JP2001151734A - 第３級アミンの製造法 - Google Patents
第３級アミンの製造法Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 長期間保存した時に濁り物質を生じない高品
質第３級アミンの製造方法の提供。 【解決手段】 炭素数８〜36のアルキル又はアルケニル
アルコールと総炭素数が２〜４のジアルキルアミンと
を、第８属白金族元素が存在してもよい、銅及び第４周
期遷移金属元素からなる触媒の存在下、常圧ないし9.8M
Paの水素雰囲気下、下記の条件（イ）及び（ロ）にて反
応させて第３級アミンを製造する。（イ）10≦Ｘ≦100
において (42.9203 logＸ＋97.0797)≦Ｔ≦(42.9203 logＸ＋157.
0797） 〔Ｔ；反応温度（℃）、Ｘ；アルコールを基準とした反
応率（％）〕 （ロ）（Ｔmax −Ｔmin ）≧５℃ 〔Ｔmax ：10≦Ｘ≦100 におけるＴの最高温度、Ｔmin
：10≦Ｘ≦100 におけるＴの最低温度〕
質第３級アミンの製造方法の提供。 【解決手段】 炭素数８〜36のアルキル又はアルケニル
アルコールと総炭素数が２〜４のジアルキルアミンと
を、第８属白金族元素が存在してもよい、銅及び第４周
期遷移金属元素からなる触媒の存在下、常圧ないし9.8M
Paの水素雰囲気下、下記の条件（イ）及び（ロ）にて反
応させて第３級アミンを製造する。（イ）10≦Ｘ≦100
において (42.9203 logＸ＋97.0797)≦Ｔ≦(42.9203 logＸ＋157.
0797） 〔Ｔ；反応温度（℃）、Ｘ；アルコールを基準とした反
応率（％）〕 （ロ）（Ｔmax −Ｔmin ）≧５℃ 〔Ｔmax ：10≦Ｘ≦100 におけるＴの最高温度、Ｔmin
：10≦Ｘ≦100 におけるＴの最低温度〕
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は第３級アミンの製造
法に関する。
法に関する。
【０００２】牛脂、ヤシ油、パーム油などを原料とした
脂肪族アミンは、家庭用、工業用分野において重要な中
間体である。特に脂肪族第３級アミンは、繊維柔軟仕上
げ剤、帯電防止剤、ガソリン添加剤、シャンプー、リン
ス、殺菌剤、洗浄剤など幅広い用途に用いられている。
脂肪族アミンは、家庭用、工業用分野において重要な中
間体である。特に脂肪族第３級アミンは、繊維柔軟仕上
げ剤、帯電防止剤、ガソリン添加剤、シャンプー、リン
ス、殺菌剤、洗浄剤など幅広い用途に用いられている。
【０００３】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】脂肪族
第３級アミンの製造方法の一つに、高級アルコールとジ
メチルアミンを反応させて製造する方法がある。しかし
この方法では、製造したアミンを空気中で長期間保存し
ておくと濁り物質を生じるという問題点があった。
第３級アミンの製造方法の一つに、高級アルコールとジ
メチルアミンを反応させて製造する方法がある。しかし
この方法では、製造したアミンを空気中で長期間保存し
ておくと濁り物質を生じるという問題点があった。
【０００４】そこで、本発明の課題は、第３級アミンを
長期間保存した時に濁り物質を生じない高品質第３級ア
ミンの製造方法を提供することにある。
長期間保存した時に濁り物質を生じない高品質第３級ア
ミンの製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、特定の触
媒を使用し、且つ、特定の反応条件によれば、上記目的
を達成し得ることを見い出した。
媒を使用し、且つ、特定の反応条件によれば、上記目的
を達成し得ることを見い出した。
【０００６】本発明は、直鎖又は分岐鎖の炭素数８〜36
のアルキルアルコール又はアルケニルアルコールと総炭
素数が２〜４のジアルキルアミンとを、第８属白金族元
素が存在してもよい、銅及び第４周期遷移金属元素から
なる触媒の存在下、常圧ないし9.8MPaの水素雰囲気下、
下記の条件（イ）及び（ロ）にて反応させる、第３級ア
ミンの製造法を提供する。条件 （イ）10≦Ｘ≦100 において (42.9203 logＸ＋97.0797)≦Ｔ≦(42.9203 logＸ＋157.
0797） 〔式中、Ｔ；反応温度（℃） Ｘ；アルキルアルコール又はアルケニルアルコールを基
準とした反応率（％）を示す。〕 （ロ）（Ｔmax −Ｔmin ）≧５℃ 〔式中、Ｔmax ：10≦Ｘ≦100 におけるＴの最高温度 Ｔmin ：10≦Ｘ≦100 におけるＴの最低温度を示す。〕
のアルキルアルコール又はアルケニルアルコールと総炭
素数が２〜４のジアルキルアミンとを、第８属白金族元
素が存在してもよい、銅及び第４周期遷移金属元素から
なる触媒の存在下、常圧ないし9.8MPaの水素雰囲気下、
下記の条件（イ）及び（ロ）にて反応させる、第３級ア
ミンの製造法を提供する。条件 （イ）10≦Ｘ≦100 において (42.9203 logＸ＋97.0797)≦Ｔ≦(42.9203 logＸ＋157.
0797） 〔式中、Ｔ；反応温度（℃） Ｘ；アルキルアルコール又はアルケニルアルコールを基
準とした反応率（％）を示す。〕 （ロ）（Ｔmax −Ｔmin ）≧５℃ 〔式中、Ｔmax ：10≦Ｘ≦100 におけるＴの最高温度 Ｔmin ：10≦Ｘ≦100 におけるＴの最低温度を示す。〕
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明に用いられる触媒は第８属
白金族元素が存在していてもよい銅及び第４周期遷移金
属元素からなる触媒であり、ここで第４周期遷移金属元
素としてはニッケル及び亜鉛から選ばれる少なくとも１
種が好ましく、第８属白金族元素としては白金、パラジ
ウム、ルテニウム及びロジウムから選ばれる少なくとも
１種が好ましい。また本発明に用いられる触媒における
銅と第４周期遷移金属元素の金属原子のモル比は銅／第
４周期遷移金属元素＝１／９〜９／１が好ましく、かつ
第８属白金族元素は銅と第４周期遷移金属元素の合計に
対し金属原子のモル比で０〜0.1 が好ましい。本発明の
触媒は、触媒金属組成として銅と第４周期遷移金属元素
が必須であり、本発明に適合する触媒は種々の形態を選
択することが出来る。即ち、本発明は銅及び第４周期遷
移金属元素が触媒組成として反応系内に存在するとき、
初めてこれら成分間の相互作用による効果が発揮される
ものであるが、さらに第８属白金族元素が存在していて
もよい。これらの組成が本質的な触媒機能を有し、アル
キルアルコール又はアルケニルアルコールとジアルキル
アミンとを反応させるに当たっては、水素雰囲気下での
各金属成分の還元操作によって初めて触媒活性が発現す
る。従って、還元操作前の金属の形態及び還元操作後の
系内の状態の相違は本発明において特に限定されるもの
ではなく、水素雰囲気下での還元操作によって銅と第４
周期遷移金属元素、或いは銅と第４周期遷移金属元素と
第８属白金族元素との相互作用が発揮される形態であれ
ば良い。
白金族元素が存在していてもよい銅及び第４周期遷移金
属元素からなる触媒であり、ここで第４周期遷移金属元
素としてはニッケル及び亜鉛から選ばれる少なくとも１
種が好ましく、第８属白金族元素としては白金、パラジ
ウム、ルテニウム及びロジウムから選ばれる少なくとも
１種が好ましい。また本発明に用いられる触媒における
銅と第４周期遷移金属元素の金属原子のモル比は銅／第
４周期遷移金属元素＝１／９〜９／１が好ましく、かつ
第８属白金族元素は銅と第４周期遷移金属元素の合計に
対し金属原子のモル比で０〜0.1 が好ましい。本発明の
触媒は、触媒金属組成として銅と第４周期遷移金属元素
が必須であり、本発明に適合する触媒は種々の形態を選
択することが出来る。即ち、本発明は銅及び第４周期遷
移金属元素が触媒組成として反応系内に存在するとき、
初めてこれら成分間の相互作用による効果が発揮される
ものであるが、さらに第８属白金族元素が存在していて
もよい。これらの組成が本質的な触媒機能を有し、アル
キルアルコール又はアルケニルアルコールとジアルキル
アミンとを反応させるに当たっては、水素雰囲気下での
各金属成分の還元操作によって初めて触媒活性が発現す
る。従って、還元操作前の金属の形態及び還元操作後の
系内の状態の相違は本発明において特に限定されるもの
ではなく、水素雰囲気下での還元操作によって銅と第４
周期遷移金属元素、或いは銅と第４周期遷移金属元素と
第８属白金族元素との相互作用が発揮される形態であれ
ば良い。
【０００８】従って本発明の方法に適合する金属の形態
としては、 １）これらの金属又は、その酸化物あるいは水酸化物等
及びこれらの混合物等、反応媒体中で分散する形態のも
の、 ２）適当な担体上に銅、第４周期遷移金属元素、更に必
要により第８属白金族元素がそれぞれ支持されたものの
混合物あるいは、銅、第４周期遷移金属元素、更に必要
により第８属白金族元素の２又は３成分が、同一の担体
上に均一に支持されて、反応媒体中で分散する形態のも
の、 ３）これらの金属の脂肪族カルボン酸塩又は適当な配位
子により安定化された錯体のように反応媒体中で金属コ
ロイド状となり、均一系となる形態のもの、 ４）１）、２）のような反応媒体中で分散状となる形態
のものと、３）のような反応媒体中で均一となる形態の
ものとの混合物、あるいは水素還元前分散状で水素還元
後均一な形態となるもの等いずれの場合であっても良
く、本発明の本質となる２又は３成分の金属が水素雰囲
気下での操作によって成分間の相互作用が発現されれば
よい。本発明の方法として、より好ましい触媒の形態と
しては触媒金属の安定化即ち活性表面の固定化の面、及
び触媒被毒物質に対する耐久性の面から適当な担体上に
これら成分金属を均一に担持させたものが良い。
としては、 １）これらの金属又は、その酸化物あるいは水酸化物等
及びこれらの混合物等、反応媒体中で分散する形態のも
の、 ２）適当な担体上に銅、第４周期遷移金属元素、更に必
要により第８属白金族元素がそれぞれ支持されたものの
混合物あるいは、銅、第４周期遷移金属元素、更に必要
により第８属白金族元素の２又は３成分が、同一の担体
上に均一に支持されて、反応媒体中で分散する形態のも
の、 ３）これらの金属の脂肪族カルボン酸塩又は適当な配位
子により安定化された錯体のように反応媒体中で金属コ
ロイド状となり、均一系となる形態のもの、 ４）１）、２）のような反応媒体中で分散状となる形態
のものと、３）のような反応媒体中で均一となる形態の
ものとの混合物、あるいは水素還元前分散状で水素還元
後均一な形態となるもの等いずれの場合であっても良
く、本発明の本質となる２又は３成分の金属が水素雰囲
気下での操作によって成分間の相互作用が発現されれば
よい。本発明の方法として、より好ましい触媒の形態と
しては触媒金属の安定化即ち活性表面の固定化の面、及
び触媒被毒物質に対する耐久性の面から適当な担体上に
これら成分金属を均一に担持させたものが良い。
【０００９】本発明の触媒金属を担体に支持させる場
合、適合する担体としては一般の触媒担体として使用さ
れているもの、例えばアルミナ、シリカアルミナ、ケイ
ソウ土、シリカ、活性炭、天然及び人工ゼオライト等を
使用することができる。触媒金属の担体への担持量は、
任意に決めることができるが、通常は５〜70重量％の範
囲がよい。
合、適合する担体としては一般の触媒担体として使用さ
れているもの、例えばアルミナ、シリカアルミナ、ケイ
ソウ土、シリカ、活性炭、天然及び人工ゼオライト等を
使用することができる。触媒金属の担体への担持量は、
任意に決めることができるが、通常は５〜70重量％の範
囲がよい。
【００１０】これらの触媒金属の担体表面上に支持させ
る方法も、種々選ぶことができる。この場合、触媒原料
金属の形態としては、銅、第４周期遷移金属元素、第８
属白金族元素の酸化物、水酸化物あるいはそれらの各種
金属が使用できる。例えば、銅、第４周期遷移金属元
素、第８属白金族元素の塩化物、硫酸塩、硝酸塩、酢酸
塩、脂肪族カルボン酸塩、あるいはこれらの金属錯体、
例えば銅、第４周期遷移金属元素、第８属白金族元素の
アセチルアセトン錯体やジメチルグリオキシム錯体な
ど、また更に第８属白金族元素に関してはカルボニル錯
体、アミン錯体、ホスフィン錯体等も使用できる。これ
ら金属原料種を用いて、担体上に支持させる方法で触媒
を製造する場合には、例えば銅、第４周期遷移金属元
素、必要により第８属白金族元素の適当な塩の溶液に担
体を入れ充分に含浸させた後乾燥、焼成させる方法（含
浸法）や、担体と銅、第４周期遷移金属元素、必要によ
り第８属白金族元素の適当な塩の水溶液を充分混合した
後、炭酸ナトリウムや水酸化ナトリウムあるいはアンモ
ニア水等のアルカリ水溶液を加えて金属塩を担体上に沈
澱させ、あるいは、担体の水スラリーに銅、第４周期遷
移金属元素、必要により第８属白金族元素の適当な塩の
水溶液と炭酸ナトリウムや水酸化ナトリウムあるいはア
ンモニア水等のアルカリ水溶液を、スラリーのpHが一定
（例えばpH７）になるように同時に加え金属塩を担体上
に沈澱させ、乾燥・焼成して、本発明の触媒を調製す
る。
る方法も、種々選ぶことができる。この場合、触媒原料
金属の形態としては、銅、第４周期遷移金属元素、第８
属白金族元素の酸化物、水酸化物あるいはそれらの各種
金属が使用できる。例えば、銅、第４周期遷移金属元
素、第８属白金族元素の塩化物、硫酸塩、硝酸塩、酢酸
塩、脂肪族カルボン酸塩、あるいはこれらの金属錯体、
例えば銅、第４周期遷移金属元素、第８属白金族元素の
アセチルアセトン錯体やジメチルグリオキシム錯体な
ど、また更に第８属白金族元素に関してはカルボニル錯
体、アミン錯体、ホスフィン錯体等も使用できる。これ
ら金属原料種を用いて、担体上に支持させる方法で触媒
を製造する場合には、例えば銅、第４周期遷移金属元
素、必要により第８属白金族元素の適当な塩の溶液に担
体を入れ充分に含浸させた後乾燥、焼成させる方法（含
浸法）や、担体と銅、第４周期遷移金属元素、必要によ
り第８属白金族元素の適当な塩の水溶液を充分混合した
後、炭酸ナトリウムや水酸化ナトリウムあるいはアンモ
ニア水等のアルカリ水溶液を加えて金属塩を担体上に沈
澱させ、あるいは、担体の水スラリーに銅、第４周期遷
移金属元素、必要により第８属白金族元素の適当な塩の
水溶液と炭酸ナトリウムや水酸化ナトリウムあるいはア
ンモニア水等のアルカリ水溶液を、スラリーのpHが一定
（例えばpH７）になるように同時に加え金属塩を担体上
に沈澱させ、乾燥・焼成して、本発明の触媒を調製す
る。
【００１１】また、このような方法で銅のみ、あるいは
銅と第４周期遷移金属元素のみを担体上に担持させ反応
に供する前に必要により第８属白金族元素の担持物又は
脂肪族カルボン酸塩や錯体を添加し、反応媒体中水素雰
囲気下で銅と第４周期遷移金属元素及び第８属白金族元
素との複合化を図る方法も有効であり、同一担体上に均
一に触媒金属成分が支持されるような触媒形態が好まし
い。本発明の触媒は、原料アルコールに対して0.1 〜10
重量％の割合で使用するのが好ましい。
銅と第４周期遷移金属元素のみを担体上に担持させ反応
に供する前に必要により第８属白金族元素の担持物又は
脂肪族カルボン酸塩や錯体を添加し、反応媒体中水素雰
囲気下で銅と第４周期遷移金属元素及び第８属白金族元
素との複合化を図る方法も有効であり、同一担体上に均
一に触媒金属成分が支持されるような触媒形態が好まし
い。本発明の触媒は、原料アルコールに対して0.1 〜10
重量％の割合で使用するのが好ましい。
【００１２】本発明に用いられる原料アルコールは直鎖
状または分岐鎖状の炭素数８〜36のアルキルアルコール
又はアルケニルアルコールで、例えばオクチルアルコー
ル、ラウリルアルコール、ミリスチルアルコール、ステ
アリルアルコール、ベヘニルアルコール、オレイルアル
コール等ならびにそれらの混合アルコールなど、またチ
ーグラー法によって得られるチーグラーアルコールや、
オキソ合成によって得られるオキソアルコール及びゲル
ベアルコール等の分岐鎖を有するアルコール類が挙げら
れる。本発明において使用される総炭素数２〜４のジア
ルキルアミンとしてはジメチルアミン、ジエチルアミン
等が挙げられる。
状または分岐鎖状の炭素数８〜36のアルキルアルコール
又はアルケニルアルコールで、例えばオクチルアルコー
ル、ラウリルアルコール、ミリスチルアルコール、ステ
アリルアルコール、ベヘニルアルコール、オレイルアル
コール等ならびにそれらの混合アルコールなど、またチ
ーグラー法によって得られるチーグラーアルコールや、
オキソ合成によって得られるオキソアルコール及びゲル
ベアルコール等の分岐鎖を有するアルコール類が挙げら
れる。本発明において使用される総炭素数２〜４のジア
ルキルアミンとしてはジメチルアミン、ジエチルアミン
等が挙げられる。
【００１３】本発明において、反応で生成する水は系外
に取り出すことが好ましく、その方法としては、断続的
でも連続的でも良い。
に取り出すことが好ましく、その方法としては、断続的
でも連続的でも良い。
【００１４】本発明においては、原料アルコール中に、
反応させるジアルキルアミンを連続的又は断続的に供給
して第３級アミンを製造するに際し、銅−第４周期遷移
金属元素触媒、あるいは銅−第４周期遷移金属元素−第
８属白金族元素触媒を使用し、かつ常圧ないし9.8MPaの
水素雰囲気下、下記の条件（イ）及び（ロ）を満足する
ような条件にて反応を行う。条件 （イ）10≦Ｘ≦100 において (42.9203 logＸ＋97.0797)≦Ｔ≦(42.9203 logＸ＋157.
0797） 〔式中、Ｔ；反応温度（℃） Ｘ；アルキルアルコール又はアルケニルアルコールを基
準とした反応率（％）を示す。〕 （ロ）（Ｔmax −Ｔmin ）≧５℃ 〔式中、Ｔmax ：10≦Ｘ≦100 におけるＴの最高温度 Ｔmin ：10≦Ｘ≦100 におけるＴの最低温度を示す。〕 条件（イ）及び（ロ）を満足しない条件にて、反応を行
った場合は、本発明の所望の効果である、高品質の第３
級アミンは得られない。
反応させるジアルキルアミンを連続的又は断続的に供給
して第３級アミンを製造するに際し、銅−第４周期遷移
金属元素触媒、あるいは銅−第４周期遷移金属元素−第
８属白金族元素触媒を使用し、かつ常圧ないし9.8MPaの
水素雰囲気下、下記の条件（イ）及び（ロ）を満足する
ような条件にて反応を行う。条件 （イ）10≦Ｘ≦100 において (42.9203 logＸ＋97.0797)≦Ｔ≦(42.9203 logＸ＋157.
0797） 〔式中、Ｔ；反応温度（℃） Ｘ；アルキルアルコール又はアルケニルアルコールを基
準とした反応率（％）を示す。〕 （ロ）（Ｔmax −Ｔmin ）≧５℃ 〔式中、Ｔmax ：10≦Ｘ≦100 におけるＴの最高温度 Ｔmin ：10≦Ｘ≦100 におけるＴの最低温度を示す。〕 条件（イ）及び（ロ）を満足しない条件にて、反応を行
った場合は、本発明の所望の効果である、高品質の第３
級アミンは得られない。
【００１５】さらに、本発明のより好ましい実施態様と
しては、反応温度Ｔを、連続的及び／又は段階的に上昇
させることにより、より高品質な、即ち、保存時に、よ
り長期間経時的に濁りの生じない第３級アミンが得られ
る。
しては、反応温度Ｔを、連続的及び／又は段階的に上昇
させることにより、より高品質な、即ち、保存時に、よ
り長期間経時的に濁りの生じない第３級アミンが得られ
る。
【００１６】本発明においては、別途水素ガスで予め還
元した触媒を用いても良いが、反応原料であるアルコー
ルと一緒に還元前の触媒を反応器に入れ、水素ガスを導
入しながら初期の反応温度まで昇温することによって還
元を行っても良い。
元した触媒を用いても良いが、反応原料であるアルコー
ルと一緒に還元前の触媒を反応器に入れ、水素ガスを導
入しながら初期の反応温度まで昇温することによって還
元を行っても良い。
【００１７】本発明方法の実施態様を説明する。水素ま
たは窒素を導入する管と、精留塔を備えた反応容器に、
原料となるアルコールと触媒を仕込む。触媒は任意の量
を仕込むことができるが、通常は仕込みアルコールに対
し重量で 0.1〜10％の範囲である。系内で触媒還元を行
う場合、系内を窒素ガスで置換したのち水素を導入しな
がら、上記条件（イ）及び（ロ）を満足するように昇温
を開始する。触媒はこの初期の反応温度に達するまでに
還元され活性状態の触媒となる。反応が完了した後触媒
を適当な方法で濾過し製品とする。
たは窒素を導入する管と、精留塔を備えた反応容器に、
原料となるアルコールと触媒を仕込む。触媒は任意の量
を仕込むことができるが、通常は仕込みアルコールに対
し重量で 0.1〜10％の範囲である。系内で触媒還元を行
う場合、系内を窒素ガスで置換したのち水素を導入しな
がら、上記条件（イ）及び（ロ）を満足するように昇温
を開始する。触媒はこの初期の反応温度に達するまでに
還元され活性状態の触媒となる。反応が完了した後触媒
を適当な方法で濾過し製品とする。
【００１８】
【実施例】以下の実施例で用いた触媒は次の方法で調製
した。 ＜触媒の調製法＞合成ゼオライトに担持された銅−第４
周期遷移金属元素−第８属白金族元素の３元触媒を以下
の様に調製した。１リットルのフラスコに合成ゼオライ
トを仕込み、次に硝酸銅と硝酸ニッケル及び塩化ルテニ
ウムを各金属原子のモル比でCu：Ni：Ru＝４：１：0.01
となるように水に溶解し、撹拌しながら昇温した。90℃
で10％Na2CO3水溶液を徐々に滴下した。１時間の熟成の
後、沈澱物を濾過・水洗し、80℃で10時間乾燥後、 600
℃で３時間焼成した。得られた金属酸化物の担体に対す
る担持量は50重量％である（触媒Ａ）。 同様に、Cu：Ni＝４：１（金属原子モル比）組成の触媒
を調製した（触媒Ｂ）。
した。 ＜触媒の調製法＞合成ゼオライトに担持された銅−第４
周期遷移金属元素−第８属白金族元素の３元触媒を以下
の様に調製した。１リットルのフラスコに合成ゼオライ
トを仕込み、次に硝酸銅と硝酸ニッケル及び塩化ルテニ
ウムを各金属原子のモル比でCu：Ni：Ru＝４：１：0.01
となるように水に溶解し、撹拌しながら昇温した。90℃
で10％Na2CO3水溶液を徐々に滴下した。１時間の熟成の
後、沈澱物を濾過・水洗し、80℃で10時間乾燥後、 600
℃で３時間焼成した。得られた金属酸化物の担体に対す
る担持量は50重量％である（触媒Ａ）。 同様に、Cu：Ni＝４：１（金属原子モル比）組成の触媒
を調製した（触媒Ｂ）。
【００１９】実施例１及び比較例１ １リットルの４つ口フラスコにステアリルアルコール
（花王（株）製カルコール80）600 ｇと触媒Ａ 1.2ｇ
（対原料アルコール 0.2重量％）を仕込み、撹拌しなが
ら系内を窒素で置換し昇温を開始した。100 ℃に達した
ら、水素ガスを流量計を用いて、40Ｌ／hrの流速で系内
に吹込み反応開始温度 180℃まで昇温した。この温度で
ジメチルアミンガスの導入を開始し、反応率（原料アル
コールの転化率）が30％になった時点で反応温度を190
℃にし、更に反応率が70％になったところで反応温度を
200 ℃まで昇温し、反応率が99％以上になるまでこの温
度を保持した。反応後、反応終了品から触媒を濾過して
取り除き、その後、活性炭処理、蒸留精製を行い、 N,N
−ジメチルステアリルアミンを得た。
（花王（株）製カルコール80）600 ｇと触媒Ａ 1.2ｇ
（対原料アルコール 0.2重量％）を仕込み、撹拌しなが
ら系内を窒素で置換し昇温を開始した。100 ℃に達した
ら、水素ガスを流量計を用いて、40Ｌ／hrの流速で系内
に吹込み反応開始温度 180℃まで昇温した。この温度で
ジメチルアミンガスの導入を開始し、反応率（原料アル
コールの転化率）が30％になった時点で反応温度を190
℃にし、更に反応率が70％になったところで反応温度を
200 ℃まで昇温し、反応率が99％以上になるまでこの温
度を保持した。反応後、反応終了品から触媒を濾過して
取り除き、その後、活性炭処理、蒸留精製を行い、 N,N
−ジメチルステアリルアミンを得た。
【００２０】また比較例として、反応温度を開始から終
了まで 200℃で行い、上記サンプルとの品質比較を行っ
た。
了まで 200℃で行い、上記サンプルとの品質比較を行っ
た。
【００２１】品質比較の方法としては、30℃、空気中で
１ケ月間保管し、保存後の外観、特に濁り物質生成の有
無について調査した。結果を表１に示す。
１ケ月間保管し、保存後の外観、特に濁り物質生成の有
無について調査した。結果を表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】実施例２，３，４，５及び比較例２，３，
４，５ 出発原料アルコールとして、ステアリルアルコールの代
わりにラウリルアルコール、ベヘニルアルコール、オレ
イルアルコール、ゲルベアルコール（総炭素数28）を用
い、反応温度を表２に示すように段階的に上昇させて実
施例１と同様に第３級アミンを製造した。また、比較例
２〜５では反応温度を開始から終了まで200℃で行っ
た。
４，５ 出発原料アルコールとして、ステアリルアルコールの代
わりにラウリルアルコール、ベヘニルアルコール、オレ
イルアルコール、ゲルベアルコール（総炭素数28）を用
い、反応温度を表２に示すように段階的に上昇させて実
施例１と同様に第３級アミンを製造した。また、比較例
２〜５では反応温度を開始から終了まで200℃で行っ
た。
【００２４】得られた第３級アミンの品質比較を実施例
１と同様の方法で行った。結果を表２に示す。
１と同様の方法で行った。結果を表２に示す。
【００２５】
【表２】
【００２６】
【発明の効果】以上の結果から、アルキルアルコール又
はアルケニルアルコールとジアルキルアミンとを、銅−
第４周期遷移金属元素触媒あるいは銅−第４周期遷移金
属元素−第８属白金族元素触媒の存在下、常圧ないし9.
8MPaの水素雰囲気下で反応させる際、本発明にて示され
る上記条件（イ）及び（ロ）にて行えば高品質な第３級
アミンを製造できることが判る。
はアルケニルアルコールとジアルキルアミンとを、銅−
第４周期遷移金属元素触媒あるいは銅−第４周期遷移金
属元素−第８属白金族元素触媒の存在下、常圧ないし9.
8MPaの水素雰囲気下で反応させる際、本発明にて示され
る上記条件（イ）及び（ロ）にて行えば高品質な第３級
アミンを製造できることが判る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｃ 211/21 Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｂ０１Ｊ 23/74 ３２１Ｘ Ｆターム(参考） 4H006 AA02 AC13 AC52 BA05 BA07 BA21 BA23 BA24 BA25 BA26 BC10 BC11 BC32 BE20 4H039 CA71 CD10 CD30
Claims (4)
- 【請求項１】 直鎖又は分岐鎖の炭素数８〜36のアルキ
ルアルコール又はアルケニルアルコールと総炭素数が２
〜４のジアルキルアミンとを、第８属白金族元素が存在
してもよい、銅及び第４周期遷移金属元素からなる触媒
の存在下、常圧ないし9.8MPaの水素雰囲気下、下記の条
件（イ）及び（ロ）にて反応させる、第３級アミンの製
造法。条件 （イ）10≦Ｘ≦100 において (42.9203 logＸ＋97.0797)≦Ｔ≦(42.9203 logＸ＋157.
0797） 〔式中、Ｔ；反応温度（℃） Ｘ；アルキルアルコール又はアルケニルアルコールを基
準とした反応率（％）を示す。〕 （ロ）（Ｔmax −Ｔmin ）≧５℃ 〔式中、Ｔmax ：10≦Ｘ≦100 におけるＴの最高温度 Ｔmin ：10≦Ｘ≦100 におけるＴの最低温度を示す。〕 - 【請求項２】 条件（イ）における反応温度Ｔが連続的
及び／又は段階的に上昇させるものである、請求項１記
載の第３級アミンの製造法。 - 【請求項３】 触媒が下記条件（ハ）及び（ニ）を満足
する触媒である請求項１又は２記載の第３級アミンの製
造法。条件 （ハ）金属原子のモル比で、（銅）／（第４周期遷移金
属元素）＝１／９〜９／１ （ニ）金属原子のモル比で、（第８属白金族元素）／
〔（銅）＋第４周期遷移金属元素）〕＝０〜0.1 - 【請求項４】 第４周期遷移金属元素が、ニッケル及び
亜鉛から選択される少なくとも一種であり、第８属白金
族元素が白金、パラジウム、ルテニウム及びロジウムか
ら選択される少なくとも一種である請求項１〜３のいず
れか一項に記載の第３級アミンの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33574999A JP2001151734A (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | 第３級アミンの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33574999A JP2001151734A (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | 第３級アミンの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001151734A true JP2001151734A (ja) | 2001-06-05 |
Family
ID=18292043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33574999A Pending JP2001151734A (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | 第３級アミンの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001151734A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008072428A1 (ja) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Kao Corporation | 含窒素化合物の製造方法 |
| JP2009073754A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Kao Corp | ３級アミンの製造法 |
| JP2012051060A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Institute Of Physical & Chemical Research | 金属ナノ構造体を表面に備える基板及びその製造方法 |
| CN112159323A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-01-01 | 绍兴兴欣新材料股份有限公司 | 一种五甲基二乙烯三胺的合成方法 |
-
1999
- 1999-11-26 JP JP33574999A patent/JP2001151734A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2008072428A1 (ja) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Kao Corporation | 含窒素化合物の製造方法 |
| JP2008150312A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Kao Corp | 含窒素化合物の製造方法 |
| US7947853B2 (en) | 2006-12-15 | 2011-05-24 | Kao Corporation | Process for production of nitrogenated compound |
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| US9051648B2 (en) | 2010-08-31 | 2015-06-09 | Riken | Substrate provided with metal nanostructure on surface thereof and method of producing the same |
| CN112159323A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-01-01 | 绍兴兴欣新材料股份有限公司 | 一种五甲基二乙烯三胺的合成方法 |
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