JP2001085227A - 積層型ｌｃ共振器および積層型ｌｃフィルタ - Google Patents
積層型ｌｃ共振器および積層型ｌｃフィルタInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高いＱ値のインダクタを有し、優れた高周波
特性を有する積層型ＬＣ共振器および積層型ＬＣフィル
タを提供する。 【解決手段】 インダクタパターン２４ａ，２４ｂは、
シート１４，１５に設けた長穴ビアホール３３を介して
電気的に接続している。長穴ビアホール３３はインダク
タパターン２４ａ，２４ｂの左右のエッジ部に配設され
ている。これらインダクタパターン２４ａ，２４ｂ及び
長穴ビアホール３３は、内部に絶縁体が充填された横断
面が四角形の管状構造のインダクタＬ１を構成する。コ
ンデンサパターン２５は、シート１４，１５を介してイ
ンダクタパターン２４ａ，２４ｂの開放端部にそれぞれ
対向し、コンデンサＣ１を形成する。つまり、コンデン
サパターン２５はインダクタＬ１の管状構造の内側に積
層される。そして、コンデンサＣ１と管状構造のインダ
クタＬ１とでＬＣ並列共振回路Ｒ１を形成する。
特性を有する積層型ＬＣ共振器および積層型ＬＣフィル
タを提供する。 【解決手段】 インダクタパターン２４ａ，２４ｂは、
シート１４，１５に設けた長穴ビアホール３３を介して
電気的に接続している。長穴ビアホール３３はインダク
タパターン２４ａ，２４ｂの左右のエッジ部に配設され
ている。これらインダクタパターン２４ａ，２４ｂ及び
長穴ビアホール３３は、内部に絶縁体が充填された横断
面が四角形の管状構造のインダクタＬ１を構成する。コ
ンデンサパターン２５は、シート１４，１５を介してイ
ンダクタパターン２４ａ，２４ｂの開放端部にそれぞれ
対向し、コンデンサＣ１を形成する。つまり、コンデン
サパターン２５はインダクタＬ１の管状構造の内側に積
層される。そして、コンデンサＣ１と管状構造のインダ
クタＬ１とでＬＣ並列共振回路Ｒ１を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は積層型ＬＣ共振器お
よび積層型ＬＣフィルタに関し、特に、高周波の周波数
帯域で使用される積層型ＬＣ共振器および積層型ＬＣフ
ィルタに関する。
よび積層型ＬＣフィルタに関し、特に、高周波の周波数
帯域で使用される積層型ＬＣ共振器および積層型ＬＣフ
ィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の積層型ＬＣ共振器の一例を図１３
および図１４に示す。図１３に示すように、該ＬＣ共振
器１００は、コンデンサパターン１１２を表面に設けた
セラミックシート１０４と、インダクタパターン１１１
を表面に設けたセラミックシート１０５と、入力用コン
デンサパターン１１５および出力用コンデンサパターン
１１６を表面に設けたセラミックシート１０６と、シー
ルド電極１１３，１１４をそれぞれ表面に設けたセラミ
ックシート１０２，１０８等にて構成されている。
および図１４に示す。図１３に示すように、該ＬＣ共振
器１００は、コンデンサパターン１１２を表面に設けた
セラミックシート１０４と、インダクタパターン１１１
を表面に設けたセラミックシート１０５と、入力用コン
デンサパターン１１５および出力用コンデンサパターン
１１６を表面に設けたセラミックシート１０６と、シー
ルド電極１１３，１１４をそれぞれ表面に設けたセラミ
ックシート１０２，１０８等にて構成されている。
【０００３】セラミックシート１０１〜１０８は積み重
ねられ、一体的に焼成されることにより、図１４に示す
積層体１１０とされる。積層体１１０には、入力端子１
２１、出力端子１２２およびグランド端子１２３，１２
４が形成されている。入力端子１２１には入力用コンデ
ンサパターン１１５が接続され、出力端子１２２には出
力用コンデンサパターン１１６が接続されている。グラ
ンド端子１２３には、インダクタパターン１１１の引出
し部およびシールド電極１１３，１１４の一方の端部が
接続されている。グランド端子１２４には、コンデンサ
パターン１１２の引出し部及びシールド電極１１３，１
１４の他方の端部が接続されている。
ねられ、一体的に焼成されることにより、図１４に示す
積層体１１０とされる。積層体１１０には、入力端子１
２１、出力端子１２２およびグランド端子１２３，１２
４が形成されている。入力端子１２１には入力用コンデ
ンサパターン１１５が接続され、出力端子１２２には出
力用コンデンサパターン１１６が接続されている。グラ
ンド端子１２３には、インダクタパターン１１１の引出
し部およびシールド電極１１３，１１４の一方の端部が
接続されている。グランド端子１２４には、コンデンサ
パターン１１２の引出し部及びシールド電極１１３，１
１４の他方の端部が接続されている。
【０００４】以上のＬＣ共振器１００は、インダクタパ
ターン１１１により形成されるインダクタと、コンデン
サパターン１１２がインダクタパターン１１１の開放端
部に対向することにより形成されるコンデンサとでＬＣ
並列共振回路を構成している。そして、インダクタパタ
ーン１１１と入力用コンデンサパターン１１５が対向す
ることで形成される結合コンデンサを介して、前記ＬＣ
並列共振回路が入力端子１２１に電気的に接続されてい
る。同様に、インダクタパターン１１１と出力用コンデ
ンサパターン１１６が対向することで形成される結合コ
ンデンサを介して、前記ＬＣ並列共振回路が出力端子１
２２に電気的に接続されている。
ターン１１１により形成されるインダクタと、コンデン
サパターン１１２がインダクタパターン１１１の開放端
部に対向することにより形成されるコンデンサとでＬＣ
並列共振回路を構成している。そして、インダクタパタ
ーン１１１と入力用コンデンサパターン１１５が対向す
ることで形成される結合コンデンサを介して、前記ＬＣ
並列共振回路が入力端子１２１に電気的に接続されてい
る。同様に、インダクタパターン１１１と出力用コンデ
ンサパターン１１６が対向することで形成される結合コ
ンデンサを介して、前記ＬＣ並列共振回路が出力端子１
２２に電気的に接続されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＬＣ共振器
の特性は、共振回路のインダクタのＱ値により左右され
る。インダクタのＱ値は、Ｌをインダクタのインダクタ
ンス値、Ｒをインダクタが有する抵抗値、ｆ0を共振周
波数とすると、Ｑ＝２πｆ0Ｌ／Ｒで表される。この式
から、インダクタのＱ値を大きくするためには、インダ
クタの抵抗値Ｒを小さくすればよい。この抵抗値Ｒは、
インダクタを構成するインダクタパターン１１１の断面
積Ｓに反比例するので、Ｑ値を大きくするためにはイン
ダクタパターン１１１の断面積Ｓを大きくすればよい。
の特性は、共振回路のインダクタのＱ値により左右され
る。インダクタのＱ値は、Ｌをインダクタのインダクタ
ンス値、Ｒをインダクタが有する抵抗値、ｆ0を共振周
波数とすると、Ｑ＝２πｆ0Ｌ／Ｒで表される。この式
から、インダクタのＱ値を大きくするためには、インダ
クタの抵抗値Ｒを小さくすればよい。この抵抗値Ｒは、
インダクタを構成するインダクタパターン１１１の断面
積Ｓに反比例するので、Ｑ値を大きくするためにはイン
ダクタパターン１１１の断面積Ｓを大きくすればよい。
【０００６】しかしながら、インダクタパターン１１１
の断面積Ｓを大きくするため、インダクタパターン１１
１の厚さを厚くすると、セラミックシート１０１〜１０
８を一体的に焼成する際に、積層体１１０の内部歪みが
大きくなり、デラミネーション等が発生するという不具
合があった。
の断面積Ｓを大きくするため、インダクタパターン１１
１の厚さを厚くすると、セラミックシート１０１〜１０
８を一体的に焼成する際に、積層体１１０の内部歪みが
大きくなり、デラミネーション等が発生するという不具
合があった。
【０００７】また、インダクタパターン１１１の周囲に
発生する磁界はインダクタパターン１１１のエッジ部に
集中するため、渦電流損が大きかった。さらに、従来の
ＬＣ共振器１００は、コンデンサパターン１１２によ
り、インダクタパターン１１１の周囲に発生する磁界が
遮られる。従って、インダクタのインダクタンス値Ｌが
低いという問題もあった。
発生する磁界はインダクタパターン１１１のエッジ部に
集中するため、渦電流損が大きかった。さらに、従来の
ＬＣ共振器１００は、コンデンサパターン１１２によ
り、インダクタパターン１１１の周囲に発生する磁界が
遮られる。従って、インダクタのインダクタンス値Ｌが
低いという問題もあった。
【０００８】このように、従来のＬＣ共振器１００は、
ＬＣ共振回路を構成するインダクタパターン１１１の抵
抗値Ｒが大きく、しかも、インダクタンス値Ｌが低いの
で、高いＱ値を得ることが難しかった。
ＬＣ共振回路を構成するインダクタパターン１１１の抵
抗値Ｒが大きく、しかも、インダクタンス値Ｌが低いの
で、高いＱ値を得ることが難しかった。
【０００９】そこで、本発明の目的は、高Ｑ値のインダ
クタを有する積層型ＬＣ共振器および積層型ＬＣフィル
タを提供することにある。
クタを有する積層型ＬＣ共振器および積層型ＬＣフィル
タを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る積層型ＬＣ共振器は、絶縁層とインダ
クタパターンとコンデンサパターンとを積み重ねて構成
した積層体内部に、前記インダクタパターンにより形成
されるインダクタと、前記コンデンサパターンが前記絶
縁層を挟んで前記インダクタパターンに対向して形成す
るコンデンサとでＬＣ共振回路を形成した積層型ＬＣ共
振器であって、ＬＣ共振回路の前記インダクタが、二つ
以上の前記インダクタパターンを前記絶縁層に設けたビ
アホールを介して電気的に接続してなる管状構造体であ
り、前記コンデンサパターンを前記インダクタの管状構
造体の内側に積層したことを特徴とする。
め、本発明に係る積層型ＬＣ共振器は、絶縁層とインダ
クタパターンとコンデンサパターンとを積み重ねて構成
した積層体内部に、前記インダクタパターンにより形成
されるインダクタと、前記コンデンサパターンが前記絶
縁層を挟んで前記インダクタパターンに対向して形成す
るコンデンサとでＬＣ共振回路を形成した積層型ＬＣ共
振器であって、ＬＣ共振回路の前記インダクタが、二つ
以上の前記インダクタパターンを前記絶縁層に設けたビ
アホールを介して電気的に接続してなる管状構造体であ
り、前記コンデンサパターンを前記インダクタの管状構
造体の内側に積層したことを特徴とする。
【００１１】また、本発明に係る積層型ＬＣフィルタ
は、複数の絶縁層と複数のインダクタパターンと複数の
コンデンサパターンとを積み重ねて構成した積層体内部
に、前記インダクタパターンにより形成される複数のイ
ンダクタと、前記コンデンサパターンが前記絶縁層を挟
んで前記インダクタパターンに対向して形成する複数の
コンデンサとで複数のＬＣ共振器を形成した積層型ＬＣ
フィルタであって、各々のＬＣ共振器の前記インダクタ
が、二つ以上の前記インダクタパターンを前記絶縁層に
設けたビアホールを介して電気的に接続してなる管状構
造体であり、前記コンデンサパターン又は前記ＬＣ共振
器間を容量結合するための結合コンデンサパターンの少
なくともいずれか一方のパターンを前記インダクタの管
状構造体の内側に積層したことを特徴とする。
は、複数の絶縁層と複数のインダクタパターンと複数の
コンデンサパターンとを積み重ねて構成した積層体内部
に、前記インダクタパターンにより形成される複数のイ
ンダクタと、前記コンデンサパターンが前記絶縁層を挟
んで前記インダクタパターンに対向して形成する複数の
コンデンサとで複数のＬＣ共振器を形成した積層型ＬＣ
フィルタであって、各々のＬＣ共振器の前記インダクタ
が、二つ以上の前記インダクタパターンを前記絶縁層に
設けたビアホールを介して電気的に接続してなる管状構
造体であり、前記コンデンサパターン又は前記ＬＣ共振
器間を容量結合するための結合コンデンサパターンの少
なくともいずれか一方のパターンを前記インダクタの管
状構造体の内側に積層したことを特徴とする。
【００１２】
【作用】インダクタを管状構造体としたので、インダク
タパターンの厚さを厚くすることなく、インダクタの表
面積を広くできる。しかも、高周波電流は一般に、表皮
効果により導体の表面に集中して流れる性質を有してい
るので、表面積の広くなったインダクタは全体が高周波
電流の線路として有効に利用される。従って、インダク
タの抵抗値が従来より小さくなり、インダクタのＱ値が
向上する。
タパターンの厚さを厚くすることなく、インダクタの表
面積を広くできる。しかも、高周波電流は一般に、表皮
効果により導体の表面に集中して流れる性質を有してい
るので、表面積の広くなったインダクタは全体が高周波
電流の線路として有効に利用される。従って、インダク
タの抵抗値が従来より小さくなり、インダクタのＱ値が
向上する。
【００１３】さらに、高周波電流がインダクタを流れる
ことにより発生する磁界は、管状構造体の外側の周囲に
発生し、管状構造体の内側には発生しない。従って、管
状構造体のインダクタの内側に配置されているコンデン
サパターンや共振器間を容量結合するための結合コンデ
ンサパターンは、インダクタの磁界を殆ど遮断しない。
ことにより発生する磁界は、管状構造体の外側の周囲に
発生し、管状構造体の内側には発生しない。従って、管
状構造体のインダクタの内側に配置されているコンデン
サパターンや共振器間を容量結合するための結合コンデ
ンサパターンは、インダクタの磁界を殆ど遮断しない。
【００１４】また、インダクタを管状構造体とすること
により、インダクタの周囲に発生する磁界がインダクタ
パターンのエッジ部に集中するのが緩和される。
により、インダクタの周囲に発生する磁界がインダクタ
パターンのエッジ部に集中するのが緩和される。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る積層型ＬＣ共
振器および積層型ＬＣフィルタの実施の形態について添
付の図面を参照して説明する。
振器および積層型ＬＣフィルタの実施の形態について添
付の図面を参照して説明する。
【００１６】［第１実施形態、図１〜図４］図１に積層
型ＬＣ共振器１の構成を示し、図２及び図４にそれぞれ
ＬＣ共振器１の外観斜視図及び電気等価回路図を示す。
ＬＣ共振器１は、インダクタＬ１とコンデンサＣ１とか
らなるＬＣ並列共振回路Ｒ１を有している。ＬＣ並列共
振回路Ｒ１は、入力端子２と出力端子３の間に結合コン
デンサＣｓ１，Ｃｓ２を介して電気的に接続されてい
る。
型ＬＣ共振器１の構成を示し、図２及び図４にそれぞれ
ＬＣ共振器１の外観斜視図及び電気等価回路図を示す。
ＬＣ共振器１は、インダクタＬ１とコンデンサＣ１とか
らなるＬＣ並列共振回路Ｒ１を有している。ＬＣ並列共
振回路Ｒ１は、入力端子２と出力端子３の間に結合コン
デンサＣｓ１，Ｃｓ２を介して電気的に接続されてい
る。
【００１７】図１に示すように、共振器１は、インダク
タパターン２４ａ，２４ｂをそれぞれ表面に設けた絶縁
性シート１４，１６と、コンデンサパターン２５を表面
に設けた絶縁性シート１５と、入力用引出しパターン２
２及び出力用引出しパターン２３を表面に設けた絶縁性
シート１７と、シールドパターン２６，２７をそれぞれ
表面に設けた絶縁性シート１２，１９等にて構成されて
いる。絶縁性シート１１〜１９は、誘電体粉末や磁性体
粉末を結合剤等と一緒に混練したものをシート状にした
ものである。各パターン２２〜２７はＡｇ，Ｐｄ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ等からなり、印刷等の手段
により形成される。
タパターン２４ａ，２４ｂをそれぞれ表面に設けた絶縁
性シート１４，１６と、コンデンサパターン２５を表面
に設けた絶縁性シート１５と、入力用引出しパターン２
２及び出力用引出しパターン２３を表面に設けた絶縁性
シート１７と、シールドパターン２６，２７をそれぞれ
表面に設けた絶縁性シート１２，１９等にて構成されて
いる。絶縁性シート１１〜１９は、誘電体粉末や磁性体
粉末を結合剤等と一緒に混練したものをシート状にした
ものである。各パターン２２〜２７はＡｇ，Ｐｄ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ等からなり、印刷等の手段
により形成される。
【００１８】一定の幅を有する直線状インダクタパター
ン２４ａ，２４ｂはシート１４，１６の中央部に形成さ
れ、一端がシート１４，１６の手前側の辺に露出してい
る。インダクタパターン２４ａ，２４ｂは、シート１
４，１５に設けた長穴ビアホール３３を介して電気的に
接続している。長穴ビアホール３３はインダクタパター
ン２４ａ，２４ｂの左右のエッジ部に配設されている。
これらインダクタパターン２４ａ，２４ｂ及び長穴ビア
ホール３３は、図３に断面を示すように、内部に絶縁体
が充填された横断面が四角形の管状構造体のインダクタ
Ｌ１を構成する。
ン２４ａ，２４ｂはシート１４，１６の中央部に形成さ
れ、一端がシート１４，１６の手前側の辺に露出してい
る。インダクタパターン２４ａ，２４ｂは、シート１
４，１５に設けた長穴ビアホール３３を介して電気的に
接続している。長穴ビアホール３３はインダクタパター
ン２４ａ，２４ｂの左右のエッジ部に配設されている。
これらインダクタパターン２４ａ，２４ｂ及び長穴ビア
ホール３３は、図３に断面を示すように、内部に絶縁体
が充填された横断面が四角形の管状構造体のインダクタ
Ｌ１を構成する。
【００１９】コンデンサパターン２５は、シート１５の
中央奥寄りの位置で、かつ、長穴ビアホール３３の間に
形成され、その一端はシート１５の奥側の辺に露出して
いる。このコンデンサパターン２５は、シート１４，１
５を介してインダクタパターン２４ａ，２４ｂの開放端
部にそれぞれ対向し、コンデンサＣ１を形成する。つま
り、コンデンサパターン２５はインダクタＬ１の管状構
造体の内側に積層される。そして、コンデンサＣ１と管
状構造のインダクタＬ１とでＬＣ並列共振回路Ｒ１を形
成する。
中央奥寄りの位置で、かつ、長穴ビアホール３３の間に
形成され、その一端はシート１５の奥側の辺に露出して
いる。このコンデンサパターン２５は、シート１４，１
５を介してインダクタパターン２４ａ，２４ｂの開放端
部にそれぞれ対向し、コンデンサＣ１を形成する。つま
り、コンデンサパターン２５はインダクタＬ１の管状構
造体の内側に積層される。そして、コンデンサＣ１と管
状構造のインダクタＬ１とでＬＣ並列共振回路Ｒ１を形
成する。
【００２０】入出力用コンデンサパターン２２，２３
は、それぞれシート１７の左寄りおよび右寄りの位置に
形成されている。入力用コンデンサパターン２２の一端
はシート１７の左辺に露出している。入力用コンデンサ
パターン２２の他端はシート１６を挟んでインダクタパ
ターン２４ｂに対向して結合コンデンサＣｓ１を構成す
る。出力用コンデンサパターン２３の一端はシート１７
の右辺に露出している。出力用コンデンサパターン２３
の他端はシート１６を挟んでインダクタパターン２４ｂ
に対向して結合コンデンサＣｓ２を構成する。そして、
パターン２２，２３，２４ａ，２４ｂ，２５を間に挟ん
で広面積のシールドパターン２６，２７が配設されてい
る。シールドパターン２６，２７のそれぞれは、シート
１２，１９の手前側および奥側の辺に露出している。
は、それぞれシート１７の左寄りおよび右寄りの位置に
形成されている。入力用コンデンサパターン２２の一端
はシート１７の左辺に露出している。入力用コンデンサ
パターン２２の他端はシート１６を挟んでインダクタパ
ターン２４ｂに対向して結合コンデンサＣｓ１を構成す
る。出力用コンデンサパターン２３の一端はシート１７
の右辺に露出している。出力用コンデンサパターン２３
の他端はシート１６を挟んでインダクタパターン２４ｂ
に対向して結合コンデンサＣｓ２を構成する。そして、
パターン２２，２３，２４ａ，２４ｂ，２５を間に挟ん
で広面積のシールドパターン２６，２７が配設されてい
る。シールドパターン２６，２７のそれぞれは、シート
１２，１９の手前側および奥側の辺に露出している。
【００２１】以上の構成からなる各シート１１〜１９
は、図１に示すように、順に積み重ねられて圧着された
後、一体的に焼成されることにより、図２に示す積層体
２１とされる。積層体２１の左右の端面にはそれぞれ入
力電極２および出力電極３が形成され、手前と奥の側面
にはそれぞれグランド電極４，５が形成されている。入
力電極２には入力用コンデンサパターン２２の一端が接
続され、出力電極３には出力用コンデンサパターン２３
の一端が接続される。グランド電極４には、シールドパ
ターン２６，２７の一端とインダクタパターン２４ａ，
２４ｂの一端とが接続される。グランド電極５には、シ
ールドパターン２６，２７の他端とコンデンサパターン
２５の一端とが接続される。
は、図１に示すように、順に積み重ねられて圧着された
後、一体的に焼成されることにより、図２に示す積層体
２１とされる。積層体２１の左右の端面にはそれぞれ入
力電極２および出力電極３が形成され、手前と奥の側面
にはそれぞれグランド電極４，５が形成されている。入
力電極２には入力用コンデンサパターン２２の一端が接
続され、出力電極３には出力用コンデンサパターン２３
の一端が接続される。グランド電極４には、シールドパ
ターン２６，２７の一端とインダクタパターン２４ａ，
２４ｂの一端とが接続される。グランド電極５には、シ
ールドパターン２６，２７の他端とコンデンサパターン
２５の一端とが接続される。
【００２２】この積層型共振器１は、図３に示すよう
に、インダクタパターン２４ａ，２４ｂと長穴ビアホー
ル３３とで管状構造のインダクタＬ１を構成し、インダ
クタパターン２４ａ，２４ｂの厚さを厚くすることな
く、インダクタＬ１の表面積を広くしている。しかも、
高周波電流は一般に、表皮効果により導体の表面に集中
して流れる性質を有しているので、表面積の広くなった
インダクタＬ１は全体が高周波電流の線路として有効に
利用される。従って、インダクタＬ１の抵抗値は従来よ
り小さくなり、インダクタＬ１のＱ値を向上させること
ができる。
に、インダクタパターン２４ａ，２４ｂと長穴ビアホー
ル３３とで管状構造のインダクタＬ１を構成し、インダ
クタパターン２４ａ，２４ｂの厚さを厚くすることな
く、インダクタＬ１の表面積を広くしている。しかも、
高周波電流は一般に、表皮効果により導体の表面に集中
して流れる性質を有しているので、表面積の広くなった
インダクタＬ１は全体が高周波電流の線路として有効に
利用される。従って、インダクタＬ１の抵抗値は従来よ
り小さくなり、インダクタＬ１のＱ値を向上させること
ができる。
【００２３】さらに、高周波電流がインダクタＬ１を流
れることにより発生する磁界は、管状構造体の外側の周
囲に発生し、管状構造体の内側には発生しない。従っ
て、管状構造体のインダクタＬ１の内側に配置されてい
るコンデンサパターン２５は、インダクタＬ１の磁界を
殆ど遮断しない。
れることにより発生する磁界は、管状構造体の外側の周
囲に発生し、管状構造体の内側には発生しない。従っ
て、管状構造体のインダクタＬ１の内側に配置されてい
るコンデンサパターン２５は、インダクタＬ１の磁界を
殆ど遮断しない。
【００２４】また、インダクタＬ１を管状構造体とする
ことにより、インダクタＬ１の周囲に発生する磁界がイ
ンダクタパターン２４ａ，２４ｂのエッジ部に集中する
のが緩和される。この結果、高いＱ値を有する特性の優
れた積層型ＬＣ共振器１を得ることができる。
ことにより、インダクタＬ１の周囲に発生する磁界がイ
ンダクタパターン２４ａ，２４ｂのエッジ部に集中する
のが緩和される。この結果、高いＱ値を有する特性の優
れた積層型ＬＣ共振器１を得ることができる。
【００２５】［第２実施形態、図５〜図８］図５に積層
型ＬＣフィルタ４１の構成を示し、図６及び図８にそれ
ぞれＬＣフィルタ４１の外観斜視図及び電気等価回路図
を示す。なお、第２実施形態は、バンドパスフィルタを
例にして説明するが、バンドエルミネート（帯域阻止）
フィルタ等であってもよいことは言うまでもない。ＬＣ
フィルタ４１は三段のＬＣバンドパスフィルタであり、
第１段（初段）のＬＣ共振器Ｑ１と第２段のＬＣ共振器
Ｑ２と第３段（終段）のＬＣ共振器Ｑ３とを結合コンデ
ンサＣｓ１，Ｃｓ２を介して縦続接続している。
型ＬＣフィルタ４１の構成を示し、図６及び図８にそれ
ぞれＬＣフィルタ４１の外観斜視図及び電気等価回路図
を示す。なお、第２実施形態は、バンドパスフィルタを
例にして説明するが、バンドエルミネート（帯域阻止）
フィルタ等であってもよいことは言うまでもない。ＬＣ
フィルタ４１は三段のＬＣバンドパスフィルタであり、
第１段（初段）のＬＣ共振器Ｑ１と第２段のＬＣ共振器
Ｑ２と第３段（終段）のＬＣ共振器Ｑ３とを結合コンデ
ンサＣｓ１，Ｃｓ２を介して縦続接続している。
【００２６】図５に示すように、ＬＣフィルタ４１は、
インダクタパターン６１ａ，６２ａ，６３ａ、６１ｂ，
６２ｂ，６３ｂをそれぞれ表面に設けた絶縁性シート５
４，５６と、コンデンサパターン６５，６６，６７を表
面に設けた絶縁性シート５５と、結合コンデンサパター
ン７６ａ，７７ａ、７６ｂ，７７ｂをそれぞれ表面に設
けた絶縁性シート５３，５７と、シールドパターン７８
ａ，７８ｂをそれぞれ表面に設けた絶縁性シート５１，
５９等にて構成されている。
インダクタパターン６１ａ，６２ａ，６３ａ、６１ｂ，
６２ｂ，６３ｂをそれぞれ表面に設けた絶縁性シート５
４，５６と、コンデンサパターン６５，６６，６７を表
面に設けた絶縁性シート５５と、結合コンデンサパター
ン７６ａ，７７ａ、７６ｂ，７７ｂをそれぞれ表面に設
けた絶縁性シート５３，５７と、シールドパターン７８
ａ，７８ｂをそれぞれ表面に設けた絶縁性シート５１，
５９等にて構成されている。
【００２７】直線状インダクタパターン６１ａ，６１ｂ
はシート５４，５６の左寄りの位置に形成され、その一
端がシート５４，５６の手前側の辺に露出している。イ
ンダクタパターン６１ａ，６１ｂは、シート５４，５５
に設けた長穴ビアホール６８を介して電気的に接続して
いる。長穴ビアホール６８は、インダクタパターン６１
ａ，６１ｂの左右のエッジ部に配設されている。これら
インダクタパターン６１ａ，６１ｂ及び長穴ビアホール
６８は、図７に断面を示すように、内部に絶縁体が充填
された横断面が四角形の管状構造体のインダクタＬ１を
構成する。インダクタパターン６１ａ，６１ｂの中央部
からそれぞれ延在している入力引出しパターン７１ａ，
７１ｂはシート５４，５６の左辺に露出している。
はシート５４，５６の左寄りの位置に形成され、その一
端がシート５４，５６の手前側の辺に露出している。イ
ンダクタパターン６１ａ，６１ｂは、シート５４，５５
に設けた長穴ビアホール６８を介して電気的に接続して
いる。長穴ビアホール６８は、インダクタパターン６１
ａ，６１ｂの左右のエッジ部に配設されている。これら
インダクタパターン６１ａ，６１ｂ及び長穴ビアホール
６８は、図７に断面を示すように、内部に絶縁体が充填
された横断面が四角形の管状構造体のインダクタＬ１を
構成する。インダクタパターン６１ａ，６１ｂの中央部
からそれぞれ延在している入力引出しパターン７１ａ，
７１ｂはシート５４，５６の左辺に露出している。
【００２８】直線状インダクタパターン６２ａ，６２ｂ
はシート５４，５６の中央の位置に形成され、その一端
がシート５４，５６の手前側の辺に露出している。イン
ダクタパターン６２ａ，６２ｂは、シート５４，５５に
設けた長穴ビアホール６８を介して電気的に接続してい
る。これらインダクタパターン６２ａ，６２ｂ及び長穴
ビアホール６８は、図７に示すように、横断面が四角形
の管状構造体のインダクタＬ２を構成する。
はシート５４，５６の中央の位置に形成され、その一端
がシート５４，５６の手前側の辺に露出している。イン
ダクタパターン６２ａ，６２ｂは、シート５４，５５に
設けた長穴ビアホール６８を介して電気的に接続してい
る。これらインダクタパターン６２ａ，６２ｂ及び長穴
ビアホール６８は、図７に示すように、横断面が四角形
の管状構造体のインダクタＬ２を構成する。
【００２９】直線状インダクタパターン６３ａ，６３ｂ
はシート５４，５６の右寄りの位置に形成され、その一
端がシート５４，５６の手前側の辺に露出している。イ
ンダクタパターン６３ａ，６３ｂは、シート５４，５５
に設けた長穴ビアホール６８を介して電気的に接続して
いる。これらインダクタパターン６３ａ，６３ｂ及び長
穴ビアホール６８は、図７に示すように、横断面が四角
形の管状構造体のインダクタＬ３を構成する。インダク
タパターン６３ａ，６３ｂの中央部からそれぞれ延在し
ている出力引出しパターン７３ａ，７３ｂはシート５
４，５６の右辺に露出している。
はシート５４，５６の右寄りの位置に形成され、その一
端がシート５４，５６の手前側の辺に露出している。イ
ンダクタパターン６３ａ，６３ｂは、シート５４，５５
に設けた長穴ビアホール６８を介して電気的に接続して
いる。これらインダクタパターン６３ａ，６３ｂ及び長
穴ビアホール６８は、図７に示すように、横断面が四角
形の管状構造体のインダクタＬ３を構成する。インダク
タパターン６３ａ，６３ｂの中央部からそれぞれ延在し
ている出力引出しパターン７３ａ，７３ｂはシート５
４，５６の右辺に露出している。
【００３０】コンデンサパターン６５，６６，６７は、
それぞれシート５５の左側奥寄りの位置、中央奥寄りの
位置、右側奥寄りの位置で、かつ、長穴ビアホール６８
の間に形成され、その一端はシート５５の奥側の辺に露
出している。コンデンサパターン６５は、シート５４，
５５を介してインダクタパターン６１ａ，６１ｂの開放
端部にそれぞれ対向し、コンデンサＣ１を形成する。同
様に、コンデンサパターン６６，６７は、シート５４，
５５を介してインダクタパターン６２ａ，６２ｂの開放
端部及びインダクタパターン６３ａ，６３ｂの開放端部
にそれぞれ対向し、コンデンサＣ２，Ｃ３を形成する。
つまり、コンデンサパターン６５，６６，６７はそれぞ
れインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３の管状構造体の内側に積
層される。そして、コンデンサＣ１と管状構造のインダ
クタＬ１とでＬＣ並列共振回路を形成し、第１段のＬＣ
共振器Ｑ１を構成する。コンデンサＣ２と管状構造のイ
ンダクタＬ２とでＬＣ並列共振回路を形成し、第２段の
ＬＣ共振器Ｑ２を構成する。コンデンサＣ３と管状構造
のインダクタＬ３とでＬＣ並列共振回路を形成し、第３
段のＬＣ共振器Ｑ３を構成する。
それぞれシート５５の左側奥寄りの位置、中央奥寄りの
位置、右側奥寄りの位置で、かつ、長穴ビアホール６８
の間に形成され、その一端はシート５５の奥側の辺に露
出している。コンデンサパターン６５は、シート５４，
５５を介してインダクタパターン６１ａ，６１ｂの開放
端部にそれぞれ対向し、コンデンサＣ１を形成する。同
様に、コンデンサパターン６６，６７は、シート５４，
５５を介してインダクタパターン６２ａ，６２ｂの開放
端部及びインダクタパターン６３ａ，６３ｂの開放端部
にそれぞれ対向し、コンデンサＣ２，Ｃ３を形成する。
つまり、コンデンサパターン６５，６６，６７はそれぞ
れインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３の管状構造体の内側に積
層される。そして、コンデンサＣ１と管状構造のインダ
クタＬ１とでＬＣ並列共振回路を形成し、第１段のＬＣ
共振器Ｑ１を構成する。コンデンサＣ２と管状構造のイ
ンダクタＬ２とでＬＣ並列共振回路を形成し、第２段の
ＬＣ共振器Ｑ２を構成する。コンデンサＣ３と管状構造
のインダクタＬ３とでＬＣ並列共振回路を形成し、第３
段のＬＣ共振器Ｑ３を構成する。
【００３１】結合コンデンサパターン７６ａ，７６ｂ，
７７ａ，７７ｂは、シート５３，５７の奥側寄りに配置
されている。結合コンデンサパターン７６ａ，７６ｂ
は、インダクタパターン６１ａ，６２ａ、６１ｂ，６２
ｂに対向し、結合コンデンサＣｓ１を形成する。結合コ
ンデンサパターン７７ａ，７７ｂは、インダクタパター
ン６２ａ，６３ａ、６２ｂ，６３ｂに対向し、結合コン
デンサＣｓ２を形成する。
７７ａ，７７ｂは、シート５３，５７の奥側寄りに配置
されている。結合コンデンサパターン７６ａ，７６ｂ
は、インダクタパターン６１ａ，６２ａ、６１ｂ，６２
ｂに対向し、結合コンデンサＣｓ１を形成する。結合コ
ンデンサパターン７７ａ，７７ｂは、インダクタパター
ン６２ａ，６３ａ、６２ｂ，６３ｂに対向し、結合コン
デンサＣｓ２を形成する。
【００３２】以上の構成からなる各シート５０〜５９
は、図５に示すように、順に積み重ねられて圧着された
後、一体的に焼成されることにより、図６に示す積層体
６０とされる。積層体６０の左右の端面にはそれぞれ入
力電極４２及び出力電極４３が形成され、手前と奥の側
面にはそれぞれグランド電極４４，４５が形成されてい
る。入力電極４２には入力引出しパターン７１ａ，７１
ｂが接続され、出力電極４３には出力引出しパターン７
３ａ，７３ｂが接続される。グランド電極４４には、シ
ールドパターン７８ａ，７８ｂの一端とインダクタパタ
ーン６１ａ〜６３ｂの一端とが接続される。グランド電
極４５には、シールドパターン７８ａ，７８ｂの他端と
コンデンサパターン６５〜６７の一端とが接続される。
は、図５に示すように、順に積み重ねられて圧着された
後、一体的に焼成されることにより、図６に示す積層体
６０とされる。積層体６０の左右の端面にはそれぞれ入
力電極４２及び出力電極４３が形成され、手前と奥の側
面にはそれぞれグランド電極４４，４５が形成されてい
る。入力電極４２には入力引出しパターン７１ａ，７１
ｂが接続され、出力電極４３には出力引出しパターン７
３ａ，７３ｂが接続される。グランド電極４４には、シ
ールドパターン７８ａ，７８ｂの一端とインダクタパタ
ーン６１ａ〜６３ｂの一端とが接続される。グランド電
極４５には、シールドパターン７８ａ，７８ｂの他端と
コンデンサパターン６５〜６７の一端とが接続される。
【００３３】この積層型ＬＣフィルタ４１は、各ＬＣ共
振器Ｑ１〜Ｑ３のインダクタＬ１〜Ｌ３が管状構造とな
っており、高周波電流の表皮効果を有効に利用すること
ができるばかりでなく、コンデンサパターン６５〜６７
によるインダクタＬ１〜Ｌ３の磁界の遮断を殆ど起こさ
せない構成を有しているので、インダクタＬ１〜Ｌ３の
各々は高いＱ値を有することができる。これにより、Ｌ
Ｃフィルタ４１は、優れた帯域通過特性を有することが
できる。
振器Ｑ１〜Ｑ３のインダクタＬ１〜Ｌ３が管状構造とな
っており、高周波電流の表皮効果を有効に利用すること
ができるばかりでなく、コンデンサパターン６５〜６７
によるインダクタＬ１〜Ｌ３の磁界の遮断を殆ど起こさ
せない構成を有しているので、インダクタＬ１〜Ｌ３の
各々は高いＱ値を有することができる。これにより、Ｌ
Ｃフィルタ４１は、優れた帯域通過特性を有することが
できる。
【００３４】［第３実施形態、図９及び図１０］図９に
示すように、第３実施形態の積層型ＬＣフィルタ８１
は、前記第２実施形態のＬＣフィルタ４１において、絶
縁性シート５３，５５，５７の代わりに絶縁性シート５
３ａ，５５ａ，５７ａを用いたものである。絶縁性シー
ト５３ａ，５７ａの表面には、それぞれコンデンサパタ
ーン６５ａ〜６７ａ、６５ｂ〜６７ｂが形成されてい
る。絶縁性シート５５ａの表面には、結合コンデンサパ
ターン７６，７７が形成されている。シート５４，５５
ａにそれぞれ形成された六つの長穴ビアホール６８のう
ち、内側に位置する四つの長穴ビアホール６８は、結合
コンデンサパターン７６，７７とショートするのを回避
するため、その長さを短くしている。なお、本第３実施
形態にあっては、前記図５〜図８に対応する部分には同
じ符号を付して示し、重複した説明は省略する。
示すように、第３実施形態の積層型ＬＣフィルタ８１
は、前記第２実施形態のＬＣフィルタ４１において、絶
縁性シート５３，５５，５７の代わりに絶縁性シート５
３ａ，５５ａ，５７ａを用いたものである。絶縁性シー
ト５３ａ，５７ａの表面には、それぞれコンデンサパタ
ーン６５ａ〜６７ａ、６５ｂ〜６７ｂが形成されてい
る。絶縁性シート５５ａの表面には、結合コンデンサパ
ターン７６，７７が形成されている。シート５４，５５
ａにそれぞれ形成された六つの長穴ビアホール６８のう
ち、内側に位置する四つの長穴ビアホール６８は、結合
コンデンサパターン７６，７７とショートするのを回避
するため、その長さを短くしている。なお、本第３実施
形態にあっては、前記図５〜図８に対応する部分には同
じ符号を付して示し、重複した説明は省略する。
【００３５】この積層型ＬＣフィルタ８１は、各ＬＣ共
振器Ｑ１〜Ｑ３のインダクタＬ１〜Ｌ３が管状構造とな
っており、高周波電流の表皮効果を有効に利用すること
ができる。そして、図１０からも分かるように、結合コ
ンデンサパターン７６，７７の各々の両端部分が、管状
構造体のインダクタＬ１〜Ｌ３の内側に配置され、結合
コンデンサパターン７６，７７によるインダクタＬ１〜
Ｌ３の磁界の遮断を起こさせにくい構成を有しているの
で、インダクタＬ１〜Ｌ３の各々は高いＱ値を有するこ
とができる。これにより、ＬＣフィルタ８１は、優れた
帯域通過特性を有することができる。
振器Ｑ１〜Ｑ３のインダクタＬ１〜Ｌ３が管状構造とな
っており、高周波電流の表皮効果を有効に利用すること
ができる。そして、図１０からも分かるように、結合コ
ンデンサパターン７６，７７の各々の両端部分が、管状
構造体のインダクタＬ１〜Ｌ３の内側に配置され、結合
コンデンサパターン７６，７７によるインダクタＬ１〜
Ｌ３の磁界の遮断を起こさせにくい構成を有しているの
で、インダクタＬ１〜Ｌ３の各々は高いＱ値を有するこ
とができる。これにより、ＬＣフィルタ８１は、優れた
帯域通過特性を有することができる。
【００３６】［他の実施形態］本発明は前記実施形態に
限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々
の構成を採用することができる。例えば、前記実施形態
のインダクタは、二つのインダクタパターン及び二つの
長穴ビアホールで、横断面が四角形の管状構造体を形成
しているが、インダクタパターンの数や形状、あるいは
ビアホールの数や形状は任意である。例えば、第１実施
形態において、ビアホールは、図１１に示すように、イ
ンダクタパターン２４ａの三つの辺に沿って形成された
長穴ビアホール３３であってもよいし、図１２に示すよ
うに、インダクタパターン２４ａの三つの辺に沿って配
置された複数のビアホール３３で構成したものであって
もよい。また、ＬＣフィルタの段数（共振器の数）も任
意である。
限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々
の構成を採用することができる。例えば、前記実施形態
のインダクタは、二つのインダクタパターン及び二つの
長穴ビアホールで、横断面が四角形の管状構造体を形成
しているが、インダクタパターンの数や形状、あるいは
ビアホールの数や形状は任意である。例えば、第１実施
形態において、ビアホールは、図１１に示すように、イ
ンダクタパターン２４ａの三つの辺に沿って形成された
長穴ビアホール３３であってもよいし、図１２に示すよ
うに、インダクタパターン２４ａの三つの辺に沿って配
置された複数のビアホール３３で構成したものであって
もよい。また、ＬＣフィルタの段数（共振器の数）も任
意である。
【００３７】さらに、前記実施形態は、それぞれパター
ンが形成された絶縁性シートを積み重ねた後、一体的に
焼成するものであるが、必ずしもこれに限定されない。
絶縁性シートは予め焼成されたものを用いてもよい。ま
た、以下に説明する製法によってＬＣ共振器やＬＣフィ
ルタを作成してもよい。印刷等の方法によりペースト状
の絶縁性材料にて絶縁層を形成した後、その絶縁層の表
面にペースト状の導電性パターン材料を塗布して任意の
パターンを形成する。次に、ペースト状の絶縁性材料を
前記パターンの上から塗布してパターンが内蔵された絶
縁層とする。同様にして、順に重ね塗りすることにより
積層構造を有するＬＣ共振器やＬＣフィルタが得られ
る。
ンが形成された絶縁性シートを積み重ねた後、一体的に
焼成するものであるが、必ずしもこれに限定されない。
絶縁性シートは予め焼成されたものを用いてもよい。ま
た、以下に説明する製法によってＬＣ共振器やＬＣフィ
ルタを作成してもよい。印刷等の方法によりペースト状
の絶縁性材料にて絶縁層を形成した後、その絶縁層の表
面にペースト状の導電性パターン材料を塗布して任意の
パターンを形成する。次に、ペースト状の絶縁性材料を
前記パターンの上から塗布してパターンが内蔵された絶
縁層とする。同様にして、順に重ね塗りすることにより
積層構造を有するＬＣ共振器やＬＣフィルタが得られ
る。
【００３８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれは、インダクタを管状構造体としたので、インダ
クタパターンの厚さを厚くすることなく、インダクタの
表面積を広くできる。そして、表面積の広くなったイン
ダクタは全体が高周波電流の線路として有効に利用され
るので、インダクタの抵抗値が従来より小さくなり、イ
ンダクタのＱ値を向上させることができる。さらに、高
周波電流がインダクタを流れることにより発生する磁界
は、管状構造体の外側の周囲に発生し、管状構造体の内
側には発生しない。従って、管状構造体のインダクタの
内側に配置されているコンデンサパターンや共振器間を
容量結合するための結合コンデンサパターンは、インダ
クタの磁界を殆ど遮断しない。また、インダクタを管状
構造体とすることにより、インダクタの周囲に発生する
磁界がインダクタパターンのエッジ部に集中するのを緩
和することができる。この結果、高Ｑ値のインダクタを
有し、高周波特性の良好な積層型ＬＣ共振器や積層型Ｌ
Ｃフィルタを得ることができる。
によれは、インダクタを管状構造体としたので、インダ
クタパターンの厚さを厚くすることなく、インダクタの
表面積を広くできる。そして、表面積の広くなったイン
ダクタは全体が高周波電流の線路として有効に利用され
るので、インダクタの抵抗値が従来より小さくなり、イ
ンダクタのＱ値を向上させることができる。さらに、高
周波電流がインダクタを流れることにより発生する磁界
は、管状構造体の外側の周囲に発生し、管状構造体の内
側には発生しない。従って、管状構造体のインダクタの
内側に配置されているコンデンサパターンや共振器間を
容量結合するための結合コンデンサパターンは、インダ
クタの磁界を殆ど遮断しない。また、インダクタを管状
構造体とすることにより、インダクタの周囲に発生する
磁界がインダクタパターンのエッジ部に集中するのを緩
和することができる。この結果、高Ｑ値のインダクタを
有し、高周波特性の良好な積層型ＬＣ共振器や積層型Ｌ
Ｃフィルタを得ることができる。
【図１】本発明に係る積層型ＬＣ共振器の一実施形態の
構成を示す分解斜視図。
構成を示す分解斜視図。
【図２】図１に示した積層型ＬＣ共振器の外観を示す斜
視図。
視図。
【図３】図２に示した積層型ＬＣ共振器の模式断面図。
【図４】図２に示した積層型ＬＣ共振器の電気等価回路
図。
図。
【図５】本発明に係る積層型ＬＣフィルタの一実施形態
の構成を示す分解斜視図。
の構成を示す分解斜視図。
【図６】図５に示した積層型ＬＣフィルタの外観を示す
斜視図。
斜視図。
【図７】図６に示した積層型ＬＣフィルタの模式断面
図。
図。
【図８】図６に示した積層型ＬＣフィルタの電気等価回
路図。
路図。
【図９】本発明に係る積層型ＬＣフィルタの他の実施形
態の構成を示す分解斜視図。
態の構成を示す分解斜視図。
【図１０】図９に示した積層型ＬＣフィルタの模式断面
図。
図。
【図１１】ビアホールの変形例を示す平面図。
【図１２】ビアホールの別の変形例を示す平面図。
【図１３】従来の積層型ＬＣ共振器の分解斜視図。
【図１４】図１３に示した積層型ＬＣ共振器の外観を示
す斜視図。
す斜視図。
１…積層型ＬＣ共振器 １１〜１９…絶縁性シート ２１…積層体 ２４ａ，２４ｂ…インダクタパターン ２５…コンデンサパターン ３３…長穴ビアホール ４１，８１…積層型ＬＣフィルタ ５０〜５９，５３ａ，５５ａ，５７ａ…絶縁性シート ６０…積層体 ６１ａ〜６３ａ，６１ｂ〜６３ｂ…インダクタパターン ６５〜６７，６５ａ〜６７ａ，６５ｂ〜６７ｂ…コンデ
ンサパターン ６８…長穴ビアホール ７６ａ，７６ｂ，７７ａ，７７ｂ，７６，７７…結合コ
ンデンサパターン Ｒ１…ＬＣ並列共振回路 Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…インダクタ Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３…コンデンサ Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３…ＬＣ共振器
ンサパターン ６８…長穴ビアホール ７６ａ，７６ｂ，７７ａ，７７ｂ，７６，７７…結合コ
ンデンサパターン Ｒ１…ＬＣ並列共振回路 Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…インダクタ Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３…コンデンサ Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３…ＬＣ共振器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 浩子 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5E070 AA05 AB01 AB06 BA12 CB01 CB13 CB17 5J006 HB03 HB05 HB15 HB22 5J024 AA01 DA04 DA29 DA35
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁層とインダクタパターンとコンデン
サパターンとを積み重ねて構成した積層体内部に、前記
インダクタパターンにより形成されるインダクタと、前
記コンデンサパターンが前記絶縁層を挟んで前記インダ
クタパターンに対向して形成するコンデンサとでＬＣ共
振回路を形成した積層型ＬＣ共振器において、 ＬＣ共振回路の前記インダクタが、二つ以上の前記イン
ダクタパターンを前記絶縁層に設けたビアホールを介し
て電気的に接続してなる管状構造体であり、前記コンデ
ンサパターンを前記インダクタの管状構造体の内側に積
層したことを特徴とする積層型ＬＣ共振器。 - 【請求項２】 複数の絶縁層と複数のインダクタパター
ンと複数のコンデンサパターンとを積み重ねて構成した
積層体内部に、前記インダクタパターンにより形成され
る複数のインダクタと、前記コンデンサパターンが前記
絶縁層を挟んで前記インダクタパターンに対向して形成
する複数のコンデンサとで複数のＬＣ共振器を形成した
積層型ＬＣフィルタにおいて、 各々のＬＣ共振器の前記インダクタが、二つ以上の前記
インダクタパターンを前記絶縁層に設けたビアホールを
介して電気的に接続してなる管状構造体であり、前記コ
ンデンサパターン又は前記ＬＣ共振器間を容量結合する
ための結合コンデンサパターンの少なくともいずれか一
方のパターンを前記インダクタの管状構造体の内側に積
層したことを特徴とする積層型ＬＣフィルタ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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