JP2000202044A - レ―ザ育毛装置 - Google Patents

レ―ザ育毛装置

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JP2000202044A
JP2000202044A JP11104824A JP10482499A JP2000202044A JP 2000202044 A JP2000202044 A JP 2000202044A JP 11104824 A JP11104824 A JP 11104824A JP 10482499 A JP10482499 A JP 10482499A JP 2000202044 A JP2000202044 A JP 2000202044A
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laser
hole
light
short cylinder
case
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JP11104824A
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English (en)
Inventor
Iwao Yamazaki
岩男 山崎
Yoshihiro Izawa
良弘 井沢
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Ya Man Ltd
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Ya Man Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】半導体レーザダイオードを使用して、そのレー
ザ光のエネルギーレベルを適正に調節することにより、
経済的で、安全な美容用のレーザ育毛装置を提供する。 【解決手段】L字型に折り曲げた筒状のケース11の側
面に押しスイッチSを配置し、先端にケースより小径の
短筒を一体に取り付ける。短筒の外周には、スクリュー
ねじaを介して短筒に噛合する吸引キャップ13、ある
いは、吹き出しキャップを着脱自在に取り付ける。短筒
基部のケースの先端面の軸心と外縁部に、レンズ孔bと
外側通孔cを穿ち、レンズ孔には略同径の球レンズ15
を嵌合する。先端面の内側には、ケースに内接するヒー
トシンク16を設ける。ヒートシンクの軸心と外縁部に
は、それぞれレーザ孔dと内側通孔eを穿ち、レーザ孔
にはレーザダイオードLDを挿嵌する。レーザダイオー
ドのレーザ光は、前方に配置した球レンズによって皮膚
当て面14、あるいは、吹き出しキャップの開口面の軸
心に集光する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザダイ
オードを使用して育毛トリートメントを行う美容用のレ
ーザ育毛装置に関する。
【0002】
【発明が解決しようとする課題】薄毛や抜け毛、脱毛に
悩む人の頭皮は、血液循環の低下と男性ホルモンによる
皮脂の過剰分泌が原因で、脂ぎって、温度が低く、弾力
が乏しいという共通点がある。そこで、頭皮や毛穴の脂
汚れを取り除き、血行を促進して頭皮の温度を上昇さ
せ、新陳代謝を活発にして固くなった頭皮を元の弾力の
ある柔らかい頭皮に戻すと、脱毛や抜け毛を予防し、毛
母細胞を活性化させて発毛を促進する育毛効果がある。
【0003】一方、半導体レーザの低出力レーザ光は、
早くから脱毛症の治療に利用されているように、かなり
の血行促進作用があり、局所の血行を促進して頭皮の温
度を上昇し、毛根部を刺激して毛嚢の活動を賦活させ
る。さらに、毛穴を開いて頭皮表面と毛穴を洗浄して老
廃物を除去し、新陳代謝を活発にして固くなった頭皮を
元の弾力のある柔らかい頭皮に戻す働きがある。また、
発毛促進剤やマッサージと組み合わせてレーザ光を照射
すると、頭皮への薬の吸収がよくなり、栄養分を導入し
て、血行を促進する。
【0004】レーザ光は、生体に照射するとジュール熱
を発生し、光熱反応によって生体組織が40°Cを越え
ると、たんぱく変性を起こして細胞が死滅し、死滅した
細胞の数が増えると、生体組織は元に戻らなくなる。こ
のため、育毛を有効、かつ、安全に行うためには、照射
するレーザ光のエネルギーレベルを適正に調節して生体
組織の温度が40°Cを大きく越えないようにする必要
がある。
【0005】そこで本発明は、半導体レーザダイオード
を使用して、そのレーザ光のエネルギーレベルを適正に
調節することにより、経済的で有効、かつ、安全な美容
用のレーザ脱毛装置を提供することを目的になされたも
のである。
【0006】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明は以下のように構成した。
【0007】すなわち、光出力5〜1000mW、ピー
ク波長600〜1600nmを有する半導体レーザダイ
オードの発光面前方に集光レンズを取り付け、レーザ光
の光出力を調節する光出力調節手段と、レーザ光の照射
時間を設定する照射時間設定手段と、を備え、しかし
て、前記半導体レーザダイオードのレーザ光を頭皮に照
射して血行と新陳代謝を促し、毛母細胞を活性化させて
発毛を促進することを特徴とするレーザ育毛装置であ
る。
【0008】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。
【0009】図1に、本発明を実施したレーザ育毛装置
の構成図を示す。レーザ育毛装置は、プローブ1とコン
トロールボックス2で構成する。コントロールボックス
2は、フロント面に操作パネルPを配置し、エアを吸入
・排出するコンプレッサ21と、レーザダイオードLD
の電源22と、エアの吸入・排出の切換えとレーザダイ
オードLDの点灯をタイマによって制御する制御回路2
3を内蔵し、リアー面にケーブル3と電源コード4を接
続する。
【0010】操作パネルPは、電源スイッチのオン・オ
フ、光出力の調節、照射時間の設定、トリートメント時
間の設定、トリートメントモードの設定などを行う。
【0011】光出力の調節は、レーザダイオードLDの
電源22を連続出力からパルス出力に切換え、さらにパ
ルスのオンタイムを変更して行う。すなわち、光出力を
強くするときは、パルスのオンタイムを長くして単位時
間当たりの照射時間を長くし、弱くするときはパルスの
オンタイムを短くして単位時間当たりの照射時間を短く
する。そして、光出力を最大にするときは、一定の強さ
のレーザ光を送り続ける連続出力に切換える。
【0012】照射時間の設定は、皮膚に一過性のダメー
ジを与えないために、タイマにごく短い1〜9秒のカウ
ント値を設定する。トリートメント時間の設定は、皮膚
に長時間の使用によるダメージを与えないために、タイ
マに通常の使用に適正な5〜60分のカウント値を設定
する。トリートメントモードの設定は、レーザ照射の
み、レーザ照射と吸引、レーザ照射とエアの吹き出し、
の中から設定する。
【0013】コード3は、プローブ1とコンプレッサ2
1を連結するエアチューブ31と、プローブ1とレーザ
ダイオードLDの電源22、プローブ1と制御回路23
などを接続するリード線32を内包する。
【0014】図2と図3に、本発明を実施したプローブ
の正面図と部分縦断面図を示す。プローブ1は、L字型
に折り曲げた筒状のケース11の側面に押しスイッチS
を配置し、先端にケース11より小径の短筒12を一体
に取り付ける。
【0015】短筒12の外周には、スクリューねじaを
介して短筒12に噛合する吸引キャップ13、あるい
は、図4に示す吹き出しキャップ13′を着脱自在に取
り付ける。吸引キャップ13と吹き出しキャップ13′
は、いずれも透明アクリルで形成し、レーザ光の照射面
が外側から直視できるようにする。また、吸引キャップ
13は、先端を開口し、その内側にABS樹脂で形成し
たリング状の皮膚当て面14を一体に設ける。吹き出し
キャップ13′は、先端を開口し、その一部を切り欠い
てエアの吹き出し孔を設ける。
【0016】短筒12基部のケース11の先端面の軸心
と外縁部に、それぞれレンズ孔bと外側通孔cを穿ち、
レンズ孔bには略同径の球レンズ15を嵌合する。レー
ザ光は、すべての光が平行で同じ方向を向き、拡散する
ことがなく、集光性にすぐれ、球レンズ15によって一
点に絞ることができる。
【0017】吸引キャップ13と吹き出しキャップ1
3′は、スペーサとしての役割を果たし、スクリューね
じaを廻して球レンズ15と皮膚当て面14、あるい
は、吹き出しキャップ13′の開口面との間の長さを変
更する。これにより、球レンズ15の焦点位置を移動し
て皮膚当て面14、あるいは、吹き出しキャップ13′
の開口面の軸心に集光するレーザ光のエネルギー密度を
調節する。
【0018】短筒12基部のケース11の先端面の内側
には、ケース11に内接するヒートシンク16を設け
る。ヒートシンク16の軸心と外縁部には、それぞれレ
ーザ孔dと内側通孔eを穿ち、レーザ孔dにはレーザダ
イオードLDを挿嵌する。レーザダイオードLDのレー
ザ光は、前方に配置した球レンズ15によって皮膚当て
面14、あるいは、吹き出しキャップ13′の開口面の
軸心に集光する。
【0019】レーザダイオードLDは、GaAs(ガリ
ウムアルセナイド)などの化合物半導体を用いたPN接
合ダイオードに、直接電流を流して励起し、レーザ発振
を得る半導体レーザダイオードを使用する。半導体レー
ザダイオードは、小型軽量である、発振効率がよい、電
流による直接変調が可能である、長寿命である、大量生
産が可能で低価格である、などの特長がある。また、材
料の比率や原子を変えることによって異なる波長のレー
ザ光を作り出すことができる。レーザ光は、波長によっ
て反応する色素が違うので、半導体レーザダイオードの
波長を変えることによって、さまざまな色の皮膚に対応
できる。
【0020】半導体レーザダイオードは、ピーク波長6
00〜1600nm、光出力5〜1000mWを有し、
熱効率が良くて皮膚に十分な光熱反応を起こすが、生体
組織を損傷する作用はまったくなく、皮膚に障害を起こ
す危険性はない。また、熱反応のほかに、光電気反応、
光磁気反応、光力学反応、光化学反応、光免疫反応、光
酵素反応などがあり、光生物学的活性化により生体組織
の新陳代謝を促して皮膚血行を高め、水分や血液に吸収
されにくいため、優れた皮膚深達性を持つ。なお、光出
力が不足する場合は、複数のレーザダイオードLDを並
べて照射する。
【0021】ヒートシンク16は、レーザダイオードL
Dの動作時の発熱を熱伝導によって拡散させて性能の低
下を抑える。このため、熱伝導効率のよいアルミあるい
はその合金で鋳造し、ダミーの通孔をいくつか設けて放
熱効率を高める。
【0022】ケース11内には、コンプレッサ21に連
結するエアチューブ31を導入し、エアチューブ31の
開口端をヒートシンク16の後方にのぞませる。また、
レーザダイオードLDを電源22に接続するリード線3
2を導入する。
【0023】図5に、コンプレッサ21の配管接続図を
示す。配管接続は、吸気口21aと排気口21bに、そ
れぞれ一対の分岐管31a、31bの基端側を接続し、
分岐管31a、31bの先端側の一端をそれぞれ開閉弁
V1、V3を介してエアチューブ31に接続し、他端を
それぞれ開閉弁V2、V4を介して開放する。
【0024】配管接続は以上のような構成で、図6に示
すように、プローブ1の吸引を行うときは開閉弁V1、
V4を開いてV2、V3を閉じる。反対に、プローブ1
の吹き出しを行うときは開閉弁V1、V4を閉じてV
2、V3を開く。
【0025】プローブ1の吹き出しだけを行う装置で
は、分岐管31aの代わりに開閉弁なしのストレート管
を配管し、分岐管31bの一端を開閉弁V3を介してエ
アチューブ31に接続し、他端を開閉弁V4を介して開
放する。同様に、プローブ1の吸引だけを行う装置で
は、分岐管31bの代わりに開閉弁なしのストレート管
を配管し、分岐管31aの一端を開閉弁V1を介してエ
アチューブ31に接続し、他端を開閉弁V2を介して開
放する。
【0026】レーザ照射は、5〜60分の設定したトリ
ートメント時間だけ照射と休止を繰り返えしながら行
う。1回の照射時間は、設定した1〜9秒で、その後3
秒間休止し、その間にエアの吹き出しを行う。このよう
に、レーザダイオードLDの点灯を休止する間にエアを
吹き出すので、プローブ1内の冷却効率が高まる。ま
た、トリートメントモードで吸引あるいはエアの吹き出
しを指定した場合は、レーザ照射と並行して吸引あるい
はエアの吹き出しを行う。
【0027】本発明のレーザ育毛装置は以上のような構
成で、トリートメントを行うときは、まず、操作パネル
Pを操作して光出力の調節、照射時間の設定、トリート
メント時間の設定、トリートメントモードの設定などを
行う。吸引を行う場合は、プローブ1の先端に吸引キャ
ップ13を取り付け、スクリューねじaを廻して皮膚当
て面14の位置を調整する。そして、プローブ1の先端
を皮膚面に押し当てて押しスイッチSを作動する。これ
により、皮膚面が吸引されて皮膚当て面14に吸着し、
そこにレーザ光が照射される。その後3秒間レーザ光の
照射を休止して、この間プローブ1の先端からエアを吹
き出す。これにより、皮膚面が皮膚当て面14から離れ
るので、この間にプローブ1を次のトリートメント位置
に移動させる。以上の操作を設定したトリートメント時
間だけ繰り返し行う。
【0028】エアの吹き出しを行う場合は、プローブ1
の先端に吹き出しキャップ13′を取り付け、スクリュ
ーねじaを廻して開口面の位置を調整する。そして、プ
ローブ1の先端を皮膚面に押し当てて押しスイッチSを
作動する。これにより、プローブ1の先端からエアが吹
き出し、レーザ光が照射される。その後3秒間レーザ光
の照射を休止し、この間もプローブ1の先端からエアを
吹き出す。以上の操作を設定したトリートメント時間だ
け繰り返し行う。エアを吹き出すと、レーザ光を照射し
た皮膚面が適当に冷却されて過熱を防ぐため、十分な光
熱作用を皮膚に与えることができる。
【0029】図7に示すように、頭皮Aにレーザ光を照
射すると、レーザ光のミクロレベルの洗浄作用と血行促
進作用により頭皮Aと毛穴Bの微細な汚れを取り除き、
毛根部Cを刺激して毛嚢Dの活動を賦活させる。これに
より、頭皮Aの新陳代謝を活発にして発毛を促進する。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように本発明のレーザ育毛
装置は、光出力5〜1000mW、ピーク波長600〜
1600nmを有する半導体レーザダイオードの発光面
前方に集光レンズを取り付け、レーザ光の光出力を調節
する光出力調節手段と、レーザ光の照射時間を設定する
照射時間設定手段を備える。従って、本発明によれば、
出力が低い半導体レーザを使用するので、皮膚に障害を
起こす危険がなく、安全性を最も重視する美容用のレー
ザ育毛装置に好適である。また、他のレーザ装置に比べ
て安価な半導体レーザを使用するので経済的である。さ
らに、半導体レーザの波長を変えることによって、さま
ざまな色の皮膚に対応できる。また、レーザ光の集光度
と光出力を調節し、照射時間を設定してレーザ光のエネ
ルギーレベルを育毛に相応しいレベルに調節するので、
育毛を有効、かつ、安全に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を実施したレーザ育毛装置の構成図であ
る。
【図2】本発明を実施したレーザ育毛装置のプローブの
正面図である。
【図3】図2の部分縦断面図である。
【図4】本発明を実施したレーザ育毛装置の吹き出しキ
ャップの斜視図である。
【図5】本発明を実施したレーザ育毛装置のコンプレッ
サの配管接続図である。
【図6】図4のタイムチャートである。
【図7】レーザ光を頭皮に照射した状況を示す模式図で
ある。
【符号の説明】
1 プローブ 11 ケース 12 短筒 13 吸引キャップ 13′ 吹き出しキャップ 14 皮膚当て面 15 球レンズ 16 ヒートシンク 2 コントロールボックス 21 コンプレッサ 22 電源 23 制御回路 3 ケーブル 4 電源コード 31 エアチューブ 32 リード線 LD レーザダイオード P 操作パネル S 押しスイッチ V 開閉弁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4C026 AA01 BB08 DD02 DD06 FF02 FF22 FF33 FF43 HH02 HH14 HH15 HH16 HH17 HH24 4C082 RA01 RC09 RE02 RE22 RE34 RE43 RG02 RG06 RL02 RL14 RL15 RL16 RL17

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光出力5〜1000mW、ピーク波長6
    00〜1600nmを有する半導体レーザダイオードの
    発光面前方に集光レンズを取り付け、 レーザ光の光出力を調節する光出力調節手段と、 レーザ光の照射時間を設定する照射時間設定手段と、を
    備え、 しかして、前記半導体レーザダイオードのレーザ光を頭
    皮に照射して血行と新陳代謝を促し、毛母細胞を活性化
    させて発毛を促進することを特徴とするレーザ育毛装
    置。
JP11104824A 1998-11-10 1999-04-13 レ―ザ育毛装置 Pending JP2000202044A (ja)

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Effective date: 20040120