JP2001086596A - 半導体装置、半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンおよび半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法。 - Google Patents
半導体装置、半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンおよび半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法。Info
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- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体エレクトレットコンデンサマイクロ
ホンの容量値の増大、振動膜の振動のしやすさを向上さ
せ、同時に製造コストの上昇を防止する。 【解決手段】 半導体基板１１上には固定電極層１２が
形成され、スペーサ１４に振動膜１６が設けられてい
る。この振動膜１６は、半導体基板１１の端からはみ出
て配置され、電極パッド２０〜２３は、振動膜１６から
露出されて配置される。
ホンの容量値の増大、振動膜の振動のしやすさを向上さ
せ、同時に製造コストの上昇を防止する。 【解決手段】 半導体基板１１上には固定電極層１２が
形成され、スペーサ１４に振動膜１６が設けられてい
る。この振動膜１６は、半導体基板１１の端からはみ出
て配置され、電極パッド２０〜２３は、振動膜１６から
露出されて配置される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンに関する
ものである。
半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話には、小型化が容易なエレクト
レットコンデンサマイクロホンが多用されている。この
方式として、例えば特開平１１−８８９９２号に、集積
化された半導体基板上に導電膜（以下固定電極層と呼
ぶ）を形成し、該固定電極層上にスペーサを介して振動
膜を取り付けた例が記載されている。
レットコンデンサマイクロホンが多用されている。この
方式として、例えば特開平１１−８８９９２号に、集積
化された半導体基板上に導電膜（以下固定電極層と呼
ぶ）を形成し、該固定電極層上にスペーサを介して振動
膜を取り付けた例が記載されている。
【０００３】その構造を図３に示す。シリコン半導体基
板１１１の表面に固定電極層１１２、絶縁膜１１３、ス
ペーサ１１４及び振動膜１１５を順に積層したものであ
り、この積層体が空孔１１６を有するパッケージ１１8
に実装されている。尚、符号１１7は、布（クロス）で
あり、必要により設けられる。半導体基板１１１の表面
にはインピーダンス変換用の接合型ＦＥＴ素子と、更に
アンプ回路やノイズキャンセル回路などが、通常の半導
体プロセスによって集積化されている。振動膜１１５と
固定電極層１１２とが形成するコンデンサは、音による
空気振動が振動膜１１５を振動させることによってその
容量値が変化し、該容量値の変化を前記ＦＥＴ素子に入
力して電気信号に変換するようになっている。
板１１１の表面に固定電極層１１２、絶縁膜１１３、ス
ペーサ１１４及び振動膜１１５を順に積層したものであ
り、この積層体が空孔１１６を有するパッケージ１１8
に実装されている。尚、符号１１7は、布（クロス）で
あり、必要により設けられる。半導体基板１１１の表面
にはインピーダンス変換用の接合型ＦＥＴ素子と、更に
アンプ回路やノイズキャンセル回路などが、通常の半導
体プロセスによって集積化されている。振動膜１１５と
固定電極層１１２とが形成するコンデンサは、音による
空気振動が振動膜１１５を振動させることによってその
容量値が変化し、該容量値の変化を前記ＦＥＴ素子に入
力して電気信号に変換するようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】斯かる構成に於いて、
マイクロホンの出力を大きくするには、容量の値を大き
くする必要があり、固定電極層１１２と振動膜１１５と
を可能な限り拡大し、その重畳面積を大きくし、更には
固定電極層１１２と振動膜１１５の間隔を小さくするこ
とがすることが好ましいことは言うまでもない。故に、
半導体基板１１１上に於いて固定電極層１１２は、その
大部分の面積を占有し、余白箇所に集積化する素子を配
置することになる。
マイクロホンの出力を大きくするには、容量の値を大き
くする必要があり、固定電極層１１２と振動膜１１５と
を可能な限り拡大し、その重畳面積を大きくし、更には
固定電極層１１２と振動膜１１５の間隔を小さくするこ
とがすることが好ましいことは言うまでもない。故に、
半導体基板１１１上に於いて固定電極層１１２は、その
大部分の面積を占有し、余白箇所に集積化する素子を配
置することになる。
【０００５】しかしながら、固定電極層１１２の面積を
拡大し、前記固定電極層１１２と前記振動膜１１５の重
畳面積を大きくしてマイクロホンの出力を大きくするに
は、半導体基板自身のサイズを大きくする必要があり、
製造コストを押し上げるという欠点があった。
拡大し、前記固定電極層１１２と前記振動膜１１５の重
畳面積を大きくしてマイクロホンの出力を大きくするに
は、半導体基板自身のサイズを大きくする必要があり、
製造コストを押し上げるという欠点があった。
【０００６】また製造コストの抑制のために、半導体基
板のサイズを現状のままとし、固定電極層１１２と振動
膜１１５を大きくしようとすると、振動膜１１５が電極
パッドと重畳し、金属細線が接続できない構造になって
しまう問題もあった。
板のサイズを現状のままとし、固定電極層１１２と振動
膜１１５を大きくしようとすると、振動膜１１５が電極
パッドと重畳し、金属細線が接続できない構造になって
しまう問題もあった。
【０００７】また図３に於いて、スペーサ１１４は、前
記振動膜１１５の全周に配置されるため、固定電極層１
１２、スペーサ１１４および振動膜１１５で構成される
空間は、密閉されている。そのため、密閉空間内の空気
の出入りが無いため、振動膜１１５自身が振動しずら
く、外からの音が振動膜に伝わっても振動膜の振動が小
さいために、その出力が大きくとれない問題があった。
記振動膜１１５の全周に配置されるため、固定電極層１
１２、スペーサ１１４および振動膜１１５で構成される
空間は、密閉されている。そのため、密閉空間内の空気
の出入りが無いため、振動膜１１５自身が振動しずら
く、外からの音が振動膜に伝わっても振動膜の振動が小
さいために、その出力が大きくとれない問題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した課題
に鑑みて成されたものであり、振動膜の一部が前記半導
体基板の端からはみ出た状態で設置できるようにする事
で解決するものである。
に鑑みて成されたものであり、振動膜の一部が前記半導
体基板の端からはみ出た状態で設置できるようにする事
で解決するものである。
【０００９】振動膜が半導体基板の周囲からはみ出れ
ば、空気振動は、はみ出た振動膜の裏面で反射して、振
動膜と固定電極層で成る空間に浸入しやすくなり、振動
膜をより大きく振動させることができる。
ば、空気振動は、はみ出た振動膜の裏面で反射して、振
動膜と固定電極層で成る空間に浸入しやすくなり、振動
膜をより大きく振動させることができる。
【００１０】また振動膜の一部が前記半導体基板の端か
らはみ出た状態で設置され、前記半導体基板の周囲に形
成された外部接続用の電極パッドが露出されることで解
決するものである。
らはみ出た状態で設置され、前記半導体基板の周囲に形
成された外部接続用の電極パッドが露出されることで解
決するものである。
【００１１】振動膜が電極パッドと重畳しないように、
振動膜をずらし、振動膜が半導体基板からはみ出ても、
空気振動は、はみ出た振動膜の裏面で反射して、振動膜
と固定電極層で成る空間に浸入しやすくなり、振動膜を
より大きく振動させることができる。しかも振動膜は、
電極パッドと重畳していないため、金属細線の接続も可
能となる。
振動膜をずらし、振動膜が半導体基板からはみ出ても、
空気振動は、はみ出た振動膜の裏面で反射して、振動膜
と固定電極層で成る空間に浸入しやすくなり、振動膜を
より大きく振動させることができる。しかも振動膜は、
電極パッドと重畳していないため、金属細線の接続も可
能となる。
【００１２】またスペーサが連続せず分断していること
で解決するものである。
で解決するものである。
【００１３】スペーサが分断されていれば、振動膜、ス
ペーサおよび固定電極層で成る空間内の空気が、前記ス
ペーサの分断領域を通じて出入り可能となる。つまり前
記空間内の空気の出入りが可能となることで、振動膜は
上下に動きやすく成り、振動しやすくなる。
ペーサおよび固定電極層で成る空間内の空気が、前記ス
ペーサの分断領域を通じて出入り可能となる。つまり前
記空間内の空気の出入りが可能となることで、振動膜は
上下に動きやすく成り、振動しやすくなる。
【００１４】また半導体ウェハ上に絶縁膜を形成し、前
記第１の絶縁膜上にマトリックス状に固定電極層を形成
し、前記固定電極層の周囲に、絶縁性樹脂膜から成るス
ペーサを形成した後、前記半導体ウェハをダイシングし
て半導体装置とし、前記半導体装置の前記スペーサに振
動膜を設置することで解決するものである。
記第１の絶縁膜上にマトリックス状に固定電極層を形成
し、前記固定電極層の周囲に、絶縁性樹脂膜から成るス
ペーサを形成した後、前記半導体ウェハをダイシングし
て半導体装置とし、前記半導体装置の前記スペーサに振
動膜を設置することで解決するものである。
【００１５】半導体ウェハをダイシングした後、振動膜
をスペーサに設置するため、振動膜をずらすことも、半
導体基板からはみ出させることも可能となる。
をスペーサに設置するため、振動膜をずらすことも、半
導体基板からはみ出させることも可能となる。
【００１６】更には、半導体基板の表面に形成した固定
電極層と、前記固定電極層の周囲に少なくとも三つ設け
たスペーサと、前記スペーサに設置される振動膜とを少
なくとも有する半導体装置を中空のパッケージ内に実装
して成る半導体エレクトレットコンデンサマイクロホン
であって、前記半導体基板側面と前記パッケージとの間
が離間され、この離間された空間と前記振動膜下の空間
が、前記スペーサとスペーサの間を通じて連続している
ため、振動膜下の空気が前記離間された空間に出ること
も、また逆に離間された空間の空気が振動膜下の空間に
入ることを可能とし、振動膜の振動性をより容易にする
事ができる。
電極層と、前記固定電極層の周囲に少なくとも三つ設け
たスペーサと、前記スペーサに設置される振動膜とを少
なくとも有する半導体装置を中空のパッケージ内に実装
して成る半導体エレクトレットコンデンサマイクロホン
であって、前記半導体基板側面と前記パッケージとの間
が離間され、この離間された空間と前記振動膜下の空間
が、前記スペーサとスペーサの間を通じて連続している
ため、振動膜下の空気が前記離間された空間に出ること
も、また逆に離間された空間の空気が振動膜下の空間に
入ることを可能とし、振動膜の振動性をより容易にする
事ができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳細に説明する。
を参照しながら詳細に説明する。
【００１８】図１の上図は本発明の半導体装置を示す平
面図であり、下図はＡ−Ａ線に於ける断面図である。概
略２×２ｍｍの大きさを持つ半導体基板１１の表面に、
直径が１．５ｍｍ程度の円形の固定電極層１２が形成さ
れている。固定電極層１２の外側周辺から半導体基板の
周辺までの領域で、前記半導体基板１１表面には、通常
の半導体製造プロセスによって、インピーダンス変換用
の接合型又はＭＯＳ型のＦＥＴ素子Ｄと、バイポーラ型
及びまたはＭＯＳ型の能動素子、そして抵抗などの受動
素子が集積化され、前記変換用の素子Ｄと共に、増幅回
路やノイズキャンセル回路などの集積回路網を構成す
る。また、半導体基板１１の周辺部には、これらの集積
回路と外部回路との入出力を行うための電極パッド２０
〜２３が配置されている。
面図であり、下図はＡ−Ａ線に於ける断面図である。概
略２×２ｍｍの大きさを持つ半導体基板１１の表面に、
直径が１．５ｍｍ程度の円形の固定電極層１２が形成さ
れている。固定電極層１２の外側周辺から半導体基板の
周辺までの領域で、前記半導体基板１１表面には、通常
の半導体製造プロセスによって、インピーダンス変換用
の接合型又はＭＯＳ型のＦＥＴ素子Ｄと、バイポーラ型
及びまたはＭＯＳ型の能動素子、そして抵抗などの受動
素子が集積化され、前記変換用の素子Ｄと共に、増幅回
路やノイズキャンセル回路などの集積回路網を構成す
る。また、半導体基板１１の周辺部には、これらの集積
回路と外部回路との入出力を行うための電極パッド２０
〜２３が配置されている。
【００１９】図１の下図では、前記固定電極層１２の上
に絶縁膜１３が形成され、その上にスペーサ１４が配置
されているが、具体的には図４の様になっている。
に絶縁膜１３が形成され、その上にスペーサ１４が配置
されているが、具体的には図４の様になっている。
【００２０】では図４を参照しながら説明すると、符号
３０は、５０００Å〜１００００ÅのＳｉＯ２膜で、一
層目の配線３１の下層に位置する膜である。固定電極層
１２は、一層目の配線３１と同時に形成され、材料は、
例えばＡｌ−Ｓｉである。この上には、約４０００Åの
Ｓｉ3Ｎ4膜３２が形成されている。また必要によりＰＩ
ＸやＳｉ3Ｎ4膜等のパッシベーション膜３４が形成され
ている。このパッシベーション膜３４は、固定電極層１
２の殆どの領域が取り除かれている。この理由は、パッ
シベーション膜が容量の誘電体の厚みを増加させるため
である。
３０は、５０００Å〜１００００ÅのＳｉＯ２膜で、一
層目の配線３１の下層に位置する膜である。固定電極層
１２は、一層目の配線３１と同時に形成され、材料は、
例えばＡｌ−Ｓｉである。この上には、約４０００Åの
Ｓｉ3Ｎ4膜３２が形成されている。また必要によりＰＩ
ＸやＳｉ3Ｎ4膜等のパッシベーション膜３４が形成され
ている。このパッシベーション膜３４は、固定電極層１
２の殆どの領域が取り除かれている。この理由は、パッ
シベーション膜が容量の誘電体の厚みを増加させるため
である。
【００２１】図１に戻ると、半導体基板１１の全面は、
前述したように絶縁膜１３が形成され、この上にはスペ
ーサ１４が形成されている。
前述したように絶縁膜１３が形成され、この上にはスペ
ーサ１４が形成されている。
【００２２】このスペーサ１４は、感光性樹脂、例えば
ポリイミドから成り、ホトリソグラフィー技術によりパ
ターン化される。ここでは、ベイキング処理された後で
１３μｍ厚程度に成っている。
ポリイミドから成り、ホトリソグラフィー技術によりパ
ターン化される。ここでは、ベイキング処理された後で
１３μｍ厚程度に成っている。
【００２３】以上までが半導体ウェハ上で製造され、こ
の後は、ダイシングにより個々の半導体装置に分離され
る。
の後は、ダイシングにより個々の半導体装置に分離され
る。
【００２４】ここで前記半導体ウェハにスペーサ１４を
形成した後、ダイシングする理由を、以下に述べる。つ
まり固定電極層１２を前記電極パッド２０乃至２３に近
接して可能な限り大きく配置し、これに振動膜１６を配
置すると、振動膜１６のサイズは、固定電極層１２のサ
イズよりも大きいため、振動膜１６が電極パッド２０乃
至２３に重なり、図示せぬ金属細線が接続できない。そ
のため、本発明のポイントとなる振動膜１６をずらし、
電極パッドを露出させる。その結果、振動膜１６は、半
導体基板１１からはみ出さざるを得ない。
形成した後、ダイシングする理由を、以下に述べる。つ
まり固定電極層１２を前記電極パッド２０乃至２３に近
接して可能な限り大きく配置し、これに振動膜１６を配
置すると、振動膜１６のサイズは、固定電極層１２のサ
イズよりも大きいため、振動膜１６が電極パッド２０乃
至２３に重なり、図示せぬ金属細線が接続できない。そ
のため、本発明のポイントとなる振動膜１６をずらし、
電極パッドを露出させる。その結果、振動膜１６は、半
導体基板１１からはみ出さざるを得ない。
【００２５】仮にウェハの状態で、振動膜１６を取り付
け、ダイシングすると、結局、振動膜１６も一緒にダイ
シングされ、振動膜１６を半導体基板１１からはみ出す
ことができなくなるからである。
け、ダイシングすると、結局、振動膜１６も一緒にダイ
シングされ、振動膜１６を半導体基板１１からはみ出す
ことができなくなるからである。
【００２６】また半導体基板１１から振動膜１６がはみ
出すと、空気振動は、はみ出した振動膜１６の裏面で反
射しながら、振動膜１６と半導体基板１１で成る空間に
浸入しやすくなり、振動膜１６を振動しやすくなる。
出すと、空気振動は、はみ出した振動膜１６の裏面で反
射しながら、振動膜１６と半導体基板１１で成る空間に
浸入しやすくなり、振動膜１６を振動しやすくなる。
【００２７】ここで振動膜は、例えば片面にＮｉ、Ａｌ
またはＴｉ等の電極材料が形成された厚さ５μｍ〜１
２．５μｍ程度の高分子膜であり、材料としては例えば
ＦＥＰまたはＰＦＡ等の高分子材料である。また従来構
造も本願もエレクトレット膜が形成された方が良いこと
は言うまでもない。また固定電極層１２の径に対して振
動膜１６の径は、約１．２倍〜約１．５倍に大きく構成
してある。
またはＴｉ等の電極材料が形成された厚さ５μｍ〜１
２．５μｍ程度の高分子膜であり、材料としては例えば
ＦＥＰまたはＰＦＡ等の高分子材料である。また従来構
造も本願もエレクトレット膜が形成された方が良いこと
は言うまでもない。また固定電極層１２の径に対して振
動膜１６の径は、約１．２倍〜約１．５倍に大きく構成
してある。
【００２８】そして従来構造と同様にパッケージ内に本
装置が実装され、電極パッド２０〜２３がパッケージ内
に形成された電極と金属細線を介して電気的に接続され
る。当然であるが、パッケージ内の電極は、パッケージ
の外に延在され、実装基板の電極と固着可能な構造とな
っている。またパッケージの上面には空孔が設けられ、
更に必要により布（クロス）が貼り合わされる。
装置が実装され、電極パッド２０〜２３がパッケージ内
に形成された電極と金属細線を介して電気的に接続され
る。当然であるが、パッケージ内の電極は、パッケージ
の外に延在され、実装基板の電極と固着可能な構造とな
っている。またパッケージの上面には空孔が設けられ、
更に必要により布（クロス）が貼り合わされる。
【００２９】ここで符号２１は、Ｖｃｃ、２２は、ＧＮ
Ｄ、２０は、出力端子、２３は、入力端子である。
Ｄ、２０は、出力端子、２３は、入力端子である。
【００３０】本発明の特徴は、二つある。第１は、振動
膜１６を半導体基板１１からはみ出すことである。
膜１６を半導体基板１１からはみ出すことである。
【００３１】第２は、振動膜１６の配置の工夫により電
極パッド２０〜２３を露出させることである。
極パッド２０〜２３を露出させることである。
【００３２】前者の第１の特徴は、図１の下図に示す矢
印のように、振動膜１６の裏面を介して、振動膜１６と
半導体基板１１で構成される空間１７内に振動を伝える
ことが可能となるからである。その結果、振動膜１６の
振動の大きさを大きく取ることが可能となる。
印のように、振動膜１６の裏面を介して、振動膜１６と
半導体基板１１で構成される空間１７内に振動を伝える
ことが可能となるからである。その結果、振動膜１６の
振動の大きさを大きく取ることが可能となる。
【００３３】また後者の第２の特徴は、以下の理由によ
り成されている。電極パッド２０乃至２３とパッケージ
内の電極がワイヤーボンディングされてから、振動膜１
６が約１３μｍの高さを持ってスペーサ１４の上に載置
される。つまり振動膜１６が金属細線に当たらないよう
にしている。
り成されている。電極パッド２０乃至２３とパッケージ
内の電極がワイヤーボンディングされてから、振動膜１
６が約１３μｍの高さを持ってスペーサ１４の上に載置
される。つまり振動膜１６が金属細線に当たらないよう
にしている。
【００３４】また、半導体基板１１から振動膜１６をは
み出す構成にすると、図１のように電極パッドを露出さ
せることができ、半導体基板１１のサイズを大きくする
必要が無いからである。
み出す構成にすると、図１のように電極パッドを露出さ
せることができ、半導体基板１１のサイズを大きくする
必要が無いからである。
【００３５】図２は、開発過程に於ける半導体装置であ
り、上図は、平面図であり、下図はＡ−Ａ線の断面図で
ある。図２に於いて、容量変化を大きくとるため、固定
電極層１２のサイズを可能な限り大きくした場合、固定
電極層１２は、一点鎖線で示すよう１２ａの様に、電極
パッド２０乃至２３のいずれかに近接して配置される。
図では、固定電極層１２ａが、電極パッド２１に近接さ
れて配置されている。しかし振動膜１６は、振動膜１６
を支える枠１５がもうけられてあるため、少なくともこ
の枠１５の幅の分だけ大きく設計される。この大きく設
計された振動膜が、点線で示された仮想の振動膜４０と
すると、図２のように固定電極層１２のサイズよりも振
動膜４０のサイズが大きくなった分、電極パッド２１に
重畳することになる。
り、上図は、平面図であり、下図はＡ−Ａ線の断面図で
ある。図２に於いて、容量変化を大きくとるため、固定
電極層１２のサイズを可能な限り大きくした場合、固定
電極層１２は、一点鎖線で示すよう１２ａの様に、電極
パッド２０乃至２３のいずれかに近接して配置される。
図では、固定電極層１２ａが、電極パッド２１に近接さ
れて配置されている。しかし振動膜１６は、振動膜１６
を支える枠１５がもうけられてあるため、少なくともこ
の枠１５の幅の分だけ大きく設計される。この大きく設
計された振動膜が、点線で示された仮想の振動膜４０と
すると、図２のように固定電極層１２のサイズよりも振
動膜４０のサイズが大きくなった分、電極パッド２１に
重畳することになる。
【００３６】従って、この電極パッド２１に金属細線が
ボンディングされた後、金属細線が邪魔をして、振動膜
４０が配置できない問題を発生する。よって電極パッド
２１と振動膜４０の重畳を避けるには、半導体基板１１
のサイズを大きくして、電極パッド２１の位置をより外
側に配置する必要がある。結局半導体基板１１のサイズ
を大きくする必要がでてくる。
ボンディングされた後、金属細線が邪魔をして、振動膜
４０が配置できない問題を発生する。よって電極パッド
２１と振動膜４０の重畳を避けるには、半導体基板１１
のサイズを大きくして、電極パッド２１の位置をより外
側に配置する必要がある。結局半導体基板１１のサイズ
を大きくする必要がでてくる。
【００３７】しかし図２の矢印の方向にずらせば、振動
膜４０を半導体基板１１からはみ出すことになると共
に、電極パッド２１を振動膜４０から露出させることも
できる様になる。つまり半導体基板１１のサイズを大き
くしないとできないと思われたものが、従来サイズで実
現できるため、結局チップサイズの大型化を防止するこ
とができることになる。
膜４０を半導体基板１１からはみ出すことになると共
に、電極パッド２１を振動膜４０から露出させることも
できる様になる。つまり半導体基板１１のサイズを大き
くしないとできないと思われたものが、従来サイズで実
現できるため、結局チップサイズの大型化を防止するこ
とができることになる。
【００３８】また、図２に於いて、枠体１５より内側の
実質振動する振動膜１６の真下で、スペーサの高さを有
する空き領域を空間１７と定義すると、前記空間１７が
半導体基板１１の内側に位置していたのに対して、図１
の符号１００は、前記空間１７が半導体基板１１の側面
またはそれより外側に位置している。つまり実際に振動
する振動膜１６の一部が半導体基板１１からはみ出して
いることで、振動が直接伝わり、より振動しやすい構造
となっている。
実質振動する振動膜１６の真下で、スペーサの高さを有
する空き領域を空間１７と定義すると、前記空間１７が
半導体基板１１の内側に位置していたのに対して、図１
の符号１００は、前記空間１７が半導体基板１１の側面
またはそれより外側に位置している。つまり実際に振動
する振動膜１６の一部が半導体基板１１からはみ出して
いることで、振動が直接伝わり、より振動しやすい構造
となっている。
【００３９】また符号１０１の様に、枠１５の一部分が
半導体基板１１からはみ出す構造でも良いが、音の振動
が実際に振動する振動膜に直接当たるわけではないの
で、振動の大きさは若干劣る。
半導体基板１１からはみ出す構造でも良いが、音の振動
が実際に振動する振動膜に直接当たるわけではないの
で、振動の大きさは若干劣る。
【００４０】当然ながら、数ある電極パッド２０乃至２
３の中には、プロービングして測定検査するテストパッ
トが設けられることがある。このテストパッドは、他の
電極パッドとは異なり、金属細線が接続されないので、
振動膜１６と重畳されるように振動膜１６がずらされて
も良い。
３の中には、プロービングして測定検査するテストパッ
トが設けられることがある。このテストパッドは、他の
電極パッドとは異なり、金属細線が接続されないので、
振動膜１６と重畳されるように振動膜１６がずらされて
も良い。
【００４１】次に固定電極層１２と振動膜１６の形状、
形成位置について説明する。両者の形状は、従来構造の
四角形、特に正方形、円形で実施できる。
形成位置について説明する。両者の形状は、従来構造の
四角形、特に正方形、円形で実施できる。
【００４２】図２では、固定電極層１２の中心、振動膜
１６の中心および半導体基板１１の中心が一致している
ものである。この構造に於いて固定電極層１２全域と振
動膜１６が重畳する限りに於いて、振動膜１６の中心を
偏らせれば、振動膜１６を半導体基板１１の側辺からは
み出させることができる。
１６の中心および半導体基板１１の中心が一致している
ものである。この構造に於いて固定電極層１２全域と振
動膜１６が重畳する限りに於いて、振動膜１６の中心を
偏らせれば、振動膜１６を半導体基板１１の側辺からは
み出させることができる。
【００４３】図１は、半導体基板１１の中心Ｓ１に対し
て固定電極層１２の中心Ｓ２をずらしたものである。こ
うすることで、振動膜１６を半導体基板１１からはみ出
させることができる。ここで固定電極層１２の中心点Ｓ
２と振動膜の中心Ｓ３は一致させた方がよい。これは振
動膜１６の中心が一番大きく振動するからである。
て固定電極層１２の中心Ｓ２をずらしたものである。こ
うすることで、振動膜１６を半導体基板１１からはみ出
させることができる。ここで固定電極層１２の中心点Ｓ
２と振動膜の中心Ｓ３は一致させた方がよい。これは振
動膜１６の中心が一番大きく振動するからである。
【００４４】図１に於いて半導体基板１１の中心Ｓ１、
固定電極層１２の中心Ｓ２、振動膜１６の中心Ｓ３の配
置について可能な構造を整理して述べる。
固定電極層１２の中心Ｓ２、振動膜１６の中心Ｓ３の配
置について可能な構造を整理して述べる。
【００４５】：半導体基板１１の中心Ｓ１と固定電極
層１２との中心Ｓ２が実質一致し、振動膜１６の中心Ｓ
３がずれることで、振動膜１６が半導体基板１１からは
み出す構造。
層１２との中心Ｓ２が実質一致し、振動膜１６の中心Ｓ
３がずれることで、振動膜１６が半導体基板１１からは
み出す構造。
【００４６】：半導体基板１１の中心Ｓ１と固定電極
層１２との中心Ｓ２がずれ、固定電極層１２の中心Ｓ２
と振動膜１６の中心Ｓ３が実質一致し、振動膜１６が半
導体基板１１からはみ出す構造（図１参照）。
層１２との中心Ｓ２がずれ、固定電極層１２の中心Ｓ２
と振動膜１６の中心Ｓ３が実質一致し、振動膜１６が半
導体基板１１からはみ出す構造（図１参照）。
【００４７】：半導体基板１１の中心Ｓ１と固定電極
層１２との中心Ｓ２がずれ、固定電極層１２の中心と振
動膜１６の中心Ｓ３がずれることで、振動膜１６が半導
体基板１１からはみ出す構造。
層１２との中心Ｓ２がずれ、固定電極層１２の中心と振
動膜１６の中心Ｓ３がずれることで、振動膜１６が半導
体基板１１からはみ出す構造。
【００４８】ここで実質と表記したのは、中心が完全に
一致してなくても良いことからである。
一致してなくても良いことからである。
【００４９】また振動膜のずらす方向は、電極パッドの
数や形成位置に依って様々な方向に成ることは言うまで
もない。
数や形成位置に依って様々な方向に成ることは言うまで
もない。
【００５０】続いて半導体エレクトレットコンデンサマ
イクロホンの製造方法について簡単に説明する。
イクロホンの製造方法について簡単に説明する。
【００５１】まず通常の半導体プロセスを使って、半導
体ウェハ内にインピーダンス変換用の素子Ｄや前述した
集積回路網を形成する。この時、これらの素子は、後に
固定電極層１２が配置されるため、固定電極層１２の周
辺に形成される。
体ウェハ内にインピーダンス変換用の素子Ｄや前述した
集積回路網を形成する。この時、これらの素子は、後に
固定電極層１２が配置されるため、固定電極層１２の周
辺に形成される。
【００５２】そして第一層目に形成されるＳｉ酸化膜３
０の上には、前記素子Ｄや回路網の電極や配線３１が形
成されると共に複数の固定電極層１２が形成される。
０の上には、前記素子Ｄや回路網の電極や配線３１が形
成されると共に複数の固定電極層１２が形成される。
【００５３】そして第二層目に形成される絶縁膜３２や
パッシベーション膜３４が形成され、更にその上に、感
光性ポリイミド膜がパターニングされて成るスペーサ１
４が各固定電極層１２の周囲に形成される。
パッシベーション膜３４が形成され、更にその上に、感
光性ポリイミド膜がパターニングされて成るスペーサ１
４が各固定電極層１２の周囲に形成される。
【００５４】続いて、図４に示すようにダイシングされ
て半導体装置として個々に分離される。そしてこの後
に、前記半導体装置をパッケージ１１８の中に実装し、
半導体装置の電極パッド２０乃至２３とパッケージ内の
電極が金属細線を介して接続される。
て半導体装置として個々に分離される。そしてこの後
に、前記半導体装置をパッケージ１１８の中に実装し、
半導体装置の電極パッド２０乃至２３とパッケージ内の
電極が金属細線を介して接続される。
【００５５】更には、スペーサ１４に振動膜１６が設置
される。振動膜１６は、半導体基板１１の周辺からはみ
出して設けられ、しかも電極パッド２０乃至２３は、振
動膜１６の配置領域を避けて露出されているため、振動
膜１６は、金属細線と接触せずに配置できる。
される。振動膜１６は、半導体基板１１の周辺からはみ
出して設けられ、しかも電極パッド２０乃至２３は、振
動膜１６の配置領域を避けて露出されているため、振動
膜１６は、金属細線と接触せずに配置できる。
【００５６】そして、パッケージ１１８の蓋をして完成
する。
する。
【００５７】図５に、半導体エレクトレットコンデンサ
マイクロホンの概略図を示す。これは、振動膜１６が設
けられた半導体基板１１がパッケージされた概略図であ
る。図１において、スペーサ１４は、枠１５の下に位置
するように設置される。しかもスペーサ１４の数は、平
面を支持するため少なくとも２つでよい。
マイクロホンの概略図を示す。これは、振動膜１６が設
けられた半導体基板１１がパッケージされた概略図であ
る。図１において、スペーサ１４は、枠１５の下に位置
するように設置される。しかもスペーサ１４の数は、平
面を支持するため少なくとも２つでよい。
【００５８】ここで、スペーサ１４が、振動膜１６の全
周に渡り設けられ、振動膜１６、半導体基板１１および
スペーサで密閉空間を形成するのではなく、離間された
スペーサ１４とスペーサ１４との間を介して、枠１５よ
りも内側に位置する振動膜１６の真下の空間１７と半導
体基板１１の側辺とパッケージ１１８との間に形成され
る空間１０２が連続する事になる。
周に渡り設けられ、振動膜１６、半導体基板１１および
スペーサで密閉空間を形成するのではなく、離間された
スペーサ１４とスペーサ１４との間を介して、枠１５よ
りも内側に位置する振動膜１６の真下の空間１７と半導
体基板１１の側辺とパッケージ１１８との間に形成され
る空間１０２が連続する事になる。
【００５９】従って、空間１７にある空気がスペーサ１
４の間を介して空間１０２に容易に出入りすることがで
きるようになるため、振動膜１６が振動しやすくなる。
４の間を介して空間１０２に容易に出入りすることがで
きるようになるため、振動膜１６が振動しやすくなる。
【００６０】
【発明の効果】以上説明したように、振動膜を半導体基
板からはみ出すことで、その容量変化を大きく取る事が
可能となった。
板からはみ出すことで、その容量変化を大きく取る事が
可能となった。
【００６１】また容量値を大きくするために、固定電極
層と振動膜のサイズを大きくすると、この振動膜の大型
化に伴い発生する振動膜と電極パッドの重畳を避けるた
めに半導体基板のサイズを大きくする必要があった。し
かし、振動膜を半導体基板からはみ出し、同時に、電極
パッドを露出させるように配置することで、この半導体
基板のサイズの増大を防止することができ、軽薄短小の
実現、製造コストの増大を防止することができた。
層と振動膜のサイズを大きくすると、この振動膜の大型
化に伴い発生する振動膜と電極パッドの重畳を避けるた
めに半導体基板のサイズを大きくする必要があった。し
かし、振動膜を半導体基板からはみ出し、同時に、電極
パッドを露出させるように配置することで、この半導体
基板のサイズの増大を防止することができ、軽薄短小の
実現、製造コストの増大を防止することができた。
【００６２】更には電極パッドが振動膜から露出される
ように設計されているため、金属細線を電極パッドに接
続した後に振動膜を設けても、振動膜が金属細線に接触
することなく設置することができる。
ように設計されているため、金属細線を電極パッドに接
続した後に振動膜を設けても、振動膜が金属細線に接触
することなく設置することができる。
【図１】本発明の半導体装置を説明する図である。
【図２】本発明の概要を説明するための半導体装置の図
である。
である。
【図３】従来の半導体装置がパッケージされた後の構造
を説明する図である。
を説明する図である。
【図４】本発明の半導体装置を説明するための図であ
る。
る。
【図５】本発明の半導体装置がパッケージされてなる半
導体エレクトレットコンデンサマイクロホンの概略図で
ある。
導体エレクトレットコンデンサマイクロホンの概略図で
ある。
１１ 半導体基板 １２ 固定電極層 １４ スペーサ １６ 振動膜 Ｓ１ 半導体基板の中心点 Ｓ２ 固定電極層の中心点 Ｓ３ 振動膜の中心点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大古田 敏幸 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 大林 義昭 大阪府八尾市北久宝寺１丁目４番33号 ホ シデン株式会社内 (72)発明者 安田 護 大阪府八尾市北久宝寺１丁目４番33号 ホ シデン株式会社内 (72)発明者 佐伯 真一 大阪府八尾市北久宝寺１丁目４番33号 ホ シデン株式会社内 (72)発明者 大澤 周治 大阪府八尾市北久宝寺１丁目４番33号 ホ シデン株式会社内 Ｆターム(参考） 4M112 AA01 BA07 CA02 CA11 CA12 5D021 CC03 CC06 CC08 CC12
Claims (15)
- 【請求項１】 電子回路を集積させた半導体基板と、前
記半導体基板の表面に形成した固定電極層と、前記固定
電極層の周囲に設け、前記固定電極層と離間される振動
膜を設置するためのスペーサとを具備する半導体装置で
あって、 前記振動膜の一部が前記半導体基板の端からはみ出た状
態で設置できるように前記スペーサが配置されているこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 電子回路を集積させた半導体基板と、前
記半導体基板の表面に形成した固定電極層と、前記固定
電極層の周囲に設け、前記固定電極層と離間される振動
膜を設置するためのスペーサとを具備する半導体装置で
あって、 前記半導体基板の周囲に形成された電極パッドと重畳し
ないように前記振動膜の一部が前記半導体基板の端から
はみ出た状態で設置できるように前記スペーサが配置さ
れている事を特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 電子回路を集積させた半導体基板と、前
記半導体基板の表面に形成した固定電極層と、前記固定
電極層の周囲に設けたスペーサと、前記スペーサの上に
設置される振動膜とを少なくとも有する半導体エレクト
レットコンデンサマイクロホンであって、 前記振動膜の一部が前記半導体基板の端からはみ出た状
態で設置されていることを特徴とする半導体エレクトレ
ットコンデンサマイクロホン。 - 【請求項４】 電子回路を集積させた半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成した固定電極層と、前記固
定電極層の周囲に設けたスペーサと、前記スペーサの上
に設置される振動膜とを少なくとも有する半導体エレク
トレットコンデンサマイクロホンであって、 前記振動膜の一部が前記半導体基板の端からはみ出た状
態で設置される事で、前記半導体基板の周囲に形成され
た外部接続用の電極パッドが露出されることを特徴とす
る半導体エレクトレットコンデンサマイクロホン。 - 【請求項５】 前記振動膜の中心が前記半導体基板の中
心からずれて設置される請求項１または請求項２に記載
の半導体装置。 - 【請求項６】 前記振動膜の中心が前記半導体基板の中
心からずれて設置される請求項３または請求項４に記載
の半導体エレクトレットコンデンサマイクロホン。 - 【請求項７】 前記固定電極層の中心は、前記半導体基
板の中心からずれて形成され、前記固定電極層の中心と
前記振動膜の中心が一致して形成される請求項１、請求
項２または請求項５に記載の半導体装置。 - 【請求項８】 前記固定電極層の中心は、前記半導体基
板の中心からずれて形成され、前記固定電極層の中心と
前記振動膜の中心が一致して形成される請求項３、請求
項４または請求項６に記載の半導体エレクトレットコン
デンサマイクロホン。 - 【請求項９】 前記スペーサが連続せず分断しているこ
とを特徴とする請求項１、請求項２、請求項５または請
求項７に記載の半導体装置。 - 【請求項１０】 前記スペーサが連続せず分断している
ことを特徴とする請求項３、請求項４、請求項６または
請求項８に記載の半導体エレクトレットコンデンサマイ
クロホン。 - 【請求項１１】 前記固定電極層の径に対して、前記振
動膜の径は、約１．２倍〜約１．５倍である請求項１、
請求項２、請求項５、請求項７または請求項９に記載の
半導体装置。 - 【請求項１２】 前記固定電極層の径に対して、前記振
動膜の径は、約１．２倍〜約１．５倍である請求項３、
請求項４、請求項６、請求項８または請求項１０に記載
の半導体エレクトレットコンデンサマイクロホン。 - 【請求項１３】 半導体ウェハ上に絶縁膜を形成し、前
記絶縁膜上に複数の固定電極層を形成し、 前記固定電極層の周囲に、絶縁性樹脂膜から成るスペー
サを形成した後、前記半導体ウェハをダイシングして半
導体装置とし、 前記半導体装置の前記スペーサに振動膜を設置すること
を特徴とした半導体エレクトレットコンデンサマイクロ
ホンの製造方法。 - 【請求項１４】 前記振動膜の一部は、前記半導体装置
からはみ出して設けられる請求項１３に記載の半導体エ
レクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法。 - 【請求項１５】 半導体基板の表面に形成した固定電極
層と、前記固定電極層の周囲に複数個設けたスペーサ
と、前記スペーサに設置される振動膜とを少なくとも有
する半導体装置を中空のパッケージ内に実装して成る半
導体エレクトレットコンデンサマイクロホンであって、 前記半導体基板側面と前記パッケージとの間が離間さ
れ、この離間空間と前記振動膜下の空間が、前記スペー
サとスペーサの間を通じて連続している事を特徴とした
半導体エレクトレットコンデンサマイクロホン。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26137499A JP3440037B2 (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 半導体装置、半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンおよび半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法。 |
| TW089118443A TW518902B (en) | 1999-09-16 | 2000-09-08 | Semiconductor device, semiconductor electret capacitor microphone and method for making same |
| US09/660,061 US6479878B1 (en) | 1999-09-16 | 2000-09-12 | Semiconductor device and semiconductor electret condenser microphone |
| EP00308009A EP1085784A3 (en) | 1999-09-16 | 2000-09-14 | Semiconductor device, semiconductor electret condenser microphone, and method of producing semiconductor electret condenser microphone |
| CNB001287540A CN1189061C (zh) | 1999-09-16 | 2000-09-15 | 半导体装置、半导体驻极体电容话筒及其制造方法 |
| KR1020000054393A KR100348546B1 (ko) | 1999-09-16 | 2000-09-16 | 반도체 장치, 반도체 일렉트레트 컨덴서 마이크로폰 및반도체 일렉트레트 컨덴서 마이크로폰의 제조 방법 |
| US10/032,632 US6420203B1 (en) | 1999-09-16 | 2001-12-28 | Method of producing semiconductor electret condenser microphone |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26137499A JP3440037B2 (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 半導体装置、半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンおよび半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法。 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001086596A true JP2001086596A (ja) | 2001-03-30 |
| JP3440037B2 JP3440037B2 (ja) | 2003-08-25 |
Family
ID=17360967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26137499A Expired - Fee Related JP3440037B2 (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 半導体装置、半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンおよび半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法。 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6479878B1 (ja) |
| EP (1) | EP1085784A3 (ja) |
| JP (1) | JP3440037B2 (ja) |
| KR (1) | KR100348546B1 (ja) |
| CN (1) | CN1189061C (ja) |
| TW (1) | TW518902B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004222091A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Citizen Electronics Co Ltd | エレクトレットコンデンサマイクロホン |
| KR100758510B1 (ko) | 2005-07-07 | 2007-09-13 | 주식회사 비에스이 | 반도체 베이스, 반도체 베이스를 포함하는콘덴서마이크로폰, 및 콘덴서마이크로폰의 조립방법 |
| JP2010081192A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Rohm Co Ltd | Ｍｅｍｓセンサ |
| JP2021158544A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 凸版印刷株式会社 | コンデンサ及びマイクロフォン |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200218653Y1 (ko) * | 2000-11-01 | 2001-04-02 | 주식회사비에스이 | 일렉트렛 콘덴서 마이크로폰 |
| US6677176B2 (en) * | 2002-01-18 | 2004-01-13 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Method of manufacturing an integrated electronic microphone having a floating gate electrode |
| CN100446628C (zh) * | 2002-12-02 | 2008-12-24 | 佳乐电子股份有限公司 | 电容式麦克风及其微机电加工制造方法 |
| JP2004254138A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Sanyo Electric Co Ltd | コンデンサマイクロホン |
| US7130434B1 (en) * | 2003-03-26 | 2006-10-31 | Plantronics, Inc. | Microphone PCB with integrated filter |
| KR200332944Y1 (ko) * | 2003-07-29 | 2003-11-14 | 주식회사 비에스이 | Ｓｍｄ가능한 일렉트렛 콘덴서 마이크로폰 |
| JP4181580B2 (ja) * | 2003-11-20 | 2008-11-19 | 松下電器産業株式会社 | エレクトレット及びエレクトレットコンデンサー |
| EP1722595A4 (en) * | 2004-03-05 | 2010-07-28 | Panasonic Corp | ELECTRET condenser |
| KR100582224B1 (ko) * | 2004-06-10 | 2006-05-23 | 주식회사 비에스이 | 실리콘 콘덴서 마이크로폰의 자동 정렬 전기용량형 구조 |
| JP4387987B2 (ja) | 2004-06-11 | 2009-12-24 | 株式会社オクテック | 微小構造体の検査装置、微小構造体の検査方法および微小構造体の検査プログラム |
| WO2006106876A1 (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-12 | Octec Inc. | 微小構造体のプローブカード、微小構造体の検査装置、検査方法およびコンピュータプログラム |
| JP4573794B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブカードおよび微小構造体の検査装置 |
| CN1802037B (zh) * | 2005-09-29 | 2011-09-14 | 深圳市豪恩电声科技有限公司 | 背极式硅基微型驻极体电容话筒 |
| TWI268183B (en) | 2005-10-28 | 2006-12-11 | Ind Tech Res Inst | Capacitive ultrasonic transducer and method of fabricating the same |
| EP1790419A3 (en) * | 2005-11-24 | 2010-05-12 | Industrial Technology Research Institute | Capacitive ultrasonic transducer and method of fabricating the same |
| US20070158826A1 (en) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Yamaha Corporation | Semiconductor device |
| US8081783B2 (en) * | 2006-06-20 | 2011-12-20 | Industrial Technology Research Institute | Miniature acoustic transducer |
| TWI370101B (en) * | 2007-05-15 | 2012-08-11 | Ind Tech Res Inst | Package and packaging assembly of microelectromechanical sysyem microphone |
| TWI323242B (en) * | 2007-05-15 | 2010-04-11 | Ind Tech Res Inst | Package and packageing assembly of microelectromechanical system microphone |
| TWI336770B (en) * | 2007-11-05 | 2011-02-01 | Ind Tech Res Inst | Sensor |
| KR101609799B1 (ko) * | 2008-10-07 | 2016-04-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 표시장치 |
| JP5454345B2 (ja) * | 2010-05-11 | 2014-03-26 | オムロン株式会社 | 音響センサ及びその製造方法 |
| WO2016052525A1 (ja) * | 2014-10-02 | 2016-04-07 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | エレクトレット素子及びその製造方法、センサー、電子回路並びに入力装置 |
| US20170240418A1 (en) * | 2016-02-18 | 2017-08-24 | Knowles Electronics, Llc | Low-cost miniature mems vibration sensor |
| EP3606094A4 (en) * | 2017-03-29 | 2021-01-06 | AGC Inc. | GLASS PANEL COMPONENT |
| KR102322258B1 (ko) * | 2017-05-19 | 2021-11-04 | 현대자동차 주식회사 | 마이크로폰 및 그 제조 방법 |
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|---|---|---|---|---|
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| US4558184A (en) * | 1983-02-24 | 1985-12-10 | At&T Bell Laboratories | Integrated capacitive transducer |
| US5272758A (en) * | 1991-09-09 | 1993-12-21 | Hosiden Corporation | Electret condenser microphone unit |
| JPH1188992A (ja) | 1997-09-03 | 1999-03-30 | Hosiden Corp | 集積型容量性変換器及びその製造方法 |
-
1999
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-
2001
- 2001-12-28 US US10/032,632 patent/US6420203B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004222091A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Citizen Electronics Co Ltd | エレクトレットコンデンサマイクロホン |
| KR100758510B1 (ko) | 2005-07-07 | 2007-09-13 | 주식회사 비에스이 | 반도체 베이스, 반도체 베이스를 포함하는콘덴서마이크로폰, 및 콘덴서마이크로폰의 조립방법 |
| JP2010081192A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Rohm Co Ltd | Ｍｅｍｓセンサ |
| JP2021158544A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 凸版印刷株式会社 | コンデンサ及びマイクロフォン |
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