TW554246B - Polymer, resist composition and patterning process - Google Patents
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Description
554246 A7 __________ B7 五、發明說明(1 ) 【發明的技術領域】 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於,作爲使用於半導體元件製造步驟之微 細加工的增強化學性正片型光阻材料之基礎樹脂較爲適用 的高分子聚矽氧烷化合物,以及遠紫外線、K r F激發雷 射(248nm) 、ArF 激發雷射(I93nm)、電 子線、X線等局能源光線作爲曝光光源使用時的較適增強 化學性正片型光阻材料,以及圖型形成方法。 【過去技術以及欲解決的課題】 近年來隨著L S I的高集積化與高速度化,以及要求 圖形製程的微細化中,作爲現在廣泛被使用的技術之光曝 光,漸漸接近來自光源波長的本質解像度之界限。g線( 4 3 6 nm)或i線(3 6 5 nm)作爲光源的光曝光中 ,約0 · 5 // m的圖型製程作爲其界限,使用其所製得的 LS I之集積度,相當於16Mb i tDRAM,然而 L S I的試作僅到此階段爲止,更微細化技術之開發成爲 必須急速解決之任務。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 作爲欲微細化圖型之方法之一,有將使用於電阻圖型 形成的曝光光進行短波長化之方法,2 5 6 M b i t (加 工寸法爲Ο · 2 5 // m以下)D R A M (動態•隨機•存 取•記憶)的量產步驟中,取代作爲曝光光線的i線( 3 6 5 n m )利用短波長的K r F激發雷射(2 4 8 n m )現在則被積極地討論著。但,對於必須更爲微細之加工 技術(加工寸法爲0 · 2 # m以下)的集積度爲1 G以上 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 554246 A7 ------B7 五、發明說明(2) 之D R A Μ K製造上,較短波長的光源成爲必須,特別以 使用A r F激發雷射(1 9 3 ^ m )的光鈾刻最近被討論 著。 自從I Β Μ的I t 〇、G c· Wllls〇n提案出,將聚羥 基苯乙烯的經基以第三〜丁氧基羰基氧基(t 一 B 〇 c基 )保護之P B〇C S T樹脂,其中加入鏠鹽酸產生劑的增 強化學性正片型光阻材料以來,種種高感度的高解像度之 光阻材料即被開發。雖這些增強化學性正片型光阻材料中 ’任一爲局感度且高解像度者,但形成微細高畫像比圖型 之事’因由這些所得圖型之機械強度來看係極爲困難之事 〇 又’如上述之聚羥基苯乙烯作爲基礎樹脂使用,於過 去提出許多對於遠紫外線、電子線以及X線具有感度之增 強化學性正片型光阻材料。但,欲形成段差基板上的高畫 像比之圖型,對於較優的2層光阻法,上述光阻材料皆爲 單層光阻法所成者,關於基板段差的問題、由基板的光反 射問題、高畫像比的圖型形成等成爲困難的問題,且於現 狀實用上極爲困難。 另一方面,於過去已知段差基板上高畫像比之圖型形 成以2層光阻法爲最佳,且因2層光阻膜爲以一般之鹼性 顯像液顯像,已知羥基或羧基等具有親水基的高分子聚砍 氧烷化合物爲必要的。 近年來作爲聚矽氧烷系增強化學性正片型光阻材料, 安定之鹼性可溶性聚矽氧烷聚合物之聚羥基苯甲基含砍D惡 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------t---------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 554246 A7 B7 五、發明說明(3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 烷的酚性羥基之一部份以t - B 〇 c基保護者作爲基礎樹 脂使用,這些與酸產生劑組合之聚矽氧烷系增強化學性正 片型光阻材料已被提出(特開平7 - 1 1 8 6 5 1號公報 、SPIE ν〇1· 1925(1993) ,377 等)。又, 使用含有矽元素的丙烯酸單體之含有聚矽氧烷的聚合物被 提出(特開平9 — 1 1 0 9 3 8號公報)。 然而,作爲丙烯酸側型之含矽元素的缺點,可舉出對 於氧元素電漿之乾燥蝕刻耐性與含矽噁烷系聚合物比較其 較爲弱。此理由被認爲矽元素含有率較爲低。 於此,三矽烷或四矽烷側型中,有提案出提高矽元素 含有率,更使含有矽元素的取代基中含有具氧脫離性之單 體的聚合物(SPIE vol. 3 6 7 8 Ρ·214,ρ· 241 ,ρ · 562)。然而,ArF的波長中二矽烷以 上之矽烷化合物因其具有較強吸收力,故有著導入率較高 使得透過率降低的缺點。又,如上述以外雖有嘗試使其含 有酸不安定基矽元素(SPIE vol. 3 6 7 8 ρ . 4 2 0 )、因有者氧脫離性較爲低、環境安定性較爲低、容易形 成T — Τ ο ρ曲線之缺點。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 本發明如上述,提供一種不僅具有高感度、高解像度 ,特別爲作爲形成高畫像比的圖型較適用之2層光阻法材 料,且作爲形成耐熱性優良圖型的增強化學性正片型光阻 材料之基礎聚合物係爲有用之新穎性高分子化合物,以及 該化合物作爲基礎聚合物而含有之增強化學性正片型光阻 材料與圖型形成方法爲目的。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -6 - 554246
【欲解決課題的方法以及發明的實施型態】 本發明者對達成上述目的作詳細硏究的結果,@胃_ 含一般式(1 )或(2 )所表示的矽元素的取代基而可有 效率地提高矽元素含有率,發現可防止A r F光的透過率 之降低。此式(1 ) 、( 2 )的含矽元素取代基,_如一般 式(3 )至(8 )所示的酚或羧基的羥基作爲取代基而具 有作爲氧脫離性取代基的功能。因此取代基的氧脫離性極 爲良好,故曝光後的環境安定性極爲優良,因此可防止T 一 Τ ο p曲線。且一個環狀烴基內導入2個以上矽元素, 可提高乾燥蝕刻耐性。又,矽元素之間使碳原子存在,不 產生二矽烷結合,可同時具有不需擔心A r F光下透過率 的降低之特徵。 因此,本發明係提供一種高分子化合物、增強化學性 光阻材料、圖型形成方法。 申請專利範圍第1項: 一種高分子化合物,其特徵爲含有如下述一般式(1 ---------·---·裝--------訂---------線 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 或 者 基 之 素 元 矽 狀 環 的 示 表 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐·) 554246 A7 _________ B7 五、發明說明(5) R1^
R
U R2
Rp3 、Si:
R 10 」s
Si—(C)r R9 ⑴ •R4R5 R6 q
(2) q (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
式中R
R
R
R
R
R
R
R R13表示爲氫原子,或碳數爲1至2 0的直鏈狀、分支
狀或環狀的烷基,R
R
R R9表示爲氫原子、碳 數爲1至2 0的直鏈狀、分支狀或環狀的烷基、或碳數爲 6至20的芳基、p,q,r ,s表示爲〇至1〇的整數 ,1$P + q + s^20)。 申請專利範圍第2項: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如申請專利範圍第1項的高分子化合物,其中含有1 種或2種以上的下述一般式(3 )至(8 )所表示之重複 單位者。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) -8- 554246 A7 B7 五、發明說明(6
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -9- 554246 A7 B7 五、發明說明(7)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -10- 554246 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------線肩 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)· -11 - 554246 B7____ 五、發明說明(9) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (式中R14表示爲氫原子,或碳數爲1至2 〇的直鏈狀、 分支狀或環狀的烷基,R15表示爲氫原子或碳數爲1至 10的烷基、t ,u ,w表示爲、u表示爲〇 或l'OSwSS’R1至R13、p,q, r , s表示與 上述意義相同)。 申請專利範圍第3項: 一種增強化學性正片型光阻材料,其特徵爲含有 (A )如申請專利範圍第1項或第2項的高分子化合 物、 (B )酸產生劑、 (C )有機溶劑者。 申請專利範圍第4項: 一種增強化學性正片型光阻材料,其特徵爲含有 (A )申請專利範圍第1項或第2項的高分子化合物 、 (B )酸產生劑、 (C )有機溶劑 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (D )具有酸不安定基的溶解阻止劑者。 申請專利範圍第5項: 如申請專利範圍第3項或第4項的增強化學性正片型 光阻材料’其中添加(E )鹼性化合物者。 申請專利範圍第6項: 一種圖型形成方法,其含有 (1 )將申請專利範圍第3、4或5項的光阻材料塗 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱)— ----- -12- 554246 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(1Q) 佈於被加工基板上的有機膜上’經燒烤形成光阻膜的步驟 (2 )上述光阻膜介著光罩以放射線照射的步驟、 (3 )因應必要經燒烤後,以鹼性水溶液顯像後溶解 上述光阻膜的照射部分,形成光阻圖型的步驟、 (4 )顯露出的有機膜部分使其產生氧素電漿’以乾 燥蝕刻裝置進行加工之步驟。 以下則對本發明作更詳細的說明。 本發明的高分子化合物係爲含有下述一般式(1 ) $ (2 )所表 示的含矽元素之基者。 R2 R3
Si (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝----
R R 11
R 10 」s B4 、R5 R6
Si—(〇)r R9 ⑴
R6 tr---------線费· q 式中 Rl、R2、R3、R6、r7、R10、R11、R12 R13表示爲氫原子,或碳數爲1至2 0的直鏈狀、分支
狀或環狀的烷基,R
R R8、R9表示爲氫原子、碳 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) -13- 554246 A7 B7 五、發明說明(11) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 數爲1至2 0的直鏈狀、分支狀或環狀的烷基、氟化後的 碳數1至20的烷基、或碳數爲6至20的芳基、p,Q ,r , s表示爲0至1〇的整數,1Sp+q+sS20 )〇 於此,作爲直鏈狀、分支狀、環狀的烷基可舉出甲基 、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三一丁基、戊 基、環戊基、己基、環己基、辛基、癸基、十二烷基、硬 脂烯基等可舉出,其中以碳數爲1至2 0,特別以1至 1 0爲佳。又,作爲經氟化的烷基,可舉出這些烷基的氫 原子一部份或全部經氟原子取代者。作爲芳基可舉出苯基 、甲苯基、二甲苯基、萘基等,其中以碳數爲6至12 , 特別以6至1 0者爲佳。 P ,Q ,S爲〇至1〇的整數,l^p + Q + sS 20,較佳爲P爲0至8,特別爲〇至6,q爲0至8, 特別爲0至6 ’ s爲〇至8 ’特別爲〇至6,p + Q + s 爲1至10,特別爲1至8。且r爲〇至1〇的整數,較 佳爲0至8,特別爲0至6。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如上述一般式(1 )或(2 )的含矽素之基,例如可 作爲如下述一般式(3 )至(8 )的重複單位而結合,本 發明的高分子化合物以含有1種或2種以上的這些式(3 )至(8 )的重複單位者爲佳。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -14- 554246 A7 B7 五、發明說明(均 4 1
q 6
_ 1% fr\— c).
4 R 6 η 5 R R \ q
、R ⑶ ---------·---_裝--------訂---------線‘ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -15- 554246 A7 B7 五、發明說明(1
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -16- 554246 A7 B7 五、發明說明(14) 4 1
5 A 1 〇丨
U
q 4 6 5 R ---------·---_裝--------訂---------線β (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 \)/ ⑻ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -17- A7
554246 五、發明說明(15) (式中R14表示爲氫原子’或碳數爲1至2 〇的直鍵狀、 分支狀或環狀的烷基’ R15表示爲氫原子或碳數爲丄至 10的烷基、t ,u ,w表示爲lst^5、u表示爲Q 或 1 、,R1 至 R13、p ,Q ,r ,s 表示與 上述意義相同)。 其中,作爲R15的烷基,可舉出如上述的相同者,其 中亦可爲氫原子或碳數爲1至10,特別可舉出1至8者 。R 15的院基亦可舉出如上述相同者,其中氫原子或碳數 爲1至8,特別可舉出1至6者。t較佳爲0至6,w較 佳爲0至6,特別爲0至2。 作爲上述一般式(3 )至(8)的重複單位,可舉例 出下述者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -18- 554246 A7 B7 五、發明說明(16) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -19- 554246 A7 B7 五、發明說明(
--------.---·裝--------訂---------線# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐·) -20- 554246 A7 B7 五、發明說明(18)
〇 --------‘---·裝--------訂---------線# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -21 - 554246 A7 _ ___B7___ 五、發明說明(19) 本發明的高分子化合物,加入上述單位(3 )至(8 ),欲使其密著性提高而含有的取代基單位’特別可含有 經基苯乙嫌、酸無水物、酯(內酯)碳酸酯、醇、醯胺、 酮等含有親水性取代基之1種或2種以上的單位選自於如 下述〔I〕。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ΗΓ衣--- 訂---------線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 554246 A7 B7 五、發明說明(20)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -23- 『554246 A7 B7 五、發明說明(21)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -24- 554246 A7 _B7_ 五、發明說明(22) (式中R14、R15與上述相同。) 其中,對於本發明的高分子化合物,可含有5至 1〇0莫爾% 、較佳爲10至90莫爾% 、更佳爲20至 8〇莫爾%的如上述式(3 )至(8 )之單位,殘留部分 可作爲上述群〔I〕的單位。 又,因更能夠增加矽元素的含有量,而可共聚合提高 乾燥蝕刻耐性之單體。此爲含有矽元素的單體,例如如下 述所示者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)· 554246 A7 B7 五、發明說明(23) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -26- 554246 A7 B7 五、發明說明(24)
3 3 Η Η Η 3sl· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Η3Η3 4sl· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)· -27- ------------裝--------訂---------線- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 554246 A7 -- B7 五、發明說明(25)
ch3 ch3 13
Si-5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明的高分子化合物的重量平均分子量以 1, 00〇至1,〇〇〇,〇〇〇特別爲2, 00〇至 1 0〇,〇〇0爲佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 製造本發明的高分子化合物時,使用如上述單位(3 )至(8)的單體,且已如上述群〔I〕的單位單體使用 量使用時,依照常用方法,這些單體類與溶媒混合,添加 觸媒時,因應需求邊加熱或冷卻進行聚合反應。聚合反應 可由起始劑(或觸媒)的種類、引發的方法(光、熱、放 射線、電漿等)、聚合條件(溫度、壓力、濃度、溶媒、 添加物)等而調整。對於本發明的高分子化合物之聚合, 經由A I BN等自由基而引發聚合之自由基共聚合,使用 烷基鋰等觸媒離子聚合(陰離子聚合)等一般方法。這些 聚合方法可依照常用方法進行。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -28- 554246 五、發明說明(2句 且,本發明的式( ,使用式(1 a )、( 等常用方法劑進行導入 之單體。 )、(2 )的含矽元素取代基爲 b )所示醇化合物,以酯化反應 可合成式(3)至(8)的單位
R HQ 11_ R2 k RP3
R 10 s
Si—(C)r R9 (1a) ,R4 R5 .R6 R1- HQ R-Rv/R3p
12
R
R q
ksr
R 10 R4 R5 /R6
Si—(C)rRs\ \7 R r8 R7 (1b) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又’此式(1 a ) 、( 1 b )的醇化合物係由,式( 2 a )的酮化合物,與如格利雅試藥R M g χ ( χ爲鹵素 原子)或有機鋰試藥RL i的有機金屬試藥反應,或式( 2 b )的化合物與如r M g χ、r l i有機金屬化合物反 應而得者。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐)· -29- 554246 A7 B7 五、發明說明(27)
R 11
C R2 R3 、Si:
R 10
Si—(C)r R9 (2a) ,R4 R5 R6
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (R’爲甲基、乙基等烷基。) 本發明的高分子化合物作爲增強化學性正片型光阻材 料的基礎樹脂爲適合的,此時本發明的化學增扶正片型光 阻材料爲含有 (A )作爲基礎樹脂的上述高分子化合物、 (B )酸產生劑、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (C )有機溶劑 更佳爲添加 (D )具有酸不安定基的溶解阻止劑、 (E )鹼性化合物。 於此’本發明所使用之(C )成分的有機溶劑,僅爲 酸產生劑、基礎樹脂(本發明的高分子化合物)、溶解阻 止劑等可溶解的有機溶媒即可。此有機溶劑例如,環己酮 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -30- 554246 A7 ____________ B7 五、發明說明(28) 、甲基一 2 —正一戊酮等酮類;3 —甲氧基丁醇、3 —甲 基一 3_甲氧基丁醇、1 一甲氧基一2 —丙醇、1 一乙氧 基一 2 —丙醇等醇類;丙二醇單甲基醚、乙二醇單甲基醚 、丙二醇單乙基醚、乙二醇單乙基醚、丙二醇二甲基醚、 二乙二醇二甲基醚等醚類;丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二 醇單乙基醚乙酸酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、 3 —甲氧基丙酸甲酯、3 —乙氧基丙酸乙酯、乙酸第三-丁酯、丙酸第三一丁酯、丙酸乙二醇一單一第三一 丁醚乙 酸酯等酯類,其可單獨1種或2種以上混合使用,且不限 定於上述化合物。本發明中,此有機溶劑例如,環己酮、 甲基一2-正一戊酮等酮類;3—甲氧基丁醇、3-甲基 —3 —甲氧基丁醇、1 一甲氧基_2 —丙醇、1 一乙氧基 一 2 —丙醇等醇類;丙二醇單甲基醚、乙二醇單甲基醚、 丙二醇單乙基醚、乙二醇單乙基醚、丙二醇二甲基醚、二 乙二醇二甲基醚等醚類;丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇 單乙基醚乙酸酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、3 -甲氧基丙酸甲酯、3 -乙氧基丙酸乙酯、乙酸第三-丁 酯、丙酸第三一 丁酯、丙酸乙二醇一單一第三一丁醚乙酸 酯等酯類,其可單獨1種或2種以上混合使用,且不限定 於上述化合物。本發明中,此些溶劑中對光阻成份中酸產 生劑之溶解性最優良的除二乙二醇二甲基醚或1 一乙氧基 - 2 -丙醇以外,其他如作爲安全溶劑之丙二醇單甲基醚 乙酸酯及其他混合溶劑皆可以配合使用。 有機溶劑之使用量,以對基礎樹脂1 0 0重量份爲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------線邊 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -31 - 554246 A7 B7 五、發明說明(29) 2〇0〜5 ,0〇0重量份,又以400〜3 ,00〇重 量份爲更佳。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 作爲(B )成分的酸產生劑,可舉出下述一般式(9 )的鏺鹽,式(1 0 )的重氮甲烷衍生物、式(1 1 )的 乙二肟衍生物、々-酮瑪衍生物、二瑪衍生物、硝基苯甲 基磺酸酯衍生物、瑪酸酯衍生物、亞胺基磺酸酯衍生物等 〇 (R30) bM + K -(9) (惟,R3()表示爲碳數爲1至1 2的直鏈狀、分支狀或環 狀烷基、碳數爲6至12的芳基或碳數爲7至12的芳烷 基,Μ +表示碘鎗、鎏、K —表示非親核性對向離子,b表 示2或3。) · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 作爲R3()的烷基,可舉出甲基、乙基、丙基、丁基、 環己基、2 -氧基環己基、原菠烷基、金剛烷基等。作爲 芳基可舉出苯基、P —甲氧基苯基、m —甲氧基苯基、〇 一甲氧基苯基、乙氧基苯基、p_第三—丁氧基苯基、m 一第三-丁氧基苯基等的烷氧基苯基、2 -甲基苯基、3 一甲基苯基、4 一甲基苯基、乙基苯基、4 一第三一丁基 苯基、4 -丁基苯基、二甲基苯基等的烷基苯基。作爲芳 院基可舉出苯甲基、苯乙基等。作爲K _的非親核性對向離 子可舉出氯化物離子、溴化物離子等鹵化物離子、三氟甲 基酯、1 ,1 ,1 一三氟乙烷磺酸酯、九氟丁烷磺酸酯等 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公爱〉 554246 A7 B7 五、發明說明(30) 氟化烷基磺酸酯、甲磺醯酯、對甲苯磺酸酯、4 -氟苯基 磺酸酯、1 ,2,3,4,5 —五氟苯基磺酸酯等芳基磺 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 酸酯、苯基磺酸酯、丁烷磺酸酯等烷基磺酸酯等。 ψ r31 — so2 — c — so2 — R32 (1 〇) (惟,R 3 1、R 3 2表示碳數爲1至1 2的直鏈狀、分支狀 或環狀的烷基或鹵化烷基、碳數爲6至1 2的芳基、或鹵 化芳基或碳數7至12的芳烷基。) 作爲R31、R32的烷基可舉出甲基、乙基、丙基、丁 基、戊基、環戊基、環己基、原菠烷基、金剛烷基等。鹵 化烷基例如三氟甲基、1 ,1 ,1 —三氟乙基、1 ,1 , 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 -三氯乙基、九氟丁基等;芳基例如苯基、P —甲氧苯 基、m —甲氧苯基、〇 —甲氧苯基、乙氧苯基、P —第三 一丁氧苯基、m -第三一丁氧苯基等烷氧苯基;2 —甲基 苯基、3 -甲基苯基、4 一甲基苯基、乙基苯基、4 —第 三-丁基苯基、4 - 丁基苯基、二甲基苯基等烷基苯基; 鹵化芳基之氟苯基、氯苯基、1 ,2 ,3,4,5 —五氟 苯基等;芳烷基例如苄基、苯乙基等。 r34 r35
qQ I I QQ R —S〇2—〇—N = C — C = N—〇—S〇2 — R (11) -33-
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐V 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554246 A7 B7 五、發明說明(31) (惟,式中,R33、R34、R35爲碳數1至 1 2之直鏈狀、支鏈狀、環狀烷基或鹵化烷基,碳數6至 1 2之芳基或鹵化芳基或碳數7至1 2之芳烷基。r34 ' R 3 5可相互鍵結形成環,形成環狀構造時,R 3 4、R 3 5 各自爲碳數1至6之直鏈狀、支鏈狀之伸烷基。)° R 3 3、R 3 4、R 3 5之烷基、鹵化烷基、芳基、鹵化 芳基、芳烷基之例示與R31、R32之說明內容相同;又’ R 3 4、R 3 5之伸烷基則如伸甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁 基、伸己基等)。 具體而言,例如三氟甲烷碳酸二苯基碘鑰、三氟甲烷 磺酸(P —第三一丁氧苯基)苯基碘鐵、p —甲苯磺酸二 苯基碘鑰、P -甲苯磺酸(P —第三一丁氧苯基)苯基碘 鑰、三氟甲烷磺酸三苯基銃、三氟甲烷磺酸(P —第三一 丁氧苯基)二苯基锍、三氟甲烷磺酸雙(P -第三一丁氧 苯基)苯基銃、三氟甲烷磺酸三(P -第三—丁氧苯基) 锍、P-甲苯磺酸三苯基锍、P -甲苯磺酸(P —第三一 丁氧苯基)一苯基硫、p -甲苯礦酸雙(p -第三一丁氧 苯基)苯基锍、P -甲苯磺酸三(P -第三—丁氧苯基) 銃、九氟丁烷磺酸三苯基銃、丁烷磺酸三苯基銃、三氟甲 烷磺酸三甲基銃、P —甲苯磺酸三甲基銃、三氟甲烷磺酸 環己甲基-羰環己基)銃、P —甲苯磺酸環己甲基( 2 —氧環己基)锍、三氟甲烷磺酸二甲基苯基锍、p —甲 苯磺酸二甲基苯基銃、三氟甲烷磺酸二環己基苯基銃、p -甲苯磺酸二環己基苯基毓、三氟甲烷磺三萘基銃、三氟 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)’ -34- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554246 Α7 Β7 五、發明說明(32) 甲烷磺酸環己甲基(2 —羰環己基)銃、三氟甲烷磺酸( 2 —降冰片烷基)甲基(2 —羰環己基)銃、乙烯雙〔甲 基(2 -羰環戊基)銃三氟甲烷磺酸酯〕、1 ,2 > -萘 基羰甲基四氫硫鹽三聚物等鑰鹽、雙(苯磺醯基)二偶氮 甲烷、雙(P -甲苯磺醯基)二偶氮甲烷、雙(二甲苯磺 醯基)二偶氮甲烷、雙(環己磺醯基)二偶氮甲烷、雙( 環戊磺醯基)二偶氮甲烷、雙(η -丁基磺醯基)二偶氮 甲烷、雙(異丁基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(sec —丁 基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(η —丙基磺醯基)二偶氮甲 烷、雙(異丙基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(第三一 丁基磺 醯基)二偶氮甲烷、雙(η —戊基磺醯基)二偶氮甲烷、 雙(異戊基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(s e c -戊基磺醯 基)二偶氮甲烷、雙(第三一戊基磺醯基)二偶氮甲烷、 1 一環己基磺醯基一 1 一(第三一丁基磺醯基)二偶氮甲 院、1 一環己基擴醯基一 1 —(第二一戊基擴酸基)一偶 氮甲烷、1 一第三—戊基磺醯基一 1 一(第三一丁基磺醯 基)二偶氮甲烷等二偶氮甲烷衍生物。雙一 〇 —( p -甲 苯磺醯基)一 α —二甲基乙二肟、雙一〇 —(p —甲苯磺 醯基)一 α -二苯基乙二肟、雙一 ο— (ρ —甲苯磺醯基 )—α —二環己基乙二肟、雙一〇 — (ρ —甲苯磺醯基) —2 ,3 —戊二醇乙二肟、雙一 ο— (ρ —甲苯磺醯基) —2 —甲基一 3 ,4 —戊二酮乙二肟、雙一ο — (η — 丁 院擴酿基)一 α -二甲基乙二I弓、雙一〇 —(π — 丁院礦 醯基)一α-二乙基乙二肟、雙一〇—(η_丁烷磺醯基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------·裝--------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -35- 554246 Α7 Β7 五、發明說明(33) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) )一 α —二環己基乙二肟、雙一 〇 —(η— 丁烷磺醯基) 一 2 ,3 —戊二醇乙二汚、雙一 〇 —(η — 丁院磺醯基) 一 2 —甲基3 ,4 —戊二醇乙二肟、雙一 0— (甲烷磺醯 基)一 α —二甲基乙二肟、雙一 〇 — (三氟甲烷磺醯基) —α —二甲基乙二肟、雙一〇 — (1 ’ 1 ,1 一三氟乙烷 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 磺醯基)一 α —二甲基乙二肟、雙一 0 一(第三—丁烷磺 酸基)一 α —二甲基乙二汚、雙一 〇 —(全氟辛院磺醯基 )一 α —二甲基乙二肟、雙一 〇—(環己烷磺醯基)—^ 一二甲基乙二肟、雙一 〇 — (苯磺醯基)一α —二甲基乙 二肟、雙一〇—(ρ一氟基苯磺醯基)一α—二甲基乙二 月弓、雙一 〇 — (Ρ —第二一丁基苯礦釀)一 α — —*甲基乙 二肟、雙一〇—(二甲苯磺醯基)一α一二甲基乙二肟、 雙一 0 —(坎院礦醒基)一(2 — 一甲基乙一^05衍生物,雙 萘基磺醯甲烷、雙三氟甲基磺醯甲烷、雙甲基磺醯甲烷、 雙乙基磺醯甲烷、雙丙基磺醯甲烷、雙異丙基磺醯甲烷、 雙- ρ -甲苯磺醯甲烷、雙苯磺醯甲烷等雙磺醯衍生物; 2 —環己基羰基一 2 -(ρ —甲苯磺醯)丙烷、2 —異丙 基磺醯基一 2 -(ρ -甲苯磺醯基)丙烷等β 一氧硕衍生 物,二苯基二碾、二環己基二碾等二硕衍生物、Ρ -甲苯 磺酸2,6 —二腈苯酯、ρ -甲苯磺酸2 ’ 4 一二腈苯酯 等腈苯基磺酸酯衍生物;1 ,2,3 ,三(甲烷磺醯基氧 )苯、1,2,3-三(三氟甲烷磺醯基氧)苯、1’2 ,3 -三(ρ -甲苯磺醯氧基)苯等磺酸酯衍生物。正一 羥基琥珀亞胺甲烷磺酸酯、正-羥基琥珀亞胺三氟甲丨完磺 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 554246 A7 B7 五、發明說明(34) 酸酯、正-羥基琥珀亞胺乙烷磺酸酯、正一羥基琥拍亞胺 1 一丙烷磺酸酯、正-羥基琥珀亞胺2 -丙烷磺酸酯、正 -羥基琥珀亞胺1 -戊烷磺酸酯、正一羥基琥珀亞胺1 一 辛烷磺酸酯、正-羥基琥珀亞胺p -甲苯磺酸酯、正一羥 基琥珀亞胺P -甲氧苯基磺酸酯、正-羥基琥珀亞胺2 -氯乙烷磺酸酯、正-羥基琥珀亞胺苯基磺酸酯、正一羥基 琥珀亞胺一 2 ,4,6 -三甲基苯磺酸酯、正一羥基琥珀 亞胺1 -萘磺酸酯、正-羥基琥珀亞胺2 -萘磺酸酯、正 -羥基- 2 -苯基琥珀亞胺甲烷磺酸酯、正-羥基馬來亞 胺甲烷磺酸酯、正-羥基馬來亞胺乙烷磺酸酯、正-羥基 -2 -苯基馬來亞胺甲烷磺酸酯、正-羥基谷氨亞胺甲烷 磺酸酯、正-羥基谷氨亞胺苯磺酸酯、正-羥基鄰苯二甲 醯亞胺甲烷磺酸酯、正-羥基鄰苯二甲醯亞胺苯磺酸酯、 正-羥基鄰苯二甲醯亞胺三氟甲烷磺酸酯、正一羥基鄰苯 二甲醯亞胺P -甲苯磺酸酯、正-羥基萘亞胺甲烷磺酸酯 、正-羥基萘亞胺苯磺酸酯、正-羥基- 5 -降冰片烷基 —2 ,3 —二羧亞胺甲烷磺酸酯、正一羥基一 5 -降冰片 烷基一 2 ,3 -二羧亞胺三氟甲烷磺酸酯、正一羥基一 5 一降冰片烷基一 2,3 -二羧亞胺P —甲苯磺酸酯等正一 羥亞胺之磺酸酯衍生物等;三氟甲烷磺酸三苯基銃、三氟 甲烷磺酸(P -第三-丁氧苯基)二苯基锍、三氟甲烷磺 酸三(P -第三一丁氧苯基)锍、p —甲苯磺酸三苯基銃 、P -甲苯磺酸(P -第三一丁氧苯基)二苯基锍、p -甲苯磺酸三(ρ-第三-丁氧苯基)硫、三氣甲院磺酸三 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一裝--------訂---------線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -37- 554246 Α7 Β7 五、發明說明(3匀 萘基銃、三氟甲烷磺酸環己基甲基(2-羰環己基)銃、 三氟甲烷磺酸(2 —降冰片烷基)甲基(2 —羰環己基) 銃、1 ,2 / -萘羧甲基四氫硫苯基三聚物等鑰鹽;雙( 苯磺醯基)二偶氮甲烷基、雙(p -甲苯磺醯基)二偶氮 甲基、雙(環己基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(η — 丁基擴 酿基)二偶氮甲烷、雙(異丁基磺醯基)二偶氮甲烷、雙 (s e c 一丁基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(η 一丙基磺醯 $)二偶氮甲烷、雙(異丙基磺醯基)二偶氮甲烷、雙( 第三一 丁基磺醯基)二偶氮甲烷等二偶氮甲烷衍生物;雙 一 〇 — (ρ —甲苯磺醯基)一α —二甲基乙二肟、雙一 〇 一(η-丁烷磺醯基)一α—二甲基乙二肟等乙二肟衍生 物雙萘基磺酸甲烷等雙磺酸衍生物,又以正-羥基琥珀亞 胺甲烷磺酸酯、正-羥基琥珀亞胺三氟甲烷磺酸酯、正-羥基琥珀亞胺1 -丙烷磺酸酯、正-羥基琥珀亞胺2 -丙 烷磺酸酯、正一羥基琥珀亞胺丨一戊烷磺酸酯、正一羥基 琥珀亞胺Ρ -甲苯磺酸酯、正-羥基萘亞胺甲烷磺酸酯、 正-羥基萘亞胺苯磺酸酯等正-羥基亞胺化合物之酯衍生 物爲較佳。又,上記酸產生劑可單獨1種或2種以上組合 使用。鑰鹽有提高矩形性之優良效果,二偶氮甲烷衍生物 及乙二肟衍生物具有優良之降低定在波之效果,兩者之組 合可對圖型外形進行微調整。 氧產生劑的調配量對1 0 0重量份的全基礎樹脂而言 爲0·2至15重量份,特別爲0·5至8重量份爲佳, 不足0 · 2重量份的曝光時有氧產生量較爲少,感度以及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 1 an n 1 emme 1 I 一δ,,· mm I I I μμμ aav · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -38- 554246 Α7 Β7 五、發明說明(36) 解像力較爲劣等現象,若超過1 5重量份時光組的透過率 會下降,解像力會下降。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (E )成分的鹼性化合物適用於:,氧產生劑所產生的 酸擴散至光阻膜中時可抑制擴散速度的化合物,因添加如 此的鹼性化合物,光阻膜中的酸擴散速度會被抑制而解像 力會提高,曝光後感度變化會被抑制,對基板或環境的依 賴性較爲少,可提升曝光剩餘度或圖型外形等(特開平5 —232706 號、同 5 — 249683 號、同 5 — 158239 號、同 5 — 2496 6. 2 號、同 5 — 257282 號、同 5 — 289322 號、同 5 — 289340號等公報等記載)。 作爲如此的鹼性化合物雖可舉出第1級、第2級、第 3級的脂肪族胺類、混成胺類、芳香族胺類、雜環胺類、 具有羧基的含氮化合物、具有磺醯基的含氮化合物、具有 羥基的含氮化合物、具有羥基苯基的含氮化合物、醇性含 氮化合物、醯胺衍生物、亞胺衍生物,其中特別以脂肪族 胺最適用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 具體而言,第1級脂肪胺例如尿素、甲基胺、乙基胺 、η-丙基胺、異丙基胺、η-丁基胺、異丁基胺、 s e c - 丁基胺、第二—丁基胺、戊基胺、第三一戊基胺 、環戊基胺、己基胺、環己基胺、庚基胺、辛基胺、壬基 胺、癸基胺、月桂基胺、十六烷基胺、亞甲基二胺、亞乙 基二胺、四乙烯基戊胺等;第2級脂肪胺族類例如,二甲 基胺、二乙基胺、二一η-丙基胺、二異丙基胺、二一η -39- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 554246 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(37) 一 丁基胺、二異丁基肢'一一 s e c -丁基胺、二戊基胺 、二環戊基胺、二己基胺、二環己基胺、二庚基胺、二辛 基胺、二壬基胺、二癸基胺、二月桂基胺、二鯨蠟基胺、 N,N —二甲基亞甲基二胺、N,N —二甲基亞甲基二胺 、N,N -二甲基四亞乙基戊胺等;第3級脂肪族胺類例 如,三甲基胺、三乙基胺、三-η—丙基胺、三異丙基胺 、三—η — 丁基胺、三異丁基胺、二—s e c —丁基胺、 三戊基胺、三環戊基胺、三己基胺、三環己基胺、三庚基 胺、三辛基胺、三壬基胺、三癸基胺、三月桂基胺、三鯨 鱲基胺、N,N’N> ,N> —四甲基亞甲基二胺、N, N,N< ,N<—四甲基亞甲基二胺、N,N,N^ , N ——四甲基四亞乙基戊胺等。 又,混合胺類例如,二甲基乙基胺、甲基乙基丙基胺 、戊基胺、苯乙基胺、苄基二甲基胺等。芳香族胺類及雜 環胺類之具體例如’苯胺衍生物(例如苯胺、N -甲基苯 胺、N -乙基苯胺、N —丙基苯胺、N,N —二甲基苯胺 、2—甲基苯胺、3—甲基苯胺、4一甲基苯胺、乙基苯 胺、丙基苯胺、三甲基苯胺、二硝基苯胺、3 -硝基苯胺 、4 —硝基苯胺、2,4 —二硝基苯胺、2,6 —二硝基 苯胺、3 ’ 5 —二硝基苯胺、N,N -二甲基苯胺等)、 二苯基(P -甲苯基)胺、甲基二苯基胺、三苯基胺、亞 苯基二胺、萘基胺、二氨基萘、吡咯衍生物(例如吡咯、 2 Η —吡咯、1 一甲基吡咯、2 ,4 一二甲基吡咯、2 , 5 -二甲基吡略、Ν —甲基吡咯等)、噁唑衍生物(例如 (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) ·_ I I i^i I I ϋ n i^i n ϋ ·1 1 I · 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)· -40- 554246 A7
五、發明說明(岣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 _哩、異噁唑等)、噻唑衍生物(例如噻唑、異噻唑等) 、咪唑衍生物(例如咪唑、4 一甲基咪唑、4 一甲基一 2 〜苯基咪唑等)、吡唑衍生物、呋喃衍生物、吡咯啉衍生 物、(例如吡咯啉、N -甲基吡咯啉、吡咯烷酮、N —甲 基Dlt咯烷酮等)、咪唑啉衍生物、咪唑並吡啶衍生物、D比 口定衍生物(例如吡啶、甲基吡啶、乙基吡啶、丙基吡啶、 丁吼D定、4 一( 1 一丁基吡啶)吡啶、二甲基吡啶、三甲 基D比啶、三乙基吡啶、苯基吡啶、3 —甲基一2 —苯基吡 陡、4 一 t — 丁基吡啶、二苯基吡啶、戊基吡啶、甲氧基 吡啶、丁氧基吡啶、二甲氧基吡啶、1 一甲基一 2 _吡略 酮、4 一吡咯烷吡咯、1 一甲基—4 —苯基吡啶、2 —( 1 一乙基丙基)吡咯、氨基吡咯、二甲基氨基吡啶等)、 噠嗪衍生物、嘧啶衍生物、吡嗪衍生物、吡唑啉衍生物、 吡唑烷衍生物、哌啶衍生物、哌嗪衍生物、嗎啉衍生物、 吲哚衍生物、異吲哚衍生物、1 Η -吲唑衍生物、吲哚啉 衍生物、咱啉衍生物(例如喹啉、3 —喹啉羧腈等)、異 喹啉衍生物、噌啉衍生物、喹唑啉衍生物、喹喔啉衍生物 、酞嗪衍生物、嘌呤衍生物、喋啶衍生物、咔唑衍生物、 菲繞啉衍生物、吖啶衍生物、吩嗪衍生物、1 ,1 0 -菲 繞啉衍生物、腺嘌呤衍生物、腺苷衍生物、鳥嘌呤衍生物 、鳥苷衍生物、尿嘧啶衍生物、尿嗪衍生物等等。 又,具有羧基之含氨化合物,例如氨安安息香酸、吲 哚羧酸、氨基酸衍生物(例如尼古丁酸、丙氨酸、精氨酸 、天冬氨酸、枸椽酸、甘氨酸、組氨酸、異賴氨酸、甘氨 -41 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 554246 A7 B7 五、發明說明(39) 醯白氨酸、白氨酸、蛋氨酸、苯基丙氨酸、蘇氨酸、賴氨 酸、3 -氨基吡啶一 2 -羧酸、甲氧基丙氨基)等例;具 有磺酸基之含氮化合物例如3 -吡啶磺酸、P -甲苯磺酸 吡啶鑰等;具有羥基之含氮化合物,具有羥苯基之含氮化 合物、醇性含氮化合物等例如,2 -羥基吡啶、氨基甲酉分 、2 ,4 一喹啉二醇、3 —吲哚甲醇氫化物、單乙醇胺、 二乙醇胺、三乙醇胺、N —乙基二乙醇胺、N,N —二乙 基乙醇胺、三丙醇胺、2,2 亞氨基二乙醇、2 —氨 基乙醇、3 -氨基_1 一丙醇、4 一氨基一 1— 丁醇、4 一(2 —羥乙基)嗎啉、2 —( 2 —羥乙基)吡啶、1 — (2 —羥乙基)哌嗪、1 一〔 2 _( 2 —羥乙氧基)乙基 〕哌嗪、哌嗪乙醇、1 一( 2 —羥乙基)吡咯烷、1 一( 2 -羥乙基)—2 —吡咯烷酮、3 —吡咯烷酮基一1 ,2 一丙二醇、3_吡咯烷酮基一 1 ,2 —丙二醇、8 —羥久 洛尼啶、3 —喂啶醇、3 —托品醇、1 一甲基一 2 —吡啶 乙醇、1 一氮雜環丙烷乙醇、N —( 2 —羥乙基)肽醯亞 胺、N -( 2 -羥乙基)異尼古丁醯胺等等。醯胺衍生物 例如,甲醯胺、N —甲基醯胺、N,N —二甲基醯胺、乙 醯胺、N —甲基乙醯胺、N,N —二甲基乙醯胺、丙醯胺 、戊醯胺等。亞胺衍生物則例如酞醯亞胺、琥珀醯酵亞胺 、馬來亞胺等。 又,可再添加下述一般式(12)以及(13)所示 鹼性化合物。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂·--------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -42- 554246 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(4〇) 44
CH2CH20(R410)sRI * N—CH2CH2〇(R42〇)tR ! A Q 46CH2CH2〇(R 0)uR 45 (12)
CH2CH2〇(R47〇)s.R49 , I 48 r-»50N—CH2CH2〇(R 〇)tR (13)
H (式中,R41、R42、R43、R47、R48各自獨立爲直 鏈狀、支鏈狀或環狀之碳數1〜2 0之伸院基、R 4 4、 R45、R46、R49、R5Q爲氫原子、碳數1〜20之烷 基或氨基,R44 與 R45、R45 與 R46、R44 與 R46、 R 4 4與R 4 5與r 4 6、r 4 9與R 5 〇可各自鍵結形成環。s 、T、U各自爲〇〜20之整數。但當s、T、U=〇時 ,R44、R45、R46、R49、R5Q 不含氫原子)。 其中,R41、R42、R43、R47、R48之伸烷基可 爲碳數1〜20,較佳爲1〜10,更佳爲碳數1〜8之 伸烷基,具體而言,例如,伸甲基、伸乙基、η -伸丙基 、異伸丙基、η-伸丁基、異伸丁基、η-伸戊基、異伸 戊基、伸己基、伸壬基、伸癸基、環伸戊基、環伸己基等
又,R
R
R
R R 5 ^之烷基例如 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -43- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554246 A7 B7 五、發明說明(41) 碳數1〜2 0,較佳爲1〜8,更佳爲碳數1〜6之烷基 ,其可爲直鏈狀、支鏈狀或環狀。具體而言例如,甲基、 乙基、正一丙基、異丙基、正- 丁基、異丁基、第三-丁 基、正一戊基、異戊基、己基、壬基、癸基、月桂烷基、 十三烷基、環戊基、環己基等。 又,R44 與 R45、R45 與 R46、R44 與 R46、 R 44與R 45與R46、R49與R5。形成環時,環之碳數爲 1〜20 ,更佳爲1〜8,最佳爲1〜6爲宜,又此些環 之碳數1〜6,特別是1〜4之烷基可具有支鏈。 S、T、U各自爲〇〜20之整數,更佳爲1〜1〇 ,最佳爲1〜8之整數。 上述(1 2 )、 ( 1 3 )之化合物其具體例如,三{ 2 — (甲氧甲氧基)乙基}胺、三{2—(甲氧乙氧基) 乙基}胺、三〔2 — { (2 — (甲氧乙氧基)甲氧基)乙 基}胺、三{2—(2—甲氧乙氧基)乙基}胺、三{2 —(1 一甲氧乙氧基)乙基}胺、二{ 2 — ( 1—乙氧乙 氧基)乙基}胺、三{2 —(1—乙氧丙氧基)乙基}胺 、三〔2— { (2 —羥乙氧基)乙氧基}乙基〕胺、4, 7— 13 ,16 ,21 ,24 —六氧一1 ,1〇一二氮雜 二環〔8,8,8〕二十六烷,4,7,13,18 —四 氧一 1 ,10 —二氮雜二環〔8,5 ,5〕二十烷,1 , 4,10 ,13 —四氧—7,16 -二氮雜二環十八烷、 1—氮雜—12 —冠—4,1—氮雜—15 —冠—5 ,1 —氮雜—12 -冠—4,1 一 氮雜一 15 —冠—5 ,1 — 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)‘ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ --------訂· ------- -44- 554246 Α7 --- Β7 s、發明說明(42) 氮雜一 1 8 -冠一 6等等。特別是三級胺、苯胺衍生物、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) D比咯烷衍生物、吡啶衍生物、喹啉衍生物、氨基酸衍生物 、具有羥基之含氮化合物、具有羥苯基之含氮化合物、醇 性含氮化合物、醯胺衍生物、亞胺衍生物、三{ 2 -(甲 氧甲氧基)乙基}胺、三{ (2 — (2 —甲氧乙氧基)乙 基)胺、三〔2 — { (2 —甲氧乙氧基)甲基}乙基〕胺 、1—氮雜一 15 —冠一 5等爲佳。 , 且,上述鹼性化合物可單獨一種或組合2種以上使用 ’其添加量爲對1 0 0重量份全基礎樹脂而言,爲 〇 · 01至2重量份,特別爲0 · 01至1重量份爲佳。 若添加量少於0 · 0 1重量份時其無添加效果,若超過2 重量份時則感度會過度下降。 其次作爲(D )成分的溶解阻止劑,可舉出經由酸作 用而對鹼性顯像液的溶解性產生變化之分子量爲 3 ,0 0 〇以下的化合物,特別以2 ,5 0 0以下的低分 子量酚或羧酸衍生物的一部份或全部由酸取代不安定取代 基的化合物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 作爲分子量爲2,5 0 0以下的酚或羧酸衍生物,可 舉出雙酚A、雙酚Η、雙酚S、4,4 —雙(4,一羥基苯 基)戊酸、三(4 —羥基苯基)甲烷、1 ,1 ,1 一三( 4’一羥基苯基)乙烷、1 ,1,2 —三(4,一羥基苯基) 乙烷、苯基酞、百里香酚酞等,作爲酸不安定取代基可舉 出如上述相同者。 作爲適當的溶解阻止劑的例子,可舉出雙(4 -( 2, -45- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)· 554246 A7 B7 五、發明說明(43) 四氫吡喃氧基)苯基)甲烷、雙(4 一(2’四氫呋喃氧基 )苯基)甲烷、雙(4 一第三一丁氧基苯基)甲烷、雙( 4 一第三一丁氧基羰基氧基苯基)甲烷、雙(4 一第三一 丁氧基羰基甲基氧基苯基)甲烷、雙(4— (1’一乙氧基 乙氧基)苯基)甲烷、雙(4 一( 1’ —乙氧基丙基氧基) 苯基)甲烷、2 ,2 —雙(4’一 (2’’四氫吡喃氧基)) 丙烷、2 ,2 -雙(4’—(2’’四氫呋喃氧基))丙烷、 2,2 -雙(4’一第三一丁基苯基)丙烷、2,2 -雙( 4’一第三一丁氧基羰基氧基苯基)丙烷、2,2 -雙( 4’一第三一丁氧基羰基甲基氧基苯基)丙烷、2,2 -雙 (4,一( 1"一乙氧基乙氧基)苯基)丙烷、2,2 —雙 (4,一( 1’’一乙氧基丙基氧基)苯基)丙烷、4,4 — 雙(4’一(2’’四氫吡喃氧基)苯基)戊酸第三一 丁基、 4,4 —雙(4’一(2’’四氫呋喃氧基)苯基)戊酸第三 一 丁基、4,4 一雙(4,一第三一丁基苯基)戊酸第三一 丁基、4,4 一雙(4 ’―第三一 丁氧基羰基氧基苯基)戊 酸第三一 丁基、4,4 一雙(4,一第三一丁氧基羰基甲基 氧基苯基)戊酸第三一 丁基、4,4 一雙(4,一( 1,,一 乙氧基乙氧基)苯基)戊酸第三一 丁基、4,4 一雙(4, 一(1"一乙氧基丙基氧基)苯基)戊酸第三一丁基、三( 4— (2’一四氫吡喃氧基)苯基)甲烷、三(4 一( 2’一四氫呋喃氧基)苯基)甲烷、三(4 一第三一 丁氧基 苯基)甲烷、三(4 一第三一丁氧基羰基氧基苯基)甲烷 、三(4 一第三一丁氧基羰基氧基甲基苯基)甲烷、三( 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,----I I I I 訂------I I I. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -46- 554246 Α7 Β7 五、發明說明(4令 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 一(1’一乙氧基乙氧基)苯基)甲烷、三(4 一(1’一 乙氧基丙基氧基)苯基)甲烷、1 ,1 ,2 —三(4’一( 2’’四氫吡喃氧基)苯基)甲烷、1 ,1 ,2 —三(4’— (2’’四氫呋喃氧基)苯基)甲烷、1 ,1 ,2 —三(4’ 一第三—丁氧基苯基)乙烷、1 ,1 ,2 —三(4,一第三 一丁氧基羰基氧基苯基)乙烷、1 ,1 ,2 —三(4 ’―第 三一 丁氧基羰基甲基氧基苯基)乙烷、1 ,1 ,2 -三( 4’一(1,—乙氧基乙氧基)苯基)乙烷、1 ,1 ,2 —三 (4’一( 1’一乙氧基丙基氧基)苯基)乙烷等。 作爲本發明的光阻材料中之溶解阻止劑〔(D )成份 〕的添加量,對於1 0 0重量份的光阻材料中的固體部分 而言爲2 0重量份以下,較佳爲1 5重量份以下。若高於 2 0重量份則因單體成份會增加使得光阻材料的耐熱性會 下降。 本發明之光阻材料,可在爲提高塗佈性之目的上添加 上記成份以外之任意慣用成份作爲界面活性劑。又,此任 意成份之添加量爲在不防礙本發明效果之範圍內之一般添 加量。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中,界面活性劑以非離子性者爲佳,例如全氟烷基 聚氧乙炔醇、氟化烷酯、全氟烷基胺氧化物、含氟有機矽 氧烷系化合物等。例如氟萊特「F C - 4 3 0」、「F C 一 4 3 1」(皆爲住友3 Μ公司製)、沙氟隆「S — 141」、「S-145」、「S — 381」、「S — 383」(皆爲旭硝子公司製)、優尼但「DS - 401 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)· -47- 554246 A7 -- B7 五、發明說明(4夺 」、「DS — 4〇3」、「DS — 451」(皆爲大金工 業公司製)、美格氟「F — 8151」、「f— 171」 、「F172」、「F-173」、(F — 177」(大 日本油墨公司製)、「X— 7 0 — 092」、「X— 7〇 -〇93」(皆爲信越化學工業公司製)等等。其中較佳 者爲氟萊特「FC-430」(住友3M公司製)、「X 一70-〇93」(信越化學工業公司製)等等。 使用本發明之光阻材料以形成圖型之方法,可採用公 知之石版印刷技術等,例如於晶圓等基板上形成厚度 〇· 1〜10 · 〇βηι程度之漆用酚醛等有機膜,此膜上 以旋轉塗佈等方法塗佈至〇 · 〇 1〜1 · ο β m,將此於 熱板上以6〇〜2〇〇C、 10秒〜1〇分鐘、較佳爲 8 0〜150°C、 30秒〜5分鐘之預熱。其次在上記光 阻膜上覆蓋欲形成目的圖型之光罩後,以波長3 〇 〇 n m u以下的遠紫外線、激發雷射、X線等高能量線或電 子射線在曝光量爲1〜2 0 〇m J /cm2左右,較佳爲 1〇〜1 0 0 m J / c m 2下照射後,在熱壓板上以6 〇〜 150 °C、1〇秒〜5分鐘、較佳爲80〜130。(:、 3〇秒〜3分鐘之後照射烘烤(p e b )。其後使用 0 · 1〜5%,較佳爲2〜3%四甲基銨氫氧化物( T M A Η )等鹼性水溶液之顯影液,以1 〇秒〜3分鐘、 較佳爲3 0秒〜2分鐘間,以浸漬(d i ρ )法,微粒( puddle )法,噴撒法(spray )法等常用顯影方法於基板上 形成目的之圖型。又,本發明材料最適合以特別是以高會g 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------丨訂--— I— . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -48- 554246 A7 - B7 五、發明說明(4弓 量線中2 5 4〜1 2 0 n m之遠紫外線或激發雷射、特別 爲 I93nm 的 ArF、157nm 的 f2、146nm 的 Kr2、134nm 的 KrAr 、I26nm 的 Ar2 等的 激發雷射、X線及電子射線等描繪微細之圖型。又,超出 上記範圍之上限或下限以外時,可能無法得到目的之圖形 〇 其次,露出的上述有機膜部分以可產生氧電漿的乾燥 浸漬裝置依常法加工。 【發明的效果】 本發明的光阻材料對高能源光線具有感應,具有優良 的對3 0 0 n m以下波長的感度、解像力、氧電漿浸漬耐 性。因此,本發明的高分子化合物以及光阻材料係由這些 特性、特別爲優良的2層光阻用材料所得者,既微細且對 基板容易形成垂直的圖形,因此適用於作爲超L S I製造 用的微細圖形形成材料上。 【實施例】 以下所示的合成例以及實施例對本發明作具體的說明 ’但本發明不爲下述例而限定。 〔單體合成例1〕甲基丙烯酸1 ,4,4 一三甲基一 4 一 矽環己基 1 · Ο Μ氯化甲基鎂的四氫呋喃溶液中,冰浴下滴入 1 4 · 2 g的4,4 —二甲基一 4 —矽環己酮(於特開平 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -49- 554246 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(47) 7 — 3 0 9 8 7 8號公報中有記載此合成方法)。經2小 時攪拌後,加入氯化氨水溶液而進行加水分解。一般的萃 取•洗淨•濃縮的後處理操作後,經昇華而純化得到 14 · 2g的1 ,4,4 一三甲基一 4 —砂環己醇(回收 率 9 0 % )。 IR wmax:3346, 292 0, 1248, 1100,892cm-1° ^-NMR (270MHz,CDC13) 5 : ◦ •0〇(3H,s) ^ 0 . 0 2 ( 3 H ^ s ), 0·47 〜0.58(2H,m) ,0·67 〜0.79 (2H,m),1.17(3H,s),1.30(lH ,s) ,1.61〜1.82(4H,m)ppm。 此與1 5 g的三乙基胺溶解於1 0 0 m 1的二氯甲院 溶液,於冰浴下加入1 0 · 5 g的氯化甲基丙烯酸後,於 室溫下攪拌1 2小時經酯化。得到1 5 · 3 g的甲基丙嫌 酸1 ,4,4 一三甲基一 4 —矽環己基(回收率75 % ) 〇 沸點:6 5 t /〇.8托 I R ymax·· 2926,1714,1294, 1248,1162 140cm-1。 4 一 NMR (270MHz,CDC 13) ά : 〇.0〇(3H,s) ,0·03(3Η,δ), 0·50 〜0.74(4H,m) ,1.48(3H,s ),1·51 〜1.64(2H,m) ,1·92(3Η (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ----訂--------- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -50- 554246 A7 B7_ 五、發明說明(48) ,s) ,2·42 〜2.52(2H,m) ,5.48( lH,t) ,6.〇4(lH,s)ppm。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以同樣的反應後依照一般方法得到以下的聚合性單體 化合物。 〔單體合成例2〕丙烯酸1 ,4,4 一三甲基一 4 一 矽環己基 〔單體合成例3〕2 -原冰片烯一 5 —羧酸1 ,4, 4 —三甲基一 4 一矽環己基 〔單體合成例4〕p— (1 ,4,4 —三甲基—4 — 矽環己基氧基)苯乙烯 〔單體合成例5〕p —乙烯基苯氧基乙酸1 ,4,4 一三甲基一 4 一矽環己基 〔單體合成例6〕甲基丙烯酸1 一乙基一 4,4 一二 甲基一 4 一矽環己基 〔單體合成例7〕2 -原冰片烯一 5 -羧酸1—乙基 —4,4 一二甲基—4_矽環己基 〔單體合成例8〕甲基丙烯酸1 一異丙基一 4,4 一 二甲基一 4 一矽環己基 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔單體合成例9〕2 -冰原片烯一 5 -羧酸1 一異丙 基一 4,4 —二甲基一 4 —矽環己基 〔單體合成例1 0〕四環十二烯羧酸1 一異丙基一 4 ,4 一二甲基—4 —矽環己基 〔單體合成例1 1〕甲基丙烯酸1 一乙基—3 ,3 - 二甲基一 3 —矽環己基 -51 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554246 A7 B7_ 五、發明說明(49) 〔單體合成例12〕丙烯酸1 一乙基一 3 ,3 —二甲 基一 3 —矽環己基 〔單體合成例13〕p — (1—乙基一3 ,3—二甲 基一 3 —矽環己基氧基)苯乙烯 〔單體合成例14〕p -乙烯基苯氧基乙酸1 ,3 , 3 —三甲基一 3 —矽環己基氧基 〔單體合成例15〕2 -原冰片烯—5 —羧酸1 一乙 基一 3 ,3 —二甲基一 3 —矽環己基 〔單體合成例16〕2 -原冰片烯一 5 —羧酸1 ,3 ,3 —三乙基一3 -矽環己基 〔單體合成例17〕甲基丙烯酸1—乙基一 3,3 , 5,5—四甲基一3,5 —二矽環己基 〔單體合成例18〕丙烯酸1 一乙基一 3 ,3 ,5 , 5 —四甲基一3 ,5 —二矽環己基 〔單體合成例1 9〕2 -原冰片烯一 5 —羧酸1 一乙 基—3,3,5,5 —四甲基—3,5 —二矽環己基 〔單體合成例20〕甲基丙烯酸1 一乙基一 3 ,3 , 4,5 ,5 —五甲基一3 ,5 —二矽環己基 〔單體合成例21〕丙烯酸1 一乙基一 3 ,3 ,4, 4,5,5 -六甲基一3,5 —二矽環己基 〔單體合成例2 2〕2 -原冰片烯一 5 —羧酸1 —乙 基—3,3,4,4,5,5 - 六甲基—3,5 —二矽環 己基 ’ 〔單體合成例2 3〕甲基丙烯酸1 一乙基一 3 ,3 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝
ϋ ·ϋ 1 一口, 11 I 11 ϋ* I— i·— i-·-·· I 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)· -52- 554246 A7 五、發明說明(5q) 一甲基一 3 一矽環戊基 〔單體合成例24〕丙烯酸1—乙基一 3 ,3 -二甲 3 -矽環戊基 〔單體合成例25〕p — (1—乙基一3 ,3 -二甲 基 基 -矽環戊基氧基)苯乙烯 單體合成例26〕p —(1—乙基一 3 ,3 甲 基一 3 一矽環戊基氧基)一α—甲基苯乙烯 〔單體合成例2 7〕甲基丙烯酸4,4 一二甲基一 4 矽環己基二甲基烴甲基 〔單體合成例28〕ρ— (3 ,3 -二甲基一 3 -砂 己基二甲基烴甲基氧基)苯乙烯 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 單體合成例2 9〕2 -原冰片烯—5 -羧酸2,2 6 —四甲基一2,6 —二矽環己基二乙基烴甲基 單體合成例3 0〕四環十二烯羧酸3 ,3 —二甲基 矽環丁基二甲基羧基 聚合物合成例1〕甲基丙烯酸1 ,4 , 4 一三甲基 矽環己基與甲基丙烯酸5 -氧代- 4 一氧雜三環〔 • 1 · Ο3,7〕壬烷一 2 —基共聚物(7 : 3)的 2 L的錐形瓶中於5 6 0 m 1的甲苯中溶解7 〇 g的 甲基丙烯酸1 ,4,4 一三甲基一 4 一矽環己基,與3 5 g的甲基丙烯酸5 —氧代一氧雜三環〔4 . 2 · 1 · 0 3,7 〕壬院一2—基中,充分除去氧素後,添加5·5g的起 始劑A I B N ’昇溫至6 0 °C進行2 4小時的聚合反應。 6 一 4 4 . 合成 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)‘ 两 --I I----訂— I — ' -53- 554246 Α7 Β7 五、發明說明(51) 爲純化所得之聚合物,將反應混合物注入己烷/乙醚 (3 : 2 )中,所得之聚合體經沈澱•分離,得到9 7 g 的白色聚合體甲基丙烯酸1 ,4,4 一三甲基一4 一矽環 己基一甲基丙烯酸5 —氧代一 4 —氧雜三環〔 4.2.1.03’7〕壬烷—2—基(7:3)。 確認如此所得之白色聚合體甲基丙烯酸1 ,4,4 -三甲基一 4 一矽環己基一甲基丙烯酸5 —氧代一 4 一氧雜 三環〔4 · 2 · 1 · 03’7〕壬烷—2 —基(7 : 3)以 光散色法測出重量平均分子量爲9 ,8 0 0 g / m ο 1 , 以G P C溶出曲線測出分散度(=M w /Μ η )爲 1 · 6 Ο之聚合物。且以1 Η — Ν Μ R測出聚合物中幾乎以 7 : 3含於其中。 〔聚合物合成例2〕丙烯酸1 ,4,4 一三甲基一 4 一矽環己基與丙烯酸5 —氧代一 4 一氧雜三環〔 4 · 2 · 1 · 〇3’7〕壬烷—2 —基共聚物(7 : 3)的 合成 取代聚合物合成例1的甲基丙嫌酸1 ,4,4: 一三甲 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 基—4 一矽環己基使用丙烯酸1 ,4,4_三甲基一 4 — 矽環己基使用相同方法進行合成。以光散色法測出重量平 均分子量爲12 ,OOOg/mo 1 ,以GPC溶出曲線 測出分散度(=M w/Μ η )爲1 · 6 0之聚合物。且以 1 Η — N M R測出聚合物中幾乎以7 : 3含於其中。 〔聚合物合成例3〕2 -原冰片烯一 5 -羧酸1 ,4 ’ 4 一二甲基—4 一矽環己基與無水馬來酸共聚物(5 : 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公餐) 54 - 554246 A7 ----- -B7_______ 五、發明說明(5刁 5 )的合成 2 L的錐形瓶中於5 6 0 m 1的甲苯中溶解7 〇 g的 2 —原冰片烯一 5 —羧酸1 ,4,4一三甲基一 4 —矽環 己基,與3 0 g的馬來酸,充分除去氧素後,添加5 . 5 S的起始劑A I B N,昇溫至6 0 °C進行2 4小時的聚合 反應。以下相同方法得到2 —原冰片烯—5 -羧酸1 ,4 ’ 4 一三甲基一 4 一政環己基一聚無水馬來酸共聚物(5 :5 )。以光散色法測出重量平均分子量爲7,〇 〇 0 g / m 0 1 ,以g P C溶出曲線測出分散度(=M w / Μ η )爲1 · 5 0之聚合物。且以1 Η — N M R測出聚合物中幾 乎以5 : 5含於其中。 〔聚合物合成例4〕P —(1 ,4,4 一三甲基一 4 -矽環己基氧基)苯乙烯與羥基苯乙烯的共聚物(3 : 7 )的合成 2 L的錐形瓶中於5 6 0 m 1的甲苯中溶解3 0 g的 P — ( 1 ,4,4 —三甲基一 4 一矽環己基氧基)苯乙烯 ’與45g的乙酸基,充分除去氧素後,添加5·5g的 起始劑A I B N,昇溫至6 0 °C進行2 4小時的聚合反應 。以下相同方法得到p —( 1 ,4 ,4 一三甲基一 4 一砂 環己基氧基)苯乙烯一聚羥基苯乙烯的共聚物(3 : 7 ) 。此聚合物移入3 L的錐形瓶中,溶解於5 0 0 g的甲醇 、lOOg的丙酮後,添加97g的三乙基胺,50g的 純水,昇溫至6 0 t進行2 0小時的加水分解反應。 反應液濃縮後,注入溶解於2 0 L純水中的1 5 0 g (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) π丨裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)· -55- 554246 A7
五、發明說明(岣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 醋酸使聚合物沈源。所得之聚合物溶解於丙酮中,注入 2 0 L的純水再沈澱聚合物此操作重複2次後,分離聚合 物’使其乾燥。以光散色法測出重量平均分子量爲 13,0 0 〇 g / m 〇 1 ,以G P C溶出曲線測出分散度 (=Mw/Mn)爲1 · 7 0之聚合物。且以iH — NMR 測出聚合物中幾乎以3 : 7含於其中。 〔聚合物合成例5〕p —乙烯基苯氧基乙酸1 ,4, 4 一三甲基一 4 一矽環己基羥基苯乙烯的共聚物(3 ·· 7 )之合成 聚合物合成例4的p — ( 1 ,4,4 一二甲基—4 一 矽環己基氧基)苯乙烯以P 一乙烯基苯氧基乙酸1 ,4, 4 一三甲基一 4 一矽環己基羥基苯乙烯取代使用相同方法 進行合成。以光散色法測出重量平均分子量爲 13’,0 〇 〇 g / m ο 1 ,以G P C溶出曲線測出分散 度(=Mw/Mn)爲1 · 70之聚合物。且以iH — N M R測出聚合物中幾乎以3 : 7含於其中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔聚合物合成例6〕甲基丙烯酸1 一乙基一 4,4一 二甲基- 4 一矽環己基與甲基丙烯酸5 —氧代一氧雜三環 〔4 · 2 · 1 · 03’7〕壬烷一 2 —基共聚物(7 : 3) 的合成 聚合物合成例1的甲基丙烯酸1 ,4,4 一三甲基一
4 一矽環己基以甲基丙烯酸1 一乙基一 4,4 一二甲基— 4 -矽環己基取代使用相同方法進行合成。以光散色法測 出重量平均分子量爲12,OOOg/mol ,以GPC -56- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 554246 A7 B7 五、發明說明(54) 溶出曲線測出分散度(二M w /Μ η )爲1 . 5 q之聚合 物。且以1 Η _ N M R測出聚合物中幾乎以7 : 3含於其中 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔聚合路合成例7〕2 —原冰片稀一 5 —殘酸—乙 基一 4,4 一二甲基一 4 一矽環己基與無水馬來酸共聚物 (5:5)之合成 聚合物合成例3的2 -原冰片烯一 5 —殘酸1 ,4 , 4 一三甲基一 4 一石夕環己基以2 _原冰片燦〜5 —竣酸1 —乙基一 4,4 一二甲基一 4 一矽環己基以相同方法進行 合成。以光散色法測出重量平均分子量爲8,〇 〇 〇 g/ m ο 1 ,以G P C溶出曲線測出分散度(=μ w / Μ η ) 爲1·60之聚合物。且以1H—NMR測出聚合物中幾乎 以7 : 3含於其中。 〔聚合物合成例8〕甲基丙烯酸1 一異丙基一 4,4 -二甲基一 4 一砂環己基與甲基丙嫌酸5 —氧代—氧雜三 環〔4 · 2 · 1 · 03’7〕壬烷一 2 —基共聚物(7 : 3 )的合成 聚合物合成例1的甲基丙烯酸1 ,4,4 一三甲基一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 一矽環己基以甲基丙烯酸1 一異丙基一 4,4 一二甲基 - 4 -矽環己基取代使用相同方法進行合成。以光散色法 測出重量平均分子量爲1 4,0 0 0 g /m ο 1 ,以 G P C溶出曲線測出分散度(=M w / Μ η )爲1 . 6 5 之聚合物。且以1 Η - N M R測出聚合物中幾乎以7 : 3含 於其中。 -57- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 554246 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明(碑 〔聚合路合成例9〕2 -原冰片烯一 5 —竣酸1 一異 丙基一 4,4 一二甲基一 4 一矽環己基與無水馬來酸共聚 物(5 : 5 )之合成 聚合物合成例3的2 —原冰片烯—5 -羧酸1 ,4, 4 一三甲基一4 一矽環己基以2 —原冰片烯一 5 —羧酸1 一異丙基一 4,4 一二甲基一 4 —矽環己基以相同方法進 行合成。以光散色法測出重量平均分子量爲7,〇 〇 〇 g / m 〇 1 ’以G P C溶出曲線測出分散度(=:μ w / M ^ )爲1 · 7 Ο之聚合物。且以iH-NMR測出聚合物中幾 乎以5 : 5含於其中。 〔聚合路合成例1 〇〕四環十二碳烯羧酸1 一異丙基 一 4,4 —二甲基—4 一矽環己基與無水馬來酸共聚物( 5:5)之合成 聚合物合成例3的2 —原冰片烯—5 —羧酸1 , 4, 4一三甲基一4一矽環己基以四環十二碳烯羧酸1一異丙 基一 4 ’ 4 一二甲基一 4 一矽環己基以相同方法進行合成 。以光散色法測出重量平均分子量爲4,0 〇 〇 g / m ο 1 ’以G P C溶出曲線測出分散度(=μ w / Μ η ) 爲1·90之聚合物。且以1H—NMR測出聚合物中幾乎 以5 : 5含於其中。 〔聚合物合成例1 1〕甲基丙烯酸1 一乙基一 3 , 3 一二甲基—3 —矽環己基與甲基丙烯酸5 —氧代一 4 一氧 雜三環〔4·2·1·〇3,7〕壬烷一2-基共聚物(7 :3)的合成 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) -58- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554246 A7 B7 五、發明說明(56) 聚合物合成例1的甲基丙烯酸1 ,4,4 一三甲基一 4 一矽環己基以甲基丙烯酸1 一乙基一 3 ,3 —二甲基一 3 -矽環己基取代使用相同方法進行合成。以光散色法測 出重量平均分子量爲11,200g/mol ,以GPC 溶出曲線測出分散度(=M w / Μ η )爲1 . 6 5之聚合 物。且以1 Η — N M R測出聚合物中幾乎以7 ·· 3含於其中 〇 〔聚合物合成例12〕丙烯酸1 一乙基一 3 ,3 -二 甲基一 3 —矽環己基與甲基丙烯酸5 -氧代一 4 一氧雜三 環〔4 · 2 · 1 · 〇3,7〕壬烷一 2 -基共聚物(7 : 3 )的合成 聚合物合成例1的甲基丙烯酸1 ,4,4 一三甲基一 4 一矽環己基以丙烯酸1 一乙基一3 ,3 —二甲基一 3 -矽環己基取代使用相同方法進行合成。以光散色法測出重 量平均分子量爲13, OOOg/mol ,以GPC溶出 曲線測出分散度(二M w / Μ η )爲1 · 7 5之聚合物。 且以1 Η - N M R測出聚合物中幾乎以7 : 3含於其中。 〔聚合物合成例13〕ρ — (1 —乙基一3 ,3〜二 甲基- 3 -矽環己基氧基)苯乙烯與羥基苯乙烯的共聚物 (3 : 7 )之合成 聚合物合成例4的ρ -( 1 ,4,4 —三甲基一 4〜 矽環己基氧基)苯乙烯以ρ — (1 一乙基一 3 ,3 —二甲 基- 3 -矽環己基氧基)苯乙烯取代使用相同方法進行合 成。以光散色法測出重量平均分子量爲1 1 ,5 0 0 g / 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · amEMm I— n ϋ ϋ n I I ϋ n ϋ ϋ I , -59- 554246 A7 B7 五、發明說明(^) m ο 1 ,以G P C溶出曲線測出分散度(=:μ w / Μ η ) 爲1·65之聚合物。且以1H—NMR測出聚合物中幾乎 以3 : 7含於其中。 〔聚合物合成例14〕ρ —乙烯基苯氧基乙酸1 ,3 ,3 —三甲基一 3 -矽環己基與羥基苯乙烯的共聚物(3 :7 )之合成 聚合物合成例4的ρ — (1 ,4,4 一三甲基一 4 — 矽環己基氧基)苯乙烯以ρ -乙烯基苯氧基乙酸1 , 3 , 3 -三甲基- 3 —砍環己基取代使用相同方法進行合成。 以光散色法測出重量平均分子量爲1 3,2 0 0 g / m ο 1 ,以G P C溶出曲線測出分散度(=M w / Μ η ) 爲1 · 6 8之聚合物。且以1 Η — N M R測出聚合物中幾乎 以3 : 7含於其中。 〔聚合路合成例15〕2 —原冰片烯一 5 -羧酸1 一 乙基一 3 ,3 —二甲基一 3 —矽環己基與無水馬來酸共聚 物(5 ·· 5 )之合成 聚合物合成例3的2 -原冰片烯—5 -羧酸1 ,4, 4 一二甲基一 4 一砍環己基以2 —原冰片稀一 5 —殘酸1 一乙基一 3 ,3 —二甲基—3 —矽環己基以相同方法進行 合成。以光散色法測出重量平均分子量爲7, 〇 〇 〇 g / m ο 1 ’以G P C溶出曲線測出分散度(=M w / Μ η ) 爲1 · 7 0之聚合物。且以1 Η — N M R測出聚合物中幾乎 以5 : 5含於其中。 〔聚合路合成例16〕2 —原冰片烯一 5 -羧酸1, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝
T · ϋ n —1 i^i « ^ i an n a·— 1> l I I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -60- A7
554246 五、發明說明(岣 3 ,3 -三甲基一 3 -矽環己基與無水馬來酸共聚物(5 :5 )之合成 聚合物合成例3的2 -原冰片烯一 5 —羧酸χ ,4, 4〜二甲基一 4 —矽環己基以2 —原冰片烯一 5 —殘酸1 ’ 3 ,3 -三甲基一 3 —矽環己基以相同方法進行合成。 以光散色法測出重量平均分子量爲8,0 〇 〇 g /m 〇丄 ’以G P C溶出曲線測出分散度(=M w /Μ η )爲 1 · 80之聚合物。且以— NMR測出聚合物中幾乎以 5 : 5含於其中。 〔聚合物合成例17〕甲基丙烯酸1一乙基一 3 ,3 ’ 5 ,5 —四甲基一 3 ,5 —二矽環己基與甲基丙烯酸5 —氧代—4 —氧雜三環〔4 · 2 · 1 · 03,7〕壬院—2 —基共聚物(7:3)的合成 聚合物合成例1的甲基丙烯酸1 ,4,4 一三甲基— 4 一矽環己基以甲基丙烯酸1—乙基一3 ,3,5 ,5 — 四甲基- 3 ,5 -二矽環己基取代使用相同方法進行合成 。以光散色法測出重量平均分子量爲1 3,0 〇 〇 g / (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 澤裝
Τ · ϋ· ϋ i_l I « ^ 1 ·ϋ imam I n ϋ n I I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 } 乎 η 幾 Μ 中 \物 W 合 Μ聚 -I 出 C 測度R 散Μ 分Ν 出一 測 線以 曲且 出。 溶物。 C 合中 Ρ 聚其 G 之於 以 7 含 , 7 3 0 17 m爲以 Η ’ 酸 3烯 I 丙 基基 乙甲 I 與 1 基 酸己 烯環 丙矽 3 二 8 | IX LO 例, 成 3 合 I 物基 合甲 聚四 •成 4合 C的 環 TJ \)/ 三 3 雜: 氧 7 一 ( 4 物 I 聚 代共 2 1—1 ο 2 I 烷 壬 氧基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)· -61 - 554246 Α7 Β7 五、發明說明(巧 聚合物合成例1的甲基丙烯酸1 ,4,4〜Η甲基— 4 一砂環己基以丙嫌酸1 一乙基一3 ,3 ,5 ,5 —四甲 基- 3 ,5 -二矽環己基取代使用相同方法進行合成。以 光散色法測出重量平均分子量爲1 2 , 0 0 0 g/m〇丄 ,以G P C溶出曲線測出分散度(=M w /Μ η )爲 1 · 6 0之聚合物。且以1 Η _ N M R測出聚合物中幾乎以 7 : 3含於其中。 〔聚合路合成例1 9〕2 -原冰片燃一 5〜殘酸1 — 乙基一3 ,3 ,5 ,5 —四甲基—3 ,5 —二砂環己基與 無水馬來酸共聚物(5 : 5 )之合成 聚合物合成例3的2 —原冰片烯一 5 —羧酸1 ,4, 4 一三甲基一 4 一矽環己基以2 —原冰片烯一5 —羧酸1 一乙基一3 ,3 ,5 ,5 —四甲基一3 ,5 —二砂環己基 取代使用相同方法進行合成。以光散色法測出重量平均分 子量爲8 , 0 〇 〇 g / m ο 1 ,以G P C溶出曲線測出分 散度(=Mw/Mn)爲1 · 80之聚合物。且以iH — N M R測出聚合物中幾乎以5 : 5含於其中。 〔聚合物合成例20〕甲基丙烯酸1 一乙基一 3 , 3 ,4,5 ’ 5 —五甲基一3 ,5_二矽環己基與甲基丙嫌 酸5 -氧代一 4 —氧雜三環〔4 · 2 , 1 · 〇3, 7〕壬院 一 2 —基共聚物(7 : 3)的合成 聚合物合成例1的甲基丙烯酸1 ,4,4 一三甲基一 4 —矽環己基以甲基丙烯酸1 一乙基一3 ,3 ,4,5 , 5 -五甲基一 3 ,5—二矽環己基取代使用相同方法進行 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^1 ·ϋ ϋ I n ϋ 一*»J ·1 n in ϋ ϋ I ϋ I · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -62 - 554246 Α7 Β7 五、發明說明(6q> 合成。以光散色法測出重量平均分子量爲1 3 , 〇 0 〇 g / m ο 1 ,以G P C溶出曲線測出分散度(=M w / Μ η (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) )爲1 · 5 8聚合物。且以1 Η — N M R測出聚合物中幾乎 以7 : 3含於其中。 〔聚合物合成例2 1〕丙烯酸1 一乙基〜3 ,3,4 ,4,5 ,5 —六甲基一3 ,5 —二矽環己基與甲基丙燒 酸5 -氧代一4 —氧雜三環〔4 · 2 · 1 · 〇3’7〕壬院 —2 -基共聚物(7: 3)的合成 聚合物合成例1的甲基丙烯酸1 ,4,4 一三曱基— 4 —矽環己基以丙烯酸1 一乙基一 3 ,3 ,4,4 , 5, 5 -六甲基一 3,5 —二矽環己基取代使用相同方法進行 合成。以光散色法測出重量平均分子量爲1 1, 2 0 0 g / m ο 1 ,以G P C溶出曲線測出分散度(=M w / Μ η )爲1·78聚合物。且以1H—NMR測出聚合物中幾乎 以7 : 3含於其中。 〔聚合路合成例22〕 2-原冰片烯一5—羧酸1一 乙基一3 ,3 ,4 ,4 ,5 ,5 —六甲基一3 ,5 —二砂 環己基與無水馬來酸共聚物(5 : 5)之合成 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 聚合物合成例3的2 -原冰片烯一 5 —羧酸1 ,4, 4 一三甲基一 4 —矽環己基以2 -原冰片烯—5 —羧酸1 —乙基一3 ,3 ,4 ,4,5 ,5 —六甲基一 3 ,5 —二 矽環己基取代使用相同方法進行合成。以光散色法測出重 量平均分子量爲7, 50〇g/mol ,以GPC溶出曲 線測出分散度(=M w / Μ η )爲1 · 8 8之聚合物。且 -63- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)· 554246 Α7 -----^____________ Β7 五、發明說明(61) 以1 Η — N M R測出聚合物中幾乎以5 : 5含於其中。 〔聚合物合成例2 3〕甲基丙烯酸1 一乙基一 3 ,3 一一甲基一 3 —矽環己基與甲基丙烯酸5 —氧代一4 一氧 雜三環〔4 · 2 · 1 · 〇3,7〕壬烷—2 —基共聚物(7 :3)的合成 聚合物合成例1的甲基丙烯酸1 ,4,4 一三甲基一 4 一矽環己基以甲基丙烯酸1—乙基一 3 ,3 一二甲基— 3 -矽環己基取代使用相同方法進行合成。以光散色法測 出重量平均分子量爲12,OOOg/mol ,以GPC 溶出曲線測出分散度(=M w /Μ η )爲1 · 7 2聚合物 。且以1 Η — N M R測出聚合物中幾乎以7 : 3含於其中。 〔聚合物合成例24〕丙烯酸1一乙基一 3 ,3 -二 甲基一3 —矽環己基與甲基丙烯酸5 —氧代一 4 一氧雜三 環〔4 · 2 · 1 · 03,7〕壬烷—2 -基共聚物(7 ·· 3 )的合成 聚合物合成例1的甲基丙烯酸1 ,4,4 一三甲基一 4 一矽環己基以丙烯酸1 一乙基一 3,3—二甲基一3 — 矽環己基取代使用相同方法進行合成。以光散色法測出重 量平均分子量爲13, 200g/mol ,以GPC溶出 曲線測出分散度(二M w / Μ η )爲1 · 8 5聚合物。且 以1 Η — N M R測出聚合物中幾乎以7 : 3含於其中。 〔聚合物合成例25〕ρ — (1 —乙基—3 ,3 —二 甲基- 3 -矽環戊基氧基)苯乙烯與羥基苯乙烯的共聚物 (3:7)之合成 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -64 - 554246 A7 B7 五、發明說明(62) 聚合物合成例4的p— ( 1 ,4,4一三甲基—4一 矽環己基氧基)苯乙烯以p — (1 —乙基一3 ,3 —二甲 基- 3 -矽環戊基氧基)苯乙烯取代使用相同方法進行合 成。以光散色法測出重量平均分子量爲1 1,0 0 0 g / m ο 1 ,以G P C溶出曲線測出分散度(=M w / Μ η ) 爲1 . 5 6之聚合物。且以1 Η — N M R測出聚合物中幾乎 以3 : 7含於其中。 〔聚合物合成例26〕P — (1 —乙基一 3 ,3 —二 甲基一 3 -矽環戊基氧基)一 α —甲基苯乙烯與羥基苯乙 烯的共聚物(3: 7)之合成 聚合物合成例4的口一( 1 ’ 4 ’ 4 一二甲基—4 — 矽環己基氧基)苯乙烯以ρ — (1—乙基一 3 ,3 —二甲 基一 3 — 5夕環戊基氧基)一 α —甲基苯乙烁取代使用相同 方法進行合成。以光散色法測出重量平均分子量爲 11, 〇 0 0 g / m ο 1 ,以G P C溶出曲線測出分散度 (=Mw/Mn)爲1·50之聚合物。且以iH—NMR 測出聚合物中幾乎以3 : 7含於其中。 〔聚合物合成例2 7〕甲基丙烯酸4,4 一二甲基_ 4 一矽環己基二甲基烴甲基與甲基丙烯酸5〜氧代—氧雜 二fe〔4 · 2 . 1 · 〇3 7〕壬院一 2 -基共聚物(7 : 3 )的合成 聚合物合成例1的甲基丙烯酸1 ,4,4 —三甲基— 4 一矽環己基以甲基丙烯酸4,4 一二甲基一 4 —Ϊ夕環己 基二甲基烴甲基取代使用相同方法進行合成。以光散色 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) ·ϋ ϋ ϋ I ·ϋ 一-0、· ϋ ϋ ϋ 1§ ϋ ϋ I · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -65- 554246 Α7 Β7 i、發明說明(^) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 測出重量平均分子量爲13, 200g/m〇l ,以 G P C溶出曲線測出分散度(=M w / Μ η )爲1 · 8 5 聚合物。且以1 Η — N M R測出聚合物中幾乎以7 : 3含於 其中。 〔聚合物合成例28〕P— (3 ,3 -二甲基一 3 -矽環己基二甲基烴甲基氧基)苯乙烯與羥基苯乙烯的共聚 物(3 : 7 )之合成 聚合物合成例4的p— (1 ,4,4 一三甲基一 4 一 矽環己基氧基)苯乙烯以p —(3 ,3 —二甲基一 3 —矽 環己基二甲基烴甲基氧基)苯乙烯取代使用相同方法進行 合成。以光散色法測出重量平均分子量爲1 〇,8 0 〇 g / m ο 1 ,以G P C溶出曲線測出分散度(=M w / Μ η )爲1 · 6 6之聚合物。且以1 Η — N M R測出聚合物中幾 乎以3 : 7含於其中。 〔聚合路合成例29〕2 —原冰片烯一 5 —殘酸1 一 乙基一2 ,2 ’ 6 ,6 —四甲基一2 ,6—二矽環己基二 乙基烴甲基與無水馬來酸共聚物(5 : 5)之合成 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 聚合物合成例3的2 —原冰片烯—5 —羧酸1 ,4, 4 —三甲基一 4 一矽環己基以2 —原冰片烯一5〜竣酸1 —乙基一2 ,2 ,6 ,6 —四甲基一 2 ,6 —二砂環己基 二乙基烴甲基取代使用相同方法進行合成。以光散色法測 出重量平均分子量爲7, 700g/m〇i ,以GPC^ 出曲線測出分散度(=M w / Μ η )爲1 . 7 8之聚合物 。且以1 Η — N M R測出聚合物中幾乎以5 : 5含於其中。 -66 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 554246 A7 ----- B7 五、發明說明(6今 〔聚合路合成例3 0〕四環十二碳烯羧酸3 ,3 -二 甲基一 3 -矽環丁基二甲基烴甲基與無水馬來酸共聚物( 5: 5)之合成 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 聚合物合成例3的2 -原冰片烯一 5 -羧酸1 ,4, 4 一三甲基一 4 一矽環己基以四環十二碳烯羧酸3,3 — 二甲基一 3 —矽環丁基二甲基烴甲基取代使用相同方法進 行合成。以光散色法測出重量平均分子量爲3,2 0 〇 g / m 〇 1 ’以G p C溶出曲線測出分散度(=μ w / Μ η )爲1 · 9 2之聚合物。且以1 Η — N M R測出聚合物中幾 乎以5 : 5含於其中。 〔聚合物合成比較例1〕甲基丙烯酸三(三甲基甲矽 烷基)甲矽烷基乙基與甲基丙烯酸5一氧代一4一氧雜三 ί^〔4·2·1·〇3 7〕壬院一 2 - 基共聚物(7: 3 )的合成 聚合物合成例1的甲基丙烯酸1 ,4,4 一三甲基一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 一矽環己基以甲基丙烯酸三(三甲基甲矽烷基)甲矽院 基乙基取代使用相同方法進行合成。以光散色法測出重量 平均分子量爲11, OOOg/mol ,以GPC溶出曲 線測出分散度(=M w/Μ η )爲1 · 6 5聚合物。且以 1 Η — N M R測出聚合物中幾乎以7 : 3含於其中。 〔聚合物合成比較例2〕甲基丙烯酸3 -〔三(三甲 基甲砂院氧基)甲砂院基〕丙基與甲基丙嫌酸t 一丁基酯 與甲基丙烯酸5 —氧代一 4 一氧雜三環〔 4 · 2 . 1 . 0 3 7〕壬院一 2 —基共聚物(2: 5·· 3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)· -67- 554246 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(6今 )的合成 聚合物合成例1的甲基丙烯酸1 ,4,4 一三甲基一 4 一矽環己基以甲基丙烯酸3 —〔三(三甲基甲矽烷氧基 )甲矽烷基〕丙基與甲基丙烯酸t 一丁基酯取代使用相同 方法進行合成。以光散色法測出重量平均分子量爲 13,0 〇 〇 g / m ο 1 ,以G P C溶出曲線測出分散度 (=Mw/Mn)爲1 · 78聚合物。且以iH — NMR測 出聚合物中幾乎以7:3含於其中。 〔實施例、比較例〕 將1 g的由上述合成例所得之聚矽氧烷聚合物,溶解 於含有0 · 0 1重量份的FC - 430 (住友3M (股) 製)之1 0重量份的丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA ),經〇 · 1 # m的鐵福龍製過濾器過濾,調製出聚合物 溶液。 將聚合物溶液塗於石英基板上,經1 0 〇 °C 6 0秒的 燒烤後,做成0 · 2 // m的膜厚,使用分光光度計測定波 長1 9 3 nm與2 4 8 nm的透過率。結果如表1所示。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ϋ alai n 1 ϋ n 一:口V I I I ϋ l ϋ ϋ ϋ I · 本紙張尺度適用中國國家標準規格Ο10 X 297公釐丫 -68- 554246 A7B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(叫 【表1】 聚合物的透過率 聚合物 透過率(% ) 1 9 3 n m 2 4 8 n m 合成例1的聚合物 8 5 9 5 合成例2的聚合物 9 0 9 5 合成例3的聚合物 8 1 9〇 合成例6的聚合物 8 6 9 3 合成例7的聚合物 8 2 9 2 合成例8的聚合物 8 4 9 5 合成例9的聚合物 8 2 9 2 合成例1 0的聚合物 7 8 9 2 合成例1 1的聚合物 8 3 9 4 合成例1 2的聚合物 8 5 9 6 合成例1 5的聚合物 7 9 9 4 合成例1 6的聚合物 8 0 9 6 合成例1 7的聚合物 8 8 9 6 合成例1 8的聚合物 8 7 9 7 合成例1 9的聚合物 8 1 9 1 合成例2 0的聚合物 8 7 9 5 合成例2 1的聚合物 8 8 9 5 合成例2 2的聚合物 8 1 9 4 合成例2 3的聚合物 8 4 9 6 合成例2 4的聚合物 8 9 9 5 合成例2 7的聚合物 8 4 9 4 合成例2 9聚合物 7 8 9 2 合成例3 0聚合物 7 4 9 1 合成比較例1的聚合物 5 9 1 合成比較例2的聚合物 8 9 9 8 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -69- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554246 A7 --—---§i______ 五、發明說明(67) 其次,作爲下層材料將1 〇重量份的m / p比6 / 4 ’ M w 1 〇 , 0 0 〇的甲酚漆用酚醛樹脂溶解於6 〇重量 份的两二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)中調製出漆用 酉分酸樹脂溶液。漆用酚醛樹脂溶液作旋轉塗佈於S i晶圓 上’以3 0 0。(:加熱5分鐘,使其硬化成〇 · 5 # m厚度 。其上作D U V — 3 0 (布魯握賽恩司公司製)的旋轉塗 佈’以1 0 0。(: / 3 0秒,2 0 (KC / 6 0秒燒烤成中間 膜。 另一方面,由聚合物合成例所得之聚砂氧院聚合物, P A G 1、2所示之氧產生劑、鹼基性化合物、D R I I 所示的溶解阻止劑溶解於含有〇 · 〇 1重量%的fr ^ -43 0 (住友3M (股)製)的丙二醇單甲基醚乙酸酯( P G Μ E A )溶媒中,以0 · 1 // m過濾器過濾而得到各 個光阻液。 此光阻液於上述中間膜上作旋轉塗佈,使用加熱板作 1 0 0 °C 9 0秒的燒烤得到〇 · 2 // m的厚度。將此使用 KrF激發雷射步進機(尼克公司製,ΝΑΟ · 60,2 / 3輪帶照明)使其曝光,經1 〇 〇 °C 9 0秒的燒烤( PEB),以2 .38重量%氫氧化四甲銨(TMAH) 水溶液進行6 0秒的顯像,得到正片型圖形。 求得0 · 2 0 # m L / S圖形的線(1 i n e )與間 距(space )的比爲1 : 1之曝光量,作爲光阻的感度。此 時解像最小可能値的線幅度作爲解像度。結果如表2所示 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格⑽x 297公爱) -70- 554246 A7 B7 五、發明說明(6$ 其次,平行平板型濺射蝕刻裝置下以氧氣作爲蝕刻用 氣體而進行蝕刻。對於下層光阻膜之蝕刻速度爲1 5 0 nm/分’而本發明光阻膜爲1 5 nm/分以下。以5分 的蝕刻使得本發明光阻未覆蓋的部分之下層光阻膜完全消 失,形成0 · 5 // m厚度之2層光阻圖形。此蝕刻條件如 下述所示。
氣體流量:50 seem 氣體壓力:1 · 3Pa r f能量:5 0 W dc偏壓:45〇V (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I I ϋ— —ϋ I mt n 一口、1 ϋ n .1· ϋ n ·ϋ n _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)’ -71 - 554246 A7 B7 五、發明說明(吗 s+ CF3SO3· ί^Ί PAG1 〇 Ό- + CF3S03" ί^ί PAG2
CH 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 、〇 ch3 DRI 1 〇 〇- 訂---------.
N 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Ό
TMMEA 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -72- 554246 A7 __ B7 五、發明說明(7〇) 【表2】 經濟部智慧財產苟 聚合物 (重量份) 酸產生劑 (重量份) 鹼性化合物 (重量份) 溶解阻止 劑/交聯劑 (重量份) 感度 (Mj'/cm2) 解像度 (μηι) 合成例1的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 25 0.16 合成例2的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 20 0.17 合成例3的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 30 0.18 合成例4的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺〇).1) - 28 0.18 合成例5的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 24 0.17 合成例6的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 21 0.18 合成例7的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 25 0.16 合成例8的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 22 0.16 合成例9的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 32 0.16 合成例10的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 33 0.16 合成例11的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 28 0.17 合成例12的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 24 0.16 合成例13的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 26 0.17 合成例14的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 23 0.16 合成例15的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 30 0.18 合成例16的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 30 0.17 合成例17的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 24 0.16 合成例18的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 23 0.17 合成例19的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 29 0.18 合成例20的聚合物 (100) PAG1(2) 三丁胺(0.1) - 22 0.16 合成例21的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺似1) - 21 0.16 合成例22的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 32 0.18 合成例23的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 21 0.15 合成例24的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 22 0.16 合成例25的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 26 0.17 合成例26的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 30 0.18 合成例27的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 26 0.16 合成例28的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 33 0.18 合成例29的聚备物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 33 0.17 合成例30的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 35 0.17 合成例1的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 12 0.18 合成例1的聚合物 (100) PAG1 ⑵ TMMEA(0.2) - 29 0.15 合成例1的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) DRIK20) 22 0.16 合成比較例1的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 38 0.17 合成比較例2的聚合物 (100) PAG1 ⑵ 三丁胺(0.1) - 因顯像液的排拒而 無法形成圖形 - j---裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -73- 554246 A7 ------—_ B7 五、發明說明( :表:所示結果’含有本發明的含矽取代基之聚合物 ,除苯乙烯取代物之外對其他(甲基)丙烯酸、原冰片烯 羧酸等的取代物而言,得到得到達A r F波長的高透明性 ’且與_像液間無產生排拒之高解像力者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -74-
Claims (1)
- A8 B8 C8 D8 公告本 7、申請專利範圍 1 · 一種高分子化合物,其特徵爲含有如下述一般式 1 )或(2)表示的環狀矽元素之基者, R R 11 1/ R2,k R3 、Si: R 10 Si—(C)f R9 ,R4R5 yR6 R1 R12〆 11 RR 13 C q R2 R3 R4 、sr 10 」s V R6 Si—(C)丨 q (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) R9 R 7 Ο) (2) (式中 R1、R2、R3、R6、R7、R10、Rll、Rl2 經濟部智慧財是^7p、工消費合作社印製 、R13表示爲氫原子,或碳數爲1至2 0的直鏈狀、分支 狀或環狀的烷基,R4、R5、R8、R9表示爲氫原子、碳 數爲1至2 0的直鏈狀、分支狀或環狀的烷基、或碳數爲 6至20的芳基、p,q,r ,s表示爲0至10的整數 ’ l$p+. q+sS2〇)。 2 ·如申請專利範圍第1項的高分子化合物,其中含 有1種或2種以上的下述一般式(3 )至(8 )所表示之 重複單位者, 本紙张尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 554246 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 R 14 R 14 R⑶ q R.4 >5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -76- 554246 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍R丨R 12/ί^ Si (請先閲讀背面之注意事項再 ·本頁) 裝· R 11一 •R 10 4 R、 Si—(C)r Jq Si——(C)r R V ⑸ R V Ri(6)經濟部智慧时/1^7¾工消骨合作社印災 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -77- 554246 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製-78- 554246 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (式中R14表不爲氫原子’或碳數爲1至2 〇的直鏈狀、 分支狀或環狀的院基,R 1 5表示爲氫原子或碳數爲1至 10的烷基、t ’ u,w表示爲、u表示爲〇 或1 、〇SwS5 ’ R1至R13、p ,卩,r ,s表示與 上述意義相同)。 3 · —種增強化學性正片型光阻材料,其特徵爲含有 (A )如申請專利範圍第1項或第2項的高分子化合 物、 (B )酸產生劑、 有機溶劑者。 4 · 一種增強化學性正片型光阻材料,其特徵爲含有 (A )申請專利範圍第1項或第2項的高分子化合物 (B )酸產生劑、 (C )有機溶劑 具有酸不安定基的溶解阻止劑者。 5 ·如申請專利範圍第3項或第4項的增強化學性正 片型光阻材料,其中添加(E )鹼性化合物者。 6.—種圖型形成方法,其含有 (1 )將申請專利範圍第3、4或5項中任一項的光 阻材料塗佈於被加工基板上的有機膜上,經燒烤形成光阻 膜的步驟、 (2 )上述光阻膜介著光罩以放射線照射的步驟、 (3 )因應必要經燒烤後,以鹼性水溶液顯像後溶解 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再本頁)、π 經濟部智慧財是局a(工消費合作社印製 -79- 554246 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍上述光阻膜的照射部分,形成光阻圖型的步驟、(4 )顯露出的有機膜部分使其產生氧素電漿,以乾 燥蝕刻裝置進行加工之步驟。 (請先閱讀背面之注意事項再 兴— 資寫本頁 訂經濟部智慧財是局a(工消費合作社印一^ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -80-
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