JP2000316999A - レーザ光照射プローブ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】トリートメントに応じてエネルギー密度を適切
に切換えることができるレーザ光照射プローブを提供す
る。 【解決手段】アジャスタ１８のスクリューねじｂの側面
に通孔を穿ち、これにばねで付勢して球形の先端部を内
側に突出するピンｄを挿嵌する。また、ヘッド部１２の
スクリューねじｂには、ねじ溝の途中にピンｄに嵌合す
る３つの凹部ｅを穿つ。これにより、ピンｄを３つの凹
部ｅに係止してアジャスタ１８の開口端面の高さを３段
階に調節する。３つの凹部ｅは、育毛、美肌、脱毛など
のトリートメントに対応して位置決めし、それぞれのト
リートメントに最適なアジャスタ１８の開口端面の高さ
を決定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を皮膚に
照射して美肌、脱毛、育毛などのトリートメントを行う
レーザ光照射プローブに関する。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】レーザ光を皮膚に照射
して起こる生体反応には、３６°Ｃ以下で起こる非熱反
応と、ジュール熱を発生して組織の温度を上昇させる光
熱反応がある。非熱反応は、血行や新陳代謝を促す作用
があり、育毛などのトリートメントに応用される。光熱
反応は、アザ・シミ・ソバカスなどのメラニンを取り除
く作用や、毛母細胞のたんぱく変性を起こして毛の成長
を抑制する作用があり、美肌や脱毛などのトリートメン
トに応用される。

【０００３】育毛は、頭皮表面の広い部分に比較的パワ
ー密度の低いレーザ光を照射する。これにより、頭皮の
血行を促進して毛穴を開き、毛穴に詰まった皮脂や汚れ
を洗浄する。

【０００４】美肌は、皮膚の表皮や真皮に散在するアザ
・シミ・ソバカスなどの部分に比較的パワー密度の高い
レーザ光を照射する。これにより、メラニン色素細胞を
正常細胞から分離し、老廃物として血液中に排出し、あ
るいは、皮膚の表面に浮き上がらせて取り除く。

【０００５】脱毛は、毛穴の根元の毛乳頭と毛穴の途中
にあり、たんぱく質の一種で毛の因子となるケラチンを
供給する皮脂腺などの皮下組織にパワー密度の高いレー
ザ光を照射する。これにより、ケラチンの変性分解を促
進して毛の成長を抑制する。

【０００６】このように、トリートメントによってパワ
ー密度の低いレーザ光を皮膚表面に広く照射する場合
と、パワー密度の高いレーザ光を表皮や真皮など皮膚の
浅い部分に照射する場合と、皮下組織など皮膚の深い部
分に照射する場合がある。

【０００７】一方、レーザ光をレンズで集光すると焦点
の位置でくびれたウエストのようなビームウエストを形
成する。ビームウエスト部分のビーム径は同じ波長のレ
ーザ光の場合、使用するレンズの焦点距離が短いほど小
さくなり、焦点深度もごくわずかになって狭い範囲に光
パワーが集中する。また、焦点を過ぎた位置からは逆に
同じ角度で広がり、広い範囲に光パワーが分散する。こ
のため、絞り込み角度が大きいほど焦点部分のエネルギ
ー密度が高くなって光パワーも強くなるが、逆に焦点部
分から離れると急激にエネルギー密度が低くなって光パ
ワーも衰える。

【０００８】そこで本発明は、レーザ光のビームウエス
トの前後にできるエネルギー密度の高低差を利用して、
トリートメントに応じてエネルギー密度を適切に切換え
ることができるレーザ光照射プローブを提供することを
目的になされたものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明は以下のように構成した。

【００１０】すなわち、請求項１の発明は、プローブの
前方に、レーザ光を照射する半導体レーザダイオード
と、レーザ光を集光して焦点にビームウエストを形成す
る集光レンズと、開口端面を皮膚に接触して前記集光レ
ンズと皮膚面との間の距離を一定の隔離間隔で離間する
アジャスタと、前記アジャスタを前後に移動して前記隔
離間隔を段階的に切換える隔離間隔切換手段と、を備
え、前記隔離間隔を段階的に切換えて前記ビームウエス
トを前記アジャスタの開口端面の前後に位置付けること
を特徴とするレーザ光照射プローブである。請求項２の
発明は、前記隔離間隔を３段階に切換えることを特徴と
する請求項１記載のレーザ光照射プローブである。請求
項３の発明は、前記隔離間隔をトリートメントに応じて
設定することを特徴とする請求項１記載のレーザ光照射
プローブである。請求項４の発明は、前記アジャスタが
透明な材質により形成されていることを特徴とする請求
項１記載のレーザ光照射プローブである。請求項５の発
明は、前記集光レンズが球レンズであることを特徴とす
る請求項１記載のレーザ光照射プローブである。請求項
６の発明は、前記半導体レーザダイオードのピーク波長
が６００〜１６００ｎｍとする請求項１記載のレーザ光
照射プローブである。請求項７の発明は、前記半導体レ
ーザダイオードの光出力が５ｍＷ〜３Ｗとする請求項１
記載のレーザ光照射プローブである。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。

【００１２】図１と図２に、本発明を実施したレーザ光
照射プローブの正面図と一部を切り欠いた側面図を示
す。レーザ光照射プローブ１は、レーザ光の照射時間を
タイマによって制御する制御回路と電源（図示しない）
を内臓し、ケース１１の正面にヘッド部１２を突設して
その下方に押しスイッチ１３とタイマ表示ＬＥＤ１４を
配置する。

【００１３】押しスイッチ１３は、１つのスイッチを操
作して電源のオン・オフと照射時間の設定を行う。すな
わち、始めに押しスイッチ１３を押すと、電源がオンと
なり、照射時間１秒が設定される。このときタイマ表示
ＬＥＤ１４が緑色点灯する。次に押しスイッチ１３を押
すと、照射時間２秒が設定され、タイマ表示ＬＥＤ１４
が緑色点滅する。さらに押しスイッチ１３を押していく
と、照射時間３〜６秒が順次設定され、タイマ表示ＬＥ
Ｄ１４が設定秒数に応じて橙色点灯、橙色点滅、赤色点
灯、赤色点滅に切換わる。最後に押しスイッチ１３を押
すと、電源がオフとなる。照射時間の設定は、皮膚に一
過性のダメージを与えないために、このようにタイマに
ごく短い１〜６秒のカウント値を設定する。

【００１４】ヘッド部１２は、先端を開口して球レンズ
１５を挿嵌し、その後方にヘッド部１２の先端に内接す
るヒートシンク１６を設置する。ヒートシンク１６は、
軸心にレーザ孔ａを穿ってレーザダイオード１７を挿嵌
する。また、球レンズ１５の外周にスクリューねじｂを
形成してアジャスタ１８を着脱自在に取り付ける。

【００１５】球レンズ１５は、焦点距離が通常のレンズ
より短いので、焦点深度もわずかで狭い範囲に光パワー
を絞り込むことができる。

【００１６】アジャスタ１８は、図３に示すように、透
明アクリルで形成し、レーザ光の照射面が外側から直視
できるようにする。また、先端の開口の一部を切り欠い
て通風用の切り込みｃを設ける。

【００１７】アジャスタ１８は、スペーサとしての役割
を果たし、スクリューねじｂを廻して球レンズ１５と皮
膚に接するアジャスタ１８の開口端面との間の距離を接
離自在に調節する。

【００１８】アジャスタ１８のスクリューねじｂは、図
４に示すように、側面に通孔を穿ち、これにばねで付勢
して球形の先端部を内側に突出するピンｄを挿嵌する。
また、ヘッド部１２のスクリューねじｂには、ねじ溝の
途中にピンｄに嵌合する３つの凹部ｅを穿つ。これによ
り、ピンｄを３つの凹部ｅに係止してアジャスタ１８の
開口端面の高さを３段階に調節する。

【００１９】３つの凹部ｅは、育毛、美肌、脱毛などの
トリートメントに対応して位置決めし、それぞれのトリ
ートメントに最適なアジャスタ１８の開口端面の高さを
決定する。また、３つの凹部ｅには対応するトリートメ
ントを識別するためのマーカを付与する。

【００２０】レーザダイオード１７は、ＧａＡｓ（ガリ
ウムアルセナイド）などの化合物半導体を用いたＰＮ接
合ダイオードに直接電流を流して励起し、ピーク波長６
００〜１６００ｎｍ、光出力５ｍＷ〜３Ｗのレーザ光を
出力し、皮膚に十分な光熱反応を起こす。また、熱反応
のほかに、光電気反応、光磁気反応、光力学反応、光化
学反応、光免疫反応、光酵素反応などを起こし、光生物
学的活性化により生体組織の新陳代謝を促して皮膚血行
を高め、適正なパワー密度で生体組織を損傷する作用は
なく、皮膚に障害を起こす危険性はない。

【００２１】レーザダイオード１７の光出力が不足する
場合は、複数のレーザダイオード１７を同一円周上に配
列して光軸を内側に傾け、複数のレーザ光のビームウエ
ストを一点に集中させてもよい。

【００２２】ヒートシンク１６は、レーザダイオード１
７の動作時の発熱を熱伝導によって拡散させて性能の低
下を抑える。このため、熱伝導効率のよいアルミあるい
はその合金で鋳造し、ダミーの通孔をいくつか設けて放
熱効率を高める。

【００２３】本発明のレーザ光照射プローブは以上のよ
うな構成で、トリートメントを行うときは、まず、アジ
ャスタ１８の開口端面の高さを所望のトリートメントに
合わせ、次に、押しスイッチ１３を押して電源をオンに
する。これにより、レーザダイオード１７が既定の１秒
間点灯し、その後１秒間休止する。そして、以降はこの
照射と休止を繰り返す。照射時間を変更する場合は、押
しスイッチ１３を押しながら１〜６秒の範囲で所望の照
射時間を設定する。レーザダイオード１７が点灯した
ら、アジャスタ１８の開口端面を皮膚面に押し当て、位
置を移動させながらトリートメントを行う。

【００２４】アジャスタ１８の開口端面の高さは、スク
リューねじｂを廻して３段階に調節する。最初にスクリ
ューねじｂを廻すと、ピンｄが一番目の凹部ｅに係止し
てレーザ光のビームウエストをアジャスタ１８の開口端
面の手前に位置付ける。これにより、光パワーを皮膚表
面に広く分散させ、育毛などのトリートメントに対応さ
せる。

【００２５】次にスクリューねじｂを廻すと、ピンｄが
二番目の凹部ｅに係止してレーザ光のビームウエストを
アジャスタ１８の開口端面に位置付ける。これにより、
光パワーを表皮や真皮など皮膚の浅い部分に絞り込み、
美肌などのトリートメントに対応させる。

【００２６】さらにスクリューねじｂを廻すと、ピンｄ
が三番目の凹部ｅに係止してレーザ光のビームウエスト
をアジャスタ１８の開口端面の先に位置付ける。これに
より、光パワーを皮下組織など皮膚の深い部分に絞り込
み、脱毛などのトリートメントに対応させる。

【００２７】

【発明の効果】以上説明したように本発明のレーザ光照
射プローブは、隔離間隔を段階的に切換えてレーザ光の
ビームウエストをアジャスタの開口端面の前後に位置付
ける。従って、本発明によれば、アジャスタを前後に切
換えてレーザ光の光パワーを皮膚面に広く分散させた
り、皮膚の浅い部分や深い部分に集中させたりすること
ができるので、トリートメントに応じてレーザ光のエネ
ルギー密度を簡単に調節できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を実施したレーザ光照射プローブの正面
図である。

【図２】図１の一部を切り欠いた側面図である。

【図３】本発明を実施したアジャスタの斜視図である。

【図４】本発明を実施したアジャスタのねじ部の部分拡
大図である。

【符号の説明】

１ レーザ光照射プローブ １１ ケース １２ ヘッド部 １３ 押しスイッチ １４ タイマ表示ＬＥＤ １５ 球レンズ １６ ヒートシンク １７ レーザダイオード １８ アジャスタ ａ レーザ孔 ｂ スクリューねじ ｃ 切り込み ｄ ピン ｅ 凹部

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プローブの前方に、 レーザ光を照射する半導体レーザダイオードと、 レーザ光を集光して焦点にビームウエストを形成する集
   光レンズと、 開口端面を皮膚に接触して前記集光レンズと皮膚面との
   間の距離を一定の隔離間隔で離間するアジャスタと、 前記アジャスタを前後に移動して前記隔離間隔を段階的
   に切換える隔離間隔切換手段と、を備え、 前記隔離間隔を段階的に切換えて前記ビームウエストを
   前記アジャスタの開口端面の前後に位置付けることを特
   徴とするレーザ光照射プローブ。
2. 【請求項２】 前記隔離間隔を３段階に切換えることを
   特徴とする請求項１記載のレーザ光照射プローブ。
3. 【請求項３】 前記隔離間隔をトリートメントに応じて
   設定することを特徴とする請求項１記載のレーザ光照射
   プローブ。
4. 【請求項４】 前記アジャスタが透明な材質により形成
   されていることを特徴とする請求項１記載のレーザ光照
   射プローブ。
5. 【請求項５】 前記集光レンズが球レンズであることを
   特徴とする請求項１記載のレーザ光照射プローブ。
6. 【請求項６】 前記半導体レーザダイオードのピーク波
   長が６００〜１６００ｎｍとする請求項１記載のレーザ
   光照射プローブ。
7. 【請求項７】 前記半導体レーザダイオードの光出力が
   ５ｍＷ〜３Ｗとする請求項１記載のレーザ光照射プロー
   ブ。