TWI404427B - 微機電式感測器-麥克風及其製造方法 - Google Patents

Description

微機電式感測器－麥克風及其製造方法

本發明涉及一種微機電系統(MEMS)構造型式之麥克風，其藉由薄膜方法可在基板之表面上製成小型組件。

微機電系統構造型式之麥克風例如由US 5,490,220A中已為人所知。為了製造此種麥克風，須在基板上產生一種薄層構造，其包含至少一埋置在薄層構造中的構件，此構件在稍後的步驟中由其埋置位置中釋出，此時包封－或圍繞此構件之層藉由蝕刻而去除。

上述之作用原理是依據一種電容器來進行，其電容隨著振動的構件而改變。因此，除了該構件之外，仍需設有另一導電層以作為對立電極，其可設在相同之層構造之內部中。

為了處理上述微機電系統構造型式之麥克風之信號，則需要一種半導體組件形式之積體電路，其中習知的微機電系統構造型式之麥克風典型上是形成在一種共同的封裝中且因此是一種混合組件。另一種可能方式是：微機電系統構造型式之麥克風是與積體電路組件一起積體化於一模組中。但在上述的全部情況下都可形成麥克風，其需要較大的矽面積或半導體面積且其因此只能昂貴地被包封著或被施加在一種封裝中。

本發明的目的是提供一種微機電系統構造型式之麥克風，其具有一種緊密的構造且可容易地製成。

上述目的在本發明中以具有申請專利範圍第1項特徵的麥克風來達成。本發明有利的其它形式及麥克風的製造方法描述在申請專利範圍其它各附屬項中。

本發明的麥克風具有一薄層構造，其施加在一載板上且包含至少一導電構件，其在二側以可自由振動的方式配置在空體積中。一種導電層配置成與該構件相隔一距離，此導電層與該構件一起形成一電容器。載板又在機械上與一種包含積體電路之積體電路(IC)組件固定地相連接，此積體電路坐在積體電路組件上。由該構件和導電層所形成的電容器在電性上是與該積體電路相連接。

載板和積體電路組件之間的連接較佳是一種晶圓接合式連接。這允許該微機電系統構造型式之麥克風與此積體電路組件以積體方式製作在晶圓面上。這樣所製成的組件是緊密的且很好處理。由於積體電路組件實際上是此麥克風的一種接合板，則以此種形式的配置可使機械上敏感的各部份(特別是麥克風的構件)廣泛地受到保護。麥克風不需其它的載板，此乃因所需的穩定性可藉由積體電路組件來確保。同時亦可使整個組件之大小下降，使整個組件的大小較各別可操控的組件(例如，微機械構件和積體電路組件)之和還小。這樣可更小型化且因此更省成本。

在一種較佳的實施形式中，該構件和導電層都由摻雜之多晶矽所構成。因此，以較簡單的方式即可獲得一種導電構件，其不需額外的導電層。多晶矽之機械特性適合用作一種構件以良好地達成所期望的使用目的。此外，多晶矽能以簡易的方式在一種受控制的方法中以所期望的形式來產生。

該構件、導電層和積體電路組件之表面上的相對應之各終端之間的電性連接可藉由各連結線來達成，各連結線將微機電系統構造型式之麥克風之表面上的金屬接觸區與積體電路組件之表面上相對應之裸露的接觸區相連接。

在上述的實施形式中，載板由任意之結晶材料、陶瓷材料或其它硬材料(其可作為薄層構造用的基層)所構成。但載板較佳是由一種能以微系統－或微電路之習知的標準方法來產生且予以結構化的材料所構成。載板因此較佳是由矽所構成。但載板亦可由玻璃，其它半導體或其它結晶質基板所製成。

在第二實施形式中，本發明的麥克風未具有上述的連結線。反之，層構造配置在導電性已調整的載板上，載板一方面與該構件和導電層導電地相連接且另一方面與積體電路組件上之各終端面導電地相連接。藉由使載板適當地結構化以形成導電性的連接區，各連接區是形成該麥克風所用的電容器用的二個在電性上相隔開的終端。

導電性之載板與該構件之間導電性的連接以及另一方面此載板與導電層之間導電性的連接可藉由積體化於薄層構造中的多晶矽結構來形成。

在本發明的麥克風中，該構件配置在載板的凹口上。此構件向上方之方向中是以一種配置成與此構件相隔一距離的固定式覆蓋層來覆蓋，此覆蓋層較佳是在內部中塗佈一種導電層且具有多個音波入口。此構件較佳是只經由其電性導線而與該薄層構造固定地相連接。在其它區域中該構件可自由地定位在載板上。藉由適當的間距結構，則該構件可與該覆蓋層(因此，亦與該導電層)保持著一種所期望的距離。

藉由可拆卸地固定著該構件，則一方面可在該構件中防止各種與製造有關的應力且另一方面可使此構件在音波的作用下容易地振動。該覆蓋層以積體方式形成在薄層構造中且由上方保護著該機械敏感的構件。音波入口例如可以較該構件之面積還小的圓形開口來形成。

載板中該構件下方之凹口可使構件向下方自由地振動，此凹口同時提供一種空的體積以使壓力獲得平衡。此凹口向下由積體電路組件所封閉。

載板至積體電路組件之連接藉由晶圓接合(較佳是藉由晶圓接合方法)來達成，其可在較低的溫度(例如，低於400℃)中進行。一種適當的方法例如是共晶(eutectic)接合法，其中藉由界面上二種適當之不同材料層之接觸和熔合以便在一種較各別材料熔合時還低的溫度下形成一種熔合之共晶，其可確保該載板和積體電路組件之機械上的連接。

載板和積體電路組件之間的連接能以大面積方式來形成。但亦可只在固定的位置上形成此連接，這些固定的位置分佈在積體電路組件之表面上，以便一方面可形成穩定的機械式連接，且另一方面亦可在另一種不需連結線之形式中使相對應的電性連接區互相隔開。

較佳是使用摻雜之矽以作為載板用的導電材料。這樣所具有的優點是：在使用一由矽所構成之積體電路組件時相同的材料可藉由晶圓接合而相連接，使積體電路組件和載板之間與製程有關的熱應力最小化。

積體電路組件和載板之間之一種較佳的連接藉由矽和金所形成的共晶來達成。其它具有所需之導電性之共晶亦適合作為連接材料。同樣，原則上其它連接技術亦適用。就本發明具有連結線之實施形式而言，適合選擇其它材料以便在載板和積體電路組件之間形成連接。

積體電路組件包含至少一積體電路，其適合用來傳送和處理由麥克風所提供的電性測量信號。因此，積體電路組件中可製成一種電路，其提供一種輸出信號，此輸出信號是與由麥克風所形成的電容器之電容有關，且此輸出信號可以是一與電容有關的電流或較佳是一與電容有關的電壓。積體電路因此可產生一種與該測量信號成線性關係或其它任意關係的輸出信號。

積體電路組件亦可包含一種類比－數位轉換器，使經由可變電容所提供的測量信號可由積體電路組件發出以作為數位輸出信號。此外，一放大器亦可積體化於電路組件中，其使積體電路之輸出信號例如不需其它放大器所形成之中間電路即可直接傳送至擴音器中。但亦可使輸出信號傳送至記憶媒體或資料線。

本發明以下將依據各實施例和所屬的圖式來描述，特別是描述本發明的麥克風的製造方法。

各圖式用來說明本發明且未按比例繪出。相同或作用相同之零件設有相同的參考符號。

第1圖顯示本發明之已簡化的實施例。麥克風在構造上是一種微機電系統－零件，其各別地製造成微機電系統－組件且是形成在積體電路組件ICB中。麥克風之由原理上已為人所知的微機電系統－構造係配置在載板TP上，載板上首先藉助於微過程技術之標準方法藉由沈積各種標準材料且事後進行結構化以製成一種薄層構造此薄層構造包含至少一導電構件MB，其產生於二個犧牲層之間的薄層構造中，各犧牲層在稍後之步驟中又去除。

在與該構件之某一距離處配置一覆蓋層DS，其承載著一導電層LS。較佳是此導電層LS配置在覆蓋層DS下方。此覆蓋層如圖所示可以是包封部的一部份，包封部坐在載板TP上且由上方覆蓋該構件。此構件上方或下方形成一相對應的中空區，其可確保此構件不受防礙地轉向。構件下方設有一種可由整個載板所到達的凹口AT。在構件和以導電層所覆蓋的覆蓋層之間保持一種空的間距。

構件本身可在凹口上在整個邊絕區域中定位在載板TP上，但在該處固定在至少一點上，由該處觀之該構件可自由地定位在載板上。

載板TP之最上層在製程上是一種蝕刻停止層，其亦可以是一種由氧化物和氮化物所構成之雙層。在凹口上(即，在該構件上方中央)在覆蓋層和導電層中設有音波入口(例如，具有圓形或角形橫切面之孔)。音波入口用來使聲音進入以使壓力平衡且較佳是在該構件之區域中均勻地分佈在覆蓋層DS中。載板又固定地與積體電路組件ICB相連接，這例如藉助於接合結構BS來達成，此接合結構BS以環形框而施加在積體電路組件ICB之表面上且載板能以其邊緣區域而坐在接合結構BS上。

但亦可使載板之整個(平面式)下側藉助於接合結構而與積體電路組件ICB之表面相連接。各接合結構較佳是藉由晶圓接合法而產生且例如由黏合層所構成或如上所述由共晶(例如，矽－/金－共晶)所構成。但其它之接合結構BS亦適用。在使用其它之接合方法時，亦可經由接合技術使載板－和積體電路組件之表面之類似－或相同形式之材料相連接而不必形成多個接合結構。

積體電路組件包含至少一積體電路，其用來製備和處理一種由麥克風所提供的測量信號。麥克風電容器之二個電極之電性上的連接(即，導電構件和導電層LS之連接)在本實施例中是藉由連結線BD來達成。構件和導電層在圖中未顯示的位置上在層結構的表面上伸出或在適當的位置上露出且在該處與連結線BD相連接。連結線BD之另一端是與積體電路組件之表面上相對應的接觸面相連接。

本實施例中使用一種矽晶圓作為載板，其在施加至積體電路組件之前仍須薄化。薄層構造除了蝕刻停止層之外另包含該構件和導電層，其分別由多晶矽所構成。覆蓋層和包封部(其中整合著該覆蓋層)較佳是由矽亞硝酸鹽所形成。此外，其它可結構化的結晶－，陶瓷－或玻璃材料亦適合用作載板材料，只要其能以微結構化方法來處理即可。

第2圖顯示另一實施例，其中與第一實施例不同之處是構件，導電層和積體電路組件之間的電性連接是經由形成為導電性的載板TP來達成。第2圖中顯示二個垂直連接結構VS1和VS2以便在電性上連接至導電層LS或連接至該構件MB。載板和可能存在的多個導電層之間的導電性連接是藉由多晶矽結構SS1或SS2來達成，多晶矽結構SS1或SS2以積體方式一起產生在薄層構造中且埋置在隔離用的氧化物中。

垂直連接結構VS1和VS2在電性上互相隔離且由載板之材料中達成結構化。因此，只有此二個連接結構可各別地製成且可作為載板TP之整個其餘區域用之第二連接結構。因此，此連接結構可在載板TP中佔有任意之基面。第2圖中顯示二個相隔開之連接結構。就接觸而言，由於接合方法中所形成的導電性接合結構BS，則事後已不需連結線。此外，第2圖中特別顯示出由覆蓋層之材料所構成之結構ST，其促成整個薄層構造之機械穩定性。

第3圖顯示本發明之麥克風之主要組件。依據第3圖，在製成該凹口之後所留下的載板TP結構化成具有圓形開口之框架之形式。位於開口上之構件可在框架內部中自由地振動。由框架所圍繞的凹口AT上方該音波入口SO配置在該覆蓋層內部中。

積體電路組件ICB之外部尺寸是任意的且應只在具有邊緣之一側上突出於載板TP上，載板TP上可配置著積體電路組件ICB之外部接觸區。因此，整體上可獲得一種最省空間的配置。藉由積體電路組件作為微機電系統-構造用之機械穩定元件，則相對於只由積體電路組件和微機電系統－麥克風所構成的組合而言本發明的組件例如可配置(或積體化)在整個基板或模組上，這樣特別省空間且由於電性上短的連接而亦使損耗特別少。

第4圖是本發明第二實施例在製造麥克風時依據橫切面而顯示之不同的步驟，如第2圖中所示者。

第4A圖顯示一種在直接沈積適當之層且結構化之後的微機電系統－組件，其具有薄層構造DA。在載板TP之表面上施加一種蝕刻停止層AS而成為一種由氧化物層和亞硝酸鹽－層所構成的雙層。在蝕刻停止層AS中設有至少二個開口，開口中多晶矽結構SS1和SS2可與導電性之載板(特別是摻雜之矽晶圓)之表面相接觸。多晶矽結構例如可藉由層構造中相對應的開口之塡入材料而產生。此外，薄層構造DA包含至少一種介於蝕刻停止層和構件MB之間的下緩衝層PS1以及一種介於構件MB和覆蓋層DS之間的上緩衝層PS2。圍繞著構件MB之稍後可自由振動之區域以設有多個支撐結構ST，其由與該覆蓋層DS之材料相同的材料(特別是氮化矽)所構成。

在構件MB之中央區域中在該上緩衝層PS2上配置著導電層且最後以整面覆蓋的方式而配置著該覆蓋層DS。該處亦可藉由覆蓋層和導電層LS之結構化而產生音波入口SO，其中露出該緩衝層PS2之氧化物。配置在薄層構造之邊緣區域中的多晶矽結構SS同樣埋置在氧化物OX中且由大面積施加而成的覆蓋層DS所覆蓋。較佳是使用一種大面積的晶圓作為載板。載板上同時與所示的微機電系統－構造以產生多個其它相同形式的構造且在稍後的步驟中進行劃分。

在下一個步驟中使形成該載板所用的晶圓薄化，這較佳是藉由機械式之層剝除方法來達成，特別是藉由研磨及/或蝕刻來達成。這是可行的，此乃因緊密的層構造DA可使載板之晶圓之機械穩定性提高。第4B圖顯示被薄化後的配置。

在下一步驟中，以整面可選擇的方式(optionally)施加一種整平層PL且情況需要時予以整平。整平層例如可以是一種光阻層或較佳是一種以流體形式施加而成的樹脂(例如，環氧樹脂)。然後，在整平層PL之平坦的表面上施加一種剝除箔ABL以作為中介層，其可滿足二種功能。其中一種功能是可形成一種至輔助晶圓HW之連接且另一種功能是可作為釋放箔(剝除箔)，其可輕易地使輔助晶圓HW在稍後的步驟中被剝除。例如，此剝除箔ABL是一種黏合箔，其上黏合著一種輔助晶圓HW。第4B圖顯示此步驟之後的配置圖。

第4D圖是一種已與輔助晶圓HW相連接時的構造，其固定性和黏合性可藉由相對應的下壓之壓力來強化且情況需要時在黏合期間可藉由溫度的提高來強化。輔助晶圓HW只用來使此構造可較佳地被操控且用來使此藉由稍後之結構化而變成機械上敏感之系統獲得穩定。因此，輔助晶圓HW可由機械穩定之任意一種材料所構成，其可無損傷地承受各加工步驟且與上述方法不會發生交互作用。輔助晶圓HW例如可以是一種玻璃板，另一矽晶圓或其它任意之固體材料。但原則上本方法不需任一輔助晶圓且因此不需整平層。

在本發明之製造方法之一種可能方式中，只有在施加該輔助晶圓之後才進行載板TP之薄化，使薄化過程期間此構造的穩定性提高且載板TP(晶圓)可薄化成較小的層厚度。

在下一步驟中進行此載板TP之薄化。於此，在載板之下側上施加一種蝕刻光罩AM(例如，一種由光阻或硬光罩所構成者)且予以結構化。此蝕刻光罩是藉由光阻來結構化。第4E圖顯示一種具有蝕刻光罩AM之構造。

現在，較佳是藉由深反應離子蝕刻(DRIE)而在一由蝕刻光罩AM所覆蓋的區域中對載板TP之矽材料進行蝕刻。此薄層構造之最下層(蝕刻停止層AS)只要在開口中裸露即可選擇性地停止此過程。藉助於此種結構化，則可在該構件之中央區下方形成凹口AT且亦可形成一種隔離用的溝渠IG，籍此可使垂直的連接結構VS1和VS2相對於該載板TP之其餘部份而隔開。此外，此結構化步驟中產生一種結構化溝渠SG，其以環形方式圍繞每一各別的麥克風且在此步驟中已在該處完全將載板隔開。這樣所具有的優點是：各別之微機電系統－麥克風之分割能以微結構化技術來達成而較一般分割所用之切鋸方法簡單很多且能更準確地達成。第4F圖顯示一種配置，其中在凹口AT之區域中該蝕刻停止層AS裸露著。

第4G圖是在該蝕刻光罩AM例如藉由剝除或蝕刻去除之後的配置圖。然後，下緩衝層PS1藉由蝕刻而去除。因此，此構件在下側上裸露出來。

在下一步驟中，使目前所產生的微機電系統－構造以一種晶圓接合方法而與積體電路組件相連接。在積體電路組件之表面上較佳是產生一種承載－和接觸結構，其可確保一種至載板之機械上和電性上的連接。在優先使用的共晶式晶圓接合中，此接合結構BS適合用來與載板TP之材料形成一種共晶。積體電路組件ICB在晶圓中可在晶圓面上用作組件陣列，其具有一種與微機電系統－構造相對應的組件分佈。載板現在準確地坐在各接合結構上且藉由溫度提高和壓力而相連接，其中以較佳的形式而形成共晶。第4i圖顯示晶圓接合後的配置。

各接合結構BS依據晶圓接合方法而轉換成共晶EU，其具有導電性且特別是在積體電路組件ICB之表面上(未顯示之)接觸面和垂直的連接結構VS之間形成一種導電的接觸區，這樣可確保該構件和導電層可經由積體電路組件上的上述結構而在電性上相連接。

此外，由第4I圖可知：已結構化的載板不是與接合結構－或積體電路組件直接相接觸，使得在此區域中仍保留著一種中介區，此區域是載板之位於由結構化溝渠SG所定位的組件區域之外部。因此，此區域位於相鄰之麥克風單元之結構化溝渠之間。

在下一步驟中，成為過多的輔助晶圓HW又去除，其中使用該剝除箔ABL之剝除特性。這例如使該剝除箔在加熱至一特定的溫度時將該剝除箔剝除且亦可簡易地將該輔助晶圓HW剝除。此箔之其餘部份然後被拉出。該整平層可以一種剝除劑來剝除。如第4I圖所示，載板之位於結構化溝渠SG之間之區域亦一起去除，因此麥克風單元之微機電系統－構造被分割且只有由積體電路組件之連續之晶圓所固定著。此步驟中現在亦可對積體電路組件之各別單元進行分割，特別是藉由切鋸來達成。因此，有利的是使該構件在此階段中藉由上緩衝層PS2而固定地與仍留著的薄層構造相連接且因此不會受到切鋸過程中所產生的振動所損傷。

下一步驟以已分割的組件為基準。藉由可由上方接近的音波入口SO，則該上緩衝層PS2可藉由蝕刻而剝除。這例如可藉由高濃度之氫氟酸(HF氣體)來達成。因此，覆蓋層DS和構件MB(其在側面上與各支持結構ST相鄰)之間的中空區完全打開，使此構件可自由地向該中空區內部振動。此種向下之振動自由度在該構件之中央區中藉由凹口AT來確保。此構件藉由只具有小的音波入口SO之覆蓋層來保護且因此可受到保護而不會受到機械上的損傷。

由於該構件至少一部份只鬆散地定位在載板TP上，則凹口AT和上部中空區(其位於該構件和覆蓋層之間)之間可獲得一種壓力平衡。這當然藉由音波入口SO向外來達成。本發明的麥克風在此步驟之後已製成且對應於第2圖中所示的組件。

第1圖之實施形式之製程以類似的方式來進行，但各步驟在耗費上少很多。本實施例而言，在載板TP上產生一種薄層構造DA，其只具有一種用於該構件和導電層LS之多晶矽層。重要的是：此多晶矽層埋置在上－和下緩衝層(特別是氧化物層)之間，其可使敏感的構件在製程期間達成機械上的固定作用。在載板結構化時，只需產生凹口AT，較佳是另外產生多個結構化溝渠以便使微機電系統－構造在機械上相調和。該構件下方之下緩衝層又在該載板與積體電路組件相連接之前去除。反之，覆蓋層和該構件之間的上緩衝層只有在各組分割之後才去除，以便在此步驟中如上述實施例所述該構件在機械上仍可受到保護。此處，可使用一種機械穩定用的輔助晶圓以使載板被結構化(特別是在其薄化時)。

在上述的二種製程中，可以無應力的方式在低應力－層產生過程中由氮化矽來產生多晶矽－構件MB和該覆蓋層，其滿足微機電系統－麥克風中各層之剩餘應力所需的高需求。本發明之麥克風之面積需求(即，Foot－Print)相較於習知之組件而言可下降至二分之一(即，因數2)。這樣亦會造成相對應之較小的封裝尺寸。

雖然本發明只依據少數實施例來描述，但本發明不限於此。組件之緊密的構造方式以及製程之各步驟的順序都可視為發明的本質。

特別是微機電系統－構造和製程不限於上述的實施例。麥克風之經由導電性已調整的載板所達成的積體式接觸或由導電性已調整的載板突出而形成的垂直式連接結構只是舉例說明而已，此行的專家可以較簡易的方式來改變。就麥克風的尺寸而言亦不限於本發明中所述者。以上述的製程可產生一種直徑大約500至700微米的麥克風，其構件具有一微米的厚度。原則上亦可使麥克風的尺寸更小，其中當然需考慮該測量信號－和麥克風的電性上的損耗。以上述的方法亦可製成較大的麥克風。

就薄層構造DA所用的材料而言，本發明中亦可變化。例如，全部之氧化物層可簡易地由適當的聚合物來取代或在適當的構造中可以犧牲－多晶矽來取代。覆蓋層所用的氮化矽可由其它任意之機械上穩定的材料(其可選擇性地對氧化物來進行蝕刻)來取代。就第1圖之連結線相連接的變化而言，載板用的材料亦有其它不同的方式。輔助晶圓亦可有各種變化。本發明不限於特定的積體電路組件，積體電路組件所形成的電路功能亦可變化。結構化時所用的各加工步驟不限於所示的過程且可由適當之相同作用之過程來取代，特別是載板的切割亦可藉由機械方式或藉由雷射來達成，同樣情況亦適用於由相對應的半導體晶圓所構成的積體電路組件之切割。

TP．．．載板

DA．．．薄層構造

MB．．．構件

PS1,PS2．．．緩衝層

LS．．．導電層

ICB．．．積體電路組件

IC．．．積體電路

SO．．．音波入口

AT．．．載板中的凹口

KF．．．積體電路組件上的終端面

BD．．．連結線

EU．．．共晶

AF．．．載板之終端

DS．．．覆蓋層

AM．．．蝕刻遮罩

PL．．．整平層

ABL．．．剝除層

AS．．．蝕刻停止層

HW．．．輔助晶圓

VS．．．垂直之連接結構

PS．．．多晶矽結構

BS．．．接合結構

IG．．．隔離溝渠

SG．．．結構化溝渠

ST．．．支撐結構

OX．．．氧化物

SS．．．多晶矽結構

第1圖本發明第一實施例之橫切面。

第2圖係第二實施例之橫切面。

第3圖係一組件之俯視圖。

第4圖在製造本發明的麥克風時各種不同的步驟。

TP．．．載板

DA．．．薄層構造

MB．．．構件

LS．．．導電層

SO．．．音波入口

AT．．．載板中的凹口

KF．．．積體電路組件上的終端面

BD．．．連結線

DS．．．覆蓋層

AS．．．蝕刻停止層

BS．．．接合結構

ICB．．．積體電路組件

Claims (11)

1. 一種微機電系統構造中之麥克風，其特徵為：- 在載板(TP)上施加一種薄層構造(DA)，其包含：一在空體積中可振動的導電構件(MB)；以及一配置成與此構件相隔一距離的導電層(LS)，其與該構件一起形成一電容器，- 載板是與一包含一積體電路之積體電路組件(ICB)以機械方式固定地相連接著，- 該導電構件和該導電層在電性上與積體電路組件中的積體電路相連接，其中該載板(TP)具有導電性且該構件(MB)和導電層(LS)經由載板而與積體電路在電性上相連接。
2. 如申請專利範圍第1項之麥克風，其中該構件(MB)和導電層(LS)是由多晶矽所形成。
3. 如申請專利範圍第1或2項之麥克風，其中該構件(MB)和導電層(LS)在電性上是經由連結線(BD)而與積體電路相連接。
4. 如申請專利範圍第1或2項之麥克風，其中該薄層構造(DA)內部中之導電性的連接是藉由多晶矽來達成，載板(TP)具有導電性且載板和多晶矽需結構化，使該構件(MB)和導電層(LS)在積體電路組件(ICB)上側上相對應的接觸面(KF)上可形成一種互相絕緣的電性連接，其中載板和積體電路組件之機械上和電性上的連接是經由相同的連接位置來達成。
5. 如申請專利範圍第1或2項之麥克風，其中該載板(TP)在該構件(MB)下方具有一凹口(AT)，在該構件上方一距離處配置一固定之覆蓋層(DS)，其塗佈一種導電層(LS)且具有一音波入口(SO)。
6. 如申請專利範圍第1或2項之麥克風，其中該載板(TP)和積體電路組件(ICB)之機械上和電性上的連接是經由導電性之矽/金共晶(EU)來確保。
7. 如申請專利範圍第1或2項之麥克風，其中該積體電路組件(ICB)包含一種積體電路，以製備一種由構件(MB)和導電層(LS)所形成的電容器之電信號且進行處理。
8. 一種微機電系統構造中之麥克風之製造方法，- 在晶圓形式之載板(TP)上產生一種具有多個相同形式之單元之薄層構造(DA)，各單元分別包含至少一埋置在二個緩衝層(PS1,PS2)之間的導電構件(MB)和一配置在此構件上的導電層(LS)，- 由載板(TP)之下側而在該構件下方產生一凹口(AT)且在該處使該構件之下側裸露出，- 載板藉由晶圓接合而與一種半導體-晶圓(其具有相同數目之同形式之積體電路組件(ICB)相連接，- 至少經由半導體-晶圓來進行切割，其中對微機電系統麥克風及所屬的積體電路組件進行切割，- 薄層構造之每一單元之構件和導電層是與所屬的積體電路組件之終端面(KF)相連接，- 使用導電性之載板(TP)， - 薄層構造(DA)中產生一種由多晶矽(SS)所構成的連接結構，其提供電性上互相隔開之導線，各導線分別由構件(MB)和導電層(LS)而延伸至載板，- 與該構件下方一起產生該凹口(AT)的同時使載板結構化，以便在其下側上形成該構件和導電層所需的電性上相隔開的各終端，- 藉由晶圓接合使各終端在電性上與積體電路組件之上側上相對應的終端面相連接。
9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中- 薄層構造(DA)在製成之後設有一種又可剝除之中介層(ABL)，其具有平坦之表面，- 在中介層之表面上接合一種輔助晶圓(HW)，- 載板(TP)藉由材料剝除而由下方被薄化，- 在載板與積體電路組件(ICB)相連接之後，該輔助晶圓和中介層又去除，- 在晶圓接合之後或微機電系統麥克風分割之後此構件(MB)亦由上方經由音波入口(SO)而由上緩衝層(SS2)釋出且因此裸露出。
10. 如申請專利範圍第8或9項之方法，其中在薄化之後該下緩衝層(PS1)在構件區中藉由蝕刻而去除。
11. 如申請專利範圍第8或9項之方法，其中晶圓在載板(TP)和半導體-晶圓之間的接合是藉由共晶接合來進行。