JP2001161836A - レーザ光照射プローブ - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】皮膚の広い範囲にレーザ光を照射する美肌、脱
毛などのトリートメントの効率を向上させる。 【解決手段】１０個の球レンズ５は、横方向に等間隔に
並べ、上下に千鳥状に配置する。球レンズ５の内側に
は、それぞれ中空のヒートシンク６の開口端面を臨ま
せ、その内部に半導体レーザダイオード７を挿嵌し、半
導体レーザダイオード７の光軸をヒートシンク６の軸心
に一致させる。上下の傾斜面ａ、ｂの半導体レーザダイ
オード７は、それらの光軸が２本の直線Ａ、Ｂを通過す
るように、傾斜して配置する。傾斜面ａ上の半導体レー
ザダイオード７は、その前方の直線Ａを直角に通過し、
傾斜面ｂ上の半導体レーザダイオード７は、その前方の
直線Ｂを直角に通過する。また、上下２列の焦点ｆが互
いに相手の焦点ｆの中間に位置するように、上下の傾斜
面ａ、ｂの半導体レーザダイオード７を千鳥状に配置す
る
毛などのトリートメントの効率を向上させる。 【解決手段】１０個の球レンズ５は、横方向に等間隔に
並べ、上下に千鳥状に配置する。球レンズ５の内側に
は、それぞれ中空のヒートシンク６の開口端面を臨ま
せ、その内部に半導体レーザダイオード７を挿嵌し、半
導体レーザダイオード７の光軸をヒートシンク６の軸心
に一致させる。上下の傾斜面ａ、ｂの半導体レーザダイ
オード７は、それらの光軸が２本の直線Ａ、Ｂを通過す
るように、傾斜して配置する。傾斜面ａ上の半導体レー
ザダイオード７は、その前方の直線Ａを直角に通過し、
傾斜面ｂ上の半導体レーザダイオード７は、その前方の
直線Ｂを直角に通過する。また、上下２列の焦点ｆが互
いに相手の焦点ｆの中間に位置するように、上下の傾斜
面ａ、ｂの半導体レーザダイオード７を千鳥状に配置す
る
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザダイ
オードのレーザ光を皮膚面に照射して美肌、脱毛などの
トリートメントを行うレーザ光照射プローブに関する。
オードのレーザ光を皮膚面に照射して美肌、脱毛などの
トリートメントを行うレーザ光照射プローブに関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】脱毛クリームで毛を除
去した後の皮膚にレーザ光を照射すると、レーザ光が表
皮内メラニンに吸収されて発熱し、皮膚組織にたんぱく
変性が起こる。これにより、皮脂腺や毛乳頭部がダメー
ジを受け、毛包の組織が硬くなって毛の発育が抑制され
る脱毛効果を発揮する。
去した後の皮膚にレーザ光を照射すると、レーザ光が表
皮内メラニンに吸収されて発熱し、皮膚組織にたんぱく
変性が起こる。これにより、皮脂腺や毛乳頭部がダメー
ジを受け、毛包の組織が硬くなって毛の発育が抑制され
る脱毛効果を発揮する。
【０００３】あるいは、シミ・ソバカスなど皮膚の表皮
や真皮に散在する異常な色素細胞にレーザ光を照射する
と、これらの色素細胞が発熱して細かい粒子に分散す
る。分散した異常色素細胞は表面に浮き上がったり、老
廃物となって血管やリンパ管に吸収されて消滅し、正常
な色の皮膚が蘇る美肌効果を発揮する。
や真皮に散在する異常な色素細胞にレーザ光を照射する
と、これらの色素細胞が発熱して細かい粒子に分散す
る。分散した異常色素細胞は表面に浮き上がったり、老
廃物となって血管やリンパ管に吸収されて消滅し、正常
な色の皮膚が蘇る美肌効果を発揮する。
【０００４】このようにレーザ光を照射して脱毛や美肌
などのトリートメントを行う場合、ムダ毛やシミ・ソバ
カスなど皮膚の広い範囲にまんべんなくレーザ光を照射
する必要がある。
などのトリートメントを行う場合、ムダ毛やシミ・ソバ
カスなど皮膚の広い範囲にまんべんなくレーザ光を照射
する必要がある。
【０００５】ところが、これらのトリートメントに使用
する半導体レーザは、発光部断面積が数μｍ〜数十μｍ
と非常に小さいのでＨｅ−Ｎｅレーザなどのように高指
向性を持つ平行な細い直線ビームにはならず、３０°〜
４５°の角度で大きく広がる。そこで、パワー密度を集
中させるために投光レンズで集光することが行われてい
るが、そのようにすると焦点付近おけるビーム径は１〜
２ｍｍとかなり細くなる。このため、１本のビームで皮
膚の広い範囲にわたってまんべんなくレーザ光を照射し
ようとすると、ビーム径が小さいので手間と時間がかか
り、根気を要する面倒な作業になる。
する半導体レーザは、発光部断面積が数μｍ〜数十μｍ
と非常に小さいのでＨｅ−Ｎｅレーザなどのように高指
向性を持つ平行な細い直線ビームにはならず、３０°〜
４５°の角度で大きく広がる。そこで、パワー密度を集
中させるために投光レンズで集光することが行われてい
るが、そのようにすると焦点付近おけるビーム径は１〜
２ｍｍとかなり細くなる。このため、１本のビームで皮
膚の広い範囲にわたってまんべんなくレーザ光を照射し
ようとすると、ビーム径が小さいので手間と時間がかか
り、根気を要する面倒な作業になる。
【０００６】一方、従来から複数の半導体レーザを配列
して多数のレーザ光を照射する装置はあったが、これは
半導体レーザの光出力が数ｍＷ〜数十ｍＷと小さかった
ので、投光レンズで集光した複数のビームを一点に集中
させてパワー不足を補うためのものであった。ところ
が、最近の半導体レーザは光出力が数百ｍＷ〜数Ｗのも
のもあり、１本のビームで十分なパワーを発揮する。
して多数のレーザ光を照射する装置はあったが、これは
半導体レーザの光出力が数ｍＷ〜数十ｍＷと小さかった
ので、投光レンズで集光した複数のビームを一点に集中
させてパワー不足を補うためのものであった。ところ
が、最近の半導体レーザは光出力が数百ｍＷ〜数Ｗのも
のもあり、１本のビームで十分なパワーを発揮する。
【０００７】そこで本発明は、多数のレーザ光のビーム
を一点に集めるのでなく、分散させることによって一度
に照射できる面積を拡げ、皮膚の広い範囲にレーザ光を
照射する美肌、脱毛などのトリートメントの効率を向上
させることを目的になされたものである。
を一点に集めるのでなく、分散させることによって一度
に照射できる面積を拡げ、皮膚の広い範囲にレーザ光を
照射する美肌、脱毛などのトリートメントの効率を向上
させることを目的になされたものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明は以下のように構成した。
めに、本発明は以下のように構成した。
【０００９】すなわち、請求項１の発明は、多数の半導
体レーザダイオードの発光面を同一方向に向けて縦横に
配列し、これらの半導体レーザダイオードの光軸上に投
光レンズを設置すると共に、この光軸を縦方向の内側に
傾斜させて前記投光レンズの焦点を横方向の同一直線上
に結ばせてなるレーザ光照射プローブである。請求項２
の発明は、前記投光レンズの焦点を結ばせる横方向の同
一直線が複数列をなすように前記半導体レーザダイオー
ドを配列してなる請求項１記載のレーザ光照射プローブ
である。請求項３の発明は、前記複数列をなす同一直線
上の焦点が上下に隣接する列の焦点の中間にくるように
前記半導体レーザダイオードを千鳥状に配列してなる請
求項２記載のレーザ光照射プローブである。
体レーザダイオードの発光面を同一方向に向けて縦横に
配列し、これらの半導体レーザダイオードの光軸上に投
光レンズを設置すると共に、この光軸を縦方向の内側に
傾斜させて前記投光レンズの焦点を横方向の同一直線上
に結ばせてなるレーザ光照射プローブである。請求項２
の発明は、前記投光レンズの焦点を結ばせる横方向の同
一直線が複数列をなすように前記半導体レーザダイオー
ドを配列してなる請求項１記載のレーザ光照射プローブ
である。請求項３の発明は、前記複数列をなす同一直線
上の焦点が上下に隣接する列の焦点の中間にくるように
前記半導体レーザダイオードを千鳥状に配列してなる請
求項２記載のレーザ光照射プローブである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００１１】図１と図２に、本発明を実施したレーザ光
照射プローブの正面図と一部を切り欠いた側面図を示
す。レーザ光照射プローブは、レーザ光の照射時間をタ
イマによって制御する制御回路と電源（図示しない）を
内蔵し、横長のヘッド部１に縦長のグリップ部２をＴ字
型に取り付けて正面にＬＥＤランプ３と押しスイッチ４
を配置する。
照射プローブの正面図と一部を切り欠いた側面図を示
す。レーザ光照射プローブは、レーザ光の照射時間をタ
イマによって制御する制御回路と電源（図示しない）を
内蔵し、横長のヘッド部１に縦長のグリップ部２をＴ字
型に取り付けて正面にＬＥＤランプ３と押しスイッチ４
を配置する。
【００１２】押しスイッチ４は、１つのスイッチを操作
して電源のオン・オフと照射時間の設定を行う。すなわ
ち、始めに押しスイッチ４を押すと、電源がオンとな
り、照射時間１秒が設定される。このときＬＥＤランプ
３が緑色点灯する。次に押しスイッチ４を押すと、照射
時間２秒が設定され、ＬＥＤランプ３が緑色点滅する。
さらに押しスイッチ４を押していくと、照射時間３〜６
秒が順次設定され、ＬＥＤランプ３が設定秒数に応じて
橙色点灯、橙色点滅、赤色点灯、赤色点滅に切換わる。
最後に押しスイッチ４をロングオン（１．５秒）する
と、電源がオフになる。照射時間の設定は、皮膚に一過
性のダメージを与えないために、このようにタイマにご
く短い１〜６秒のカウント値を設定する。
して電源のオン・オフと照射時間の設定を行う。すなわ
ち、始めに押しスイッチ４を押すと、電源がオンとな
り、照射時間１秒が設定される。このときＬＥＤランプ
３が緑色点灯する。次に押しスイッチ４を押すと、照射
時間２秒が設定され、ＬＥＤランプ３が緑色点滅する。
さらに押しスイッチ４を押していくと、照射時間３〜６
秒が順次設定され、ＬＥＤランプ３が設定秒数に応じて
橙色点灯、橙色点滅、赤色点灯、赤色点滅に切換わる。
最後に押しスイッチ４をロングオン（１．５秒）する
と、電源がオフになる。照射時間の設定は、皮膚に一過
性のダメージを与えないために、このようにタイマにご
く短い１〜６秒のカウント値を設定する。
【００１３】ヘッド部１は、その正面が横方向の屈曲線
に沿ってＶ字の谷形に折り曲げた形状で、この谷の上下
の傾斜面ａ、ｂにそれぞれ１０個の通孔を穿って各通孔
に投光用の球レンズ５をそれぞれ挿嵌する。１０個の球
レンズ５は、横方向に等間隔に並べ、上下に千鳥状に配
置する。上下の傾斜面ａ、ｂに配置する球レンズ５の数
は任意とし、それぞれ１０個に限定するものではない。
に沿ってＶ字の谷形に折り曲げた形状で、この谷の上下
の傾斜面ａ、ｂにそれぞれ１０個の通孔を穿って各通孔
に投光用の球レンズ５をそれぞれ挿嵌する。１０個の球
レンズ５は、横方向に等間隔に並べ、上下に千鳥状に配
置する。上下の傾斜面ａ、ｂに配置する球レンズ５の数
は任意とし、それぞれ１０個に限定するものではない。
【００１４】球レンズ５の内側には、それぞれ中空のヒ
ートシンク６の開口端面を臨ませ、その内部に半導体レ
ーザダイオード７を挿嵌し、半導体レーザダイオード７
の光軸をヒートシンク６の軸心に一致させる。上下の傾
斜面ａ、ｂの半導体レーザダイオード７は、図３に示す
ように、それらの光軸が２本の直線Ａ、Ｂを通過するよ
うに、傾斜して配置する。傾斜面ａ上の半導体レーザダ
イオード７は、その前方の直線Ａを直角に通過し、傾斜
面ｂ上の半導体レーザダイオード７は、その前方の直線
Ｂを直角に通過する。図４は、本直線Ａ、Ｂ上に結ぶ１
０個の球レンズ５の焦点ｆをあらわしている。このよう
に、上下２列の焦点ｆが互いに相手の焦点ｆの中間に位
置するように、上下の傾斜面ａ、ｂの半導体レーザダイ
オード７を千鳥状に配置する
ートシンク６の開口端面を臨ませ、その内部に半導体レ
ーザダイオード７を挿嵌し、半導体レーザダイオード７
の光軸をヒートシンク６の軸心に一致させる。上下の傾
斜面ａ、ｂの半導体レーザダイオード７は、図３に示す
ように、それらの光軸が２本の直線Ａ、Ｂを通過するよ
うに、傾斜して配置する。傾斜面ａ上の半導体レーザダ
イオード７は、その前方の直線Ａを直角に通過し、傾斜
面ｂ上の半導体レーザダイオード７は、その前方の直線
Ｂを直角に通過する。図４は、本直線Ａ、Ｂ上に結ぶ１
０個の球レンズ５の焦点ｆをあらわしている。このよう
に、上下２列の焦点ｆが互いに相手の焦点ｆの中間に位
置するように、上下の傾斜面ａ、ｂの半導体レーザダイ
オード７を千鳥状に配置する
【００１５】球レンズ５は、半導体レーザダイオード７
のレーザ光を集光して前方の焦点にビームウエストを形
成するが、焦点距離が通常のレンズより短いので、焦点
深度もわずかで狭い範囲に光パワーを絞り込むことがで
きる。また、焦点を過ぎた位置からは逆に同じ角度で広
がり、広い範囲に光パワーが分散する。このため、焦点
を過ぎた位置ではエネルギー密度が低くなって光パワー
が衰えるので、誤って照射しても生体を損傷する危険性
が少なくなる。
のレーザ光を集光して前方の焦点にビームウエストを形
成するが、焦点距離が通常のレンズより短いので、焦点
深度もわずかで狭い範囲に光パワーを絞り込むことがで
きる。また、焦点を過ぎた位置からは逆に同じ角度で広
がり、広い範囲に光パワーが分散する。このため、焦点
を過ぎた位置ではエネルギー密度が低くなって光パワー
が衰えるので、誤って照射しても生体を損傷する危険性
が少なくなる。
【００１６】ヒートシンク６は、半導体レーザダイオー
ド７の動作時の発熱を熱伝導によって拡散させて性能の
低下を抑える。このため、熱伝導効率のよいアルミある
いはその合金で鋳造し、ダミーの通孔をいくつか設けて
放熱効率を高める。
ド７の動作時の発熱を熱伝導によって拡散させて性能の
低下を抑える。このため、熱伝導効率のよいアルミある
いはその合金で鋳造し、ダミーの通孔をいくつか設けて
放熱効率を高める。
【００１７】半導体レーザダイオード７は、ＧａＡｓ
（ガリウムアルセナイド）などの化合物半導体を用いた
ＰＮ接合ダイオードに直接電流を流して励起し、レーザ
発振を得る。また、ピーク波長６００〜１６００ｎｍ、
光出力５ｍＷ〜３Ｗのレーザ光を出力し、熱効率が良く
て皮膚に十分な光熱反応を起こす。さらに、熱反応のほ
か、光電気反応、光磁気反応、光力学反応、光化学反
応、光免疫反応、光酵素反応などがあり、光生物学的活
性化により生体組織の新陳代謝を促して皮膚血行を高
め、水分や血液に吸収されにくいため、優れた皮膚深達
性を持つ。
（ガリウムアルセナイド）などの化合物半導体を用いた
ＰＮ接合ダイオードに直接電流を流して励起し、レーザ
発振を得る。また、ピーク波長６００〜１６００ｎｍ、
光出力５ｍＷ〜３Ｗのレーザ光を出力し、熱効率が良く
て皮膚に十分な光熱反応を起こす。さらに、熱反応のほ
か、光電気反応、光磁気反応、光力学反応、光化学反
応、光免疫反応、光酵素反応などがあり、光生物学的活
性化により生体組織の新陳代謝を促して皮膚血行を高
め、水分や血液に吸収されにくいため、優れた皮膚深達
性を持つ。
【００１８】ヘッド部１の先端面の外周には、スペーサ
としての役割を果たし、球レンズ５と皮膚に接する開口
端面との距離を一定に保つ角筒形のアジャスタ８を着脱
自在に取り付ける。アジャスタ８は、透明アクリルで形
成してレーザ光の照射面が外側から観察できると都合が
よい。また、先端の開口縁部の一部を切り欠いて通風用
の切り込みを設ける。
としての役割を果たし、球レンズ５と皮膚に接する開口
端面との距離を一定に保つ角筒形のアジャスタ８を着脱
自在に取り付ける。アジャスタ８は、透明アクリルで形
成してレーザ光の照射面が外側から観察できると都合が
よい。また、先端の開口縁部の一部を切り欠いて通風用
の切り込みを設ける。
【００１９】本発明のレーザ光照射プローブは以上のよ
うな構成で、トリートメントを行うときは、まず、押し
スイッチ４を押して電源をオンにする。電源をオンにす
ると、半導体レーザダイオード７が既定の１秒間点灯
し、その後１秒間休止する。以後この照射と休止を繰り
返す。照射時間を変更する場合は、押しスイッチ４を押
しながら１〜６秒の範囲で所望の照射時間を設定する。
半導体レーザダイオード７が点灯したら、アジャスタ８
の開口端面をトリートメントすべき皮膚面に押し当て、
設定した時間だけレーザ光を照射する。レーザ光を照射
した後は、次の休止時間の間に位置を移動し、以後この
照射と休止を繰り返してヘッド部１を縦に移動しながら
トリートメントを継続する。
うな構成で、トリートメントを行うときは、まず、押し
スイッチ４を押して電源をオンにする。電源をオンにす
ると、半導体レーザダイオード７が既定の１秒間点灯
し、その後１秒間休止する。以後この照射と休止を繰り
返す。照射時間を変更する場合は、押しスイッチ４を押
しながら１〜６秒の範囲で所望の照射時間を設定する。
半導体レーザダイオード７が点灯したら、アジャスタ８
の開口端面をトリートメントすべき皮膚面に押し当て、
設定した時間だけレーザ光を照射する。レーザ光を照射
した後は、次の休止時間の間に位置を移動し、以後この
照射と休止を繰り返してヘッド部１を縦に移動しながら
トリートメントを継続する。
【００２０】上下２列の直線状に配置した多数のレーザ
光のスポットを皮膚に照射すると、皮膚内部ではレーザ
光が高密度に拡散して横方向に均一に作用する。また、
横方向に均一に作用する直線状のスポットを縦方向に移
動すると一度に広い面積を効率よく照射することができ
る。
光のスポットを皮膚に照射すると、皮膚内部ではレーザ
光が高密度に拡散して横方向に均一に作用する。また、
横方向に均一に作用する直線状のスポットを縦方向に移
動すると一度に広い面積を効率よく照射することができ
る。
【００２１】レーザ光は、その波長によってメラニンや
異常な色素細胞など特定の色素だけに反応する色素選択
性がある。このため、皮膚内部でレーザ光を高密度に拡
散させても周りの正常な細胞には影響を与えることはな
い。
異常な色素細胞など特定の色素だけに反応する色素選択
性がある。このため、皮膚内部でレーザ光を高密度に拡
散させても周りの正常な細胞には影響を与えることはな
い。
【００２２】上下２列の直線状のスポットは、半導体レ
ーザダイオード７と球レンズ５を隙間なく配列すること
により、レーザ光の空白部分をなくしてパワー密度をよ
り高密度にすることができる。
ーザダイオード７と球レンズ５を隙間なく配列すること
により、レーザ光の空白部分をなくしてパワー密度をよ
り高密度にすることができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明のレーザ光照
射プローブは、縦横に配列した半導体レーザダイオード
の光軸上に投光レンズを設置し、その焦点を複数列の横
方向の同一直線上に結ばせる。また、複数列の同一直線
上に結ばせる焦点が上下に隣接する列の焦点の中間にく
るように半導体レーザダイオードを配列する。従って、
本発明によれば、多数のレーザ光を横方向の同一直線上
に高密度に照射するので、これを縦方向に移動させて一
度に広い面積を照射することにより、皮膚の広い範囲に
わたってレーザ光を照射する脱毛や美肌などのトリート
メントの効率を大幅に向上させることができる。
射プローブは、縦横に配列した半導体レーザダイオード
の光軸上に投光レンズを設置し、その焦点を複数列の横
方向の同一直線上に結ばせる。また、複数列の同一直線
上に結ばせる焦点が上下に隣接する列の焦点の中間にく
るように半導体レーザダイオードを配列する。従って、
本発明によれば、多数のレーザ光を横方向の同一直線上
に高密度に照射するので、これを縦方向に移動させて一
度に広い面積を照射することにより、皮膚の広い範囲に
わたってレーザ光を照射する脱毛や美肌などのトリート
メントの効率を大幅に向上させることができる。
【図１】本発明を実施したレーザ光照射プローブの正面
図である。
図である。
【図２】図１の一部を切り欠いた側面図である。
【図３】半導体レーザダイオードの配置を示す平面図で
ある。
ある。
【図４】本発明を実施したレーザ光照射プローブの焦点
の模式図である。
の模式図である。
１ ヘッド部 ２ グリップ部 ３ ＬＥＤランプ ４ 押しスイッチ ５ 球レンズ ６ ヒートシンク ７ 半導体レーザダイオード ８ アジャスタ ａ、ｂ 傾斜面
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年２月２３日（２００１．２．２
３）
３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 レーザ光照射プローブ
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザダイ
オードのレーザ光を皮膚面に照射することにより、美
肌、脱毛などのトリートメントを行うレーザ光照射プロ
ーブの改良に関する。
オードのレーザ光を皮膚面に照射することにより、美
肌、脱毛などのトリートメントを行うレーザ光照射プロ
ーブの改良に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】脱毛クリームで毛を除
去した後の皮膚にレーザ光を照射すると、レーザ光が表
皮内メラニンに吸収されて発熱し、皮膚組織にたんぱく
変性が起こる。これにより、皮脂腺や毛乳頭部がダメー
ジを受け、毛包の組織が硬くなり、毛の発育が抑制され
て脱毛効果を発揮する。
去した後の皮膚にレーザ光を照射すると、レーザ光が表
皮内メラニンに吸収されて発熱し、皮膚組織にたんぱく
変性が起こる。これにより、皮脂腺や毛乳頭部がダメー
ジを受け、毛包の組織が硬くなり、毛の発育が抑制され
て脱毛効果を発揮する。
【０００３】また、シミ・ソバカスなど皮膚の表皮や真
皮に散在する異常な色素細胞にレーザ光を照射すると、
これらの色素細胞が発熱して細かい粒子に分散する。分
散した異常色素細胞は皮膚表面に浮き上がったり、老廃
物となって血管やリンパ管に吸収されて消滅したりし
て、正常な色の皮膚が蘇る美肌効果を発揮する。
皮に散在する異常な色素細胞にレーザ光を照射すると、
これらの色素細胞が発熱して細かい粒子に分散する。分
散した異常色素細胞は皮膚表面に浮き上がったり、老廃
物となって血管やリンパ管に吸収されて消滅したりし
て、正常な色の皮膚が蘇る美肌効果を発揮する。
【０００４】このようにレーザ光を照射して脱毛や美肌
などのトリートメントを行う場合、ムダ毛やシミ・ソバ
カスなど、皮膚の広い範囲にまんべんなくレーザ光を照
射する必要がある。
などのトリートメントを行う場合、ムダ毛やシミ・ソバ
カスなど、皮膚の広い範囲にまんべんなくレーザ光を照
射する必要がある。
【０００５】ところが、これらのトリートメントに使用
する半導体レーザは、発光部の面積が数μm2〜数十μm2
と非常に小さいので、Ｈｅ−Ｎｅレーザなどのように高
指向性を持つ平行な細い直線ビームにはならず、ビーム
が３０°〜４５°の角度で広がる。そこで、照射面での
エネルギー密度を集中させるために、集光レンズでビー
ムを集光することが行われている。そうすれば、半導体
レーザでも、焦点付近のビーム径が１〜２ｍｍとかなり
細くなる。ところが、１本のビームを使用して皮膚の広
い範囲にわたってまんべんなくレーザ光を照射する場
合、このようなビーム径では小さすぎるため、手間と時
間がかかり、根気を要する面倒な作業になる。
する半導体レーザは、発光部の面積が数μm2〜数十μm2
と非常に小さいので、Ｈｅ−Ｎｅレーザなどのように高
指向性を持つ平行な細い直線ビームにはならず、ビーム
が３０°〜４５°の角度で広がる。そこで、照射面での
エネルギー密度を集中させるために、集光レンズでビー
ムを集光することが行われている。そうすれば、半導体
レーザでも、焦点付近のビーム径が１〜２ｍｍとかなり
細くなる。ところが、１本のビームを使用して皮膚の広
い範囲にわたってまんべんなくレーザ光を照射する場
合、このようなビーム径では小さすぎるため、手間と時
間がかかり、根気を要する面倒な作業になる。
【０００６】一方、従来から複数の半導体レーザを配備
して２以上のレーザ光を照射する装置はあったが、これ
は半導体レーザ1個の光出力が数ｍＷ〜数十ｍＷと小さ
かったので、複数のビームを一点に集中させてパワー不
足を補うためのものであった。ところが、最近の半導体
レーザは光出力が数百ｍＷ〜数Ｗのものもあり、１本の
ビームで十分なパワーを発揮する。
して２以上のレーザ光を照射する装置はあったが、これ
は半導体レーザ1個の光出力が数ｍＷ〜数十ｍＷと小さ
かったので、複数のビームを一点に集中させてパワー不
足を補うためのものであった。ところが、最近の半導体
レーザは光出力が数百ｍＷ〜数Ｗのものもあり、１本の
ビームで十分なパワーを発揮する。
【０００７】そこで本発明は、多数のレーザ光のビーム
を一点に重ね集めるのでなく、線状に分布させることに
よって、一度に照射できる面積を拡げ、皮膚の広い範囲
にレーザ光が照射できるようにし、美肌や脱毛などのト
リートメントの効率を向上させることを目的とする。本
発明のもう一つの目的は、ビームの焦点の分布密度を高
めて場所的な照射強度を平均化することにより、均一な
トリートメントが行えるようにすることにある。
を一点に重ね集めるのでなく、線状に分布させることに
よって、一度に照射できる面積を拡げ、皮膚の広い範囲
にレーザ光が照射できるようにし、美肌や脱毛などのト
リートメントの効率を向上させることを目的とする。本
発明のもう一つの目的は、ビームの焦点の分布密度を高
めて場所的な照射強度を平均化することにより、均一な
トリートメントが行えるようにすることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明は以下のように構成した。すなわち、請求
項１の発明は、複数個の半導体レーザダイオードを等間
隔に横二列に並べると共に、一方の列の各半導体レーザ
ダイオードを、他方の列において隣接する半導体レーザ
ダイオードの中間位置にのぞませ、そして、一方の列の
半導体レーザダイオードの平行な光軸をすべて含む一方
の光平面と、他方の列の半導体レーザダイオードの平行
な光軸をすべて含む他方の光平面とが互いに交差するよ
うに、前記二列の半導体レーザダイオードを傾斜して設
置し、さらに、各半導体レーザダイオードの光軸上に集
光レンズをそれぞれ設置して、前記ふたつの光平面の交
差する線上に前記集光レンズの焦点を結ばせる構成であ
る。
めに、本発明は以下のように構成した。すなわち、請求
項１の発明は、複数個の半導体レーザダイオードを等間
隔に横二列に並べると共に、一方の列の各半導体レーザ
ダイオードを、他方の列において隣接する半導体レーザ
ダイオードの中間位置にのぞませ、そして、一方の列の
半導体レーザダイオードの平行な光軸をすべて含む一方
の光平面と、他方の列の半導体レーザダイオードの平行
な光軸をすべて含む他方の光平面とが互いに交差するよ
うに、前記二列の半導体レーザダイオードを傾斜して設
置し、さらに、各半導体レーザダイオードの光軸上に集
光レンズをそれぞれ設置して、前記ふたつの光平面の交
差する線上に前記集光レンズの焦点を結ばせる構成であ
る。
【０００９】請求項２の発明は、ヘッド部に正面に向け
開口した凹溝を形成し、その凹溝の内側の溝面に、凹溝
の長さ方向に沿って、複数個の半導体レーザダイオード
を二列一組として二組並べると共に、前記二組とも、二
列のうちの一方の列の各半導体レーザダイオードを、他
方の列において隣接する半導体レーザダイオードの中間
位置にのぞませ、そして、前記一方の列の半導体レーザ
ダイオードの平行な光軸をすべて含む一方の光平面と、
前記他方の列の半導体レーザダイオードの平行な光軸を
すべて含む他方の光平面とが互いに交差するように、二
列の半導体レーザダイオードを傾斜して設置し、さら
に、各半導体レーザダイオードの光軸上に集光レンズを
それぞれ設置して、前記ふたつの光平面の交差する線上
に前記集光レンズの焦点を結ばせて焦点列を形成し、し
かして、一方の組の焦点列と他方の組の焦点列を２本の
平行線上に配置すると共に、一方の組の焦点列における
焦点間に、他方の組の焦点列における焦点が位置するよ
うに半導体レーザダイオードを配列する構成である。
開口した凹溝を形成し、その凹溝の内側の溝面に、凹溝
の長さ方向に沿って、複数個の半導体レーザダイオード
を二列一組として二組並べると共に、前記二組とも、二
列のうちの一方の列の各半導体レーザダイオードを、他
方の列において隣接する半導体レーザダイオードの中間
位置にのぞませ、そして、前記一方の列の半導体レーザ
ダイオードの平行な光軸をすべて含む一方の光平面と、
前記他方の列の半導体レーザダイオードの平行な光軸を
すべて含む他方の光平面とが互いに交差するように、二
列の半導体レーザダイオードを傾斜して設置し、さら
に、各半導体レーザダイオードの光軸上に集光レンズを
それぞれ設置して、前記ふたつの光平面の交差する線上
に前記集光レンズの焦点を結ばせて焦点列を形成し、し
かして、一方の組の焦点列と他方の組の焦点列を２本の
平行線上に配置すると共に、一方の組の焦点列における
焦点間に、他方の組の焦点列における焦点が位置するよ
うに半導体レーザダイオードを配列する構成である。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００１１】図１と図２に、本発明を実施したレーザ光
照射プローブを示す。レーザ光照射プローブは、レーザ
光の照射時間をタイマによって制御する制御回路及び電
源（図示しない）を内蔵し、横長のヘッド部１に縦長の
グリップ部２をＴ字型に取り付けて、正面にＬＥＤラン
プ３と押しスイッチ４を配置した構成である。
照射プローブを示す。レーザ光照射プローブは、レーザ
光の照射時間をタイマによって制御する制御回路及び電
源（図示しない）を内蔵し、横長のヘッド部１に縦長の
グリップ部２をＴ字型に取り付けて、正面にＬＥＤラン
プ３と押しスイッチ４を配置した構成である。
【００１２】押しスイッチ４は、これを操作して電源の
オン・オフと、照射繰り返し周期の照射時間（オンタイ
ム）を設定する。すなわち、始めに押しスイッチ４を押
すと、電源がオンとなり、照射時間１秒が設定される。
このときＬＥＤランプ３が緑色に点灯する。次に押しス
イッチ４をもう一度押すと、照射時間が２秒に設定さ
れ、ＬＥＤランプ３が緑色の点滅を繰り返して照射時間
が２秒であることを知らせる。さらに押しスイッチ４を
押していくと、押すたびに照射時間が３秒から６秒まで
順次切り換わって、ＬＥＤランプ３が設定した照射時間
に応じて橙色点灯、橙色点滅、赤色点灯、赤色点滅に順
次切り換わる。最後に押しスイッチ４をロングオン
（１．５秒間押し続ける）すると、電源がオフになる。
ＬＥＤランプ３の上方に、ランプの色と点灯・点滅を区
別するアイコンを、秒数を意味する１〜６の数字と共に
表示し、この表示を参照して、実際のＬＥＤランプ３の
色及び点灯・点滅状態から照射時間を読み取る。照射時
間の設定は、皮膚に一過性のダメージを与えないため
に、このようにタイマにごく短い１〜６秒のカウント値
を設定する。
オン・オフと、照射繰り返し周期の照射時間（オンタイ
ム）を設定する。すなわち、始めに押しスイッチ４を押
すと、電源がオンとなり、照射時間１秒が設定される。
このときＬＥＤランプ３が緑色に点灯する。次に押しス
イッチ４をもう一度押すと、照射時間が２秒に設定さ
れ、ＬＥＤランプ３が緑色の点滅を繰り返して照射時間
が２秒であることを知らせる。さらに押しスイッチ４を
押していくと、押すたびに照射時間が３秒から６秒まで
順次切り換わって、ＬＥＤランプ３が設定した照射時間
に応じて橙色点灯、橙色点滅、赤色点灯、赤色点滅に順
次切り換わる。最後に押しスイッチ４をロングオン
（１．５秒間押し続ける）すると、電源がオフになる。
ＬＥＤランプ３の上方に、ランプの色と点灯・点滅を区
別するアイコンを、秒数を意味する１〜６の数字と共に
表示し、この表示を参照して、実際のＬＥＤランプ３の
色及び点灯・点滅状態から照射時間を読み取る。照射時
間の設定は、皮膚に一過性のダメージを与えないため
に、このようにタイマにごく短い１〜６秒のカウント値
を設定する。
【００１３】ヘッド部１には、その正面に断面Ｖ字形の
凹溝を左右方向に形成し、この凹溝を構成する傾斜面
ａ、ｂに、それぞれ１０個の通孔を穿って、各通孔に集
光用の球レンズ５をそれぞれ嵌め込んで固定する。傾斜
面ａ、ｂとも、それぞれ１０個の球レンズ５は、横二列
に等間隔に並び、且つ、一方の列の球レンズの間に他方
の列の球レンズがのぞむように、二列の球レンズが千鳥
状に配置されている。傾斜面ａ、ｂに設ける球レンズ５
の数は１０個に限らない。必要に応じて任意の個数を配
置できる。凹溝も断面Ｖ字形に限らない。断面Ｕ字形で
もよい。
凹溝を左右方向に形成し、この凹溝を構成する傾斜面
ａ、ｂに、それぞれ１０個の通孔を穿って、各通孔に集
光用の球レンズ５をそれぞれ嵌め込んで固定する。傾斜
面ａ、ｂとも、それぞれ１０個の球レンズ５は、横二列
に等間隔に並び、且つ、一方の列の球レンズの間に他方
の列の球レンズがのぞむように、二列の球レンズが千鳥
状に配置されている。傾斜面ａ、ｂに設ける球レンズ５
の数は１０個に限らない。必要に応じて任意の個数を配
置できる。凹溝も断面Ｖ字形に限らない。断面Ｕ字形で
もよい。
【００１４】球レンズ５の内側には、円筒形のヒートシ
ンク６をそれぞれ取り付ける。そしてヒートシンク６の
内部に半導体レーザダイオード７を固定して、半導体レ
ーザダイオード７の光軸をヒートシンク６の軸心に一致
させる。そして傾斜面ａの半導体レーザダイオード７
は、図２に示すように、それらの光軸が１本の直線Ａを
通過するように傾斜して配置し、同様に、傾斜面bの半
導体レーザダイオード７は、それらの光軸が１本の直線
Ｂ を通過するように傾斜して配置する。ここで直線Ａ,
Ｂは平行で、各直線上に並ぶ半導体レーザダイオード７
の焦点列が、互いに一方の焦点列の焦点ｆの間に他方の
焦点列の焦点ｆがのぞむように、半導体レーザダイオー
ド７を配置する(図４)。すなわち２０個の半導体レーザ
ダイオード７は凹溝の長さ方向に直交する方向から観察
した場合、互いに重ならないように分散して配置する
(図1)。このため、２０個の半導体レーザダイオード７
の光軸は、平面図では図３のように、重ならずに等間隔
に分布する。図５は、ある傾斜面に取り付けられた１０
個の半導体レーザダイオードの位置関係を示している。
図５から明らかなように、半導体レーザダイオード７
は、等間隔に５個づつ横二列に並べられ、一方の列の半
導体レーザダイオードが、他方の列の半導体レーザダイ
オードの中間位置にのぞむように千鳥状に配置されてい
る。各列の半導体レーザダイオードの光軸は平行で、そ
れぞれ一つの光平面１１、１２上に位置し、これらの光
平面は互いに交差している。この交差する直線が前記の
焦点列が形成される直線ＡまたはＢに相当する。図５よ
り、二列の半導体レーザダイオードの焦点が直線Ａまた
はＢ上に交互に並ぶ様子が理解できる。このように、上
下２列の焦点ｆが互いに相手の焦点ｆの中間に位置する
ように、上下の傾斜面ａ、ｂの半導体レーザダイオード
７は千鳥状に配置されている。
ンク６をそれぞれ取り付ける。そしてヒートシンク６の
内部に半導体レーザダイオード７を固定して、半導体レ
ーザダイオード７の光軸をヒートシンク６の軸心に一致
させる。そして傾斜面ａの半導体レーザダイオード７
は、図２に示すように、それらの光軸が１本の直線Ａを
通過するように傾斜して配置し、同様に、傾斜面bの半
導体レーザダイオード７は、それらの光軸が１本の直線
Ｂ を通過するように傾斜して配置する。ここで直線Ａ,
Ｂは平行で、各直線上に並ぶ半導体レーザダイオード７
の焦点列が、互いに一方の焦点列の焦点ｆの間に他方の
焦点列の焦点ｆがのぞむように、半導体レーザダイオー
ド７を配置する(図４)。すなわち２０個の半導体レーザ
ダイオード７は凹溝の長さ方向に直交する方向から観察
した場合、互いに重ならないように分散して配置する
(図1)。このため、２０個の半導体レーザダイオード７
の光軸は、平面図では図３のように、重ならずに等間隔
に分布する。図５は、ある傾斜面に取り付けられた１０
個の半導体レーザダイオードの位置関係を示している。
図５から明らかなように、半導体レーザダイオード７
は、等間隔に５個づつ横二列に並べられ、一方の列の半
導体レーザダイオードが、他方の列の半導体レーザダイ
オードの中間位置にのぞむように千鳥状に配置されてい
る。各列の半導体レーザダイオードの光軸は平行で、そ
れぞれ一つの光平面１１、１２上に位置し、これらの光
平面は互いに交差している。この交差する直線が前記の
焦点列が形成される直線ＡまたはＢに相当する。図５よ
り、二列の半導体レーザダイオードの焦点が直線Ａまた
はＢ上に交互に並ぶ様子が理解できる。このように、上
下２列の焦点ｆが互いに相手の焦点ｆの中間に位置する
ように、上下の傾斜面ａ、ｂの半導体レーザダイオード
７は千鳥状に配置されている。
【００１５】球レンズ５は、半導体レーザダイオード７
のレーザ光を集光して前方の焦点にビームウエストを形
成するが、焦点距離が通常のレンズより短いので、焦点
深度もわずかで狭い範囲に光パワーを絞り込むことがで
きる。また、焦点を過ぎた位置からは逆に同じ角度で広
がり、広い範囲に光パワーが分散する。このため、焦点
を過ぎた位置ではエネルギー密度が低くなって光パワー
が衰えるので、誤って照射しても生体を損傷する危険性
が少ない。
のレーザ光を集光して前方の焦点にビームウエストを形
成するが、焦点距離が通常のレンズより短いので、焦点
深度もわずかで狭い範囲に光パワーを絞り込むことがで
きる。また、焦点を過ぎた位置からは逆に同じ角度で広
がり、広い範囲に光パワーが分散する。このため、焦点
を過ぎた位置ではエネルギー密度が低くなって光パワー
が衰えるので、誤って照射しても生体を損傷する危険性
が少ない。
【００１６】ヒートシンク６は、半導体レーザダイオー
ド７の動作中の発熱を熱伝導によって周囲に放散して、
熱による半導体レーザダイオードの出力低下を抑える。
このため、熱伝導効率のよいアルミあるいはその合金で
鋳造し、ダミーの通孔をいくつか設けて放熱効率を高め
る。
ド７の動作中の発熱を熱伝導によって周囲に放散して、
熱による半導体レーザダイオードの出力低下を抑える。
このため、熱伝導効率のよいアルミあるいはその合金で
鋳造し、ダミーの通孔をいくつか設けて放熱効率を高め
る。
【００１７】半導体レーザダイオード７は、ＧａＡｓ
（ガリウムアルセナイド）などの化合物半導体を用いた
ＰＮ接合ダイオードに直接電流を流して励起し、レーザ
発振を得る。この種の半導体レーザダイオードは、ピー
ク波長６００〜１６００ｎｍ、光出力５ｍＷ〜３Ｗのレ
ーザ光を出力し、熱効率が良くて皮膚に十分な光熱反応
を起こす。さらに、熱反応のほか、光電気反応、光磁気
反応、光力学反応、光化学反応、光免疫反応及び光酵素
反応などが起き、光生物学的活性化により生体組織の新
陳代謝を促して皮膚血行を高める。レーザ光は、水分や
血液に吸収されにくいため、優れた皮膚深達性を持つ。
（ガリウムアルセナイド）などの化合物半導体を用いた
ＰＮ接合ダイオードに直接電流を流して励起し、レーザ
発振を得る。この種の半導体レーザダイオードは、ピー
ク波長６００〜１６００ｎｍ、光出力５ｍＷ〜３Ｗのレ
ーザ光を出力し、熱効率が良くて皮膚に十分な光熱反応
を起こす。さらに、熱反応のほか、光電気反応、光磁気
反応、光力学反応、光化学反応、光免疫反応及び光酵素
反応などが起き、光生物学的活性化により生体組織の新
陳代謝を促して皮膚血行を高める。レーザ光は、水分や
血液に吸収されにくいため、優れた皮膚深達性を持つ。
【００１８】ヘッド部１の先端面の外周には、スペーサ
としての役割を果たし、球レンズ５と皮膚に接する開口
端面との距離を一定に保つ角筒形のアジャスタ８を着脱
自在に取り付ける。アジャスタ８は、透明アクリルで形
成してレーザ光の照射面が外側から観察できると都合が
よい。また、先端の開口縁部の一部を切り欠いて通風用
の切り込みを設ける。
としての役割を果たし、球レンズ５と皮膚に接する開口
端面との距離を一定に保つ角筒形のアジャスタ８を着脱
自在に取り付ける。アジャスタ８は、透明アクリルで形
成してレーザ光の照射面が外側から観察できると都合が
よい。また、先端の開口縁部の一部を切り欠いて通風用
の切り込みを設ける。
【００１９】本発明のレーザ光照射プローブは以上のよ
うな構成で、トリートメントを行うときは、まず、押し
スイッチ４を押して電源をオンにする。電源をオンにす
ると、半導体レーザダイオード７が既定の１秒間点灯
し、その後１秒間休止する。以後この照射と休止を周期
的に繰り返す。照射時間を変更する場合は、前記のとお
り、押しスイッチ４を必要回数押して、１〜６秒の範囲
で所望の照射時間を設定する。照射時間を変更しても休
止時間は１秒で変わらない。半導体レーザダイオード７
が点灯したら、アジャスタ８の開口端面をトリートメン
トすべき皮膚面に押し当て、レーザ光を照射する。そし
てアジャスタ８を皮膚に接触したまま、ゆっくりヘッド
部１を縦方向に移動する。
うな構成で、トリートメントを行うときは、まず、押し
スイッチ４を押して電源をオンにする。電源をオンにす
ると、半導体レーザダイオード７が既定の１秒間点灯
し、その後１秒間休止する。以後この照射と休止を周期
的に繰り返す。照射時間を変更する場合は、前記のとお
り、押しスイッチ４を必要回数押して、１〜６秒の範囲
で所望の照射時間を設定する。照射時間を変更しても休
止時間は１秒で変わらない。半導体レーザダイオード７
が点灯したら、アジャスタ８の開口端面をトリートメン
トすべき皮膚面に押し当て、レーザ光を照射する。そし
てアジャスタ８を皮膚に接触したまま、ゆっくりヘッド
部１を縦方向に移動する。
【００２０】上下２本の直線上に配置した多数のレーザ
光のスポットを皮膚に照射すると、皮膚内部ではレーザ
光が高密度に拡散して横方向に均一に作用する。また、
横方向に均一に作用する直線状のスポットを縦方向に移
動すると一度に広い面積を効率よく照射することができ
る。
光のスポットを皮膚に照射すると、皮膚内部ではレーザ
光が高密度に拡散して横方向に均一に作用する。また、
横方向に均一に作用する直線状のスポットを縦方向に移
動すると一度に広い面積を効率よく照射することができ
る。
【００２１】レーザ光は、その波長によってメラニンや
異常な色素細胞など特定の色素だけに反応する色素選択
性がある。このため、皮膚内部でレーザ光を高密度に拡
散させても周りの正常な細胞には影響を与えない。
異常な色素細胞など特定の色素だけに反応する色素選択
性がある。このため、皮膚内部でレーザ光を高密度に拡
散させても周りの正常な細胞には影響を与えない。
【００２２】２本の直線Ａ，Ｂ上の焦点列は、全体で細
い帯状のレーザ照射領域を構成し、この照射領域内にお
いて各焦点ｆが千鳥状に分布するので、プローブを直線
Ａ，Ｂと直角の縦方向にゆっくり移動すれば、広い範囲
の皮膚面を平均してレーザ照射でき、能率よくまんべん
なくトリートメントできる。
い帯状のレーザ照射領域を構成し、この照射領域内にお
いて各焦点ｆが千鳥状に分布するので、プローブを直線
Ａ，Ｂと直角の縦方向にゆっくり移動すれば、広い範囲
の皮膚面を平均してレーザ照射でき、能率よくまんべん
なくトリートメントできる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明のレーザ光照
射プローブでは、半導体レーザダイオードの配置関係を
工夫して、それらのビームの焦点を直線上に重ならない
ように分布すると共に、焦点間の間隔を狭く高密度に並
べるので、レーザの照射強度が平均化し、このプローブ
をビームの焦点列に対し直交する方向に移動するだけで
広範囲の皮膚面に均一にレーザを照射でき、能率よくト
リートメントができるという効果を生じる。
射プローブでは、半導体レーザダイオードの配置関係を
工夫して、それらのビームの焦点を直線上に重ならない
ように分布すると共に、焦点間の間隔を狭く高密度に並
べるので、レーザの照射強度が平均化し、このプローブ
をビームの焦点列に対し直交する方向に移動するだけで
広範囲の皮膚面に均一にレーザを照射でき、能率よくト
リートメントができるという効果を生じる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を実施したレーザ光照射プローブの正面
図である。
図である。
【図２】図１の要部を断面で示す側面図である。
【図３】図１のレーザ光照射プローブにおける半導体レ
ーザダイオードの配置を示す平面図である。
ーザダイオードの配置を示す平面図である。
【図４】図１のレーザ光照射プローブによる焦点の位置
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図５】本発明の半導体レーザダイオードの配置を説明
する斜面図である。
する斜面図である。
【符号の説明】 １ ヘッド部 ２ グリップ部 ３ ＬＥＤランプ ４ 押しスイッチ ５ 球レンズ ６ ヒートシンク ７ 半導体レーザダイオード ８ アジャスタ ａ、ｂ 傾斜面
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】追加
【補正内容】
【図５】
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4C026 AA01 AA10 BB08 FF22 FF32 FF33 FF38 FF39 4C060 MM22 4C082 RA01 RA10 RC09 RE22 RE32 RE33 RE39
Claims (3)
- 【請求項１】 多数の半導体レーザダイオードの発光面
を同一方向に向けて縦横に配列し、 これらの半導体レーザダイオードの光軸上に投光レンズ
を設置すると共に、 この光軸を縦方向の内側に傾斜させて前記投光レンズの
焦点を横方向の同一直線上に結ばせてなるレーザ光照射
プローブ。 - 【請求項２】 前記投光レンズの焦点を結ばせる横方向
の同一直線が複数列をなすように前記半導体レーザダイ
オードを配列してなる請求項１記載のレーザ光照射プロ
ーブ。 - 【請求項３】 前記複数列をなす同一直線上の焦点が上
下に隣接する列の焦点の中間にくるように前記半導体レ
ーザダイオードを千鳥状に配列してなる請求項２記載の
レーザ光照射プローブ。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34858799A JP3188437B2 (ja) | 1999-12-08 | 1999-12-08 | レーザ光照射プローブ |
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