JP2001108544A - 半導体センサ - Google Patents
半導体センサInfo
- Publication number
- JP2001108544A JP2001108544A JP28593899A JP28593899A JP2001108544A JP 2001108544 A JP2001108544 A JP 2001108544A JP 28593899 A JP28593899 A JP 28593899A JP 28593899 A JP28593899 A JP 28593899A JP 2001108544 A JP2001108544 A JP 2001108544A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- sensor
- lead
- sensor element
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/142—Multiple part housings
- G01L19/143—Two part housings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0007—Fluidic connecting means
- G01L19/003—Fluidic connecting means using a detachable interface or adapter between the process medium and the pressure gauge
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/148—Details about the circuit board integration, e.g. integrated with the diaphragm surface or encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 第１のケースと第２のケースとを組み付け
て、これら両ケース内に半導体よりなるセンサ素子を収
納するようにしたものにおいて、低コストで構成が簡素
化された半導体圧力センサを提供する。 【解決手段】 半導体よりなる圧力検出用のセンサ素子
１０が配設された第１のケースとしてのセンサケース２
０には、センサ素子１０と電気的に接続するためのリー
ド３０が、このセンサケース２０から一部が露出するよ
うにインサート成形されている。センサケース２０に組
み付けられる第２のケースとしてのコネクタケース４０
には、リード３０の露出部３１を囲う囲い部４２が形成
され、リード３０の露出部３１と囲い部４２とにより、
該露出部３１を外部端子に接続可能なコネクタ部５０が
構成されている。
て、これら両ケース内に半導体よりなるセンサ素子を収
納するようにしたものにおいて、低コストで構成が簡素
化された半導体圧力センサを提供する。 【解決手段】 半導体よりなる圧力検出用のセンサ素子
１０が配設された第１のケースとしてのセンサケース２
０には、センサ素子１０と電気的に接続するためのリー
ド３０が、このセンサケース２０から一部が露出するよ
うにインサート成形されている。センサケース２０に組
み付けられる第２のケースとしてのコネクタケース４０
には、リード３０の露出部３１を囲う囲い部４２が形成
され、リード３０の露出部３１と囲い部４２とにより、
該露出部３１を外部端子に接続可能なコネクタ部５０が
構成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体圧力
センサ等、第１のケースと第２のケースとを組み付けて
これら両ケース内に半導体よりなるセンサ素子を収納す
るようにした半導体センサに関する。
センサ等、第１のケースと第２のケースとを組み付けて
これら両ケース内に半導体よりなるセンサ素子を収納す
るようにした半導体センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、この種の半導体センサとして
は、特開平８−５４３０５号公報や特開平９−１７８５
９１号公報に記載の圧力センサが提案されている。これ
らのものは、半導体よりなるセンサ素子及び回路基板が
取り付けられた素子側ケースに対して、信号取出し用の
リードがインサート成形されたコネクタケースを組み付
けて、これら両ケース内にセンサ素子や回路基板を収納
するようにしたものである。
は、特開平８−５４３０５号公報や特開平９−１７８５
９１号公報に記載の圧力センサが提案されている。これ
らのものは、半導体よりなるセンサ素子及び回路基板が
取り付けられた素子側ケースに対して、信号取出し用の
リードがインサート成形されたコネクタケースを組み付
けて、これら両ケース内にセンサ素子や回路基板を収納
するようにしたものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の半導体センサにおいては、コネクタケース
側のリードをセンサ素子及び回路基板と電気的に接続す
るにあたって、リードを、素子側ケースに別途設けられ
たコネクタ部材に溶接、はんだ付けする等の必要が生じ
る。そのため、コネクタ部を構成する部品の点数が多く
なり、構成が複雑化する。また、両ケースの組付は接着
剤を用いたり、かしめることにより行われているため、
加工工数や設備投資が大きく、コスト増大につながって
いる。
ような従来の半導体センサにおいては、コネクタケース
側のリードをセンサ素子及び回路基板と電気的に接続す
るにあたって、リードを、素子側ケースに別途設けられ
たコネクタ部材に溶接、はんだ付けする等の必要が生じ
る。そのため、コネクタ部を構成する部品の点数が多く
なり、構成が複雑化する。また、両ケースの組付は接着
剤を用いたり、かしめることにより行われているため、
加工工数や設備投資が大きく、コスト増大につながって
いる。
【０００４】そこで、本発明は上記問題に鑑み、第１の
ケースと第２のケースとを組み付けて、これら両ケース
内に半導体よりなるセンサ素子を収納するようにしたも
のにおいて、低コストで構成が簡素化された半導体セン
サを提供することを目的とする。
ケースと第２のケースとを組み付けて、これら両ケース
内に半導体よりなるセンサ素子を収納するようにしたも
のにおいて、低コストで構成が簡素化された半導体セン
サを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明では、半導体よりなるセンサ素
子（１０）が配設され樹脂成形された第１のケース（２
０）と、この第１のケースから一部が露出するように該
第１のケースにインサート成形されるとともに該センサ
素子と電気的に接続されたリード（３０）と、該第１の
ケースに組み付けられて該センサ素子を覆う第２のケー
ス（４０）と、該第２のケースに形成され該リードの露
出部（３１）を囲う囲い部（４２）とを備え、該リード
の露出部と該囲い部とにより、該露出部を外部端子に接
続可能なコネクタ部（５０）を構成したことを特徴とし
ている。
め、請求項１記載の発明では、半導体よりなるセンサ素
子（１０）が配設され樹脂成形された第１のケース（２
０）と、この第１のケースから一部が露出するように該
第１のケースにインサート成形されるとともに該センサ
素子と電気的に接続されたリード（３０）と、該第１の
ケースに組み付けられて該センサ素子を覆う第２のケー
ス（４０）と、該第２のケースに形成され該リードの露
出部（３１）を囲う囲い部（４２）とを備え、該リード
の露出部と該囲い部とにより、該露出部を外部端子に接
続可能なコネクタ部（５０）を構成したことを特徴とし
ている。
【０００６】それによって、リードは、囲い部とともに
コネクタ部を構成して外部端子に接続可能となるため、
簡単な構成にて、センサにおけるコネクタ機能を実現で
き、別途コネクタ部材は不要となる。また、リードは、
予め第１のケースにインサート成形されているため、コ
ネクタ部としてのリードを別途、溶接やはんだ付けする
等の手間が無くなる。よって、本発明によれば、低コス
トで構成が簡素化された半導体センサを提供をすること
ができる。
コネクタ部を構成して外部端子に接続可能となるため、
簡単な構成にて、センサにおけるコネクタ機能を実現で
き、別途コネクタ部材は不要となる。また、リードは、
予め第１のケースにインサート成形されているため、コ
ネクタ部としてのリードを別途、溶接やはんだ付けする
等の手間が無くなる。よって、本発明によれば、低コス
トで構成が簡素化された半導体センサを提供をすること
ができる。
【０００７】また、請求項２記載の発明は、請求項１の
発明と同様に、センサ素子（１０）と、第１のケース
（２０）と、リード（３０）と、第２のケース（４０）
と、リードの露出部（３１）とともにコネクタ部（５
０）を構成する囲い部（４２）とを備えるものとし、さ
らに、該第１のケースと該第２のケースとを、該両ケー
スのどちらか一方に設けられた突起部（２５）を他方に
設けられた穴部（４７）にはめ込んで係止させることに
より結合するようにしたことを特徴としている。
発明と同様に、センサ素子（１０）と、第１のケース
（２０）と、リード（３０）と、第２のケース（４０）
と、リードの露出部（３１）とともにコネクタ部（５
０）を構成する囲い部（４２）とを備えるものとし、さ
らに、該第１のケースと該第２のケースとを、該両ケー
スのどちらか一方に設けられた突起部（２５）を他方に
設けられた穴部（４７）にはめ込んで係止させることに
より結合するようにしたことを特徴としている。
【０００８】本発明によれば、一側ケースに設けられた
突起部を他側ケースに設けられた穴部にはめ込んで係止
させること、いわゆるスナップフィットによる結合によ
り、両ケースの組付固定を行うことができる。そのた
め、請求項１の発明の効果に加えて、従来の接着やかし
めのように、加工工数や設備投資が大きい組付方法を採
用したものに比べて、より低コスト化が図れる。
突起部を他側ケースに設けられた穴部にはめ込んで係止
させること、いわゆるスナップフィットによる結合によ
り、両ケースの組付固定を行うことができる。そのた
め、請求項１の発明の効果に加えて、従来の接着やかし
めのように、加工工数や設備投資が大きい組付方法を採
用したものに比べて、より低コスト化が図れる。
【０００９】また、従来の半導体センサにおいては、コ
ネクタケースにインサート成形されたリードは、ケース
内部で複雑に折れ曲がった形状となっているため、例え
ば、コネクタケースを成形する際、複数本のリードを成
形型内の所定位置に１本ずつ配置しなければならない
等、製造上、手間がかかるという問題がある。
ネクタケースにインサート成形されたリードは、ケース
内部で複雑に折れ曲がった形状となっているため、例え
ば、コネクタケースを成形する際、複数本のリードを成
形型内の所定位置に１本ずつ配置しなければならない
等、製造上、手間がかかるという問題がある。
【００１０】その点、請求項３記載の発明によれば、リ
ード（３０）の全体を、センサ素子（１０）と電気的に
接続される面内に位置する平板形状としたことを特徴と
しており、それにより、従来のような複雑な曲げ形状の
リードと比べて、一般に知られている量産化に適したフ
ープ成形に適したリード形状を提供でき、リードのイン
サート成形を低コスト化できる。
ード（３０）の全体を、センサ素子（１０）と電気的に
接続される面内に位置する平板形状としたことを特徴と
しており、それにより、従来のような複雑な曲げ形状の
リードと比べて、一般に知られている量産化に適したフ
ープ成形に適したリード形状を提供でき、リードのイン
サート成形を低コスト化できる。
【００１１】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。本実施形態では、本発明を半導体圧
力センサに具体化したものとして説明する。本実施形態
の半導体圧力センサは例えば、浴槽の給湯器における湯
（または水）の流路に取り付けられ、当該流路内の圧力
によって浴槽の水位を検出する水位センサ等に適用可能
である。
について説明する。本実施形態では、本発明を半導体圧
力センサに具体化したものとして説明する。本実施形態
の半導体圧力センサは例えば、浴槽の給湯器における湯
（または水）の流路に取り付けられ、当該流路内の圧力
によって浴槽の水位を検出する水位センサ等に適用可能
である。
【００１３】図１〜図６に、本実施形態に係る半導体圧
力センサ１００（以下、単にセンサ１００という）の具
体的構成を示す。センサ１００は、大きくは、半導体よ
りなるセンサ素子１０が配設され、樹脂成形されたセン
サケース（本発明でいう第１のケース）２０と、このセ
ンサケース２０から一部が露出するように該センサケー
ス２０にインサート成形されるとともにセンサ素子１０
と電気的に接続された複数個のリード３０と、センサケ
ース２０に組み付けられてセンサ素子１０を覆うコネク
タケース（本発明でいう第２のケース）４０と、を備え
た構成を有する。
力センサ１００（以下、単にセンサ１００という）の具
体的構成を示す。センサ１００は、大きくは、半導体よ
りなるセンサ素子１０が配設され、樹脂成形されたセン
サケース（本発明でいう第１のケース）２０と、このセ
ンサケース２０から一部が露出するように該センサケー
ス２０にインサート成形されるとともにセンサ素子１０
と電気的に接続された複数個のリード３０と、センサケ
ース２０に組み付けられてセンサ素子１０を覆うコネク
タケース（本発明でいう第２のケース）４０と、を備え
た構成を有する。
【００１４】ここで、図１はセンサ１００を両ケース２
０、４０が分離された状態（ケース組付前の状態）で示
す概略斜視図、図２はセンサケース２０の概略断面図、
図３は図２中のＡ矢視図、図４はコネクタケース４０の
概略断面図、図５は図４中のＢ−Ｂ断面図、図６は両ケ
ース２０、４０の組付け状態を示す図である。
０、４０が分離された状態（ケース組付前の状態）で示
す概略斜視図、図２はセンサケース２０の概略断面図、
図３は図２中のＡ矢視図、図４はコネクタケース４０の
概略断面図、図５は図４中のＢ−Ｂ断面図、図６は両ケ
ース２０、４０の組付け状態を示す図である。
【００１５】センサケース２０は、ＰＰＳ（ポリフェニ
レンサルファイド）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレ
ート）等のプラスチック材料よりなる。図２に示す様
に、センサケース２０は、その一側にセンサ素子１０等
が配設された開口部２０ａを有し、この開口部２０ａの
底面より反対側に突出した圧力導入ポート２１を有す
る。この圧力導入ポート２１の先端部は、上記給湯器に
おける流路の適所にＯリング等を介して取付け可能とな
っている。また、圧力導入ポート２１の内部には、上記
流路からの圧力を導入するための導入孔２２が設けられ
ている。
レンサルファイド）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレ
ート）等のプラスチック材料よりなる。図２に示す様
に、センサケース２０は、その一側にセンサ素子１０等
が配設された開口部２０ａを有し、この開口部２０ａの
底面より反対側に突出した圧力導入ポート２１を有す
る。この圧力導入ポート２１の先端部は、上記給湯器に
おける流路の適所にＯリング等を介して取付け可能とな
っている。また、圧力導入ポート２１の内部には、上記
流路からの圧力を導入するための導入孔２２が設けられ
ている。
【００１６】また、センサケース２０における開口部２
０ａの底面には、その平坦部から凹んだ凹部２３が形成
され、この凹部２３内に、センサ素子１０がガラス等よ
りなる台座１１を介して固定されている。センサ素子１
０は、図示しないが、ピエゾ抵抗効果を有した半導体材
料（例えば単結晶シリコン）よりなるダイヤフラム上に
複数個の拡散抵抗を形成して、これら拡散抵抗をブリッ
ジ接続した構成となっており、このダイヤフラムの変形
に応じた拡散抵抗の抵抗値変化を上記ブリッジ回路から
電気信号として取り出すようになっている。
０ａの底面には、その平坦部から凹んだ凹部２３が形成
され、この凹部２３内に、センサ素子１０がガラス等よ
りなる台座１１を介して固定されている。センサ素子１
０は、図示しないが、ピエゾ抵抗効果を有した半導体材
料（例えば単結晶シリコン）よりなるダイヤフラム上に
複数個の拡散抵抗を形成して、これら拡散抵抗をブリッ
ジ接続した構成となっており、このダイヤフラムの変形
に応じた拡散抵抗の抵抗値変化を上記ブリッジ回路から
電気信号として取り出すようになっている。
【００１７】センサ素子１０と台座１１とはガラス接合
等にて接着されており、この台座１１の内部には、導入
孔２２と連通する貫通孔が形成されている。そして、上
記流路からの圧力は、上記導入孔２２から台座１１の貫
通孔を経て、センサ素子１０のダイヤフラムに伝達され
るようになっている。また、凹部２３内にはガラス台座
１１の貫通孔と導入孔２２との気密性を高めるために、
シリコンゲルや樹脂接着剤等の封止剤２４が充填されて
いる。
等にて接着されており、この台座１１の内部には、導入
孔２２と連通する貫通孔が形成されている。そして、上
記流路からの圧力は、上記導入孔２２から台座１１の貫
通孔を経て、センサ素子１０のダイヤフラムに伝達され
るようになっている。また、凹部２３内にはガラス台座
１１の貫通孔と導入孔２２との気密性を高めるために、
シリコンゲルや樹脂接着剤等の封止剤２４が充填されて
いる。
【００１８】また、複数本のリード３０は平板帯形状を
なし、センサケース２０にインサート成形され、センサ
ケース２０と一体化されている。これらリード３０は、
一般的なリードフレームの材料（例えばリン青銅に電解
ニッケルめっきしたもの等）を採用することができる。
ここで、これらリード３０のうちセンサケース２０の外
壁から大きく露出した３本の露出部３１（図３参照）
は、センサ素子１０の電気信号（出力）を外部へ取り出
すための取り出し部を構成している。
なし、センサケース２０にインサート成形され、センサ
ケース２０と一体化されている。これらリード３０は、
一般的なリードフレームの材料（例えばリン青銅に電解
ニッケルめっきしたもの等）を採用することができる。
ここで、これらリード３０のうちセンサケース２０の外
壁から大きく露出した３本の露出部３１（図３参照）
は、センサ素子１０の電気信号（出力）を外部へ取り出
すための取り出し部を構成している。
【００１９】また、図１〜図３に示す様に、センサケー
ス２０の開口部２０ａ内には、センサ素子１０からの出
力信号を増幅する増幅回路としてのバイポーラトランジ
スタ素子１２、これらセンサ素子１０からの出力信号や
バイポーラトランジスタ素子１２の信号等を調整する調
整回路としてのＭＯＳトランジスタ素子１３が、接着剤
等により固定されている。
ス２０の開口部２０ａ内には、センサ素子１０からの出
力信号を増幅する増幅回路としてのバイポーラトランジ
スタ素子１２、これらセンサ素子１０からの出力信号や
バイポーラトランジスタ素子１２の信号等を調整する調
整回路としてのＭＯＳトランジスタ素子１３が、接着剤
等により固定されている。
【００２０】そして、これらセンサ素子１０、バイポー
ラトランジスタ素子１２、ＭＯＳトランジスタ素子１
３、及び、リード３０は、図２及び図３に示す様に、ワ
イヤボンディングにより形成された金やアルミニウム等
よりなる複数本のワイヤ（図中、太線にて図示）１４に
より、適宜互いに電気的に接続されている。そして、セ
ンサ素子１０からの電気信号（出力）は、これらワイヤ
１４を通して、各素子１２、１３及びリード３０、リー
ドの露出部３１から外部へ取り出されるようになってい
る。
ラトランジスタ素子１２、ＭＯＳトランジスタ素子１
３、及び、リード３０は、図２及び図３に示す様に、ワ
イヤボンディングにより形成された金やアルミニウム等
よりなる複数本のワイヤ（図中、太線にて図示）１４に
より、適宜互いに電気的に接続されている。そして、セ
ンサ素子１０からの電気信号（出力）は、これらワイヤ
１４を通して、各素子１２、１３及びリード３０、リー
ドの露出部３１から外部へ取り出されるようになってい
る。
【００２１】ここで、図２に示す様に、これらリード３
０は、開口部２０ａの底面の平坦部に沿って配置されて
おり、その全体が、ワイヤ１４と接続される面内（即ち
センサ素子１０と電気的に接続される面内）に位置する
平板形状となっている。これは、後述するように、一般
に知られているフープ成形に適したリード形状を提供す
るためである。なお、図１においては、センサケース２
０における開口部２０ａ内において、該開口部２０ａ内
の側面段差部やリード３０、ワイヤ１４は省略してあ
る。
０は、開口部２０ａの底面の平坦部に沿って配置されて
おり、その全体が、ワイヤ１４と接続される面内（即ち
センサ素子１０と電気的に接続される面内）に位置する
平板形状となっている。これは、後述するように、一般
に知られているフープ成形に適したリード形状を提供す
るためである。なお、図１においては、センサケース２
０における開口部２０ａ内において、該開口部２０ａ内
の側面段差部やリード３０、ワイヤ１４は省略してあ
る。
【００２２】次に、センサケース２０に組み付けられて
センサ素子１０を覆うコネクタケース４０は、センサケ
ース２０と同じくＰＰＳやＰＢＴ等の樹脂にて射出成形
されたものであり、その内形がセンサケース２０の外形
に対応している。そして、コネクタケース４０は、セン
サケース２０の開口部２０ａを覆う被覆部４１と、この
被覆部４１から突出して形成されリード３０の露出部３
１を囲う囲い部４２と、センサ１００を上記給湯器にお
ける流路の適所に固定するための取付穴４３を有するフ
ランジ部４４と備えている。
センサ素子１０を覆うコネクタケース４０は、センサケ
ース２０と同じくＰＰＳやＰＢＴ等の樹脂にて射出成形
されたものであり、その内形がセンサケース２０の外形
に対応している。そして、コネクタケース４０は、セン
サケース２０の開口部２０ａを覆う被覆部４１と、この
被覆部４１から突出して形成されリード３０の露出部３
１を囲う囲い部４２と、センサ１００を上記給湯器にお
ける流路の適所に固定するための取付穴４３を有するフ
ランジ部４４と備えている。
【００２３】囲い部４２は略四角形筒状体をなし、該筒
体の内部にてリード３０の露出部３１を該露出部３１と
空間を隔てて囲っている。囲い部４２と被覆部４１との
間に位置する壁部４５には、リード３０の露出部３１が
挿入されて支持される穴部４６が形成されている。そし
て、囲い部４２とリード３０の露出部３１とにより、外
部端子に接続可能なコネクタ部５０が構成されており
（図６参照）、このコネクタ部５０は、一般のコネクタ
部材の外部端子に対し嵌合等により接続可能となってい
る。
体の内部にてリード３０の露出部３１を該露出部３１と
空間を隔てて囲っている。囲い部４２と被覆部４１との
間に位置する壁部４５には、リード３０の露出部３１が
挿入されて支持される穴部４６が形成されている。そし
て、囲い部４２とリード３０の露出部３１とにより、外
部端子に接続可能なコネクタ部５０が構成されており
（図６参照）、このコネクタ部５０は、一般のコネクタ
部材の外部端子に対し嵌合等により接続可能となってい
る。
【００２４】また、コネクタケース４０とセンサケース
２０とは、両ケース２０、４０のどちらか一方に設けら
れた突起部を他方に設けられた穴部にはめ込んで係止さ
せることにより結合する、いわゆるスナップフィットに
より結合されている。本例では、センサケース２０の両
側の外壁面に１個ずつ、突起部としての爪部２５が形成
され、コネクタケース４０の両側の外壁面に１個ずつ、
爪部２５に対応して穴部としての係止穴４７が形成され
ている。
２０とは、両ケース２０、４０のどちらか一方に設けら
れた突起部を他方に設けられた穴部にはめ込んで係止さ
せることにより結合する、いわゆるスナップフィットに
より結合されている。本例では、センサケース２０の両
側の外壁面に１個ずつ、突起部としての爪部２５が形成
され、コネクタケース４０の両側の外壁面に１個ずつ、
爪部２５に対応して穴部としての係止穴４７が形成され
ている。
【００２５】爪部２５は、図１中の矢印Ｘ方向にて示す
センサケース２０がはめ込まれる方向（以下、結合方向
という）から徐々に突出度合が大きくなるように、テー
パ状に突出している。また、コネクタケース４０の外壁
面には、上記結合方向から切りかかれたスリットが形成
され、それによって、該外壁面と交差する方向へ弾性変
形可能な板状の変形部４８が形成されており、上記係止
穴４７は、この変形部４８の厚み方向を貫通する貫通穴
として形成されている。
センサケース２０がはめ込まれる方向（以下、結合方向
という）から徐々に突出度合が大きくなるように、テー
パ状に突出している。また、コネクタケース４０の外壁
面には、上記結合方向から切りかかれたスリットが形成
され、それによって、該外壁面と交差する方向へ弾性変
形可能な板状の変形部４８が形成されており、上記係止
穴４７は、この変形部４８の厚み方向を貫通する貫通穴
として形成されている。
【００２６】ここで、これら爪部２５、係止穴４７及び
変形部４８による結合作用を図７に示しながら、両ケー
ス２０、４０の組付方法を説明する。なお、図７中のハ
ッチングは便宜上付したものである。まず、各素子の配
設及びワイヤボンディングがなされたセンサケース２０
を、リード３０の露出部３１がコネクタケース４０の穴
部４６に挿入されるように、上記結合方向に沿ってコネ
クタケース４０へ挿入していく（図１及び図７（ａ）参
照）。
変形部４８による結合作用を図７に示しながら、両ケー
ス２０、４０の組付方法を説明する。なお、図７中のハ
ッチングは便宜上付したものである。まず、各素子の配
設及びワイヤボンディングがなされたセンサケース２０
を、リード３０の露出部３１がコネクタケース４０の穴
部４６に挿入されるように、上記結合方向に沿ってコネ
クタケース４０へ挿入していく（図１及び図７（ａ）参
照）。
【００２７】すると、爪部２５が変形部４８の先端に接
触し、爪部２５のテーパ部によって、変形部４８が外方
に押し広げられるように弾性的に変形する（図７
（ｂ））。さらに、センサケース２０を挿入していく
と、爪部２５が係止穴４７にはまり込み、変形部４８は
弾性力によって元の位置に戻る（図７（ｃ））。こうし
て、爪部２５が係止穴４７に係止されることにより、図
６に示す様に、両ケース２０、４０が結合される。
触し、爪部２５のテーパ部によって、変形部４８が外方
に押し広げられるように弾性的に変形する（図７
（ｂ））。さらに、センサケース２０を挿入していく
と、爪部２５が係止穴４７にはまり込み、変形部４８は
弾性力によって元の位置に戻る（図７（ｃ））。こうし
て、爪部２５が係止穴４７に係止されることにより、図
６に示す様に、両ケース２０、４０が結合される。
【００２８】次に、センサケース２０の製造方法につい
て述べる。上述のように、リード３０は、一般に知られ
ているフープ成形に適した平面的なリード形状となって
おり、センサケース２０はフープ成形により作られる。
図８に、センサケース２０の製造方法を模式的に示す。
まず、１個のセンサ１００に用いられる複数本のリード
３０を１単位として、この１単位が直線状に複数個形成
された帯状のリードフレームＫ１を用意する（図８
（ａ））。
て述べる。上述のように、リード３０は、一般に知られ
ているフープ成形に適した平面的なリード形状となって
おり、センサケース２０はフープ成形により作られる。
図８に、センサケース２０の製造方法を模式的に示す。
まず、１個のセンサ１００に用いられる複数本のリード
３０を１単位として、この１単位が直線状に複数個形成
された帯状のリードフレームＫ１を用意する（図８
（ａ））。
【００２９】このリードフレームＫ１を巻き取り、コイ
ル状態にしておく（図８（ｂ））。ここで、リード３０
は上記の平面的な形状であるが故に、リードフレームＫ
１自体も、平面帯形状とでき、コイル状態に巻き取るこ
とが容易となる。そして、このコイル状態のリードフレ
ームＫ１を回転可能なシャフト（図示せず）に装着す
る。なお、リードフレームＫ１には、次工程における１
単位ずつの送り出しに対応して、リード３０の１単位間
隔で送り出し用の位置決め印が設けられていても良い。
ル状態にしておく（図８（ｂ））。ここで、リード３０
は上記の平面的な形状であるが故に、リードフレームＫ
１自体も、平面帯形状とでき、コイル状態に巻き取るこ
とが容易となる。そして、このコイル状態のリードフレ
ームＫ１を回転可能なシャフト（図示せず）に装着す
る。なお、リードフレームＫ１には、次工程における１
単位ずつの送り出しに対応して、リード３０の１単位間
隔で送り出し用の位置決め印が設けられていても良い。
【００３０】次に、図８（ｃ）に示す様に、センサケー
ス２０を射出成形するための射出成形機に設けられた成
形型Ｋ２内に、上記シャフトを回転させてリードフレー
ムＫ１をリード３０の１単位ずつ送り出し、成形型Ｋ２
内に位置決めする。次に、成形型Ｋ２内に樹脂を射出
し、リード３０と樹脂が一体化したセンサケース２０を
成形する。そして、１個のセンサケース２０が成形され
ると、リードフレームＫ１のうち樹脂からはみ出した余
分な部分は、分断型Ｋ３によって切断除去される。セン
サケース２０が出来上がる。これを、リード３０の１単
位毎に繰り返すことで、容易にセンサケース２０を量産
化できる。
ス２０を射出成形するための射出成形機に設けられた成
形型Ｋ２内に、上記シャフトを回転させてリードフレー
ムＫ１をリード３０の１単位ずつ送り出し、成形型Ｋ２
内に位置決めする。次に、成形型Ｋ２内に樹脂を射出
し、リード３０と樹脂が一体化したセンサケース２０を
成形する。そして、１個のセンサケース２０が成形され
ると、リードフレームＫ１のうち樹脂からはみ出した余
分な部分は、分断型Ｋ３によって切断除去される。セン
サケース２０が出来上がる。これを、リード３０の１単
位毎に繰り返すことで、容易にセンサケース２０を量産
化できる。
【００３１】出来上がったセンサケース２０に対して
は、上述のように、台座１１に接着されたセンサ素子１
０、両トランジスタ素子１２及び１３を接着し、ワイヤ
ボンディングを行うことにより、図２及び図３に示す状
態となる。そして、この状態のセンサケース２０を、上
述のように、コネクタケース４０に結合することで、セ
ンサ１００が出来上がる。
は、上述のように、台座１１に接着されたセンサ素子１
０、両トランジスタ素子１２及び１３を接着し、ワイヤ
ボンディングを行うことにより、図２及び図３に示す状
態となる。そして、この状態のセンサケース２０を、上
述のように、コネクタケース４０に結合することで、セ
ンサ１００が出来上がる。
【００３２】かかるセンサ１００は、次のように相対圧
センサとして作動する。給湯器における湯（または水）
の流路内の圧力は、導入孔２２から台座１１の貫通孔を
経て、センサ素子１０のダイヤフラムの裏面側に導入さ
れる。一方、例えばコネクタケース４０の適所に大気と
連通する穴（図示せず）を設けたり、両ケース２０、４
０の隙間を利用する等により、センサ素子１０のダイヤ
フラムの表面は大気と連通して大気圧（基準圧）となっ
ている。
センサとして作動する。給湯器における湯（または水）
の流路内の圧力は、導入孔２２から台座１１の貫通孔を
経て、センサ素子１０のダイヤフラムの裏面側に導入さ
れる。一方、例えばコネクタケース４０の適所に大気と
連通する穴（図示せず）を設けたり、両ケース２０、４
０の隙間を利用する等により、センサ素子１０のダイヤ
フラムの表面は大気と連通して大気圧（基準圧）となっ
ている。
【００３３】そして、両面の圧力差によって当該ダイヤ
フラムが歪んだとき、この歪みに基づく電気信号が発生
する。この信号は、ワイヤ１４、各トランジスタ素子１
２、１３及びリード３０、リード３０の露出部３１を経
て、コネクタ部５０に接続された外部端子へ取り出され
る。そして、外部回路にて信号処理を行うことにより、
流路内の圧力が相対圧として検出され、この圧力に応じ
て水位等を求めることが可能となっている。
フラムが歪んだとき、この歪みに基づく電気信号が発生
する。この信号は、ワイヤ１４、各トランジスタ素子１
２、１３及びリード３０、リード３０の露出部３１を経
て、コネクタ部５０に接続された外部端子へ取り出され
る。そして、外部回路にて信号処理を行うことにより、
流路内の圧力が相対圧として検出され、この圧力に応じ
て水位等を求めることが可能となっている。
【００３４】以上、本実施形態によれば、リード３０
は、囲い部４２とともにコネクタ部５０を構成して外部
端子に接続可能となるため、簡単な構成にて、センサ１
００におけるコネクタ機能を実現でき、別途、コネクタ
部材は不要となる。また、リード３０は、予め、センサ
ケース２０にインサート成形されているため、コネクタ
としてのリード３０を別途、溶接やはんだ付けする等の
手間が無くなる。よって、本実施形態によれば、低コス
トで構成が簡素化された半導体センサを提供をすること
ができる。
は、囲い部４２とともにコネクタ部５０を構成して外部
端子に接続可能となるため、簡単な構成にて、センサ１
００におけるコネクタ機能を実現でき、別途、コネクタ
部材は不要となる。また、リード３０は、予め、センサ
ケース２０にインサート成形されているため、コネクタ
としてのリード３０を別途、溶接やはんだ付けする等の
手間が無くなる。よって、本実施形態によれば、低コス
トで構成が簡素化された半導体センサを提供をすること
ができる。
【００３５】また、本実施形態によれば、スナップフィ
ットによる結合により、両ケース２０、４０の組付固定
を行うことができるため、従来の接着やかしめのよう
に、加工工数や設備投資が大きいケースの組付方法を採
用したものに比べて、より低コスト化が図れる。
ットによる結合により、両ケース２０、４０の組付固定
を行うことができるため、従来の接着やかしめのよう
に、加工工数や設備投資が大きいケースの組付方法を採
用したものに比べて、より低コスト化が図れる。
【００３６】また、本実施形態によれば、リード３０
を、センサ素子１０と電気的に接続される面内において
平面的な形状としているため、従来のような複雑な曲げ
形状のリードと比べて、一般に知られている量産化に適
したフープ成形に適したリード形状を提供でき、リード
のインサート成形を低コスト化できる。
を、センサ素子１０と電気的に接続される面内において
平面的な形状としているため、従来のような複雑な曲げ
形状のリードと比べて、一般に知られている量産化に適
したフープ成形に適したリード形状を提供でき、リード
のインサート成形を低コスト化できる。
【００３７】（他の実施形態）なお、上記実施形態で
は、リード３０を、フープ成形に適した平面的なリード
形状としているが、リードはセンサ素子と電気的に接続
される面内において完全に平面的な形状でなくとも良
く、リードフレームとしてコイル状態に巻き取り可能で
あるならば、多少平面から外れて曲がった形状であって
も良い。また、本発明は、半導体センサとして、半導体
センサ素子を用いた温度センサや加速度センサ等にも適
用可能である。
は、リード３０を、フープ成形に適した平面的なリード
形状としているが、リードはセンサ素子と電気的に接続
される面内において完全に平面的な形状でなくとも良
く、リードフレームとしてコイル状態に巻き取り可能で
あるならば、多少平面から外れて曲がった形状であって
も良い。また、本発明は、半導体センサとして、半導体
センサ素子を用いた温度センサや加速度センサ等にも適
用可能である。
【図１】本発明の実施形態に係る半導体圧力センサをケ
ース組付前の状態で示す概略斜視図である。
ース組付前の状態で示す概略斜視図である。
【図２】図１に示す半導体圧力センサのセンサケースの
概略断面図である。
概略断面図である。
【図３】図２中のＡ矢視図である。
【図４】図１に示す半導体圧力センサのコネクタケース
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図５】図４中のＢ−Ｂ断面図である。
【図６】図１に示す半導体圧力センサのケース組付け状
態を示す図である。
態を示す図である。
【図７】図１に示す半導体圧力センサのケースの結合作
用を示す説明図である。
用を示す説明図である。
【図８】上記実施形態に係るセンサケースの製造方法を
模式的に示す説明図である。
模式的に示す説明図である。
１０…センサ素子、２０…センサケース、３０…リー
ド、３１…リードの露出部、４０…コネクタケース、４
２…囲い部、５０…コネクタ部。
ド、３１…リードの露出部、４０…コネクタケース、４
２…囲い部、５０…コネクタ部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F055 AA39 BB05 CC02 DD05 EE13 FF43 GG01 GG25 HH19 4M112 AA01 BA01 CA11 CA13 CA15 EA02 GA01 GA03
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体よりなるセンサ素子（１０）が配
設され、樹脂成形された第１のケース（２０）と、 この第１のケースから一部が露出するように前記第１の
ケースにインサート成形されるとともに前記センサ素子
と電気的に接続されたリード（３０）と、 前記第１のケースに組み付けられて前記センサ素子を覆
う第２のケース（４０）と、 前記第２のケースに形成され、前記リードの露出部（３
１）を囲う囲い部（４２）とを備え、 前記リードの露出部と前記囲い部とにより、該露出部を
外部端子に接続可能なコネクタ部（５０）が構成されて
いることを特徴とする圧力センサ。 - 【請求項２】 半導体よりなるセンサ素子（１０）が配
設され、樹脂成形された第１のケース（２０）と、 この第１のケースから一部が露出するように前記第１の
ケースにインサート成形されるとともに前記センサ素子
と電気的に接続されたリード（３０）と、 前記第１のケースに組み付けられて前記センサ素子を覆
う第２のケース（４０）と、 前記第２のケースに形成され、前記リードの露出部（３
１）を囲う囲い部（４２）とを備え、 前記リードの露出部と前記囲い部とにより、該露出部を
外部端子に接続可能なコネクタ部（５０）が構成されて
おり、 前記第１のケースと前記第２のケースとは、これら両ケ
ースのどちらか一方に設けられた突起部（２５）を、他
方に設けられた穴部（４７）にはめ込んで係止させるこ
とにより、結合されていることを特徴とする半導体セン
サ。 - 【請求項３】 前記リード（３０）は、その全体が前記
センサ素子（１０）と電気的に接続される面内に位置す
る平板形状となっていることを特徴とする請求項１また
は２に記載の半導体センサ。 - 【請求項４】 前記囲い部（４２）は、前記リード（３
０）の露出部（３１）を該露出部と空間を隔てて囲って
いることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つ
に記載の半導体センサ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28593899A JP4281178B2 (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | 半導体圧力センサ |
| US09/678,846 US6439058B1 (en) | 1999-10-06 | 2000-10-04 | Semiconductor sensor |
| DE10049356A DE10049356B4 (de) | 1999-10-06 | 2000-10-05 | Halbleitersensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28593899A JP4281178B2 (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001108544A true JP2001108544A (ja) | 2001-04-20 |
| JP4281178B2 JP4281178B2 (ja) | 2009-06-17 |
Family
ID=17697939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28593899A Expired - Fee Related JP4281178B2 (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | 半導体圧力センサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6439058B1 (ja) |
| JP (1) | JP4281178B2 (ja) |
| DE (1) | DE10049356B4 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004354384A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Rosemount Inc | 圧力センサステム用電気コネクタ |
| JP2006023309A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Robert Bosch Gmbh | センサ装置 |
| JP2016017746A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-01 | アルプス電気株式会社 | 圧力検出装置 |
| CN105745521A (zh) * | 2013-11-18 | 2016-07-06 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于感测测量室中流体介质的压力的压力传感器组件 |
| JP2017506750A (ja) * | 2014-02-28 | 2017-03-09 | メジャメント スペシャリティーズ， インコーポレイテッド | 差圧検知ダイ用のパッケージ |
| JP2018081039A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | 日本電産トーソク株式会社 | 油圧センサ取付構造 |
| CN109073492A (zh) * | 2016-04-27 | 2018-12-21 | 北陆电气工业株式会社 | 压力传感器装置 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7456219B2 (en) * | 2002-03-04 | 2008-11-25 | Merck Hdac Research, Llc | Polymorphs of suberoylanilide hydroxamic acid |
| US6758105B2 (en) * | 2002-11-22 | 2004-07-06 | Visteon Global Technologies, Inc. | Magnetoelastic torque sensor assembly |
| DE10322124A1 (de) * | 2003-05-16 | 2004-12-02 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung zur Bestimmung wenigstens eines Parameters eines in einer Leitung strömenden Mediums |
| JP2007315792A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 圧力センサの取り付け構造 |
| JP2008151738A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-03 | Denso Corp | 圧力センサ |
| DE102007009692A1 (de) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Robert Bosch Gmbh | Unfallsensor |
| US8288876B2 (en) * | 2010-05-14 | 2012-10-16 | Continental Automotive Systems, Inc. | Bonding wire profile for minimizing vibration fatigue failure |
| US8720414B2 (en) * | 2011-12-22 | 2014-05-13 | Continental Automotive Systems, Inc. | Throttle position sensor assembly |
| DE102013101731A1 (de) | 2013-02-21 | 2014-09-04 | Epcos Ag | Drucksensorsystem |
| US9212963B2 (en) * | 2013-05-24 | 2015-12-15 | Barksdale, Inc. | Sensor water freeze protector |
| JP5972850B2 (ja) * | 2013-11-15 | 2016-08-17 | 長野計器株式会社 | 物理量測定センサ |
| WO2016088756A1 (ja) | 2014-12-01 | 2016-06-09 | 北陸電気工業株式会社 | 半導体圧力センサ装置 |
| US9903777B2 (en) * | 2015-03-12 | 2018-02-27 | Sensata Technologies, Inc. | Pressure transducer |
| EP3236226B1 (en) | 2016-04-20 | 2019-07-24 | Sensata Technologies, Inc. | Method of manufacturing a pressure sensor |
| JP6834405B2 (ja) * | 2016-11-25 | 2021-02-24 | 日本電産トーソク株式会社 | 油圧センサ取付構造 |
| JP6838461B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2021-03-03 | 日本電産トーソク株式会社 | 油圧センサ取付構造 |
| US10545064B2 (en) | 2017-05-04 | 2020-01-28 | Sensata Technologies, Inc. | Integrated pressure and temperature sensor |
| US10323998B2 (en) | 2017-06-30 | 2019-06-18 | Sensata Technologies, Inc. | Fluid pressure sensor |
| US10724907B2 (en) | 2017-07-12 | 2020-07-28 | Sensata Technologies, Inc. | Pressure sensor element with glass barrier material configured for increased capacitive response |
| US10557770B2 (en) | 2017-09-14 | 2020-02-11 | Sensata Technologies, Inc. | Pressure sensor with improved strain gauge |
| US10605686B2 (en) | 2017-10-19 | 2020-03-31 | Veoneer Us, Inc. | Dual wet and dry combination mounting |
| DE102018206210A1 (de) * | 2018-04-23 | 2019-10-24 | Continental Automotive Gmbh | Deckelanordnung für einen Sensor sowie Fußgängerschutzsensor für ein Fahrzeug |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4870863A (en) * | 1987-09-17 | 1989-10-03 | Square D Company | Modular switch device |
| US5184107A (en) * | 1991-01-28 | 1993-02-02 | Honeywell, Inc. | Piezoresistive pressure transducer with a conductive elastomeric seal |
| US5257547A (en) * | 1991-11-26 | 1993-11-02 | Honeywell Inc. | Amplified pressure transducer |
| DE4422249A1 (de) * | 1994-06-24 | 1996-02-15 | Temic Bayern Chem Airbag Gmbh | Vorrichtung zum Unterbrechen des Stromflusses in dem Massekabel einer Kraftfahrzeugbatterie |
| JP3378092B2 (ja) | 1994-08-09 | 2003-02-17 | カルソニックカンセイ株式会社 | 圧力センサ |
| US5747694A (en) * | 1995-07-28 | 1998-05-05 | Nippondenso Co., Ltd. | Pressure sensor with barrier in a pressure chamber |
| JPH09178591A (ja) | 1995-12-25 | 1997-07-11 | Denso Corp | 半導体圧力センサ |
| US5948991A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-07 | Denso Corporation | Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip |
| US6131467A (en) * | 1997-05-09 | 2000-10-17 | Fujikoki Corporation | Pressure sensor including a joint for connecting a housing and connector case together |
| US5828290A (en) * | 1997-08-22 | 1998-10-27 | Cts Corporation | Modular position sensor |
-
1999
- 1999-10-06 JP JP28593899A patent/JP4281178B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-10-04 US US09/678,846 patent/US6439058B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-05 DE DE10049356A patent/DE10049356B4/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004354384A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Rosemount Inc | 圧力センサステム用電気コネクタ |
| JP4726434B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2011-07-20 | ローズマウント インコーポレイテッド | 圧力センサステム用電気コネクタ |
| JP2006023309A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Robert Bosch Gmbh | センサ装置 |
| CN105745521A (zh) * | 2013-11-18 | 2016-07-06 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于感测测量室中流体介质的压力的压力传感器组件 |
| JP2017506750A (ja) * | 2014-02-28 | 2017-03-09 | メジャメント スペシャリティーズ， インコーポレイテッド | 差圧検知ダイ用のパッケージ |
| JP2016017746A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-01 | アルプス電気株式会社 | 圧力検出装置 |
| CN109073492A (zh) * | 2016-04-27 | 2018-12-21 | 北陆电气工业株式会社 | 压力传感器装置 |
| JP2018081039A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | 日本電産トーソク株式会社 | 油圧センサ取付構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4281178B2 (ja) | 2009-06-17 |
| DE10049356A1 (de) | 2001-05-03 |
| US6439058B1 (en) | 2002-08-27 |
| DE10049356B4 (de) | 2009-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001108544A (ja) | 半導体センサ | |
| KR100642912B1 (ko) | 유량 측정 장치 | |
| JP3223769B2 (ja) | 回転センサとその製造方法 | |
| US7712361B2 (en) | Flow rate measuring apparatus having a resin plate for supporting a flow rate detecting element and a circuit board | |
| US7221149B2 (en) | Moving object detection device | |
| US20050229708A1 (en) | Pressure sensor device with temperature detecting element and attachment method thereof | |
| JP2004198240A (ja) | センサ装置 | |
| JP6253825B1 (ja) | 半導体差圧センサ | |
| JP5929721B2 (ja) | 流量センサ | |
| US11402274B2 (en) | Temperature sensor device | |
| US6955091B2 (en) | Pressure sensor apparatus | |
| JP2004125767A (ja) | センサ装置 | |
| JPH02124598A (ja) | 圧電サウンダーの製造方法 | |
| JP2001183385A (ja) | 回転検出装置 | |
| JP7425938B2 (ja) | 電気装置 | |
| JP2002310830A (ja) | センサ装置の製造方法 | |
| JP2540967Y2 (ja) | 圧力センサ | |
| CN218782884U (zh) | 用于电子膨胀阀的线圈结构、电子膨胀阀和机动车 | |
| EP4376436A1 (en) | Electric device | |
| JP3751528B2 (ja) | センサ及び圧力センサ | |
| JP2597510Y2 (ja) | 磁気センサ | |
| JPH09218123A (ja) | 圧力センサ | |
| JP2854286B2 (ja) | 表面実装型圧力センサとその製造方法 | |
| JPH04155970A (ja) | 半導体圧力センサー | |
| JP2004003936A (ja) | 圧力センサ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051118 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080131 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080205 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080225 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080930 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081009 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090224 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090309 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130327 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140327 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |