行い、磁石体試験片表面にアルミニウム
被膜を形成し、放冷した。得られたアルミニウム被膜の
膜厚は１．１μｍであった。上記の方法で得られたアル
ミニウム被膜付き磁石体試験片を使用し、実施例１と同
様にして、アルミニウム被膜表面にポリイミド樹脂被膜
を形成した。形成されたポリイミド樹脂被膜の膜厚は５
μｍであった。実施例１と同様の方法で試験片の耐食性
加速試験を行った結果、試験開始から１５００時間を経
過しても発錆や被膜剥離などは観察されず、優れた耐食
性を示した。実施例１と同様の方法で電気絶縁性を体積
抵抗率（ρ）によって評価したところ、１×１０１５Ω
・ｃｍ以上という優れた値を示した。実施例１と同様の
方法で耐熱性を熱変形温度によって評価したところ、２
８０℃以上という優れた値を示した。
【００３８】実施例６：実施例１において、付加型ポリ
イミド樹脂溶液１００重量部にアクリル系アルキルエス
テルのレベリング剤（楠本化成社製の商品名：ディスパ
ロン１９７０）０．５重量部を添加した以外は実施例１
と同様にして、磁石体試験片表面にポリイミド樹脂被膜
を形成した。形成されたポリイミド樹脂被膜の膜厚は５
μｍであった。実施例１と同様の方法で試験片の耐食性
加速試験を行った結果、試験開始から１５００時間を経
過しても発錆や被膜剥離などは観察されず、優れた耐食
性を示した。実施例１と同様の方法で電気絶縁性を体積
抵抗率（ρ）によって評価したところ、１×１０１５Ω
・ｃｍ以上という優れた値を示した。実施例１と同様の
方法で耐熱性を熱変形温度によって評価したところ、２
８０℃以上という優れた値を示した。
イミド樹脂溶液１００重量部にアクリル系アルキルエス
テルのレベリング剤（楠本化成社製の商品名：ディスパ
ロン１９７０）０．５重量部を添加した以外は実施例１
と同様にして、磁石体試験片表面にポリイミド樹脂被膜
を形成した。形成されたポリイミド樹脂被膜の膜厚は５
μｍであった。実施例１と同様の方法で試験片の耐食性
加速試験を行った結果、試験開始から１５００時間を経
過しても発錆や被膜剥離などは観察されず、優れた耐食
性を示した。実施例１と同様の方法で電気絶縁性を体積
抵抗率（ρ）によって評価したところ、１×１０１５Ω
・ｃｍ以上という優れた値を示した。実施例１と同様の
方法で耐熱性を熱変形温度によって評価したところ、２
８０℃以上という優れた値を示した。
【００３９】実施例７：付加型ポリイミド樹脂として、
一般式（Ｉ）における置換基Ａが（−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ４
−ＣＨ２−）基である物質（丸善石油化学社製の商品
名：ＢＡＮＩ−Ｘ）を使用した以外は実施例２と同様に
して、磁石体試験片表面にポリイミド樹脂被膜を形成し
た。形成されたポリイミド樹脂被膜の膜厚は５μｍであ
った。実施例１と同様の方法で試験片の耐食性加速試験
を行った結果、試験開始から１２００時間までは発錆や
被膜剥離などは観察されず、優れた耐食性を示した。実
施例１と同様の方法で電気絶縁性を体積抵抗率（ρ）に
よって評価したところ、１×１０１５Ω・ｃｍ以上とい
う優れた値を示した。実施例１と同様の方法で耐熱性を
熱変形温度によって評価したところ、２８０℃以上とい
う優れた値を示した。
一般式（Ｉ）における置換基Ａが（−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ４
−ＣＨ２−）基である物質（丸善石油化学社製の商品
名：ＢＡＮＩ−Ｘ）を使用した以外は実施例２と同様に
して、磁石体試験片表面にポリイミド樹脂被膜を形成し
た。形成されたポリイミド樹脂被膜の膜厚は５μｍであ
った。実施例１と同様の方法で試験片の耐食性加速試験
を行った結果、試験開始から１２００時間までは発錆や
被膜剥離などは観察されず、優れた耐食性を示した。実
施例１と同様の方法で電気絶縁性を体積抵抗率（ρ）に
よって評価したところ、１×１０１５Ω・ｃｍ以上とい
う優れた値を示した。実施例１と同様の方法で耐熱性を
熱変形温度によって評価したところ、２８０℃以上とい
う優れた値を示した。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、希土類系永久磁石表面
に、優れた耐食性・電気絶縁性・耐熱性を有するポリイ
ミド樹脂被膜を、簡便な方法で優れた密着性のもとに磁
石上に形成することができる。また、スプレー法などの
汎用の塗布手段によって樹脂被膜を形成できるため、従
来の蒸着重合法に比較して製造コストの上昇を招くこと
なく量産化が可能となる。
に、優れた耐食性・電気絶縁性・耐熱性を有するポリイ
ミド樹脂被膜を、簡便な方法で優れた密着性のもとに磁
石上に形成することができる。また、スプレー法などの
汎用の塗布手段によって樹脂被膜を形成できるため、従
来の蒸着重合法に比較して製造コストの上昇を招くこと
なく量産化が可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菊井 文秋 大阪府三島郡島本町江川２丁目15番17号 住友特殊金属株式会社山崎製作所内 (72)発明者 工藤 昌章 千葉県市原市五井6992 (72)発明者 二重作 則夫 千葉県市原市姉ヶ崎3221−１ Ｆターム(参考） 4D075 BB26Z BB93Z CA24 DB01 DC19 EA07 EB39 EC30 4J043 PA02 PA15 PB02 PB04 QC27 UA081 UA331 UA411 UB011 UB021 WA07 XA03 ZA11 ZA12 ZA31 ZA46 ZB47 ZB51 5E040 AA04 BC05 CA01 HB14 NN05 NN18 5E062 CD04 CD05 CG07
Claims (8)
- 【請求項１】 希土類系永久磁石表面に、付加型ポリイ
ミド樹脂を芳香族溶剤と含酸素溶剤とからなる混合溶剤
に溶解して得られる溶液を塗布した後、１００℃〜４０
０℃の温度範囲内でこれを加熱硬化させることを特徴と
するポリイミド樹脂被膜を有する希土類系永久磁石の製
造方法。 - 【請求項２】 希土類系永久磁石がＲ−Ｆｅ−Ｂ系永久
磁石であることを特徴とする請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 付加型ポリイミド樹脂が下記一般式
（Ｉ）で表されるビスアルケニル置換ナジイミドである
ことを特徴とする請求項１または２記載の製造方法。 【化１】 ［式中、ＡはＣ２〜Ｃ２０のアルキレン基、Ｃ５〜Ｃ８
のシクロアルキレン基、Ｃ６〜Ｃ１２の２価の芳香族
基、−Ａ’ａ−Ｃ６Ｈ４−Ａ”−（ａは０または１、
Ａ’、Ａ”はそれぞれ独立に選ばれたＣ１〜Ｃ４のアル
キレン基）で表されるアルキレン・フェニレン基、−Ｃ
６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−（Ｔはメチレン基、エチリデン
基、プロピリデン基）で表される基を示す。］ - 【請求項４】 芳香族溶剤／含酸素溶剤が重量比で１０
／９０〜９０／１０であることを特徴とする請求項１乃
至３のいずれかに記載の製造方法。 - 【請求項５】 含酸素溶剤がケトン系溶剤、エーテル系
溶剤、エステル系溶剤から選択される少なくとも一種で
あることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載
の製造方法。 - 【請求項６】 含酸素溶剤がメチルエチルケトン、ジエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノ
ン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン
酸メチル、プロピオン酸エチルから選択される少なくと
も一種であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれ
かに記載の製造方法。 - 【請求項７】 希土類系永久磁石が、磁石上に金属被膜
を有するものであることを特徴とする請求項１乃至６の
いずれかに記載の製造方法。 - 【請求項８】 付加型ポリイミド樹脂を芳香族溶剤と含
酸素溶剤とからなる混合溶剤に溶解して得られる溶液が
さらにレベリング剤を含んでいることを特徴とする請求
項１乃至７のいずれかに記載の製造方法。
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