JP2001133641A - 光導波路素子 - Google Patents

光導波路素子

Info

Publication number
JP2001133641A
JP2001133641A JP31514699A JP31514699A JP2001133641A JP 2001133641 A JP2001133641 A JP 2001133641A JP 31514699 A JP31514699 A JP 31514699A JP 31514699 A JP31514699 A JP 31514699A JP 2001133641 A JP2001133641 A JP 2001133641A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical waveguide
electrode
substrate
multilayer structure
waveguide device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP31514699A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4754670B2 (ja
Inventor
Toru Sugamata
徹 菅又
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Osaka Cement Co Ltd filed Critical Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Priority to JP31514699A priority Critical patent/JP4754670B2/ja
Publication of JP2001133641A publication Critical patent/JP2001133641A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4754670B2 publication Critical patent/JP4754670B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 変調用電極を厚く形成した場合においても基
板から剥離することなく、変調周波数の広帯域化を達成
して高速変調することが可能な光導波路素子を提供す
る。 【解決手段】 電気光学効果を有する基板1上におい
て、光導波路2−1及び2−2中を導波する光波を変調
するための、信号電極4及び接地電極5−1、5−2
を、金属層及び誘電体層とが基板1の主面1Aと垂直な
方向において交互に積層してなる、周期的多層構造から
構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光導波路素子に関
し、さらに詳しくは、高速・大容量の光ファイバ通信シ
ステムの導波路型光変調器、位相変調器、及び偏波スク
ランブラなどに好適に用いることのできる光導波路素子
に関する。
【0002】
【従来の技術】近年の高速・大容量光ファイバ通信シス
テムにおける進歩に伴い、広帯域特性及び低チャープ特
性、並びに伝搬損失が小さいなどの理由から、従来のレ
ーザダイオードの直接変調に代わって、ニオブ酸リチウ
ム(LiNbO3 :以下、LNと略す場合がある)を
用いた導波路型の外部変調器の実用化が進められてい
る。そして、このような導波路型の光変調器において
も、さらなる高速変調が求められており、このため、導
波路型光変調器の広帯域化が要求されるようになってき
ている。
【0003】このような要求に答えるべく、特開平1−
91111号公報においては、基板の主面上に形成され
た光導波路中を導波する光波を変調するための変調用電
極において、これらを構成する電極の厚さをこれら電極
の間隔よりも大きくすることが記載されている。しかし
ながら、電極の厚さをある一定以上にすると、電極内部
に発生した内部応力によって電極が基板から剥離してし
まうという問題があった。かかる問題に対処すべく、特
開平9−297288号公報においては、変調用電極の
所定の部分において基板面に平行な凸部を形成し、変調
用電極の基板との密着性を向上させるとともに、変調用
電極内部に発生した応力を緩和し、これによって、変調
用電極の厚さが大きくなった場合においても基板から剥
離しないようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
9−297288号公報に記載された方法では、変調用
電極間にインピーダンス不整合が生じてしまう場合があ
った。このため、導波路型光変調器の広帯域化を目的と
して変調用電極を厚く形成しても、上記インピーダンス
不整合によって、目的とする広帯域化を実現することが
できないでいた。
【0005】本発明は、変調用電極を厚く形成した場合
においても基板から剥離することなく、変調周波数の広
帯域化を達成して高速変調することが可能な光導波路素
子を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、
本発明の光導波路素子は、相対向する一対の主面を有
し、電気光学効果を具える材料からなる基板と、この基
板の一方の主面側に形成された光導波路と、前記基板の
前記一方の主面上に形成され、前記光導波路を導波する
光波を制御するための進行波型電極とを具えた光導波路
素子において、前記進行波型電極の少なくとも一部を、
金属層と誘電体層とが交互に積層されてなる周期的多層
構造から構成する。
【0007】従来のように単一層から進行波型電極を構
成すると、電極作製時における応力又は光導波路素子の
駆動時における熱などに起因して発生した応力は、ほと
んど緩和されることなく前記電極内部に蓄積されてい
く。これに対し、進行波型電極の少なくとも一部を上記
のような周期的多層構造から構成すると、各層間の界面
における伸縮作用によって電極内部に発生した応力が緩
和されるようになる。したがって、電極作製時又は光導
波路素子の駆動時における熱などに起因して発生した応
力は、多層構造内の複数の界面においてほとんど完全に
緩和されてしまう。
【0008】その結果、進行波型電極内部に応力はほと
んど蓄積されず、進行波型電極を厚く形成した場合にお
いても、この電極の少なくとも一部が多層構造から構成
されている限り、その内部応力によって基板から剥離す
ることはなくなる。このため、進行波型電極を厚く形成
して光導波路素子の広帯域化を達成することができ、高
速変調が可能となる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面と関連させな
がら、発明の実施の形態に即して詳細に説明する。図1
は、本発明の光導波路素子の好ましい態様を示す断面図
である。図1に示す光導波路素子10は、相対向する一
対の主面1A及び1Bを有し、電気光学効果を具える材
料からなる基板1と、基板1の主面1A側においてマッ
ハツエンダー型光導波路の2本の分岐光導波路に相当す
る光導波路2−1及び2−2とを具えている。そして、
基板1の主面1A上にはバッファ層3が形成されるとと
もに、バッファ層3上には進行波型電極を構成する信号
電極4及び接地電極5−1、5−2が形成されている。
信号電極4及び接地電極5−1、5−2は、それぞれ金
属層6と誘電体層7とが、基板1の主面1Aと垂直な方
向に交互に積層された周期的積層構造をなしている。
【0010】一般に、進行波型電極は金属材料から構成
されるので、この進行波型電極に印加される外部変調信
号であるマイクロ波の周波数が増大してくると、電極を
伝搬するマイクロ波の表皮効果が増大して実質的な抵抗
が増す。したがって、マイクロ波伝搬損失が増大して変
調帯域が狭くなってしまう。これに対して進行波型電極
を本発明にしたがって金属層と誘電体層との周期的多層
構造にすると、金属層の表面積が増大する。したがっ
て、マイクロ波の表皮効果が緩和されるため、マイクロ
波伝搬損失は減少する。このため、高周波数のマイクロ
波による変調が可能となるため、光導波路素子の変調帯
域を拡大することができるものである。すなわち、上記
目的に対して光導波路素子の広帯域化という追加の効果
をも得ることができる。
【0011】図2は、図1に示す光導波路素子の変形例
を示す断面図である。図2に示す光導波路素子20は、
接地電極15−1及び15−2が単一層からなることを
除き、図1に示す光導波路素子10と同様の構成を呈し
ている。進行波型電極を構成する信号電極及び接地電極
においては、それらを厚く形成した場合において、基板
側(図1及び2においてはバッファ層3)と接触する面
積が小さい信号電極の剥離する割合が増大する。また、
周期的多層構造を作製するに当たっては、高精度な装置
を用いたとしても高い再現性の元に製造することは困難
である。
【0012】したがって、図2に示すように、進行波型
電極を金属層と誘電体層とが交互に積層されてなる周期
的多層構造から構成する場合においては、信号電極のみ
をこのような周期的多層構造から構成することによって
も、本発明の目的を十分に達成することができる。さら
に、信号電極のみを周期的多層構造から構成することに
より、電極作製の精度を向上させることができるだけで
なく、マイクロ波の伝搬損失を低減させることができ
る。
【0013】図1及び2に示すような周期的多層構造か
ら進行波型電極を構成する場合、金属層と誘電体層との
周期T1は1μm〜10μmの厚さであることが好まし
く、さらには3μm〜6μmの厚さであることが好まし
い。これによって、進行波型電極の内部応力を緩和し
て、この進行波型電極を厚く形成することができるとと
もに、金属層の表面積を増大させてマイクロ波誘電損失
を低減することができる。したがって、より高い周波数
のマイクロ波での変調が可能となり、光導波路素子の広
帯域化をさらに増大させることができる。
【0014】また、上記1周期に占める金属層の割合
は、50〜90%であることが好ましい。これによっ
て、マイクロ波の伝搬損失を増大させることなく、上述
した広帯域化を達成することができる。なお、本発明に
おける厚い進行波型電極とは10μm〜100μm程度
の厚さのものをいう。したがって、進行波型電極を周期
的多層構造から構成する場合、金属層と誘電体層とを2
〜10周期分積層して形成する。
【0015】図3は、図1に示す光導波路素子の他の変
形例を示す断面図である。図3に示す光導波路素子30
は、進行波型電極を構成する信号電極24及び接地電極
25−1、25−2が、基板1の主面1Aと平行な方向
に金属層26及び誘電体層27が積層された周期的多層
構造を呈する点で、図1に示す光導波路素子10と相違
している。
【0016】図3に示すように、進行波型電極の積層方
向を基板の主面と平行となるように形成することにより
応力緩和の効果が増長され、電極厚さの自由度が増大す
る。すなわち、基板の主面に垂直な方向に積層された周
期的多層構造からなる進行波型電極と比較して応力緩和
の効果が大きいので、電極厚みを大きくして光導波路素
子のさらなる広帯域化を達成することができる。このよ
うに大きな応力緩和は、進行波型電極が基板の主面に垂
直な方向に分断された構造を呈するため、各層自体が基
板側に接触して生じる各層自体の応力緩和効果と垂直界
面によって増長された応力緩和効果との相乗効果による
ものと推定される。
【0017】また、周期的多層構造を構成する複数の金
属層が基板側と直に接するようになるため、光導波路中
を導波する光波に対する変調効率が増大する。さらには
マイクロ波の実効屈折率を下げる効果が期待され、変調
帯域をより拡大することが可能となる。
【0018】図4に示す光導波路素子は、図2及び3に
示す光導波路素子の変形例である。図4に示す光導波路
素子40は、進行波型電極を構成する信号電極24が、
基板1の主面1Aと平行な方向に金属層と誘電体層とが
積層されてなる周期的多層構造からなる点で、図2に示
す光導波路素子20と異なる。また、信号電極24のみ
が周期的積層構造を呈する点で、図3に示す光導波路素
子30と異なる。
【0019】図2に示す光導波路素子20に対して図4
に示す光導波路素子40は、図1に示す光導波路素子1
0に対して図3に示す光導波路素子30が得られる効果
と同様の効果を得ることができる。すなわち、電極厚み
をさらに大きくすることによる光導波路素子の広帯域化
と、光導波路中を導波する光波の変調効率を向上させる
ことができる。さらには、マイクロ波の実効屈折率の低
減により光導波路素子の変調帯域をより拡大することが
できる。
【0020】図3に示す光導波路素子30に対する図4
に示す光導波路素子40は、図1に示す光導波路素子1
0に対して図2に示す光導波路素子20が得られる効果
と同様の効果を得ることができる。すなわち、周期的多
層構造からなる進行波型電極を再現性よく作製すること
ができるとともに、電極作製の精度の向上及びマイクロ
波の伝搬損失低減という追加の効果をも得ることができ
る。なお、図3及び4に示す周期的多層構造の周期T2
は、図1及び2に示す周期的多層構造と同じであること
が好ましい。
【0021】図1及び2に示すような、金属層と誘電体
層とが基板の主面に垂直な方向に積層されてなる周期的
多層構造は、2元スパッタリング法や2元蒸着法など公
知の成膜方法とドライエッチングやケミカルエッチング
などの公知のエッチング方法を併用することによって形
成することができる。すなわち、基板上(図1及び2に
おいてはバッファ層3上)に、上記成膜方法によって金
属層と誘電体層とからなる周期的多層構造を全体に亘っ
て一様に形成した後、この周期的多層構造上に所定の形
状を有するマスクを形成する。その後、このマスクを介
して上記エッチングにより所定部分を除去し、周期的多
層構造からなる進行波型電極を形成するものである。
【0022】また、図3及び4に示すような、金属層と
誘電体層とが基板の主面に平行な方向に積層されてなる
周期的多層構造は、次のようにして形成することができ
る。最初に、基板1の主面1A上にレジストを一様に厚
く(約30μm)塗布する。次いで、このレジストに対
してストライプ状の電極パターンを露光し、現像する。
その後、電界メッキにて前記電極パターンの凹部に金属
層を形成する。次いで、残ったレジストを除去すること
により前記金属層間に形成された凹部内に、例えばゾル
状のSiOを充填し、加熱固化することにより誘電体
層を形成する。
【0023】金属層を構成する材料は特に限定されるも
のではないが、抵抗の小さいAu、Ag、Pt、及びC
uなどを用いることができる。誘電体層を構成する材料
についても特に限定されるものではないが、誘電率がな
るべく小さいことが好ましく、SiO、Al
及びMgFを例示することができる。
【0024】なお、基板を構成する電気光学効果を有す
る材料には、ニオブ酸リチウム(LiNbO)、タン
タル酸リチウム(LiTaO)、及びジルコン酸チタ
ン酸鉛ランタン(PLZT)などを用いることができ
る。しかしながら、良質の光導波路を得易いなどの理由
からニオブ酸リチウムを用いることが好ましい。
【0025】なお、図1〜4に示す光導波路素子では、
進行波型電極を構成する信号電極及び接地電極の全体を
周期的多層構造から構成しているが、信号電極などのす
くなくとも一部を周期的多層構造にすることによっても
本発明の目的を十分に達成することができる。
【0026】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説
明する。 (実施例)本実施例では、図1に示すような光導波路素
子10を作製した。基板1としてニオブ酸リチウムのZ
カット板を用い、この基板1の主面1A上に、スピンコ
ータを用いてフォトレジストを0.5μmの厚さに形成
した後、露光及び現像処理を行って、現像幅7μmの光
導波路パターンを形成した。次いで、この光導波路パタ
ーン上に、蒸着法によってチタンからなる層を厚さ80
0Åに形成し、電気炉中で1000℃、10時間の熱処
理を行って前記チタンを基板1中に拡散させ、幅9μm
の光導波路2―1及び2−2を形成した。次いで、基板
1の主面1A上に真空蒸着法によってSiOからなる
バッファ層3を厚さ1μmに形成した。
【0027】その後、バッファ層3上に、蒸着法によっ
てチタン層を厚さ0.05μmに形成した。次いで、2
元スパッタリング法を用いて、Au金属層とSiO
電体層とをそれぞれの厚さが4μm、1μm(したがっ
て、周期T1は5μm)となるように各4層ずつ(4周
期分)積層させ、全体の厚さが20μmの周期的多層構
造をバッファ層3の全体に亘って一様に形成した。次い
で、この周期的多層構造上にポリイミドからなるマスク
を形成し、ドライエッチングとケミカルエッチングとを
併用して、前記周期的多層構造の所定部分をバッファ層
3が露出するまで除去し、信号電極4及び接地電極5−
1、5−2を形成して、光導波路素子10を得た。
【0028】本実施例における光導波路素子において
は、粘着テープを用いたテープ剥離試験を実施しても信
号電極及び接地電極は剥離しなかった。
【0029】(比較例)本比較例においては、図1に示
す光導波路素子10における信号電極4及び接地電極5
−1、5−2を単一のAu金属層から形成した以外は、
実施例と同様にして光導波路素子を作製した。また、信
号電極などの寸法についても実施例と同様にした。得ら
れた光導波路素子の信号電極及び接地電極にテープ剥離
試験を実施したところ、これらはバッファ層3から容易
に剥離した。
【0030】すなわち、本発明によれば、光導波路素子
の帯域幅を向上させる目的で進行波型電極の厚みを大き
くした場合においても、かかる電極の剥離を生じる事な
く、目的とする広帯域化を達成することができる。
【0031】以上、具体例を挙げながら発明の実施の形
態に基づいて本発明を詳細に説明したが、本発明は上記
内容に限定されるものではなく、本発明の範疇逸脱しな
い限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光導波路
素子は、進行波型電極の少なくとも一部を複数の層が積
層してなる多層構造としているので、進行波型電極を厚
く形成した場合においても基板から剥離することがな
い。したがって、進行波型電極の厚みを十分に厚くして
光導波路素子の変調帯域幅を拡大することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の光導波路素子の好ましい態様を示す
断面図である。
【図2】 図1に示す光導波路素子の変形例である。
【図3】 図1に示す光導波路素子の他の変形例であ
る。
【図4】 図2及び3に示す光導波路素子の変形例であ
る。
【符号の説明】
1 基板 1A、1B 基板の主面 2―1、2−2 光導波路 3 バッファ層 4、24 信号電極 5−1、5−2、15−1、15−2、25−1、25
−2 接地電極 6、26 金属層 7、27 誘電体層 10、20、30、40 光導波路素子 T1、T2 周期的多層構造の積層周期

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 相対向する一対の主面を有し、電気光学
    効果を具える材料からなる基板と、この基板の一方の主
    面側に形成された光導波路と、前記基板の前記一方の主
    面上に形成され、前記光導波路を導波する光波を制御す
    るための進行波型電極とを具えた光導波路素子であっ
    て、 前記進行波型電極の少なくとも一部は、金属層と誘電体
    層とが交互に積層されてなる周期的多層構造であること
    を特徴とする、光導波路素子。
  2. 【請求項2】 前記進行波型電極は信号電極と接地電極
    とからなり、前記信号電極及び前記接地電極の少なくと
    も一方が、金属層及び誘電体層が交互に積層されてなる
    周期的多層構造から構成されていることを特徴とする、
    請求項1に記載の光導波路素子。
  3. 【請求項3】 前記信号電極を、金属層及び誘電体層が
    交互に積層されてなる周期的多層構造から構成したこと
    を特徴とする、請求項2に記載の光導波路素子。
  4. 【請求項4】 前記電気光学効果を具える材料は、ニオ
    ブ酸リチウムであることを特徴とする、請求項1〜3の
    いずれか一に記載の光導波路素子。
JP31514699A 1999-11-05 1999-11-05 光導波路素子 Expired - Lifetime JP4754670B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31514699A JP4754670B2 (ja) 1999-11-05 1999-11-05 光導波路素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31514699A JP4754670B2 (ja) 1999-11-05 1999-11-05 光導波路素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001133641A true JP2001133641A (ja) 2001-05-18
JP4754670B2 JP4754670B2 (ja) 2011-08-24

Family

ID=18061976

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31514699A Expired - Lifetime JP4754670B2 (ja) 1999-11-05 1999-11-05 光導波路素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4754670B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016071250A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 住友大阪セメント株式会社 電極付き基板
JP2017045012A (ja) * 2015-08-28 2017-03-02 日本電信電話株式会社 光変調器

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06300994A (ja) * 1993-04-13 1994-10-28 Nec Corp 導波形光デバイス
JPH07336118A (ja) * 1994-06-06 1995-12-22 Murata Mfg Co Ltd 薄膜積層電極の製造方法
JPH08167804A (ja) * 1994-12-14 1996-06-25 Murata Mfg Co Ltd 高周波電磁界結合型薄膜積層電極、高周波伝送線路、高周波共振器、高周波フィルタ、高周波デバイス及び高周波電磁界結合型薄膜積層電極の膜厚設定方法
JPH08271844A (ja) * 1995-03-29 1996-10-18 Nec Corp 光変調器及びその製造方法
JPH08298267A (ja) * 1995-04-26 1996-11-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH0964609A (ja) * 1995-08-23 1997-03-07 Murata Mfg Co Ltd 薄膜積層電極及びその製造方法
JPH0993005A (ja) * 1995-09-22 1997-04-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波回路用電極及びこれを用いた伝送線路、共振器
JPH09199911A (ja) * 1996-01-23 1997-07-31 Murata Mfg Co Ltd 薄膜多層電極、高周波共振器及び高周波伝送線路
JPH09297289A (ja) * 1996-05-08 1997-11-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光制御デバイスとその動作方法
JPH1013112A (ja) * 1996-06-26 1998-01-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波共振器及びその作製方法
JPH1039266A (ja) * 1995-11-28 1998-02-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光制御デバイス
JPH1174288A (ja) * 1997-08-27 1999-03-16 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH1172760A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Fujitsu Ltd 光導波路モジュール

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06300994A (ja) * 1993-04-13 1994-10-28 Nec Corp 導波形光デバイス
JPH07336118A (ja) * 1994-06-06 1995-12-22 Murata Mfg Co Ltd 薄膜積層電極の製造方法
JPH08167804A (ja) * 1994-12-14 1996-06-25 Murata Mfg Co Ltd 高周波電磁界結合型薄膜積層電極、高周波伝送線路、高周波共振器、高周波フィルタ、高周波デバイス及び高周波電磁界結合型薄膜積層電極の膜厚設定方法
JPH08271844A (ja) * 1995-03-29 1996-10-18 Nec Corp 光変調器及びその製造方法
JPH08298267A (ja) * 1995-04-26 1996-11-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH0964609A (ja) * 1995-08-23 1997-03-07 Murata Mfg Co Ltd 薄膜積層電極及びその製造方法
JPH0993005A (ja) * 1995-09-22 1997-04-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波回路用電極及びこれを用いた伝送線路、共振器
JPH1039266A (ja) * 1995-11-28 1998-02-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光制御デバイス
JPH09199911A (ja) * 1996-01-23 1997-07-31 Murata Mfg Co Ltd 薄膜多層電極、高周波共振器及び高周波伝送線路
JPH09297289A (ja) * 1996-05-08 1997-11-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光制御デバイスとその動作方法
JPH1013112A (ja) * 1996-06-26 1998-01-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波共振器及びその作製方法
JPH1174288A (ja) * 1997-08-27 1999-03-16 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH1172760A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Fujitsu Ltd 光導波路モジュール

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016071250A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 住友大阪セメント株式会社 電極付き基板
JP2017045012A (ja) * 2015-08-28 2017-03-02 日本電信電話株式会社 光変調器

Also Published As

Publication number Publication date
JP4754670B2 (ja) 2011-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4443011B2 (ja) 進行波型光変調器
EP1542063B1 (en) Mechanical stress reduction in an electro-optical optical modulator
JP2713087B2 (ja) 導波形光デバイス
US7167607B2 (en) Symmetric optical modulator with low driving voltage
JP2001066561A (ja) 進行波形光変調器
JP2928129B2 (ja) 光変調器及びその製造方法
JPH1039266A (ja) 光制御デバイス
JPH09211402A (ja) 広帯域光変調素子
JP2001235714A (ja) 進行波形光変調器およびその製造方法
US7088874B2 (en) Electro-optic devices, including modulators and switches
JP3995537B2 (ja) 光変調器
JP4587509B2 (ja) 導波路型光変調器
JP2002122834A (ja) 光導波路素子
JP4754670B2 (ja) 光導波路素子
JP3362126B2 (ja) 光導波路素子
JP3362105B2 (ja) 導波路型光変調器
JP2717980B2 (ja) 集積化光導波路デバイス
JPH04172316A (ja) 導波型光制御デバイス
JP2000122016A (ja) 導波路型光変調器
JP2001004967A (ja) 光導波路素子
JP2581486B2 (ja) 光導波路素子およびその製造方法
JP4269546B2 (ja) 光変調器
JP2773492B2 (ja) 進行波電極形導波形光デバイス
JP2004245991A (ja) 光導波路デバイスおよび光導波路デバイスと光伝送部材との結合構造
JPH11237593A (ja) 光変調器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060620

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070220

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091125

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091208

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20091215

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100817

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101018

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110524

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110526

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140603

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4754670

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

EXPY Cancellation because of completion of term