JP2021158544A - コンデンサ及びマイクロフォン - Google Patents
コンデンサ及びマイクロフォン Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021158544A JP2021158544A JP2020057328A JP2020057328A JP2021158544A JP 2021158544 A JP2021158544 A JP 2021158544A JP 2020057328 A JP2020057328 A JP 2020057328A JP 2020057328 A JP2020057328 A JP 2020057328A JP 2021158544 A JP2021158544 A JP 2021158544A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- conductive film
- conductive
- sealing material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 80
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 50
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 30
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 claims description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- -1 polypropylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 41
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
Description
第1実施形態は、コンデンサの構成例、及びコンデンサを用いた装置の構成例である。具体的には、第1実施形態は、コンデンサを用いたマイクロフォン(コンデンサマイクロフォン)の構成例である。また、第1実施形態は、MEMSを用いたマイクロフォン(MEMSマイクロフォン)の構成例である。
図1は、第1実施形態に係るマイクロフォン1の平面図である。図2は、図1に示したA−A´線に沿ったマイクロフォン1の断面図である。図3は、図1に示したB−B´線に沿ったマイクロフォン1の断面図である。
次に、上記のように構成されたマイクロフォン1の動作について説明する。
次に、マイクロフォン1の製造方法について説明する。なお、以下の説明では、1個のマイクロフォン1を抽出して説明する。実際には、複数のマイクロフォン1が同一基板上に行列状に形成され、最終的に複数のマイクロフォン1が各小片に分離される。
上記実施形態では、基板10としてガラス等を使用している。しかし、これに限定されず、基板10として、振動フィルム20と同様な変形性に優れた基材を用いてもよい。具体的には、基板10は、ポリイミド、ポリプロピレン、又は液晶ポリマーなどで構成してもよい。
第1実施形態によれば、ガラス基板を用いてマイクロフォン1を構成することができる。よって、半導体基板を用いてMEMSを形成する場合に比べて、マイクロフォン1のコストを低減することができる。
第2実施形態は、基板10と振動フィルム20との間にスペーサを設け、このスペーサを用いて空洞24のギャップを調整するようにしている。
図20は、第2実施形態に係るマイクロフォン1の平面図である。図21は、図20に示したA−A´線に沿ったマイクロフォン1の断面図である。図22は、図20に示したB−B´線に沿ったマイクロフォン1の断面図である。
次に、マイクロフォン1の製造方法について説明する。導電膜21を形成するまでの製造工程(第1実施形態で説明した図14までの製造工程)は、第1実施形態と同じである。
第2実施形態によれば、空洞24のギャップをスペーサ25によって調整できる。これにより、空洞24のギャップをより均一化することができる。
第3実施形態は、導電性シール材23に開口部を設け、同様に、スペーサ25に開口部を設けるようにしている。
第4実施形態は、絶縁性シール材23を用いて、基板10と振動フィルム20とを接着するようにしている。
図30は、第4実施形態に係るマイクロフォン1の平面図である。図31は、図30に示したC−C´線に沿ったマイクロフォン1の断面図である。
次に、マイクロフォン1の製造方法について説明する。
第4実施形態によれば、絶縁性シール材23を用いて、基板10と振動フィルム20とを接着することができる。その他の効果は、第1実施形態と同じである。
第5実施形態は、コンデンサを用いたスピーカーの構成例である。
第6実施形態は、スピーカーの他の構成例である。
第7実施形態は、コンデンサを用いた振動センサーの構成例である。
上記実施形態では、コンデンサの構成例として、マイクロフォン、スピーカー、及び振動センサーを挙げている。これらの構成例以外でも、本発明は、コンデンサを利用した素子に幅広く適用可能である。
Claims (13)
- 基板と、
前記基板上に設けられた第1導電膜と、
前記基板及び前記第1導電膜上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の上方に空洞を介して配置され振動フィルムと、
前記振動フィルムの前記基板側の主面上に設けられた第2導電膜と、
前記第1導電膜を囲み、前記絶縁膜と前記振動フィルムとを接着し、前記第2導電膜に電気的に接続された導電性シール材と、
を具備するコンデンサ。 - 前記基板上に設けられ、前記第1導電膜に電気的に接続された第1端子と、
前記基板上に設けられ、前記導電性シール材に電気的に接続された第2端子と、
をさらに具備する請求項1に記載のコンデンサ。 - 前記導電性シール材は、接着材と、前記接着材に混入された複数の導電性粒子とを含む
請求項1又は2に記載のコンデンサ。 - 前記導電性シール材は、開口部を有する
請求項1乃至3のいずれかに記載のコンデンサ。 - 基板と、
前記基板上に設けられた第1導電膜と、
前記基板及び前記第1導電膜上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の上方に空洞を介して配置され振動フィルムと、
前記振動フィルムの前記基板側の主面上に設けられた第2導電膜と、
前記第1導電膜を囲み、前記絶縁膜と前記振動フィルムとを接着する絶縁性シール材と、
を具備するコンデンサ。 - 前記基板上に設けられ、前記第1導電膜に電気的に接続された第1端子と、
前記振動フィルム上に設けられ、前記第2導電膜に電気的に接続された接続電極と、
前記基板上に設けられた第2端子と、
前記接続電極と前記第2端子とを接続するコンタクトと、
をさらに具備する請求項5に記載のコンデンサ。 - 前記絶縁膜と前記第2導電膜との間に設けられたスペーサをさらに具備する請求項1乃至6のいずれかに記載のコンデンサ。
- 前記スペーサは、前記第1導電膜の外周と同じ平面形状を有する
請求項7に記載のコンデンサ。 - 前記スペーサは、開口部を有する
請求項7又は8に記載のコンデンサ。 - 前記基板は、ガラス、又はガラスエポキシで構成される
請求項1乃至9のいずれかに記載のコンデンサ。 - 前記振動フィルムは、ポリイミド、ポリプロピレン、又は液晶ポリマーで構成される
請求項1乃至10のいずれかに記載のコンデンサ。 - 前記第1導電膜及び前記第2導電膜は、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、又はモリブデン(Mo)を含む
請求項1乃至11のいずれかに記載のコンデンサ。 - 前記請求項1乃至12のいずれかに記載のコンデンサで構成されたマイクロフォン。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020057328A JP7415728B2 (ja) | 2020-03-27 | 2020-03-27 | コンデンサ及びマイクロフォン |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020057328A JP7415728B2 (ja) | 2020-03-27 | 2020-03-27 | コンデンサ及びマイクロフォン |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021158544A true JP2021158544A (ja) | 2021-10-07 |
JP7415728B2 JP7415728B2 (ja) | 2024-01-17 |
Family
ID=77918842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020057328A Active JP7415728B2 (ja) | 2020-03-27 | 2020-03-27 | コンデンサ及びマイクロフォン |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7415728B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114630244A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-06-14 | 歌尔微电子股份有限公司 | 传感器及可穿戴设备 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3728969B2 (ja) | 1998-10-27 | 2005-12-21 | 富士電機機器制御株式会社 | 静電容量式圧力センサ及びその製造方法 |
JP3472493B2 (ja) | 1998-11-30 | 2003-12-02 | ホシデン株式会社 | 半導体エレクトレットコンデンサーマイクロホン |
JP3440037B2 (ja) | 1999-09-16 | 2003-08-25 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置、半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンおよび半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法。 |
JP2007139559A (ja) | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Alps Electric Co Ltd | 静電容量型圧力センサ |
JP4787648B2 (ja) | 2006-03-29 | 2011-10-05 | パナソニック株式会社 | コンデンサマイクロホンの製造方法およびコンデンサマイクロホン |
-
2020
- 2020-03-27 JP JP2020057328A patent/JP7415728B2/ja active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114630244A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-06-14 | 歌尔微电子股份有限公司 | 传感器及可穿戴设备 |
CN114630244B (zh) * | 2022-03-28 | 2024-04-19 | 歌尔微电子股份有限公司 | 传感器及可穿戴设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7415728B2 (ja) | 2024-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5054703B2 (ja) | Memsマイクロフォン、memsマイクロフォンの製造方法およびmemsマイクロフォンの組み込み方法 | |
US7940944B2 (en) | Directional silicon condenser microphone having additional back chamber | |
US7386136B2 (en) | Sound detecting mechanism | |
US7040173B2 (en) | Pressure sensor and method for operating a pressure sensor | |
US7949142B2 (en) | Silicon condenser microphone having additional back chamber and sound hole in PCB | |
CN101754077B (zh) | 压电声换能器及其制造方法 | |
KR100348546B1 (ko) | 반도체 장치, 반도체 일렉트레트 컨덴서 마이크로폰 및반도체 일렉트레트 컨덴서 마이크로폰의 제조 방법 | |
US20170180900A1 (en) | MEMS Device | |
KR20080090555A (ko) | 컨덴서 마이크로폰 | |
JP2011142374A (ja) | 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法 | |
WO2020000648A1 (zh) | Mems麦克风 | |
JP2007043327A (ja) | コンデンサマイクロホン | |
KR20000006110A (ko) | 압전음향부품 | |
WO2020000649A1 (zh) | Mems电容式麦克风 | |
US20180139542A1 (en) | Piezoelectric speaker and method for forming the same | |
JP2008141409A (ja) | コンデンサマイクロホンの製造方法及びコンデンサマイクロホン | |
JP7415728B2 (ja) | コンデンサ及びマイクロフォン | |
CN213754954U (zh) | Mems麦克风、微机电结构 | |
JP2010109416A (ja) | 圧力トランスデューサおよび圧力トランスデューサの製造方法 | |
KR20110062583A (ko) | 고주파용 정전형 스위치 및 그 제조 방법 | |
JP2006332799A (ja) | 音響センサ | |
WO2022083592A1 (zh) | Mems芯片 | |
CN112399311B (zh) | 用于双背板换能器的膜支撑件 | |
JP4476055B2 (ja) | コンデンサマイクロホンとその製造方法 | |
JP5049571B2 (ja) | コンデンサマイクロホンの製造方法及びコンデンサマイクロホン |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20230104 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231019 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7415728 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |