JP2008118258A - コンデンサマイクロホン - Google Patents
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Abstract
【課題】環境適応性に優れパッケージサイズの小さいコンデンサマイクロホンを提供する。
【解決手段】インピーダンス変換器を含むインピーダンス変換ダイと、前記インピーダンス変換ダイと重なり静止電極を形成するプレートと、前記プレートと重なり前記静止電極に対する振動電極を形成するダイヤフラムと、を備え、前記インピーダンス変換ダイと配線部との間に設けられ、前記静止電極又は前記振動電極が前記インピーダンス変換器に接続されている電気音響変換ダイと、を備え、前記インピーダンス変換ダイと前記電気音響変換ダイとの間には外部空間から前記ダイヤフラムに音波を伝達するための伝達路が形成されている、コンデンサマイクロホン。
【選択図】図1
【解決手段】インピーダンス変換器を含むインピーダンス変換ダイと、前記インピーダンス変換ダイと重なり静止電極を形成するプレートと、前記プレートと重なり前記静止電極に対する振動電極を形成するダイヤフラムと、を備え、前記インピーダンス変換ダイと配線部との間に設けられ、前記静止電極又は前記振動電極が前記インピーダンス変換器に接続されている電気音響変換ダイと、を備え、前記インピーダンス変換ダイと前記電気音響変換ダイとの間には外部空間から前記ダイヤフラムに音波を伝達するための伝達路が形成されている、コンデンサマイクロホン。
【選択図】図1
Description
本発明は、コンデンサマイクロホンに関し、特にMEMSセンサである電気音響変換ダイを備えるコンデンサマイクロホンに関する。
従来、電気音響変換機能を有するMEMSセンサであるダイ(以下、電気音響変換ダイという。)を備えるコンデンサマイクロホンが知られている。電気音響変換ダイのダイヤフラムが音波を受けて振動すると、その振動に応じてコンデンサマイクロホンの静電容量が変化する。電気音響変換ダイの出力信号端子は、対向電極を形成しているダイヤフラムまたはプレートのいずれかに直接接続され、静電容量の微弱な変化を出力する。電気音響変換ダイの出力インピーダンスが高いため、電気音響変換ダイの出力信号端子にはノイズ耐性を向上させるインピーダンス変換器が接続される。
特許文献1には、インピーダンス変換器を含むダイと電気音響変換ダイとが平面的に並んで配置されているコンデンサマイクロホンが記載されている。
特許文献2には、EMIを低減するフィルタが設けられたコンデンサマイクロホンが記載されている。
特表2004−537182
特表2003−508998
特許文献1には、インピーダンス変換器を含むダイと電気音響変換ダイとが平面的に並んで配置されているコンデンサマイクロホンが記載されている。
特許文献2には、EMIを低減するフィルタが設けられたコンデンサマイクロホンが記載されている。
特許文献1に記載されているようにインピーダンス変換器を含むダイと電気音響変換ダイとが平面的に並んで配置されるとパッケージサイズが増大する。
特許文献2に記載されているフィルタには音波を通すための孔が形成されているため、EMIノイズや光がフィルタを通過して電気音響変換ダイの性能を低下させる。
特許文献2に記載されているフィルタには音波を通すための孔が形成されているため、EMIノイズや光がフィルタを通過して電気音響変換ダイの性能を低下させる。
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであって、環境適応性に優れパッケージサイズの小さいコンデンサマイクロホンを提供することを目的とする。
(1)上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンは、インピーダンス変換器を含むインピーダンス変換ダイと、前記インピーダンス変換ダイと重なり静止電極を形成するプレートと、前記プレートと重なり前記静止電極に対する振動電極を形成するダイヤフラムと、を備え、前記インピーダンス変換ダイと配線部との間に設けられ、前記静止電極又は前記振動電極が前記インピーダンス変換器に接続されている電気音響変換ダイと、を備え、前記インピーダンス変換ダイと前記電気音響変換ダイとの間には外部空間から前記ダイヤフラムに音波を伝達するための伝達路が形成されている。
このコンデンサマイクロホンによると、電気音響変換ダイとインピーダンス変換ダイとが積載される構成であるので、コンデンサマイクロホンのパッケージサイズを小さくすることができる。またこのコンデンサマイクロホンによると、インピーダンス変換ダイと配線部との間に電気音響変換ダイが配置されるので、電気音響変換ダイの表面に露出しているプレートまたはダイヤフラムに風が当たることによるノイズ音の発生が抑止され、塵埃がプレートやダイヤフラムに付着しにくい。また、電気音響変換ダイとインピーダンス変換ダイとを収容するパッケージを不要とし、種々の電子デバイスが実装される配線基板に電気音響変換ダイを直接接合することも可能である。尚、配線部は、コンデンサマイクロホンを外部の回路に接続するための部品であって、例えばパッケージされたコンデンサマイクロホンの一部を構成する配線基板やリードフレームだけでなく、コンデンサマイクロホンが接合される外部の配線基板をも含む意味で用いられている。
このコンデンサマイクロホンによると、電気音響変換ダイとインピーダンス変換ダイとが積載される構成であるので、コンデンサマイクロホンのパッケージサイズを小さくすることができる。またこのコンデンサマイクロホンによると、インピーダンス変換ダイと配線部との間に電気音響変換ダイが配置されるので、電気音響変換ダイの表面に露出しているプレートまたはダイヤフラムに風が当たることによるノイズ音の発生が抑止され、塵埃がプレートやダイヤフラムに付着しにくい。また、電気音響変換ダイとインピーダンス変換ダイとを収容するパッケージを不要とし、種々の電子デバイスが実装される配線基板に電気音響変換ダイを直接接合することも可能である。尚、配線部は、コンデンサマイクロホンを外部の回路に接続するための部品であって、例えばパッケージされたコンデンサマイクロホンの一部を構成する配線基板やリードフレームだけでなく、コンデンサマイクロホンが接合される外部の配線基板をも含む意味で用いられている。
(2)上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、前記インピーダンス変換ダイは前記プレートと前記ダイヤフラムとに重なるノイズシールド層を備えてもよい。
この場合、コンデンサマイクロホンのパッケージにノイズシールド効果がなくてもハイインピーダンスである電気音響変換ダイに影響を及ぼす電磁ノイズ、静電ノイズなどのノイズを低減できる。
この場合、コンデンサマイクロホンのパッケージにノイズシールド効果がなくてもハイインピーダンスである電気音響変換ダイに影響を及ぼす電磁ノイズ、静電ノイズなどのノイズを低減できる。
(3)上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンは、前記伝達路を形成している通気フィルタをさらに備えてもよい。
この場合、通気フィルタによってプレートおよびダイヤフラムに対する防風および防塵効果を高めることができる。
この場合、通気フィルタによってプレートおよびダイヤフラムに対する防風および防塵効果を高めることができる。
(4)上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、前記通気フィルタは前記電気音響変換ダイまたは前記インピーダンス変換ダイと一体に形成されていてもよい。
電気音響変換ダイまたはインピーダンス変換ダイと一体の通気フィルタはダイの製造プロセスにおける微細加工技術によって形成することができる。ダイの製造プロセスにおいてウェハ全体に対して一度に施される微細加工技術はダイシング工程後の加工コストよりもダイあたりの加工コストが低い。したがってこの場合、通気フィルタを追加することによるコンデンサマイクロホンの生産コストの増大を抑制できる。
電気音響変換ダイまたはインピーダンス変換ダイと一体の通気フィルタはダイの製造プロセスにおける微細加工技術によって形成することができる。ダイの製造プロセスにおいてウェハ全体に対して一度に施される微細加工技術はダイシング工程後の加工コストよりもダイあたりの加工コストが低い。したがってこの場合、通気フィルタを追加することによるコンデンサマイクロホンの生産コストの増大を抑制できる。
(5)静止電極と振動電極のうちバイアス電圧が印加されていない一方は電気音響変換ダイの出力端子に接続される。電気音響変換ダイの出力端子に接続される電極がインピーダンス変換ダイと隣接すると両者間に寄生容量が生じ感度が低下する場合を想定し得る。
したがって上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、前記静止電極と前記振動電極のうちバイアス電圧が印加されている一方が他方より前記インピーダンス変換ダイ側に配置されていることが望ましい。
したがって上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、前記静止電極と前記振動電極のうちバイアス電圧が印加されている一方が他方より前記インピーダンス変換ダイ側に配置されていることが望ましい。
(6)上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンは、内部空間の一部に前記電気音響変換ダイと前記インピーダンス変換ダイとを収容し、前記インピーダンス変換ダイと重ならない位置に通孔を有するパッケージをさらに備えてもよい。前記通孔の近傍において前記インピーダンス変換ダイと前記電気音響変換ダイとの間の前記伝達路は樹脂材によって充填されていてもよい。
この場合、電気音響変換ダイにもインピーダンス変換ダイにもパッケージ外部の光が照射されにくいため、内部光電効果によるノイズが発生することを抑止できる。
この場合、電気音響変換ダイにもインピーダンス変換ダイにもパッケージ外部の光が照射されにくいため、内部光電効果によるノイズが発生することを抑止できる。
(7)上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンは、内部空間の一部に前記電気音響変換ダイと前記インピーダンス変換ダイとを収容し、前記インピーダンス変換ダイを基準として前記配線部と反対側の面に通孔を有するパッケージをさらに備え、少なくとも前記インピーダンス変換ダイの前記通孔側の面は樹脂材によって覆われていてもよい。
この場合、インピーダンス変換ダイにも電気音響変換ダイにもパッケージ外部の光が照射されにくいため、内部光電効果によるノイズが発生することを抑止できる。
この場合、インピーダンス変換ダイにも電気音響変換ダイにもパッケージ外部の光が照射されにくいため、内部光電効果によるノイズが発生することを抑止できる。
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して説明する。各実施形態において対応している構成要素には共通の符号を付し、重複する説明は省略する。
(第一実施形態)
・構成
図1Aは、本発明のコンデンサマイクロホンの第一実施形態を示す模式的な断面図である。コンデンサマイクロホン1は、電気音響変換ダイ3とインピーダンス変換ダイ2と、これらを収容するパッケージ5とを備えている。
(第一実施形態)
・構成
図1Aは、本発明のコンデンサマイクロホンの第一実施形態を示す模式的な断面図である。コンデンサマイクロホン1は、電気音響変換ダイ3とインピーダンス変換ダイ2と、これらを収容するパッケージ5とを備えている。
電気音響変換ダイ3は、音波を電気信号に変換する機能を有し、パッケージ5の底部51に接合されている。電気音響変換ダイ3はシリコンウェハ上にドープトシリコン薄膜などの導電膜や、シリコン酸化膜などの絶縁膜が積層された構造を有する。電気音響変換ダイ3は、静止電極を形成しているプレート32、振動電極を形成しているダイヤフラム36、プレート32およびダイヤフラム36を支持する環状の支持部34などを備えている。支持部34は、配線部としての底部51に接着などにより固定されている。支持部34は、一層以上の膜から構成され、プレート32とダイヤフラム36とを支持している。支持部34には開口が形成され、その開口がキャビティ35を形成している。
ダイヤフラム36は、キャビティ35の上に張り渡され、音波が到来する空間とキャビティ35とを仕切っている。ダイヤフラム36は振動電極を形成する導電膜を含む一層以上の膜で形成され、支持部34の開口を覆う円形の輪郭を有している。ダイヤフラム36の厚さは例えば0.5〜1.5μmに設定される。
ダイヤフラム36に重なるプレート32は静止電極を形成する導電膜を含む一層以上の膜で構成されている。プレート32には複数の通孔が形成されており、各通孔が音響孔31を形成している。音波は音響孔31を通過して電気音響変換ダイ3の内部に進行し、ダイヤフラム36を振動させる。
図1Bはパッケージ5のカバー54を取り外した状態のコンデンサマイクロホン1の平面図、図2Aはパッケージ5のカバー54とインピーダンス変換ダイ2とを取り外した状態のコンデンサマイクロホン1の平面図である。
インピーダンス変換ダイ2は電気音響変換ダイ3に積載され、プレート32およびダイヤフラム36と重なっている。すなわちインピーダンス変換ダイ2の投影領域は、ダイヤフラム36およびプレート32を完全に包含する。電気音響変換ダイ3の電極パッド301、302、303、311、312、313、314とインピーダンス変換ダイ2の電極パッド201、202、203、211、212、213、214とはそれぞれはんだボールによって電気的に接続されている。
インピーダンス変換ダイ2は電気音響変換ダイ3に積載され、プレート32およびダイヤフラム36と重なっている。すなわちインピーダンス変換ダイ2の投影領域は、ダイヤフラム36およびプレート32を完全に包含する。電気音響変換ダイ3の電極パッド301、302、303、311、312、313、314とインピーダンス変換ダイ2の電極パッド201、202、203、211、212、213、214とはそれぞれはんだボールによって電気的に接続されている。
インピーダンス変換ダイ2は、静止電極または振動電極のいずれか一方に一定のバイアス電圧を印加するためのチャージポンプ、静止電極または振動電極のいずれか他方に接続されるインピーダンス変換器などを備えており、電気音響変換ダイ3のハイインピーダンスの出力をローインピーダンス化し、コンデンサマイクロホン1のノイズ耐性を向上させる。また、インピーダンス変換ダイ2はノイズシールド層21を備えている。ノイズシールド層21は、投影領域がダイヤフラム36およびプレート32を完全に包含する導電膜で形成され、コンデンサマイクロホン1のグラウンド電位に接続されている。
電気音響変換ダイ3とインピーダンス変換ダイ2との間に位置するバンパ42および通気フィルタ41は、絶縁膜を含む一層以上の堆積膜によって形成されている。通気フィルタ41は、プレート32の外周より外側の環状の領域に形成されている。バンパ42は、通気フィルタ41の外側に互いに離間して形成されている。バンパ42および通気フィルタ41の高さは同一かまたは少なくともバンパ42の高さが通気フィルタ41の高さより低くないように設定され、バンパ42は通気フィルタ41の高さ方向の強度を補強する役割を果たす。
なお、バンパ42は通気フィルタ41の内側に形成されてもよい。また、通気フィルタ41は環状に形成されていなくてもよく、バンパ42とバンパ42との間を塞ぐように互いに離間して複数個形成されてもよい。バンパ42は省略されてもよい。
図2Bに示すように、通気フィルタ41は、複数の柱411から構成される。複数の柱411の間にある間隙がダイヤフラム36に音波を伝達するための伝達路412を形成している。柱411の形状や配列は通気フィルタ41に要求される音響特性や遮ろうとする対象の形態によって適宜設定される。柱411の形状は例えば、直径数μm〜数十μm、高さ約10μmの円柱である。各柱411同士の間隔は例えば数μm〜数十μmに設定される。
パッケージ5は多層配線基板によって構成される底部51と、底部51とともにパッケージ5の内側に空洞を形成しているカバー54とで構成されている。底部51は、図示しない外部配線基板に図示しないBGA(Ball Grid Array)などを介して接合される。カバー54には、インピーダンス変換ダイ2と重ならない位置に通孔53が形成されている。通孔53は、パッケージ5の外側の空間からパッケージ5の内部空間に音波を伝搬させるために形成されている。通孔53の直下にあって通孔53によってパッケージ5の外側の空間に露出する部分とその近傍とを含む領域71は、樹脂材7によってポッティングされている。したがって、通孔53の近傍のインピーダンス変換ダイ2と電気音響変換ダイ3との間は、樹脂材7によって充填されている。
多層配線基板である配線基板60には、電極パッド601、602、603が形成されており、底部51を介して図示しない外部配線基板に形成されている配線と電気的に接続される。底部51には、グラウンド電位に接続される導電層52が含まれている。配線基板60の電極パッド601、602、603は、電気音響変換ダイ3の電極パッド321、322、323、301、302、303とそれぞれ接続されている。
・作用
通孔53を通過してパッケージ5内部に進行した音波は、インピーダンス変換ダイ2と電気音響変換ダイ3との隙間を通ってプレート32に到達する。プレート32の音響孔31を通過した音波はダイヤフラム36に到達し、ダイヤフラム36を振動させる。ダイヤフラム36が振動することによって、静止電極と振動電極とで構成されるコンデンサの容量が変化する。本実施形態のコンデンサマイクロホン1では、振動電極側にバイアス電圧が印加され、コンデンサの容量変化は静止電極の電位変化としてインピーダンス変換ダイ2に出力される。
通孔53を通過してパッケージ5内部に進行した音波は、インピーダンス変換ダイ2と電気音響変換ダイ3との隙間を通ってプレート32に到達する。プレート32の音響孔31を通過した音波はダイヤフラム36に到達し、ダイヤフラム36を振動させる。ダイヤフラム36が振動することによって、静止電極と振動電極とで構成されるコンデンサの容量が変化する。本実施形態のコンデンサマイクロホン1では、振動電極側にバイアス電圧が印加され、コンデンサの容量変化は静止電極の電位変化としてインピーダンス変換ダイ2に出力される。
コンデンサマイクロホン1では、電気音響変換ダイ3はインピーダンス変換ダイ2と底部51との間に配置されているので、電気音響変換ダイ3の表面に露出しているプレート32やダイヤフラム36に風が当たることによるノイズ音の発生を抑止することができる。すなわち、ノイズ音を発生する原因となる空気の流れをインピーダンス変換ダイ2によって遮ることができる。また、インピーダンス変換ダイ2によって空気の流れが遮られるので、塵埃がプレート32やダイヤフラム36に付着しにくい。また、コンデンサマイクロホン1は通気フィルタ41を備えているので、この通気フィルタ41によってプレート32およびダイヤフラム36に対する防風および防塵効果をさらに高めることができる。
また、電気音響変換ダイ3とインピーダンス変換ダイ2とが積載される構成であるので、コンデンサマイクロホン1のパッケージサイズを小さくすることができる。
さらに、インピーダンス変換ダイ2がノイズシールド層21を備えているため、ハイインピーダンスである電気音響変換ダイ3に影響を及ぼす電磁ノイズや静電ノイズを低減することができる。
また、通孔53近傍の領域71においてインピーダンス変換ダイ2と電気音響変換ダイ3の間が樹脂材7によって充填されていることにより、電気音響変換ダイ3に外部の光が照射されにくいため、内部光電効果によるノイズの発生を抑止することができる。また、通孔53がインピーダンス変換ダイ2と重ならない位置に、すなわちインピーダンス変換ダイ2の真上に位置しない構成であるので、インピーダンス変換ダイ2に外部の光が照射されにくい。そのため、インピーダンス変換ダイ2に関してもノイズの発生を抑止できる。
以上説明したような、風、塵埃対策、各種のノイズ対策が施されていることにより、コンデンサマイクロホン1の環境適応性が向上する。
以上説明したような、風、塵埃対策、各種のノイズ対策が施されていることにより、コンデンサマイクロホン1の環境適応性が向上する。
・製造方法
本実施形態のコンデンサマイクロホン1においては、バンパ42と通気フィルタ41とは電気音響変換ダイ3と一体に形成される。すなわち、電気音響変換ダイ3と一体の通気フィルタ41はダイの製造プロセスにおける微細加工技術によって形成される。そのため、ダイの製造プロセスにおいてウェハ全体に対して一度に施される微細加工はダイシング工程後の加工コストよりもダイあたりの加工コストが低いので、通気フィルタ41を追加することによるコンデンサマイクロホン1の製造コストの増大を抑制することができる。
本実施形態のコンデンサマイクロホン1においては、バンパ42と通気フィルタ41とは電気音響変換ダイ3と一体に形成される。すなわち、電気音響変換ダイ3と一体の通気フィルタ41はダイの製造プロセスにおける微細加工技術によって形成される。そのため、ダイの製造プロセスにおいてウェハ全体に対して一度に施される微細加工はダイシング工程後の加工コストよりもダイあたりの加工コストが低いので、通気フィルタ41を追加することによるコンデンサマイクロホン1の製造コストの増大を抑制することができる。
図3は、本実施形態の電気音響変換ダイ3を実現するための膜の積層構造の一例を示す断面図である。
電気音響変換ダイ3の基板は単結晶Siなどからなるウェハ107から形成される。図3を用いて電気音響変換ダイ3の製造方法を説明する。はじめに、ウェハ107の上にエッチストッパ膜102を成膜する。次に、エッチストッパ膜102の上に振動電極を構成する導電膜108を成膜し、レジストマスクのパターンをエッチングにより転写することによりダイヤフラム36の輪郭を形成する。
電気音響変換ダイ3の基板は単結晶Siなどからなるウェハ107から形成される。図3を用いて電気音響変換ダイ3の製造方法を説明する。はじめに、ウェハ107の上にエッチストッパ膜102を成膜する。次に、エッチストッパ膜102の上に振動電極を構成する導電膜108を成膜し、レジストマスクのパターンをエッチングにより転写することによりダイヤフラム36の輪郭を形成する。
次に、エッチストッパ膜102の上と導電膜108の上とにスペーサ膜103を成膜する。次に、スペーサ膜103の上に、静止電極を構成する導電膜104を成膜し、レジストマスクのパターンを転写することにより、プレート32の輪郭および音響孔31を形成する。次に、導電膜104の上とスペーサ膜103の上とに絶縁膜105を成膜する。次に、通気フィルタ41やバンパ42を構成する絶縁膜109を絶縁膜105の上に成膜し、レジストマスクのパターンをエッチングにより転写することにより、柱411やバンパ42(図3には図示無し)を形成する。
次に、レジストマスクのパターンをエッチングにより転写することにより、プレート32を露出させるために絶縁膜105の不要部を除去する。次に、ウェハ107の裏面上にレジストマスクを形成し、Deep−RIEによりウェハ107にキャビティ35を形成する。
次に、音響孔31とキャビティ35とからエッチャントを供給し、エッチストッパ膜102とスペーサ膜103の不要部を除去する。なお、絶縁膜109および絶縁膜105は、エッチストッパ膜102とスペーサ膜103とエッチング選択性がある材料で構成される。最後にダイシングによりウェハ107を分断すると、電気音響変換ダイ3が完成する。
なお、通気フィルタ41とバンパ42のいずれか一方または両方は、インピーダンス変換ダイ2と一体に形成されてもよい。通気フィルタ41やバンパ42は、インピーダンス変換ダイ2や電気音響変換ダイ3と別体に形成された後に接合されてもよい。
(第二実施形態)
図4Aは、本発明のコンデンサマイクロホンの第二実施形態を示す模式的な断面図である。図4Aに示すように、ダイヤフラム36がプレート32よりインピーダンス変換ダイ2側に位置していてもよい。電気音響変換ダイ3の出力端子に接続される電極がインピーダンス変換ダイと隣接すると両者間に寄生容量が生じ感度が低下する可能性がある。したがって、図4Aに示す構成では、振動電極にバイアス電圧が印加され、静止電極が電気音響変換ダイ3の出力端子に接続されることが望ましい。
図4Aは、本発明のコンデンサマイクロホンの第二実施形態を示す模式的な断面図である。図4Aに示すように、ダイヤフラム36がプレート32よりインピーダンス変換ダイ2側に位置していてもよい。電気音響変換ダイ3の出力端子に接続される電極がインピーダンス変換ダイと隣接すると両者間に寄生容量が生じ感度が低下する可能性がある。したがって、図4Aに示す構成では、振動電極にバイアス電圧が印加され、静止電極が電気音響変換ダイ3の出力端子に接続されることが望ましい。
(第三実施形態)
図4Bは、本発明のコンデンサマイクロホンの第三実施形態を示す模式的な断面図である。図4Bに示すように、コンデンサマイクロホンのパッケージを省略し、種々の電子デバイスが実装される外部配線基板8に電気音響変換ダイ3を直接接合してもよい。
図4Bは、本発明のコンデンサマイクロホンの第三実施形態を示す模式的な断面図である。図4Bに示すように、コンデンサマイクロホンのパッケージを省略し、種々の電子デバイスが実装される外部配線基板8に電気音響変換ダイ3を直接接合してもよい。
(第四実施形態)
図5Aは、本発明のコンデンサマイクロホンの第四実施形態を示す模式的な断面図である。図5Bはパッケージ5のカバー54を取り外した状態のコンデンサマイクロホンの平面図である。通孔53は、カバー54のいずれの位置にあってもよく、例えば図5Aに示すようにインピーダンス変換ダイ2と重なる位置に形成されていてもよい。第四実施形態では、電極パッドやボンディングワイヤに加えて、インピーダンス変換ダイ2の上面(底部51から遠方の面)も樹脂材7によって覆われている(図5Bの領域72)。そのため、インピーダンス変換ダイ2にも電気音響変換ダイ3にもパッケージ外部の光が照射されにくいので、内部光電効果によるノイズの発生を抑止することができる。尚、図5Bに示すように、インピーダンス変換ダイ2の電極パッド322側の一辺と支持部34との間の空間は樹脂材7によって充填されるが、その他の3辺と支持部34との間は樹脂材7によって充填されないので、音波はこの空間を通って電気音響変換ダイ3の内部に進行することができる。
図5Aは、本発明のコンデンサマイクロホンの第四実施形態を示す模式的な断面図である。図5Bはパッケージ5のカバー54を取り外した状態のコンデンサマイクロホンの平面図である。通孔53は、カバー54のいずれの位置にあってもよく、例えば図5Aに示すようにインピーダンス変換ダイ2と重なる位置に形成されていてもよい。第四実施形態では、電極パッドやボンディングワイヤに加えて、インピーダンス変換ダイ2の上面(底部51から遠方の面)も樹脂材7によって覆われている(図5Bの領域72)。そのため、インピーダンス変換ダイ2にも電気音響変換ダイ3にもパッケージ外部の光が照射されにくいので、内部光電効果によるノイズの発生を抑止することができる。尚、図5Bに示すように、インピーダンス変換ダイ2の電極パッド322側の一辺と支持部34との間の空間は樹脂材7によって充填されるが、その他の3辺と支持部34との間は樹脂材7によって充填されないので、音波はこの空間を通って電気音響変換ダイ3の内部に進行することができる。
尚、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
1:コンデンサマイクロホン、2:インピーダンス変換ダイ、3:電気音響変換ダイ、5:パッケージ、7:樹脂材、21:ノイズシールド層、31:音孔、32:プレート、34:支持部、35:キャビティ、36:ダイヤフラム、41:通気フィルタ、42:バンパ、42:通気フィルタ、42:バンパ、51:底部、52:導電層、53:通孔、54:カバー、60:配線基板、411:柱、412:伝達路
Claims (7)
- インピーダンス変換器を含むインピーダンス変換ダイと、
前記インピーダンス変換ダイと重なり静止電極を形成するプレートと、前記プレートと重なり前記静止電極に対する振動電極を形成するダイヤフラムと、を備え、前記インピーダンス変換ダイと配線部との間に設けられ、前記静止電極又は前記振動電極が前記インピーダンス変換器に接続されている電気音響変換ダイと、
を備え、
前記インピーダンス変換ダイと前記電気音響変換ダイとの間には外部空間から前記ダイヤフラムに音波を伝達するための伝達路が形成されている、
コンデンサマイクロホン。 - 前記インピーダンス変換ダイは前記プレートと前記ダイヤフラムとに重なるノイズシールド層を備える、
請求項1に記載のコンデンサマイクロホン。 - 前記伝達路を形成している通気フィルタをさらに備える、
請求項1又は2に記載のコンデンサマイクロホン。 - 前記通気フィルタは前記電気音響変換ダイまたは前記インピーダンス変換ダイと一体に形成されている、
請求項3に記載のコンデンサマイクロホン。 - 前記静止電極と前記振動電極のうち一定のバイアス電圧が印加されている一方が他方より前記インピーダンス変換ダイ側に配置されている、
請求項1〜4のいずれか一項に記載のコンデンサマイクロホン。 - 内部空間の一部に前記電気音響変換ダイと前記インピーダンス変換ダイとを収容し、前記インピーダンス変換ダイと重ならない位置に通孔を有するパッケージをさらに備え、
前記通孔の近傍において前記インピーダンス変換ダイと前記電気音響変換ダイとの間は樹脂材によって充填されている、
請求項1〜5のいずれか一項に記載のコンデンサマイクロホン。 - 内部空間の一部に前記電気音響変換ダイと前記インピーダンス変換ダイとを収容し、前記インピーダンス変換ダイを基準として前記配線部と反対側の面に通孔を有するパッケージをさらに備え、
少なくとも前記インピーダンス変換ダイの前記通孔側の面は樹脂材によって覆われている、
請求項1〜5のいずれか一項に記載のコンデンサマイクロホン。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006297543A JP2008118258A (ja) | 2006-11-01 | 2006-11-01 | コンデンサマイクロホン |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006297543A JP2008118258A (ja) | 2006-11-01 | 2006-11-01 | コンデンサマイクロホン |
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JP2008118258A true JP2008118258A (ja) | 2008-05-22 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010050866A (ja) * | 2008-08-25 | 2010-03-04 | Audio Technica Corp | 単一指向性コンデンサマイクロホン |
JP2016058880A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | 晶▲めい▼電子股▲ふん▼有限公司 | ノイズカップリングの影響を低減させるマイクロフォン装置 |
US9491531B2 (en) | 2014-08-11 | 2016-11-08 | 3R Semiconductor Technology Inc. | Microphone device for reducing noise coupling effect |
-
2006
- 2006-11-01 JP JP2006297543A patent/JP2008118258A/ja not_active Withdrawn
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US9491531B2 (en) | 2014-08-11 | 2016-11-08 | 3R Semiconductor Technology Inc. | Microphone device for reducing noise coupling effect |
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