JP2001158808A - 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 下記一般式（１）又は（２）で表される
環状の珪素含有基を含むことを特徴とする高分子化合
物。 【化１】 （式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁶，Ｒ⁷，Ｒ¹⁰，Ｒ¹¹，
Ｒ¹²，Ｒ¹³は水素原子、又は炭素数１〜２０の直鎖状、
分岐状もしくは環状のアルキル基、Ｒ⁴，Ｒ⁵，Ｒ⁸，Ｒ⁹
は水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは
環状のアルキル基、フッ素化した炭素数１〜２０のアル
キル基、又は炭素数６〜２０のアリール基、ｐ，ｑ，
ｒ，ｓは０〜１０の整数、１≦ｐ＋ｑ＋ｓ≦２０であ
る。） 【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に
感応し、３００ｎｍ以下の波長における感度、解像性、
酸素プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本
発明の高分子化合物及びレジスト材料は、これらの特性
により、特に優れた２層レジスト用の材料となり得るも
ので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易
に形成でき、このため超ＬＳＩ製造用の微細パターン形
成材料として好適である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子などの
製造工程における微細加工に用いられる化学増幅ポジ型
レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子シリコー
ン化合物、及び遠紫外線、ＫｒＦエキシマレーザー光
（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎ
ｍ）、電子線、Ｘ線などの高エネルギー線を露光光源と
して用いる際に好適な化学増幅ポジ型レジスト材料、並
びにパターン形成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの
微細化が求められている中、現在汎用技術として用いら
れている光露光では、光源の波長に由来する本質的な解
像度の限界に近づきつつある。ｇ線（４３６ｎｍ）もし
くはｉ線（３６５ｎｍ）を光源とする光露光では、およ
そ０．５μｍのパターンルールが限界とされており、こ
れを用いて製作したＬＳＩの集積度は、１６ＭビットＤ
ＲＡＭ相当までとなる。しかし、ＬＳＩの試作はすでに
この段階まできており、更なる微細化技術の開発が急務
となっている。

【０００３】パターンの微細化を図る手段の一つとして
は、レジストパターン形成の際に使用する露光光を短波
長化する方法があり、２５６Ｍビット（加工寸法が０．
２５μｍ以下）ＤＲＡＭ（ダイナミック・ランダム・ア
クセス・メモリー）の量産プロセスには、露光光源とし
てｉ線（３６５ｎｍ）に代わって短波長のＫｒＦエキシ
マレーザー光（２４８ｎｍ）の利用が現在積極的に検討
されている。しかし、更に微細な加工技術（加工寸法が
０．２μｍ以下）を必要とする集積度１Ｇ以上のＤＲＡ
Ｍの製造には、より短波長の光源が必要とされ、特にＡ
ｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）を用いたフォト
リソグラフィーが最近検討されてきている。

【０００４】ＩＢＭのイトー（Ｉｔｏ）、Ｇ．Ｃ．Ｗｉ
ｌｌｓｏｎらが、ポリヒドロキシスチレンの水酸基をｔ
ｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基（ｔ−Ｂｏｃ基）
で保護したＰＢＯＣＳＴという樹脂にオニウム塩の酸発
生剤を加えた化学増幅ポジ型レジスト材料を提案して以
来、種々の高感度で高解像度のレジスト材料が開発され
ている。しかし、これらの化学増幅ポジ型レジスト材料
は、いずれも高感度で高解像度のものではあるが、微細
な高アスペクト比のパターンを形成することは、これら
から得られるパターンの機械的強度を鑑みると困難であ
った。

【０００５】また、上記のようなポリヒドロキシスチレ
ンをベース樹脂として使用し、遠紫外線、電子線及びＸ
線に対して感度を有する化学増幅ポジ型レジスト材料
は、従来より数多く提案されている。しかし、段差基板
上に高アスペクト比のパターンを形成するには、２層レ
ジスト法が優れているのに対し、上記レジスト材料はい
ずれも単層レジスト法によるものであり、未だ基板段差
の問題、基板からの光反射の問題、高アスペクト比のパ
ターン形成が困難な問題があり、実用に供することが難
しいのが現状である。

【０００６】一方、従来より、段差基板上に高アスペク
ト比のパターンを形成するには２層レジスト法が優れて
いることが知られており、更に、２層レジスト膜を一般
的なアルカリ現像液で現像するためには、ヒドロキシ基
やカルボキシル基等の親水基を有する高分子シリコーン
化合物であることが必要であるということが知られてい
る。

【０００７】近年、シリコーン系化学増幅ポジ型レジス
ト材料として、安定なアルカリ可溶性シリコーンポリマ
ーであるポリヒドロキシベンジルシルセスキオキサンの
フェノール性水酸基の一部をｔ−Ｂｏｃ基で保護したも
のをベース樹脂として使用し、これと酸発生剤とを組み
合わせたシリコーン系化学増幅ポジ型レジスト材料が提
案されている（特開平７−１１８６５１号公報、ＳＰＩ
Ｅ ｖｏｌ．１９５２（１９９３），３７７等）。ま
た、珪素含有アクリルモノマーを用いたシリコーン含有
ポリマーも提案されている（特開平９−１１０９３８号
公報）。

【０００８】しかし、アクリルペンダント型の珪素含有
ポリマーの欠点として、酸素プラズマにおけるドライエ
ッチング耐性がシルセスキオキサン系ポリマーに比べて
弱いという点が挙げられている。これは、珪素含有率が
低いことが理由として挙げられる。

【０００９】そこで、トリシランあるいはテトラシラン
ペンダント型で、珪素含有率を高め、更に珪素含有置換
基に酸脱離性を持たせたモノマーを含むポリマーの提案
がなされている（ＳＰＩＥ ｖｏｌ．３６７８ ｐ．２
１４，ｐ．２４１，ｐ．５６２）。しかしながら、Ａｒ
Ｆの波長においては、ジシラン以上のシラン化合物は、
強い吸収があるため、導入率を多くすると透過率が低下
するといった欠点がある。また、酸不安定基珪素を含有
させるといった試みも上記以外にもなされているが（Ｓ
ＰＩＥ ｖｏｌ．３６７８ ｐ．４２０）、酸脱離性能
が低いため、環境安定性が低く、Ｔ−トッププロファイ
ルになり易いなどの欠点があった。

【００１０】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、高感度、高解像度を有し、特に高アスペクト比のパ
ターンを形成するのに適した２層レジスト法の材料とし
て好適に使用できるのみならず、耐熱性に優れたパター
ンを形成することができる化学増幅ポジ型レジスト材料
のベースポリマーとして有用な新規高分子化合物及び該
化合物をベースポリマーとして含有する化学増幅ポジ型
レジスト材料並びにパターン形成方法を提供することを
目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った
結果、一般式（１）又は（２）で表される珪素含有置換
基を含むことによって効果的に珪素含有率を高めること
ができ、ＡｒＦ光における透過率の低下を防ぐことがで
きることを見出した。この式（１），（２）の珪素含有
置換基は、一般式（３）〜（８）に示すようなフェノー
ルや、カルボキシル基の水酸基を置換することによって
酸脱離性置換基として機能する。この置換基の酸脱離性
は極めて良好であるため、露光後の環境安定性に優れ、
これによって、Ｔ−トッププロファイルを防止できる。
更にひとつの環状炭化水素基内に珪素を２個以上導入し
ていることでドライエッチング耐性を高めることが可能
である。また、珪素原子間に炭素原子を存在させ、ジシ
ラン結合を発生させずに、ＡｒＦ光での透過率を低下さ
せる心配がないという特徴も併せ持つ。

【００１２】従って、本発明は、下記高分子化合物、化
学増幅レジスト材料、パターン形成方法を提供する。

【００１３】請求項１：下記一般式（１）又は（２）で
表される環状の珪素含有基を含むことを特徴とする高分
子化合物。

【化５】 （式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁶，Ｒ⁷，Ｒ¹⁰，Ｒ¹¹，
Ｒ¹²，Ｒ¹³は水素原子、又は炭素数１〜２０の直鎖状、
分岐状もしくは環状のアルキル基、Ｒ⁴，Ｒ⁵，Ｒ⁸，Ｒ⁹
は水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは
環状のアルキル基、フッ素化した炭素数１〜２０のアル
キル基、又は炭素数６〜２０のアリール基、ｐ，ｑ，
ｒ，ｓは０〜１０の整数、１≦ｐ＋ｑ＋ｓ≦２０であ
る。）

【００１４】請求項２：下記一般式（３）〜（８）で示
される繰り返し単位の１種又は２種以上を含むことを特
徴とする請求項１記載の高分子化合物。

【化６】

【化７】

【化８】 （式中、Ｒ¹⁴は水素原子、又は炭素数１〜２０の直鎖
状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示し、Ｒ¹⁵は水
素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、ｔ，
ｕ，ｗは１≦ｔ≦５、ｕは０又は１、０≦ｗ≦５であ
る。Ｒ¹〜Ｒ¹³，ｐ，ｑ，ｒ，ｓは上記と同じ意味を示
す。）

【００１５】請求項３： （Ａ）請求項１又は２記載の高分子化合物、（Ｂ）酸発
生剤、（Ｃ）有機溶剤を含有してなる化学増幅ポジ型レ
ジスト材料。

【００１６】請求項４： （Ａ）請求項１又は２記載の高分子化合物、（Ｂ）酸発
生剤、（Ｃ）有機溶剤、（Ｄ）酸不安定基を有する溶解
阻止剤を含有してなる化学増幅ポジ型レジスト材料。

【００１７】請求項５： （Ｅ）塩基性化合物を添加してなる請求項３又は４記載
の化学増幅ポジ型レジスト材料。

【００１８】請求項６： （１）請求項３，４又は５記載のレジスト材料を被加工
基板上の有機膜上に塗布し、ベークしてレジスト膜を形
成する工程、（２）上記レジスト膜にフォトマスクを介
して放射線を照射する工程、（３）必要によりベークし
た後、アルカリ水溶液で現像して上記レジスト膜の照射
部分を溶解させ、レジストパターンを形成する工程、
（４）露呈した有機膜部分を酸素プラズマを発生させる
ドライエッチング装置で加工する工程を含むパターン形
成方法。

【００１９】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の高分子化合物は、下記一般式（１）又は（２）
で表される珪素含有基を含むものである。

【００２０】

【化９】 （式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁶，Ｒ⁷，Ｒ¹⁰，Ｒ¹¹，
Ｒ¹²，Ｒ¹³は水素原子、又は炭素数１〜２０の直鎖状、
分岐状もしくは環状のアルキル基、Ｒ⁴，Ｒ⁵，Ｒ⁸，Ｒ⁹
は水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは
環状のアルキル基、フッ素化した炭素数１〜２０のアル
キル基、又は炭素数６〜２０のアリール基、ｐ，ｑ，
ｒ，ｓは０〜１０の整数、１≦ｐ＋ｑ＋ｓ≦２０であ
る。）

【００２１】ここで、直鎖状、分岐状、環状のアルキル
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル
基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シク
ロヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ス
テアリル基等が挙げられ、中でも炭素数１〜２０、特に
１〜１０のものが好ましい。また、フッ素化したアルキ
ル基としては、これらアルキル基の水素原子の一部又は
全部がフッ素原子で置換したものが挙げられる。アリー
ル基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナ
フチル基等が挙げられ、中でも炭素数６〜１２、特に６
〜１０のものが好ましい。

【００２２】ｐ，ｑ，ｓは０〜１０の整数であり、１≦
ｐ＋ｑ＋ｓ≦２０であるが、好ましくはｐは０〜８、特
に０〜６であり、ｑは０〜８、特に０〜６であり、ｓは
０〜８、特に０〜６であって、ｐ＋ｑ＋ｓは１〜１０、
特に１〜８である。更にｒは０〜１０の整数であるが、
好ましくは０〜８、特に０〜６である。

【００２３】上記一般式（１）又は（２）の珪素含有基
は、例えば下記一般式（３）〜（８）で示される繰り返
し単位として組み込むことができ、本発明の高分子化合
物は、これら式（３）〜（８）で示される繰り返し単位
の１種又は２種以上を含むものとすることが好ましい。

【００２４】

【化１０】

【００２５】

【化１１】

【００２６】

【化１２】 （式中、Ｒ¹⁴は水素原子、又は炭素数１〜２０の直鎖
状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示し、Ｒ¹⁵は水
素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、ｔ，
ｕ，ｗは１≦ｔ≦５、ｕは０又は１、０≦ｗ≦５であ
る。Ｒ¹〜Ｒ¹³，ｐ，ｑ，ｒ，ｓは上記と同じ意味を示
す。）

【００２７】ここで、Ｒ¹⁴のアルキル基としては、上述
したものと同様のものを挙げることができ、中でも水素
原子又は炭素数１〜１０、特に１〜８のものを挙げるこ
とができる。Ｒ¹⁵のアルキル基も上述したものと同様の
ものを挙げることができ、中でも水素原子又は炭素数１
〜８、特に１〜６のものを挙げることができる。ｔは好
ましくは０〜６であり、ｗは好ましくは０〜６、特に０
〜２である。

【００２８】上記一般式（３）〜（８）の繰り返し単位
としては、下記のものを例示することができる。

【００２９】

【化１３】

【００３０】

【化１４】

【００３１】

【化１５】

【００３２】本発明の高分子化合物は、上記単位（３）
〜（８）に加え、密着性を向上させるための置換基を含
む単位、特にヒドロキシスチレン、酸無水物、エステル
（ラクトン）、カーボネート、アルコール、アミド、ケ
トンなどの親水性置換基を含む下記群［Ｉ］から選ばれ
る１種又は２種以上の単位を含んでもよい。

【００３３】

【化１６】

【００３４】

【化１７】 （式中、Ｒ¹⁴，Ｒ¹⁵は上記と同じ。）

【００３５】ここで、本発明の高分子化合物において、
上記式（３）〜（８）の単位は、５〜１００モル％、よ
り好ましくは１０〜９０モル％、更に好ましくは２０〜
８０モル％含有することが好ましく、残部は上記群
［Ｉ］の単位とすることができる。

【００３６】また、更に珪素含有量を増やすことによっ
てドライエッチング耐性を高めることができるモノマー
を共重合することができる。このものは、珪素を含むモ
ノマーであり、例えば下記に示すものが例示される。

【化１８】

【００３７】

【化１９】

【００３８】

【化２０】

【００３９】本発明の高分子化合物の重量平均分子量
は、１，０００〜１，０００，０００、特に２，０００
〜１００，０００であることが好ましい。

【００４０】本発明の高分子化合物を製造する場合、上
記単位（３）〜（８）を与えるモノマー、更には上記群
［Ｉ］の単位を与えるモノマーの所用量を用い、常法に
従い、これらモノマー類と溶媒を混合し、触媒を添加し
て、場合によっては加熱あるいは冷却しながら重合反応
を行う。重合反応は、開始剤（あるいは触媒）の種類、
開始の方法（光、熱、放射線、プラズマなど）、重合条
件（温度、圧力、濃度、溶媒、添加物）などによっても
支配される。本発明の高分子化合物の重合においては、
ＡＩＢＮなどのラジカルによって重合が開始されるラジ
カル共重合、アルキルリチウムなどの触媒を用いたイオ
ン重合（アニオン重合）などが一般的である。これらの
重合は、その常法に従って行うことができる。

【００４１】なお、本発明の式（１），（２）の珪素含
有置換基は、式（１ａ），（１ｂ）で示されるアルコー
ル化合物を用い、エステル化反応などの常法によって導
入することで、式（３）〜（８）の単位を与えるモノマ
ーを合成することができる。

【００４２】

【化２１】

【００４３】また、この式（１ａ），（１ｂ）のアルコ
ール化合物は、式（２ａ）のケトン化合物にグリニャー
ル試薬ＲＭｇＸ（Ｘはハロゲン原子）や有機リチウム試
薬ＲＬｉのような有機金属試薬を反応させるか、又は式
（２ｂ）の化合物にＲＭｇＸ、ＲＬｉのような有機金属
化合物を反応させることによって得ることができる。

【００４４】

【化２２】 （Ｒ’はメチル、エチル等のアルキル基。）

【００４５】本発明の高分子化合物は、化学増幅ポジ型
レジスト材料のベース樹脂として好適であり、この場
合、本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料は、（Ａ）ベ
ース樹脂として上記高分子化合物、（Ｂ）酸発生剤、
（Ｃ）有機溶剤を含有し、更に好ましくは（Ｄ）酸不安
定基を有する溶解阻止剤、（Ｅ）塩基性化合物を添加し
てなるものが好適である。

【００４６】ここで、本発明で使用される（Ｃ）成分の
有機溶剤としては、酸発生剤、ベース樹脂（本発明の高
分子化合物）、溶解阻止剤等が溶解可能な有機溶媒であ
ればいずれでもよい。このような有機溶剤としては、例
えばシクロヘキサノン、メチル−２−ｎ−アミルケトン
等のケトン類、３−メトキシブタノール、３−メチル−
３−メトキシブタノール、１−メトキシ−２−プロパノ
ール、１−エトキシ−２−プロパノール等のアルコール
類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコー
ルモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチル
エーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジ
エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、
プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、
乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、３−メト
キシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エ
チル、酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピオン酸ｔｅｒｔ−
ブチル、プロピレングリコール−モノ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルエーテルアセテート等のエステル類が挙げられ、これ
らの１種を単独で又は２種以上を混合して使用すること
ができるが、これらに限定されるものではない。本発明
では、これらの有機溶剤の中でもレジスト成分中の酸発
生剤の溶解性が最も優れているジエチレングリコールジ
メチルエーテルや１−エトキシ−２−プロパノール、乳
酸エチルの他、安全溶剤であるプロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート及びそれらの混合溶剤が好
ましく使用される。

【００４７】なお、有機溶剤の使用量は、ベース樹脂１
００重量部に対して２００〜５，０００重量部、特に４
００〜３，０００重量部である。

【００４８】（Ｂ）成分の酸発生剤としては、下記一般
式（９）のオニウム塩、式（１０）のジアゾメタン誘導
体、式（１１）のグリオキシム誘導体、β−ケトスルホ
ン誘導体、ジスルホン誘導体、ニトロベンジルスルホネ
ート誘導体、スルホン酸エステル誘導体、イミド−イル
スルホネート誘導体等が挙げられる。

【００４９】（Ｒ³⁰）_bＭ⁺Ｋ^- （９） （但し、Ｒ³⁰は炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環
状のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素
数７〜１２のアラルキル基を表し、Ｍ⁺はヨードニウ
ム、スルホニウムを表し、Ｋ^-は非求核性対向イオンを
表し、ｂは２又は３である。）

【００５０】Ｒ³⁰のアルキル基としてはメチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基、２−
オキソシクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチ
ル基等が挙げられる。アリール基としてはフェニル基、
ｐ−メトキシフェニル基、ｍ−メトキシフェニル基、ｏ
−メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｐ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシフェニル基、ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシフ
ェニル基等のアルコキシフェニル基、２−メチルフェニ
ル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、
エチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、
４−ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基等のアルキ
ルフェニル基が挙げられる。アラルキル基としてはベン
ジル基、フェネチル基等が挙げられる。Ｋ^-の非求核性
対向イオンとしては塩化物イオン、臭化物イオン等のハ
ライドイオン、トリフレート、１，１，１−トリフルオ
ロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネー
ト等のフルオロアルキルスルホネート、トシレート、ベ
ンゼンスルホネート、４−フルオロベンゼンスルホネー
ト、１，２，３，４，５−ペンタフルオロベンゼンスル
ホネート等のアリールスルホネート、メシレート、ブタ
ンスルホネート等のアルキルスルホネートが挙げられ
る。

【００５１】

【化２３】 （但し、Ｒ³¹，Ｒ³²は炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状
又は環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル基、炭素
数６〜１２のアリール基、又はハロゲン化アリール基又
は炭素数７〜１２のアラルキル基を表す。）

【００５２】Ｒ³¹，Ｒ³²のアルキル基としてはメチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、ア
ダマンチル基等が挙げられる。ハロゲン化アルキル基と
してはトリフルオロメチル基、１，１，１−トリフルオ
ロエチル基、１，１，１−トリクロロエチル基、ノナフ
ルオロブチル基等が挙げられる。アリール基としてはフ
ェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｍ−メトキシフェ
ニル基、ｏ−メトキシフェニル基、エトキシフェニル
基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、ｍ−ｔｅｒｔ
−ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基、２−
メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチル
フェニル基、エチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチル
フェニル基、４−ブチルフェニル基、ジメチルフェニル
基等のアルキルフェニル基が挙げられる。ハロゲン化ア
リール基としてはフルオロベンゼン基、クロロベンゼン
基、１，２，３，４，５−ペンタフルオロベンゼン基等
が挙げられる。アラルキル基としてはベンジル基、フェ
ネチル基等が挙げられる。

【００５３】

【化２４】 （但し、Ｒ³³，Ｒ³⁴，Ｒ³⁵は炭素数１〜１２の直鎖状、
分岐状又は環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル
基、炭素数６〜１２のアリール基又はハロゲン化アリー
ル基又は炭素数７〜１２のアラルキル基を表す。また、
Ｒ³⁴，Ｒ³⁵は互いに結合して環状構造を形成してもよ
く、環状構造を形成する場合、Ｒ³⁴，Ｒ³⁵はそれぞれ炭
素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を表
す。）

【００５４】Ｒ³³，Ｒ³⁴，Ｒ³⁵のアルキル基、ハロゲン
化アルキル基、アリール基、ハロゲン化アリール基、ア
ラルキル基としては、Ｒ³¹，Ｒ³²で説明したものと同様
の基が挙げられる。なお、Ｒ³⁴，Ｒ³⁵のアルキレン基と
してはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレ
ン基、ヘキシレン基等が挙げられる。

【００５５】具体的には、例えばトリフルオロメタンス
ルホン酸ジフェニルヨードニウム、トリフルオロメタン
スルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニ
ルヨードニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジフェニルヨ
ードニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−
ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、トリフルオ
ロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフ
ルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェ
ニル）ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンス
ルホン酸ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェ
ニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリ
ス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、
ｐ−トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ
−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニ
ル）ジフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸
ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスル
ホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒ
ｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ノナフルオロブ
タンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ブタンスル
ホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタン
スルホン酸トリメチルスルホニウム、ｐ−トルエンスル
ホン酸トリメチルスルホニウム、トリフルオロメタンス
ルホン酸シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキ
シル）スルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸シクロヘ
キシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウ
ム、トリフルオロメタンスルホン酸ジメチルフェニルス
ルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジメチルフェニル
スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジシクロ
ヘキシルフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン
酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム等のオニウム
塩、ビス（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（キシ
レンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシル
スルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロペンチルスル
ホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−ブチルスルホニル）
ジアゾメタン、ビス（イソブチルスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（ｓｅｃ−ブチルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（ｎ−プロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビ
ス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔ
ｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−
アミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソアミルス
ルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ−アミルスルホ
ニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−アミルスルホニ
ル）ジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニル−１
−（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、１−
シクロヘキシルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−アミルス
ルホニル）ジアゾメタン、１−ｔｅｒｔ−アミルスルホ
ニル−１−（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタ
ン等のジアゾメタン誘導体、ビス−ｏ−（ｐ−トルエン
スルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−
（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジフェニルグリオキ
シム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジ
シクロヘキシルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエ
ンスルホニル）−２，３−ペンタンジオングリオキシ
ム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−２−メチ
ル−３，４−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−
（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシ
ム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジフェ
ニルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニ
ル）−α−ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス−ｏ−
（ｎ−ブタンスルホニル）−２，３−ペンタンジオング
リオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−２
−メチル−３，４−ペンタンジオングリオキシム、ビス
−ｏ−（メタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシ
ム、ビス−ｏ−（トリフルオロメタンスルホニル）−α
−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（１，１，１−ト
リフルオロエタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキ
シム、ビス−ｏ−（ｔｅｒｔ−ブタンスルホニル）−α
−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（パーフルオロオ
クタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス
−ｏ−（シクロヘキサンスルホニル）−α−ジメチルグ
リオキシム、ビス−ｏ−（ベンゼンスルホニル）−α−
ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−フルオロベン
ゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−
ｏ−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニル）−α
−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（キシレンスルホ
ニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（カン
ファースルホニル）−α−ジメチルグリオキシム等のグ
リオキシム誘導体、２−シクロヘキシルカルボニル−２
−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン、２−イソプロ
ピルカルボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロ
パン等のβ−ケトスルホン誘導体、ジフェニルジスルホ
ン、ジシクロヘキシルジスルホン等のジスルホン誘導
体、ｐ−トルエンスルホン酸２，６−ジニトロベンジ
ル、ｐ−トルエンスルホン酸２，４−ジニトロベンジル
等のニトロベンジルスルホネート誘導体、１，２，３−
トリス（メタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，
３−トリス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ベ
ンゼン、１，２，３−トリス（ｐ−トルエンスルホニル
オキシ）ベンゼン等のスルホン酸エステル誘導体、フタ
ルイミド−イル−トリフレート、フタルイミド−イル−
トシレート、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシ
イミド−イル−トリフレート、５−ノルボルネン−２，
３−ジカルボキシイミド−イル−トシレート、５−ノル
ボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−イル−ｎ−ブ
チルスルホネート等のイミド−イル−スルホネート誘導
体等が挙げられるが、トリフルオロメタンスルホン酸ト
リフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン
酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスル
ホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス（ｐ−
ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ｐ−トル
エンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ−トルエ
ンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフ
ェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリス
（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム等の
オニウム塩、ビス（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビ
ス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（ｎ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソブ
チルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ−ブチル
スルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−プロピルスルホ
ニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）
ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジ
アゾメタン等のジアゾメタン誘導体、ビス−ｏ−（ｐ−
トルエンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビ
ス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリ
オキシム等のグリオキシム誘導体が好ましく用いられ
る。なお、上記酸発生剤は１種を単独で又は２種以上を
組み合わせて用いることができる。オニウム塩は矩形性
向上効果に優れ、ジアゾメタン誘導体及びグリオキシム
誘導体は定在波低減効果に優れるが、両者を組み合わせ
ることにより、プロファイルの微調整を行うことが可能
である。

【００５６】酸発生剤の配合量は、全ベース樹脂１００
重量部に対して０．２〜１５重量部、特に０．５〜８重
量部とすることが好ましく、０．２重量部に満たないと
露光時の酸発生量が少なく、感度及び解像力が劣る場合
があり、１５重量部を超えるとレジストの透過率が低下
し、解像力が劣る場合がある。

【００５７】（Ｅ）成分の塩基性化合物は、酸発生剤よ
り発生する酸がレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を
抑制することができる化合物が適しており、このような
塩基性化合物の配合により、レジスト膜中での酸の拡散
速度が抑制されて解像度が向上し、露光後の感度変化を
抑制したり、基板や環境依存性を少なくし、露光余裕度
やパターンプロファイル等を向上することができる（特
開平５−２３２７０６号、同５−２４９６８３号、同５
−１５８２３９号、同５−２４９６６２号、同５−２５
７２８２号、同５−２８９３２２号、同５−２８９３４
０号公報等記載）。

【００５８】このような塩基性化合物としては、第一
級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、
芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有す
る含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、
ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニ
ル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合
物、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられるが、特
に脂肪族アミンが好適に用いられる。

【００５９】具体的には、第一級の脂肪族アミン類とし
て、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プ
ロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミ
ン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒ
ｔ−ブチルアミン、ペンチルアミン、ｔｅｒｔ−アミル
アミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シク
ロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、
ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチル
アミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラ
エチレンペンタミン等が例示され、第二級の脂肪族アミ
ン類として、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ
−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｎ−ブ
チルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｓｅｃ−ブチル
アミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、
ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチ
ルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシ
ルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレ
ンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルテトラエチレンペンタミ
ン等が例示され、第三級の脂肪族アミン類として、トリ
メチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピル
アミン、トリイソプロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルア
ミン、トリイソブチルアミン、トリ−ｓｅｃ−ブチルア
ミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミ
ン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、
トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニル
アミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリ
セチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルメチ
レンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチ
レンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルテト
ラエチレンペンタミン等が例示される。

【００６０】また、混成アミン類としては、例えばジメ
チルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベン
ジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミ
ン等が例示される。芳香族アミン類及び複素環アミン類
の具体例としては、アニリン誘導体（例えばアニリン、
Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ−プロピ
ルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルア
ニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、エ
チルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリ
ン、２−ニトロアニリン、３−ニトロアニリン、４−ニ
トロアニリン、２，４−ジニトロアニリン、２，６−ジ
ニトロアニリン、３，５−ジニトロアニリン、Ｎ，Ｎ−
ジメチルトルイジン等）、ジフェニル（ｐ−トリル）ア
ミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、
フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタ
レン、ピロール誘導体（例えばピロール、２Ｈ−ピロー
ル、１−メチルピロール、２，４−ジメチルピロール、
２，５−ジメチルピロール、Ｎ−メチルピロール等）、
オキサゾール誘導体（例えばオキサゾール、イソオキサ
ゾール等）、チアゾール誘導体（例えばチアゾール、イ
ソチアゾール等）、イミダゾール誘導体（例えばイミダ
ゾール、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フ
ェニルイミダゾール等）、ピラゾール誘導体、フラザン
誘導体、ピロリン誘導体（例えばピロリン、２−メチル
−１−ピロリン等）、ピロリジン誘導体（例えばピロリ
ジン、Ｎ−メチルピロリジン、ピロリジノン、Ｎ−メチ
ルピロリドン等）、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジ
ン誘導体、ピリジン誘導体（例えばピリジン、メチルピ
リジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピ
リジン、４−（１−ブチルペンチル）ピリジン、ジメチ
ルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジ
ン、フェニルピリジン、３−メチル−２−フェニルピリ
ジン、４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン、ジフェニルピリ
ジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシ
ピリジン、ジメトキシピリジン、１−メチル−２−ピリ
ドン、４−ピロリジノピリジン、１−メチル−４−フェ
ニルピリジン、２−（１−エチルプロピル）ピリジン、
アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等）、ピリダ
ジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラ
ゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導
体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール
誘導体、イソインドール誘導体、１Ｈ−インダゾール誘
導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体（例えばキノ
リン、３−キノリンカルボニトリル等）、イソキノリン
誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキ
サリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテ
リジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン
誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、１，１
０−フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノ
シン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラ
シル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。

【００６１】更に、カルボキシ基を有する含窒素化合物
としては、例えばアミノ安息香酸、インドールカルボン
酸、アミノ酸誘導体（例えばニコチン酸、アラニン、ア
ルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、
ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシ
ン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジ
ン、３−アミノピラジン−２−カルボン酸、メトキシア
ラニン）等が例示され、スルホニル基を有する含窒素化
合物として３−ピリジンスルホン酸、ｐ−トルエンスル
ホン酸ピリジニウム等が例示され、ヒドロキシ基を有す
る含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素
化合物、アルコール性含窒素化合物としては、２−ヒド
ロキシピリジン、アミノクレゾール、２，４−キノリン
ジオール、３−インドールメタノールヒドレート、モノ
エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジ
エチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミ
ン、２，２’−イミノジエタノール、２−アミノエタノ
−ル、３−アミノ−１−プロパノール、４−アミノ−１
−ブタノール、４−（２−ヒドロキシエチル）モルホリ
ン、２−（２−ヒドロキシエチル）ピリジン、１−（２
−ヒドロキシエチル）ピペラジン、１−［２−（２−ヒ
ドロキシエトキシ）エチル］ピペラジン、ピペリジンエ
タノール、１−（２−ヒドロキシエチル）ピロリジン、
１−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリジノン、３
−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、３−ピロリ
ジノ−１，２−プロパンジオール、８−ヒドロキシユロ
リジン、３−クイヌクリジノール、３−トロパノール、
１−メチル−２−ピロリジンエタノール、１−アジリジ
ンエタノール、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）フタルイ
ミド、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）イソニコチンアミ
ド等が例示される。アミド誘導体としては、ホルムアミ
ド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズ
アミド等が例示される。イミド誘導体としては、フタル
イミド、サクシンイミド、マレイミド等が例示される。

【００６２】更に、下記一般式（１２）及び（１３）で
示される塩基性化合物を配合することもできる。

【００６３】

【化２５】 （式中、Ｒ⁴¹，Ｒ⁴²，Ｒ⁴³，Ｒ⁴⁷，Ｒ⁴⁸はそれぞれ独立
して直鎖状、分岐鎖状又は環状の炭素数１〜２０のアル
キレン基、Ｒ⁴⁴，Ｒ⁴⁵，Ｒ⁴⁶，Ｒ⁴⁹，Ｒ⁵⁰は水素原子、
炭素数１〜２０のアルキル基又はアミノ基を示し、Ｒ⁴⁴
とＲ⁴⁵、Ｒ⁴⁵とＲ ⁴⁶、Ｒ⁴⁴とＲ⁴⁶、Ｒ⁴⁴とＲ⁴⁵とＲ⁴⁶、
Ｒ⁴⁹とＲ⁵⁰はそれぞれ結合して環を形成してもよい。
Ｓ，Ｔ，Ｕはそれぞれ０〜２０の整数を示す。但し、
Ｓ，Ｔ，Ｕ＝０のとき、Ｒ⁴⁴，Ｒ⁴⁵，Ｒ⁴⁶，Ｒ⁴⁹，Ｒ⁵⁰
は水素原子を含まない。）

【００６４】ここで、Ｒ⁴¹，Ｒ⁴²，Ｒ⁴³，Ｒ⁴⁷，Ｒ⁴⁸の
アルキレン基としては、炭素数１〜２０、好ましくは１
〜１０、更に好ましくは１〜８のものであり、具体的に
は、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、イソ
プロピレン基、ｎ−ブチレン基、イソブチレン基、ｎ−
ペンチレン基、イソペンチレン基、ヘキシレン基、ノニ
レン基、デシレン基、シクロペンチレン基、シクロへキ
シレン基等が挙げられる。

【００６５】また、Ｒ⁴⁴，Ｒ⁴⁵，Ｒ⁴⁶，Ｒ⁴⁹，Ｒ⁵⁰のア
ルキル基としては、炭素数１〜２０、好ましくは１〜
８、更に好ましくは１〜６のものであり、これらは直鎖
状、分岐状、環状のいずれであってもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、ノ
ニル基、デシル基、ドデシル基、トリデシル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。

【００６６】更に、Ｒ⁴⁴とＲ⁴⁵、Ｒ⁴⁵とＲ⁴⁶、Ｒ⁴⁴とＲ
⁴⁶、Ｒ⁴⁴とＲ⁴⁵とＲ⁴⁶、Ｒ⁴⁹とＲ⁵⁰が環を形成する場
合、その環の炭素数は１〜２０、より好ましくは１〜
８、更に好ましくは１〜６であり、またこれらの環は炭
素数１〜６、特に１〜４のアルキル基が分岐していても
よい。

【００６７】Ｓ，Ｔ，Ｕはそれぞれ０〜２０の整数であ
り、より好ましくは１〜１０、更に好ましくは１〜８の
整数である。

【００６８】上記（１２），（１３）の化合物として具
体的には、トリス｛２−（メトキシメトキシ）エチル｝
アミン、トリス｛２−（メトキシエトキシ）エチル｝ア
ミン、トリス［２−｛（２−メトキシエトキシ）メトキ
シ｝エチル］アミン、トリス｛２−（２−メトキシエト
キシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−メトキシエ
トキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキシ
エトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキ
シプロポキシ）エチル｝アミン、トリス［２−｛（２−
ヒドロキシエトキシ）エトキシ｝エチル］アミン、４，
７，１３，１６，２１，２４−ヘキサオキサ−１，１０
−ジアザビシクロ［８．８．８］ヘキサコサン、４，
７，１３，１８−テトラオキサ−１，１０−ジアザビシ
クロ［８．５．５］エイコサン、１，４，１０，１３−
テトラオキサ−７，１６−ジアザビシクロオクタデカ
ン、１−アザ−１２−クラウン−４、１−アザ−１５−
クラウン−５、１−アザ−１８−クラウン−６等が挙げ
られる。特に第三級アミン、アニリン誘導体、ピロリジ
ン誘導体、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、アミノ酸
誘導体、ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキ
シフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒
素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体、トリス｛２−
（メトキシメトキシ）エチル｝アミン、トリス｛（２−
（２−メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス［２
−｛（２−メトキシエトキシ）メチル｝エチル］アミ
ン、１−アザ−１５−クラウン−５等が好ましい。

【００６９】なお、上記塩基性化合物は１種を単独で又
は２種以上を組み合わせて用いることができ、その配合
量は全ベース樹脂１００重量部に対して０．０１〜２重
量部、特に０．０１〜１重量部が好適である。配合量が
０．０１重量部より少ないと配合効果がなく、２重量部
を超えると感度が低下しすぎる場合がある。

【００７０】次に、（Ｄ）成分の溶解阻止剤としては、
酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が変化する分
子量３，０００以下の化合物、特に２，５００以下の低
分子量のフェノールあるいはカルボン酸誘導体の一部あ
るいは全部を酸に不安定な置換基で置換した化合物を挙
げることができる。

【００７１】分子量２，５００以下のフェノールあるい
はカルボン酸誘導体としては、ビスフェノールＡ、ビス
フェノールＨ、ビスフェノールＳ、４，４−ビス（４’
−ヒドロキシフェニル）吉草酸、トリス（４−ヒドロキ
シフェニル）メタン、１，１，１−トリス（４’−ヒド
ロキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−
ヒドロキシフェニル）エタン、フェノールフタレイン、
チモールフタレイン等が挙げられ、酸に不安定な置換基
としては、上記と同様のものが挙げられる。

【００７２】好適に用いられる溶解阻止剤の例として
は、ビス（４−（２’テトラヒドロピラニルオキシ）フ
ェニル）メタン、ビス（４−（２’テトラヒドロフラニ
ルオキシ）フェニル）メタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブ
トキシフェニル）メタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキ
シカルボニルオキシフェニル）メタン、ビス（４−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）メタ
ン、ビス（４−（１’−エトキシエトキシ）フェニル）
メタン、ビス（４−（１’−エトキシプロピルオキシ）
フェニル）メタン、２，２−ビス（４’−（２’’テト
ラヒドロピラニルオキシ））プロパン、２，２−ビス
（４’−（２’’テトラヒドロフラニルオキシ）フェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキ
シフェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−ｔｅｒｔ
−ブトキシカルボニルオキシフェニル）プロパン、２，
２−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−
（１’’−エトキシエトキシ）フェニル）プロパン、
２，２−ビス（４’−（１’’−エトキシプロピルオキ
シ）フェニル）プロパン、４，４−ビス（４’−
（２’’テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）吉草
酸ｔｅｒｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−（２’’テ
トラヒドロフラニルオキシ）フェニル）吉草酸ｔｅｒｔ
−ブチル、４，４−ビス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシフ
ェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、４，４−ビス（４−
ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）吉草酸
ｔｅｒｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−ｔｅｒｔ−ブ
トキシカルボニルメチルオキシフェニル）吉草酸ｔｅｒ
ｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−（１’’−エトキシ
エトキシ）フェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、４，４
−ビス（４’−（１’’−エトキシプロピルオキシ）フ
ェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、トリス（４−（２’
テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）メタン、トリ
ス（４−（２’テトラヒドロフラニルオキシ）フェニ
ル）メタン、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニ
ル）メタン、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ルオキシフェニル）メタン、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブ
トキシカルボニルオキシメチルフェニル）メタン、トリ
ス（４−（１’−エトキシエトキシ）フェニル）メタ
ン、トリス（４−（１’−エトキシプロピルオキシ）フ
ェニル）メタン、１，１，２−トリス（４’−（２’’
テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）エタン、１，
１，２−トリス（４’−（２’’テトラヒドロフラニル
オキシ）フェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’
−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）エタン、１，１，２−
トリス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフ
ェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ｔｅｒｔ
−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）エタン、
１，１，２−トリス（４’−（１’−エトキシエトキ
シ）フェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−
（１’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）エタン等
が挙げられる。

【００７３】本発明のレジスト材料中の溶解阻止剤
［（Ｄ）成分］の添加量としては、レジスト材料中の固
形分１００重量部に対して２０重量部以下、好ましくは
１５重量部以下である。２０重量部より多いとモノマー
成分が増えるためレジスト材料の耐熱性が低下する。

【００７４】本発明のレジスト材料には、上記成分以外
に任意成分として塗布性を向上させるために慣用されて
いる界面活性剤を添加することができる。なお、任意成
分の添加量は、本発明の効果を妨げない範囲で通常量と
することができる。

【００７５】ここで、界面活性剤としては非イオン性の
ものが好ましく、パーフルオロアルキルポリオキシエチ
レンエタノール、フッ素化アルキルエステル、パーフル
オロアルキルアミンオキサイド、含フッ素オルガノシロ
キサン系化合物等が挙げられる。例えばフロラード「Ｆ
Ｃ−４３０」、「ＦＣ−４３１」（いずれも住友スリー
エム（株）製）、サーフロン「Ｓ−１４１」、「Ｓ−１
４５」、「Ｓ−３８１」、「Ｓ−３８３」（いずれも旭
硝子（株）製）、ユニダイン「ＤＳ−４０１」、「ＤＳ
−４０３」、「ＤＳ−４５１」（いずれもダイキン工業
（株）製）、メガファック「Ｆ−８１５１」、「Ｆ−１
７１」、「Ｆ−１７２」、「Ｆ−１７３」、「Ｆ−１７
７」（いずれも大日本インキ工業（株）製）、「Ｘ−７
０−０９２」、「Ｘ−７０−０９３」（いずれも信越化
学工業（株）製）等を挙げることができる。好ましく
は、フロラード「ＦＣ−４３０」（住友スリーエム
（株）製）、「Ｘ−７０−０９３」（信越化学工業
（株）製）が挙げられる。

【００７６】本発明のレジスト材料を使用してパターン
を形成するには、公知のリソグラフィー技術を採用して
行うことができ、例えばシリコンウェハー等の基板上に
０．１〜１０．０μｍ程度の厚さに形成されたノボラッ
ク等の有機膜上にスピンコーティング等の手法で膜厚が
０．０１〜１．０μｍとなるように塗布し、これをホッ
トプレート上で６０〜２００℃、１０秒〜１０分間、好
ましくは８０〜１５０℃、３０秒〜５分間プリベークす
る。次いで目的のパターンを形成するためのマスクを上
記のレジスト膜上にかざし、波長３００ｎｍ以下の遠紫
外線、エキシマレーザー、Ｘ線等の高エネルギー線もし
くは電子線を露光量１〜２００ｍＪ／ｃｍ²程度、好ま
しくは１０〜１００ｍＪ／ｃｍ²程度となるように照射
した後、ホットプレート上で６０〜１５０℃、１０秒〜
５分間、好ましくは８０〜１３０℃、３０秒〜３分間ポ
ストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）する。更に、０．
１〜５％、好ましくは２〜３％テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等のアルカリ水溶液
の現像液を用い、１０秒〜３分間、好ましくは３０秒〜
２分間、浸漬（ｄｉｐ）法、パドル（ｐｕｄｄｌｅ）
法、スプレー（ｓｐｒａｙ）法等の常法により現像する
ことにより基板上に目的のパターンが形成される。な
お、本発明材料は、特に高エネルギー線の中でも２５４
〜１２０ｎｍの遠紫外線又はエキシマレーザー、特に１
９３ｎｍのＡｒＦ、１５７ｎｍのＦ２、１４６ｎｍのＫ
ｒ２、１３４ｎｍのＫｒＡｒ、１２６ｎｍのＡｒ２など
のエキシマレーザー、Ｘ線及び電子線による微細パター
ンニングに最適である。また、上記範囲を上限及び下限
から外れる場合は、目的のパターンを得ることができな
い場合がある。

【００７７】次いで、露呈した上記有機膜部分を酸素プ
ラズマを発生させるドライエッチング装置により常法に
従って加工することができる。

【００７８】

【発明の効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー
線に感応し、３００ｎｍ以下の波長における感度、解像
性、酸素プラズマエッチング耐性に優れている。従っ
て、本発明の高分子化合物及びレジスト材料は、これら
の特性により、特に優れた２層レジスト用の材料となり
得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターン
を容易に形成でき、このため超ＬＳＩ製造用の微細パタ
ーン形成材料として好適である。

【００７９】

【実施例】以下、合成例及び実施例を示して本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記例に制限されるもので
はない。

【００８０】［モノマー合成例１］メタクリル酸１，
４，４−トリメチル−４−シラシクロヘキシル １．０Ｍメチルマグネシウムクロリドのテトラヒドロフ
ラン溶液に、氷冷下、４，４−ジメチル−４−シラシク
ロヘキサノン（このものの合成は特開平７−３０９８７
８号公報に記載）１４．２ｇを滴下した。２時間撹拌
後、塩化アンモニウム水溶液を加え、加水分解した。通
常の抽出・洗浄・濃縮の後処理操作の後、昇華により精
製して、１，４，４−トリメチル−４−シラシクロヘキ
シサノール１４．２ｇ（収率９０％）を得た。 ＩＲ νｍａｘ：３３４６，２９２０，１２４８，１１
００，８９２ｃｍ^-1。¹ Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）δ：０．００
（３Ｈ，ｓ），０．０２（３Ｈ，ｓ），０．４７〜０．
５８（２Ｈ，ｍ），０．６７〜０．７９（２Ｈ，ｍ），
１．１７（３Ｈ，ｓ），１．３０（１Ｈ，ｓ），１．６
１〜１．８２（４Ｈ，ｍ）ｐｐｍ。

【００８１】このものとトリエチルアミン１５ｇを塩化
メチレン１００ｍｌに溶かした溶液に、氷冷下、メタク
リル酸クロリド１０．５ｇを加えた後、室温で１２時間
撹拌してエステル化した。反応混合物に水を加え、通常
の抽出・洗浄・濃縮の後処理操作の後、減圧蒸留して、
メタクリル酸１，４，４−トリメチル−４−シラシクロ
ヘキシル１５．３ｇ（収率７５％）を得た。 沸点：６５℃／０．８トル ＩＲ νｍａｘ：２９２６，１７１４，１２９４，１２
４８，１１６２，８４０ｃｍ^-1。¹ Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）δ：０．００
（３Ｈ，ｓ），０．０３（３Ｈ，ｓ），０．５０〜０．
７４（４Ｈ，ｍ），１．４８（３Ｈ，ｓ），１．５１〜
１．６４（２Ｈ，ｍ），１．９２（３Ｈ，ｓ），２．４
２〜２．５２（２Ｈ，ｍ），５．４８（１Ｈ，ｔ），
６．０４（１Ｈ，ｓ）ｐｐｍ。

【００８２】同様の反応により、又は常法に従い、以下
の重合性モノマー化合物を得た。 ［モノマー合成例２］アクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシル ［モノマー合成例３］２−ノルボルネン−５−カルボン
酸１，４，４−トリメチル−４−シラシクロヘキシル ［モノマー合成例４］ｐ−（１，４，４−トリメチル−
４−シラシクロヘキシルオキシ）スチレン ［モノマー合成例５］ｐ−ビニルフェノキシ酢酸１，
４，４−トリメチル−４−シラシクロヘキシル ［モノマー合成例６］メタクリル酸１−エチル−４，４
−ジメチル−４−シラシクロヘキシル ［モノマー合成例７］２−ノルボルネン−５−カルボン
酸１−エチル−４，４−ジメチル−４−シラシクロヘキ
シル ［モノマー合成例８］メタクリル酸１−イソプロピル−
４，４−ジメチル−４−シラシクロヘキシル ［モノマー合成例９］２−ノルボルネン−５−カルボン
酸１−イソプロピル−４，４−ジメチル−４−シラシク
ロヘキシル ［モノマー合成例１０］テトラシクロドデセンカルボン
酸１−イソプロピル−４，４−ジメチル−４−シラシク
ロヘキシル ［モノマー合成例１１］メタクリル酸１−エチル−３，
３−ジメチル−３−シラシクロヘキシル ［モノマー合成例１２］アクリル酸１−エチル−３，３
−ジメチル−３−シラシクロヘキシル ［モノマー合成例１３］ｐ−（１−エチル−３，３−ト
リメチル−３−シラシクロヘキシルオキシ）スチレン ［モノマー合成例１４］ｐ−ビニルフェノキシ酢酸１，
３，３−トリメチル−３−シラシクロヘキシル ［モノマー合成例１５］２−ノルボルネン−５−カルボ
ン酸１−エチル−３，３−ジメチル−３−シラシクロヘ
キシル ［モノマー合成例１６］２−ノルボルネン−５−カルボ
ン酸１，３，３−トリエチル−３−シラシクロヘキシル ［モノマー合成例１７］メタクリル酸１−エチル−３，
３，５，５−テトラメチル−３，５−ジシラシクロヘキ
シル ［モノマー合成例１８］アクリル酸１−エチル−３，
３，５，５−テトラメチル−３，５−ジシラシクロヘキ
シル ［モノマー合成例１９］２−ノルボルネン−５−カルボ
ン酸１−エチル−３，３，５，５−テトラメチル−３，
５−ジシラシクロヘキシル ［モノマー合成例２０］メタクリル酸１−エチル−３，
３，４，５，５−ペンタメチル−３，５−ジシラシクロ
ヘキシル ［モノマー合成例２１］アクリル酸１−エチル−３，
３，４，４，５，５−ヘキサメチル−３，５−ジシラシ
クロヘキシル ［モノマー合成例２２］２−ノルボルネン−５−カルボ
ン酸１−エチル−３，３，４，４，５，５−ヘキサメチ
ル−３，５−ジシラシクロヘキシル ［モノマー合成例２３］メタクリル酸１−エチル−３，
３−ジメチル−３−シラシクロペンチル ［モノマー合成例２４］アクリル酸１−エチル−３，３
−ジメチル−３−シラシクロペンチル ［モノマー合成例２５］ｐ−（１−エチル−３，３−ジ
メチル−３−シラシクロペンチルオキシ）スチレン ［モノマー合成例２６］ｐ−（１−エチル−３，３−ジ
メチル−３−シラシクロペンチルオキシ）−α−メチル
スチレン ［モノマー合成例２７］メタクリル酸４，４−ジメチル
−４−シラシクロヘキシルジメチルカルビニル ［モノマー合成例２８］ｐ−（３，３−ジメチル−３−
シラシクロヘキシルジメチルカルビニルオキシ）スチレ
ン ［モノマー合成例２９］２−ノルボルネン−５−カルボ
ン酸２，２，６，６−テトラメチル−２，６−ジシラシ
クロヘキシルジエチルカルビニル ［モノマー合成例３０］テトラシクロドデセンカルボン
酸３，３−ジメチル−３−シラシクロブチルジメチルカ
ルビニル

【００８３】［ポリマー合成例１］メタクリル酸１，
４，４−トリメチル−４−シラシクロヘキシルとメタク
リル酸５−オキソ−オキサトリシクロ［４．２．１．０
^3,7］ノナン−２−イル共重合体（７：３）の合成 ２Ｌのフラスコ中でメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシル７０ｇとメタクリル酸５−
オキソ−オキサトリシクロ［４．２．１．０^{3, 7}］ノナ
ン−２−イル３５ｇをトルエン５６０ｍｌに溶解させ、
十分に系中の酸素を除去した後、開始剤ＡＩＢＮを５．
５ｇ仕込み、６０℃まで昇温して２４時間重合反応を行
った。得られたポリマーを精製するために、反応混合物
をヘキサン／エーテル（３：２）混合溶媒中に注ぎ、得
られた重合体を沈殿・分離したところ、９７ｇの白色重
合体メタクリル酸１，４，４−トリメチル−４−シラシ
クロヘキシル−メタクリル酸５−オキソ−オキサトリシ
クロ［４．２．１．０^3,7］ノナン−２−イル共重合体
（７：３）が得られた。このようにして得られた白色重
合体メタクリル酸１，４，４−トリメチル−４−シラシ
クロヘキシル−メタクリル酸５−オキソ−オキサトリシ
クロ［４．２．１．０^3,7］ノナン−２−イル共重合体
（７：３）は光散乱法により重量平均分子量が９，８０
０ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍ
ｗ／Ｍｎ）が１．６０の重合体であることが確認でき
た。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定することにより、ポリマ
ー中にほぼ７：３で含まれていることが確認できた。

【００８４】［ポリマー合成例２］アクリル酸１，４，
４−トリメチル−４−シラシクロヘキシルとアクリル酸
５−オキソ−オキサトリシクロ［４．２．１．０^3,7］
ノナン−２−イル共重合体（７：３）の合成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをアクリル酸１，４，４−
トリメチル−４−シラシクロヘキシルに代えて同様の方
法で合成した。光散乱法により重量平均分子量が１２，
０００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線より分散度
（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．６０の重合体であることが確認
できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定することにより、ポ
リマー中にほぼ７：３で含まれていることが確認でき
た。

【００８５】［ポリマー合成例３］２−ノルボルネン−
５−カルボン酸１，４，４−トリメチル−４−シラシク
ロヘキシルと無水マレイン酸共重合体（５：５）の合成 ２Ｌのフラスコ中で２−ノルボルネン−５−カルボン酸
１，４，４−トリメチル−４−シラシクロヘキシル７０
ｇと無水マレイン酸３０ｇをトルエン５６０ｍｌに溶解
させ、十分に系中の酸素を除去した後、開始剤ＡＩＢＮ
を５．５ｇ仕込み、６０℃まで昇温して２４時間重合反
応を行った。以下同様の方法でポリ２−ノルボルネン−
５−カルボン酸１，４，４−トリメチル−４−シラシク
ロヘキシル−ポリ無水マレイン酸共重合体（５：５）が
得られた。光散乱法により重量平均分子量が７，０００
ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍｗ
／Ｍｎ）が１．５０の重合体であることが確認できた。
更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定することにより、ポリマー中
にほぼ５：５で含まれていることが確認できた。

【００８６】［ポリマー合成例４］ｐ−（１，４，４−
トリメチル−４−シラシクロヘキシルオキシ）スチレン
とヒドロキシスチレンの共重合体（３：７）の合成 ２Ｌのフラスコ中でｐ−（１，４，４−トリメチル−４
−シラシクロヘキシルオキシ）スチレン３０ｇとアセト
キシスチレン４５ｇをトルエン５６０ｍｌに溶解させ、
十分に系中の酸素を除去した後、開始剤ＡＩＢＮを５．
５ｇ仕込み、６０℃まで昇温して２４時間重合反応を行
った。以下同様の方法でｐ−（１，４，４−トリメチル
−４−シラシクロヘキシルオキシ）スチレン−ポリヒド
ロキシスチレンの共重合体（３：７）が得られた。この
ポリマーを３Ｌのフラスコに移し、メタノール５００
ｇ、アセトン４００ｇに溶解させた後、トリエチルアミ
ン９７ｇ、純水５０ｇを添加し、６０℃まで昇温して２
０時間加水分解反応を行った。反応液を濃縮後、酢酸１
５０ｇを溶かした純水２０Ｌ中に注いでポリマーを沈殿
させた。得られたポリマーをアセトンに溶かし、純水２
０Ｌ中に注いでポリマーを沈殿させる操作を二回繰り返
した後、重合体を分離し、乾燥させた。光散乱法により
重量平均分子量が１３，０００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰ
Ｃ溶出曲線より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．７０の重
合体であることが確認できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測
定することにより、ポリマー中にほぼ３：７で含まれて
いることが確認できた。

【００８７】［ポリマー合成例５］ｐ−ビニルフェノキ
シ酢酸１，４，４−トリメチル−４−シラシクロヘキシ
ルヒドロキシスチレンの共重合体（３：７）の合成 ポリマー合成例４のｐ−（１，４，４−トリメチル−４
−シラシクロヘキシルオキシ）スチレンをｐ−ビニルフ
ェノキシ酢酸１，４，４−トリメチル−４−シラシクロ
ヘキシルヒドロキシスチレンに代えて同様の方法で合成
を行った。光散乱法により重量平均分子量が１３，００
０ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍ
ｗ／Ｍｎ）が１．７０の重合体であることが確認でき
た。更に、 ¹Ｈ−ＮＭＲを測定することにより、ポリマ
ー中にほぼ３：７で含まれていることが確認できた。

【００８８】［ポリマー合成例６］メタクリル酸１−エ
チル−４，４−ジメチル−４−シラシクロヘキシルとメ
タクリル酸５−オキソ−オキサトリシクロ［４．２．
１．０^{3, 7}］ノナン−２−イル共重合体（７：３）の合
成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをメタクリル酸１−エチル
−４，４−ジメチル−４−シラシクロヘキシルに代えて
同様の方法で合成を行った。光散乱法により重量平均分
子量が１２，０００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線
より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５０の重合体である
ことが確認できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定すること
により、ポリマー中にほぼ７：３で含まれていることが
確認できた。

【００８９】［ポリマー合成例７］２−ノルボルネン−
５−カルボン酸１−エチル−４，４−ジメチル−４−シ
ラシクロヘキシルと無水マレイン酸共重合体（５：５）
の合成 ポリマー合成例３の２−ノルボルネン−５−カルボン酸
１，４，４−トリメチル−４−シラシクロヘキシルを２
−ノルボルネン−５−カルボン酸１−エチル−４，４−
ジメチル−４−シラシクロヘキシルに代えて同様の方法
で合成を行った。光散乱法により重量平均分子量が８，
０００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線より分散度
（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．６０の重合体であることが確認
できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定することにより、ポ
リマー中にほぼ７：３で含まれていることが確認でき
た。

【００９０】［ポリマー合成例８］メタクリル酸１−イ
ソプロピル−４，４−ジメチル−４−シラシクロヘキシ
ルとメタクリル酸５−オキソ−オキサトリシクロ［４．
２．１．０^3,7］ノナン−２−イル共重合体（７：３）
の合成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをメタクリル酸１−エチル
−４，４−ジメチル−４−シラシクロヘキシルに代えて
同様の方法で合成を行った。光散乱法により重量平均分
子量が１４，０００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線
より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．６５の重合体である
ことが確認できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定すること
により、ポリマー中にほぼ７：３で含まれていることが
確認できた。

【００９１】［ポリマー合成例９］２−ノルボルネン−
５−カルボン酸１−イソプロピル−４，４−ジメチル−
４−シラシクロヘキシルと無水マレイン酸共重合体
（５：５）の合成 ポリマー合成例３の２−ノルボルネン−５−カルボン酸
１，４，４−トリメチル−４−シラシクロヘキシルを２
−ノルボルネン−５−カルボン酸１−イソプロピル−
４，４−ジメチル−４−シラシクロヘキシルに代えて同
様の方法で合成を行った。光散乱法により重量平均分子
量が７，０００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線より
分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．７０の重合体であること
が確認できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定することによ
り、ポリマー中にほぼ５：５で含まれていることが確認
できた。

【００９２】［ポリマー合成例１０］テトラシクロドデ
センカルボン酸１−イソプロピル−４，４−ジメチル−
４−シラシクロヘキシルと無水マレイン酸共重合体
（５：５）の合成 ポリマー合成例３の２−ノルボルネン−５−カルボン酸
１，４，４−トリメチル−４−シラシクロヘキシルをテ
トラシクロドデセンカルボン酸１−イソプロピル−４，
４−ジメチル−４−シラシクロヘキシルに代えて同様の
方法で合成を行った。光散乱法により重量平均分子量が
４，０００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線より分散
度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．９０の重合体であることが確
認できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定することにより、
ポリマー中にほぼ５：５で含まれていることが確認でき
た。

【００９３】［ポリマー合成例１１］メタクリル酸１−
エチル−３，３−ジメチル−３−シラシクロヘキシルと
メタクリル酸５−オキソ−オキサトリシクロ［４．２．
１．０ ^3,7］ノナン−２−イル共重合体（７：３）の合
成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをメタクリル酸１−エチル
−３，３−ジメチル−３−シラシクロヘキシルに代えて
同様の方法で合成を行った。光散乱法により重量平均分
子量が１１，２００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線
より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．６５の重合体である
ことが確認できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定すること
により、ポリマー中にほぼ７：３で含まれていることが
確認できた。

【００９４】［ポリマー合成例１２］アクリル酸１−エ
チル−３，３−ジメチル−３−シラシクロヘキシルとメ
タクリル酸５−オキソ−オキサトリシクロ［４．２．
１．０^{3, 7}］ノナン−２−イル共重合体（７：３）の合
成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをアクリル酸１−エチル−
３，３−ジメチル−３−シラシクロヘキシルに代えて同
様の方法で合成を行った。光散乱法により重量平均分子
量が１３，０００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線よ
り分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．７５の重合体であるこ
とが確認できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定することに
より、ポリマー中にほぼ７：３で含まれていることが確
認できた。

【００９５】［ポリマー合成例１３］ｐ−（１−エチル
−３，３−トリメチル−３−シラシクロヘキシルオキ
シ）スチレンとヒドロキシスチレンの共重合体（３：
７）の合成 ポリマー合成例４のｐ−（１，４，４−トリメチル−４
−シラシクロヘキシルオキシ）スチレンをｐ−（１−エ
チル−３，３−トリメチル−３−シラシクロヘキシルオ
キシ）スチレンに代えて同様の方法で合成を行った。光
散乱法により重量平均分子量が１１，５００ｇ／ｍｏｌ
であり、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が
１．６５の重合体であることが確認できた。更に、¹Ｈ
−ＮＭＲを測定することにより、ポリマー中にほぼ３：
７で含まれていることが確認できた。

【００９６】［ポリマー合成例１４］ｐ−ビニルフェノ
キシ酢酸１，３，３−トリメチル−３−シラシクロヘキ
シルとヒドロキシスチレンの共重合体（３：７）の合成 ポリマー合成例４のｐ−（１，４，４−トリメチル−４
−シラシクロヘキシルオキシ）スチレンをｐ−ビニルフ
ェノキシ酢酸１，３，３−トリメチル−３−シラシクロ
ヘキシルに代えて同様の方法で合成を行った。光散乱法
により重量平均分子量が１３，２００ｇ／ｍｏｌであ
り、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．
６８の重合体であることが確認できた。更に、¹Ｈ−Ｎ
ＭＲを測定することにより、ポリマー中にほぼ３：７で
含まれていることが確認できた。

【００９７】［ポリマー合成例１５］２−ノルボルネン
−５−カルボン酸１−エチル−３，３−ジメチル−３−
シラシクロヘキシルと無水マレイン酸共重合体（５：
５）の合成 ポリマー合成例３の２−ノルボルネン−５−カルボン酸
１，４，４−トリメチル−４−シラシクロヘキシルを２
−ノルボルネン−５−カルボン酸１−エチル−３，３−
ジメチル−３−シラシクロヘキシルに代えて同様の方法
で合成を行った。光散乱法により重量平均分子量が７，
０００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線より分散度
（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．７０の重合体であることが確認
できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定することにより、ポ
リマー中にほぼ５：５で含まれていることが確認でき
た。

【００９８】［ポリマー合成例１６］２−ノルボルネン
−５−カルボン酸１，３，３−トリエチル−３−シラシ
クロヘキシルと無水マレイン酸共重合体（５：５）の合
成 ポリマー合成例３の２−ノルボルネン−５−カルボン酸
１，４，４−トリメチル−４−シラシクロヘキシルを２
−ノルボルネン−５−カルボン酸１，３，３−トリエチ
ル−３−シラシクロヘキシルに代えて同様の方法で合成
を行った。光散乱法により重量平均分子量が８，０００
ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍｗ
／Ｍｎ）が１．８０の重合体であることが確認できた。
更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定することにより、ポリマー中
にほぼ５：５で含まれていることが確認できた。

【００９９】［ポリマー合成例１７］メタクリル酸１−
エチル−３，３，５，５−テトラメチル−３，５−ジシ
ラシクロヘキシルとメタクリル酸５−オキソ−オキサト
リシクロ［４．２．１．０^3,7］ノナン−２−イル共重
合体（７：３）の合成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをメタクリル酸１−エチル
−３，３，５，５−テトラメチル−３，５−ジシラシク
ロヘキシルに代えて同様の方法で合成を行った。光散乱
法により重量平均分子量が１３，０００ｇ／ｍｏｌであ
り、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．
７７の重合体であることが確認できた。更に、¹Ｈ−Ｎ
ＭＲを測定することにより、ポリマー中にほぼ７：３で
含まれていることが確認できた。

【０１００】［ポリマー合成例１８］アクリル酸１−エ
チル−３，３，５，５−テトラメチル−３，５−ジシラ
シクロヘキシルとメタクリル酸５−オキソ−オキサトリ
シクロ［４．２．１．０^3,7］ノナン−２−イル共重合
体（７：３）の合成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをアクリル酸１−エチル−
３，３，５，５−テトラメチル−３，５−ジシラシクロ
ヘキシルに代えて同様の方法で合成を行った。光散乱法
により重量平均分子量が１２，０００ｇ／ｍｏｌであ
り、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．
６０の重合体であることが確認できた。更に、¹Ｈ−Ｎ
ＭＲを測定することにより、ポリマー中にほぼ７：３で
含まれていることが確認できた。

【０１０１】［ポリマー合成例１９］２−ノルボルネン
−５−カルボン酸１−エチル−３，３，５，５−テトラ
メチル−３，５−ジシラシクロヘキシルと無水マレイン
酸共重合体（５：５）の合成 ポリマー合成例３の２−ノルボルネン−５−カルボン酸
１，４，４−トリメチル−４−シラシクロヘキシルを２
−ノルボルネン−５−カルボン酸１−エチル−３，３，
５，５−テトラメチル−３，５−ジシラシクロヘキシル
に代えて同様の方法で合成を行った。光散乱法により重
量平均分子量が８，０００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶
出曲線より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．８０の重合体
であることが確認できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定す
ることにより、ポリマー中にほぼ５：５で含まれている
ことが確認できた。

【０１０２】［ポリマー合成例２０］メタクリル酸１−
エチル−３，３，４，５，５−ペンタメチル−３，５−
ジシラシクロヘキシルとメタクリル酸５−オキソ−オキ
サトリシクロ［４．２．１．０^3,7］ノナン−２−イル
共重合体（７：３）の合成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをメタクリル酸１−エチル
−３，３，４，５，５−ペンタメチル−３，５−ジシラ
シクロヘキシルに代えて同様の方法で合成を行った。光
散乱法により重量平均分子量が１３，０００ｇ／ｍｏｌ
であり、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が
１．５８の重合体であることが確認できた。更に、¹Ｈ
−ＮＭＲを測定することにより、ポリマー中にほぼ７：
３で含まれていることが確認できた。

【０１０３】［ポリマー合成例２１］アクリル酸１−エ
チル−３，３，４，４，５，５−ヘキサメチル−３，５
−ジシラシクロヘキシルとメタクリル酸５−オキソ−オ
キサトリシクロ［４．２．１．０^3,7］ノナン−２−イ
ル共重合体（７：３）の合成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをアクリル酸１−エチル−
３，３，４，４，５，５−ヘキサメチル−３，５−ジシ
ラシクロヘキシルに代えて同様の方法で合成を行った。
光散乱法により重量平均分子量が１１，２００ｇ／ｍｏ
ｌであり、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）
が１．７８の重合体であることが確認できた。更に、¹
Ｈ−ＮＭＲを測定することにより、ポリマー中にほぼ
７：３で含まれていることが確認できた。

【０１０４】［ポリマー合成例２２］２−ノルボルネン
−５−カルボン酸１−エチル−３，３，４，４，５，５
−ヘキサメチル−３，５−ジシラシクロヘキシルと無水
マレイン酸共重合体（５：５）の合成 ポリマー合成例３の２−ノルボルネン−５−カルボン酸
１，４，４−トリメチル−４−シラシクロヘキシルを２
−ノルボルネン−５−カルボン酸１−エチル−３，３，
４，４，５，５−ヘキサメチル−３，５−ジシラシクロ
ヘキシルに代えて同様の方法で合成を行った。光散乱法
により重量平均分子量が７，５００ｇ／ｍｏｌであり、
ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．８８
の重合体であることが確認できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲ
を測定することにより、ポリマー中にほぼ５：５で含ま
れていることが確認できた。

【０１０５】［ポリマー合成例２３］メタクリル酸１−
エチル−３，３−ジメチル−３−シラシクロペンチルと
メタクリル酸５−オキソ−オキサトリシクロ［４．２．
１．０ ^3,7］ノナン−２−イル共重合体（７：３）の合
成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをメタクリル酸１−エチル
−３，３−ジメチル−３−シラシクロペンチルに代えて
同様の方法で合成を行った。光散乱法により重量平均分
子量が１２，０００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線
より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．７２の重合体である
ことが確認できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定すること
により、ポリマー中にほぼ７：３で含まれていることが
確認できた。

【０１０６】［ポリマー合成例２４］アクリル酸１−エ
チル−３，３−ジメチル−３−シラシクロペンチルとメ
タクリル酸５−オキソ−オキサトリシクロ［４．２．
１．０^{3, 7}］ノナン−２−イル共重合体（７：３）の合
成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをアクリル酸１−エチル−
３，３−ジメチル−３−シラシクロペンチルに代えて同
様の方法で合成を行った。光散乱法により重量平均分子
量が１３，２００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線よ
り分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．８５の重合体であるこ
とが確認できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定することに
より、ポリマー中にほぼ７：３で含まれていることが確
認できた。

【０１０７】［ポリマー合成例２５］ｐ−（１−エチル
−３，３−ジメチル−３−シラシクロペンチルオキシ）
スチレンとヒドロキシスチレンの共重合体（３：７）の
合成 ポリマー合成例４のｐ−（１，４，４−トリメチル−４
−シラシクロヘキシルオキシ）スチレンをｐ−（１−エ
チル−３，３−ジメチル−３−シラシクロペンチルオキ
シ）スチレンに代えて同様の方法で合成を行った。光散
乱法により重量平均分子量が１１，０００ｇ／ｍｏｌで
あり、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が
１．５６の重合体であることが確認できた。更に、¹Ｈ
−ＮＭＲを測定することにより、ポリマー中にほぼ３：
７で含まれていることが確認できた。

【０１０８】［ポリマー合成例２６］ｐ−（１−エチル
−３，３−ジメチル−３−シラシクロペンチルオキシ）
−α−メチルスチレンとヒドロキシスチレンの共重合体
（３：７）の合成 ポリマー合成例４のｐ−（１，４，４−トリメチル−４
−シラシクロヘキシルオキシ）スチレンをｐ−（１−エ
チル−３，３−ジメチル−３−シラシクロペンチルオキ
シ）−α−メチルスチレンに代えて同様の方法で合成を
行った。光散乱法により重量平均分子量が１１，０００
ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍｗ
／Ｍｎ）が１．５０の重合体であることが確認できた。
更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定することにより、ポリマー中
にほぼ３：７で含まれていることが確認できた。

【０１０９】［ポリマー合成例２７］メタクリル酸４，
４−ジメチル−４−シラシクロヘキシルジメチルカルビ
ニルとメタクリル酸５−オキソ−オキサトリシクロ
［４．２．１．０^3,7］ノナン−２−イル共重合体
（７：３）の合成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをメタクリル酸４，４−ジ
メチル−４−シラシクロヘキシルジメチルカルビニルに
代えて同様の方法で合成を行った。光散乱法により重量
平均分子量が１３，２００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶
出曲線より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．８５の重合体
であることが確認できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定す
ることにより、ポリマー中にほぼ７：３で含まれている
ことが確認できた。

【０１１０】［ポリマー合成例２８］ｐ−（３，３−ジ
メチル−３−シラシクロヘキシルジメチルカルビニルオ
キシ）スチレンとヒドロキシスチレンの共重合体（３：
７）の合成 ポリマー合成例４のｐ−（１，４，４−トリメチル−４
−シラシクロヘキシルオキシ）スチレンをｐ−（３，３
−ジメチル−３−シラシクロヘキシルジメチルカルビニ
ルオキシ）スチレンに代えて同様の方法で合成を行っ
た。光散乱法により重量平均分子量が１０，８００ｇ／
ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍｗ／Ｍ
ｎ）が１．６６の重合体であることが確認できた。更
に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定することにより、ポリマー中に
ほぼ３：７で含まれていることが確認できた。

【０１１１】［ポリマー合成例２９］２−ノルボルネン
−５−カルボン酸２，２，６，６−テトラメチル−２，
６−ジシラシクロヘキシルジエチルカルビニルと無水マ
レイン酸共重合体（５：５）の合成 ポリマー合成例３の２−ノルボルネン−５−カルボン酸
１，４，４−トリメチル−４−シラシクロヘキシルを２
−ノルボルネン−５−カルボン酸２，２，６，６−テト
ラメチル−２，６−ジシラシクロヘキシルジエチルカル
ビニルに代えて同様の方法で合成を行った。光散乱法に
より重量平均分子量が７，７００ｇ／ｍｏｌであり、Ｇ
ＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．７８の
重合体であることが確認できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを
測定することにより、ポリマー中にほぼ５：５で含まれ
ていることが確認できた。

【０１１２】［ポリマー合成例３０］テトラシクロドデ
センカルボン酸３，３−ジメチル−３−シラシクロブチ
ルジメチルカルビニルと無水マレイン酸共重合体（５：
５）の合成 ポリマー合成例３の２−ノルボルネン−５−カルボン酸
１，４，４−トリメチル−４−シラシクロヘキシルをテ
トラシクロドデセンカルボン酸３，３−ジメチル−３−
シラシクロブチルジメチルカルビニルに代えて同様の方
法で合成を行った。光散乱法により重量平均分子量が
３，２００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線より分散
度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．９２の重合体であることが確
認できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定することにより、
ポリマー中にほぼ５：５で含まれていることが確認でき
た。

【０１１３】［ポリマー合成比較例１］メタクリル酸ト
リス（トリメチルシリル）シリルエチルとメタクリル酸
５−オキソ−オキサトリシクロ［４．２．１．０^3,7］
ノナン−２−イル共重合体（３：７）の合成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをメタクリル酸トリス（ト
リメチルシリル）シリルエチルに代えて同様の方法で合
成を行った。光散乱法により重量平均分子量が１１，０
００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝
Ｍｗ／Ｍｎ）が１．６５の重合体であることが確認でき
た。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定することにより、ポリマ
ー中にほぼ７：３で含まれていることが確認できた。

【０１１４】［ポリマー合成比較例２］メタクリル酸３
−［トリス（トリメチルシリロキシ）シリル］プロピル
とメタクリル酸ｔ−ブチルエステルとメタクリル酸５−
オキソ−オキサトリシクロ［４．２．１．０^3,7］ノナ
ン−２−イル共重合体（２：５：３）の合成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをメタクリル酸３−［トリ
ス（トリメチルシリロキシ）シリル］プロピルとメタク
リル酸ｔ−ブチルエステルに代えて同様の方法で合成を
行った。光散乱法により重量平均分子量が１３，０００
ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍｗ
／Ｍｎ）が１．７８の重合体であることが確認できた。
更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定することにより、ポリマー中
にほぼ２：５：３で含まれていることが確認できた。

【０１１５】［実施例、比較例］上記合成例で得られた
シリコーンポリマー１ｇをＦＣ−４３０（住友スリーエ
ム（株）製）０．０１重量％を含むプロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１０重
量部に溶解させ、０．１μｍのテフロン製のフィルター
で濾過し、ポリマー溶液を調製した。ポリマー溶液を石
英基板上に塗布し、１００℃で６０秒ベーク後、０．２
μｍの膜厚にし、分光光度計を用いて波長１９３ｎｍと
２４８ｎｍにおける透過率を測定した。結果を表１に示
す。

【０１１６】

【表１】

【０１１７】次に、下層材料としてｍ／ｐ比６／４、Ｍ
ｗ１０，０００のクレゾールノボラック樹脂１０重量部
をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
（ＰＧＭＥＡ）６０重量部に溶解したノボラック樹脂溶
液を用意した。ノボラック樹脂をＳｉウェハー上にスピ
ンコーティングし、３００℃で５分間加熱し、硬化させ
て０．５μｍの厚みにした。その上にＤＵＶ−３０（ブ
リューワーサイエンス社製）をスピンコーティングし、
１００℃／３０秒、２００℃／６０秒ベークして中間膜
を作成した。

【０１１８】一方、ポリマー合成例で得られたシリコー
ンポリマー、ＰＡＧ１，２で示される酸発生剤、塩基性
化合物、ＤＲＩ１で示される溶解阻止剤をＦＣ−４３０
（住友スリーエム（株）製）０．０１重量％を含むプロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧ
ＭＥＡ）溶媒中に溶解させ、０．１μｍのテフロン製の
フィルターを濾過することによってレジスト液をそれぞ
れ調製した。

【０１１９】このレジスト液を上記中間膜上にスピンコ
ーティングし、ホットプレートを用いて１００℃で９０
秒ベークして０．２μｍの厚さにした。これをＫｒＦエ
キシマレーザーステッパー（ニコン社製，ＮＡ０．６
０、２／３輪帯照明）を用いて露光し、１００℃で９０
秒ベーク（ＰＥＢ）し、２．３８重量％テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液による現像
を６０秒行うと、ポジ型のパターンを得ることができ
た。０．２０μｍＬ／Ｓパターンのラインとスペースの
比が１：１になる露光量を求め、レジストの感度とし
た。この時に解像可能な最も小さな線幅を解像度とし
た。結果を表２に示す。

【０１２０】その後、平行平板型スパッタエッチング装
置で酸素ガスをエッチャントガスとしてエッチングを行
った。下層レジスト膜のエッチング速度が１５０ｎｍ／
分であるのに対して、本発明レジスト膜は１５ｎｍ／分
以下であった。５分のエッチングによって本発明レジス
トに覆われていない部分の下層レジスト膜は完全に消失
し、０．５μｍ厚さの２層レジストパターンが形成でき
た。このエッチング条件を下記に示す。 ガス流量：５０ｓｃｃｍ ガス圧：１．３Ｐａ ｒｆパワー：５０Ｗ ｄｃバイアス：４５０Ｖ

【０１２１】

【化２６】

【０１２２】

【表２】

【０１２３】表２の結果から、本発明の珪素含有置換基
を含むポリマーは、スチレン置換体を除く（メタ）アク
リル酸、ノルボルネンカルボン酸などの置換体において
は、ＡｒＦ波長までの高い透明性と、現像液のはじきが
なく、高い解像力を得ることができた。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１２年１２月６日（２０００．１２．
６）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００７

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００７】近年、シリコーン系化学増幅ポジ型レジス
ト材料として、安定なアルカリ可溶性シリコーンポリマ
ーであるポリヒドロキシベンジルシルセスキオキサンの
フェノール性水酸基の一部をｔ−Ｂｏｃ基で保護したも
のをベース樹脂として使用し、これと酸発生剤とを組み
合わせたシリコーン系化学増幅ポジ型レジスト材料が提
案されている（特開平７−１１８６５１号公報、ＳＰＩ
Ｅ ｖｏｌ．１９２５（１９９３），３７７等）。ま
た、珪素含有アクリルモノマーを用いたシリコーン含有
ポリマーも提案されている（特開平９−１１０９３８号
公報）。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３４】

【化１７】 （式中、Ｒ¹⁴，Ｒ¹⁵は上記と同じ。）

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００８２】同様の反応により、又は常法に従い、以下
の重合性モノマー化合物を得た。 ［モノマー合成例２］アクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシル ［モノマー合成例３］２−ノルボルネン−５−カルボン
酸１，４，４−トリメチル−４−シラシクロヘキシル ［モノマー合成例４］ｐ−（１，４，４−トリメチル−
４−シラシクロヘキシルオキシ）スチレン ［モノマー合成例５］ｐ−ビニルフェノキシ酢酸１，
４，４−トリメチル−４−シラシクロヘキシル ［モノマー合成例６］メタクリル酸１−エチル−４，４
−ジメチル−４−シラシクロヘキシル ［モノマー合成例７］２−ノルボルネン−５−カルボン
酸１−エチル−４，４−ジメチル−４−シラシクロヘキ
シル ［モノマー合成例８］メタクリル酸１−イソプロピル−
４，４−ジメチル−４−シラシクロヘキシル ［モノマー合成例９］２−ノルボルネン−５−カルボン
酸１−イソプロピル−４，４−ジメチル−４−シラシク
ロヘキシル ［モノマー合成例１０］テトラシクロドデセンカルボン
酸１−イソプロピル−４，４−ジメチル−４−シラシク
ロヘキシル ［モノマー合成例１１］メタクリル酸１−エチル−３，
３−ジメチル−３−シラシクロヘキシル ［モノマー合成例１２］アクリル酸１−エチル−３，３
−ジメチル−３−シラシクロヘキシル ［モノマー合成例１３］ｐ−（１−エチル−３，３−ジ
メチル−３−シラシクロヘキシルオキシ）スチレン ［モノマー合成例１４］ｐ−ビニルフェノキシ酢酸１，
３，３−トリメチル−３−シラシクロヘキシル ［モノマー合成例１５］２−ノルボルネン−５−カルボ
ン酸１−エチル−３，３−ジメチル−３−シラシクロヘ
キシル ［モノマー合成例１６］２−ノルボルネン−５−カルボ
ン酸１，３，３−トリエチル−３−シラシクロヘキシル ［モノマー合成例１７］メタクリル酸１−エチル−３，
３，５，５−テトラメチル−３，５−ジシラシクロヘキ
シル ［モノマー合成例１８］アクリル酸１−エチル−３，
３，５，５−テトラメチル−３，５−ジシラシクロヘキ
シル ［モノマー合成例１９］２−ノルボルネン−５−カルボ
ン酸１−エチル−３，３，５，５−テトラメチル−３，
５−ジシラシクロヘキシル ［モノマー合成例２０］メタクリル酸１−エチル−３，
３，４，５，５−ペンタメチル−３，５−ジシラシクロ
ヘキシル ［モノマー合成例２１］アクリル酸１−エチル−３，
３，４，４，５，５−ヘキサメチル−３，５−ジシラシ
クロヘキシル ［モノマー合成例２２］２−ノルボルネン−５−カルボ
ン酸１−エチル−３，３，４，４，５，５−ヘキサメチ
ル−３，５−ジシラシクロヘキシル ［モノマー合成例２３］メタクリル酸１−エチル−３，
３−ジメチル−３−シラシクロペンチル ［モノマー合成例２４］アクリル酸１−エチル−３，３
−ジメチル−３−シラシクロペンチル ［モノマー合成例２５］ｐ−（１−エチル−３，３−ジ
メチル−３−シラシクロペンチルオキシ）スチレン ［モノマー合成例２６］ｐ−（１−エチル−３，３−ジ
メチル−３−シラシクロペンチルオキシ）−α−メチル
スチレン ［モノマー合成例２７］メタクリル酸４，４−ジメチル
−４−シラシクロヘキシルジメチルカルビニル ［モノマー合成例２８］ｐ−（３，３−ジメチル−３−
シラシクロヘキシルジメチルカルビニルオキシ）スチレ
ン ［モノマー合成例２９］２−ノルボルネン−５−カルボ
ン酸２，２，６，６−テトラメチル−２，６−ジシラシ
クロヘキシルジエチルカルビニル ［モノマー合成例３０］テトラシクロドデセンカルボン
酸３，３−ジメチル−３−シラシクロブチルジメチルカ
ルビニル

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００８３】［ポリマー合成例１］メタクリル酸１，
４，４−トリメチル−４−シラシクロヘキシルとメタク
リル酸５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．２．
１．０^3,7］ノナン−２−イル共重合体（７：３）の合
成 ２Ｌのフラスコ中でメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシル７０ｇとメタクリル酸５−
オキソ−４−オキサトリシクロ［４．２．１．０^3,7］
ノナン−２−イル３５ｇをトルエン５６０ｍｌに溶解さ
せ、十分に系中の酸素を除去した後、開始剤ＡＩＢＮを
５．５ｇ仕込み、６０℃まで昇温して２４時間重合反応
を行った。得られたポリマーを精製するために、反応混
合物をヘキサン／エーテル（３：２）混合溶媒中に注
ぎ、得られた重合体を沈殿・分離したところ、９７ｇの
白色重合体メタクリル酸１，４，４−トリメチル−４−
シラシクロヘキシル−メタクリル酸５−オキソ−４−オ
キサトリシクロ［４．２．１．０^3,7］ノナン−２−イ
ル共重合体（７：３）が得られた。このようにして得ら
れた白色重合体メタクリル酸１，４，４−トリメチル−
４−シラシクロヘキシル−メタクリル酸５−オキソ−４
−オキサトリシクロ［４．２．１．０^3,7］ノナン−２
−イル共重合体（７：３）は光散乱法により重量平均分
子量が９，８００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線よ
り分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．６０の重合体であるこ
とが確認できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定することに
より、ポリマー中にほぼ７：３で含まれていることが確
認できた。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００８４】［ポリマー合成例２］アクリル酸１，４，
４−トリメチル−４−シラシクロヘキシルとアクリル酸
５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．２．１．０
^3,7］ノナン−２−イル共重合体（７：３）の合成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをアクリル酸１，４，４−
トリメチル−４−シラシクロヘキシルに代えて同様の方
法で合成した。光散乱法により重量平均分子量が１２，
０００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線より分散度
（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．６０の重合体であることが確認
できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定することにより、ポ
リマー中にほぼ７：３で含まれていることが確認でき
た。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００９０】［ポリマー合成例８］メタクリル酸１−イ
ソプロピル−４，４−ジメチル−４−シラシクロヘキシ
ルとメタクリル酸５−オキソ−オキサトリシクロ［４．
２．１．０^3,7］ノナン−２−イル共重合体（７：３）
の合成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをメタクリル酸１−イソプ
ロピル−４，４−ジメチル−４−シラシクロヘキシルに
代えて同様の方法で合成を行った。光散乱法により重量
平均分子量が１４，０００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶
出曲線より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．６５の重合体
であることが確認できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定す
ることにより、ポリマー中にほぼ７：３で含まれている
ことが確認できた。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００９３】［ポリマー合成例１１］メタクリル酸１−
エチル−３，３−ジメチル−３−シラシクロヘキシルと
メタクリル酸５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．
２．１．０^3,7］ノナン−２−イル共重合体（７：３）
の合成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをメタクリル酸１−エチル
−３，３−ジメチル−３−シラシクロヘキシルに代えて
同様の方法で合成を行った。光散乱法により重量平均分
子量が１１，２００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線
より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．６５の重合体である
ことが確認できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定すること
により、ポリマー中にほぼ７：３で含まれていることが
確認できた。

【手続補正８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００９４】［ポリマー合成例１２］アクリル酸１−エ
チル−３，３−ジメチル−３−シラシクロヘキシルとメ
タクリル酸５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．
２．１．０^3,7］ノナン−２−イル共重合体（７：３）
の合成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをアクリル酸１−エチル−
３，３−ジメチル−３−シラシクロヘキシルに代えて同
様の方法で合成を行った。光散乱法により重量平均分子
量が１３，０００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線よ
り分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．７５の重合体であるこ
とが確認できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定することに
より、ポリマー中にほぼ７：３で含まれていることが確
認できた。

【手続補正９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００９５】［ポリマー合成例１３］ｐ−（１−エチル
−３，３−ジメチル−３−シラシクロヘキシルオキシ）
スチレンとヒドロキシスチレンの共重合体（３：７）の
合成 ポリマー合成例４のｐ−（１，４，４−トリメチル−４
−シラシクロヘキシルオキシ）スチレンをｐ−（１−エ
チル−３，３−ジメチル−３−シラシクロヘキシルオキ
シ）スチレンに代えて同様の方法で合成を行った。光散
乱法により重量平均分子量が１１，５００ｇ／ｍｏｌで
あり、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が
１．６５の重合体であることが確認できた。更に、¹Ｈ
−ＮＭＲを測定することにより、ポリマー中にほぼ３：
７で含まれていることが確認できた。

【手続補正１０】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００９９】［ポリマー合成例１７］メタクリル酸１−
エチル−３，３，５，５−テトラメチル−３，５−ジシ
ラシクロヘキシルとメタクリル酸５−オキソ−４−オキ
サトリシクロ［４．２．１．０^3,7］ノナン−２−イル
共重合体（７：３）の合成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをメタクリル酸１−エチル
−３，３，５，５−テトラメチル−３，５−ジシラシク
ロヘキシルに代えて同様の方法で合成を行った。光散乱
法により重量平均分子量が１３，０００ｇ／ｍｏｌであ
り、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．
７７の重合体であることが確認できた。更に、¹Ｈ−Ｎ
ＭＲを測定することにより、ポリマー中にほぼ７：３で
含まれていることが確認できた。

【手続補正１１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１００

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１００】［ポリマー合成例１８］アクリル酸１−エ
チル−３，３，５，５−テトラメチル−３，５−ジシラ
シクロヘキシルとメタクリル酸５−オキソ−４−オキサ
トリシクロ［４．２．１．０^3,7］ノナン−２−イル共
重合体（７：３）の合成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをアクリル酸１−エチル−
３，３，５，５−テトラメチル−３，５−ジシラシクロ
ヘキシルに代えて同様の方法で合成を行った。光散乱法
により重量平均分子量が１２，０００ｇ／ｍｏｌであ
り、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．
６０の重合体であることが確認できた。更に、¹Ｈ−Ｎ
ＭＲを測定することにより、ポリマー中にほぼ７：３で
含まれていることが確認できた。

【手続補正１２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１０２

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１０２】［ポリマー合成例２０］メタクリル酸１−
エチル−３，３，４，５，５−ペンタメチル−３，５−
ジシラシクロヘキシルとメタクリル酸５−オキソ−４−
オキサトリシクロ［４．２．１．０^3,7］ノナン−２−
イル共重合体（７：３）の合成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをメタクリル酸１−エチル
−３，３，４，５，５−ペンタメチル−３，５−ジシラ
シクロヘキシルに代えて同様の方法で合成を行った。光
散乱法により重量平均分子量が１３，０００ｇ／ｍｏｌ
であり、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が
１．５８の重合体であることが確認できた。更に、¹Ｈ
−ＮＭＲを測定することにより、ポリマー中にほぼ７：
３で含まれていることが確認できた。

【手続補正１３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１０３

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１０３】［ポリマー合成例２１］アクリル酸１−エ
チル−３，３，４，４，５，５−ヘキサメチル−３，５
−ジシラシクロヘキシルとメタクリル酸５−オキソ−４
−オキサトリシクロ［４．２．１．０^3,7］ノナン−２
−イル共重合体（７：３）の合成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをアクリル酸１−エチル−
３，３，４，４，５，５−ヘキサメチル−３，５−ジシ
ラシクロヘキシルに代えて同様の方法で合成を行った。
光散乱法により重量平均分子量が１１，２００ｇ／ｍｏ
ｌであり、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）
が１．７８の重合体であることが確認できた。更に、¹
Ｈ−ＮＭＲを測定することにより、ポリマー中にほぼ
７：３で含まれていることが確認できた。

【手続補正１４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１０５

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１０５】［ポリマー合成例２３］メタクリル酸１−
エチル−３，３−ジメチル−３−シラシクロペンチルと
メタクリル酸５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．
２．１．０^3,7］ノナン−２−イル共重合体（７：３）
の合成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをメタクリル酸１−エチル
−３，３−ジメチル−３−シラシクロペンチルに代えて
同様の方法で合成を行った。光散乱法により重量平均分
子量が１２，０００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線
より分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．７２の重合体である
ことが確認できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定すること
により、ポリマー中にほぼ７：３で含まれていることが
確認できた。

【手続補正１５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１０６

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１０６】［ポリマー合成例２４］アクリル酸１−エ
チル−３，３−ジメチル−３−シラシクロペンチルとメ
タクリル酸５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．
２．１．０^3,7］ノナン−２−イル共重合体（７：３）
の合成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをアクリル酸１−エチル−
３，３−ジメチル−３−シラシクロペンチルに代えて同
様の方法で合成を行った。光散乱法により重量平均分子
量が１３，２００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線よ
り分散度（＝Ｍｗ／Ｍｎ）が１．８５の重合体であるこ
とが確認できた。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定することに
より、ポリマー中にほぼ７：３で含まれていることが確
認できた。

【手続補正１６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１１３

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１１３】［ポリマー合成比較例１］メタクリル酸ト
リス（トリメチルシリル）シリルエチルとメタクリル酸
５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．２．１．０
^3,7］ノナン−２−イル共重合体（７：３）の合成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをメタクリル酸トリス（ト
リメチルシリル）シリルエチルに代えて同様の方法で合
成を行った。光散乱法により重量平均分子量が１１，０
００ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝
Ｍｗ／Ｍｎ）が１．６５の重合体であることが確認でき
た。更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定することにより、ポリマ
ー中にほぼ７：３で含まれていることが確認できた。

【手続補正１７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１１４

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１１４】［ポリマー合成比較例２］メタクリル酸３
−［トリス（トリメチルシリロキシ）シリル］プロピル
とメタクリル酸ｔ−ブチルエステルとメタクリル酸５−
オキソ−４−オキサトリシクロ［４．２．１．０^3,7］
ノナン−２−イル共重合体（２：５：３）の合成 ポリマー合成例１のメタクリル酸１，４，４−トリメチ
ル−４−シラシクロヘキシルをメタクリル酸３−［トリ
ス（トリメチルシリロキシ）シリル］プロピルとメタク
リル酸ｔ−ブチルエステルに代えて同様の方法で合成を
行った。光散乱法により重量平均分子量が１３，０００
ｇ／ｍｏｌであり、ＧＰＣ溶出曲線より分散度（＝Ｍｗ
／Ｍｎ）が１．７８の重合体であることが確認できた。
更に、¹Ｈ−ＮＭＲを測定することにより、ポリマー中
にほぼ２：５：３で含まれていることが確認できた。

【手続補正１８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１１５

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１１５】［実施例、比較例］上記合成例で得られた
シリコーンポリマー１ｇをＦＣ−４３０（住友スリーエ
ム（株）製）０．０１重量部を含むプロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１０重
量部に溶解させ、０．１μｍのテフロン製のフィルター
で濾過し、ポリマー溶液を調製した。ポリマー溶液を石
英基板上に塗布し、１００℃で６０秒ベーク後、０．２
μｍの膜厚にし、分光光度計を用いて波長１９３ｎｍと
２４８ｎｍにおける透過率を測定した。結果を表１に示
す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中島 睦雄 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１ 信越化学工業株式会社合成技術研究所内 (72)発明者 長谷川 幸士 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１ 信越化学工業株式会社合成技術研究所内 Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AA09 AB16 AC05 AC06 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CC03 CC20 FA03 FA12 FA17 FA41 4J100 AB07P AL08P AR09P AR11P BA02P BA15P BC51P CA01 CA03 JA38

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）又は（２）で表される
   環状の珪素含有基を含むことを特徴とする高分子化合
   物。 【化１】 （式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁶，Ｒ⁷，Ｒ¹⁰，Ｒ¹¹，
   Ｒ¹²，Ｒ¹³は水素原子、又は炭素数１〜２０の直鎖状、
   分岐状もしくは環状のアルキル基、Ｒ⁴，Ｒ⁵，Ｒ⁸，Ｒ⁹
   は水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは
   環状のアルキル基、フッ素化した炭素数１〜２０のアル
   キル基、又は炭素数６〜２０のアリール基、ｐ，ｑ，
   ｒ，ｓは０〜１０の整数、１≦ｐ＋ｑ＋ｓ≦２０であ
   る。）
2. 【請求項２】 下記一般式（３）〜（８）で示される繰
   り返し単位の１種又は２種以上を含むことを特徴とする
   請求項１記載の高分子化合物。 【化２】 【化３】 【化４】 （式中、Ｒ¹⁴は水素原子、又は炭素数１〜２０の直鎖
   状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示し、Ｒ¹⁵は水
   素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、ｔ，
   ｕ，ｗは１≦ｔ≦５、ｕは０又は１、０≦ｗ≦５であ
   る。Ｒ¹〜Ｒ¹³，ｐ，ｑ，ｒ，ｓは上記と同じ意味を示
   す。）
3. 【請求項３】 （Ａ）請求項１又は２記載の高分子化合
   物、（Ｂ）酸発生剤、（Ｃ）有機溶剤を含有してなる化
   学増幅ポジ型レジスト材料。
4. 【請求項４】 （Ａ）請求項１又は２記載の高分子化合
   物、（Ｂ）酸発生剤、（Ｃ）有機溶剤、（Ｄ）酸不安定
   基を有する溶解阻止剤を含有してなる化学増幅ポジ型レ
   ジスト材料。
5. 【請求項５】 （Ｅ）塩基性化合物を添加してなる請求
   項３又は４記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。
6. 【請求項６】 （１）請求項３，４又は５記載のレジス
   ト材料を被加工基板上の有機膜上に塗布し、ベークして
   レジスト膜を形成する工程、（２）上記レジスト膜にフ
   ォトマスクを介して放射線を照射する工程、（３）必要
   によりベークした後、アルカリ水溶液で現像して上記レ
   ジスト膜の照射部分を溶解させ、レジストパターンを形
   成する工程、（４）露呈した有機膜部分を酸素プラズマ
   を発生させるドライエッチング装置で加工する工程を含
   むパターン形成方法。