JPH10118915A - 化学的機械研磨方法及び化学的機械研磨装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 研磨スラリの使用量削減と、マイクロスクラ
ッチの防止及び研磨レートや面内研磨量の安定化を同時
に実現することが可能な化学的機械研磨方法及び化学的
機械研磨装置を提供する。 【解決手段】 研磨パッド２をドレッシングして目立て
層２ａを形成するドレッシング工程と、段差を有するウ
ェハ４表面を研磨パッド２に押圧させて、化学的機械研
磨により平坦化を行う化学的機械研磨工程とを有する化
学的機械研磨方法において、剛性又は弾性を有する材料
からなるへら１１を研磨パッド２上に押圧し、研磨パッ
ド２の目立て層２ａに残留する不純物を掻き出す工程
を、ドレッシング工程または化学的機械研磨工程の少な
くともいずれか一方の直後に施す。 【効果】 研磨レートの安定化及びウェハへのマイクロ
スクラッチの発生防止を図ることができる。また、より
少量の研磨スラリで研磨の均一化が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、化学的機械研磨方
法及び化学的機械研磨装置に関し、特に、半導体装置の
製造工程中に行われる、層間絶縁膜等が形成された被処
理基板の平坦化に用いて好適な化学的機械研磨方法及び
化学的機械研磨装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年における半導体装置の設計ルールの
微細化に伴って、リソグラフィーの解像度を上げる努力
がなされているが、解像度を上げることにより焦点深
度、いわゆるＤＯＦ（Ｄｅｐｔｈ Ｏｆ Ｆｏｃｕｓ)
は、むしろ低下せざるを得ない状況となってきている。
このＤＯＦの改善はレジストの性能改善を待たなければ
ならないが、実際はレジストの改善より微細化要求の方
が先行しているのが現在の実状である。そこで、デバイ
ス構造の高低差をできるだけ平坦化しておくことでこの
焦点深度の不足を補い、微細なパターンを焦点ズレさせ
ずに確実に解像させる方法が検討されている。そこで、
デバイス構造の高低差を平坦化する方法として、最近で
は、シリコンウェハの鏡面化加工を応用した化学的機械
研磨方法が採用さている。

【０００３】図８はこの化学的機械研磨を行うための、
従来の化学的機械研磨装置を示す概略断面図である。こ
の装置は、回転する研磨プレート回転軸１に支承され、
表面に研磨パッド２が接着された研磨プレート３と、層
間絶縁膜等が形成された被処理基板４（以下、ウェハと
称する）を保持するキャリア５と、研磨スラリを研磨パ
ッド２上に供給するノズル６を有する研磨スラリ供給装
置７とから概ね構成されている。そして、研磨プレート
回転軸１及びキャリア回転軸８を回転させ、ノズル６か
ら研磨パッド２の中央部に研磨スラリを供給しながら、
研磨圧力調整機構９によりウェハ４を研磨パッド２上に
押圧させて、ウェハ４の研磨を行うものである。なお、
研磨と同時或いは事前に、不図示のドレッシング用工具
による研磨パッド２のドレッシング（研削）も行われ
る。

【０００４】ところで、このような化学的機械研磨方法
では、ウェハの絶縁膜にマイクロスクラッチが生じるこ
と及び研磨レートのばらつきや研磨量の面内ばらつきが
大きいことが問題となっている。マイクロスクラッチの
発生については、研磨パッド２のドレッシング時に発生
する研磨パッド２の削り屑やドレッシング用工具のダイ
アモンド粒，絶縁膜，ウェハ４の破片屑等が原因の一つ
と推定される。また、研磨レートのばらつきや研磨量の
面内ばらつきが大となる原因は、一度研磨に寄与した古
い研磨スラリの残留が原因の一つと推定されており、こ
れらの、研磨パッドの削り屑やドレッシング用工具のダ
イアモンド粒，絶縁膜，ウェハの破片屑や古い研磨スラ
リ等（以下、これらを総称して不純物とも表記する）を
研磨パッド２外へ排出する必要がある。

【０００５】そこで、上記した従来の化学的機械研磨装
置においては、研磨作業中研磨スラリを研磨パッド２の
中央部に間断なく十分に流し出し、不純物をこの研磨ス
ラリにより研磨パッド２外へ除去あるいは押し流すとい
う対策を採っていた。しかしながら、このような、不純
物を研磨スラリにより除去するという手法は、高価な研
磨スラリを多量に消費することとなり、化学的機械研磨
の低コスト化が困難であった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明が解決
しようとする課題は、従来のような多量の研磨スラリ供
給によらずに研磨パッド上に残留した不純物を効率よく
確実に除去し、研磨スラリの使用量削減と、マイクロス
クラッチの防止及び研磨レートや面内研磨量の安定化を
同時に実現することが可能な化学的機械研磨方法及び化
学的機械研磨装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の化学的機械研磨方法は、研磨パッドをドレ
ッシングして目立て層を形成するドレッシング工程と、
段差を有する被処理基板表面を研磨パッドに押圧させ
て、化学的機械研磨により平坦化を行う化学的機械研磨
工程とを有する化学的機械研磨方法において、剛性又は
弾性を有する材料からなる板状部材を研磨パッド上に押
圧し、研磨パッドの目立て層に残留する不純物を掻き出
す工程を、ドレッシング工程または化学的機械研磨工程
の少なくともいずれか一方の直後に施すことを特徴とす
る。

【０００８】本発明の化学的機械研磨方法は、ドレッシ
ング工程と化学的機械研磨工程とを同時に行う同時ドレ
ス方式、あるいはドレッシング工程と化学的機械研磨工
程とを個別に行う間欠ドレス方式のいずれにも採用する
ことができる。また、化学的機械研磨工程は、研磨パッ
ドの外周を囲む研磨スラリ保持用容器内に研磨スラリを
溜めて行うものであってもよい。

【０００９】また、本発明の化学的機械研磨装置は、回
転駆動される研磨プレートに接着された研磨パッドと、
研磨パッドをドレッシングするドレッシング手段と、研
磨パッド上に研磨スラリを供給する研磨スラリ供給手段
とを具備し、段差を有する被処理基板表面を研磨パッド
に押圧させて、化学的機械研磨により平坦化を行う化学
的機械研磨装置において、剛性又は弾性を有する材料か
らなる板状部材を、ドレッシング手段または被処理基板
の少なくともいずれか一方の近傍で、前記研磨パッドの
略半径方向に配置したことを特徴とする。

【００１０】なお、ここでいう不純物とは、研磨パッド
上に残留していると被処理基板の研磨に不具合を生じさ
せる、研磨パッドの削り屑やドレッシング用工具のダイ
アモンド粒，絶縁膜，ウェハの破片屑や古い研磨スラリ
等を指している。

【００１１】上記の化学的機械研磨方法及び化学的機械
研磨装置によれば、剛性又は弾性を有する材料からなる
板状部材を研磨パッド上に押圧することにより、不純物
を目立て層から除去し目立て層に新鮮な研磨スラリを供
給することができるので、研磨レートの安定化及びマイ
クロスクラッチの発生防止と同時に研磨スラリの有効活
用が可能となる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。なお、図中の構成要素で、従来の
技術と同様の構成をなしているものについては、同一の
参照符号を付すものとする。

【００１３】実施の形態例１ 図１は本発明の実施の形態例１に係る化学的機械研磨装
置を示す概略平面図、図２は図１の矢印Ａ方向から見た
概略側面図である。

【００１４】まず、図１ないし図２を参照して、化学的
機械研磨装置の構成について説明する。この化学的機械
研磨装置は、回転する研磨プレート回転軸１に支承さ
れ、表面に研磨パッド２が接着された研磨プレート３
と、回転するキャリア回転軸８に支承されるとともに、
ウェハ４を保持するキャリア５と、研磨スラリを研磨パ
ッド２の上に供給するノズル６を有する研磨スラリ供給
装置７と、下面にダイアモンド粒等の微小研削刃１０ａ
を備えたドレッシング用工具１０とから概ね構成されて
いる。

【００１５】さらに、本発明の特徴事項として、不図示
の加圧機構を有し、研磨パッド２の半径以上の長さを有
する直線状のへら１１が、研磨パッド回転方向に対しド
レッシング用工具１０の下流側近傍の位置で、研磨パッ
ド２の略半径方向に配置されている。なお、キャリア回
転軸８にはウェハ４を研磨パッド２へ押圧させる研磨圧
力調整機構９が接続されている。また、ドレッシング用
工具１０には、いずれも図示を省略した、加圧機構、回
転機構が接続されている。研磨パッド２は、発泡ポリウ
レタン等を用いることができる。

【００１６】へら１１は、薄い鋼，セラミクス，ガラス
等の剛性材料やゴム等の弾性材料で構成されるが、へら
１１の全体あるいは先端部は、研磨パッド２を変形させ
るが削らない程度の硬度を有する硬質ゴム等で構成する
ことが望ましい。また、へら１１の先端はテーパ状に形
成する。これにより、ドレッシング用工具１０により研
磨パッド２に形成された目立て層２ａの形状を損なわず
に不純物の排出が可能となる。

【００１７】次に、上記構成の化学的機械研磨装置の動
作について説明する。研磨パッド２は、研磨プレート回
転軸１を中心に不図示の駆動源により、例えば５０ｒｐ
ｍの回転速度で回転している。ドレッシング用工具１０
は、研磨パッド２上に例えば、１０Ｋｇｆの圧力で押圧
され、６０ｒｐｍの回転速度で回転し、微小研削刃１０
ａにより研磨パッド２上にざらざらの状態の目立て層２
ａを形成する。その直後に、研磨パッド２に押圧された
へら１１が、研磨パッド２上に残留している研磨パッド
２の削り屑や古い研磨スラリ等の不純物１２を掻き出
す。

【００１８】さらに、研磨スラリが研磨スラリ供給装置
７から送り出され、ノズル６より研磨パッド２上に例え
ば毎分１００ｃｃの流量で噴出される。研磨スラリ供給
時には、ノズル６を符号１３で示すように揺動させ、研
磨スラリを研磨パッド２上に均一に噴出すると、研磨均
一性をさらに改善することができる。符号１４は研磨パ
ッド２上に供給された研磨スラリを示す。ウェハ４は、
研磨圧力調整機構９により例えば、８ＰＳＩの圧力で研
磨パッド２へ押圧されており、キャリア回転軸８を、例
えば５０ｒｐｍの回転速度で回転させることにより、ウ
ェハ４の化学的機械研磨を行う。

【００１９】上記形態例によれば、へら１１により、研
磨パッド２の削り屑や一度研磨に寄与し砕けた研磨粒子
を、ウェハ４の研磨の事前に研磨パッド２上から取り除
くことができるため、研磨レートを低下させずに研磨が
可能である。また、ドレッシング用工具１０で削り取ら
れた研磨パッド２の破片をウェハ４内に持ち込むことが
ないので、研磨によるウェハ４のマイクロスクラッチの
発生を防止できる。

【００２０】実施の形態例２ 図３は実施の形態例２に係る化学的機械研磨装置を示す
概略平面図であり、図４は図３の矢印Ｂ方向から見た概
略側面図である。

【００２１】この化学的機械研磨装置は、実施の形態例
１で述べた化学的機械研磨装置と共通部分を有している
ため、相違点のみを説明し重複する部分の説明は省略す
る。図３に示すように、本形態例のへら２１は、不図示
の加圧機構を有し、研磨パッド回転方向に凹状に湾曲し
た形状のものである。そして、研磨パッド回転方向に対
し、ドレッシング用工具１０の下流側近傍の位置で、研
磨パッド２の略半径方向に配置されている。

【００２２】また、ドレッシング用工具１０とへら２１
の間に、洗浄液供給口を研磨パッド回転方向に向けた洗
浄ノズル１５が配置されている。洗浄液としては、純
水、薬液又は研磨スラリ等を用いることができるが、研
磨スラリによる共洗いとすると、研磨パッド上のスラリ
濃度を変動させる虞がないという点で望ましい。さら
に、ここで用いる研磨スラリ供給装置７のノズル６は、
研磨パッド２の略半径方向に伸びるスリット状の研磨ス
ラリ供給口を有するものであり、研磨均一性の点で有効
である。あるいは、研磨パッド２の略半径方向に複数の
研磨スラリ供給口が開口したものであってもよい。

【００２３】次に、この化学的機械研磨装置の動作につ
いて説明する。上記の実施の形態例１と同様に、ドレッ
シング用工具１０により、研磨パッド２上にざらざらの
状態の目立て層２ａを形成する。その直後に、研磨パッ
ド２に押圧されたへら２１が、研磨パッド２上に残留し
ている研磨パッド２の削り屑や古い研磨スラリ等の不純
物１２を払い出す。へら２１が湾曲した形状であるた
め、研磨パッド２の回転により不純物１２が自動的に研
磨パッド２の外側へ押し出され、効率的な排出が可能と
なる。同時に、洗浄ノズル１５から洗浄液を噴出させ、
研磨パッド上の細かい研磨屑等も洗い流す。この洗浄液
噴出により、不純物１２の研磨パッド外への排出を促進
することができ、ウェハ４の研磨時に持ち込まれる研磨
屑を低減することができる。

【００２４】さらに、研磨スラリを研磨スラリ供給装置
７のノズル６から噴出させ、ウェハ４を研磨パッド２へ
押圧回転させウェハ４の化学的機械研磨を行う。

【００２５】以上の２例では、ドレッシング用工具１０
の近傍にへら１１又はへら２１を配置したが、同時に研
磨パッド回転方向に対しウェハ４の下流側近傍にもへら
１１へら又は２１を配置してもよい。この場合、ドレッ
シングの直前に不純物の除去が行われるので、ドレッシ
ング用工具１０による目立て層形成時に汚れが目立て層
内部に混入するのを防止する。また、以上の２例は、研
磨パッド２のドレッシングとウェハ４の研磨を同時に行
う同時ドレス方式の事例を示したが、ドレッシング工程
と研磨工程を個別に行う間欠ドレス方式に上記の各形態
例を適用してもよい。

【００２６】実施の形態例３ 本形態例は、化学的機械研磨工程に研磨スラリ溜め方式
を適用した事例であり、図５は実施の形態例３に係る化
学的機械研磨装置のドレッシング時の状態を示す概略平
面図であり、図６は図５に示す化学的機械研磨装置の研
磨時の状態を示す概略平面図であり、図７は図６のＣ−
Ｃ線断面側面図である。

【００２７】この化学的機械研磨装置は、実施の形態例
１で述べた化学的機械研磨装置と共通部分を有している
ため、相違点のみを説明し重複する部分の説明は省略す
る。図５ないし図７に示すように、本形態例では、研磨
パッド２を囲む円筒状の研磨スラリ保持用容器１６が、
研磨プレート３の外周面に当接して設けられている。研
磨スラリ保持用容器１６には、不図示の昇降機構が接続
されており、研磨プレート３の外周面に沿って昇降可能
に構成されている。また、研磨スラリ保持用容器１６が
上昇したときに、研磨プレート３と研磨スラリ保持用容
器１６との隙間を塞ぐシリコンゴム等からなる閉塞部材
（図示省略）が、研磨プレート３の外縁部に設けられて
いる。この閉塞部材は、研磨スラリ保持用容器１６側に
設けてもよい。さらに、図６及び図７に示すように、実
施の形態例１と同様な、不図示の加圧機構を有する直線
状のへら１１を具備している。

【００２８】次に、この化学的機械研磨装置の動作につ
いて説明する。まず、図５に示すように、研磨スラリ保
持用容器１６を下降した状態で、研磨スラリ供給装置７
より研磨スラリを送り出し、ノズル６から研磨パッド２
上へ研磨スラリを噴出させながら、ドレッシング用工具
１０により研磨パッド２上にざらざらの状態の目立て層
２ａを形成する。即ち、ドレッシング用工具１０は、研
磨パッド２上に例えば、１０Ｋｇｆの圧力で押圧され、
６０ｒｐｍの回転速度で回転し、微小研削刃１０ａによ
り研磨パッド２上にざらざらの状態の目立て層２ａを形
成する。その直後に、研磨パッド２に押圧されたへら１
１（図示省略）が、研磨パッド２上に残留している研磨
パッド２の削り屑や古い研磨スラリ等の不純物１２を掻
き出す。これにより、ドレッシング時に発生した研磨パ
ッド２の削り屑や使用済みの古い研磨スラリ等は、符号
１７で示すように供給した研磨スラリと共に研磨パッド
２上から排出され、削りかす等の残らない目立て層２ａ
が形成される。この時、ノズル６を符号１３で示すよう
に揺動させると、不純物の除去効率が向上する。

【００２９】研磨パッド２の削り屑の除去には、研磨ス
ラリの共洗いが望ましいものの、研磨スラリに代えて、
他のノズルから純水やアルカリ系の薬液を含んだ水溶液
等を噴出させて、不純物を洗い流してもよい。また、上
記したドレッシング時の研磨スラリ供給は、省略しても
よい。

【００３０】次に、図７に示すように、研磨スラリ保持
用容器１６を上昇させ研磨プレート上面より１ｃｍ程高
い状態にして、研磨スラリをノズル６から供給し、研磨
スラリの液面１８が研磨スラリ保持用容器１６の略上端
に達するまで注ぎ込む。次に、ウェハ４を研磨パッド２
に押圧回転させ、研磨スラリ保持用容器１６内に溜まっ
た研磨スラリによって、化学的機械研磨を行う。同時に
上述したへら１１を、例えば１Ｋｇｆの圧力で研磨パッ
ド２に押圧させ、目立て層２ａに残留する古い研磨スラ
リ等を掻き出す。このように、へら１１で目立て層２ａ
から古い研磨スラリ等を掻き出して、ノズル６より供給
される新しい研磨スラリとの置換を確実に行うことによ
り、本発明において間欠ドレス方式を採用する場合の懸
念点である、研磨パッド表面の目立て層２ａに古い研磨
スラリが残留し、次第に研磨レートが低下する点を防止
する。

【００３１】本形態例では、研磨スラリ保持用容器１６
の内部に溜めた研磨スラリによりウェハ４の化学的機械
研磨を行うので、研磨スラリの消費量を低減することが
できる。そこで、この限られた量の研磨スラリが研磨に
最も有効に働くようにしなければならないが、上述した
ように、へら１１により古い研磨スラリ等を目立て層２
ａから掻き出し、新しい研磨スラリとの置換を行うこと
により実現している。なお、長時間研磨を行う場合にお
いては、研磨スラリ保持用容器１６内に溜めた研磨スラ
リを一部排出すると同時に、新しい研磨スラリを追加す
ることにより、研磨レートの安定化や研磨面のスクラッ
チ防止が図れる。

【００３２】本形態例では、ウェハ４の研磨時及びドレ
ッシング時にへら１１による不純物除去を行ったが、ウ
ェハ４の研磨時又はドレッシング時の何れか一方に行っ
てもよいし、実施の形態例２で述べたような湾曲したへ
ら２１を使用してもよい。この場合、へら２１により掻
き出した不純物を研磨パッド外側に集め、ウェハ研磨領
域の研磨スラリの汚れを少なくすることができる。

【００３３】また、本形態例は、ドレッシング工程と研
磨工程を個別に行う間欠ドレス方式を例示したが、ドレ
ッシング工程と研磨工程を同時に行う同時ドレス方式を
採用してもよい。即ち、研磨スラリ保持用容器１６を上
昇させた状態で、研磨スラリを研磨スラリ保持用容器１
６内に溜め、ドレッシング用工具１０及びウェハ４を研
磨パッド２上に押圧回転して、ドレッシングと研磨を同
時に行うとともに、へら１１を研磨パッド上のドレッシ
ング用工具１０またはウェハ４の少なくとも一方の近傍
位置に押圧して、不純物除去を行う。

【００３４】以上、実施の形態例について詳細に述べた
が、本発明は上記形態例に限定されるものではない。例
えば、直線状又は湾曲した形状の１個のへらを例示した
が、このへらを複数個で構成し、複数個のへらを平行に
研磨パッド２の略半径方向に配置してもよい。あるい
は、研磨パッド２の半径より短い長さを有する複数個の
へらを、複数個のへらの一部がそれぞれ重なるように、
研磨パッド２の略半径方向に配置してもよい。この場
合、各へらの研磨パッド２への押し付け力を変えること
により、目立て層を損なうことなく不純物除去を行うこ
とができる。

【００３５】また、本発明は、層間絶縁膜が形成された
被処理基板の平坦化に限定されるものではなく、他の金
属配線、ポリシリコン膜等の平坦化にも適用できる。

【００３６】

【発明の効果】本発明によれば、ドレッシング又は研磨
の少なくともいずれか一方の直後に、研磨パッド上に残
留する不純物等を板状部材により掻き取り、研磨パッド
外へ排出することにより、被処理基板研磨時にこれらを
持ち込むことが防止され、研磨レートの安定化を図るこ
とができるとともに、被処理基板へのマイクロスクラッ
チの発生を大幅に低減できる。また、これら不純物を除
去することにより、新しく供給される研磨スラリが古い
研磨スラリに希釈されたり、不純物が混入することが防
止されるので、新しく供給される研磨スラリが直接研磨
に寄与し、より少量の研磨スラリで研磨の均一化が可能
となる。

【００３７】さらに、板状部材による不純物除去に加
え、研磨スラリ保持用容器による研磨スラリ溜め方式を
採用した場合は、研磨スラリコスト、廃液処理コストの
削減及び限られた資源の有効活用が可能となる。従っ
て、研磨スラリの使用量を削減すると同時に、高品質及
び高生産性が可能な化学的機械研磨方法及び化学的機械
研磨装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態例１に係る化学的機械研
磨装置を示す概略平面図。

【図２】 図１の矢印Ａ方向から見た概略側面図。

【図３】 本発明の実施の形態例２に係る化学的機械研
磨装置を示す概略平面図。

【図４】 図３の矢印Ｂ方向から見た概略側面図。

【図５】 本発明の実施の形態例３に係る化学的機械研
磨装置のドレッシング時の状態を示す概略平面図。

【図６】 図５に示す化学的機械研磨装置の研磨時の状
態を示す概略平面図。

【図７】 図６のＣ−Ｃ線断面側面図。

【図８】 従来の化学的機械研磨装置を示す概略断面
図。

【符号の説明】

１…研磨プレート回転軸、２…研磨パッド、２ａ…目立
て層、３…研磨プレート、４…ウェハ、５…キャリア、
６…ノズル、７…研磨スラリ供給装置、８…キャリア回
転軸、９…研磨圧力調整機構、１０…ドレッシング用工
具、１０ａ…微小研削刃、１１，２１…へら、１２…不
純物、１３…揺動方向、１４…研磨スラリ、１５…洗浄
ノズル、１６…研磨スラリ保持用容器、１８…研磨スラ
リ液面

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 研磨パッドをドレッシングして目立て層
   を形成するドレッシング工程と、 段差を有する被処理基板表面を前記研磨パッドに押圧さ
   せて、化学的機械研磨により平坦化を行う化学的機械研
   磨工程とを有する化学的機械研磨方法において、 剛性又は弾性を有する材料からなる板状部材を前記研磨
   パッド上に押圧し、前記研磨パッドの目立て層に残留す
   る不純物を掻き出す工程を、 前記ドレッシング工程または前記化学的機械研磨工程の
   少なくともいずれか一方の直後に施すことを特徴とする
   化学的機械研磨方法。
2. 【請求項２】 前記ドレッシング工程と前記化学的機械
   研磨工程とを同時に行うことを特徴とする請求項１記載
   の化学的機械研磨方法。
3. 【請求項３】 前記化学的機械研磨工程は、前記研磨パ
   ッドの外周を囲む研磨スラリ保持用容器内に研磨スラリ
   を溜めて行うことを特徴とする請求項１または２記載の
   化学的機械研磨方法。
4. 【請求項４】 回転駆動される研磨プレートに接着され
   た研磨パッドと、 前記研磨パッドをドレッシングするドレッシング手段
   と、 前記研磨パッド上に研磨スラリを供給する研磨スラリ供
   給手段とを具備し、 段差を有する被処理基板表面を前記研磨パッドに押圧さ
   せて、化学的機械研磨により平坦化を行う化学的機械研
   磨装置において、 剛性又は弾性を有する材料からなる板状部材を、前記ド
   レッシング手段または前記被処理基板の少なくともいず
   れか一方の近傍で、前記研磨パッドの略半径方向に配置
   したことを特徴とする化学的機械研磨装置。
5. 【請求項５】 前記板状部材は、直線状であることを特
   徴とする請求項４記載の化学的機械研磨装置。
6. 【請求項６】 前記板状部材は、前記研磨パッドの回転
   方向に凹状に湾曲していることを特徴とする請求項４記
   載の化学的機械研磨装置。
7. 【請求項７】 前記板状部材は、複数個で構成されるこ
   とを特徴とする請求項５または６記載の化学的機械研磨
   装置。
8. 【請求項８】 前記化学的機械研磨装置は、さらに、前
   記研磨プレートの外周面に沿って昇降可能な研磨スラリ
   保持用容器を有することを特徴とする請求項４記載の化
   学的機械研磨装置。