JPH07108453A - 半導体ウェーハ用研磨布のドレッシング方法 - Google Patents
半導体ウェーハ用研磨布のドレッシング方法Info
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- JPH07108453A JPH07108453A JP1093992A JP1093992A JPH07108453A JP H07108453 A JPH07108453 A JP H07108453A JP 1093992 A JP1093992 A JP 1093992A JP 1093992 A JP1093992 A JP 1093992A JP H07108453 A JPH07108453 A JP H07108453A
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- JP
- Japan
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- polishing
- semiconductor wafer
- polishing cloth
- cloth
- dressing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 研磨布の目詰りを確実に除去し、研磨布の切
削性を安定化し、品質および歩留りの高い半導体製造を
可能とする。 【構成】 半導体ウェーハをメカノケミカルポリッシン
グする研磨布の目詰りや異物除去を行なう半導体ウェー
ハ用研磨布のドレッシング方法において、苛性ソーダ、
エタノールアミン等のアルカリ溶液を用い、前記研磨布
をドレッシングすることを特徴とする半導体ウェーハ用
研磨布のドレッシング方法。
削性を安定化し、品質および歩留りの高い半導体製造を
可能とする。 【構成】 半導体ウェーハをメカノケミカルポリッシン
グする研磨布の目詰りや異物除去を行なう半導体ウェー
ハ用研磨布のドレッシング方法において、苛性ソーダ、
エタノールアミン等のアルカリ溶液を用い、前記研磨布
をドレッシングすることを特徴とする半導体ウェーハ用
研磨布のドレッシング方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、最終研磨工程で半導体
ウェーハをメカノケミカルポリッシングする研磨布の目
詰りや異物除去を行なう半導体ウェーハ用研磨布のドレ
ッシング方法に関する。
ウェーハをメカノケミカルポリッシングする研磨布の目
詰りや異物除去を行なう半導体ウェーハ用研磨布のドレ
ッシング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハの製造工程において、最
終研磨工程で鏡面仕上げが行なわれ、この鏡面仕上げに
より半導体ウェーハの品質が決定される。鏡面仕上げは
一般にメカノケミカルポリッシング（以下、ＭＣＰと称
する）と呼ばれる研磨手法が用いられる。ＭＣＰでは、
例えば５〜３００ｎｍ程度の粒径を有するＳｉＯ2粒子
を苛性ソーダ、アンモニアおよびエタノールアミン等の
アルカリ溶液に懸濁させてＰＨ９〜１２程度にした、所
謂コロイダルシリカからなる研磨剤とポリウレタン樹脂
等からなる研磨布が用いられ、例えば図６に示す研磨装
置により研磨が行なわれる。
終研磨工程で鏡面仕上げが行なわれ、この鏡面仕上げに
より半導体ウェーハの品質が決定される。鏡面仕上げは
一般にメカノケミカルポリッシング（以下、ＭＣＰと称
する）と呼ばれる研磨手法が用いられる。ＭＣＰでは、
例えば５〜３００ｎｍ程度の粒径を有するＳｉＯ2粒子
を苛性ソーダ、アンモニアおよびエタノールアミン等の
アルカリ溶液に懸濁させてＰＨ９〜１２程度にした、所
謂コロイダルシリカからなる研磨剤とポリウレタン樹脂
等からなる研磨布が用いられ、例えば図６に示す研磨装
置により研磨が行なわれる。
【０００３】図６に示す研磨装置において、１は主軸２
を中心に回転する回転テーブル、３は回転テーブル１上
に載置された下定盤、４は下定盤３に対向して相対回転
する上定盤、５は研磨布、６は上定盤４に貼付られた半
導体ウェーハ、７は加圧軸を示す。通常、研磨時には、
上定盤４を下定盤３に向けて一定荷重を加えて回転させ
る加圧ヘッドに装着し、半導体ウェーハ６を下定盤３に
当接させて相対回転させることにより研磨が行なわれ
る。そして、研磨布５のドレッシング方法としては、研
磨布５に水を流しながらダイヤモンド電着治具および刃
物等を用いたブラッシングにより、研磨布の表面や内部
の目詰り、異物の除去を行なっていた。
を中心に回転する回転テーブル、３は回転テーブル１上
に載置された下定盤、４は下定盤３に対向して相対回転
する上定盤、５は研磨布、６は上定盤４に貼付られた半
導体ウェーハ、７は加圧軸を示す。通常、研磨時には、
上定盤４を下定盤３に向けて一定荷重を加えて回転させ
る加圧ヘッドに装着し、半導体ウェーハ６を下定盤３に
当接させて相対回転させることにより研磨が行なわれ
る。そして、研磨布５のドレッシング方法としては、研
磨布５に水を流しながらダイヤモンド電着治具および刃
物等を用いたブラッシングにより、研磨布の表面や内部
の目詰り、異物の除去を行なっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
研磨布のドレッシング方法においては、ダイヤモンド電
着治具および刃物等を用いたブラッシングにより行なっ
ていたので、研磨布内部の目詰りを確実に除去すること
が困難であり、更に図７に示すように、研磨布５の表面
の形状が変化するとともに研磨布５の表面にキズが入る
不具合があった。そのため、このような研磨布５により
研磨すると、図１中の特性Ｂで示すように研磨キズ発生
が高く、これに伴う半導体ウェーハの品質が劣化し、品
質にばらつきを生じ、歩留りの低下を招く問題があっ
た。また、研磨布５の表面形状変化によって、半導体ウ
ェーハ６と研磨布５との接触面のうち局部的に当たる箇
所が発生し、この局部的な接触により研磨布表面の目詰
りが促進され、図２中の特性ｂで示すように、研磨布５
の使用時間に伴って研磨速度が低下し、これにより図８
〜図１０に示すように加工精度の悪い半導体ウェーハが
製造されてしまう不具合があった。尚、図８は初期研磨
時、図９は中間研磨時、図１０は後期研磨時の半導体ウ
ェーハ６を示し、次第に加工精度が悪化している。
研磨布のドレッシング方法においては、ダイヤモンド電
着治具および刃物等を用いたブラッシングにより行なっ
ていたので、研磨布内部の目詰りを確実に除去すること
が困難であり、更に図７に示すように、研磨布５の表面
の形状が変化するとともに研磨布５の表面にキズが入る
不具合があった。そのため、このような研磨布５により
研磨すると、図１中の特性Ｂで示すように研磨キズ発生
が高く、これに伴う半導体ウェーハの品質が劣化し、品
質にばらつきを生じ、歩留りの低下を招く問題があっ
た。また、研磨布５の表面形状変化によって、半導体ウ
ェーハ６と研磨布５との接触面のうち局部的に当たる箇
所が発生し、この局部的な接触により研磨布表面の目詰
りが促進され、図２中の特性ｂで示すように、研磨布５
の使用時間に伴って研磨速度が低下し、これにより図８
〜図１０に示すように加工精度の悪い半導体ウェーハが
製造されてしまう不具合があった。尚、図８は初期研磨
時、図９は中間研磨時、図１０は後期研磨時の半導体ウ
ェーハ６を示し、次第に加工精度が悪化している。
【０００５】因みに、ＭＣＰにおいては、研磨スピード
を不安定にする要因の一つとして研磨布の切削性が関係
するため、高品質の半導体ウェーハを得る上では、切削
性を安定化できる研磨布のドレッシング方法の開発が望
まれている。
を不安定にする要因の一つとして研磨布の切削性が関係
するため、高品質の半導体ウェーハを得る上では、切削
性を安定化できる研磨布のドレッシング方法の開発が望
まれている。
【０００６】そこで、本発明は、研磨布の目詰りを最小
限に押え除去しやすくし、切削性を安定化し半導体ウェ
ーハの品質および歩留りの向上を可能とした半導体ウェ
ーハ用研磨布のドレッシング方法を提供することを目的
としている。
限に押え除去しやすくし、切削性を安定化し半導体ウェ
ーハの品質および歩留りの向上を可能とした半導体ウェ
ーハ用研磨布のドレッシング方法を提供することを目的
としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のドレッシング方
法は、半導体ウェーハをメカノケミカルポリッシングす
る研磨布の目詰りや異物除去を行なう半導体ウェーハ用
研磨布のドレッシング方法であって、苛性ソーダ、エタ
ノールアミン等のアルカリ溶液を用い、前記研磨布をド
レッシングする構成としている。
法は、半導体ウェーハをメカノケミカルポリッシングす
る研磨布の目詰りや異物除去を行なう半導体ウェーハ用
研磨布のドレッシング方法であって、苛性ソーダ、エタ
ノールアミン等のアルカリ溶液を用い、前記研磨布をド
レッシングする構成としている。
【０００８】
【作用】したがって、アルカリ溶液を用い、ブラッシに
よるドレッシングを行なうことにより、確実に研磨布の
目詰りを除去できるとともに、従来の如き研磨布表面の
キズの発生を防止できる。その結果、研磨布の切削性が
安定化し、研磨速度の低下が改善され、加工精度が高
く、歩留りの高い半導体製造が可能となる。
よるドレッシングを行なうことにより、確実に研磨布の
目詰りを除去できるとともに、従来の如き研磨布表面の
キズの発生を防止できる。その結果、研磨布の切削性が
安定化し、研磨速度の低下が改善され、加工精度が高
く、歩留りの高い半導体製造が可能となる。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の一実施例を図面に基づき説明
する。
する。
【００１０】本実施例では、まず、半導体ウェーハ６を
研磨した研磨布５の表面に、温度が２０〜４０゜Ｃで濃
度が５〜１０％のアルカリ溶液を、毎分２〜４リットル
流しながら０．５〜２分間、ブラッシによるドレッシン
グを行なう。アルカリ溶液としては、本実施例では苛性
ソーダ、エタノールアミン等のアルカリ溶液を用いた。
研磨した研磨布５の表面に、温度が２０〜４０゜Ｃで濃
度が５〜１０％のアルカリ溶液を、毎分２〜４リットル
流しながら０．５〜２分間、ブラッシによるドレッシン
グを行なう。アルカリ溶液としては、本実施例では苛性
ソーダ、エタノールアミン等のアルカリ溶液を用いた。
【００１１】次に、アルカリ溶液から水に切り替えて、
毎分３〜５リットル流しながら０．５〜１分間、ブラッ
シによるドレッシングを行なう。
毎分３〜５リットル流しながら０．５〜１分間、ブラッ
シによるドレッシングを行なう。
【００１２】この結果、研磨布５の表面および内部の目
詰りが確実に除去され、研磨布表面の目詰りのない状態
を長く維持できる。例えば、新品の研磨布５を図３に、
従来のドレッシング方法による研磨布５を図４に、本ド
レッシング方法による研磨布５を図５に、それぞれの顕
微鏡写真を示すように、本ドレッシング方法による研磨
布５は、従来のドレッシング方法に比べて大幅に目詰り
が除去され、新品の研磨布と略同等の状態となる。
詰りが確実に除去され、研磨布表面の目詰りのない状態
を長く維持できる。例えば、新品の研磨布５を図３に、
従来のドレッシング方法による研磨布５を図４に、本ド
レッシング方法による研磨布５を図５に、それぞれの顕
微鏡写真を示すように、本ドレッシング方法による研磨
布５は、従来のドレッシング方法に比べて大幅に目詰り
が除去され、新品の研磨布と略同等の状態となる。
【００１３】また、本発明者らが試験した結果、図１中
の特性Ａで示すように、研磨時間に対する研磨布表面の
キズ発生率が大幅に低下し、研磨布の劣化を防止するこ
とができる。そのため、これに伴って図２中の特性ａで
示すように研磨時間に対する研磨速度の低下も大幅に改
善され、これにより研磨布の安定した切削性が確保で
き、加工精度の高い半導体ウェーハを製造することが可
能となり、歩留りの向上を図ることができる。
の特性Ａで示すように、研磨時間に対する研磨布表面の
キズ発生率が大幅に低下し、研磨布の劣化を防止するこ
とができる。そのため、これに伴って図２中の特性ａで
示すように研磨時間に対する研磨速度の低下も大幅に改
善され、これにより研磨布の安定した切削性が確保で
き、加工精度の高い半導体ウェーハを製造することが可
能となり、歩留りの向上を図ることができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、研
磨布の目詰りを確実に除去できるとともに研磨布の劣化
を防止できるので、研磨布表面を常時新しい時と同様に
保持することが可能となり、研磨布の使用時間に伴う研
磨速度の低下も改善でき、切削性の安定化を図ることが
できる。また、従来の方法と異なり、ブラッシのみのド
レッシングが可能なため、研磨布表面の形状変化やキズ
の発生がなくなり、加工精度の高い半導体ウェーハを安
定して製作でき、品質の均一化が可能となり、更にその
上に、ドレッシングの自動化も極めて容易となり省力化
を可能とすることができる。
磨布の目詰りを確実に除去できるとともに研磨布の劣化
を防止できるので、研磨布表面を常時新しい時と同様に
保持することが可能となり、研磨布の使用時間に伴う研
磨速度の低下も改善でき、切削性の安定化を図ることが
できる。また、従来の方法と異なり、ブラッシのみのド
レッシングが可能なため、研磨布表面の形状変化やキズ
の発生がなくなり、加工精度の高い半導体ウェーハを安
定して製作でき、品質の均一化が可能となり、更にその
上に、ドレッシングの自動化も極めて容易となり省力化
を可能とすることができる。
【図１】本発明の一実施例に係り、研磨時間と研磨速度
との関係を示す特性図。
との関係を示す特性図。
【図２】研磨時間とキズ発生率との関係を示す特性図。
【図３】新品の研磨布を拡大して示す顕微鏡写真。
【図４】従来のドレッシング方法による研磨布を拡大し
て示す顕微鏡写真。
て示す顕微鏡写真。
【図５】本発明のドレッシング方法による研磨布を拡大
して示す顕微鏡写真。
して示す顕微鏡写真。
【図６】従来例に係り、半導体ウェーハの研磨装置を示
す概略図。
す概略図。
【図７】研磨布を示す拡大側面図。
【図８】初期研磨時の半導体ウェーハの写真図。
【図９】中期研磨時の半導体ウェーハの写真図。
【図１０】後期研磨時の半導体ウェーハの写真図。
５ 研磨布 ６ 半導体ウェーハ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１１月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係り、研磨時間と研磨速度
との関係を示す特性図。
との関係を示す特性図。
【図２】研磨時間とキズ発生率との関係を示す特性図。
【図３】新品の研磨布を拡大して示す顕微鏡写真の複写
図。
図。
【図４】従来のドレッシング方法による研磨布を拡大し
て示す顕微鏡写真の複写図。
て示す顕微鏡写真の複写図。
【図５】本発明のドレッシング方法による研磨布を拡大
して示す顕微鏡写真の複写図。
して示す顕微鏡写真の複写図。
【図６】従来例に係り、半導体ウェーハの研磨装置を示
す概略図。
す概略図。
【図７】研磨布を示す拡大側面図。
【図８】初期研磨時の半導体ウェーハを示す図。
【図９】中期研磨時の半導体ウェーハを示す図。
【図１０】後期研磨時の半導体ウェーハを示す図。
【符号の説明】 ５ 研磨布 ６ 半導体ウェーハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅野 政幸 佐賀県杵島郡江北町大字上小田2201番地 九州電子金属株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェーハをメカノケミカルポリッ
シングする研磨布の目詰りや異物除去を行なう半導体ウ
ェーハ用研磨布のドレッシング方法において、 苛性ソーダ、エタノールアミン等のアルカリ溶液を用
い、前記研磨布をドレッシングすることを特徴とする半
導体ウェーハ用研磨布のドレッシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1093992A JPH07108453A (ja) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | 半導体ウェーハ用研磨布のドレッシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1093992A JPH07108453A (ja) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | 半導体ウェーハ用研磨布のドレッシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07108453A true JPH07108453A (ja) | 1995-04-25 |
Family
ID=11764190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1093992A Pending JPH07108453A (ja) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | 半導体ウェーハ用研磨布のドレッシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07108453A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09155732A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-06-17 | Nec Corp | ウェハー研磨方法 |
| WO1998045089A1 (fr) * | 1997-04-09 | 1998-10-15 | Hitachi, Ltd. | Procede de fabrication, procede de polissage, et dispositif de polissage pour dispositifs semi-conducteurs |
| US6660124B1 (en) | 1999-11-19 | 2003-12-09 | Tokyo Electron Ltd. | Polishing system and polishing method |
-
1992
- 1992-01-24 JP JP1093992A patent/JPH07108453A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09155732A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-06-17 | Nec Corp | ウェハー研磨方法 |
| WO1998045089A1 (fr) * | 1997-04-09 | 1998-10-15 | Hitachi, Ltd. | Procede de fabrication, procede de polissage, et dispositif de polissage pour dispositifs semi-conducteurs |
| US6660124B1 (en) | 1999-11-19 | 2003-12-09 | Tokyo Electron Ltd. | Polishing system and polishing method |
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