JP2001147576A - 帯電装置及びそれを使用した画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 帯電時の放電現象によるオゾンの発生を防止
することができながら、高精細の画像形成ができるよう
にする。 【解決手段】 感光体ドラム１上の露光ユニット２によ
り光照射されて電気抵抗が低減された第１の部分１１
と、その第１の部分１１に対して感光体ドラム１の移動
方向下流側に位置し、暗順応していて第１の部分１１の
電気抵抗よりも大きな電気抵抗である第２の部分１２と
に、接触帯電部材３を同時に接触させる。その第１の部
分１１の接触開始位置では、露光ユニット２による抵抗
低減効果により電気抵抗が低減されるので、放電現象に
よるオゾンの発生を防止できる。また、第２の部分１２
の接触終了位置付近では、上記電気抵抗が暗順応して高
まるので、静電潜像パターンの鮮鋭度を保って高精細の
画像形成ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、光導電性を有す
る感光体等の静電潜像担持体の光導電性部分に電圧印加
部材を接触させて持続電荷を担持させる帯電装置及びそ
れを使用した画像形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真方式の画像形成装置である複写
機，プリンタ，ファクシミリ等では、静電潜像担持体で
ある感光体の表面に静電潜像を形成するのに先立って、
その静電潜像担持体を色々な方法で均一に帯電させてい
る。その帯電方法で主流となっているのは、コロナ放電
を利用したものである。しかしながら、このコロナ放電
によるものは放電時に多量のオゾンが発生すると共に、
４〜１０ｋＶ程度の高圧電源を必要とするという欠点が
あった。

【０００３】また、コロナ放電による帯電装置の場合に
は、窒素酸化物（以下ＮＯｘと称する）などの放電生成
物が生成され、それが画像形成に悪影響を与えてしまう
ということもあった。すなわち、帯電動作を開始させる
ことにより放電が発生し、それによりＮＯｘが形成され
ると、そのＮＯｘが空気中の水分と反応して硝酸が生成
されると共に、金属と反応して金属硝酸塩が生成され
る。

【０００４】その硝酸または硝酸塩が薄い膜になって静
電潜像担持体の表面に付着すると、高湿環境下では画像
が流れたような異常画像になる。これは硝酸や硝酸塩が
吸湿することで低抵抗となり、静電潜像担持体の表面の
静電潜像が壊れてしまうためである。

【０００５】そこで、近年ではコロナ放電による帯電器
に代わる帯電装置として、接触帯電部材を感光体等の静
電潜像担持体の表面に接触させた状態で帯電を行う接触
帯電式の帯電装置が実用化されてきている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに接触帯電部材を感光体等の静電潜像担持体の表面に
接触させた状態で帯電を行う接触帯電式の帯電装置で
も、その接触帯電部材から感光体への放電現象を利用し
て感光体を帯電させるため、帯電に必要とされる電圧は
感光体の表面電位以上の値が必要である。そのため、放
電時に微量ではあるが、やはりオゾンが発生するという
ことがあった。そうかといって、オゾンの発生を抑える
ために接触帯電部材に印加する電圧を小さくすれば、感
光体上に高精細の潜像を形成するために必要な帯電電位
に感光体を帯電することができなくなってしまう。

【０００７】この発明は、上記の問題点に鑑みてなされ
たものであり、帯電時の放電現象によるオゾンの発生を
防止し、静電潜像担持体の表面に低抵抗物質（放電生成
物）が付着することに起因する画像ボケを防ぎ、静電潜
像パターンの鮮鋭度を保って高精細の画像形成ができる
ようにすることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成するため、光導電性を有して移動する静電潜像担持
体の光導電性部分に電圧印加部材を接触させた状態でそ
の電圧印加部材に電圧を印加することにより静電潜像担
持体に持続電荷を担持させる帯電装置を、次のように構
成する。

【０００９】すなわち、帯電装置を、上記静電潜像担持
体の光導電性部分に光を照射してその静電潜像担持体の
厚み方向の電気抵抗を低減させる電気抵抗減少手段を設
け、上記静電潜像担持体上の上記電気抵抗減少手段によ
り光照射されて電気抵抗が低減された第１の部分と、そ
の第１の部分に対して静電潜像担持体の移動方向下流側
に位置し、暗順応していて上記第１の部分の電気抵抗よ
りも大きな電気抵抗の第２の部分とに上記電圧印加部材
を同時に接触させるように構成する。

【００１０】上記帯電装置は、暗順応していて上記第１
の部分の電気抵抗よりも大きな電気抵抗の部分で、静電
潜像形成用の露光を行う位置よりも静電潜像担持体の移
動方向上流側の領域に照射する光量を、暗順応時の静電
潜像担持体の帯電電位を１／１０低下させる光量以下に
するとよい。

【００１１】また、上記第１の部分と第２の部分にそれ
ぞれ接触させている上記電圧印加部材の部分は、それら
が静電潜像担持体の移動方向に連続しているか、１ｍｍ
以下の間隔に並べて配置するとよい。そして、その電圧
印加部材の第１の部分と第２の部分にそれぞれ接触させ
ている部分に同一の電源から電圧を印加するようにする
とよい。さらに、上記電圧印加部材が静電潜像担持体上
の残存トナーを除去する部材を兼ねるようにするとよ
い。

【００１２】また、上記帯電装置を使用した画像形成装
置で、上記電圧印加部材により帯電されて持続電荷を担
持した静電潜像担持体の光導電性部分の電気抵抗をＲX
E、その静電潜像担持体の暗抵抗をＲDとしたときＲXE≧
ＲD（１−ｅ-^２）になる位置を画像パターン露光位置に
するとよい。

【００１３】さらに、上記帯電装置を使用した画像形成
装置を、上記電気抵抗減少手段の光照射時における静電
潜像担持体の光導電性部分の電気抵抗ＲWEと暗抵抗ＲD
の関係が、ＲWE≦ ＲDとなる強さの光を上記電気抵抗減
少手段が照射しながら上記電圧印加部材により静電潜像
担持体に持続電荷を担持させるように構成するとよい。
そして、その電気抵抗ＲWEと暗抵抗ＲDは、ＲD（１−ｅ
-^１）≦ＲWE≦ＲD（１−ｅ-^２）の関係にあるようにす
るとよい。

【００１４】また、同様な帯電装置を使用した画像形成
装置において、静電潜像担持体の光導電性部分に４００
ｎｍを超える波長の光を照射して上記静電潜像担持体の
厚み方向の電気抵抗を低減させる電気抵抗減少手段を設
けると共に、上記静電潜像担持体の光導電性部分の電圧
印加部材と接触する部分の体積固有抵抗値が、そこに接
触状態にある上記電圧印加部材により電荷注入が可能な
体積固有抵抗値にあり、上記光導電性部分の導電性ベー
ス層に近い部位の体積固有抵抗値が１×１０^{１ ２}Ω・ｃ
ｍ以上の高抵抗にあるときに上記電圧印加部材に電圧を
印加して帯電するようにするとよい。

【００１５】さらに、その画像形成装置において、静電
潜像担持体の光導電性部分の上記電圧印加部材と接触す
る部分の体積固有抵抗値が、静電潜像担持体に上記電圧
印加部材により電荷注入が可能な体積固有抵抗値から１
×１０^１２Ω・ｃｍ以上の高抵抗値にあるときに上記電
圧印加部材に電圧を印加して帯電するようにするとよ
い。上記静電潜像担持体の光導電性部分に照射する光の
波長は、６００ｎｍ以上にすると効果的である。

【００１６】また、上記静電潜像担持体の光導電性部分
の上記電圧印加部材と接触する部分の体積固有抵抗値
を、静電潜像担持体に上記電圧印加部材により電荷注入
が可能な体積固有抵抗値となる１×１０^１１Ω・ｃｍ未
満にするとよい。さらに、上記画像形成装置において、
上記電気抵抗減少手段が静電潜像担持体の光導電性部分
に照射した光が静電潜像担持体と上記電圧印加部材との
接触終了位置から静電潜像担持体の移動方向下流側へ洩
れるのを低減する遮光部材を設けるとよい。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図１はこの発明の一実施形態例
である帯電装置を備えた画像形成装置の作像部を示す概
略構成図である。この画像形成装置は、光導電性を有し
て矢示Ａ方向に回転移動する静電潜像担持体である感光
体ドラム１を作像部に設けている。

【００１８】その感光体ドラム１の回りには、感光体ド
ラム１の厚み方向の電気抵抗を低減させる電気抵抗減少
手段である露光ユニット２と、その露光ユニット２によ
り抵抗を低減させた感光体ドラム１上の光導電性部分に
接触するローラ状の電圧印加部材である接触帯電部材３
と、その接触帯電部材３により帯電された感光体ドラム
１の帯電面を露光して静電潜像を形成する静電潜像パタ
ーン露光系４と、その静電潜像を現像してトナー像（顕
像）を形成する現像ユニット５と、そのトナー像を転写
紙７に転写する転写ローラ６と、トナー像を転写した後
に感光体ドラム１上に残った残存トナーをクリーニング
するクリーニングユニット８とを、それぞれ配接してい
る。

【００１９】この画像形成装置は、作像時には感光体ド
ラム１が矢示Ａ方向に回転し、その周面が露光ユニット
２により厚み方向の電気抵抗が所定の抵抗に低減され、
その面が図示しない電圧印加部材用電源により電圧が印
加される接触帯電部材３により一様に帯電される。そし
て、その帯電面に、所定のタイミングで静電潜像パター
ン露光系４から光が照射されることにより書き込みが行
われ、そこに静電潜像が形成される。その潜像は、感光
体ドラム１が矢示Ａ方向に回転することにより現像ユニ
ット５の位置まで移動され、そこで現像ローラ１３によ
りトナーが付着されてトナー像（顕像）となる。

【００２０】一方、図示しない給紙装置から転写紙７が
給紙され、それがレジストローラ対１４で一旦停止され
て、その転写紙７の先端と感光体ドラム１上の画像の先
端とが一致する正確なタイミングで、感光体ドラム１と
転写ローラ６との間の転写位置へ搬送され、そこで感光
体ドラム１上のトナー像が転写紙７に転写される。

【００２１】その転写紙７は、感光体ドラム１から分離
されて定着ユニット９へ搬送され、そこでトナー像が定
着され、その後は装置本体の外部に設けられている排紙
トレイ等に排出される。そして、感光体ドラム１上に残
った残存トナーは、クリーニングユニット８によりクリ
ーニングされ、再び次の作像工程に移る。

【００２２】接触帯電部材３は、感光体ドラム１と感光
体回転方向の長さＬ1で接触しており、その間で感光体
ドラム１の厚み方向の電気抵抗ＲXは、ＲD（１−ｅ
-^１）未満からＲD（１−ｅ-^１）以上(図２参照)と大き
く変化するようにしている。ここでＲXは、感光体ドラ
ム１の露光ユニット２による光照射位置と同一箇所又は
その位置よりも感光体ドラム１の移動方向（矢示Ａ方
向）に僅かにずれた位置での電気抵抗であり、ＲDは感
光体ドラム１の暗抵抗である。

【００２３】すなわち、感光体ドラム１の厚み方向の電
気抵抗は、図２に示す線図のように、露光ユニット２が
照射する光の強度により変化する。したがって、感光体
ドラム１の接触帯電部材３が接する長さＬ1の領域内で
露光ユニット２が照射した光の強度が異なるようにする
ことにより、電気抵抗ＲXがＲD（１−ｅ-^１）未満から
ＲD（１−ｅ-^１）以上に大きく変化するようにしてい
る。

【００２４】具体的には、感光体ドラム１上の露光ユニ
ット２により光照射されて電気抵抗がＲD(１−ｅ-^１）
未満に低減された第１の部分１１と、その第１の部分１
１に対して感光体ドラム１の移動方向下流側（図１で右
方側）に位置し、暗順応していて第１の部分１１の電気
抵抗よりも大きな電気抵抗であるＲD(１−ｅ-^１）以上
の第２の部分１２とに、接触帯電部材３を同時に接触さ
せている。

【００２５】このように、略狙いの帯電電位レベル（例
えば４００〜８００ボルトレベルであって、コロナ放電
器と比較すると大幅に低い印加電圧レベル）にある接触
帯電部材３が、略零ボルトの状態にある感光体ドラム１
と第１の部分１１から接触を開始するが、その第１の部
分１１の接触開始位置は露光ユニット２の光照射による
抵抗低減効果により電気抵抗が低減されているので、放
電現象によるオゾン発生を抑えることができる。

【００２６】また、接触帯電部材３の接触が終了する位
置（第２の部分１２における感光体ドラム１の移動方向
下流側）では、感光体ドラム１の厚み方向の電気抵抗は
暗順応していて高まっているので、静電潜像パターン露
光系４による光照射で得る潜像電荷は、感光体ドラム１
の感光層縁面方向に拡散しない。したがって、高精細で
鮮明な画像が得られる。

【００２７】なお、図２の線図において縦軸は、感光体
ドラム１の厚み方向の電気抵抗Ｒ（Ω）のｌｏｇ値を示
しており、各値は次のようになる。 ｌｏｇＲD＝１２ ｌｏｇ［ＲD（１−ｅ-^２）］＝１１.８４…ＲD(１−ｅ-^２)＝０.８６５×１０^{１ ２} Ω ｌｏｇ［ＲD（１−ｅ-^１）］＝１１.８０…ＲD(１−ｅ-^１)＝０.６３２×１０^{１ ２} Ω ｌｏｇ［ＲD・ｅ-^１］＝１１.５７ …ＲD・ｅ-^１＝０.３６８×１０^１２Ω ｌｏｇ［ＲD・ｅ-^２］＝１１.１３ …ＲD・ｅ-^２＝０.１３５×１０^１２Ω

【００２８】また、図２では横軸を光強度で示したが、
そこに照射時間を乗ずれば照射光量になる。なお、測定
は所定光強度光を一定時間照射した後測定すると、測定
値の再現性がよい。また、図２に示した抵抗特性は、感
光体の種類によって一様ではない。同時露光帯電であっ
ても与える光が微弱な光の場合は帯電後の光照射を止め
ると潜像形成に充分な帯電電位を維持できる。

【００２９】図３は感光体ドラムの厚み方向の電気抵抗
を測定する装置の一例を示す概略図である。この測定装
置は、透明支持層１５の下面に取り付けられた所定面積
Ｓの透明性導電電極１６を、感光体１７の導電層１７ａ
の外側に形成されている感光層１７ｂに密着させ、その
状態で帯電用露光波長分布に類似の波長分布光を透明支
持層１５を通して感光体１７に照射しながら感光体１７
の厚み方向に電圧を印加して、その抵抗を抵抗計１８に
より測定する。

【００３０】この実施の形態による画像形成装置では、
過大電流によるリークを防止するためには接触帯電部材
３の抵抗を１０^３Ω以上にするとよい。また、感光体ド
ラム１の絶縁破壊を防止するためには、感光体ドラム１
の絶縁耐圧電圧（有機感光体では通常感光体圧１μｍ当
３０ボルト程度）一杯ではなく、高々９０％レベルに接
触帯電部材３の接触部電圧を抑制するとよい。なお、こ
の実施の形態では、接触帯電部材３の体積固有抵抗率を
１０^１４Ω・ｃｍ以下にしている。

【００３１】また、この画像形成装置では、図１に示し
た暗順応していて第１の部分１１の電気抵抗よりも大き
な電気抵抗の部分で、静電潜像パターン露光系４が静電
潜像形成用の露光を行う画像パターン露光位置ａよりも
感光体ドラム１の移動方向上流側の領域に露光ユニット
２が照射する光量を、暗順応時の感光体ドラム１の帯電
電位を１／１０低下させる光量以下にしている。すなわ
ち、図４に露光ユニット２による照射光量と感光体ドラ
ム１上における帯電電位の減衰特性を示すように、感光
体ドラム１上の帯電電位は露光ユニット２の照射光量が
増すと図示のように低下（絶対値が小さくなる）する。

【００３２】そこで、この実施の形態では、露光ユニッ
ト２が、第２の部分１２以降で画像パターン露光位置ａ
よりも感光体ドラム１の移動方向上流側の領域に照射す
る光量を、照射光量が零（ゼロ）の時の感光体ドラム１
上の帯電電位となる暗順応時の−５００Ｖ（感光体の暗
中絶縁耐電圧ＶS−MAXの（１−ｅ-^２）×１００％（Ｖ
D））に対して、その帯電電位を１／１０（ＶL）、すな
わち−５０Ｖ落とす照射光量以下にしている。そうする
ことにより、帯電終了から潜像パターン露光迄に照射す
る光量を極力抑えることができるので、感光体ドラム１
上の帯電電位の落ち込みを極力抑えて良好な画像を得る
ことができる。

【００３３】ところで、この実施の形態による画像形成
装置は、接触帯電部材３により帯電して持続電荷を担持
させた感光体ドラム１の光導電性部分（表面の部分）の
電気抵抗ＲXEが図５に示す感光体厚み方向の抵抗のｌｏ
ｇでＲXE≧ＲD（１−ｅ-^２）になる位置を、静電潜像パ
ターン露光系４が静電潜像形成用の露光を行なう前述し
た画像パターン露光位置ａ（図１参照）としている。

【００３４】したがって、露光ユニット２による露光位
置から画像パターン露光位置ａまでの距離Ｌ_２（その間
の経過時間は感光体速度をｖとするとＬ_２／ｖ）は、感
光体ドラム１の光導電性部分の電気抵抗ＲXEが図５に示
したＲXE≧ＲD（１−ｅ-^２）になる長さ以上に設定して
あるので、感光体ドラム１が画像パターン露光位置ａに
達するまでに暗順応して未露光部が充分な高抵抗を維持
することができる。したがって、静電潜像パターン露光
系４の露光によって得られる潜像電荷は感光層縁面方向
に拡散しない。そのため、高精細で鮮明な画像を形成す
ることができる。

【００３５】このように、感光体ドラム１上の露光され
た帯電面は、図５に示したように光照射遮断後（暗中放
置後）の経過時間に応じて感光体の厚み方向の抵抗は高
化回復を示す。そして、図示のように一定時間経過する
と、その感光体厚み方向の抵抗はｌｏｇでＲXE≧ＲD
（１−ｅ-^２）まで充分高くなるので、静電潜像パター
ン露光系４による露光で得る潜像電荷は感光層縁面方向
に拡散しなくなる。

【００３６】図６は感光体ドラムの第１の部分と第２の
部分に接する部分が回転方向に連続して形成されている
接触帯電部材の例を示す概略図である。この接触帯電部
材２３は、感光体ドラム１の露光ユニット２により光照
射されて電気抵抗が低減された第１の部分（ＲX≦ＲD
（１−ｅ-^１）となる部分）１１に接触させる第１帯電
部材２３ａと、その第１の部分１１に対して感光体ドラ
ム１の回転方向下流側に位置し、暗順応していて第１の
部分１１の電気抵抗よりも大きな電気抵抗の第２の部分
（ＲX≧ＲD（１−ｅ-^１）となる部分）１２に接触させ
る第２帯電部材２３ｂを、図示のように感光体ドラム１
の回転方向に連続させている（あるいは１ｍｍ以下の微
小間隔で配置するようにしてもよい）。

【００３７】その第１帯電部材２３ａと第２帯電部材２
３ｂは、共にブラシ状の帯電部材であり、それぞれブラ
シの先端が感光体ドラム１の表面の光導電性部分に接し
ている。そして、その第１帯電部材２３ａは、光透過性
の導電性支持部材２４によりブラシの後端側が固定支持
されている。また、第２帯電部材２３ｂも導電性支持部
材２５によりブラシの後端側が固定支持されており、そ
の導電性支持部材２４と２５の間に板状の遮光部材２６
を固定している。

【００３８】そして、露光ユニット２を光透過性の導電
性支持部材２４の上方に固定配置し、その露光ユニット
２から照射した光が導電性支持部材２４を透過して感光
体ドラム１の光導電性部分に当たるが、その感光体ドラ
ム１の遮光部材２６により仕切られた図６で右側の部分
には、露光ユニット２からの光が殆ど当たらないように
している。

【００３９】このように構成することにより、前述した
感光体ドラム１上の露光ユニット２により光照射されて
電気抵抗がＲD(１−ｅ-^１）未満に低減された第１の部
分１１と、その第１の部分１１に対して感光体ドラム１
の移動方向下流側（図６で右方側）に位置し、光照射に
よる抵抗低減効果が薄れることにより暗順応していて第
１の部分１１の電気抵抗よりも大きな電気抵抗であり、
接触帯電に必要なレベルの電気抵抗ＲD(１−ｅ-^１）以
上になる第２の部分１２とを形成できるようにしてい
る。

【００４０】図７は感光体ドラム上の残存トナーを除去
する部材を兼ねる接触帯電部材の例を示す概略図であ
る。この接触帯電部材３３は、共にブレード状の第１帯
電部材３３ａと第２帯電部材３３ｂとからなり、その第
１帯電部材３３ａと第２帯電部材３３ｂのそれぞれ先端
下側のエッジ部分を感光体ドラム１の表面の光導電性部
分に摺接させるようにしている。

【００４１】その第１帯電部材３３ａは、光透過性の材
質で形成された帯電部材であり、その下側の面には板状
の遮光部材３６を介して第２帯電部材３３ｂを一体に固
定している。そして、露光ユニット２を、そこから照射
した光が第１帯電部材３３ａの先端付近の感光体ドラム
１上に照射される位置にしている。

【００４２】したがって、その露光ユニット２から照射
した光は、遮光部材３６の先端より図７で左側の部分の
感光体ドラム１上には十分に当たるが、その感光体ドラ
ム１の遮光部材３６により仕切られた図７で右側の部分
には殆ど当たらない。この接触帯電部材３３を使用すれ
ば、それが感光体ドラム１上の残存トナーを除去する部
材としても兼ねるので、その感光体ドラム１上に付着し
た残存トナーや紙粉等の異物が帯電部内に侵入するのを
防ぐことができるため、帯電性能が安定する。

【００４３】図８は微弱光を感光体ドラムに照射するこ
とにより接触注入帯電に適したレベルに感光体ドラムの
光導電性部分の電気抵抗を制御しながら接触帯電を行う
例を示す概略図である。感光体の抵抗変化特性にも左右
されるが、一般的に光導電性を有する感光体の光導電性
部分に光照射したときの光導電性部分の電気抵抗ＲWEと
暗抵抗ＲD の関係がＲD（１−ｅ-^１）≦ＲWE≦ＲD（１-
ｅ-^２） となる強さの光を照射しながら、接触帯電部材
を静電潜像担持体に接触させてその静電潜像担持体を帯
電させるとよい。

【００４４】そのため、この実施の形態では、接触帯電
部材４３を、光透過性のブレード状の帯電部材４３ａ
と、その略半分以上を遮光する大きさに形成されて帯電
部材４３ａの後端側（図８で右方側）に固定された遮光
部材４３ｂと、その遮光部材４３ｂの後端側に固定され
て遮光部材４３ｂと帯電部材４３ａとを支持する支持部
材４３ｃとにより構成している。

【００４５】そして、その接触帯電部材４３の帯電部材
４３ａの先端側の遮光部材４３ｂが固定されていない部
分に、露光ユニット２から照射した光が当たるように露
光ユニット２を配置している。それにより、露光ユニッ
ト２から照射した光により、感光体ドラム１の光導電性
部分の電気抵抗ＲWEと暗抵抗ＲDの関係がＲD（１-ｅ
-^１）≦ＲWE≦ＲD（１-ｅ-^２)になるようにしている。

【００４６】図９は図８の実施形態と同様に微弱光を感
光体ドラムに照射して接触注入帯電するのに適したレベ
ルに感光体ドラムの電気抵抗を制御しながら接触帯電を
行うようにした実施の形態を示す概略図である。この実
施の形態で使用する接触帯電部材５３は、光透過性の導
電性支持部材５３ａにブラシ状の帯電部材５３ｂを植設
している。そして、その導電性支持部材５３ａの右端部
（感光体ドラム１の回転方向下流側）に板状の遮光部材
５６を固定している。

【００４７】そして、露光ユニット２を光透過性の導電
性支持部材５３ａの上方に固定配置し、その露光ユニッ
ト２から照射した光が導電性支持部材５３ａを透過して
感光体ドラム１の光導電性部分に当たるようにし、その
感光体ドラム１の遮光部材５６により仕切られた図９で
右側の部分には、露光ユニット２からの光が殆ど当たら
ないようにしている。そうすることによって、露光ユニ
ット２から照射した光により、感光体ドラム１の光導電
性部分の電気抵抗ＲWEと暗抵抗ＲDの関係がＲD（１-ｅ-
^１）≦ＲWE≦ＲD（１-ｅ-^２）になるようにしている。

【００４８】以上、この発明の各実施の形態について説
明したが、図６の実施の形態において第１帯電部材２３
ａと第２帯電部材２３ｂに、また図７の実施の形態にお
いて第１帯電部材３３ａと第２帯電部材３３ｂに、それ
ぞれ同一の電圧印加部材用電源により電圧を印加するよ
うにするとよい。

【００４９】次に、感光体ドラム１′の光導電性部分に
４００ｎｍを超える波長の光を照射して感光体ドラム
１′の厚み方向（径方向）の電気抵抗を低減させる電気
抵抗減少手段である露光ユニット２′を備えた画像形成
装置の実施の形態について、図１０を参照して説明す
る。なお、図１０において図１と対応する部分には同一
の符号を付して、その説明を省略する。

【００５０】この実施の形態による画像形成装置は、図
１で説明した画像形成装置に対して、露光ユニット２′
が４００ｎｍを超える波長の光を感光体ドラム１′の表
面の光導電性部分に照射して、その感光体ドラム１′の
厚み方向（径方向）の電気抵抗を低減させるようにして
いる点が異なる。

【００５１】そして、この画像形成装置は、感光体ドラ
ム１′の光導電性部分の接触帯電部材３と接触する部分
（Ｌ_１で示す部分）の体積固有抵抗値が、その感光体ド
ラム１′に接触状態にある接触帯電部材３により電荷注
入が可能な体積固有抵抗値にあり、光導電性部分の導電
性ベース層（感光体ドラム１′の回転中心側にある）に
近い部位の体積固有抵抗値が１×１０^１２Ω・ｃｍ以上
の高抵抗にあるときに接触帯電部材３に電圧を印加して
帯電するようにしている。なお、ここで電荷注入が可能
な体積固有抵抗値とは、例えば１×１０^１１Ω・ｃｍ未
満の抵抗値である。

【００５２】この画像形成装置の帯電装置も図１で説明
した画像形成装置と同様に、感光体ドラム１′の略零ボ
ルトの状態にある部分が、例えば４００〜８００ボルト
レベルであって、コロナ放電器と比較すると大幅に低い
印加電圧レベルにある接触帯電部材３と第１の部分１１
から接触を開始する。そして、この接触開始位置では、
感光体ドラム１′の光導電性部分は露光ユニット２′か
ら照射された４００ｎｍを超える波長の光による抵抗低
減効果により電気抵抗が低減されているので、従来の電
荷注入帯電式の帯電装置と同様に、放電現象によるオゾ
ン発生を抑えることができる。

【００５３】なお、過大電流によるリークを防止するた
めには、接触帯電部材３の抵抗を１０^３Ω以上の抵抗に
することが効果的である。また、接触帯電部材３の感光
体ドラム１′との接触部電圧は、感光体ドラム１′の絶
縁破壊を防止するために、感光体ドラム１′の絶縁耐圧
電圧（有機感光体では通常感光体圧１μｍ当たり３０ボ
ルト程度）に対して一杯に設定するのではなく、絶縁耐
圧電圧の９０％程度に抑制することが望ましい。

【００５４】この画像形成装置においても、接触帯電部
材３の接触が終了する位置（第２の部分１２における感
光体ドラム１′の移動方向下流側）ｂでは、感光体ドラ
ム１′の厚み方向の電気抵抗は高まっている。そのた
め、露光ユニット２′による露光位置から画像パターン
露光位置ａまでの距離 Ｌ_２（その間の経過時間は感光
体速度をｖとするとＬ_２／ｖ）が充分長いと、感光体ド
ラム１′が暗順応して未露光部は充分な高抵抗を維持し
ているので、静電潜像パターン露光系４による光照射で
得る潜像電荷は、感光体ドラム１′の感光層縁面方向に
拡散しない。したがって、高精細で鮮明な画像が得られ
る。

【００５５】また、この画像形成装置では、露光ユニッ
ト２′が感光体ドラム１′の表面の光導電性部分に照射
する光を、波長が４００ｎｍを超える光にして４００ｎ
ｍ以下の波長の紫外線を感光体ドラム１′の表面に照射
しないようにしているので、その紫外光が感光体ドラム
１′の光導電性部分に当たった際に生じる紫外光による
感光体の劣化を防止することができる。

【００５６】なお、図１０に示した位置ｂでは、感光体
ドラム１′の光導電性部分の導電性ベース層（感光体ド
ラム１′の回転中心側にある）に近い部位の体積固有抵
抗値が１×１０^１２Ω・ｃｍ以上の高抵抗にあれば所望
の帯電電位が得られるので、その光導電性部分の表面の
体積固有抵抗値は、必ずしも１×１０^１２Ω・ｃｍ以上
である必要はない。

【００５７】また、感光体ドラム１′の光導電性部分の
接触帯電部材３と接触する部分の体積固有抵抗値が、感
光体ドラム１′に接触帯電部材３により電荷注入が可能
な体積固有抵抗値から１×１０^１２Ω・ｃｍ以上の高抵
抗値にあるときに接触帯電部材３に電圧を印加して帯電
するようにするとよい。

【００５８】そうすれば、感光体ドラム１′に確実に電
荷注入を行うことができる条件で接触帯電部材３を感光
体ドラム１′の光導電性部分に接触させて帯電すること
ができる。したがって、感光体ドラム１′に持続電荷を
安定して担持させることができる。

【００５９】また、位置ｂで感光体ドラム１′の表面の
積固有抵抗値は既に１×１０^１２Ω・ｃｍ以上の高抵抗
値に高まっているので、距離Ｌ_２が比較的短めの場合で
あっても、画像パターン露光位置ａでは感光体ドラム
１′が暗順応して未露光部は１×１０^１２Ω・ｃｍ以上
の高抵抗値を維持しているので、静電潜像パターン露光
系４による光照射で得る潜像電荷は、感光体ドラム１′
の感光層縁面方向に拡散しない。したがって、高精細で
鮮明な画像が得られる。

【００６０】図１１は帯電部への異物の侵入を防止でき
ながら低電圧で帯電ができる帯電装置を感光体ドラムと
共に示す図６と同様な概略図であり、図６及び図１０と
対応する部分には同一の符号を付してある。この実施の
形態による画像形成装置も、図１０で説明した画像形成
装置と同様に、露光ユニット２′が４００ｎｍを超える
波長の光を感光体ドラム１′の表面の光導電性部分に照
射して、その感光体ドラム１′の厚み方向（径方向）の
電気抵抗を低減させるようにしている。

【００６１】また、感光体ドラム１′の光導電性部分の
第１帯電部材２３ａ及び第２帯電部材２３ｂと接触する
部分、すなわち第１の部分１１と第２の部分１２の体積
固有抵抗値が、その感光体ドラム１′に接触状態にある
ブラシ状の第１帯電部材２３ａ及び第２帯電部材２３ｂ
により電荷注入が可能な体積固有抵抗値にあり、感光体
ドラム１′の光導電性部分の導電性ベース層（感光体ド
ラム１′の回転中心側にある）に近い部位の体積固有抵
抗値が１×１０^１２Ω・ｃｍ以上の高抵抗にあるときに
第１帯電部材２３ａと第２帯電部材２３ｂに電圧をそれ
ぞれ印加して帯電するようにしている。

【００６２】この画像形成装置によれば、帯電部であり
電荷を感光体ドラム１′に注入するブラシ状の第１帯電
部材２３ａ及び第２帯電部材２３ｂと感光体ドラム１′
との間に異物が進入するのを防止することができる。そ
して、前述した図１０の実施の形態と同様に、感光体ド
ラム１′の抵抗を、感光体ドラム１′の表面に露光ユニ
ット２′により光を照射することにより減じさせ、感光
体ドラム１′の抵抗が充分に暗順応して高くなる前に、
第１帯電部材２３ａと第２帯電部材２３ｂを同一電源に
接続して感光体ドラム１′に電荷注入をする。

【００６３】したがって、オゾンの発生を抑えることが
できる低電圧で感光体ドラム１′を所望の電位に帯電す
ることができながら、静電潜像パターン露光系４（図１
０参照）による画像パターン露光位置（図１０の位置ａ
に相当する位置）では、感光体ドラム１′の表面の抵抗
を１×１０^１２Ω・ｃｍ以上の高抵抗にすることができ
るので、静電潜像パターン露光系４が形成した潜像電荷
が感光体ドラム１′の感光層縁面方向に拡散するのを抑
えることができる。それにより高精細で鮮明な画像が得
られる。

【００６４】図１２は感光体ドラムの抵抗が光照射で低
くなっている部分と光照射が絶たれることにより抵抗低
減効果が薄れている部分とに接触帯電部材を接触させた
帯電装置を感光体ドラムと共に示す図７と同様な概略図
であり、図７及び図１０と対応する部分には同一の符号
を付してある。この実施の形態による画像形成装置も、
図１０及び図１１で説明した画像形成装置と同様に、露
光ユニット２′が４００ｎｍを超える波長の光を感光体
ドラム１′の表面の光導電性部分に照射して、その感光
体ドラム１′の厚み方向（径方向）の電気抵抗を低減さ
せるようにしている。

【００６５】また、感光体ドラム１′の光導電性部分の
第１帯電部材３３ａ及び第２帯電部材３３ｂと接触する
部分の体積固有抵抗値が、その感光体ドラム１′に接触
状態にある共にブレード状の第１帯電部材３３ａと第２
帯電部材３３ｂにより電荷注入が可能な体積固有抵抗値
にあり、感光体ドラム１′の光導電性部分の導電性ベー
ス層（感光体ドラム１′の回転中心側にある）に近い部
位の体積固有抵抗値が１×１０^１２Ω・ｃｍ以上の高抵
抗にあるときに第１帯電部材３３ａと第２帯電部材３３
ｂとに電圧を印加して帯電するようにしている。

【００６６】この画像形成装置では、感光体ドラム１′
の露光ユニット２′により光が照射されることにより抵
抗が低くなっている部分に第１帯電部材３３ａを接触さ
せ、露光ユニット２′からの光を遮光部材３６により絶
つことにより、露光ユニット２′の光照射による抵抗低
減効果が薄れているが、電荷注入による帯電に必要なレ
ベルに感光体抵抗がなっている部分に第２帯電部材３３
ｂを接触させ、その第１帯電部材３３ａと第２帯電部材
３３ｂとを感光体ドラム１′の回転方向に微小間隙をあ
けて（連続であってもよい）配置している。

【００６７】この画像形成装置においても、露光ユニッ
ト２′から照射された光により電気抵抗が低減されてい
る感光体ドラム１′の表面に第１帯電部材３３ａと第２
帯電部材３３ｂとが接触した状態で、従来のコロナ放電
器と比較して大幅に低い印加電圧を第１帯電部材３３ａ
と第２帯電部材３３ｂとに印加して、感光体ドラム１′
を電荷注入により帯電するので、放電現象によるオゾン
の発生を抑えることができる。

【００６８】また、その露光ユニット２′から感光体ド
ラム１′の表面に照射する光は、波長が４００ｎｍを超
える光であって波長が４００ｎｍ以下の紫外線を含まな
いので、感光体ドラム１′が紫外光により劣化するのを
防止することができる。そして、電圧印加部材である第
１帯電部材３３ａ，第２帯電部材３３ｂが接触する感光
体ドラム１′の光導電性部分の体積固有抵抗値が、感光
体ドラム１′に第１帯電部材３３ａ，第２帯電部材３３
ｂにより電荷注入が可能な体積固有抵抗値から１×１０
^１２Ω・ｃｍ以上の高抵抗値にあるときに第１帯電部材
３３ａと第２帯電部材３３ｂに電圧をそれぞれ印加して
帯電するようにしているので、感光体ドラム１′に確実
に電荷注入して、それを帯電することができる。

【００６９】また、感光体ドラム１′上の静電潜像パタ
ーン露光系による画像パターン露光位置（図１０の位置
ａに相当する位置）では、感光体ドラム１′の表面の抵
抗が１×１０^１２Ω・ｃｍ以上の高抵抗になるので、感
光体ドラム１′上の潜像電荷が感光層縁面方向に拡散す
るのを抑えて、高精細で鮮明な画像が得られる。

【００７０】図１３は図８で説明した実施の形態におけ
る露光ユニットが感光体ドラムの表面に照射する光の波
長を４００ｎｍを超える波長とした実施の形態を示す図
８と同様な概略図であり、図８と対応する部分には同一
の符号を付してある。この実施の形態による画像形成装
置は、図８で説明した実施の形態に対し、露光ユニット
２′が４００ｎｍを超える波長の光を感光体ドラム１′
の表面の光導電性部分に照射して、その感光体ドラム
１′の厚み方向（径方向）の電気抵抗を低減させるよう
にしている点が異なる。

【００７１】このように、露光ユニット２′から感光体
ドラム１′の表面に照射する光を波長が４００ｎｍを超
える光にすれば、感光体ドラム１′に対して照射する光
には波長が４００ｎｍ以下の紫外線が含まれないので、
感光体ドラム１′が紫外光により劣化するのを防止する
ことができる。

【００７２】なお、感光体ドラム１′の抵抗変化特性に
も左右されるが、光導電性を有する感光体ドラム１′の
光導電性部分に光照射したときの光導電性部分の電気抵
抗ＲWEと暗抵抗ＲD の関係がＲD（１−ｅ-^１）≦ＲWE≦
ＲD（１-ｅ-^２） となる強さの光を照射しながら、電圧
印加部材である接触帯電部材４３を感光体ドラム１′の
表面に接触させてその感光体ドラム１′を帯電させると
よい。

【００７３】また、この実施の形態においても、電圧印
加部材である接触帯電部材４３の帯電部材４３ａが接触
する感光体ドラム１′の光導電性部分の体積固有抵抗値
が、感光体ドラム１′に帯電部材４３ａにより電荷注入
が可能な体積固有抵抗値から１×１０^１２Ω・ｃｍ以上
の高抵抗値にあるときに接触帯電部材４３に電圧を印加
するようにしているので、感光体ドラム１′に確実に電
荷注入して、それを帯電することができる。

【００７４】この画像形成装置においても、露光ユニッ
ト２′から照射された光により電気抵抗が低減されてい
る感光体ドラム１′の表面に帯電部材４３ａが接触した
状態で、従来のコロナ放電器と比較して大幅に低い印加
電圧を帯電部材４３ａに印加して、感光体ドラム１′を
電荷注入により帯電するので、放電現象によるオゾンの
発生を抑えることができる。

【００７５】また、感光体ドラム１′上の静電潜像パタ
ーン露光系による画像パターン露光位置（図１０の位置
ａに相当する位置）では、感光体ドラム１′の表面の抵
抗が１×１０^１２Ω・ｃｍ以上の高抵抗になるので、感
光体ドラム１′上の潜像電荷が感光層縁面方向に拡散す
るのを抑えて、高精細で鮮明な画像が得られる。

【００７６】なお、図１０乃至図１３の各実施の形態に
おいて、感光体ドラム１′の光導電性部分に照射する光
の波長を、６００ｎｍ以上にすれば、感光体ドラム１′
に紫外光を完全に照射しないようにすることができるた
め、より確実に感光体ドラム１′の紫外光による劣化を
防止することができる。

【００７７】また、図１１乃至図１３の各実施の形態に
は、露光ユニット２′が感光体ドラム１′の光導電性部
分に照射した光が感光体ドラム１′と各電圧印加部材と
の接触終了位置から感光体ドラム１′の移動方向下流側
へ洩れるのを低減する遮光部材２６，３６，４３ｂを設
けているので、感光体ドラム１′に照射された光が上記
接触終了位置から感光体ドラム１′の移動方向下流側へ
洩れにくい。したがって、感光体ドラム１′上の帯電し
た面に光が当たって電位が減衰するのを防止することが
できる。

【００７８】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、次に記載する効果を奏する。請求項１の帯電装置に
よれば、接触帯電部材が静電潜像担持体に接触する接触
開始位置では、静電潜像担持体の厚み方向の電気抵抗を
低減させる抵抗低減効果により、放電現象によるオゾン
の発生を防止することができると共に、静電潜像担持体
の表面に低抵抗物質が付着することに起因して生じる画
像ボケを防止することができる。また、その接触帯電部
材の静電潜像担持体との接触の終了位置付近では、上記
電気抵抗は暗順応していて高まっているので、静電潜像
パターンの鮮鋭度を保って高精細の画像形成ができる。

【００７９】請求項２の帯電装置によれば、暗順応して
いて第１の部分の電気抵抗よりも大きな電気抵抗の部分
で、静電潜像形成用の露光を行う位置よりも静電潜像担
持体の移動方向上流側の領域に照射する光量を、暗順応
時の静電潜像担持体の帯電電位を１／１０低下させる光
量以下にするので、静電潜像担持体の露光を行う位置で
の帯電電位の落ちこみを抑えることができるため、高精
細の画像形成ができる。

【００８０】請求項３の帯電装置によれば、静電潜像担
持体の第１の部分と第２の部分にそれぞれ接触させる電
圧印加部材の部分は、それらが静電潜像担持体の移動方
向に連続しているか、１ｍｍ以下の間隔に並べて配置さ
れているので、電圧印加部材を配設する部分の省スペー
ス化が図れると共に、帯電性能の安定化も図れる。

【００８１】請求項４の帯電装置によれば、同一の電源
から電圧印加部材の第１の部分と前記第２の部分にそれ
ぞれ接触させている部分に電圧を印加するので、帯電装
置の低コスト化が図れると共に、省スペース化が図れ
る。請求項５の帯電装置によれば、電圧印加部材が静電
潜像担持体上の残存トナーを除去する部材を兼ねるの
で、残存トナーが帯電装置の主要帯電部へ進入するのを
防止することができるため帯電性能の安定化が図れる。

【００８２】請求項６乃至８の画像形成装置によれば、
静電潜像パターンの鮮鋭度維持により高精細の画像を保
証することができる。

【００８３】請求項９の画像形成装置によれば、静電潜
像担持体の光導電性部分に電圧印加部材を接触させた状
態で電圧印加部材に電圧を印加することにより電荷注入
によって静電潜像担持体を帯電させることができるの
で、電圧印加部材に印加する電圧を低く抑えることがで
きる分だけ、帯電時に放電現象によって生じるオゾンの
発生を防止することができる。また、静電潜像担持体の
表面へ低抵抗物質が付着することに起因する画像ボケも
防止することができる。

【００８４】さらに、電気抵抗減少手段が静電潜像担持
体の光導電性部分に照射する光は、波長が４００ｎｍを
超える光であって紫外光を含まないので、その紫外光が
静電潜像担持体に当たった際に生じる紫外光による劣化
も防止することができる。さらにまた、静電潜像担持体
の帯電終了位置に対応する光導電性部分の導電性ベース
層に近い部位の体積固有抵抗値は１×１０^１２Ω・ｃｍ
以上の高抵抗になるようにしているので、静電潜像担持
体を所望の帯電電位に帯電させることができる。したが
って、静電潜像パターンの鮮鋭度を保つことができるた
め高精細画像を形成することができる。

【００８５】請求項１０の画像形成装置によれば、静電
潜像担持体の光導電性部分の前記電圧印加部材と接触す
る部分の体積固有抵抗値が、静電潜像担持体に電圧印加
部材により電荷注入が可能な体積固有抵抗値から１×１
０^１２Ω・ｃｍ以上の高抵抗値にあるときに電圧印加部
材に電圧を印加して静電潜像担持体を帯電するので、確
実に電荷注入を行うことができる条件で帯電を行うこと
ができる。したがって、静電潜像担持体に持続電荷を安
定して担持させることができる。

【００８６】請求項１１の画像形成装置によれば、静電
潜像担持体の光導電性部分に照射する光の波長を６００
ｎｍ以上にしているので、静電潜像担持体に紫外光を照
射しないようにすることができるため、静電潜像担持体
の紫外光による劣化を防止することができる。

【００８７】請求項１２の画像形成装置によれば、静電
潜像担持体の光導電性部分の電圧印加部材と接触する部
分の体積固有抵抗値を、静電潜像担持体に電圧印加部材
により電荷注入が可能な体積固有抵抗値となる１×１０
^１１Ω・ｃｍ未満にしているので、静電潜像担持体に電
荷注入を行う際には光導電性部分の表面抵抗が電荷注入
可能な抵抗値にまで下がっているため、接触帯電におけ
る高速化が図れると共に、低電圧印加による帯電ができ
る。

【００８８】請求項１３の画像形成装置によれば、電気
抵抗減少手段が静電潜像担持体の光導電性部分に照射し
た光が静電潜像担持体と電圧印加部材との接触終了位置
から静電潜像担持体の移動方向下流側へ洩れるのを遮光
部材が規制するので、帯電した面に光が照射されて電位
が減衰してしまうのを防止することができる。それによ
り、静電潜像担持体の光導電性部分の抵抗を帯電終了後
に十分に高い状態に維持することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態例である帯電装置を備え
た画像形成装置の作像部を示す概略構成図である。

【図２】同じくその画像形成装置に設けられている感光
体ドラムの光強度と厚み方向の抵抗との関係を示す線図
である。

【図３】感光体ドラムの厚み方向の電気抵抗を測定する
装置の一例を示す概略図である。

【図４】露光ユニットによる照射光量と感光体ドラム上
における帯電電位の減衰特性を示す線図である。

【図５】光照射遮断後の経過時間と感光体の厚み方向の
抵抗の回復との関係を示す線図である。

【図６】感光体ドラムの第１の部分と第２の部分に接す
る部分が回転方向に連続して形成されている接触帯電部
材の例を示す概略図である。

【図７】感光体ドラム上の残存トナーを除去する部材を
兼ねる接触帯電部材の例を示す概略図である。

【図８】微弱光を感光体ドラムに照射することにより接
触注入帯電に適したレベルに感光体ドラムの光導電性部
分の電気抵抗を制御しながら接触帯電を行う例を示す概
略図である。

【図９】同じく微弱光を感光体ドラムに照射して接触注
入帯電するのに適したレベルに感光体ドラムの電気抵抗
を制御しながら接触帯電を行う他の実施の形態を示す概
略図である。

【図１０】感光体ドラム１の光導電性部分に４００ｎｍ
を超える波長の光を照射する露光ユニットを備えた画像
形成装置の実施の形態を示す図１と同様な概略構成図で
ある。

【図１１】帯電部への異物の侵入を防止できながら低電
圧で帯電ができる帯電装置を感光体ドラムと共に示す図
６と同様な概略図である。

【図１２】感光体ドラムの抵抗が光照射で低くなってい
る部分と光照射が絶たれることにより抵抗低減効果が薄
れている部分とに接触帯電部材を接触させた帯電装置を
感光体ドラムと共に示す図７と同様な概略図である。

【図１３】図８で説明した実施の形態における露光ユニ
ットが感光体ドラムの表面に照射する光の波長を４００
ｎｍを超える波長とした実施の形態を示す図８と同様な
概略図である。

【符号の説明】

１，１′：感光体ドラム（静電潜像担持体） ２，２′：露光ユニット（電気抵抗減少手段） ３，２３，３３，４３，５３：接触帯電部材（電圧印加
部材） ４：静電潜像パターン露光系 １１：第１の部分 １２：第２の部分 ２３ａ，３３ａ：第１帯電部材 ２３ｂ，３３ｂ：第２帯電部材

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光導電性を有して移動する静電潜像担持
   体の光導電性部分に電圧印加部材を接触させた状態で該
   電圧印加部材に電圧を印加することにより前記静電潜像
   担持体に持続電荷を担持させる帯電装置において、 前記静電潜像担持体の光導電性部分に光を照射して前記
   静電潜像担持体の厚み方向の電気抵抗を低減させる電気
   抵抗減少手段を設け、 前記静電潜像担持体上の前記電気抵抗減少手段により光
   照射されて電気抵抗が低減された第１の部分と、該第１
   の部分に対して前記静電潜像担持体の移動方向下流側に
   位置し、暗順応していて前記第１の部分の電気抵抗より
   も大きな電気抵抗の第２の部分とに前記電圧印加部材を
   同時に接触させるようにしたことを特徴とする帯電装
   置。
2. 【請求項２】 暗順応していて前記第１の部分の電気抵
   抗よりも大きな電気抵抗の部分で、静電潜像形成用の露
   光を行う位置よりも前記静電潜像担持体の移動方向上流
   側の領域に照射する光量を、暗順応時の前記静電潜像担
   持体の帯電電位を１／１０低下させる光量以下にしたこ
   とを特徴とする請求項１記載の帯電装置。
3. 【請求項３】 前記第１の部分と前記第２の部分にそれ
   ぞれ接触させている前記電圧印加部材の部分は、それら
   が前記静電潜像担持体の移動方向に連続しているか、１
   ｍｍ以下の間隔に並べて配置されていることを特徴とす
   る請求項１記載の帯電装置。
4. 【請求項４】 前記電圧印加部材の前記第１の部分と前
   記第２の部分にそれぞれ接触させている部分に同一の電
   源から電圧を印加するようにしたことを特徴とする請求
   項１記載の帯電装置。
5. 【請求項５】 前記電圧印加部材が前記静電潜像担持体
   上の残存トナーを除去する部材を兼ねていることを特徴
   とする請求項１記載の帯電装置。
6. 【請求項６】 請求項１の帯電装置を使用した画像形成
   装置であって、前記電圧印加部材により帯電されて持続
   電荷を担持した前記静電潜像担持体の光導電性部分の電
   気抵抗をＲXE、該静電潜像担持体の暗抵抗をＲD とした
   ときＲXE≧ＲD(１−ｅ-^２）になる位置を画像パターン
   露光位置としたことを特徴とする画像形成装置。
7. 【請求項７】 請求項１の帯電装置を使用した画像形成
   装置であって、前記電気抵抗減少手段の光照射時におけ
   る前記静電潜像担持体の光導電性部分の電気抵抗ＲWEと
   暗抵抗ＲDの関係が、ＲWE≦ＲDとなる強さの光を前記電
   気抵抗減少手段が照射しながら前記電圧印加部材により
   前記静電潜像担持体に持続電荷を担持させるようにした
   ことを特徴とする画像形成装置。
8. 【請求項８】 前記電気抵抗ＲWEと暗抵抗ＲDは、ＲD
   （１−ｅ-^１）≦ＲWE≦ ＲD（１−ｅ-^２）の関係にある
   ことを特徴とする請求項７記載の画像形成装置。
9. 【請求項９】 導電性ベース層の外側に光導電性部分を
   有して移動する静電潜像担持体の前記光導電性部分に電
   圧印加部材を接触させた状態で該電圧印加部材に電圧を
   印加することにより前記静電潜像担持体に持続電荷を担
   持させる帯電装置を使用した画像形成装置において、 前記静電潜像担持体の光導電性部分に４００ｎｍを超え
   る波長の光を照射して前記静電潜像担持体の厚み方向の
   電気抵抗を低減させる電気抵抗減少手段を設けると共
   に、前記静電潜像担持体の光導電性部分の前記電圧印加
   部材と接触する部分の体積固有抵抗値が、そこに接触状
   態にある前記電圧印加部材により電荷注入が可能な体積
   固有抵抗値にあり、前記光導電性部分の導電性ベース層
   に近い部位の体積固有抵抗値が１×１０^１２Ω・ｃｍ以
   上の高抵抗にあるときに前記電圧印加部材に電圧を印加
   して帯電するようにしたことを特徴とする画像形成装
   置。
10. 【請求項１０】 請求項９記載の画像形成装置におい
    て、前記静電潜像担持体の光導電性部分の前記電圧印加
    部材と接触する部分の体積固有抵抗値が、前記静電潜像
    担持体に前記電圧印加部材により電荷注入が可能な体積
    固有抵抗値から１×１０^１２Ω・ｃｍ以上の高抵抗値に
    あるときに前記電圧印加部材に電圧を印加して帯電する
    ようにしたことを特徴とする画像形成装置。
11. 【請求項１１】 前記静電潜像担持体の光導電性部分に
    照射する光の波長を、６００ｎｍ以上としたことを特徴
    とする請求項９記載の画像形成装置。
12. 【請求項１２】 前記静電潜像担持体の光導電性部分の
    前記電圧印加部材と接触する部分の体積固有抵抗値を、
    前記静電潜像担持体に前記電圧印加部材により電荷注入
    が可能な体積固有抵抗値となる１×１０^１１Ω・ｃｍ未
    満としたことを特徴とする請求項９記載の画像形成装
    置。
13. 【請求項１３】 請求項９記載の画像形成装置におい
    て、前記電気抵抗減少手段が前記静電潜像担持体の光導
    電性部分に照射した光が前記静電潜像担持体と前記電圧
    印加部材との接触終了位置から前記静電潜像担持体の移
    動方向下流側へ洩れるのを低減する遮光部材を設けたこ
    とを特徴とする画像形成装置。