JP2001167907A - チップ型サーミスタ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電極間のはんだブリッジがなく、はんだ耐熱
性とはんだ付着性に優れ、電極のめっき処理による抵抗
値の変化がなく、熱的ストレスに起因した引張応力に対
する強度が高いチップ型サーミスタを容易にかつ安価に
製造する。 【解決手段】 ６面体からなるチップ状サーミスタ素体
１１の下面の相対向する２つの端縁に沿って間隔をあけ
て一対の端子電極１２，１２が設けられ、サーミスタ素
体１１の上面全体に上面絶縁層１４とが設けられる。下
面の一対の電極１２，１２間に下面絶縁層１３を設ける
こともできる。端子電極１２は貴金属を含む下地電極１
６と、この下地電極１６の表面に形成されたＮｉめっき
層１７ａと、このＮｉめっき層１７ａの表面に形成され
たＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層１７ｂとを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント回路基板
等に表面実装されるチップ型サーミスタ及びその製造方
法に関する。更に詳しくは電子機器の温度補償用サーミ
スタや表面温度測定用センサに適し、温度上昇に従って
抵抗値が減少するチップ型サーミスタ及びその製造方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のチップ型サーミスタは、
サーミスタ素体の両端部に銀−パラジウムを主成分とす
る電極が焼付けられている。電極成分に銀の他にパラジ
ウムを含有する理由は、基板にチップ型サーミスタをは
んだ付けする際に、銀がはんだ中に溶出して消失するこ
とを防止し、電極のはんだ耐熱性を得るためである。し
かし、パラジウムの含有量を増加すると電極のはんだ付
着性が低下して基板へのチップ型サーミスタの固着力が
弱くなるため、パラジウムの含有量には一定の限界があ
った。このため電極のはんだ付けが高温で長時間行われ
る場合には、従来のチップ型サーミスタはなおはんだ耐
熱性が不十分であった。はんだ耐熱性とはんだ付着性を
向上させるために、チップ型コンデンサと同様に、焼付
け電極である下地電極の表面にめっき層を設けることが
考えられるが、サーミスタ素体はコンデンサ素体と異な
り導電性を有するため、このサーミスタ素体を露出した
ままめっき処理した場合、素体表面にめっきが付着して
サーミスタの抵抗値が所期の値と異なり、しかもサーミ
スタ素体がめっき液で浸食されてサーミスタの信頼性が
低下する等の不具合を生じる。

【０００３】この点を改善するため、本出願人は焼付け
電極層が接触する部分以外のサーミスタ素体の表面をガ
ラス層で被覆し、焼付け電極層の表面にめっき層を形成
したチップ型サーミスタを特許出願した（特開平３−２
５０６０３）。このチップ型サーミスタは、次の方法に
より製造される。先ずサーミスタ素体用のセラミック焼
結シートの両面にガラスペーストを印刷して焼成するこ
とにより絶縁性のガラス層を形成する。次いで両面がガ
ラス層で被覆された焼結シートを短冊状に切断した後、
両側の切断面に前述と同様にガラスペーストを印刷焼成
してガラス層を形成する。次に前記切断面と垂直な方向
にこの短冊状物を細かく切断してチップを作る。このチ
ップの切断面を包むようにチップの両端部に導電性ペー
ストを塗布し、焼成して焼付け電極層を形成する。更に
この焼付け電極層を下地電極としてこの表面にめっき層
を形成して焼付け電極層とめっき層からなる端子電極を
有するチップ型サーミスタを得る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記チップ型
サーミスタを含め、一般にチップ状サーミスタ素体の両
側面に端子電極を設ける構造のチップ型サーミスタは、
プリント回路基板に表面実装した後の熱的ストレスによ
る引張応力が加わったときにクラックを生じ易い。そし
てクラックが発生するとサーミスタとしての特性が変化
する。また上記製造方法では、ガラス層の被覆を２回に
分けて行う必要がある上、チップになった後に、その両
端部に導電性ペーストを塗布したり、めっき層を形成し
たりする必要がある。このため、チップにした後の取扱
いに多大の注意を払わなければならない。これらのこと
から製造工程が複雑化し、必然的に製造コストが高価に
なる問題点があった。

【０００５】本発明の目的は、電極間にはんだブリッジ
が発生せず、はんだ耐熱性及びはんだ付着性に優れ、電
極のめっき処理による抵抗値の変化がなく、信頼性の高
いチップ型サーミスタを提供することにある。本発明の
別の目的は、熱的ストレスに起因した引張応力に対する
強度が高いチップ型サーミスタを提供することにある。
本発明の別の目的は、表裏の方向性がなく、基板実装前
の作業を容易にするチップ型サーミスタを提供すること
にある。本発明の更に別の目的は、上記優れたチップ型
サーミスタを比較的容易にかつ安価に製造できるチップ
型サーミスタの製造方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】図１〜図３に示すよう
に、本発明の第１のチップ型サーミスタ１０は、６面体
からなるチップ状サーミスタ素体１１と、このサーミス
タ素体１１の下面の相対向する２つの端縁に沿って間隔
をあけて設けられた一対の端子電極１２，１２と、この
サーミスタ素体１１の上面全体に設けられた上面絶縁層
１４とを備えたものである。図４〜図６に示すように、
本発明の第２のチップ型サーミスタ２０は、第１のチッ
プ型サーミスタ１０のサーミスタ素体１１の下面の一対
の端子電極１２，１２間に下面絶縁層１３を設けたもの
である。なお、図１及び図４に示すように、端子電極１
２は貴金属を含む下地電極１６と、この下地電極１６の
表面に形成されたＮｉめっき層１７ａと、このＮｉめっ
き層１７ａの表面に形成されたＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっ
き層１７ｂとを備えることが好ましい。

【０００７】また、本発明の第１のチップ型サーミスタ
１０の製造方法は、図７に示すサーミスタ素体用セラミ
ック焼結シート２１の片面全体に下地電極１６を形成し
（図８及び図９）、焼結シート２１の別の片面全体に絶
縁性ペーストを塗布した後、この焼結シート２１を焼成
して絶縁層１４を形成し（図１０）、下地電極１６の表
面にＮｉめっき層１７ａ及びＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき
層１７ｂをこの順に形成し（図１及び図１０）、この下
地電極１６とめっき層１７からなる電極面をスリット状
に研削して多数列の電極を焼結シート２１の片面に形成
し（図１１）、この焼結シート２１を２列の電極ずつ各
電極が端縁に位置するように短冊状に切断し（図１
２）、短冊状サーミスタ素体２２をその切断面と垂直な
方向でチップ状に切断してチップ型サーミスタ１０を得
る（図１３）方法である。

【０００８】

【発明の実施の形態】(A) 第１のチップ型サーミスタ１
０の製造について： (1) セラミック焼結シートの作製 図７に示すように、サーミスタ素体用セラミック焼結シ
ート２１を用意する。この焼結シート２１は次の方法に
より作られる。先ずＭｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａ
ｌ等の金属の酸化物粉末を１種又は２種以上混合する。
２種以上混合するときは、所定の金属原子比になるよう
に各金属酸化物を秤量する。この混合物を仮焼し粉砕
し、有機結合材を加え混合して直方体に成形した後、焼
成してセラミック焼結ブロック（図示せず）を作製す
る。次いでこのブロックをバンドソーを用いてウエハ状
に切断し、図７に示す焼結シート２１を得る。なお、金
属酸化物の混合物を仮焼し粉砕した後、有機結合材と溶
剤を加え混練してスラリーを調製し、このスラリーをド
クターブレード法等により成膜乾燥してグリーンシート
を成形し、これを焼成し焼結シート２１を得てもよい。

【０００９】(2) 下地電極の形成 次に、図８に示すように、焼結シート２１の片面全体に
貴金属粉末と無機結合材を含む導電性ペーストを塗布し
て焼成する。図９は図８のＦ部拡大図である。この塗布
は導電性ペーストを均一に印刷する印刷法によることが
好ましい。貴金属粉末を例示すれば、Ａｇ，Ａｕ，Ｐ
ｄ，Ｐｔ等の貴金属、又はこれらを混合した粉末が挙げ
られる。この焼成により下地電極１６が焼結シート２１
の片面全体に形成される。なお、導電性ペーストを印刷
法により塗布し、これを焼成して焼付け電極層の下地電
極を形成する以外に、焼結シート２１の片面に溶射法に
より下地電極を形成することもできる。

【００１０】(3) 絶縁層の形成 図１０に示すように、焼結シート２１の下地電極１６が
設けられない片面全体に絶縁性ペーストが塗布される。
この塗布も印刷法によることが好ましい。絶縁性ペース
トはガラスペースト又は樹脂ペーストである。ガラスペ
ーストに含まれるガラス成分又は樹脂ペーストに含まれ
る樹脂は耐めっき性があることが必要である。ガラス成
分は結晶質であっても非結晶質であってもよい。また樹
脂としてはエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂が例示さ
れる。この絶縁性ペーストを塗布した後、焼結シート２
１を熱処理して、１０〜２０μｍ程度の厚さのガラス層
又は樹脂層からなる絶縁層１４が形成される。この絶縁
層１４がガラス層の場合には、ガラス層１４はその熱膨
張係数がサーミスタ素体用焼結シート２１の熱膨張係数
の４０％以上１００％以下であることが好ましい。熱膨
張係数がこの範囲内にあると、ガラス層がない場合に比
較してサーミスタ１０の抗折強度が増加する。

【００１１】抗折強度とは、間隔を設けて配置された２
つの台にチップ型サーミスタの両端を置き、チップ型サ
ーミスタの中央部に応力を加えたときの破壊強度をい
う。これは、チップ型サーミスタをプリント回路基板に
表面実装したときのはんだ等による熱や実装後の熱サイ
クルによって生じる応力歪み（熱的ストレス）にどれだ
け耐えることができるかの目安となる。本発明のガラス
層を有するサーミスタ１０の抗折強度が増加するのは、
サーミスタ素体表面のガラス層に圧縮応力が残留するた
めと考えられる。即ち、製造時に熱膨張していたサーミ
スタ素体１１とガラス層１４が冷えると、熱膨張係数の
大きなサーミスタ素体の方が縮み方が大きく、ガラス層
が圧縮された状態となる。この状態のサーミスタ１０に
折曲げ力を加えると、折曲げの内側には圧縮応力が生
じ、外側には引張応力が生じる。サーミスタ素体とガラ
ス層は、ともに圧縮応力に強く引張応力に弱い特徴があ
る。このため、予めガラス層により圧縮応力を与えてお
くと、ガラス層がない場合に比べて、折曲げ力を加えた
ときにその曲げの外側の引張応力に対してクラックが生
じにくくなる。樹脂層はサーミスタの抗折強度を高める
作用はないが、ガラス層と比べて低い熱処理温度で硬化
して形成できる利点がある。

【００１２】(4) めっき層の形成 図１及び図１０に示すように、下地電極１６の表面にめ
っき層１７を設けて、下地電極１６及びめっき層１７に
より電極を作ることが好ましい。めっき層１７はＮｉめ
っき層１７ａ及びＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層１７ｂを
この順に形成する。これらのめっき層は電解めっきによ
り形成される。めっき浴はＮｉ，Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂと
もそれぞれ公知のものを使用する。めっき層を二重構造
にするのは、Ｎｉめっき層１７ａによりはんだ耐熱性を
向上させはんだによる下地電極１６の電極食われを防止
するためであり、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層１７ｂに
より端子電極１２のはんだ付着性を向上するためであ
る。

【００１３】(5) 多数列の電極の形成 図１０及び図１１に示すように、ダイヤモンドブレード
付き切断機のようなダイシングソーを用いて符号Ｂ部分
の下地電極１６及びめっき層１７からなる電極面をスリ
ット状に研削して多数列の電極を焼結シート２１の片面
に形成する。この研削により多数列の電極の間には凹条
１５が形成される。この凹条１５が最終製品のチップ型
サーミスタ１０の端子電極間のギャップとなる。 (6) 短冊状サーミスタ素体の形成 図１１及び図１２に示すように、矢印Ｍの箇所で凹条１
５を形成した焼結シート２１を２列の電極ずつ各電極が
端縁に位置するように上記ダイシングソーで短冊状に切
断し、短冊状サーミスタ素体２２を得る。 (7) チップ型サーミスタの作製 図１２及び図１３に示すように、上記ダイシングソーを
用いて矢印Ｎの箇所で短冊状サーミスタ素体２２の切断
面と垂直な方向でチップ状に切断してチップ型サーミス
タ１０を得る。図１３で得られたチップ型サーミスタ１
０を裏返せば、図１及び図３のチップ型サーミスタとな
る。

【００１４】(B) 第２のチップ型サーミスタ２０の製造
について： (1) セラミック焼結シートの作製と下地電極の形成 第１のチップ型サーミスタ１０のセラミック焼結シート
と同じ製法でセラミック焼結シート２１を作製する。次
に、図１４に示すように、焼結シート２１の片面に貴金
属粉末と無機結合材を含む導電性ペーストを縞状に塗布
して焼成する。図１５は図１４のＦ部拡大図である。こ
の塗布は所定の縞状パターンを焼結シート２１に重ね合
せて導電性ペーストを印刷する印刷法によることが好ま
しい。導電性ペーストは第１のチップ型サーミスタ１０
のそれと同じである。この焼成により、多数列の下地電
極１６が形成される。ここで、焼結シート２１の一方の
端縁に多数列の下地電極１６すべてに接続するめっき用
電極層１６ａ（図１４）を形成しておくことが好まし
い。なお、導電性ペーストを印刷法により塗布し、これ
を焼成して焼付け電極層の下地電極を形成する以外に、
焼結シート２１の片面に所定の縞状パターンを重ね合せ
て溶射法により下地電極を形成することもできる。

【００１５】(2) 絶縁層の形成 図１６に示すように、焼結シート２１の両面にそれぞれ
同一の絶縁性ペーストを塗布する。この絶縁性ペースト
は第１のチップ型サーミスタ１０の絶縁性ペーストと同
じであって、ガラスペースト又は樹脂ペーストである。
下地電極１６が設けられた片面では、下地電極１６を露
出しかつこれらの電極間を埋めるように絶縁性ペースト
がやはり縞状に塗布される。めっき用電極層１６ａがあ
る場合には、この電極層１６ａも露出される。下地電極
１６が設けられない片面では絶縁性ペーストがシート全
体に塗布される。シート両面への絶縁性ペーストの塗布
は印刷法によることが好ましい。この絶縁性ペーストを
塗布した後、焼結シート２１を熱処理して、１０〜２０
μｍ程度の厚さのガラス層又は樹脂層からなる絶縁層１
３，１４が形成される。絶縁層１３，１４がガラス層の
場合、ガラス層の熱膨張係数は第１のチップ型サーミス
タ１０のガラス層と同じ理由でサーミスタ素体用焼結シ
ート２１の熱膨張係数の４０％以上１００％以下である
ことが好ましい。

【００１６】(3) めっき層の形成 図４及び図１７に示すように、露出した下地電極１６の
表面にめっき層１７を設けて、下地電極１６及びめっき
層１７により多数列の電極を作ることが好ましい。めっ
き層１７はＮｉめっき層１７ａ及びＳｎ又はＳｎ／Ｐｂ
めっき層１７ｂをこの順に形成する。これらのめっき層
は第１のチップ型サーミスタ１０のめっき層と同様に形
成される。 (4) 短冊状サーミスタ素体の形成 図１７及び図１８に示すように、矢印Ｍの箇所でめっき
層１７を形成した焼結シート２１を２列の電極ずつ各電
極が端縁に位置するようにダイヤモンドブレード付き切
断機のようなダイシングソーで短冊状に切断し、短冊状
サーミスタ素体２２を得る。 (5) チップ型サーミスタの作製 図１８及び図１９に示すように、上記ダイシングソーを
用いて矢印Ｎの箇所で短冊状サーミスタ素体２２の切断
面と垂直な方向でチップ状に切断してチップ型サーミス
タ２０を得る。図１９で得られたチップ型サーミスタ２
０を裏返せば、図４及び図６のチップ型サーミスタとな
る。

【００１７】(C) 絶縁性被膜付きチップ型サーミスタの
作製 図２１及び図２２に示すように、第１のチップ型サーミ
スタ１０及び第２のチップ型サーミスタ２０に関して、
それぞれ一対の端子電極１２，１２を有するサーミスタ
素体１１の下面を除く他の５面に絶縁性被膜５０を形成
してもよい。この被膜５０の形成は、図２０に示すよう
に一対の端子電極１２，１２を有するサーミスタ素体１
１の下面を樹脂シート又はフィルム５０ａに張り付けて
マスキングした後、樹脂を化学蒸着することにより行わ
れる。図２０において符号Ｐは化学蒸着時の吹き付け線
を示す。この化学蒸着に適する樹脂としては、ポリパラ
キシリレン樹脂（商品名：パリレン樹脂、ユニオンカー
バイト社製）が挙げられる。なお、化学蒸着の代わりに
熱硬化性樹脂を塗布乾燥した後、熱処理してもよい。

【００１８】図３又は図６に示すように、はんだ２３に
よりプリント回路基板２４にチップ型サーミスタ１０又
は２０を表面実装する。このとき、Ｎｉめっき層１７ａ
によりはんだ耐熱性が向上し、はんだによる下地電極１
６の電極食われが防止され、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき
層１７ｂにより端子電極１２のはんだ付着性が向上す
る。これらのめっき層１７は貴金属の下地電極１６の表
面を被覆するため、貴金属のイオン移動（ion migratio
n）が発生しにくい。また、チップ型サーミスタ２０の
場合、サーミスタ素体１１下面の一対の下地電極１６，
１６間に絶縁層１３が設けられるため、第一にめっき層
形成時にはサーミスタ素体が露出しないことから素体表
面にめっきが付着せず、しかもサーミスタ素体がめっき
液で浸食されず、サーミスタの抵抗値が所期の値に対し
て変動しない。第二に基板へのはんだ付け時には電極間
にはんだブリッジを生じない。チップ型サーミスタ１０
又は２０において、絶縁層１３又は１４がガラス層の場
合にはサーミスタの抗折強度が向上し、熱的ストレスに
対して耐久性の高いものとなる。

【００１９】

【発明の効果】以上述べたように、従来の製造方法で
は、工程数が多く複雑であったものが、本発明の製造方
法によれば、少ない工程で比較的容易にチップ型サーミ
スタを製造できるため、量産に適し、製造コストが安価
になる。特に、下地電極及びめっき層を形成した後でサ
ーミスタ素体を精密に切断することにより、素子の寸
法、電極面積等を厳格に制御できるので、チップになっ
た後の特別な加工を要さず、しかも抵抗値の精度が高い
チップ型サーミスタが得られる。また、下地電極の表面
にめっき層を形成することにより、はんだ耐熱性とはん
だ付着性に優れ、信頼性の高いサーミスタが得られる。

【００２０】特に、本発明の第２のチップ型サーミスタ
のように、プリント回路基板に対向するサーミスタ素体
の一対の端子電極が接触する部分を除いた下面を絶縁層
で被覆すれば、はんだブリッジが発生しなくなり、イオ
ン移動が生じにくくなる。第１及び第２のチップ型サー
ミスタの絶縁層をガラス層で形成すれば、基板実装後の
熱的ストレスに起因した引張応力に対する強度が高い。
更に、第１及び第２のチップ型サーミスタに関して端子
電極を有するサーミスタ素体の下面を除く他の５面に絶
縁性被膜を形成すれば、より一層イオン移動が生じにく
くなるとともに、サーミスタに不測の外力が加わっても
素体が欠けず、また導電性物質が絶縁層を設けていない
サーミスタ素体の側面に付着しても特性が変化しない利
点もある。

【００２１】

【実施例】次に本発明の具体的態様を示すために、本発
明を実施例に基づいて説明する。以下に述べる実施例は
本発明の技術的範囲を限定するものではない。 ＜実施例１＞次の方法により図１〜図３に示す第１のチ
ップ型サーミスタを作製した。先ず市販のマンガン化合
物、ニッケル化合物、コバルト化合物を出発原料とし、
これらをＭｎＯ₂：ＮｉＯ：ＣｏＯに換算して金属原子
比３：１：２の割合でそれぞれ秤量した。秤量物をボー
ルミルで１６時間均一に混合した後に脱水乾燥した。次
いでこの混合物を９００℃で２時間仮焼し、この仮焼物
を再びボールミルで粉砕して脱水乾燥した。粉砕物に有
機結合材を加え、均一に混合した後、混合物を直方体に
圧縮成形した。この圧縮成形物を大気圧下、１２００℃
で４時間焼成し、たて約３５ｍｍ、よこ約５０ｍｍ、厚
さ約１０ｍｍのセラミック焼結ブロック（図示せず）を
作製した。次にこのブロックをバンドソーでウエハ状に
切断し、図７に示すたて約３５ｍｍ、よこ約５０ｍｍ、
厚さ約０．５ｍｍの焼結シート２１を得た。

【００２２】次に、図８及び図９に示すように、焼結シ
ート２１の片面全体に貴金属粉末と無機結合材を含む導
電性ペーストを印刷法により塗布した。導電性ペースト
は市販の銀ペーストであって、 Ａｇ粉末とガラス微粒
子と有機ビヒクルとからなる。導電性ペーストを塗布し
たサーミスタ素体を大気圧下、乾燥した後、３０℃／分
の速度で、８２０℃まで昇温しそこで１０分間保持し、
３０℃／分の速度で室温まで降温してＡｇからなる焼付
け電極層の下地電極１６を得た。図１０に示すように、
焼結シート２１の下地電極１６が設けられない片面全体
に結晶化ガラスを含むペーストを印刷法により塗布し
た。塗布後、焼結シート２１を焼成して、厚さ約１５μ
ｍのガラス層１４を形成した。このガラス層１４の熱膨
張係数は６８×１０^-7／℃であって、焼結シート２１の
熱膨張係数８５×１０^-7／℃より小さい。ガラス層１４
を設けた後、電解めっき法により下地電極１６の表面に
厚さ１〜２μｍのＮｉめっき層１７ａを形成し、続いて
その上に、同様に厚さ３〜６μｍのＳｎめっき層１７ｂ
を形成した（図１及び図３）。

【００２３】図１０〜図１２に示すように、上記切断機
を用いて符号Ｂ部分の下地電極１６及びめっき層１７か
らなる電極面をスリット状に研削して多数列の電極を焼
結シート２１の片面に形成した。次いで図１１〜図１３
に示すように、矢印Ｍの箇所で凹条１５を形成した焼結
シート２１を２列の電極ずつ各電極が端縁に位置するよ
うに上記切断機で短冊状に切断し、短冊状サーミスタ素
体２２を得た後、同一の切断機を用いて矢印Ｎの箇所で
短冊状サーミスタ素体２２の切断面と垂直な方向でチッ
プ状に切断して、図１３に示す幅Ｗ＝約０．５ｍｍ、長
さＬ＝約１．０ｍｍ、厚さＴ＝約０．５ｍｍのチップ型
サーミスタ１０を得た。このチップ型サーミスタ１０は
裏返して、図３に示すようにその端子電極１２，１２が
はんだ２３によりプリント回路基板２４に取付けられ
る。

【００２４】＜比較例１＞Ｎｉめっき層とＳｎめっき層
を設けずに、Ａｇ８０％とＰｄ２０％を含む導電性ペー
ストを８５０℃で焼付けて銀−パラジウムからなる焼付
け電極層のみで端子電極を構成した。それ以外は上記実
施例１と同様に、ガラス層１４を有するチップ型サーミ
スタを作製した。

【００２５】＜比較試験と結果＞ ・はんだ付着性 実施例１のサーミスタと比較例１のサーミスタを３００
個ずつ用意し、２３０℃の温度で溶融させたＡｇ入りの
共晶はんだ（Ｈ６０−Ａ）浴中にピンセットで試料を挟
んで４秒間浸漬し、端子電極のはんだ付着面積を光学顕
微鏡で調べた。その結果を表１に示す。 ・はんだ耐熱性 実施例１のサーミスタと比較例１のサーミスタを３００
個ずつ用意し、３５０℃の温度で溶融させたＡｇ入りの
共晶はんだ（Ｈ６０−Ａ）浴中にピンセットで試料を挟
んで３０秒間浸漬し、端子電極の消失状態を光学顕微鏡
で調べた。その結果を表１に示す。

【表１】 表１から明らかなように比較例１と比べて実施例１のサ
ーミスタははんだ付着性及びはんだ耐熱性に優れてい
た。

【００２６】＜実施例２＞次の方法により図４〜図６に
示す第２のチップ型サーミスタを作製した。

【００２７】先ず実施例１と同様にして図７に示すたて
約３５ｍｍ、よこ約５０ｍｍ、厚さ約０．５ｍｍの焼結
シート２１を得た。次に、図１４及び図１５に示すよう
に、焼結シート２１の片面に実施例１と同じ導電性ペー
ストを印刷法により縞状に塗布した。塗布後、実施例１
と同じ条件でＡｇからなる多数列の焼付け電極の下地電
極１６を形成した。電極１６の幅はすべて同一であり、
電極間は等間隔であった。１つの電極の幅は約０．７ｍ
ｍであり、電極と電極の間隔は約０．４ｍｍであった。
焼結シート２１の一方の端縁に多数列の下地電極１６す
べてに接続するめっき用電極層１６ａを形成した。

【００２８】図１６に示すように、焼結シート２１の両
面にそれぞれ同一の結晶化ガラスを含むペーストを印刷
法により塗布した。下地電極１６間を埋めてガラスペー
ストを塗布するときには下地電極１６の互いに対向する
端縁を覆うように塗布した。塗布後、焼結シート２１を
焼成して、厚さ約１５μｍのガラス層１３，１４を形成
した。これらのガラス層１３，１４の熱膨張係数は実施
例１と同じ６８×１０ ^-7／℃であって、焼結シート２１
の熱膨張係数８５×１０^-7／℃より小さい。めっき用電
極層１６ａにめっき用電極を接続して、電解めっき法に
より下地電極１６の表面に厚さ１〜２μｍのＮｉめっき
層１７ａを形成し、続いてその上に、同様に厚さ３〜６
μｍのＳｎめっき層１７ｂを形成した（図４及び図
６）。

【００２９】図１７〜図１９に示すように、矢印Ｍの箇
所でめっき層１７を形成した焼結シート２１を２列の電
極ずつ各電極が端縁に位置するようにダイヤモンドブレ
ード付き切断機で短冊状に切断し、短冊状サーミスタ素
体２２を得た後、同一の切断機を用いて矢印Ｎの箇所で
短冊状サーミスタ素体２２の切断面と垂直な方向でチッ
プ状に切断して、図１９に示す幅Ｗ＝約０．５ｍｍ、長
さＬ＝約１．０ｍｍ、厚さＴ＝約０．５ｍｍのチップ型
サーミスタ２０を得た。このチップ型サーミスタ２０は
裏返して、図６に示すようにその端子電極１２，１２が
はんだ２３によりプリント回路基板２４に取付けられ
る。

【００３０】＜比較例２＞Ｎｉめっき層とＳｎめっき層
を設けずに、Ａｇ８０％とＰｄ２０％を含む導電性ペー
ストを８５０℃で焼付けて銀−パラジウムからなる焼付
け電極層のみで端子電極を構成した。それ以外は上記実
施例２と同様に、下面ガラス層１３及び上面ガラス層１
４を有するチップ型サーミスタを作製した。

【００３１】＜比較試験と結果＞実施例１及び比較例１
と同様にして、実施例２及び比較例２のはんだ付着性及
びはんだ耐熱性を調べた。その結果、表１と同じデータ
が得られた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１のチップ型サーミスタの外観斜視
図。

【図２】その底面図。

【図３】図２のＡ−Ａ線断面図。

【図４】本発明の第２のチップ型サーミスタの外観斜視
図。

【図５】その底面図。

【図６】図５のＡ’−Ａ’線断面図。

【図７】本発明のチップ型サーミスタのサーミスタ素体
となるセラミック焼結シートの外観斜視図。

【図８】第１のチップ型サーミスタ用にその焼結シート
の片面全体に下地電極が形成された斜視図。

【図９】図８のＦ部拡大斜視図。

【図１０】図９の焼結シートの一方の面の下地電極の表
面にめっき層及び他方の面全体に絶縁層がそれぞれ形成
された斜視図。

【図１１】図１０のＢ部分の電極面が研削された斜視
図。

【図１２】図１１の焼結シートを短冊状に切断した斜視
図。

【図１３】図１２の短冊状サーミスタ素体をチップ状に
切断した斜視図。

【図１４】第２のチップ型サーミスタ用にその焼結シー
トの片面に多数列の下地電極が形成された斜視図。

【図１５】図１４のＦ部拡大斜視図。

【図１６】図１５の焼結シートの一方の面の下地電極間
及び他方の面全体に絶縁層が形成された斜視図。

【図１７】図１６の露出した下地電極の表面にめっき層
が形成された斜視図。

【図１８】図１７の焼結シートを短冊状に切断した斜視
図。

【図１９】図１８の短冊状サーミスタ素体をチップ状に
切断した斜視図。

【図２０】第１又は第２のチップ型サーミスタ用サーミ
スタ素体の端子電極形成面以外の５面に絶縁性被膜を形
成する状況を示す図。

【図２１】その絶縁性被膜が形成された第１のチップ型
サーミスタの図３に対応する断面図。

【図２２】その絶縁性被膜が形成された第２のチップ型
サーミスタの図６に対応する断面図。

【符号の説明】

１０，２０ チップ型サーミスタ １１ サーミスタ素体 １２ 端子電極 １３ 下面絶縁層 １４ 上面絶縁層 １６ 下地電極 １７ めっき層 １７ａ Ｎｉめっき層 １７ｂ Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層 ２１ セラミック焼結シート ２２ 短冊状サーミスタ素体

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ６面体からなるチップ状サーミスタ素体
   (11)と、 前記サーミスタ素体(11)の下面の相対向する２つの端縁
   に沿って間隔をあけて設けられた一対の端子電極(12,1
   2)と、 前記サーミスタ素体(11)の上面全体に設けられた上面絶
   縁層(14)とを備えたチップ型サーミスタ。
2. 【請求項２】 サーミスタ素体(11)の下面の一対の端子
   電極(12,12)間に下面絶縁層(13)が設けられた請求項１
   記載のチップ型サーミスタ。
3. 【請求項３】 端子電極(12)が貴金属を含む下地電極(1
   6)と、この下地電極(16)の表面に形成されたＮｉめっき
   層(17a)と、このＮｉめっき層(17a)の表面に形成された
   Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層(17b)とを備えた請求項１
   又は２記載のチップ型サーミスタ。
4. 【請求項４】 上面絶縁層(14)又は下面絶縁層(13)はガ
   ラス層である請求項１又は２記載のチップ型サーミス
   タ。
5. 【請求項５】 ガラス層はその熱膨張係数がサーミスタ
   素体(11)の熱膨張係数の４０％以上１００％以下である
   請求項４記載のチップ型サーミスタ。
6. 【請求項６】 (a) サーミスタ素体用セラミック焼結シ
   ート(21)の片面全体に下地電極(16)を形成する工程と、 (b) 前記焼結シート(21)の別の片面全体に絶縁性ペース
   トを塗布する工程と、 (c) 前記(b)工程の焼結シート(21)を焼成して絶縁層(1
   4)を形成する工程と、 (d) 前記下地電極(16)の表面にＮｉめっき層(17a)及び
   Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層(17b)をこの順に形成する
   工程と、 (e) 前記下地電極(16)とめっき層(17)からなる電極面を
   スリット状に研削して多数列の電極を前記焼結シート(2
   1)の片面に形成する工程と、 (f) 前記多数列の電極を形成した焼結シート(21)を２列
   の電極ずつ各電極が端縁に位置するように短冊状に切断
   する工程と、 (g) 前記短冊状サーミスタ素体(22)をその切断面と垂直
   な方向でチップ状に切断してチップ状サーミスタ素体(1
   1)の下面の相対向する２つの端縁に沿って間隔をあけて
   一対の端子電極(12,12)を有するチップ型サーミスタ(1
   0)を得る工程とを含むチップ型サーミスタの製造方法。