JP2001138211A - 研磨装置及びその方法 - Google Patents
研磨装置及びその方法Info
- Publication number
- JP2001138211A JP2001138211A JP32907499A JP32907499A JP2001138211A JP 2001138211 A JP2001138211 A JP 2001138211A JP 32907499 A JP32907499 A JP 32907499A JP 32907499 A JP32907499 A JP 32907499A JP 2001138211 A JP2001138211 A JP 2001138211A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polished
- pad
- wafer
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 20
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 142
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 41
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 abstract description 3
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 abstract 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 abstract 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 51
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- -1 Alternatively Chemical compound 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-BJUDXGSMSA-N copper-63 Chemical compound [63Cu] RYGMFSIKBFXOCR-BJUDXGSMSA-N 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハを研磨した後の研磨部材に付着してい
る反応生成物を短時間で除去し、ＣＭＰプロセスの処理
時間を短縮すること。 【解決手段】 被研磨面が銅からなるウエハと研磨部材
であるパッドとを接触させ、機械的及び化学的研磨粒子
を含むスラリーを供給しながら銅の研磨を行った後、パ
ッド表面に例えば多数の微小な突起群が形成されたダイ
ヤモンドからなる仕上げ部材を接触させながらスキャン
するときに、ドレッシング液としてシュウ酸等のキレー
ト剤をパッド表面に供給する。これによりパッド表面に
付着した、水に難溶な銅とスラリーとの反応生成物が溶
解されるため、短時間で反応生成物の除去を行うことが
できる。
る反応生成物を短時間で除去し、ＣＭＰプロセスの処理
時間を短縮すること。 【解決手段】 被研磨面が銅からなるウエハと研磨部材
であるパッドとを接触させ、機械的及び化学的研磨粒子
を含むスラリーを供給しながら銅の研磨を行った後、パ
ッド表面に例えば多数の微小な突起群が形成されたダイ
ヤモンドからなる仕上げ部材を接触させながらスキャン
するときに、ドレッシング液としてシュウ酸等のキレー
ト剤をパッド表面に供給する。これによりパッド表面に
付着した、水に難溶な銅とスラリーとの反応生成物が溶
解されるため、短時間で反応生成物の除去を行うことが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に形成
される金属面を研磨する技術に関する。
される金属面を研磨する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）
の製造プロセスの中に、ＣＭＰ（chemical mechanical
polishing）と呼ばれるプロセスがある。このＣＭＰプ
ロセスは多層配線から形成される半導体装置において
は、主としてタングステンオキサイドからなる層の研磨
に用いられる。これは研磨部材である研磨布の表面に機
械的研磨粒子及び化学的研磨粒子を含む研磨液を滴下
し、この研磨布の表面をウエハの被研磨面に押し付け
て、当該被研磨面の一部を除去する方法である。
の製造プロセスの中に、ＣＭＰ（chemical mechanical
polishing）と呼ばれるプロセスがある。このＣＭＰプ
ロセスは多層配線から形成される半導体装置において
は、主としてタングステンオキサイドからなる層の研磨
に用いられる。これは研磨部材である研磨布の表面に機
械的研磨粒子及び化学的研磨粒子を含む研磨液を滴下
し、この研磨布の表面をウエハの被研磨面に押し付け
て、当該被研磨面の一部を除去する方法である。
【０００３】従来のＣＭＰプロセスでは、例えば図９に
示す装置において、表面に研磨層である研磨布１１が形
成された回転テーブル１２に、ウエハ保持機構１３に保
持させたウエハＷを所定の圧力で圧接させ、ノズル１４
から研磨液を前記研磨布１１の表面に供給しながら、回
転テーブル１２を回転させると共にウエハ保持機構１３
をモータ１５により回転させて、こうしてウエハＷを回
転テーブル１２上で自転させ、かつ相対的に公転させる
ことによってウエハＷの表面を研磨していた。
示す装置において、表面に研磨層である研磨布１１が形
成された回転テーブル１２に、ウエハ保持機構１３に保
持させたウエハＷを所定の圧力で圧接させ、ノズル１４
から研磨液を前記研磨布１１の表面に供給しながら、回
転テーブル１２を回転させると共にウエハ保持機構１３
をモータ１５により回転させて、こうしてウエハＷを回
転テーブル１２上で自転させ、かつ相対的に公転させる
ことによってウエハＷの表面を研磨していた。
【０００４】前記研磨布１１としては、例えば１．２ｍ
ｍ程度の厚さの発泡ウレタン樹脂等の発泡樹脂が用いら
れ、研磨液としては、機械的研磨粒子であるシリカ（Ｓ
ｉＯ2）及び化学的研磨粒子を溶液に分散させたスラリ
ー状のものが用いられている。
ｍ程度の厚さの発泡ウレタン樹脂等の発泡樹脂が用いら
れ、研磨液としては、機械的研磨粒子であるシリカ（Ｓ
ｉＯ2）及び化学的研磨粒子を溶液に分散させたスラリ
ー状のものが用いられている。
【０００５】この研磨布１１の表面は、例えばウエハＷ
の研磨を行う度に、微小突起部が形成されたダイヤモン
ドからなる仕上げ部材によりドレッシング（いわば「目
立て」）が行われ、これにより研磨能力を回復してい
る。一方、研磨布１２表面には前記研磨により生じるス
ラリー（研磨液）とタングステンオキサイドとの混合物
や反応生成物が付着しているが、これらは水に溶解する
ため、ドレッシングを行う際に例えば純水を供給して前
記反応生成物等を除去している。
の研磨を行う度に、微小突起部が形成されたダイヤモン
ドからなる仕上げ部材によりドレッシング（いわば「目
立て」）が行われ、これにより研磨能力を回復してい
る。一方、研磨布１２表面には前記研磨により生じるス
ラリー（研磨液）とタングステンオキサイドとの混合物
や反応生成物が付着しているが、これらは水に溶解する
ため、ドレッシングを行う際に例えば純水を供給して前
記反応生成物等を除去している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで近年、ダマシ
ンプロセスにより銅配線を形成する技術が注目されてい
る。この工程にはＣＭＰプロセスが必要となるが、銅と
スラリーとの反応生成物は純水に溶けにくいため、タン
グステンオキサイドと同様のドレッシングを行ったので
は反応生成物が除去できない。この状態を図１０により
説明すると、研磨布１１の表面にはドレッシングにより
凹凸１６が形成されており、前述の反応生成物の粒子１
７はこの凹凸１６の隙間に入り込んでしまう。また、発
泡部１８にも当該粒子１７が入り込み、流されずに残っ
てしまう。
ンプロセスにより銅配線を形成する技術が注目されてい
る。この工程にはＣＭＰプロセスが必要となるが、銅と
スラリーとの反応生成物は純水に溶けにくいため、タン
グステンオキサイドと同様のドレッシングを行ったので
は反応生成物が除去できない。この状態を図１０により
説明すると、研磨布１１の表面にはドレッシングにより
凹凸１６が形成されており、前述の反応生成物の粒子１
７はこの凹凸１６の隙間に入り込んでしまう。また、発
泡部１８にも当該粒子１７が入り込み、流されずに残っ
てしまう。
【０００７】このように研磨布表面に研磨工程により生
じた反応生成物が付着すると、研磨能力が低下すると共
に被研磨面の均一性も悪くなってしまうため、例えば前
記ダイヤモンドによる研磨布表面のスキャン回数を増や
して反応生成物を除去するようにしていた。しかしなが
らこのようにすると、ウエハＷ１枚の研磨工程における
研磨布の削り分が多くなるため研磨布の使用寿命を縮め
ることになるし、また、仕上げ作業の時間が長くなるた
めスループットの低下の要因にもなる。
じた反応生成物が付着すると、研磨能力が低下すると共
に被研磨面の均一性も悪くなってしまうため、例えば前
記ダイヤモンドによる研磨布表面のスキャン回数を増や
して反応生成物を除去するようにしていた。しかしなが
らこのようにすると、ウエハＷ１枚の研磨工程における
研磨布の削り分が多くなるため研磨布の使用寿命を縮め
ることになるし、また、仕上げ作業の時間が長くなるた
めスループットの低下の要因にもなる。
【０００８】本願発明はこのような事情に基づきなされ
たものであり、その目的は基板を研磨した後の研磨部材
に付着している反応生成物を短時間で除去することにあ
る。
たものであり、その目的は基板を研磨した後の研磨部材
に付着している反応生成物を短時間で除去することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る研磨装置
は、基板の被研磨面と研磨部材とを相対的に摺動させな
がら、化学的な研磨作用を有する研磨液を研磨部材の研
磨面に供給し、前記被研磨面を構成する金属を研磨する
研磨装置において、基板を研磨した後の研磨部材の研磨
面と相対的に摺動し、当該研磨面を擦り削ることにより
研磨能力を回復させる研磨面仕上げ手段と、この研磨面
仕上げ手段と摺動している研磨部材の研磨面に、前記金
属と研磨液との反応生成物を溶解させる薬液を供給する
薬液供給手段と、前記研磨面に洗浄液を供給して、当該
研磨面上の前記薬液を除去するための洗浄手段と、を備
えることを特徴とする。
は、基板の被研磨面と研磨部材とを相対的に摺動させな
がら、化学的な研磨作用を有する研磨液を研磨部材の研
磨面に供給し、前記被研磨面を構成する金属を研磨する
研磨装置において、基板を研磨した後の研磨部材の研磨
面と相対的に摺動し、当該研磨面を擦り削ることにより
研磨能力を回復させる研磨面仕上げ手段と、この研磨面
仕上げ手段と摺動している研磨部材の研磨面に、前記金
属と研磨液との反応生成物を溶解させる薬液を供給する
薬液供給手段と、前記研磨面に洗浄液を供給して、当該
研磨面上の前記薬液を除去するための洗浄手段と、を備
えることを特徴とする。
【００１０】このような構成によれば、研磨部材を研磨
面仕上げ部材により擦り削りながら被研磨面を構成する
金属と研磨液との反応生成物を溶解させる薬液の供給を
行っているので、研磨部材の研磨能力を短時間で回復す
ることができ、パッドの使用寿命も長期化する。このよ
うな構成は金属の研磨時における金属と研磨液との反応
生成物が水に難溶な場合、例えば前記金属に銅を用いた
場合に有効である。
面仕上げ部材により擦り削りながら被研磨面を構成する
金属と研磨液との反応生成物を溶解させる薬液の供給を
行っているので、研磨部材の研磨能力を短時間で回復す
ることができ、パッドの使用寿命も長期化する。このよ
うな構成は金属の研磨時における金属と研磨液との反応
生成物が水に難溶な場合、例えば前記金属に銅を用いた
場合に有効である。
【００１１】ここで洗浄手段は研磨部材の研磨面に、加
圧された洗浄液を吐出する吐出ノズルを用いるようにし
てもよく、このような装置によれば基板表面上に供給さ
れる薬液を短時間且つ確実に除去することが可能とな
る。
圧された洗浄液を吐出する吐出ノズルを用いるようにし
てもよく、このような装置によれば基板表面上に供給さ
れる薬液を短時間且つ確実に除去することが可能とな
る。
【００１２】また本発明に係る研磨方法は、基板の被研
磨面と研磨部材とを相対的に摺動させながら、化学的な
研磨作用を有する研磨液を研磨部材の研磨面に供給し、
前記被研磨面を構成する金属を研磨する工程と、前記研
磨面と研磨面仕上げ手段とを相対的に摺動して当該研磨
面を擦り削ると共に、前記金属と研磨液との反応生成物
を溶解させる薬液を供給し、研磨面の研磨能力を回復さ
せる工程と、前記研磨面上に供給された前記薬液を洗い
流す工程と、を含むことを特徴とする。
磨面と研磨部材とを相対的に摺動させながら、化学的な
研磨作用を有する研磨液を研磨部材の研磨面に供給し、
前記被研磨面を構成する金属を研磨する工程と、前記研
磨面と研磨面仕上げ手段とを相対的に摺動して当該研磨
面を擦り削ると共に、前記金属と研磨液との反応生成物
を溶解させる薬液を供給し、研磨面の研磨能力を回復さ
せる工程と、前記研磨面上に供給された前記薬液を洗い
流す工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態は、例えばウ
エハＷ表面に形成された銅（Ｃｕ）層の一部を研磨処理
であるＣＭＰプロセスにより削り取ろうとするものであ
り、例えば以下に示す装置により行われる。
エハＷ表面に形成された銅（Ｃｕ）層の一部を研磨処理
であるＣＭＰプロセスにより削り取ろうとするものであ
り、例えば以下に示す装置により行われる。
【００１４】図１及び図２は夫々本実施の形態の一例を
示す概観図及び側面図である。２はウエハＷの被研磨面
を下方側に向けて上方側から吸着保持するウエハ保持部
であり、昇降機構２１及び支持部２２により昇降自在な
構成となっている。このウエハ保持部２と対向して下部
側には研磨部３が設けられている。研磨部３は、駆動機
構３０により回転する回転テーブル３１と、回転テーブ
ル３１の上面に貼着された研磨部材をなすパッド３２と
から構成されており、パッド３２は例えば厚さ１．２ｍ
ｍのポリウレタン発泡樹脂が用いられる。このパッド３
２の表面（研磨面）には微小な突起群３３及び発泡によ
り形成される凹部３４が形成されており（図５(ａ)参
照）、また図３に示すように例えば碁盤の目状に溝３５
が形成され、後述するスラリーや洗浄液等が流れ易くな
るように構成される。
示す概観図及び側面図である。２はウエハＷの被研磨面
を下方側に向けて上方側から吸着保持するウエハ保持部
であり、昇降機構２１及び支持部２２により昇降自在な
構成となっている。このウエハ保持部２と対向して下部
側には研磨部３が設けられている。研磨部３は、駆動機
構３０により回転する回転テーブル３１と、回転テーブ
ル３１の上面に貼着された研磨部材をなすパッド３２と
から構成されており、パッド３２は例えば厚さ１．２ｍ
ｍのポリウレタン発泡樹脂が用いられる。このパッド３
２の表面（研磨面）には微小な突起群３３及び発泡によ
り形成される凹部３４が形成されており（図５(ａ)参
照）、また図３に示すように例えば碁盤の目状に溝３５
が形成され、後述するスラリーや洗浄液等が流れ易くな
るように構成される。
【００１５】またパッド３２（回転テーブル３１）のサ
イズは例えばウエハ保持部２により吸着保持されるウエ
ハＷよりも直径が大きくなるように設定され、例えば直
径２０ｃｍのウエハＷに対しては直径２５ｃｍのパッド
３２が用いられる。ウエハ保持部２の中心はパッド３２
の中心から例えば３ｃｍ程度偏心しており、駆動機構３
０は例えば図４に示すようにこのウエハ保持部２の中心
軸の周囲を公転させるように構成されている。
イズは例えばウエハ保持部２により吸着保持されるウエ
ハＷよりも直径が大きくなるように設定され、例えば直
径２０ｃｍのウエハＷに対しては直径２５ｃｍのパッド
３２が用いられる。ウエハ保持部２の中心はパッド３２
の中心から例えば３ｃｍ程度偏心しており、駆動機構３
０は例えば図４に示すようにこのウエハ保持部２の中心
軸の周囲を公転させるように構成されている。
【００１６】前記溝３５の所定の交点部位には例えば図
４中に黒点で示されるように多数の孔部３６がパッド３
２を貫通して形成されており、これら孔部３６は図２に
示すように回転テーブル３１内の送液流路３７に連通し
ている。送液流路３７には外部のフレキシブルな配管３
８及びバルブＶ１〜Ｖ３を介して図示しないスラリー供
給源、ドレッシング液供給源及び洗浄液供給源に接続さ
れている。またドレッシング液供給源とバルブＶ２との
間にはドレッシング液の溶解能力を高めるため、例えば
４０℃に当該ドレッシング液を加熱する加熱手段３９が
介設されている。
４中に黒点で示されるように多数の孔部３６がパッド３
２を貫通して形成されており、これら孔部３６は図２に
示すように回転テーブル３１内の送液流路３７に連通し
ている。送液流路３７には外部のフレキシブルな配管３
８及びバルブＶ１〜Ｖ３を介して図示しないスラリー供
給源、ドレッシング液供給源及び洗浄液供給源に接続さ
れている。またドレッシング液供給源とバルブＶ２との
間にはドレッシング液の溶解能力を高めるため、例えば
４０℃に当該ドレッシング液を加熱する加熱手段３９が
介設されている。
【００１７】ここで送液流路３７からパッド３２表面に
供給される各液について説明を行う。スラリーはウエハ
Ｗの被研磨面をパッド３２で研磨する際に供給する研磨
液をなすもので、例えばシリカ等の機械的研磨粒子及び
化学的研磨粒子並びに銅を酸化させる酸化剤を含んでい
る。
供給される各液について説明を行う。スラリーはウエハ
Ｗの被研磨面をパッド３２で研磨する際に供給する研磨
液をなすもので、例えばシリカ等の機械的研磨粒子及び
化学的研磨粒子並びに銅を酸化させる酸化剤を含んでい
る。
【００１８】ドレッシング液は後述するドレッシング機
構５にてパッド３１表面を目立てする際に供給される薬
液で、研磨によりパッド３２表面に付着する銅の反応生
成物を溶解する物質が用いられる。例えばドレッシング
液にはシュウ酸やクエン酸などの有機酸を用いたもの、
またはアンモニア等の利用が可能である。また、洗浄液
はドレッシング後にドレッシング液を洗い流すためのも
ので、例えば純水が用いられる。
構５にてパッド３１表面を目立てする際に供給される薬
液で、研磨によりパッド３２表面に付着する銅の反応生
成物を溶解する物質が用いられる。例えばドレッシング
液にはシュウ酸やクエン酸などの有機酸を用いたもの、
またはアンモニア等の利用が可能である。また、洗浄液
はドレッシング後にドレッシング液を洗い流すためのも
ので、例えば純水が用いられる。
【００１９】更にこの実施の形態に係る研磨装置は、ウ
エハ保持部２との間でウエハＷの受け渡しを行うウエハ
搬送機構４と、パッド３２の研磨能力を回復させるため
のドレッシング機構５とを備えている。ウエハ搬送機構
４は、真空吸着機能を有するアーム４１を備え、Ｘ，
Ｙ，Ｚ方向に移動自在でかつウエハＷを反転できるよう
にアーム４１が回転可能に構成されている。
エハ保持部２との間でウエハＷの受け渡しを行うウエハ
搬送機構４と、パッド３２の研磨能力を回復させるため
のドレッシング機構５とを備えている。ウエハ搬送機構
４は、真空吸着機能を有するアーム４１を備え、Ｘ，
Ｙ，Ｚ方向に移動自在でかつウエハＷを反転できるよう
にアーム４１が回転可能に構成されている。
【００２０】ドレッシング機構５は、一定枚数例えば１
枚のＣＭＰプロセスを行った後のパッド３２の表面を擦
り削り、新たな研磨面を形成して研磨能力を回復させる
アーム５１と、このアーム５１をウエハ周縁部とウエハ
中央部との間で水平旋回させるスキャン機構５０とを備
え、アーム５１の先端下面側のパッド３２と接する部位
には、例えば高さ１６０ミクロン程度の突起群が形成さ
れたダイヤモンド結晶を使用した仕上げ部材５２が設け
られている。
枚のＣＭＰプロセスを行った後のパッド３２の表面を擦
り削り、新たな研磨面を形成して研磨能力を回復させる
アーム５１と、このアーム５１をウエハ周縁部とウエハ
中央部との間で水平旋回させるスキャン機構５０とを備
え、アーム５１の先端下面側のパッド３２と接する部位
には、例えば高さ１６０ミクロン程度の突起群が形成さ
れたダイヤモンド結晶を使用した仕上げ部材５２が設け
られている。
【００２１】次に本実施の形態における作用について説
明する。先ずウエハＷの被研磨面を保持しているウエハ
搬送機構４をウエハ保持部２付近まで移動させ、ここで
アーム４１を反転させ、それまで上を向いていたウエハ
Ｗの被研磨面が下を向くようにしてウエハ保持部２に真
空吸着させる。そして回転テーブル３１が図示しない駆
動機構により例えば既述のような周回運動を開始し、こ
こに上方からウエハ保持部２を下降させてウエハＷとパ
ッド３２とを所定の圧力で接触させる（図５(ａ)参
照）。
明する。先ずウエハＷの被研磨面を保持しているウエハ
搬送機構４をウエハ保持部２付近まで移動させ、ここで
アーム４１を反転させ、それまで上を向いていたウエハ
Ｗの被研磨面が下を向くようにしてウエハ保持部２に真
空吸着させる。そして回転テーブル３１が図示しない駆
動機構により例えば既述のような周回運動を開始し、こ
こに上方からウエハ保持部２を下降させてウエハＷとパ
ッド３２とを所定の圧力で接触させる（図５(ａ)参
照）。
【００２２】このとき、バルブＶ１が開かれ孔部３４か
らパッド３２表面上へスラリーが供給され、このスラリ
ーは遠心力によりパッド３２の周辺へと広がり、溝３５
を伝ってパッド３２とウエハＷの被接触面とが接触する
部位の隙間全域へと供給される。
らパッド３２表面上へスラリーが供給され、このスラリ
ーは遠心力によりパッド３２の周辺へと広がり、溝３５
を伝ってパッド３２とウエハＷの被接触面とが接触する
部位の隙間全域へと供給される。
【００２３】こうしてウエハＷは、パッド３２に対して
相対的に公転しながらその被研磨面が研磨されていく。
ここで研磨対象となるウエハＷは、例えばダマシンプロ
セスと呼ばれる銅配線を形成するためのプロセスが行わ
れるものであって、例えば図６に示すように凹部６１が
形成された酸化シリコン（ＳｉＯ2）層６２の上に銅６
３が積層されたものが用いられ、ＳｉＯ2層６２が露出
するまで銅６３が研磨されて銅配線が形成される。なお
図中６４はバリアメタルである。
相対的に公転しながらその被研磨面が研磨されていく。
ここで研磨対象となるウエハＷは、例えばダマシンプロ
セスと呼ばれる銅配線を形成するためのプロセスが行わ
れるものであって、例えば図６に示すように凹部６１が
形成された酸化シリコン（ＳｉＯ2）層６２の上に銅６
３が積層されたものが用いられ、ＳｉＯ2層６２が露出
するまで銅６３が研磨されて銅配線が形成される。なお
図中６４はバリアメタルである。
【００２４】この研磨については、先ずスラリーに混合
されている酸化剤が銅の表面を酸化して機械的にもろい
酸化銅の層を作り、この部分がスラリー中の機械的研磨
粒子及びパッド３２表面上の凹凸により機械的に削ら
れ、ここで生じる研磨屑や研磨された表面を同じくスラ
リー中の化学的研磨粒子がエッチングして、研磨後の滑
らかな表面を実現していると考えられている。そしてウ
エハＷの研磨が終了するとウエハ保持部２が上昇し、後
続のウエハＷと交換される。
されている酸化剤が銅の表面を酸化して機械的にもろい
酸化銅の層を作り、この部分がスラリー中の機械的研磨
粒子及びパッド３２表面上の凹凸により機械的に削ら
れ、ここで生じる研磨屑や研磨された表面を同じくスラ
リー中の化学的研磨粒子がエッチングして、研磨後の滑
らかな表面を実現していると考えられている。そしてウ
エハＷの研磨が終了するとウエハ保持部２が上昇し、後
続のウエハＷと交換される。
【００２５】一方、ウエハＷが研磨されるとパッド３２
の表面の突起群３３の先端が丸められ、また「発明が解
決しようとする課題」で述べたように水に難溶な銅とス
ラリーとの反応生成物Ｐが突起群３３の隙間や凹部３４
などに入り込み、こうしていわば目詰まりの状態とな
る。
の表面の突起群３３の先端が丸められ、また「発明が解
決しようとする課題」で述べたように水に難溶な銅とス
ラリーとの反応生成物Ｐが突起群３３の隙間や凹部３４
などに入り込み、こうしていわば目詰まりの状態とな
る。
【００２６】そして所定枚数例えば１枚のウエハＷの研
磨処理が終了する度にドレッシング機構５を稼動してア
ーム５１をスキャンし、仕上げ部材５２であるダイヤモ
ンドの突起群によりパッド３２の表面（突起群３３）を
擦り削りながら、パッド３２表面にドレッシング液を供
給する。
磨処理が終了する度にドレッシング機構５を稼動してア
ーム５１をスキャンし、仕上げ部材５２であるダイヤモ
ンドの突起群によりパッド３２の表面（突起群３３）を
擦り削りながら、パッド３２表面にドレッシング液を供
給する。
【００２７】パッド３２の表面は例えば２ミクロン程度
切削され、これにより新たな突起群３３が形成されるこ
ととなる。同時にドレッシング液により既述の凹部３４
等に入り込んだ反応生成物Ｐが溶解され、前記の新たな
突起群３３と併せてパッド３２表面の凹凸が回復し、こ
れによりパッド３２の研磨能力が回復する。
切削され、これにより新たな突起群３３が形成されるこ
ととなる。同時にドレッシング液により既述の凹部３４
等に入り込んだ反応生成物Ｐが溶解され、前記の新たな
突起群３３と併せてパッド３２表面の凹凸が回復し、こ
れによりパッド３２の研磨能力が回復する。
【００２８】しかる後、バルブＶ２を閉じ、アーム５１
を研磨部３外側の図示しない待機位置まで移動すると共
にバルブＶ３を開き、洗浄水をパッド３２表面へ供給し
て、残存するドレッシング液を洗い流してパッド３２表
面から除去する。
を研磨部３外側の図示しない待機位置まで移動すると共
にバルブＶ３を開き、洗浄水をパッド３２表面へ供給し
て、残存するドレッシング液を洗い流してパッド３２表
面から除去する。
【００２９】上述したように本実施の形態に係る装置に
よれば、銅の研磨を行うＣＭＰプロセスにおいて、スラ
リーと銅との反応生成物に対して溶解能力を有する例え
ばシュウ酸に添加物を加えたドレッシング液をウエハ研
磨後のパッド３２に供給してドレッシング（仕上げ処
理）を行っているので、スラリーと銅との反応生成物を
容易にパッド表面から除去することができ、例えばアー
ム５１によるスキャンを１回行うだけでパッド３２の研
磨能力を回復できるので、ＣＭＰの工程全体の時間を短
縮でき、またパッドの使用寿命も長期化する。
よれば、銅の研磨を行うＣＭＰプロセスにおいて、スラ
リーと銅との反応生成物に対して溶解能力を有する例え
ばシュウ酸に添加物を加えたドレッシング液をウエハ研
磨後のパッド３２に供給してドレッシング（仕上げ処
理）を行っているので、スラリーと銅との反応生成物を
容易にパッド表面から除去することができ、例えばアー
ム５１によるスキャンを１回行うだけでパッド３２の研
磨能力を回復できるので、ＣＭＰの工程全体の時間を短
縮でき、またパッドの使用寿命も長期化する。
【００３０】また、ドレッシング液は例えば銅の酸化物
に対する溶解速度が上がるように例えば４０℃に加熱さ
れてパッド３２表面へ供給されており、このようにすれ
ば前記反応物の除去をより確実に行うことができる。な
おこの加熱は必ずしも行わなくともよい。
に対する溶解速度が上がるように例えば４０℃に加熱さ
れてパッド３２表面へ供給されており、このようにすれ
ば前記反応物の除去をより確実に行うことができる。な
おこの加熱は必ずしも行わなくともよい。
【００３１】更にパッド３２表面への洗浄液の供給は、
例えば図７に示す供給手段を用いるようにしてもよい。
この供給手段はパッド３２の上方を例えば直径方向に移
動可能に構成される供給ノズル７からなり、この供給ノ
ズル７は下方側にパッド３２の直径の長さに対応して一
直線上に配列された多数の吐出孔７１を備え、パッド３
２に対して洗浄液の供給を行うことができる構成となっ
ている。供給ノズル７は、加圧ポンプ８により加圧され
圧力調整手段８１により圧力が調節された洗浄液例えば
純水を、吐出孔７１からパッド３２表面に供給しながら
例えばパッド３２の一端側から他端側へと移動して残存
するドレッシング液を洗い流す。
例えば図７に示す供給手段を用いるようにしてもよい。
この供給手段はパッド３２の上方を例えば直径方向に移
動可能に構成される供給ノズル７からなり、この供給ノ
ズル７は下方側にパッド３２の直径の長さに対応して一
直線上に配列された多数の吐出孔７１を備え、パッド３
２に対して洗浄液の供給を行うことができる構成となっ
ている。供給ノズル７は、加圧ポンプ８により加圧され
圧力調整手段８１により圧力が調節された洗浄液例えば
純水を、吐出孔７１からパッド３２表面に供給しながら
例えばパッド３２の一端側から他端側へと移動して残存
するドレッシング液を洗い流す。
【００３２】このような供給手段によれば、パッド３２
表面に残る薬液例えばドレッシング液の除去を短時間且
つ確実に行うことが可能である。
表面に残る薬液例えばドレッシング液の除去を短時間且
つ確実に行うことが可能である。
【００３３】なお、本実施の形態においてパッド３２が
研磨するウエハＷの被研磨面は銅に限定されるものでは
ない。
研磨するウエハＷの被研磨面は銅に限定されるものでは
ない。
【００３４】
【発明の効果】このように本発明によれば基板を研磨し
た後の研磨部材に付着している反応生成物を短時間で除
去することができ、この結果ＣＭＰプロセスの処理時間
を短縮できる。
た後の研磨部材に付着している反応生成物を短時間で除
去することができ、この結果ＣＭＰプロセスの処理時間
を短縮できる。
【図１】本発明に係る研磨装置の実施の形態を示した斜
視図である。
視図である。
【図２】本発明に係る研磨装置の実施の形態を示した概
略断面図である。
略断面図である。
【図３】前記研磨装置における回転テーブル３１の作用
を示した説明図である。
を示した説明図である。
【図４】前記研磨装置におけるパッド３２の表面を示す
平面図である。
平面図である。
【図５】前記研磨装置におけるウエハＷの研磨及びパッ
ド３２のドレッシングの作用について示した説明図であ
る。
ド３２のドレッシングの作用について示した説明図であ
る。
【図６】ウエハＷに形成されている多層構造について示
した断面図である。
した断面図である。
【図７】前記研磨装置で使用される洗浄水供給手段の他
の実施の形態を示す概略斜視図である。
の実施の形態を示す概略斜視図である。
【図８】前記研磨装置で使用される洗浄水供給手段の他
の実施の形態を示す断面図である。
の実施の形態を示す断面図である。
【図９】従来の研磨装置の一例を示す概略説明図であ
る。
る。
【図１０】従来の研磨装置におけるウエハ研磨後の研磨
布の状態を示す断面図である。
布の状態を示す断面図である。
Ｗ ウエハ ２ ウエハ保持部 ３ 研磨部 ３１ 回転テーブル ３２ パッド ３３ 突起群 ３６ 孔部 ３７ 送液流路 ３８ 配管 ４ ウエハ搬送機構 ５ ドレッシング機構 ５１ アーム ５２ 仕上げ部材
フロントページの続き Ｆターム(参考） 3C058 AA19 AC01 AC04 AC05 CB03 CB06 DA17
Claims (4)
- 【請求項１】 基板の被研磨面と研磨部材とを相対的に
摺動させながら、化学的な研磨作用を有する研磨液を研
磨部材の研磨面に供給し、前記被研磨面を構成する金属
を研磨する研磨装置において、 基板を研磨した後の研磨部材の研磨面と相対的に摺動
し、当該研磨面を擦り削ることにより研磨能力を回復さ
せる研磨面仕上げ手段と、 この研磨面仕上げ手段と摺動している研磨部材の研磨面
に、前記金属と研磨液との反応生成物を溶解させる薬液
を供給する薬液供給手段と、 前記研磨面に洗浄液を供給して、当該研磨面上の前記薬
液を除去するための洗浄手段と、を備えることを特徴と
する研磨装置。 - 【請求項２】 基板の被研磨面を構成する金属は銅であ
ることを特徴とする請求項１記載の研磨装置。 - 【請求項３】 洗浄手段は研磨部材の研磨面に、加圧さ
れた洗浄液を吐出する吐出ノズルを備えたことを特徴と
する請求項１または２記載の研磨装置。 - 【請求項４】 基板の被研磨面と研磨部材とを相対的に
摺動させながら、化学的な研磨作用を有する研磨液を研
磨部材の研磨面に供給し、前記被研磨面を構成する金属
を研磨する工程と、 次いで前記金属と研磨液との反応生成物を溶解させる薬
液を前記研磨面に供給しながら、当該研磨面と研磨面仕
上げ手段とを相対的に摺動して当該研磨面を擦り削るこ
とにより研磨面の研磨能力を回復させる工程と、 前記研磨面上に供給された前記薬液を洗浄液により除去
する工程と、を含むことを特徴とする研磨方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32907499A JP3767787B2 (ja) | 1999-11-19 | 1999-11-19 | 研磨装置及びその方法 |
| TW089124423A TW473854B (en) | 1999-11-19 | 2000-11-17 | Polishing system and polishing method |
| US09/714,483 US6660124B1 (en) | 1999-11-19 | 2000-11-17 | Polishing system and polishing method |
| KR1020000068317A KR100790913B1 (ko) | 1999-11-19 | 2000-11-17 | 연마 장치 및 연마 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32907499A JP3767787B2 (ja) | 1999-11-19 | 1999-11-19 | 研磨装置及びその方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001138211A true JP2001138211A (ja) | 2001-05-22 |
| JP2001138211A5 JP2001138211A5 (ja) | 2005-09-29 |
| JP3767787B2 JP3767787B2 (ja) | 2006-04-19 |
Family
ID=18217338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32907499A Expired - Fee Related JP3767787B2 (ja) | 1999-11-19 | 1999-11-19 | 研磨装置及びその方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6660124B1 (ja) |
| JP (1) | JP3767787B2 (ja) |
| KR (1) | KR100790913B1 (ja) |
| TW (1) | TW473854B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002371300A (ja) * | 2001-06-13 | 2002-12-26 | Jsr Corp | 研磨パッド洗浄用組成物及び研磨パッド洗浄方法 |
| JP2003500864A (ja) * | 1999-05-28 | 2003-01-07 | ラム リサーチ コーポレーション | 化学機械研磨パッドを洗浄するための方法およびシステム |
| KR100886698B1 (ko) * | 2002-06-28 | 2009-03-04 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 화학적기계적연마의 플래튼 장치 |
| KR100908017B1 (ko) | 2007-11-13 | 2009-07-15 | 조선대학교산학협력단 | 연마패드 컨디셔닝 장치 |
| KR101229972B1 (ko) * | 2011-09-14 | 2013-02-06 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마 장치 |
| JP2017518197A (ja) * | 2014-06-18 | 2017-07-06 | 藍思科技股▲ふん▼有限公司 | サファイアポリシング用銅ディスク及び二つの銅ディスクの修復方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100444605B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2004-08-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 화학적 기계적 연마 방법 |
| JP2005040916A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Ebara Corp | ポリッシング方法 |
| JP2006159317A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Asahi Sunac Corp | 研磨パッドのドレッシング方法 |
| JP2007030157A (ja) * | 2005-06-20 | 2007-02-08 | Elpida Memory Inc | 研磨装置及び研磨方法 |
| US9966281B2 (en) | 2013-11-15 | 2018-05-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods and systems for chemical mechanical polish cleaning |
| US9530655B2 (en) * | 2014-09-08 | 2016-12-27 | Taiwan Semiconductor Manufacting Company, Ltd. | Slurry composition for chemical mechanical polishing of Ge-based materials and devices |
| US12017322B2 (en) * | 2018-08-14 | 2024-06-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing method |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07108453A (ja) | 1992-01-24 | 1995-04-25 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体ウェーハ用研磨布のドレッシング方法 |
| JP3435698B2 (ja) * | 1992-03-11 | 2003-08-11 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体基板の洗浄液 |
| JP3256355B2 (ja) | 1992-09-24 | 2002-02-12 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置 |
| JP3192346B2 (ja) | 1995-03-15 | 2001-07-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JP3778594B2 (ja) * | 1995-07-18 | 2006-05-24 | 株式会社荏原製作所 | ドレッシング方法 |
| JPH0957608A (ja) | 1995-08-11 | 1997-03-04 | Sony Corp | 研磨パッド及びこれを用いた被表面処理加工物の研磨方法 |
| US5785585A (en) * | 1995-09-18 | 1998-07-28 | International Business Machines Corporation | Polish pad conditioner with radial compensation |
| JPH10217104A (ja) | 1997-02-07 | 1998-08-18 | Nippon Steel Corp | 半導体基板用研磨布のドレッシング方法 |
| JPH11138426A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-05-25 | Tokyo Electron Ltd | 研磨装置 |
| US6132289A (en) * | 1998-03-31 | 2000-10-17 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for film thickness measurement integrated into a wafer load/unload unit |
| US6126848A (en) * | 1998-05-06 | 2000-10-03 | International Business Machines Corporation | Indirect endpoint detection by chemical reaction and chemiluminescence |
| JP3001054B1 (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-17 | 日本電気株式会社 | 研磨装置及び研磨パッドの表面調整方法 |
-
1999
- 1999-11-19 JP JP32907499A patent/JP3767787B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-11-17 KR KR1020000068317A patent/KR100790913B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-11-17 TW TW089124423A patent/TW473854B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-11-17 US US09/714,483 patent/US6660124B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003500864A (ja) * | 1999-05-28 | 2003-01-07 | ラム リサーチ コーポレーション | 化学機械研磨パッドを洗浄するための方法およびシステム |
| JP4721523B2 (ja) * | 1999-05-28 | 2011-07-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 化学機械研磨パッドを洗浄するための方法およびシステム |
| JP2002371300A (ja) * | 2001-06-13 | 2002-12-26 | Jsr Corp | 研磨パッド洗浄用組成物及び研磨パッド洗浄方法 |
| KR100886698B1 (ko) * | 2002-06-28 | 2009-03-04 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 화학적기계적연마의 플래튼 장치 |
| KR100908017B1 (ko) | 2007-11-13 | 2009-07-15 | 조선대학교산학협력단 | 연마패드 컨디셔닝 장치 |
| KR101229972B1 (ko) * | 2011-09-14 | 2013-02-06 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마 장치 |
| JP2017518197A (ja) * | 2014-06-18 | 2017-07-06 | 藍思科技股▲ふん▼有限公司 | サファイアポリシング用銅ディスク及び二つの銅ディスクの修復方法 |
| US10220486B2 (en) | 2014-06-18 | 2019-03-05 | Lens Technology Co., Ltd. | Disc containing copper for sapphire polishing, and method for preparing discs containing copper facing each other |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010051754A (ko) | 2001-06-25 |
| JP3767787B2 (ja) | 2006-04-19 |
| KR100790913B1 (ko) | 2008-01-03 |
| TW473854B (en) | 2002-01-21 |
| US6660124B1 (en) | 2003-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1633527B1 (en) | Vacuum-assisted pad conditioning system and method utilizing an apertured conditioning disk | |
| KR100264756B1 (ko) | 연마 패드의 드레싱 방법, 폴리싱 장치 및 반도체 장치의제조 방법 | |
| KR19990045185A (ko) | 연마장치 및 연마방법 | |
| EP1111665A3 (en) | Method of planarizing a substrate surface | |
| JPH1170464A (ja) | スラリディスペンサとリンスアームの組合せ、および操作方法 | |
| TW200817103A (en) | PAD cleaning method | |
| JP3767787B2 (ja) | 研磨装置及びその方法 | |
| KR20010052820A (ko) | 실리콘에 대한 화학 기계적 연마 기술 | |
| US6350183B2 (en) | High pressure cleaning | |
| JP2003211355A (ja) | ポリッシング装置及びドレッシング方法 | |
| JP2000216120A (ja) | 研磨装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| US6813796B2 (en) | Apparatus and methods to clean copper contamination on wafer edge | |
| US6634934B1 (en) | Method for cleaning polishing tool, polishing method polishing apparatus | |
| US6517416B1 (en) | Chemical mechanical polisher including a pad conditioner and a method of manufacturing an integrated circuit using the chemical mechanical polisher | |
| JP2001237204A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002510875A (ja) | ケミカルメカニカルポリシングにおいてスラリーを除去する装置および方法 | |
| JP3708740B2 (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
| JPH08294861A (ja) | 半導体装置の製造方法及び研磨装置 | |
| JP2003188125A (ja) | ポリッシング装置 | |
| JP2000280163A (ja) | 研磨パッドの付着物除去方法および付着物除去装置 | |
| JPH09285957A (ja) | 研磨材、それを用いた研磨方法および装置 | |
| JPH08153695A (ja) | 研磨方法およびこれに用いる研磨装置並びに研磨仕上げ装置 | |
| JPH10118915A (ja) | 化学的機械研磨方法及び化学的機械研磨装置 | |
| JP3646430B2 (ja) | 化学的機械研磨方法及び化学的機械研磨装置 | |
| JP2006066425A (ja) | 半導体基板の研磨方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050425 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050425 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20050425 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20050712 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050719 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050920 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060110 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060126 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120210 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150210 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |