CN100446628C - 电容式麦克风及其微机电加工制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种电容式麦克风及其微机电加工制造方法，该电容式麦克风包含有一具有形成有四槽的底壁的基座、一容置在基座中且与底壁连接的振膜芯片，及一容置在基座中且同时与基座及振膜芯片电性连接的场效晶体管。其中振膜芯片由微机电加工工艺制造，并具有一电极层、一从该电极层向下形成的振动膜、至少从该振动膜再向下形成的分隔垫，及一具有多数穿孔并连接在分隔垫上的底板。当振膜芯片接收到一机械能后，可使振动膜产生一相对应的形变而使振膜芯片的电容改变，经场效晶体管转换成一电子信号传送出去。
Description
技术领域
本发明涉及一种麦克风及其制造方法，更具体地说，涉及一种应用微机电加工工艺来制造芯片的电容式麦克风及其微机电加工制造方法。
背景技术
在日本特开平11-331988号“微机电加工驻极体电客麦克风”、特开2000-165999号“微机电力工驻极体电容麦克风”，及特开2001-69596号“微机电加工驻极体电容麦克风的制造法及微机电加工驻极体电容麦克风”等三个日本专利申请案中，公开的技术特征在于以微机电加工来完成麦克风芯片的前段部分制作，再通过现有麦克风的加工方法制成，即在完成前段部分制备的芯片上连接一振动膜，以制作出麦克风的驻极体电容，由于，该部分与现有技术相似，并未能大幅缩减麦克风驻极体电容的体积，进而没能达到缩减麦克风成品体积的目的，因此，再设计变化麦克风陶瓷壳体的形状以对应该驻挪电容，完成现有驻极体电容式麦克风的制造，以希望达到麦克风成品体积更轻薄的目的，但由于上述专利申请件并未能大幅缩减麦克风驻极体电容的体积，因此，有体积过大及需要加以改进的缺点。
在美国第5870482号专利中，从芯片制作过程着手以改善麦克风成品的体积，由于，该专利中的技术细节已详细记载在其专利说明书中，在此仅以示意图表示，配合说明本发明所揭示的主要技术手段。
如图1所示，在美国专利第5870482号中公开的麦克风芯片100的制造方法，是利用微机电加工标准工艺，先在一硅基板11上生成一例如二氧化硅(SiO2)的牺牲层12，再将牺牲层12蚀刻出一预定形状的凹槽13，接着，再在已蚀刻出凹槽13的牺牲层12上沉积一氮化硅层(Si3N4)14，且使氮化硅层14的截面呈一T字型并与硅基板11相连接，然后再以如氯氟酸(HF)将硅基板11与氮化硅14之间的牺牲层12完全清除，在氮化硅层14与硅基板11之间形成间隙15，使氮化硅层14作为可接收外界机械能的振动膜，且间隙15作为麦克风芯片100振动膜振动时所需的空间，接着，再从氯化硅层14上依序形成加麦克风芯片100必须的金属层等等(视各芯片的结构而异)，完成麦克风芯片100的制造。
上述，麦克风芯片100的制造方法，是完全利用标准微机电加工工艺来制作，如增加形成牺牲层12、蚀刻，然后再形成氮化硅层14、再蚀刻，以形成振动空间等等步骤，然而只要熟悉微机电加工工艺的人士都知道，该等增加的工艺步骤，不但在制作成本上花费较高，同时，也降低了整体制造过程中合格率的可控性，因此，上述制造方法虽然可以缩减麦克风芯片100的体积，达到缩小麦克风体积的目的，然而，仍有工艺增加、成本提高的缺点。
如图2所示，在美国专利第6243474号专利中，先分别以标准微机电加工工艺制备出二结构各异的芯片2和2’，其中一芯片2形成一驻极体21的材料为高分子有机材(因细部结构与本发明技术没有关联，故不再一一详述)，再将二芯片2、2’连接后形成麦克风芯片200接收机械能时所必须的振动空间22，从而完成麦克风芯片200的制备，这种方法虽然可以改善上述工艺过多、成本增加的缺点，但是由于该方法由二芯片连接而成，且每一芯片由于结构强度关系而使得其基本厚度为一定值，所以不但体积缩减有限，并且在进行蚀刻工艺时极为耗时，再者，当使用此种芯片的麦克风时，由于其中驻极体的材料为高分子有机材料，使得焊粘的加工温度需低于240℃，因此该种麦克风无法以表面粘着工艺(SMT工艺)来进行自动化生产，而必须以手工进行，这样非但增加成本，而且更容易因人工操作产生工艺的不可控性。
由上述可知，麦克风的制作技术虽然已经较为成熟，但是仍存在有体积缩减有限、工艺过多导致成本太高、或工艺无法批量生产等等缺点，必须加以研发改进。
为此，本发明中的创作人凭借其多年从事相关行业的经验与实践，并经潜心研究与开发，终创造出一种电容式麦克风及其微机电加工制造方法，利用该方法制造出的电容式麦克风可以减少工艺、降低生产成本，并且成品可适于表面粘着技术，以利自动化生产。
发明内容
本发明中的电容式麦克风主要是为了解决现有麦克风电容体积缩减有限、工艺过多而导致成本太高、或工艺无法批量生产等问题。
本发明中的电容式麦克风微机电加工制造方法主要是为了解决目前还没有能够制作出更轻薄电容式麦克风方法的问题。
本发明中的电容式麦克风包含有一具有一容置空间的基座，容置在该容置空间内的一振膜芯片与一场效晶体管，其中：
所述基座具有一形成有一凹槽的底壁，及一从底壁一外周缘向上延伸的外周壁，由底壁与外周壁共同界定出一与凹槽相通的容置空间；
所述容置在容置空间内与底壁相连接的振膜芯片具有一电极层、一从该电极层向下形成的振动膜、一从振动膜更向下形成的分隔垫，及一至少具有一穿孔且与分隔垫相连接的底板，由所述电极层、振动膜，与底板共同形成一电容，并由底板、分隔垫，与该振动膜共同界定出一振动空间，且底板在封闭凹槽后使凹槽通过穿孔与振动空间相连通；及
容置在容置空间内与底壁相连接的场效晶体管同时与振膜芯片的电极层及基座电性连接，当振膜芯片接收到一机械能后，可使振动膜产生一相对应的形变而使振膜芯片的电容改变，经场效晶体管转换成电子信号传送出去。
另外，所述振膜芯片的振动膜至少包含一种无机材料，而最好是包含有一预定形态的二氧化硅层和一预定形态的氮化硅层。
另外，所述振膜芯片的振动膜是由微机电加工工艺视需要而可选择且可重复地进行一沉积工艺、一上光阻工艺、一曝光工艺、一显影工艺，和/或一蚀刻工艺，依序形成的包含有一预定形态的二氧化硅层与一预定形态的氮化硅层。
另外，所述分隔垫可以是以一微机电加工工艺视需要可选择且可重复地进行一沉积工艺、一上光阻工艺、一曝光工艺、一显影工艺，和/或一蚀刻工艺，形成的一环形二氧化硅块；分隔垫可以是以一微机电加工工艺视需要可选择且可重复地进行一沉积工艺、一上光阻工艺、一曝光工艺、一显影工艺，和/或一蚀刻工艺，形成的多数彼此间隔的二氧化硅块；分隔垫也可以是以一微机电加工工艺视需要可选择且可重复地进行一上光阻工艺、一曝光工艺、一显影工艺，和/或一蚀刻工艺，形成的一环形光阻块；所述分隔垫还可以是以一微机电加工工艺视需要可选择且可重复地进行一上光阻工艺、一曝光工艺、一显影工艺，和/或一蚀刻工艺，形成的多数彼此间隔的光阻块。
本发明电容式麦克风的微机电加工制造方法；包含下列步骤：
(a)以微机电加工工艺制造一具有电场的振膜芯片，使该振膜芯片包含一电极层、一从该电极层向下形成的振动膜、一从该振动膜更向下形成的分隔垫，及一至少具有一穿孔且与分隔垫相连接的底板，由该振动膜、分隔垫与底板界定出一振动空间；
(b)将一场效晶体管与一基座电性连接，该基座具有一向下形成一凹槽的底壁，及一从底壁一外周缘向上延伸的外周壁，该底壁与外周壁共同界定出一与凹槽相通的容置空间，所述场效晶体管容置于该容置空间中并与底壁相连接；及
(c)将所述振膜芯片以底板朝向基座的底壁与底壁相连接，并封闭凹槽。使凹槽与振动空间仅以穿孔相连通，再将振膜芯片与场效晶体管电性连接，使振膜芯片在接收一机械能后，可经由场效晶体管转换成电子信号传送出去。
本发明中的电容式麦克风及其微机电加工制造方法是以振膜芯片的结构配合封装基座的结构，而达到缩减麦克风成品的体积，并可耐至少450℃以上的高温，从而可适用表面粘着工艺，以利于自动化生产。
附图说明
下面将结合附图对本发明中的具体实施例作进一步详细说明。
图1是美国专利第5870482号中揭示的麦克风芯片局部制造方法的流程示意图；
图2是美国专利第6243474号中揭示的麦克风芯片的结构剖视示意图；
图3是本发明中电容式麦克风的剖视示意图；
图4是本发明中电容式麦克风微机电加工制造方法的流程示意图；
图5是图4中所示步骤对应完成的产物形态的流程示意图。
具体实施方式
如图3所示，本发明中的电容式麦克风是利用一由微机电加工工艺制备而成的振膜芯片来接收外界机械能，如声波后，使其电容发生改变，再利用一场效晶体管将此改变的电容转换成电子信号传输出去。该电容式麦克风3包含有一基座4、一封装于基座4中的振膜芯片5，及一封装于基座4中的场效晶体管(FET)6。
基座4为一陶瓷基板，其具有一略呈正方体且从其顶面向下形成一凹槽411的底壁41、一从底壁41顶面的一外周缘向上延伸的外周壁42、一可分离地连接在外周壁42上的封盖43，及至少一连接在底壁41相反于顶面的底面上的电极接点44，封盖43至少具有一穿孔431，封盖43、底壁41与外周壁42共同界定出一与凹槽411相通并呈一长方体的容置空间45。在本实施例中电极接点44共有四个(图中仅给出二个相间隔的电极接点)，该电极接点44可以通过表面粘着技术(SMT)电性映在一预定电器产品如移动电话的基板上(图中未示出)。
振膜芯片5是通过标准微机电加工工艺制作而成，其具有一电极层51、一从电极层51向下形成的振动膜52、一从振动膜52再向下形成的分隔垫53，及一具有多数穿孔541且与分隔垫53相连接的底板54(图中仅给出三个穿孔，然而该穿孔的数量可依实际需求而有所增减)。
电极层51为一可导电的金属层，振动膜52包含有一预定形态的二氧化硅层(SiO2)521及一预定形态的氮化硅层(Si3N4)522；分隔垫53包含有一从振动膜52氮化硅层522向下形成的环型二氧化硅块531，及一从该二氧化硅块531更向下形成的金属层532；底板54是厚度为20微米至100微米的金属板，且每一穿孔541是通过蚀刻的方式形成。
当外加一电压时，振膜芯片5的电极层51、振动膜52、与底板54共同形成一电容，且当电极层51与振动膜52、和/或振动膜52与底板54间的距离有所改变时，该电容也相对应地发生改变(此为基本电学原理，在此恕不详述)。
振动膜52、分隔垫53、及底板54共同界定出一振动空间55，供振动膜52、底板54产生形变时所需的空间；底板54用于封闭凹槽411，并使凹槽411仅以三个穿孔541与振动空间55相连通，当振动膜52产生形变时，振动空间55中的介质，例如空气，可经由穿孔541从振动空间55进入到凹槽411中，而不对底板54产生任何影响。
在此要特别加以说明的是，底板54也可以先通过一预定材质，如陶瓷制成一薄片，再在其外表面镀覆可导电的材料(例如金属)制成，只需使其可导电而不影响整个振膜芯片的电性即可，由于这种材质众多，且非本发明重点所在，所以不再一一举例说明。
再者，分隔垫53也可以是以同样的二氧化硅为材质，并从振动膜52的氯化硅层522向下设置多数相间隔的二氧化硅块，再在每一二氧化硅块向下形成的金属层，而不需一定要形成上述环状；同时，若更换如BCB(苯环丁烯)、SINR、polyimide、或传统的SU-8等光阻材质时，也可以形成环状光阻块或多数间隔的光阻块，而不需再更向下形成金属层，并可直接应用光阻材质的特性，加热压合即可将底板与分隔垫连接成一体，因该部分技术均可由微机电加工工艺轻易类推完成，所以在此不再一一举例说明。
场效晶体管6为一现有的电子元件，其被容置在容置空间45内并与底壁41相连接，同时与振膜芯片5的电极层51及基座4电性连接，当振膜芯片5接收到一机械能而相对应地改变电容时，场效晶体管6可将此变化转换成一电子信号传送出去。
本发明中的电容式麦克风3在实际动作时，是当一机械能，例如声波由外界传递穿过封盖43的穿孔431被振膜芯片5接收后，振动膜52会相对应地产生形变，导致底板54与振动膜52间的间距产生变化，并使振膜芯片5的电容改变，再经场效晶体管6转换成电子信号传送出去。
如图3和图4所示，本发明中电客式麦克风的微机电加工制造方法7可用于制造上述较佳实施例中所述的电容式麦克风3。
首先，步骤71是通过标准微机电加工工艺，例如设计光罩、上光阻、曝光、显影、沉积、蚀刻...等等(因标准微机电加工工艺已为业界周知的技术手段，且非本发明重点所在，所以不多加描述每一过程细节)，先在硅基板711上形成预定形态的二氧化硅层521，再在二氧化硅层521上形成预定形态的氮化硅层522，使二氧化硅层521与氮化硅层522共同形成振动膜52；接着，将硅基板711从其相反于振动膜52的表面向振动膜52方向蚀刻出一方孔，并使振动膜52的二氧化硅层521部分裸露在外；然后，利用金属将裸露的二氧化硅层521及硅基板711未被蚀刻的部分镀覆成金属电极层51；接着，在氮化硅层522的下方沉积出以二氧化硅为材质的环状二氧化硅块531，再在该二氧化硅块531的底面镀覆金属层532以形成分隔垫53，当然，也可如上所述，从氮化硅层522向下形成多数相间隔的二氧化硅块，再在每一二氧化硅块的下方镀覆金属层，以形成分隔垫53；再充电荷使振动膜52带电形成电场；最后，利用一预定金属，例如锦形成厚度为20微米至100微米的金属板，再以蚀刻方式在金属板上形成多数穿孔541(图标中仅给出三个穿孔为例，该穿孔个数可视实际需求而有所增减)以形成底板54，再将底板54与每一分隔垫53的金属层532焊接粘成一体，同时，由振动膜52、分隔垫53与底板54共同界定出振动空间55，制成振膜芯片5。
此外，也可以利用相同微机电加工工艺以例如BCB(苯环丁烯)、SINR、polyimide、或传统的SU-8等光阻材料为使用材质，从氯化硅层522向下沉积出环状光阻块或多数间隔的光阻块，形成分隔垫53，再直接应用光阻材质的特性，将形成有多数穿孔541的底板54加热压合而与分隔垫53连接成一体，因该部分技术均可由微机电加工工艺轻易类推完成，所以不再详加描述。
接着通过步骤72将现有的场效晶体管6，电性连接于预先以陶瓷基板工艺制备的基座4上，因陶瓷基板工艺为一现有且成熟技术，且非本发明重点所在，所以不再一一详述，仅特别在此强调，只要熟悉本技术领域的人员均知道，陶瓷基板工艺可精确地控制工艺以使成品精度达数十微米，因此，利用该工艺所制备出的上述形状的基座4，不必在设计时预留较大的误差容许空间，因而可使体积大幅缩减，符合麦克风轻薄化的发展需求。
最后，进行步骤73，将振膜芯片5的底板54朝向基座4的底壁41并与底壁41相连接，从而封闭凹槽411，使凹槽411与振动空间55仅通过三个穿孔541相连通，再将振膜芯片5与场效晶体管6电性连接，最后将封盖43与基座4的外周壁42相连接，使振膜芯片5与场效晶体管6被封置在基座4中，完成上述实施例中电容式麦克风3的制备。
由上述说明可知，本发明中的电容式麦克风及其微机电加工制造方法是先以标准微机电加工工艺制造出振膜芯片5的电极层51、振动膜5入分隔垫53等结构，且利用可耐高温(450℃以上)的无机材(SiO2、Si3N4)作为形成振动膜52的材质，再利用金属的延展性，制备出厚度极薄的底板54，与分隔垫53连接后，使电极层51、振动膜52、底板54共同形成电容，且由底板54与振动膜52界定出供振动膜52、底板54产成形变所需的振动空间55，从而完成体积极薄的振膜芯片5；并借由陶瓷基板工艺制备出精度极高、且底壁41形成有凹槽411的基座4，同时，封装振膜芯片5至基座4时，共同与基座4的凹槽411形成麦克风动作时所须的气室，因而可以大幅缩减麦克风的体积，达到本发明的主要目的。另外，由于振动膜52的材质为耐高温(450℃以上)的无机材(SiO2、Si3N4)，且底板54为厚度极薄的金属板，因此，当麦克风制备完成而需焊接粘至如手机的基板时，可以通过表面粘着工艺、大量且快速的批量生产，符合大批量生产的需求。
综上所述，本发明中的电容式麦克风及其微机电加工制造方法是以振膜芯片5的结构，配合封装基座4的结构，而达到缩减麦克风成品的体积，并可耐至少450℃以上的高温，从而可适用表面粘着工艺，以利于自动化生产，确实改善现有以芯片形式改良为主的麦克风，或以现有驻极体电容搭配壳体结构形状的麦克风存在体积缩减有限、工艺过多而导致成本太高、工艺无法批量生产等问题，实现发明目的。
Claims (29)
1.一种电容式麦克风，包含有一具有一容置空间的基座，客置在该容置空间内的一振膜芯片与一场效晶体管，其特征在于：
所述基座具有一形成有一凹槽的底壁，及一从底壁一外周缘向上延伸的外周壁，由底壁与外周壁共同界定出一与四槽相通的容置空间；
所述容置在容置空间内与底壁相连接的振膜芯片具有一电极层、一从该电极层向下形成的振动膜、一从振动膜更向下形成的分隔垫，及一至少具有一穿孔且与分隔垫相连接的底板，由所述电极层、振动膜，与底板共同形成一电容，并由底板、分隔垫，与该振动膜共同界定出一振动空间，且底板在封闭凹槽后使凹槽通过穿孔与振动空间相连通；及
容置在容置空间内与底壁相连接的场效晶体管同时与振膜芯片的电极层及基座电性连接，当振膜芯片接收到一机械能后，可使振动膜产生一相对应的形变而使振膜芯片的电容改变，经场效晶体管转换成电子信号传送出去。
2.根据权利要求1中所述的电容式麦克风，其特征在于：所述基座在其底壁的一底面上至少具有一与其连接的电极接点，该电极接点可通过表面粘着技术与一基极电性连接。
3.根据权利要求1中所述的电容式麦克风，其特征在于：所述振膜芯片的振动膜至少包含一种无机材料。
4.根据权利要求1或3中所述的电容式麦克风，其特征在于：所述振膜芯片的振动膜包含有一预定形态的二氧化硅层和一预定形态的氮化硅层。
5.根据权利要求1或3中所述的电容式麦克风，其特征在于：所述振膜芯片的振动膜是由微机电加工工艺视需要而可选择且可重复地进行一沉积工艺、一上光阻工艺、一曝光工艺、一显影工艺，和/或一蚀刻工艺，依序形成的包含有一预定形态的二氧化硅层与一预定形态的氮化硅层。
6.根据权利要求1中所述的电容式麦克风，其特征在于：所述分隔垫是以一微机电加工工艺视需要可选择且可重复地进行一沉积工艺、一上光阻工艺、一曝光工艺、一显影工艺，和/或一蚀刻工艺，形成的一环形二氧化硅决。
7.根据权利要求1中所述的电容式麦克风，其特征在于：所述分隔垫是以一微机电加工工艺视需要可选择且可重复地进行一沉积工艺、一上光阻工艺、一曝光工艺、一显影工艺，和/或一蚀刻工艺，形成的多数彼此间隔的二氧化硅块。
8.根据权利要求1中所述的电容式麦克风，其特征在于：所述分隔垫是以一微机电加工工艺视需要可选择且可重复地进行一上光阻工艺、一曝光工艺、一显影工艺，和/或一蚀刻工艺，形成的一环形光阻块。
9.根据权利要求1中所述的电容式麦克风，其特征在于：所述分隔垫是以一微机电加工工艺视需要可选择且可重复地进行一上光阻工艺、一曝光工艺、一显影工艺，和/或一蚀刻工艺，形成的多数彼此间隔的光阻块。
10.根据权利要求1中所述的电容式麦克风，其特征在于：所述分隔垫包含有一从振动膜向下形成的环形二氧化硅块，及一从环形二氧化硅块向下形成的环形金属层。
11.根据权利要求1中所述的电容式麦克风，其特征在于：所述分隔垫包含多数从振动膜向下形成的彼此相间隔的二氧化硅块，及多数分别从每一二氧化硅块向下形成的金属层。
12.根据权利要求1中所述的电容式麦克风，其特征在于：所述分隔垫是先以一微机电加工工艺视需要可选择且可重复地进行一沉积工艺、一上光阻工艺、一曝光工艺、一显影工艺，和/或一蚀刻工艺，形成的一预定形状的二氧化硅块，再在该每一二氧化硅块的底面上镀覆有一预定金属层。
13.根据权利要求1中所述的电容式麦克风，其特征在于：所述底板是厚度为20微米至100微米的金属板。
14.根据权利要求1中所述的电容式麦克风，其特征在于：所述底板是厚度为20微米至100微米的金属板，且底板上的每一穿孔是通过蚀刻的方式形成。
15.根据权利要求1中所述的电容式麦克风，其特征在于：所述底板是一厚度为20微米至100微米，且一外表面为可导电的预定材料板。
16.根据权利要求15中所述的电容式麦克风，其特征在于：所述底板是一厚度为20微米至100微米，且一外表面为可导电的陶瓷板。
17.根据权利要求1、9或10中所述的电容式麦克风，其特征在于：所述振膜芯片在接收一机械能产生相对应的形变时，所述底板与振动膜之间的间距会产生相对应变化而使振膜芯片的电容改变，并经由所述场效晶体管转换成一电子信号传送出去。
18.根据权利要求1中所迷的电容式麦克风，其特征在于：所述电极层为一可导电的金属层。
19.一种电容式麦克风的微机电加工制造方法，其特征在于：包含有下列步骤：
(a)以微机电加工工艺制造一具有电场的振膜芯片，使该振膜芯片包含一电极层、一从该电极层向下形成的振动膜、一从该振动膜更向下形成的分隔垫，及一至少具有一穿孔且与分隔垫相连接的底板，由该振动膜、分隔垫与底板界定出一振动空间；
(b)将一场效晶体管与一基座电性连接，该基座具有一向下形成一凹槽的底壁，及一从底壁一外周缘向上延伸的外周壁，该底壁与外周壁共同界定出一与凹槽相通的容置空间，所述场效晶体管容置于该容置空间中并与底壁相连接；及
(c)将所述振膜芯片以底板朝向基座的底壁与底壁相连接，并封闭凹槽，使凹槽与振动空间仅以穿孔相连通，再将振膜芯片与场效晶体管电性连接，使振膜芯片在接收一机械能后，可经由场效晶体管转换成电子信号传送出去。
20.根据权利要求19中所述的电容式麦克风的微机电加工制造方法，其特征在于：
步骤(a)视需要可选择且可重复地进行一沉积工艺、一上光阻工艺、一曝光工艺、一显影工艺，和/或一蚀刻工艺，依序在一硅基板上，形成包含一预定形态的二氧化硅层与一氮化硅层，使该二氧化硅层与氮化硅层共同形成所述振动膜；再将该硅基板蚀刻出一预定形状的穿孔，使该振动膜的二氧化硅层部分裸露于外，并以一预定金属从该裸露的二氧化硅层上至硅基权未被蚀刻的部分镀覆成电极层；接着以二氧化硅为材质形成一预定形状而制成分隔垫；再充电荷使振动膜带电形成一电场；最后将该底板与该分隔垫连接，使该振动膜、分隔垫与底板界定出振动空间。
21.根据权利要求19中所述的电容式麦克风的微机电加工制造方法，其特征在于：
步骤(a)视需要可选择且可重复地进行一沉积工艺、一上光阻工艺、一曝光工艺、一显影工艺，和/或一蚀刻工艺，依序在一硅基板上形成包含一预定形态的二氧化硅层与一氮化硅层，使该二氧化硅层与氮化硅层共同形成振动膜；再将该硅基板蚀刻出一预定形状的穿孔，使该振动膜的二氧化硅层部分裸露于外，并以一预定金属自该裸露的二氧化硅层上至该硅基板来被蚀刻的部分镀覆成该电极层；接着以光阻材料形成一预定形状制成该分隔垫；再充电荷使振动膜带电形成一电场；最后将该底板与该分隔垫连接，使振动膜、分隔垫与底板界定出该振动空间。
22.根据权利要求19或20中所述的电容式麦克风的微机电加工制造方法，其特征在于：
步骤(a)是由振动膜更向下沉积出一预定形状的二氧化硅块，再在该二氧化硅块的一底面镀覆一金属层以形成分隔垫，底板是一金属板，该底板直接与金属层焊粘成一体。
23.根据权利要求19或20中所述的电容式麦克风的微机电加工制造方法，其特征在于：
步骤(a)是由振动膜更向下沉积出多数具有预定形状且相间隔的二氧化硅块，再在该每一二氧化硅块的底面镀覆一金属层，形成该分隔垫，该底板是一金属板，该底板可以直接与金属层焊接粘成一体。
24.根据权利要求19或21中所述的电容式麦克风的微机电加工制造方法，其特征在于：
步骤(a)是由振动膜更向下形成出一预定形状的光阻块，并制成分隔垫，所述底板为一金属板，该底板可以热压方式与分隔垫连接成一体。
25.根据权利要求19或21中所述的电容式麦克风的微机电加工制造方法，其特征在于：
步骤(a)是以光阻为材料从振动膜更向下形成多数具有预定形状且相间隔的光阻块，并制成分隔垫，所述底板为一金属板，该底板可以热压方式与分隔垫连接成一体。
26.根据权利要求19、20或21中任意一项所述的电容式麦克风的微机电加工制造方法，其特征在于：
步骤(a)是以一预定金属形成厚度为20微米至100微米的金属板，再以蚀刻方式在金属板上形成至少一预定形状的穿孔以形成底板，再将该底板与该分隔垫连接，使振动膜、分隔垫与底板共同界定出振动空间。
27.根据权利要求19、20或21中所述的电容式麦克风的微机电加工制造方法，其特征在于：
步骤(a)是在一预定材料板的一外表面镀覆一可导电的金属层，形成厚度为20微米至100微米的可导电板，再以蚀刻方式在该可导电板上形成至少一预定形状的穿孔以形成底板，再将该底板与该分隔垫连接，使振动膜、分隔垫与底板共同界定出振动空间。
28.根据权利要求19中所迷的电容式麦克风的微机电加工制造方法，其特征在于：
步骤(b)是先以陶瓷烧结出基座，且使底壁的一底面形成一外露的电极接点，利用该电极接点可以通过表面粘着技术将基座电性连接在一预定产品的基板上。
29.根据权利要求19中所述的电容式麦克风的微机电加工制造方法，其特征在于：
步骤(c)是将振膜芯片以底板朝向基座的底壁而与底壁相连接，并封闭凹槽，使凹槽与振动空间仅以穿孔相连通，再将振膜芯片与场效晶体管电性连接，最后将一具有至少一穿孔的封盖与该计周壁相连接，使振膜芯片与场效晶体管封置于容置空间中，仅通过封盖的穿孔与外界相连通，当一机械能从外界经穿孔进入该容置空间由振膜芯片接收后，在底板与振动膜之间的间距会产生相对应的变化，而使振膜芯片的电容改变，并经场效晶体管转换成电子信号传送出去。
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