JP2001123139A - 半導体加工用粘着テープ - Google Patents
半導体加工用粘着テープInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 夏場と冬場で洗浄水の水温の厳しい温度管理
が不要であり、さらにダイシング工程で使用する場合に
は半導体ウエハ切断時にチップ飛びやチップ割れ・かけ
が発生することなく、また表面保護工程で使用する場合
には半導体ウェハ剥離後におけるウェハの汚染が少なく
加工できる半導体加工用テープを提供する。 【解決手段】 下記一般式（１）の（メタ）アクリル酸
エステルを少なくとも２種類以上含有する（メタ）アク
リル酸エステルモノマー ＣＨ2＝ＣＲ1ＣＯＯＲ2 ………（１） （Ｒ1はＨまたはＣＨ3、Ｒ2は主鎖が炭素数１２以上の
アルキル基） ９０〜９９重量％並びに上記一般式（１）以外の（メ
タ）アクリル酸誘導体モノマー１〜１０重量％を共重合
して得られたベースポリマーを主成分とし、ＤＳＣで測
定された第１次溶融転移温度が１０℃〜３０℃であり、
その融解範囲が２０〜４０Ｋである粘着剤層がフィルム
状支持体上に形成されていることを特徴とする半導体加
工用粘着テープ。
が不要であり、さらにダイシング工程で使用する場合に
は半導体ウエハ切断時にチップ飛びやチップ割れ・かけ
が発生することなく、また表面保護工程で使用する場合
には半導体ウェハ剥離後におけるウェハの汚染が少なく
加工できる半導体加工用テープを提供する。 【解決手段】 下記一般式（１）の（メタ）アクリル酸
エステルを少なくとも２種類以上含有する（メタ）アク
リル酸エステルモノマー ＣＨ2＝ＣＲ1ＣＯＯＲ2 ………（１） （Ｒ1はＨまたはＣＨ3、Ｒ2は主鎖が炭素数１２以上の
アルキル基） ９０〜９９重量％並びに上記一般式（１）以外の（メ
タ）アクリル酸誘導体モノマー１〜１０重量％を共重合
して得られたベースポリマーを主成分とし、ＤＳＣで測
定された第１次溶融転移温度が１０℃〜３０℃であり、
その融解範囲が２０〜４０Ｋである粘着剤層がフィルム
状支持体上に形成されていることを特徴とする半導体加
工用粘着テープ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種半導体を製造
する際のバックグラインド工程において、工程中では半
導体ウエハの回路パターンが形成された面を保護しかつ
工程終了後には容易にバックグラインドされた半導体ウ
エハから剥離できる粘着テープ、及びパターンを形成し
た半導体ウエハを一つ一つのパターン毎に裁断し半導体
素子として分割するダイシング工程で使用する半導体ウ
エハ固定用の粘着テープに関するものである。
する際のバックグラインド工程において、工程中では半
導体ウエハの回路パターンが形成された面を保護しかつ
工程終了後には容易にバックグラインドされた半導体ウ
エハから剥離できる粘着テープ、及びパターンを形成し
た半導体ウエハを一つ一つのパターン毎に裁断し半導体
素子として分割するダイシング工程で使用する半導体ウ
エハ固定用の粘着テープに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体を製造する際のバックグラ
インド工程では、通常、回路パターンが形成されたウエ
ハの裏面を研削して、用途に応じた厚さに調製すること
が行われている。例えば、５〜８インチφのウエハで
は、厚さ７００μｍ程度に研削される。ウエハ裏面の研
削を行なう際には、ウエハが破損したり、回路形成面が
汚染することを防ぐため、回路パターン面に粘着テープ
を貼着する方法が知られている。半導体表面保護用粘着
テープは、一般に基材フィルム上に粘着剤層を設けてな
るものであり、研削時には回路パターン面を保護するた
めに十分な粘着力を有し、かつ剥離時には容易に剥離で
きることが求められている。また回路パターンの形成さ
れた半導体ウエハを素子小片に切断分離するダイシング
加工を行なう場合において、ダイシング加工時は強粘着
力を有し、半導体ウエハを素子小片に切断分離後、素子
固定粘着力を大幅に低下させ、容易に素子小片をピック
アップする事が出来るようにすることが行われている。
インド工程では、通常、回路パターンが形成されたウエ
ハの裏面を研削して、用途に応じた厚さに調製すること
が行われている。例えば、５〜８インチφのウエハで
は、厚さ７００μｍ程度に研削される。ウエハ裏面の研
削を行なう際には、ウエハが破損したり、回路形成面が
汚染することを防ぐため、回路パターン面に粘着テープ
を貼着する方法が知られている。半導体表面保護用粘着
テープは、一般に基材フィルム上に粘着剤層を設けてな
るものであり、研削時には回路パターン面を保護するた
めに十分な粘着力を有し、かつ剥離時には容易に剥離で
きることが求められている。また回路パターンの形成さ
れた半導体ウエハを素子小片に切断分離するダイシング
加工を行なう場合において、ダイシング加工時は強粘着
力を有し、半導体ウエハを素子小片に切断分離後、素子
固定粘着力を大幅に低下させ、容易に素子小片をピック
アップする事が出来るようにすることが行われている。
【０００３】これらの課題を解決する方法として、バッ
クグラインド加工時またはダイシング加工時は粘着力が
高く剥離のおそれなく加工でき、加工終了後は冷却する
ことにより剥離が容易な粘着テープが特開平７−２６３
３８１号公報、特開平９−２４９８５８号公報、特開平
１０−３１０７４９号公報に開示されている。特開平７
−２６３３８１号公報、特開平９−２４９８５８号公報
に記載の粘着テープは、フィルム状支持体上に粘着層と
して、融点範囲が１５Ｋより狭い側鎖結晶性ポリマーを
用いたものであり、室温以下の温度ではこのポリマーが
結晶化しほぼ非粘着性、またそれより上の温度ではこの
ポリマーが融解し粘着性を発現させる原理を利用したも
のである。一般にダイシング加工時には高速でウエハを
切断することが行われ、バックグラインド加工時にはグ
ラインダー（砥石）で高速でウエハを研削するため発熱
する。そのため水冷処理により発熱の除去が行われる
が、その水温の厳密な温度管理は困難であり、冬場と夏
場の水温は異なる。したがって上記の側鎖結晶性ポリマ
ーを粘着層に有するテープは冬場では洗浄時の粘着性が
消失し密着不足になる一方で、夏場は剥離時に粘着剤が
凝集破壊し、ウエハ表面や素子表面への粘着剤の汚染が
著しい場合がある。
クグラインド加工時またはダイシング加工時は粘着力が
高く剥離のおそれなく加工でき、加工終了後は冷却する
ことにより剥離が容易な粘着テープが特開平７−２６３
３８１号公報、特開平９−２４９８５８号公報、特開平
１０−３１０７４９号公報に開示されている。特開平７
−２６３３８１号公報、特開平９−２４９８５８号公報
に記載の粘着テープは、フィルム状支持体上に粘着層と
して、融点範囲が１５Ｋより狭い側鎖結晶性ポリマーを
用いたものであり、室温以下の温度ではこのポリマーが
結晶化しほぼ非粘着性、またそれより上の温度ではこの
ポリマーが融解し粘着性を発現させる原理を利用したも
のである。一般にダイシング加工時には高速でウエハを
切断することが行われ、バックグラインド加工時にはグ
ラインダー（砥石）で高速でウエハを研削するため発熱
する。そのため水冷処理により発熱の除去が行われる
が、その水温の厳密な温度管理は困難であり、冬場と夏
場の水温は異なる。したがって上記の側鎖結晶性ポリマ
ーを粘着層に有するテープは冬場では洗浄時の粘着性が
消失し密着不足になる一方で、夏場は剥離時に粘着剤が
凝集破壊し、ウエハ表面や素子表面への粘着剤の汚染が
著しい場合がある。
【０００４】近年、ダイシングするチップが小片化・薄
型化の方向にあり、上記ダイシング工程の半導体ウエハ
切断時にチップ飛びやチップ割れ・かけが発生し、所謂
チッピングが起こる。このチッピングを防ぐ方法として
粘着力を増大させてウエハを保持する方法もあるが、粘
着力を上げることは冷却剥離時におけるウェハ表面への
汚染を起こすことがあり、この点の改良も大きな問題と
なっていた。また、半導体集積回路の大容量化及び高集
積化等によるチップの高性能化が図られるに伴い、チッ
プ裏面の汚染も半導体集積回路の電気特性に影響を与え
られることが危惧されており、このため、半導体ウエハ
表面保護粘着テ−プには、よりチップの裏面への汚染が
少ないものが望まれている。
型化の方向にあり、上記ダイシング工程の半導体ウエハ
切断時にチップ飛びやチップ割れ・かけが発生し、所謂
チッピングが起こる。このチッピングを防ぐ方法として
粘着力を増大させてウエハを保持する方法もあるが、粘
着力を上げることは冷却剥離時におけるウェハ表面への
汚染を起こすことがあり、この点の改良も大きな問題と
なっていた。また、半導体集積回路の大容量化及び高集
積化等によるチップの高性能化が図られるに伴い、チッ
プ裏面の汚染も半導体集積回路の電気特性に影響を与え
られることが危惧されており、このため、半導体ウエハ
表面保護粘着テ−プには、よりチップの裏面への汚染が
少ないものが望まれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、夏場と冬場
で洗浄水の水温の厳しい温度管理が不要であり、さらに
ダイシング工程で使用する場合には半導体ウエハ切断時
にチップ飛びやチップ割れ・かけが発生することなく、
また表面保護工程で使用する場合には半導体ウェハ剥離
後におけるウェハの汚染が少なく加工できる半導体加工
用テープを提供することを目的とする。
で洗浄水の水温の厳しい温度管理が不要であり、さらに
ダイシング工程で使用する場合には半導体ウエハ切断時
にチップ飛びやチップ割れ・かけが発生することなく、
また表面保護工程で使用する場合には半導体ウェハ剥離
後におけるウェハの汚染が少なく加工できる半導体加工
用テープを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するために、鋭意検討した結果、特定の第１次溶
融転移温度および融解範囲を有する側鎖結晶性の共重合
体を主成分とした材料を粘着剤層に有するテープがダイ
シング工程およびバックグラインド工程で使用される冷
却水の１年間を通じた温度変化に関係なく使用でき、ダ
イシング工程においては半導体チップ飛散を防止でき、
また表面保護工程においては回路面の汚染を低減するこ
とができることを見いだし、本発明を完成するに至っ
た。
を達成するために、鋭意検討した結果、特定の第１次溶
融転移温度および融解範囲を有する側鎖結晶性の共重合
体を主成分とした材料を粘着剤層に有するテープがダイ
シング工程およびバックグラインド工程で使用される冷
却水の１年間を通じた温度変化に関係なく使用でき、ダ
イシング工程においては半導体チップ飛散を防止でき、
また表面保護工程においては回路面の汚染を低減するこ
とができることを見いだし、本発明を完成するに至っ
た。
【０００７】すなわち本発明においては、下記一般式
（１）の（メタ）アクリル酸エステルを少なくとも２種
類以上含有する（メタ）アクリル酸エステルモノマー ＣＨ2＝ＣＲ1ＣＯＯＲ2 ………（１） （Ｒ1はＨまたはＣＨ3、Ｒ2は主鎖が炭素数１２以上の
アルキル基） ９０〜９９重量％並びに上記一般式（１）以外の（メ
タ）アクリル酸誘導体モノマー１〜１０重量％を共重合
して得られたベースポリマーを主成分とし、ＤＳＣで測
定された第１次溶融転移温度が１０℃〜３０℃であり、
その融解範囲が２０〜４０Ｋである粘着剤層がフィルム
状支持体上に形成されていることを特徴とする半導体加
工用粘着テープ、が提供される。
（１）の（メタ）アクリル酸エステルを少なくとも２種
類以上含有する（メタ）アクリル酸エステルモノマー ＣＨ2＝ＣＲ1ＣＯＯＲ2 ………（１） （Ｒ1はＨまたはＣＨ3、Ｒ2は主鎖が炭素数１２以上の
アルキル基） ９０〜９９重量％並びに上記一般式（１）以外の（メ
タ）アクリル酸誘導体モノマー１〜１０重量％を共重合
して得られたベースポリマーを主成分とし、ＤＳＣで測
定された第１次溶融転移温度が１０℃〜３０℃であり、
その融解範囲が２０〜４０Ｋである粘着剤層がフィルム
状支持体上に形成されていることを特徴とする半導体加
工用粘着テープ、が提供される。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の半導体加工用粘着テープには、下記一般
式（１）の（メタ）アクリル酸エステルを少なくとも２
種類以上含有する（メタ）アクリル酸エステルモノマー ＣＨ2＝ＣＲ1ＣＯＯＲ2 ………（１） （Ｒ1はＨまたはＣＨ3、Ｒ2は主鎖が炭素数１２以上の
アルキル基） ９０〜９９重量％並びに上記一般式以外の（メタ）アク
リル酸誘導体モノマー１〜１０重量％を共重合して得ら
れたベースポリマーを主成分とし、ＤＳＣで測定された
第１次溶融転移温度が１０℃〜３０℃であり、その融解
範囲が２０〜４０Ｋである粘着剤層がフィルム状支持体
上に形成されている。なお本発明においては、（メタ）
アクリル酸とは、アクリル酸もしくはメタクリル酸のい
ずれかを指すものである。本発明において、下記一般式
（１）の（メタ）アクリル酸エステルを少なくとも２種
類以上含有する（メタ）アクリル酸エステルモノマー ＣＨ2＝ＣＲ1ＣＯＯＲ2 ………（１） （Ｒ1はＨまたはＣＨ3、Ｒ2は主鎖が炭素数１２以上の
アルキル基） としては、具体的にはラウリルメタクリレート（Ｒ1＝
ＣＨ3、Ｒ2＝Ｃ12Ｈ25）とセチルメタクリレート（Ｒ1
＝ＣＨ3、Ｒ2＝Ｃ16Ｈ33）との組み合わせ、ステアリル
アクリレート（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝Ｃ18Ｈ37）とラウリルア
クリレート（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝Ｃ12Ｈ25）との組み合わせ
等を挙げることができ、その配合量は９０〜９９重量％
とされる。前記（メタ）アクリル酸エステルはホモポリ
マーとした場合に、最大と最小の融点の差が３５Ｋ以上
であるように選択することが好ましい。
する。本発明の半導体加工用粘着テープには、下記一般
式（１）の（メタ）アクリル酸エステルを少なくとも２
種類以上含有する（メタ）アクリル酸エステルモノマー ＣＨ2＝ＣＲ1ＣＯＯＲ2 ………（１） （Ｒ1はＨまたはＣＨ3、Ｒ2は主鎖が炭素数１２以上の
アルキル基） ９０〜９９重量％並びに上記一般式以外の（メタ）アク
リル酸誘導体モノマー１〜１０重量％を共重合して得ら
れたベースポリマーを主成分とし、ＤＳＣで測定された
第１次溶融転移温度が１０℃〜３０℃であり、その融解
範囲が２０〜４０Ｋである粘着剤層がフィルム状支持体
上に形成されている。なお本発明においては、（メタ）
アクリル酸とは、アクリル酸もしくはメタクリル酸のい
ずれかを指すものである。本発明において、下記一般式
（１）の（メタ）アクリル酸エステルを少なくとも２種
類以上含有する（メタ）アクリル酸エステルモノマー ＣＨ2＝ＣＲ1ＣＯＯＲ2 ………（１） （Ｒ1はＨまたはＣＨ3、Ｒ2は主鎖が炭素数１２以上の
アルキル基） としては、具体的にはラウリルメタクリレート（Ｒ1＝
ＣＨ3、Ｒ2＝Ｃ12Ｈ25）とセチルメタクリレート（Ｒ1
＝ＣＨ3、Ｒ2＝Ｃ16Ｈ33）との組み合わせ、ステアリル
アクリレート（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝Ｃ18Ｈ37）とラウリルア
クリレート（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝Ｃ12Ｈ25）との組み合わせ
等を挙げることができ、その配合量は９０〜９９重量％
とされる。前記（メタ）アクリル酸エステルはホモポリ
マーとした場合に、最大と最小の融点の差が３５Ｋ以上
であるように選択することが好ましい。
【０００９】本発明における一次溶融転移温度とは、加
熱前は秩序ある配列に整合されているポリマーの特定の
部分が加熱されることによって無秩序状態となる温度で
ある。図１をもって、本発明における粘着剤層の一次溶
融転移温度、融解温度範囲を説明する。本発明の粘着剤
層のＤＳＣ測定を通常の条件に従い、昇温速度１０℃／
分、空気雰囲気下で行うと、図１に示すような融解−温
度曲線が得られる。本発明の半導体加工用粘着テープに
おける粘着剤は温度の上昇とともに、大きな吸熱ピーク
を示す。吸熱ピークが観察される前後はほとんど融解−
温度曲線は平坦であり、吸熱前の融解−温度曲線が平坦
な部分の点Ａと吸熱後の融解−温度曲線が平坦な部分の
点Ｂを直線で結ぶ。この直線をベースラインとする。点
Ａからさらに温度を上げると、熱量−温度曲線の勾配は
最大となる。この点Ｃで接線を引き、その接線が前記ベ
ースラインと交わる点が融解開始温度Ｔｉである。点Ｃ
を越えてさらに温度上昇させると、吸熱曲線はピークに
達する。この点が一次溶融転移温度Ｔｍである。さらに
温度上昇させると、融解完了点Ｂに達する。このときの
温度が融解完了温度Ｔｅである。したがって、本発明に
おける融解温度範囲は図１の融解完了温度Ｔｅと融解開
始温度Ｔｉとの差をもって表す。
熱前は秩序ある配列に整合されているポリマーの特定の
部分が加熱されることによって無秩序状態となる温度で
ある。図１をもって、本発明における粘着剤層の一次溶
融転移温度、融解温度範囲を説明する。本発明の粘着剤
層のＤＳＣ測定を通常の条件に従い、昇温速度１０℃／
分、空気雰囲気下で行うと、図１に示すような融解−温
度曲線が得られる。本発明の半導体加工用粘着テープに
おける粘着剤は温度の上昇とともに、大きな吸熱ピーク
を示す。吸熱ピークが観察される前後はほとんど融解−
温度曲線は平坦であり、吸熱前の融解−温度曲線が平坦
な部分の点Ａと吸熱後の融解−温度曲線が平坦な部分の
点Ｂを直線で結ぶ。この直線をベースラインとする。点
Ａからさらに温度を上げると、熱量−温度曲線の勾配は
最大となる。この点Ｃで接線を引き、その接線が前記ベ
ースラインと交わる点が融解開始温度Ｔｉである。点Ｃ
を越えてさらに温度上昇させると、吸熱曲線はピークに
達する。この点が一次溶融転移温度Ｔｍである。さらに
温度上昇させると、融解完了点Ｂに達する。このときの
温度が融解完了温度Ｔｅである。したがって、本発明に
おける融解温度範囲は図１の融解完了温度Ｔｅと融解開
始温度Ｔｉとの差をもって表す。
【００１０】一次溶融転移温度を１０〜３０℃とするこ
とにより、ダイシング・バックグラインド工程で１０℃
以下に冷却することによりウエハに対して易剥離とな
り、冷却水の１年間を通じた温度変化に対応可能な特性
を実現でき、ダイシング工程の半導体ウエハ切断時にチ
ップ飛びやチップ割れ・かけの発生を防止する特性に優
れることが可能になる。
とにより、ダイシング・バックグラインド工程で１０℃
以下に冷却することによりウエハに対して易剥離とな
り、冷却水の１年間を通じた温度変化に対応可能な特性
を実現でき、ダイシング工程の半導体ウエハ切断時にチ
ップ飛びやチップ割れ・かけの発生を防止する特性に優
れることが可能になる。
【００１１】前記粘着剤に使用される共重合体には、粘
着力等の制御及び粘着剤の凝集力を向上させ表面汚染を
防止する目的で、下記一般式の（メタ）アクリル酸エス
テル ＣＨ2＝ＣＲ1ＣＯＯＲ2 ………（１） （ＲはＨまたはＣＨ3、Ｒ2は主鎖が炭素数１２以上のア
ルキル基） 以外の（メタ）アクリル酸誘導体モノマーが前記一般式
（１）の（メタ）アクリル酸エステルを少なくとも２種
類以上含有する（メタ）アクリル酸エステルモノマーに
共重合される。具体的には（メタ）アクリル酸、（メ
タ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、
（メタ）アクリル酸−ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸
イソブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）ア
クリル酸−２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸−
２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸−２−ヒド
ロキシプロピル、（メタ）アクリル酸アミド、（メタ）
アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸−２−シア
ノエチル、アクリロニトリル等が挙げられるが、これら
に限定されるものではない。
着力等の制御及び粘着剤の凝集力を向上させ表面汚染を
防止する目的で、下記一般式の（メタ）アクリル酸エス
テル ＣＨ2＝ＣＲ1ＣＯＯＲ2 ………（１） （ＲはＨまたはＣＨ3、Ｒ2は主鎖が炭素数１２以上のア
ルキル基） 以外の（メタ）アクリル酸誘導体モノマーが前記一般式
（１）の（メタ）アクリル酸エステルを少なくとも２種
類以上含有する（メタ）アクリル酸エステルモノマーに
共重合される。具体的には（メタ）アクリル酸、（メ
タ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、
（メタ）アクリル酸−ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸
イソブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）ア
クリル酸−２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸−
２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸−２−ヒド
ロキシプロピル、（メタ）アクリル酸アミド、（メタ）
アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸−２−シア
ノエチル、アクリロニトリル等が挙げられるが、これら
に限定されるものではない。
【００１２】下記一般式（１）の（メタ）アクリル酸エ
ステルを少なくとも２種類以上含有する（メタ）アクリ
ル酸エステルモノマー ＣＨ2＝ＣＲ1ＣＯＯＲ2 ………（１） （Ｒ1はＨまたはＣＨ3、Ｒ2は主鎖が炭素数１２以上の
アルキル基） ９０〜９９重量％並びに上記一般式（１）以外の（メ
タ）アクリル酸誘導体モノマー１〜１０重量％を共重合
して得られたベースポリマーは、実質的に結晶性を示す
ものであればよい。Ｒ2は具体的には炭素数が１２以上
の直鎖のアルキル基の他に、分岐を有するアルキル基で
あってもよく、共重合体が結晶性を示すものであればよ
い。
ステルを少なくとも２種類以上含有する（メタ）アクリ
ル酸エステルモノマー ＣＨ2＝ＣＲ1ＣＯＯＲ2 ………（１） （Ｒ1はＨまたはＣＨ3、Ｒ2は主鎖が炭素数１２以上の
アルキル基） ９０〜９９重量％並びに上記一般式（１）以外の（メ
タ）アクリル酸誘導体モノマー１〜１０重量％を共重合
して得られたベースポリマーは、実質的に結晶性を示す
ものであればよい。Ｒ2は具体的には炭素数が１２以上
の直鎖のアルキル基の他に、分岐を有するアルキル基で
あってもよく、共重合体が結晶性を示すものであればよ
い。
【００１３】前記粘着剤には、必要に応じて硬化剤を配
合することができる。例えば、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−
ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３−
ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）トルエン、
１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）ベ
ンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−
キシレンジアミンなどの分子中に２個以上のエポキシ基
を有するエポキシ系化合物、２，４−トリレンジイソシ
アネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３
−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイ
ソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシ
アネートなどの分子中に２個以上のイソシアネート基を
有するイソシアネ−ト系化合物を使用することができ
る。表面保護テープとして使用する場合には、回路面の
凹凸に対応できるような粘着力が必要であり、そのため
硬化剤を配合することが望ましく、その場合の硬化剤の
配合量は、前記共重合体１００重量部に対して、０．０
５〜５重量部であることが好ましい。さらには、０．０
５〜０．７重量部であることが好ましい。
合することができる。例えば、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−
ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３−
ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）トルエン、
１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）ベ
ンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−
キシレンジアミンなどの分子中に２個以上のエポキシ基
を有するエポキシ系化合物、２，４−トリレンジイソシ
アネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３
−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイ
ソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシ
アネートなどの分子中に２個以上のイソシアネート基を
有するイソシアネ−ト系化合物を使用することができ
る。表面保護テープとして使用する場合には、回路面の
凹凸に対応できるような粘着力が必要であり、そのため
硬化剤を配合することが望ましく、その場合の硬化剤の
配合量は、前記共重合体１００重量部に対して、０．０
５〜５重量部であることが好ましい。さらには、０．０
５〜０．７重量部であることが好ましい。
【００１４】本発明に用いるフィルム状支持体として
は、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピ
レン共重合体、ポリブテン、エチレン−酢酸ビニル共重
合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、アイオノ
マーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合
体、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、
ポリメタクリル酸メチル等のエンジニアリングプラスチ
ック、またはポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテ
ンもしくはペンテン系共重合体等の熱可塑性エラストマ
ーが挙げられる。またはこれらの群から選ばれる２種以
上が混合されたものでもよく、粘着剤層との接着性によ
って任意に選択することができる。その構成は単一層で
も多層でもよい。特に好ましくはエチレン−酢酸ビニル
共重合体／ポリエチレン／エチレン−酢酸ビニル共重合
体からなる積層フィルムが好ましい。フィルム状支持体
の厚みは１０〜３００μｍが適当である。さらに好まし
くは１０〜２００μｍが好適に使用される。フィルム状
支持体は、粘着剤との密着性を高める目的から、物理的
または化学的処理のいずれかまたは両方の処理をしたほ
うが好ましい。物理的処理を例示すると、サンドブラス
ト、研磨処理等があり、化学処理としては、コロナ処
理、プラズマ処理、プライマー処理等が挙げられる。処
理と効果の兼ね合いからコロナ処理がより好ましい。
は、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピ
レン共重合体、ポリブテン、エチレン−酢酸ビニル共重
合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、アイオノ
マーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合
体、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、
ポリメタクリル酸メチル等のエンジニアリングプラスチ
ック、またはポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテ
ンもしくはペンテン系共重合体等の熱可塑性エラストマ
ーが挙げられる。またはこれらの群から選ばれる２種以
上が混合されたものでもよく、粘着剤層との接着性によ
って任意に選択することができる。その構成は単一層で
も多層でもよい。特に好ましくはエチレン−酢酸ビニル
共重合体／ポリエチレン／エチレン−酢酸ビニル共重合
体からなる積層フィルムが好ましい。フィルム状支持体
の厚みは１０〜３００μｍが適当である。さらに好まし
くは１０〜２００μｍが好適に使用される。フィルム状
支持体は、粘着剤との密着性を高める目的から、物理的
または化学的処理のいずれかまたは両方の処理をしたほ
うが好ましい。物理的処理を例示すると、サンドブラス
ト、研磨処理等があり、化学処理としては、コロナ処
理、プラズマ処理、プライマー処理等が挙げられる。処
理と効果の兼ね合いからコロナ処理がより好ましい。
【００１５】本発明の半導体加工用粘着テープは、冷却
水の１年間を通じた温度変化に適用可能であり、ダイシ
ング加工時に使用した場合には、ダイシング時にパター
ンを形成した半導体ウエハを一つ一つのパターン毎に裁
断する際のチッピングを低減させて分割素子のかけや割
れをなくすことができる。その理由としては粘着剤の低
融点成分がウエハ加工時の粘着力やタックを高めてチッ
プ飛びを防ぐ一方で、高融点成分が粘着剤の凝集力を高
め剥離時の表面汚染を低減化させる効果があるものと推
察される。また表面保護テープとして使用した場合に
は、低融点成分が裏面研削時の粘着力やタックを高め、
研削水あるいはダストの侵入を防ぐ一方で、高融点成分
が粘着剤の凝集力を高め剥離時の表面汚染を低減化させ
る効果があるものと推察される。本発明の半導体加工用
粘着テープにおいては、ダイシング工程で使用する場合
も表面保護工程で使用する場合も粘着剤層の厚さは５〜
２００μｍ、さらに好ましくは５〜１００μｍとするこ
とができる。
水の１年間を通じた温度変化に適用可能であり、ダイシ
ング加工時に使用した場合には、ダイシング時にパター
ンを形成した半導体ウエハを一つ一つのパターン毎に裁
断する際のチッピングを低減させて分割素子のかけや割
れをなくすことができる。その理由としては粘着剤の低
融点成分がウエハ加工時の粘着力やタックを高めてチッ
プ飛びを防ぐ一方で、高融点成分が粘着剤の凝集力を高
め剥離時の表面汚染を低減化させる効果があるものと推
察される。また表面保護テープとして使用した場合に
は、低融点成分が裏面研削時の粘着力やタックを高め、
研削水あるいはダストの侵入を防ぐ一方で、高融点成分
が粘着剤の凝集力を高め剥離時の表面汚染を低減化させ
る効果があるものと推察される。本発明の半導体加工用
粘着テープにおいては、ダイシング工程で使用する場合
も表面保護工程で使用する場合も粘着剤層の厚さは５〜
２００μｍ、さらに好ましくは５〜１００μｍとするこ
とができる。
【００１６】（実施例）以下、本発明を実施例に基づき
さらに詳細に説明する。例中、部とは特に断らない限り
重量部を意味する。
さらに詳細に説明する。例中、部とは特に断らない限り
重量部を意味する。
【００１７】＜ダイシング加工用テープの実施例＞ （実施例１）ラウリルメタクリレート（ホモポリマ−の
融点−３４℃）１０部、セチルメタクリレート（ホモポ
リマ−の融点２０℃）８５部及びアクリル酸５部からな
る粘着剤を溶液重合により共重合して、不揮発分４１％
からなる粘着剤溶液を得た。この粘着剤溶液をコロナ処
理が施されたエチレン−酢酸ビニル共重合体／ポリエチ
レン／エチレン−酢酸ビニル共重合体からなる積層フィ
ルム（厚さ１００μｍ）上に、乾燥後の粘着剤層の厚さ
が２４μｍになるよう塗工し、半導体ウエハダイシング
用テープを得た。得られたテープを空気中雰囲気下で１
０℃／分でＤＳＣ（セイコ−電子工業株式会社製 ロボ
ットＤＳＣ ＲＤＣ２２０）測定を行ったところ、粘着
剤の融点と融解範囲は、それぞれ１９．７℃で２５．０
Ｋであった。 （実施例２）ステアリルアクリレート（ホモポリマーの
融点４２℃）４５部、ラウリルアクリレート（ホモポリ
マ−の融点２℃）５０部、アクリル酸５部及び２−ヒド
ロキシエチルアクリレート１．５部からなる粘着剤を溶
液重合により共重合して、不揮発分４１％からなる粘着
剤溶液を得た。この粘着剤溶液をコロナ処理が施された
エチレン−酢酸ビニル共重合体／ポリエチレン／エチレ
ン酢酸ビニル共重合体からなる積層フィルム（厚さ１０
０μｍ）上に、乾燥後の粘着剤層の厚さが３３μｍにな
るよう塗工し、半導体ウエハダイシング用テープを得
た。実施例１と同様の方法で得られたテープのＤＳＣ測
定を行ったところ、粘着剤の融点は２５．９℃で融解範
囲は２６．２Ｋであった。 （比較例１）ラウリルアクリレート９５部（ホモポリマ
ーの融点２℃）、アクリル酸５部からなる粘着剤を溶液
重合により共重合して、不揮発分４１％からなる粘着剤
溶液を得た。この粘着剤溶液をコロナ処理が施されたポ
リエチレン−酢酸ビニル共重合体／ポリエチレン／エチ
レン−酢酸ビニル共重合体からなる積層フィルム（厚さ
１００μｍ）上に、乾燥後の粘着剤層の厚さが２５μｍ
の半導体ウエハダイシング用テープを得た。実施例１と
同様の方法で得られたテープのＤＳＣ測定を行ったとこ
ろ、粘着剤の融点は１．７℃で融解幅は２７Ｋであっ
た。 （比較例２）ステアリルアクリレート（ホモポリマーの
融点４２℃）１００部からなる粘着剤を溶液重合により
重合して、不揮発分４１％からなるベ−スポリマ−の溶
液を得た。この粘着剤溶液をコロナ処理が施されたエチ
レン−酢酸ビニル共重合体／ポリエチレン／エチレン−
酢酸ビニル共重合体からなる積層フィルム（厚さ１００
μｍ）上に、乾燥後の粘着剤層の厚さが４０μｍの半導
体ウエハダイシング用テープを得た。実施例１と同様の
方法で得られたテープのＤＳＣ測定を行ったところ、粘
着剤の融点は４２℃で融解幅は４Ｋであった。 （比較例３）ラウリルアクリレート（ホモポリマーの融
点２℃）４５部、セチルアクリレーート（ホモポリマー
の融点３３℃）５０部、アクリル酸５部からなる粘着剤
を溶液重合により共重合して、不揮発分４１％からなる
ベ−スポリマ−の溶液を得た。この粘着剤溶液をコロナ
処理が施されたエチレン−酢酸ビニル共重合体／ポリエ
チレン／エチレン−酢酸ビニル共重合体からなる積層フ
ィルム（厚さ１００μｍ）上に、乾燥後の粘着剤層の厚
さが２０μｍの半導体ウエハダイシング用テープを得
た。実施例１と同様の方法で得られたテープのＤＳＣ測
定を行ったところ、粘着剤の融点は２１．６℃で融解幅
は１３．０Ｋであった。
融点−３４℃）１０部、セチルメタクリレート（ホモポ
リマ−の融点２０℃）８５部及びアクリル酸５部からな
る粘着剤を溶液重合により共重合して、不揮発分４１％
からなる粘着剤溶液を得た。この粘着剤溶液をコロナ処
理が施されたエチレン−酢酸ビニル共重合体／ポリエチ
レン／エチレン−酢酸ビニル共重合体からなる積層フィ
ルム（厚さ１００μｍ）上に、乾燥後の粘着剤層の厚さ
が２４μｍになるよう塗工し、半導体ウエハダイシング
用テープを得た。得られたテープを空気中雰囲気下で１
０℃／分でＤＳＣ（セイコ−電子工業株式会社製 ロボ
ットＤＳＣ ＲＤＣ２２０）測定を行ったところ、粘着
剤の融点と融解範囲は、それぞれ１９．７℃で２５．０
Ｋであった。 （実施例２）ステアリルアクリレート（ホモポリマーの
融点４２℃）４５部、ラウリルアクリレート（ホモポリ
マ−の融点２℃）５０部、アクリル酸５部及び２−ヒド
ロキシエチルアクリレート１．５部からなる粘着剤を溶
液重合により共重合して、不揮発分４１％からなる粘着
剤溶液を得た。この粘着剤溶液をコロナ処理が施された
エチレン−酢酸ビニル共重合体／ポリエチレン／エチレ
ン酢酸ビニル共重合体からなる積層フィルム（厚さ１０
０μｍ）上に、乾燥後の粘着剤層の厚さが３３μｍにな
るよう塗工し、半導体ウエハダイシング用テープを得
た。実施例１と同様の方法で得られたテープのＤＳＣ測
定を行ったところ、粘着剤の融点は２５．９℃で融解範
囲は２６．２Ｋであった。 （比較例１）ラウリルアクリレート９５部（ホモポリマ
ーの融点２℃）、アクリル酸５部からなる粘着剤を溶液
重合により共重合して、不揮発分４１％からなる粘着剤
溶液を得た。この粘着剤溶液をコロナ処理が施されたポ
リエチレン−酢酸ビニル共重合体／ポリエチレン／エチ
レン−酢酸ビニル共重合体からなる積層フィルム（厚さ
１００μｍ）上に、乾燥後の粘着剤層の厚さが２５μｍ
の半導体ウエハダイシング用テープを得た。実施例１と
同様の方法で得られたテープのＤＳＣ測定を行ったとこ
ろ、粘着剤の融点は１．７℃で融解幅は２７Ｋであっ
た。 （比較例２）ステアリルアクリレート（ホモポリマーの
融点４２℃）１００部からなる粘着剤を溶液重合により
重合して、不揮発分４１％からなるベ−スポリマ−の溶
液を得た。この粘着剤溶液をコロナ処理が施されたエチ
レン−酢酸ビニル共重合体／ポリエチレン／エチレン−
酢酸ビニル共重合体からなる積層フィルム（厚さ１００
μｍ）上に、乾燥後の粘着剤層の厚さが４０μｍの半導
体ウエハダイシング用テープを得た。実施例１と同様の
方法で得られたテープのＤＳＣ測定を行ったところ、粘
着剤の融点は４２℃で融解幅は４Ｋであった。 （比較例３）ラウリルアクリレート（ホモポリマーの融
点２℃）４５部、セチルアクリレーート（ホモポリマー
の融点３３℃）５０部、アクリル酸５部からなる粘着剤
を溶液重合により共重合して、不揮発分４１％からなる
ベ−スポリマ−の溶液を得た。この粘着剤溶液をコロナ
処理が施されたエチレン−酢酸ビニル共重合体／ポリエ
チレン／エチレン−酢酸ビニル共重合体からなる積層フ
ィルム（厚さ１００μｍ）上に、乾燥後の粘着剤層の厚
さが２０μｍの半導体ウエハダイシング用テープを得
た。実施例１と同様の方法で得られたテープのＤＳＣ測
定を行ったところ、粘着剤の融点は２１．６℃で融解幅
は１３．０Ｋであった。
【００１８】このようにして得られた粘着テープについ
て、チップ飛び、裏面チッピング、２５℃および５℃で
の粘着力を評価した。 （チップ飛び、裏面チッピング）粘着テープをシリコン
ウエハ（厚さ５００μｍ）に固定し、ダイシングソーで
２×２ｍｍの大きさにフルカットした。スピンドル回転
数は４５０００ｒｐｍ、送り速度は１００ｍ／ｓとし
た。その際フルカットされたチップの飛びが生じるか否
かをチップ飛びとして評価した。また、ダイシングした
ウエハについて、テープに貼付されたウエハ表面を光学
顕微鏡で観察し、チップのかけの状態を調べ、最大カケ
の大きさで裏面チッピング性を判定し、４５μｍ未満も
のを○、４５μｍ以上のものを×とした。 （２５℃および５℃での粘着力）２５ｍｍ幅の短冊状に
切断した上記テープを、ＳＵＳ板に貼着し、ＪＩＳ Ｚ
−０２３７（１９９１）に準拠し、剥離速度３００ｍｍ
／ｍｉｎの条件で２５℃及び５℃での１８０゜引き剥が
し法による粘着力を測定した（単位；Ｎ／２５ｍｍ
幅）。以上の結果を表１に示す。
て、チップ飛び、裏面チッピング、２５℃および５℃で
の粘着力を評価した。 （チップ飛び、裏面チッピング）粘着テープをシリコン
ウエハ（厚さ５００μｍ）に固定し、ダイシングソーで
２×２ｍｍの大きさにフルカットした。スピンドル回転
数は４５０００ｒｐｍ、送り速度は１００ｍ／ｓとし
た。その際フルカットされたチップの飛びが生じるか否
かをチップ飛びとして評価した。また、ダイシングした
ウエハについて、テープに貼付されたウエハ表面を光学
顕微鏡で観察し、チップのかけの状態を調べ、最大カケ
の大きさで裏面チッピング性を判定し、４５μｍ未満も
のを○、４５μｍ以上のものを×とした。 （２５℃および５℃での粘着力）２５ｍｍ幅の短冊状に
切断した上記テープを、ＳＵＳ板に貼着し、ＪＩＳ Ｚ
−０２３７（１９９１）に準拠し、剥離速度３００ｍｍ
／ｍｉｎの条件で２５℃及び５℃での１８０゜引き剥が
し法による粘着力を測定した（単位；Ｎ／２５ｍｍ
幅）。以上の結果を表１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】実施例１、２は、２５℃での粘着力が高く
裏面チッピングも優れている。融点が１０℃以下の粘着
剤を適用した比較例１では、裏面チッピングが発生し、
５℃での粘着力も高く粘着剤の凝集破壊が観察された。
比較例２では融点が４０℃以上のため、室温で非粘着の
ため、被着体と接着しないため、チッピングの評価がで
きなかった。比較例３では融解幅が狭いので、融点が２
１．６℃であるにもかかわらず、粘着剤層の凝集破壊が
起こり、裏面チッピングも発生した。
裏面チッピングも優れている。融点が１０℃以下の粘着
剤を適用した比較例１では、裏面チッピングが発生し、
５℃での粘着力も高く粘着剤の凝集破壊が観察された。
比較例２では融点が４０℃以上のため、室温で非粘着の
ため、被着体と接着しないため、チッピングの評価がで
きなかった。比較例３では融解幅が狭いので、融点が２
１．６℃であるにもかかわらず、粘着剤層の凝集破壊が
起こり、裏面チッピングも発生した。
【００２１】＜表面保護テープの実施例＞ （合成例１）ステアリルアクリレート（ホモポリマーの
融点４２℃）４５重量部、ラウリルアクリレート（ホモ
ポリマーの融点２℃）５０重量部、アクリル酸５重量部
を溶液重合により共重合して、不揮発成分４１％からな
る粘着剤溶液を得た。得られたベ−スポリマ−の重量平
均分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィ−
（ＧＰＣ）で測定したところ、ポリスチレン換算で１１
０万であった。ＤＳＣにより評価された融点と融解範囲
はそれぞれ２５．７℃、２６．２Ｋであった。 （実施例３）合成例１で得られた粘着剤溶液１００重量
部に、エポキシ系硬化剤：Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ
グリシジル−ｍ−キシレンジアミン０．０５重量部（三
菱ガス化学社製 商品名：ＴＥＴＲＡＤ（Ｒ）−Ｘ）を
配合し、酢酸エチルを加えて固形分が３０％になるよう
に調整した溶液を調製し、この溶液をコロナ処理が施さ
れたエチレン−酢酸ビニル共重合体／ポリエチレン／エ
チレン−酢酸ビニル共重合体からなる積層フィルム（厚
み１００μｍ）に塗布し、乾燥後の粘着剤層の厚さが２
０μｍになるよう塗工し、半導体ウエハ表面保護用粘着
テ−プを作製した。 （比較例４）ラウリルアクリレート９５部、アクリル酸
５部からなる粘着剤をコロナ処理が施されたエチレン−
酢酸ビニル共重合体／ポリエチレン／エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体からなる積層フィルム（厚さ１００μｍ）
上に、乾燥後の粘着剤層の厚さが２５μｍの半導体ウエ
ハ表面保護用テープを得た。実施例１と同様の方法で得
られたテープのＤＳＣ測定を行ったところ、粘着剤の融
点は１．７℃で融解幅は２７Ｋであった。 （比較例５）ステアリルアクリレート１００部からなる
粘着剤をコロナ処理が施されたエチレン−酢酸ビニル共
重合体／ポリエチレン／エチレン−酢酸ビニル共重合
体）からなる積層フィルム（厚さ１００μｍ）上に、乾
燥後の粘着剤層の厚さが４０μｍの半導体ウエハ表面保
護用テープを得た。実施例１と同様の方法で得られたテ
ープのＤＳＣ測定を行ったところ、粘着剤の融点は４２
℃で融解幅は４Ｋであった。 （比較例６）ラウリルアクリレート（ホモポリマ−の融
点２℃）４５部、セチルアクリレート（ホモポリマ−の
融点３３℃）５０部、アクリル酸５部からなる粘着剤を
コロナ処理が施されたエチレン−酢酸ビニル共重合体／
ポリエチレン／エチレン−酢酸ビニル共重合体からなる
積層フィルム（厚さ１００μｍ）上に、乾燥後の粘着剤
層の厚さが２０μｍの半導体ウエハ表面保護用テープを
得た。実施例１と同様の方法で得られたテープのＤＳＣ
測定を行ったところ、粘着剤の融点は２１．６℃で融解
幅は１３．０Ｋであった。
融点４２℃）４５重量部、ラウリルアクリレート（ホモ
ポリマーの融点２℃）５０重量部、アクリル酸５重量部
を溶液重合により共重合して、不揮発成分４１％からな
る粘着剤溶液を得た。得られたベ−スポリマ−の重量平
均分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィ−
（ＧＰＣ）で測定したところ、ポリスチレン換算で１１
０万であった。ＤＳＣにより評価された融点と融解範囲
はそれぞれ２５．７℃、２６．２Ｋであった。 （実施例３）合成例１で得られた粘着剤溶液１００重量
部に、エポキシ系硬化剤：Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ
グリシジル−ｍ−キシレンジアミン０．０５重量部（三
菱ガス化学社製 商品名：ＴＥＴＲＡＤ（Ｒ）−Ｘ）を
配合し、酢酸エチルを加えて固形分が３０％になるよう
に調整した溶液を調製し、この溶液をコロナ処理が施さ
れたエチレン−酢酸ビニル共重合体／ポリエチレン／エ
チレン−酢酸ビニル共重合体からなる積層フィルム（厚
み１００μｍ）に塗布し、乾燥後の粘着剤層の厚さが２
０μｍになるよう塗工し、半導体ウエハ表面保護用粘着
テ−プを作製した。 （比較例４）ラウリルアクリレート９５部、アクリル酸
５部からなる粘着剤をコロナ処理が施されたエチレン−
酢酸ビニル共重合体／ポリエチレン／エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体からなる積層フィルム（厚さ１００μｍ）
上に、乾燥後の粘着剤層の厚さが２５μｍの半導体ウエ
ハ表面保護用テープを得た。実施例１と同様の方法で得
られたテープのＤＳＣ測定を行ったところ、粘着剤の融
点は１．７℃で融解幅は２７Ｋであった。 （比較例５）ステアリルアクリレート１００部からなる
粘着剤をコロナ処理が施されたエチレン−酢酸ビニル共
重合体／ポリエチレン／エチレン−酢酸ビニル共重合
体）からなる積層フィルム（厚さ１００μｍ）上に、乾
燥後の粘着剤層の厚さが４０μｍの半導体ウエハ表面保
護用テープを得た。実施例１と同様の方法で得られたテ
ープのＤＳＣ測定を行ったところ、粘着剤の融点は４２
℃で融解幅は４Ｋであった。 （比較例６）ラウリルアクリレート（ホモポリマ−の融
点２℃）４５部、セチルアクリレート（ホモポリマ−の
融点３３℃）５０部、アクリル酸５部からなる粘着剤を
コロナ処理が施されたエチレン−酢酸ビニル共重合体／
ポリエチレン／エチレン−酢酸ビニル共重合体からなる
積層フィルム（厚さ１００μｍ）上に、乾燥後の粘着剤
層の厚さが２０μｍの半導体ウエハ表面保護用テープを
得た。実施例１と同様の方法で得られたテープのＤＳＣ
測定を行ったところ、粘着剤の融点は２１．６℃で融解
幅は１３．０Ｋであった。
【００２２】このようにして得られた粘着テープについ
て、粘着力および異物付着量を評価した。 （２５℃および５℃での粘着力）２５ｍｍ幅の短冊状に
切断した粘着テープを、ＳＵＳ板に貼着し、ＪＩＳ Ｚ
−０２３７（１９９１）に準拠し、剥離速度３００ｍｍ
／ｍｉｎの条件で２５℃及び５℃での１８０゜引き剥が
し法による粘着力を測定した（単位；Ｎ／２５ｍｍ
幅）。 （異物付着量）粘着テープをシリコンウエハ鏡面（５イ
ンチφ）に貼合し、１時間放置後、水冷式電子クーラー
によりウエハ表面温度が１４℃になるように冷却し、半
導体ウエハ表面保護用粘着テープを剥離した。半導体ウ
エハ表面保護用粘着テ−プが貼着されていたウエハ表面
に残留している異物の個数をレーザー表面検査装置（サ
ーフスキャン６４２０：ＫＬＡ・Ｔｅｎｃｏｌ（株）
製）によって測定し、１００個未満のものを○、１００
個以上のものを×と評価した。以上の結果を表２に示
す。
て、粘着力および異物付着量を評価した。 （２５℃および５℃での粘着力）２５ｍｍ幅の短冊状に
切断した粘着テープを、ＳＵＳ板に貼着し、ＪＩＳ Ｚ
−０２３７（１９９１）に準拠し、剥離速度３００ｍｍ
／ｍｉｎの条件で２５℃及び５℃での１８０゜引き剥が
し法による粘着力を測定した（単位；Ｎ／２５ｍｍ
幅）。 （異物付着量）粘着テープをシリコンウエハ鏡面（５イ
ンチφ）に貼合し、１時間放置後、水冷式電子クーラー
によりウエハ表面温度が１４℃になるように冷却し、半
導体ウエハ表面保護用粘着テープを剥離した。半導体ウ
エハ表面保護用粘着テ−プが貼着されていたウエハ表面
に残留している異物の個数をレーザー表面検査装置（サ
ーフスキャン６４２０：ＫＬＡ・Ｔｅｎｃｏｌ（株）
製）によって測定し、１００個未満のものを○、１００
個以上のものを×と評価した。以上の結果を表２に示
す。
【００２３】
【表２】
【００２４】表２からわかるように、実施例１では、１
０〜３０℃の間に融点を持ちその融解範囲が２０Ｋより
広いので、５℃に冷却することにより易剥離となり、異
物の残留量もごくわずかであった。それに対して比較例
１では、融点が１０℃より低いため、剥離したときに粘
着剤層の凝集破壊が発生し、結果として表面汚染性は悪
くなった。また比較例２では、融点が３０℃以上で融解
幅が２０Ｋよりせまいため、ウエハに粘着せず、結果と
して粘着テープとしての機能が発揮されなかった。また
比較例３では、融点が２１．６℃であるにもかかわら
ず、融解範囲が２０Ｋより狭くなり、粘着剤層の凝集破
壊が起こり、結果として表面汚染は悪くなった。
０〜３０℃の間に融点を持ちその融解範囲が２０Ｋより
広いので、５℃に冷却することにより易剥離となり、異
物の残留量もごくわずかであった。それに対して比較例
１では、融点が１０℃より低いため、剥離したときに粘
着剤層の凝集破壊が発生し、結果として表面汚染性は悪
くなった。また比較例２では、融点が３０℃以上で融解
幅が２０Ｋよりせまいため、ウエハに粘着せず、結果と
して粘着テープとしての機能が発揮されなかった。また
比較例３では、融点が２１．６℃であるにもかかわら
ず、融解範囲が２０Ｋより狭くなり、粘着剤層の凝集破
壊が起こり、結果として表面汚染は悪くなった。
【００２５】
【本発明の効果】本発明の半導体加工用テープをダイシ
ング時に使用した場合には、半導体ウエハを一つ一つの
パターン毎に裁断する際のチッピングを低減させて分割
素子のかけや割れをなくすとともに強固な粘着力を有
し、１０℃以下の温度雰囲気下にすると粘着剤層が非粘
着性になり容易に分割素子をピックアップできる。また
表面保護テープとして使用した場合には、研削・洗浄時
には半導体回路面を保護し、１０℃以下の温度雰囲気下
にした場合に、半導体回路面の汚染を少なくすることが
できる。
ング時に使用した場合には、半導体ウエハを一つ一つの
パターン毎に裁断する際のチッピングを低減させて分割
素子のかけや割れをなくすとともに強固な粘着力を有
し、１０℃以下の温度雰囲気下にすると粘着剤層が非粘
着性になり容易に分割素子をピックアップできる。また
表面保護テープとして使用した場合には、研削・洗浄時
には半導体回路面を保護し、１０℃以下の温度雰囲気下
にした場合に、半導体回路面の汚染を少なくすることが
できる。
【図１】本発明の半導体加工用粘着テープにおける粘着
層についてのＤＳＣによる融解−温度曲線の測定結果の
一例を示す図。
層についてのＤＳＣによる融解−温度曲線の測定結果の
一例を示す図。
Ａ…融解開始前の点 Ｂ…融解開始後の点 Ｃ…熱量−温度曲線の勾配が最大となる点 Ｔｉ…融解開始温度 Ｔｍ…一次溶融転移温度 Ｔｅ…融解完了温度
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石渡 伸一 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 4J004 AA10 FA05 FA08 4J040 DF041 JA09 JB09 LA08 NA20
Claims (1)
- 【請求項１】 下記一般式（１）の（メタ）アクリル酸
エステルを少なくとも２種類以上含有する（メタ）アク
リル酸エステルモノマー ＣＨ2＝ＣＲ1ＣＯＯＲ2 ………（１） （Ｒ1はＨまたはＣＨ3、Ｒ2は主鎖が炭素数１２以上の
アルキル基） ９０〜９９重量％並びに上記一般式（１）以外の（メ
タ）アクリル酸誘導体モノマー１〜１０重量％を共重合
して得られたベースポリマーを主成分とし、ＤＳＣで測
定された第１次溶融転移温度が１０℃〜３０℃であり、
その融解範囲が２０〜４０Ｋである粘着剤層がフィルム
状支持体上に形成されていることを特徴とする半導体加
工用粘着テープ。
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