JP4181580B2 - エレクトレット及びエレクトレットコンデンサー - Google Patents
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Description
本発明は、振動電極と固定電極とを有するエレクトレットコンデンサーに関し、特にＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて形成されるエレクトレットコンデンサーに関する。
従来、コンデンサーマイクロフォンなどの素子に応用される、永久的電気分極を有する誘電体であるエレクトレット素子として、ＦＥＰ（Copolymer of Tetrafluoroetylene （ＴＦＥ）and Hexafluoropropylene （ＨＦＰ））材などの有機系の高分子重合体が使用されていた。しかし、これらの材料は耐熱性に劣るため、基板実装する場合のリフロー用素子としての使用が困難であるという問題があった。
それに対して、近年、微細加工技術を利用したエレクトレットの薄膜化、小型化を達成するため、有機系の高分子重合体に代えて、特許文献１に示すようなシリコン酸化膜を用いたエレクトレットが提案されている。
具体的には、特許文献１に示す技術においては、基材表面にシリコン酸化膜を成膜した後、成膜チャンバーを大気開放することなく、当該チャンバー内を、水分を含まず且つ酸素を含有するガス雰囲気に設定し、当該雰囲気中で前記シリコン酸化膜を２００℃〜４００℃で熱処理し、その後、当該シリコン酸化膜に対して帯電処理を行なう。
特開２００２−３３２４１号公報
しかしながら、エレクトレットは液体に触れると電荷が抜けてしまうという問題点を有している。例えばエレクトレット化したＦＥＰをエタノールに浸すと、当該ＦＥＰにおいて電荷は０にはならないものの大幅に電荷が減少してしまう。本願発明者らの実験によれば、帯電量を示す表面電位が３００ＶのＦＥＰ（具体的にはステンレス基板上に１２．５μｍの厚さで形成されたＦＥＰ）をエタノールに浸すと、表面電位は数Ｖ程度まで低下した。尚、この現象は、エタノールだけではなく他の有機溶剤や水にエレクトレットを浸した場合にも同様に発生する現象である。また、材料的にもＦＥＰ特有の現象ではなく、シリコン酸化膜等のエレクトレット材料全般に発生する現象である。
前記に鑑み、本発明は、耐湿性に優れた構造を有するＥＣＭ（エレクトレットコンデンサーマイクロフォン）等のエレクトレットコンデンサー応用素子を提供することを目的とする。また、本発明は、永久電荷を持つエレクトレットから構成されるＥＣＭをＭＥＭＳ技術により製作することによって、チャージ供給回路が不要な小型ＥＣＭを提供することを目的とする。
前記の目的を達成するために、本発明に係るエレクトレットは、帯電したシリコン酸化膜と、シリコン酸化膜を覆うように形成された絶縁膜とを備えている。
また、本発明に係る第１のエレクトレットコンデンサーは、貫通孔が形成された第１電極と、第１電極との間にエアギャップを介在させて配置された第２電極と、第２電極における第１電極と対向する面上に形成され且つ帯電したシリコン酸化膜からなるエレクトレットとを備え、シリコン酸化膜を覆うように絶縁膜が形成されている。
また、本発明に係る第２のエレクトレットコンデンサーは、第１電極を有し且つ第１の貫通孔が形成された固定膜と、固定膜との間にエアギャップを介在させて配置された第２電極と、第２電極における固定膜と対向する面上に形成され且つ帯電したシリコン酸化膜からなるエレクトレットとを備え、シリコン酸化膜を覆うように絶縁膜が形成されている。
また、本発明に係る第３のエレクトレットコンデンサーは、周縁部を残すように除去された領域を有する半導体基板と、当該領域を覆うように半導体基板上に形成された振動膜とを備え、振動膜は、エレクトレットと電極膜と第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との積層構造を有し、エレクトレットは第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜により覆われている。
本発明のエレクトレット及びエレクトレットコンデンサーによると、帯電したシリコン酸化膜の表面、つまり上面、下面及び側面を絶縁膜により保護することができる。具体的には、大気中の水分の吸着等が顕著な材料であるシリコン酸化膜の表面が大気中に露出することのないように、当該シリコン酸化膜を絶縁膜によって覆うことにより、帯電（エレクトレット化）しているシリコン酸化膜の帯電量の減少を抑制することができる。これにより、エレクトレットの経時的信頼性を向上させることができる。
尚、本発明のエレクトレット及びエレクトレットコンデンサーにおいて、帯電したシリコン酸化膜（エレクトレット）の表面、例えば上面又は下面を絶縁膜が直接覆っていなくてもよい。例えばシリコン酸化膜の下面と絶縁膜との間に電極が介在していてもよい。
また、本発明のエレクトレット及びエレクトレットコンデンサーにおいて、帯電したシリコン酸化膜（エレクトレット）を覆う絶縁膜の耐湿性は当該シリコン酸化膜よりも高いことが好ましい。すなわち、絶縁膜により覆われたシリコン酸化膜の耐湿性（所定の湿度状態、例えば耐湿試験における電荷の抜けにくさ）は、絶縁膜により覆われていないシリコン酸化膜の耐湿性よりも高い。シリコン酸化膜よりも耐湿性の高い絶縁膜としては例えばシリコン窒化膜を用いることができる。
本発明によると、耐湿性に優れたエレクトレット構造を有するＥＣＭ等のエレクトレットコンデンサー応用素子を提供することができる。また、このようなＥＣＭをＭＥＭＳ技術により製作することによって、チャージ供給回路が不要な小型ＥＣＭを提供することができる。すなわち、本発明によると、信頼性の高い小型且つ高性能なマイクの実現が可能となる。さらに、当該マイクを搭載した各種応用装置を広く社会に供給することが可能となる。
（実施形態）
以下、本発明の一実施形態に係るエレクトレットコンデンサーについて、ＥＣＭに応用する場合を例として図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の一実施形態に係るエレクトレットコンデンサーについて、ＥＣＭに応用する場合を例として図面を参照しながら説明する。
まず、本実施形態のエレクトレットコンデンサーを応用した素子であるＥＣＭについて説明する。
図１（ａ）及び（ｂ）は本実施形態のＥＣＭの構成図であり、図１（ａ）は当該ＥＣＭの平面図であり、図１（ｂ）は当該ＥＣＭの断面図である。
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態のＥＣＭは、プリント基板２１上にマイク部１８、コンデンサーなどのＳＭＤ（表面実装部品）１９及びＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）部２０が搭載されることによって構成されている。また、図１（ａ）においては図示を省略しているが、図１（ｂ）に示すように、マイク部１８、ＳＭＤ１９及びＦＥＴ部２０が搭載されたプリント基板２１はケース２２によって保護されている。
図２は本実施形態のＥＣＭの回路ブロック図である。
図２に示すように、本実施形態のＥＣＭの内部回路２３は、後述する本実施形態のエレクトレットコンデンサーからなるマイク部１８、ＳＭＤ１９及びＦＥＴ部２０から構成されている。また、内部回路２３の出力端子２４及び出力端子２５から外部端子２６及び外部端子２７へ信号が出力される。実動作時には、外部端子２６と抵抗を介して接続されている端子２８から例えば２Ｖ程度の電圧を持つ信号が入力されると、外部端子２６とコンデンサーを介して接続されている端子２９に例えば数十ｍＶの交流電圧を持つ信号が出力される。尚、外部端子２７及びそれと接続された端子３０のそれぞれは、ＥＣＭ内部回路２３中のＧＮＤ端子である出力端子２５に接続されている。
以下、本実施形態のエレクトレットコンデンサーについて説明する。図３は本実施形態のエレクトレットコンデンサーの断面図である。
図３に示すように、本実施形態のエレクトレットコンデンサーは、周縁部を残すように除去された領域（以下、メンブレン領域１１３という）を有する半導体基板１０１上にメンブレン領域１１３を覆うように形成された振動膜１１２と、振動膜１１２との間にエアギャップ１０９を介在させて配置された固定膜１１０とをそれぞれ電極とする平行平板型のコンデンサー構造を有している。ここで、振動膜１１２は下部電極１０４を有すると共に、固定膜１１０は導電膜（上部電極）１１８を有する。
本実施形態のエレクトレットコンデンサーにおいては、固定膜１１０に設けられた複数のアコースティックホール１１１及びエアギャップ１０９を通して振動膜１１２が上方から音圧を受けると、当該音圧に応じて振動膜１１２が機械的に上下に振動する。ここで、振動膜１１２が振動すると、振動膜１１２（つまり下部電極１０４）と固定膜１１０との間の距離（電極間距離）が変化し、それによってコンデンサーの容量（Ｃ）が変化する。ところで、コンデンサーに蓄えられる電荷（Ｑ）は一定であるため、コンデンサーの容量（Ｃ）が変化すると、下部電極１０４と固定膜１１０との間の電圧（Ｖ）に変化が生じる。その理由は、物理的に下記式（１）の条件を満足する必要があるためである。
Ｑ＝Ｃ・Ｖ ・・・ （１）
下部電極１０４は、図２のＦＥＴ部２０のゲートと電気的に接続されているので、ＦＥＴ部２０のゲート電位は、振動膜１１２の振動により変化する。また、ＦＥＴ部２０のゲート電位の変化は外部出力端子２９に電圧変化として出力される。
下部電極１０４は、図２のＦＥＴ部２０のゲートと電気的に接続されているので、ＦＥＴ部２０のゲート電位は、振動膜１１２の振動により変化する。また、ＦＥＴ部２０のゲート電位の変化は外部出力端子２９に電圧変化として出力される。
本実施形態のエレクトレットコンデンサーの詳細な構成は次の通りである。
図３に示すように、本実施形態のエレクトレットコンデンサーが搭載される半導体基板１０１上にシリコン酸化膜１０２が形成されていると共に、半導体基板１０１及びシリコン酸化膜１０２をそれぞれの周縁部が残存するように部分的に除去することによってメンブレン領域１１３が形成されている。すなわち、メンブレン領域１１３とは、振動膜１１２が外部から圧力を受けて振動することを可能とするために半導体基板１０１がその周縁部を残すように部分的に除去されてなる領域である。
シリコン酸化膜１０２上にはメンブレン領域１１３を覆うようにシリコン窒化膜１０３が形成されている。シリコン窒化膜１０３上には同一の導電膜からなる下部電極１０４及び引出し配線１１５が形成されている。下部電極１０４は、メンブレン領域１１３及びその近傍領域（メンブレン領域１１３の外側領域の一部）を覆うシリコン窒化膜１０３上に形成されており、引出し配線１１５は、メンブレン領域１１３の外側のシリコン窒化膜１０３上に下部電極１０４と接続するように形成されている。
シリコン窒化膜１０３、下部電極１０４及び引出し配線１１５のそれぞれの上には、シリコン酸化膜１０５及びシリコン窒化膜１０６が順次形成されている。ここで、メンブレン領域１１３に位置する、シリコン窒化膜１０３、導電膜からなる下部電極１０４、シリコン酸化膜１０５及びシリコン窒化膜１０６によって振動膜１１２が構成されている。また、振動膜１１２には、エアギャップ１０９と接続する複数のリークホール１０７が形成されている。尚、シリコン窒化膜１０３及びシリコン窒化膜１０６は、リークホール１０７の内壁面を含む下部電極１０４及びシリコン酸化膜１０５の表面全体を覆うように形成されている。また、シリコン酸化膜１０５は、電荷を蓄えたエレクトレット膜である。具体的には、コロナ放電またはプラズマ放電中にシリコン酸化膜１０５をさらすことにより、シリコン酸化膜１０５に電荷を注入し、それによってエレクトレット化したシリコン酸化膜１０５を形成することができる。このとき、シリコン酸化膜１０５はコロナ放電またはプラズマ放電中に露出していてもよいし又はシリコン窒化膜１０３及びシリコン窒化膜１０６に覆われていてもよい。
さらに、図３に示すように、振動膜１１２の上方つまりシリコン窒化膜１０６の上方には、下層のシリコン窒化膜１１４及び上層のシリコン窒化膜１１９のそれぞれによって覆われた導電膜１１８からなる固定膜１１０が設けられている。ここで、メンブレン領域１１３及びその近傍領域（メンブレン領域１１３の外側領域の一部）における振動膜１１２と固定膜１１０との間にはエアギャップ１０９が形成されている一方、それ以外の領域におけるシリコン窒化膜１０６又はシリコン酸化膜１０２と固定膜１１０との間にはシリコン酸化膜１０８が形成されている。すなわち、エアギャップ１０９は少なくともメンブレン領域１１３の全体を含む領域上に形成されていると共に、固定膜１１０は振動膜１１２の上方においてシリコン酸化膜１０８によって支持されている。
尚、エアギャップ１０９の上方の固定膜１１０には、エアギャップ１０９と接続する複数のアコースティックホール１１１が形成されている。また、シリコン窒化膜１１４を含む固定膜１１０及びシリコン酸化膜１０８には引出し配線１１５が部分的に露出するように開口部１１６が設けられている。そして、下部電極１０４は引出し配線１１５を介して、図２に示したＦＥＴ部２０のゲートと電気的に接続されている。また、固定膜１１０を構成するシリコン窒化膜１１９には開口部１１７が設けられていると共に当該開口部１１７において固定膜１１０を構成する導電膜１１８が露出しており、それによって当該導電膜１１８は図２のＧＮＤ端子２５に電気的に接続されている。
図４は、本実施形態のエレクトレットコンデンサーの下部電極１０４及び引出し配線１１５の平面図である。前述したように、下部電極１０４及び引出し配線１１５は同一の導電膜から構成されている。また、図４に示すように、下部電極１０４はメンブレン領域１１３の内部に形成されていると共に、下部電極１０４の周縁部には複数のリークホール１０７が形成されている。そして、下部電極１０４を外部と電気的に接続するために引出し配線１１５が形成されいる。
以下、下部電極１０４がメンブレン領域１１３の内部に形成されている理由について説明する。ＥＣＭにおけるコンデンサーの容量は、振動膜の振動により変化する容量成分と、振動膜の振動により変化しない容量成分とによって決定される。ここで、寄生容量が大きくなると、振動膜の振動により変化しない容量成分が大きくなってしまい、それにより、ＥＣＭの性能が大きく左右されてしまう。それに対して、本実施形態においては、エレクトレットコンデンサーの下部電極１０４をメンブレン領域１１３の内側に設けている。この構成により、下部電極１０４と半導体基板１０１とが重なる領域がなくなるので、下部電極１０４とシリコン酸化膜１０２と半導体基板１０１とからなる大面積のＭＯＳ（metal oxide semiconductor ）容量をなくすことができる。すなわち、寄生容量を、引出し配線１１５とシリコン酸化膜１０２と半導体基板１０１とからなる小面積のＭＯＳ容量のみにすることができる。従って、コンデンサーにおける変化しない容量成分（寄生容量）の増加を防ぐことができるので、小型且つ高性能なエレクトレットコンデンサーを実現することができる。
また、本実施形態においては、振動膜１１２の構成要素、つまり、シリコン窒化膜１０３、導電膜からなる下部電極１０４、シリコン酸化膜１０５及びシリコン窒化膜１０６のうち、メンブレン領域１１３を覆うように形成されているシリコン窒化膜１０３、シリコン酸化膜１０５及びシリコン窒化膜１０６は半導体基板１０１と重なるように形成されている。言い換えると、シリコン窒化膜１０３、シリコン酸化膜１０５及びシリコン窒化膜１０６の端部は半導体基板１０１上に位置する。一方、振動膜１１２のうち導電膜からなる下部電極１０４は半導体基板１０１と重なることがないようにメンブレン領域１１３の内側に形成されている。言い換えると、下部電極１０４の端部はメンブレン領域１１３の内部に位置する。これにより、振動膜１１２の共振周波数特性を、シリコン窒化膜１０３、シリコン酸化膜１０５及びシリコン窒化膜１０６の膜厚を調整することによって制御することが可能となる。すなわち、コンデンサーにおける外部からの圧力を受けて変化する容量成分の制御を容易にし、それによって小型且つ高感度のエレクトレットコンデンサーを実現することができる。
以下、シリコン窒化膜１０３及びシリコン窒化膜１０６が下部電極１０４及びシリコン酸化膜１０５を覆うように形成されている理由について説明する。シリコン酸化膜からなるエレクトレットが液体に触れると、エレクトレットの電荷が大幅に減少する。このエレクトレットの電荷の減少を抑制するために、本実施形態では、少なくともエレクトレットであるシリコン酸化膜１０５の表面（上面、下面及び側面）をシリコン窒化膜１０３及びシリコン窒化膜１０６によって覆っている。さらに詳細には、振動膜１１２に形成されたリークホール１０７内にシリコン酸化膜（エレクトレット）１０５が露出しないように、リークホール１０７の内壁面もシリコン窒化膜１０６によって完全に覆っている。これにより、耐湿性及び耐熱性に優れたエレクトレットを有するエレクトレットコンデンサーを実現することができる。
図５は、本実施形態のエレクトレットコンデンサーの固定膜１１０を構成するシリコン窒化膜１１４の平面図である。前述したように、メンブレン領域１１３を含む半導体基板１０１の上方に形成された固定膜１１０には複数のアコースティックホール１１１が形成されている。各アコースティックホール１１１は、メンブレン領域１１３及びその近傍領域（メンブレン領域１１３の外側領域の一部）に配置されている。
以下、本実施形態のエレクトレットコンデンサーの動作について説明する。図３に示す本実施形態のエレクトレットコンデンサーにおいて、アコースティックホール１１１及びエアギャップ１０９を通して振動膜１１２が上方から音圧を受けると、その音圧に応じて振動膜１１２が機械的に上下に振動する。本実施形態のエレクトレットコンデンサーは、振動膜１１２を構成する下部電極１０４と固定膜１１０を構成する導電膜１１８とをそれぞれ電極とする平行平板型のコンデンサー構造を有している。従って、振動膜１１２が振動すると、下部電極１０４と導電膜１１８との電極間距離が変化し、それによってコンデンサーの容量（Ｃ）が変化する。ここで、コンデンサーに蓄えられる電荷（Ｑ）は一定であるため、コンデンサーの容量（Ｃ）が変化すると、下部電極１０４と固定膜１１０（導電膜１１８）との間の電圧（Ｖ）に変化が生じる。この理由は、物理的に下記式（１）の条件を満足する必要があるためである。
Ｑ＝Ｃ・Ｖ ・・・ （１）
また、下部電極１０４と固定膜１１０（導電膜１１８）との間の電圧（Ｖ）が変化すると、下部電極１０４は図２のＦＥＴ部２０のゲートと電気的に接続されているので、ＦＥＴ部２０のゲート電位が変化する。以上のように、振動膜１１２の振動によりＦＥＴ部２０のゲート電位が変化し、ＦＥＴ部２０のゲート電位の変化は図２の外部出力端子２９に電圧変化として出力される。
また、下部電極１０４と固定膜１１０（導電膜１１８）との間の電圧（Ｖ）が変化すると、下部電極１０４は図２のＦＥＴ部２０のゲートと電気的に接続されているので、ＦＥＴ部２０のゲート電位が変化する。以上のように、振動膜１１２の振動によりＦＥＴ部２０のゲート電位が変化し、ＦＥＴ部２０のゲート電位の変化は図２の外部出力端子２９に電圧変化として出力される。
以上に説明したように、本実施形態によると、帯電したシリコン酸化膜１０５をシリコン窒化膜１０３及びシリコン窒化膜１０６により保護することができる。すなわち、大気中の水分の吸着等が顕著な材料であるシリコン酸化膜１０５が大気中に露出することのないように、当該シリコン酸化膜１０５の表面をシリコン窒化膜１０３及びシリコン窒化膜１０６によって覆うことにより、シリコン酸化膜１０５の帯電量の減少を抑制することができる。これにより、エレクトレットの経時的信頼性を向上させることができる。従って、耐湿性に優れたエレクトレット構造を有するＥＣＭ等のエレクトレットコンデンサーを提供することができる。また、このようなＥＣＭをＭＥＭＳ技術により製作することによって、チャージ供給回路が不要な小型ＥＣＭを提供することができる。
すなわち、本実施形態によると、信頼性の高い小型且つ高性能なマイクの実現が可能となる。さらに、当該マイクを搭載した各種応用装置を広く社会に供給することが可能となる。
尚、本実施形態において、帯電したシリコン酸化膜１０５の下面を下部電極１０４を介してシリコン窒化膜１０３によって覆ったが、当該シリコン酸化膜１０５の下面を直接シリコン窒化膜によって覆ってもよい。
また、本実施形態において、帯電したシリコン酸化膜１０５の表面をシリコン窒化膜によって覆ったが、シリコン窒化膜に代えて、シリコン酸化膜よりも耐湿性が高い他の種類の絶縁膜によって覆ってもよい。
また、本実施形態において、下部電極１０４を構成する導電材料として、不純物をドーピングしたシリコン若しくはポリシリコン、金、高融点金属、アルミニウム又はアルミニウム含有合金等を用いてもよい。
また、本実施形態において、固定膜１１０を構成する導電膜１１８の材料として、不純物をドーピングしたシリコン若しくはポリシリコン、金、高融点金属、アルミニウム又はアルミニウム含有合金等を用いてもよい。
また、本実施形態において、半導体基板１０１に代えて、絶縁体からなる基板を用いてもよい。
本発明は、振動電極と固定電極とを有するエレクトレットコンデンサーに関し、特にＭＥＭＳ技術を用いて形成されるＥＣＭ等に適用した場合にはＥＣＭの高性能化及び高信頼性化を実現でき、非常に有用である。
１８ マイク部
１９ ＳＭＤ
２０ ＦＥＴ部
２１ プリント基板
２２ ＥＣＭのケース
２３ ＥＣＭの内部回路
２４ 出力端子
２５ 出力端子
２６ 外部端子
２７ 外部端子
２８ 端子
２９ 端子
３０ 端子
１０１ 半導体基板
１０２ シリコン酸化膜
１０３ シリコン窒化膜
１０４ 下部電極
１０５ シリコン酸化膜
１０６ シリコン窒化膜
１０７ リークホール
１０８ シリコン酸化膜
１０９ エアギャップ
１１０ 固定膜
１１１ アコースティックホール
１１２ 振動膜
１１３ メンブレン領域
１１４ シリコン窒化膜
１１５ 引出し配線
１１６ 開口部
１１７ 開口部
１１８ 導電膜
１１９ シリコン窒化膜
１９ ＳＭＤ
２０ ＦＥＴ部
２１ プリント基板
２２ ＥＣＭのケース
２３ ＥＣＭの内部回路
２４ 出力端子
２５ 出力端子
２６ 外部端子
２７ 外部端子
２８ 端子
２９ 端子
３０ 端子
１０１ 半導体基板
１０２ シリコン酸化膜
１０３ シリコン窒化膜
１０４ 下部電極
１０５ シリコン酸化膜
１０６ シリコン窒化膜
１０７ リークホール
１０８ シリコン酸化膜
１０９ エアギャップ
１１０ 固定膜
１１１ アコースティックホール
１１２ 振動膜
１１３ メンブレン領域
１１４ シリコン窒化膜
１１５ 引出し配線
１１６ 開口部
１１７ 開口部
１１８ 導電膜
１１９ シリコン窒化膜
Claims (12)
- 帯電したシリコン酸化膜と、
前記シリコン酸化膜の上面及び側面を覆うように形成された第１の絶縁膜と、
前記シリコン酸化膜の下面を覆うように形成された第２の絶縁膜とを備え、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜はシリコン窒化膜であることを特徴とするエレクトレット。 - 請求項１において、
前記シリコン酸化膜はプラズマ放電またはコロナ放電により帯電させられていることを特徴とするエレクトレット。 - 第１の電極を有する固定膜と、
前記固定膜との間にエアギャップを介在させて配置された振動膜とを備え、
前記振動膜は、帯電したシリコン酸化膜と第２の電極と第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との積層構造を有し、
前記シリコン酸化膜は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置され、
前記シリコン酸化膜の上面及び側面は前記第１の絶縁膜により覆われており、
前記シリコン酸化膜の下面は前記第２の絶縁膜により覆われており、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜はシリコン窒化膜であることを特徴とするエレクトレットコンデンサー。 - 請求項３において、
前記シリコン酸化膜の下面は前記第２の電極を挟んで前記第２の絶縁膜により覆われていることを特徴とするエレクトレットコンデンサー。 - 請求項３において、
前記振動膜には、前記エアギャップに達する複数の貫通孔が形成されており、
前記複数の貫通孔の内壁面となる前記シリコン酸化膜の表面は前記第１の絶縁膜によって覆われていることを特徴とするエレクトレットコンデンサー。 - 請求項３において、
前記第１の電極及び前記第２の電極は、アルミニウム、アルミニウム合金、シリコン、ポリシリコン、金または高融点金属からなることを特徴とするエレクトレットコンデンサー。 - 請求項３において、
前記第２の電極の面積は、前記シリコン酸化膜の面積よりも小さいことを特徴とするエレクトレットコンデンサー。 - 請求項３において、
前記シリコン酸化膜はプラズマ放電またはコロナ放電により帯電させられていることを特徴とするエレクトレットコンデンサー。 - 周縁部を残すように除去された領域を有する半導体基板と、
前記領域を覆うように前記半導体基板上に形成された振動膜とを備え、
前記振動膜は、帯電したシリコン酸化膜と電極膜と第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との積層構造を有し、
前記シリコン酸化膜の上面及び側面は前記第１の絶縁膜により覆われており、
前記シリコン酸化膜の下面は前記第２の絶縁膜により覆われており、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜はシリコン窒化膜であることを特徴とするエレクトレットコンデンサー。 - 請求項９において、
前記シリコン酸化膜の下面は前記電極膜を挟んで前記第２の絶縁膜により覆われていることを特徴とするエレクトレットコンデンサー。 - 請求項９において、
前記電極膜は、前記半導体基板と前記シリコン酸化膜との間に配置されていることを特徴とするエレクトレットコンデンサー。 - 請求項９において、
前記電極膜は、前記半導体基板と重ならないように前記領域の内側に形成されていることを特徴とするエレクトレットコンデンサー。
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