JP2002064304A - 積層型誘電体フィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型化を容易に図ることができる積層型誘電
体フィルタを提供する。 【解決手段】 第１のグランド電極１２１と第２のグラ
ンド電極１３６間に配置された第１の共振素子片１２６
〜１２８と、第２のグランド電極１４６と第３のグラン
ド電極１４５間に配置され前記第１の共振素子片１２６
〜１２８とビアホールを介して接続され、前記第１の共
振素子片１２６〜１２８よりインピーダンス値の大きい
第２の共振素子片１４０〜１４２とを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波回路に好適
な積層型誘電体フィルタに関し、特にその共振素子の構
造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来この種の積層型誘電体フィルタとし
ては、例えば特許第２８０６７１０号公報に記載されて
いるものが知られている。従来の積層型誘電体フィルタ
について図１５及び図１６を参照して説明する。図１５
は従来の積層型誘電体フィルタの外観斜視図、図１６は
従来の積層型誘電体フィルタの積層構造を説明する図で
ある。

【０００３】図１５に示すように、この積層型誘電体フ
ィルタ９００は、誘電体と導体を積層してなる積層体９
０１と、積層体９０１の両端部に付設した一対の入出力
端子９０２と、積層体９０１の外面に形成したグランド
端子９０３とを備えている。

【０００４】図１６に示すように、積層体９０１は、所
定パターンの電極を形成した複数の誘電体層９１１〜９
１７を積層した構成になっている。

【０００５】図中最上層の誘電体層９１１の上面には、
全面に亘ってグランド電極９２１が形成されている。

【０００６】誘電体層９１２には、端部が前記グランド
端子９０３と接続する内層グランド電極９２２が形成さ
れている。

【０００７】誘電体層９１３には、後述する一対の共振
素子９２４及び９２５の長手方向と直交し且つ端部がそ
れぞれ誘電体層９１３を挟んで共振素子９２４及び９２
５の中間部に重なるように配置された結合調整電極９２
３が形成されている。結合調整電極９２３は、端部に形
成された結合部９２３ａと、両結合部９２３ａを結び該
結合部９２３ａよりも幅が狭い接続線部９２３ｂとから
なる。

【０００８】誘電体層９１４には、一端側が前記グラン
ド端子９０３に短絡されたストリップライン型の共振素
子９２４及び９２５が互いに間隔をおいて形成されてい
る。共振素子９２４及び９２５は入出力端子９０２を結
ぶ方向と直交する方向に延びている。各共振素子９２４
及び９２５の開放端側には、端部がグランド端子９０３
に接続する波長短縮用電極９２６及び９２７が形成され
ている。

【０００９】誘電体層９１５には、一端側が入出力端子
９０２と接続し、他端側が誘電体層９１４を介して共振
素子９２４又は９２５と重なるように配置された入出力
電極９２８及び９２９が形成されている。

【００１０】誘電体層９１６には、前記誘電体層９１２
と同様に、端部が前記グランド端子９０３と接続する内
層グランド電極９３０が形成されている。

【００１１】誘電体層９１７の底面には、前記誘電体層
９１１と同様に、図示しないグランド電極が全面に亘っ
て形成されている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の積
層型誘電体フィルタに対する市場からの要望としては、
小型化、特に高周波帯域における高い品質係数（Ｑ）、
広帯域化などが挙げられる。しかしながら、従来の積層
型誘電体フィルタ９００では、共振素子９２４及び９２
５の長さが波長を基準に決定されるため、小型化には限
界があった。すなわち、上記の積層型誘電体フィルタ９
００では、共振素子９２４及び９２５の開放端側と波長
短縮用電極９２６及び９２７との間が容量性結合され
る。つまり、共振素子９２４及び９２５の開放端側をキ
ャパシタを介してグランドに接続させている。これによ
り、共振素子９２４及び９２５の小型化を図っている。
このような構成では、共振素子９２４及び９２５と波長
短縮用電極９２６及び９２７との間の静電容量を大きく
設定することにより共振素子９２４及び９２５を更に小
型化することができる。しかしながら、この静電容量を
大きくすると品質係数が悪化するため小型化には限界が
あった。

【００１３】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、小型化を容易に図る
ことができる積層型誘電体フィルタを提供することにあ
る。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１では、誘電体と導体とを積層してなり共振
素子が埋設された積層体と、該積層体の外面に形成され
た入出力端子及びグランド端子とを備えた積層型誘電体
フィルタにおいて、それぞれ前記グランド端子と接続し
且つ互いに誘電体層を介して配置された第１，第２及び
第３のグランド電極を備え、前記共振素子は、前記第１
のグランド電極と前記第２のグランド電極との間に誘電
体層を介して配置され、且つ、一端側が開放端となって
いる第１の共振素子片と、前記第２のグランド電極と前
記第３のグランド電極との間に誘電体層を介して配置さ
れ、一端側が前記第１の共振素子片の他端側と接続さ
れ、他端側が前記グランド端子に短絡され、且つ、前記
第１の共振素子片よりインピーダンス値が大きい第２の
共振素子片とを有することを特徴とするものを提案す
る。

【００１５】本発明によれば、共振素子は第１の共振素
子片と第２の共振素子片を有し、且つ、第１の共振素子
片と第２の共振素子片とは第２のグランド電極を挟んで
異なる層に形成されているので、共振素子全体の共振周
波数を下げることができる。これにより、共振周波数が
同一であれば従来の積層型誘電体フィルタよりも部品サ
イズの小型化を図ることができる。

【００１６】ところで一般的に、一方がグランドに短絡
し他方が開放した共振素子では、開放端に近い部位のイ
ンピーダンス値が短絡端側のインピーダンス値よりも小
さいほど共振周波数を下げることができるので、共振素
子の大きさを小さくできる。本発明によれば、第２の共
振素子片のインピーダンス値が第１の共振素子片のイン
ピーダンス値より大きいので、共振素子全体の大きさを
小さくすることができる。これにより、部品の小型化を
図ることができる。

【００１７】また、一般的に、この種の共振素子では共
振周波数に対して３倍の周波数において不要な共振が生
じることが多い。本発明では、第２の共振素子片のイン
ピーダンス値が第１の共振素子片のインピーダンス値よ
り小さくすることにより、前記不要な共振が生じる周波
数を高周波側に移動している。すなわち、高調波特性に
優れたものとなる。

【００１８】また、請求項２では、請求項１記載の積層
型誘電体フィルタにおいて、前記第１のグランド電極と
前記第２のグランド電極との間隔が前記第２のグランド
電極と前記第３のグランド電極との間隔より小さいこと
を特徴とするものを提案する。

【００１９】本発明によれば、第２の共振素子片と第２
及び第３のグランド電極との間に生じる静電容量を、第
１の共振素子片と第１及び第２のグランド電極との間に
生じる静電容量よりも容易に小さく設定することができ
る。したがって、第２の共振素子片のインピーダンス値
を、第１の共振素子片のインピーダンス値よりも容易に
大きく設定することができる。

【００２０】さらに、請求項３では、請求項１記載の積
層型誘電体フィルタにおいて、前記第２の共振素子片の
表面積が前記第１の共振素子片の表面積より小さいこと
を特徴とするものを提案する。

【００２１】この発明によれば、第２の共振素子片と第
２及び第３のグランド電極との間に生じる静電容量を、
第１の共振素子片と第１及び第２のグランド電極との間
に生じる静電容量よりも容易に小さく設定することがで
きる。したがって、第２の共振素子片のインピーダンス
値を、第１の共振素子片のインピーダンス値よりも容易
に大きく設定することができる。

【００２２】本発明の具体的な態様の一例として、請求
項４では、請求項３記載の積層型誘電体フィルタにおい
て、前記第１の共振素子片及び前記第２の共振素子片は
それぞれストリップラインからなり、前記第２の共振素
子片の幅が前記第１の共振素子片の幅より狭いことを特
徴とするものを提案する。

【００２３】また、請求項５では、請求項１記載の積層
型誘電体フィルタにおいて、前記第１の共振素子片又は
前記第２の共振素子片は、開放端側におけるインピーダ
ンス値が短絡端側におけるインピーダンス値よりも小さ
いことを特徴とするものを提案する。

【００２４】本発明によれば、第１又は第２の共振素子
片が、開放端側におけるインピーダンス値が短絡端側に
おけるインピーダンス値よりも小さいので、共振素子全
体の大きさを小さくすることができる。これにより、部
品の小型化を図ることができる。

【００２５】本発明の具体的な態様の一例として、請求
項６では、請求項５記載の積層型誘電体フィルタにおい
て、前記第１の共振素子片及び前記第２の共振素子片は
それぞれストリップラインからなり、前記第１の共振素
子片又は前記第２の共振素子片は、短絡端側における幅
が開放端側における幅よりも狭いことを特徴とするもの
を提案する。

【００２６】さらに、請求項７では、請求項１記載の積
層型誘電体フィルタにおいて、前記第１の共振素子片と
第２のグランド電極との間隔が前記第１の共振素子片と
第１のグランド電極との間隔より小さいことを特徴とす
るものを提案する。

【００２７】さらに、請求項８では、請求項１記載の積
層型誘電体フィルタにおいて、前記第２の共振素子片と
第２のグランド電極との間隔が前記第２の共振素子片と
第３のグランド電極との間隔より小さいことを特徴とす
るものを提案する。

【００２８】これら請求項７及び８の発明によれば、第
１の共振素子片と第２の共振素子片の接続距離が小さく
なるので、この接続部により生じるインダクタンス成分
を小さく抑えることができる。

【００２９】

【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）本発明の第
１の実施形態に係る積層型誘電体フィルタについて図１
〜図５を参照して説明する。図１は第１の実施形態に係
る積層型誘電体フィルタの外観斜視図、図２は第１の実
施形態に係る積層型誘電体フィルタの積層構造を説明す
る図、図３は図２のＡ−Ａ線拡大断面図、図４は第１の
実施形態に係る積層型誘電体フィルタの等価回路、図５
は第１の実施形態に係る積層型誘電体フィルタの共振素
子の等価回路である。

【００３０】図１に示すように、この積層型誘電体フィ
ルタ１００は、誘電体と導体を積層してなる積層体１０
１と、積層体１０１の両端部に付設した一対の入出力端
子１０２と、積層体１０１の外面に形成したグランド端
子１０３とを備えている。

【００３１】入出力端子１０２は、積層体１０１の両端
面の中央部において上面及び下面の端部に亘り線状に形
成されている。グランド端子１０３は、積層体１０１の
側面の全面から端面，上面及び下面の端部に亘り形成さ
れている。

【００３２】図２に示すように、積層体１０１は、導体
が形成されていない誘電体層１１０と所定パターンの導
体を形成した複数の誘電体層１１１〜１１７を積層した
一体構造となっている。各誘電体層１１０〜１１７は、
例えばＢａＴｉＯ₃系の誘電性を有するセラミック焼結
体からなる。

【００３３】誘電体層１１１には、第１のグランド電極
１２１が形成されている。第１のグランド電極１２１
は、誘電体層１１１の長辺側に露出しており、グランド
端子１０３と接続している。また、第１のグランド電極
１２１は、誘電体層１１１の短辺側の端部には形成され
ていない。誘電体層１１１の全面に第１のグランド電極
１２１を形成すると、誘電体層１１１と誘電体層１１０
との接着強度が低下するためである。

【００３４】また、第１のグランド電極１２１は、誘電
体層１１１の短辺と対向する片の中央部が誘電体層１１
１の中心方向に向かって引き込んだ形状となっている。
これは、第１のグランド電極１２１と後述する入出力電
極１４３及び１４４との間に浮遊容量が生じることを防
ぐためである。

【００３５】誘電体層１１２には、矩形の波長短縮用電
極１２２，１２３，１２４と、結合用電極１２５が形成
されている。各波長短縮用電極１２２〜１２４は、それ
ぞれ後述する第１の共振素子片１２６〜１２８に対応す
る。各波長短縮用電極１２２〜１２４は、前記グランド
端子１０３の一方に接続するよう誘電体層１１２の一方
の長辺側に配置されている。各波長短縮用電極１２２〜
１２４は、対応する第１の共振素子片１２６〜１２８の
開放端と誘電体層１１２を挟んで重なる位置に配置され
ている。

【００３６】結合用電極１２５は、誘電体層１１２のほ
ぼ中央付近において誘電体層１１２の長手方向に延びて
形成されている。結合用電極１２５は、両端部に形成さ
れた矩形の結合部１２５ａと、両結合部１２５ａを結び
該結合部１２５ａよりも幅の狭い接続線部１２５ｂから
なる。結合用電極１２５の一方の結合部１２５ａは、第
１の共振素子片１２６の中央部付近と誘電体層１１２を
挟んで重なる位置に配置されている。結合用電極１２５
の他方の結合部１２５ａは、第１の共振素子片１２７の
中央部付近と誘電体層１１２を挟んで重なる位置に配置
されている。

【００３７】誘電体層１１３には、ストリップライン型
の第１の共振素子片１２６，１２７，１２８が互いに平
行となるように形成されている。各第１の共振素子片１
２６〜１２８は、誘電体層１１３の短手方向に延びてい
る。すなわち、各第１の共振素子片１２６〜１２８は、
前記一対の入出力端子１０２を結ぶ方向と直交する方向
に延びている。誘電体層１１３には、各第１の共振素子
片１２６〜１２８の開放端側と反対側の端部にビアホー
ル（図示省略）が形成されている。各第１の共振素子片
１２６〜１２８は、このビアホールを介して、後述する
誘電体層１１４に形成されたランド１３３〜１３５に接
続している。

【００３８】誘電体層１１４には、前記誘電体層１１２
と同様に、矩形の波長短縮用電極１２９，１３０，１３
１と、結合用電極１３２と、ランド１３３，１３４，１
３５が形成されている。各波長短縮用電極１２９〜１３
１は、それぞれ前記第１の共振素子片１２６〜１２８に
対応する。各波長短縮用電極１２９〜１３１は、前記グ
ランド端子１０３の一方に接続するよう誘電体層１１４
の一方の長辺側に配置されている。各波長短縮用電極１
２９〜１３１は、対応する第１の共振素子片１２６〜１
２８の開放端と誘電体層１１３を挟んで重なる位置に配
置されている。

【００３９】結合用電極１３２は、誘電体層１１４のほ
ぼ中央付近において長手方向に形成されている。結合用
電極１３２は、両端部に結合された矩形の結合部１３２
ａと、両結合部１３２ａを結び該結合部１３２ａよりも
幅の狭い接続線部１３２ｂからなる。結合用電極１３２
の一方の結合部１３２ａは、第１の共振素子片１２７の
中央部付近と誘電体層１１３を挟んで重なる位置に配置
されている。結合用電極１３２の他方の結合部１３２ａ
は、第１の共振素子片１２８の中央部付近と誘電体層１
１３を挟んで重なる位置に配置されている。

【００４０】各ランド１３３〜１３５は、誘電体層１１
３のビアホールと接続するためのものである。各ランド
１３３〜１３５は、それぞれ誘電体層１１３の各ビアホ
ールに重なる位置に形成されている。各ランド１３３〜
１３５の形成位置にはビアホール（図示省略）が形成さ
れている。

【００４１】誘電体層１１５には、第２のグランド電極
１３６及びランド１３７，１３８，１３９が形成されて
いる。第２のグランド電極１３６は、前記第１のグラン
ド電極１２１と同様の外形を有しており、且つ、各ラン
ド１３７〜１３９を内側に配置するための孔１３６ａ，
１３６ｂ，１３６ｃを有している。各ランド１３７〜１
３９は、対応する孔１３６ａ〜１３６ｃの内側に第２の
グランド電極１３６と非導通となるように形成されてい
る。各ランド１３７〜１３９は、誘電体層１１４のビア
ホールと接続するためのものである。各ランド１３７〜
１３９は、それぞれ誘電体層１１４の各ビアホールに重
なる位置に形成されている。各ランド１３７〜１３９の
形成位置にはビアホール（図示省略）が形成されてい
る。

【００４２】誘電体層１１６には、ストリップライン型
の第２の共振素子片１４０，１４１，１４２が形成され
ている。各第２の共振素子片１４０〜１４２は、前記第
１の共振素子片１４０〜１４２と誘電体層１１３〜１１
５を挟んで対向するように配置されている。第２の共振
素子片１４０〜１４２の一端側は、それぞれ誘電体層１
１５の各ビアホールに接続している。したがって、第２
の共振素子片１４０〜１４２の一端側は、各誘電体層１
１３〜１１５に形成されたビアホールを介してそれぞれ
対応する第１の共振素子片１２６〜１２８の一端側と接
続している。これにより、第１の共振素子片１２６と第
２の共振素子片１４０が組となって１つの共振素子を構
成している。同様に、第１の共振素子片１２７と第２の
共振素子片１４１、第１の共振素子片１２８と第２の共
振素子片１４２が組となって、それぞれ１つの共振素子
を構成している。また、各第２の共振素子片１４０〜１
４２の他端側は、前記グランド端子１０３の一方に接続
するよう誘電体層１１６の一方の長辺に露出している。

【００４３】３つの第２の共振素子片１４０〜１４２の
うち入出力側の第２の共振素子片１４０及び１４２に
は、前記入出力端子１０２と接続する入出力電極１４３
及び１４４が接続されている。入出力電極１４３及び１
４４は、それぞれ誘電体層１１６の端部に配置された入
出力部１４３ａ，１４４ａと、該入出力部１４３ａ，１
４４ａと第２の共振素子片１４０，１４２を接続する接
続線部１４３ｂ，１４４ｂとからなる。接続線部１４３
ｂ，１４４ｂは、蛇行した線状に形成されており、中央
部よりやや短絡側とは反対側の位置で第２の共振素子片
１４０，１４２と接続している。なお、接続線部１４３
ｂ，１４４ｂと第２の共振素子片１４０，１４２との接
続位置は、設計目標となるフィルタ特性に応じて、適
宜、開放端側又は短絡端側に移動させてもよい。

【００４４】誘電体層１１７には、第３のグランド電極
１４５が形成されている。第３のグランド電極１４５
は、前記第１のグランド電極１２１と同一の形状を有す
る。

【００４５】上記誘電体層１１０〜１１７の厚みは、以
下のように設定されている。図３に示すように、第１の
グランド電極１２１と第２のグランド電極１３６の間隔
Ｄ_{11 0}は、第２のグランド電極１３６と第３のグランド
電極１４５の間隔Ｄ₁₂₀よりも小さい。すなわち、誘電
体層１１１〜１１４の厚みの合計は、誘電体層１１５〜
１１６の厚みの合計より小さい。

【００４６】また、第１の共振素子片１２６〜１２８と
第１のグランド電極１２１の間隔Ｄ ₁₁₁は、第１の共振
素子片１２６〜１２８と第２のグランド電極１３６の間
隔Ｄ_{1 12}とほぼ等しい。すなわち、誘電体層１１１〜１
１２の厚みの合計は、誘電体層１１３〜１１４の厚みの
合計とほぼ等しい。同様に、第２の共振素子片１４０〜
１４２と第２のグランド電極１３６の間隔Ｄ₁₂₁は、第
２の共振素子片１４０〜１４２と第３のグランド電極１
４５の間隔Ｄ₁₂₂とほぼ等しい。すなわち、誘電体層１
１５の厚みは、誘電体層１１６の厚みとほぼ等しい。

【００４７】図４に積層型誘電体フィルタ１００の等価
回路を示す。図において、インダクタ１６１及び１６２
は、それぞれ入出力電極１４３，１４４の接続線部１４
３ｂ，１４４ｂによるインダクタ成分である。

【００４８】共振素子１６３は、第１の共振素子片１２
６及び第２の共振素子片１４０、並びにこれらを接続す
るビアホールにより構成されている。同様に、共振素子
１６４は、第１の共振素子片１２７及び第２の共振素子
片１４１、並びにこれらを接続するビアホールにより構
成されている。共振素子１６５は、第１の共振素子片１
２８及び第２の共振素子片１４２、並びにこれらを接続
するビアホールにより構成されている。

【００４９】キャパシタ１６６は、第１の共振素子片１
２６の開放端側と波長短縮用電極１２２との間に生じる
キャパシタ成分である。キャパシタ１６７は、第１の共
振素子片１２６の開放端側と波長短縮用電極１２９との
間に生じるキャパシタ成分である。キャパシタ１６８
は、第１の共振素子片１２７の開放端側と波長短縮用電
極１２３との間に生じるキャパシタ成分である。キャパ
シタ１６９は、第１の共振素子片１２７の開放端側と波
長短縮用電極１３０との間に生じるキャパシタ成分であ
る。キャパシタ１７０は、第１の共振素子片１２８の開
放端側と波長短縮用電極１２４との間に生じるキャパシ
タ成分である。キャパシタ１７１は、第１の共振素子片
１２８の開放端側と波長短縮用電極１３１との間に生じ
るキャパシタ成分である。

【００５０】キャパシタ１７２は、第１の共振素子片１
２６と結合用電極１２５の一方の結合部１２５ａとの間
に生じるキャパシタ成分である。インダクタ１７３は、
結合用電極１２５の接続線部１２５ｂにより生じるイン
ダクタ成分である。キャパシタ１７４は、第１の共振素
子片１２７と結合用電極１２５の他方の結合部１２５ａ
との間に生じるキャパシタ成分である。

【００５１】キャパシタ１７５は、第１の共振素子片１
２７と結合用電極１３２の一方の結合部１３２ａとの間
に生じるキャパシタ成分である。インダクタ１７６は、
結合用電極１３２の接続線部１３２ｂにより生じるイン
ダクタ成分である。キャパシタ１７７は、第１の共振素
子片１２８と結合用電極１３２の他方の結合部１３２ａ
との間に生じるキャパシタ成分である。

【００５２】図５に各共振素子１６３〜１６５の等価回
路を示す。ここでは、共振素子１６３について説明し、
共振素子１６４及び１６５の説明については省略する。
共振素子１６３は、第１の共振素子片１２６と、第１の
共振素子片１２６及び第２の共振素子片１４０を接続す
るビアホールによるインダクタ１８１と、第２の共振素
子片１４０とを直列接続した構成となっている。第１の
共振素子片１２６は、等価的にキャパシタ１２６ａとイ
ンダクタ１２６ｂとを並列接続した回路で表される。こ
こで、キャパシタ１２６ａは、主として第１の共振素子
片１２６と第１のグランド電極１２１及び第２のグラン
ド電極１３６との間に生じる合成キャパシタ成分であ
る。インダクタ１２６ｂは、主としてストリップライン
型の第１の共振素子片１２６自体で生じるインダクタ成
分である。したがって、キャパシタ１２６ａが小さくな
ると第１の共振素子片１２６のインピーダンスＺ₁₂₆は
大きくなる。第２の共振素子１４０についても同様であ
る。

【００５３】このような共振素子１６３では、第１の共
振素子片１２６のインピーダンスＺ ₁₂₆と第２の共振素
子片１４０のインピーダンスＺ₁₄₀との相互関係により
共振周波数が決定する。図６は、第２の共振素子片１４
０のインピーダンスＺ₁₄₀と共振周波数との関係を示す
グラフであり、図中Ｂは、第１の共振素子片１２６のイ
ンピーダンスＺ₁₂₆の値を示している。このグラフか
ら、第１の共振素子片１２６のインピーダンスＺ₁₂₆に
対して第２の共振素子片１４０のインピーダンスＺ_{1 40}
が大きいほど共振周波数が低くなることがわかる。

【００５４】図７は、共振素子１６３の周波数特性を示
すグラフであり、図７（ａ）はインピーダンスＺ₁₂₆と
インピーダンスＺ₁₄₀がほぼ等しい場合、図７（ｂ）は
インピーダンスＺ₁₄₀をインピーダンスＺ₁₂₆より大きく
した場合、図７（ｃ）は図７（ｂ）の条件下で更に前記
インダクタ１８１を大きくした場合のグラフである。こ
のグラフに示すように、共振素子１６３は、インピーダ
ンスＺ₁₂₆とインピーダンスＺ₁₄₀がほぼ等しい値となっ
ていると、共振周波数ｆに対して３倍の周波数３ｆにお
いても通過帯域が生じる。そして、インピーダンスＺ
₁₄₀を大きくしていくと該通過帯域が高周波側に移動す
ることがわかる。さらに、インダクタ１８１の値を大き
くしていくと該通過帯域が更に高周波側に移動すること
がわかる。

【００５５】本実施の形態では、前述したように、第１
のグランド電極１２１と第２のグランド電極１３６の間
隔Ｄ₁₁₀が、第２のグランド電極１３６と第３のグラン
ド電極１４５との間隔Ｄ₁₂₀よりも小さく、且つ、第１
の共振素子片１２６が第１のグランド電極１２１と第２
のグランド電極１３６との中間に位置し、第２の共振素
子片１４０が第２のグランド電極１３６と第３のグラン
ド電極１４５との中間に位置している。したがって、前
記第１の共振素子片１２６のキャパシタ１２６ａは、第
２の共振素子片１４０のキャパシタ１４０ａよりも大き
い。よって、第１の共振素子片１２６のインピーダンス
Ｚ₁₂₆は、第２の共振素子片１４０のインピーダンスＺ
₁₄₀より小さい。

【００５６】以上より、本実施の形態に係る積層型誘電
体フィルタ１００では、図５及び図６を参照して説明し
た波長短縮の効果を得られていることがわかる。そして
このことは、共振周波数が同じであれば、本実施の形態
の共振素子は従来のものよりも小型化を図れることを意
味する。

【００５７】また、本実施の形態に係る積層型誘電体フ
ィルタ１００では、図７を参照して説明したように各共
振素子の不要な通過帯域が高周波側に移動しているの
で、フィルタ回路全体としては、図８に示すような周波
数特性を有する。図８は積層型誘電体フィルタ１００の
周波数特性を表すグラフである。図において、実線は本
実施の形態にかかる積層型誘電体フィルタ１００、点線
は従来の積層型誘電体フィルタの周波数特性を示す。こ
のグラフが示すように、本実施の形態に係る積層型誘電
体フィルタでは高調波特性に優れたものとなっているこ
とが分かる。

【００５８】以上のように本実施の形態に係る積層型誘
電体フィルタ１００では、共振素子１６３〜１６５がそ
れぞれ互いに異なる層に形成された１組の第１の共振素
子片１２６〜１２８と第２の共振素子片１４０〜１４２
で構成されるので、各共振素子の電気長を大きく取るこ
とができる。これにより、各共振素子の共振周波数を下
げることができるので、高い品質係数（Ｑ）を維持しつ
つ小型化が容易となる。

【００５９】また、第２の共振素子片１４０〜１４２の
インピーダンス値が第１の共振素子片１２６〜１２８の
インピーダンス値より大きいので、共振素子１６３〜１
６５全体の大きさを小さくすることができる。これによ
り、さらに部品の小型化を図ることができる。また、積
層型誘電体フィルタ１００の高調波特性が向上する。

【００６０】（第２の実施の形態）本発明の第２の実施
の形態に係る積層型誘電体フィルタについて図９を参照
して説明する。図９は第２の実施の形態に係る積層型誘
電体フィルタの拡大断面図である。

【００６１】本実施の形態に係る積層型誘電体フィルタ
２００が第１の実施の形態のものと相違する点は、積層
体２０１の構造にある。他の構成については第１の実施
の形態と同様である。ここでは、相違点のみを説明す
る。

【００６２】この積層型誘電体フィルタ２００は、第１
のグランド電極２２１と第２のグランド電極２３６の間
隔Ｄ₂₁₀は、第２のグランド電極２３６と第３のグラン
ド電極２４５の間隔Ｄ₂₂₀とほぼ等しい。

【００６３】また、第１の共振素子片２２６〜２２８と
第１のグランド電極２２１の間隔Ｄ ₂₁₁は、第１の共振
素子片２２６〜２２８と第２のグランド電極２３６の間
隔Ｄ_{2 12}とほぼ等しい。同様に、第２の共振素子片２４
０〜２４２と第２のグランド電極２３６の間隔Ｄ
₂₂₁は、第２の共振素子片２４０〜２４２と第３のグラ
ンド電極２４５の間隔Ｄ₂₂₂とほぼ等しい。

【００６４】第１の共振素子片２２６〜２２８は、対応
する第２の共振素子片２４０〜２４２よりも表面積が大
きい。具体的には、第１の共振素子片２２６〜２２８の
幅Ｗ ₁は、対応する第２の共振素子片２４０〜２４２の
幅Ｗ₂よりも幅が広い。

【００６５】以上より、第１の共振素子片２２６〜２２
８のインピーダンスＺ₂₂₆〜Ｚ₂₂₈は、第２の共振素子片
２４０〜２４２のインピーダンスＺ₂₄₀〜Ｚ₂₄₂よりも小
さい。したがって、前述したように、第１の共振素子片
２２６〜２２８と第２の共振素子片２４０〜２４２との
組である共振素子の共振周波数は低くなる。

【００６６】このように本実施の形態に係る積層型誘電
体フィルタ２００では、共振素子がそれぞれ互いに異な
る層に形成された１組の第１の共振素子片２２６〜２２
８と第２の共振素子片２４０〜２４２で構成されるの
で、各共振素子の電気長を大きく取ることができる。こ
れにより、各共振素子の共振周波数を下げることができ
るので、高い品質係数（Ｑ）を維持しつつ小型化が容易
となる。

【００６７】また、第２の共振素子片２４０〜２４２の
インピーダンス値が第１の共振素子片２２６〜２２８の
インピーダンス値より大きいので、共振素子全体の大き
さを小さくすることができる。これにより、さらに部品
の小型化を図ることができる。また、積層型誘電体フィ
ルタ１００の高調波特性が向上する。

【００６８】なお、本実施の形態では、第１のグランド
電極２２１と第２のグランド電極２３６の間隔Ｄ
₂₁₀と、第２のグランド電極２３６と第３のグランド電
極２４５の間隔Ｄ₂₂₀とをほぼ等しくしたが、異なる間
隔としてもよい。例えば、図１０に示すように、間隔Ｄ
₂₁₀を間隔Ｄ₂₂₀よりも小さくするようにしてもよい。こ
のような構成とすることにより、第１の実施の形態と同
様の作用及び効果も得られる。

【００６９】（第３の実施の形態）本発明の第３の実施
の形態に係る積層型誘電体フィルタについて図１１を参
照して説明する。図１１は第３の実施の形態に係る積層
型誘電体フィルタの各共振素子片を説明する図である。

【００７０】本実施の形態に係る積層型誘電体フィルタ
３００が第１の実施の形態のものと相違する点は、積層
体の構造にある。他の構成については第１の実施の形態
と同様である。ここでは、相違点のみを説明する。

【００７１】この積層型誘電体フィルタ３００は、第２
の実施の形態と同様に、第１のグランド電極と第２のグ
ランド電極の間隔は、第２のグランド電極と第３のグラ
ンド電極の間隔とほぼ等しい。また、第１の共振素子片
３２６〜３２８と第１のグランド電極の間隔は、第１の
共振素子片３２６〜３２８と第２のグランド電極の間隔
とほぼ等しい。同様に、第２の共振素子片３４０〜３４
２と第２のグランド電極の間隔は、第２の共振素子片３
４０〜３４２と第３のグランド電極の間隔とほぼ等し
い。

【００７２】第１の共振素子片３２６〜３２８は、図１
１（ａ）に示すように、開放端側の表面積が第２の共振
素子片３４０〜３４２との接続側の表面積よりも大き
い。具体的には、第１の共振素子片３２６〜３２８は、
開放端から中央部までの幅Ｗ₃が、中央部から第２の共
振素子片３４０〜３４２との接続部までの幅Ｗ₄よりも
広い。これにより、第１の共振素子片３２６〜３２８
は、開放端側におけるインピーダンス値が短絡端側にお
けるインピーダンス値よりも小さい。

【００７３】同様に、第２の共振素子片３４０〜３４２
は、図１１（ｂ）に示すように、第１の共振素子片３２
６〜３２８との接続側の表面積が短絡端側の表面積より
も大きい。具体的には、第１の共振素子片３２６〜３２
８との接続部から中央部までの幅Ｗ₅が、中央部から短
絡端までの幅Ｗ₆よりも広い。これにより、第２の共振
素子片３４０〜３４２は、開放端側におけるインピーダ
ンス値が短絡端側におけるインピーダンス値よりも小さ
い。

【００７４】以上より、１組の第１の共振素子片３２６
〜３２８及び第２の共振素子片３４０〜３４２からなる
共振素子は、全体として短絡端から開放端にむかって各
部位におけるインピーダンス値が小さくなっている。こ
れにより、前述の図６を参照した説明と同様に、各共振
素子の共振周波数は低くなる。

【００７５】このように本実施の形態に係る積層型誘電
体フィルタ３００では、各共振素子がそれぞれ互いに異
なる層に形成された１組の第１の共振素子片３２６〜３
２８と第２の共振素子片３４０〜３４２で構成されるの
で、各共振素子の電気長を大きく取ることができる。こ
れにより、各共振素子の共振周波数を下げることができ
るので、高い品質係数（Ｑ）を維持しつつ小型化が容易
となる。

【００７６】また、第１の共振素子片３２６〜３２８及
び第２の共振素子片３４０〜３４２は、それぞれ短絡端
側におけるインピーダンス値が開放端側におけるインピ
ーダンス値より大きいので、共振素子全体の大きさを小
さくすることができる。これにより、さらに部品の小型
化を図ることができる。

【００７７】なお、本実施の形態では、第１のグランド
電極と第２のグランド電極の間隔と、第２のグランド電
極と第３のグランド電極の間隔とをほぼ等しくしたが、
異なる間隔としてもよい。例えば、第１のグランド電極
と第２のグランド電極の間隔を第２のグランド電極と第
３のグランド電極の間隔よりも小さくするようにしても
よい。このような構成とすることにより、第１の実施の
形態と同様の作用及び効果も得られる。

【００７８】また、本実施の形態では、第１の共振素子
片３２６〜３２８及び第２の共振素子片３４０〜３４２
の双方について短絡端側と開放端側の表面積を異なるよ
うにしたが、第１の共振素子片３２６〜３２８のみであ
っても、第２の共振素子片３４０〜３４２のみであって
もよい。

【００７９】（第４の実施の形態）本発明の第４の実施
の形態に係る積層型誘電体フィルタについて図１２を参
照して説明する。図１２は第４の実施の形態に係る積層
型誘電体フィルタの拡大断面図である。

【００８０】本実施の形態に係る積層型誘電体フィルタ
４００が第１の実施の形態のものと相違する点は、積層
体４０１の構造にある。他の構成については第１の実施
の形態と同様である。ここでは、相違点のみを説明す
る。

【００８１】この積層型誘電体フィルタ４００は、第１
のグランド電極４２１と第２のグランド電極４３６の間
隔Ｄ₄₁₀は、第２のグランド電極４３６と第３のグラン
ド電極４４５の間隔Ｄ₄₂₀よりも小さい。

【００８２】また、第１の共振素子片４２６〜４２８と
第１のグランド電極４２１の間隔Ｄ ₄₁₁は、第１の共振
素子片４２６〜４２８と第２のグランド電極４３６の間
隔Ｄ_{4 12}とほぼ等しい。

【００８３】一方、第２の共振素子片４４０〜４４２と
第２のグランド電極４３６の間隔Ｄ ₄₂₁は、第２の共振
素子片４４０〜４４２と第３のグランド電極４４５の間
隔Ｄ_{4 22}より小さい。

【００８４】このような構成により、本実施の形態に係
る積層型誘電体フィルタ４００は、第１の実施の形態の
ものと比較して、第２の共振素子片４４０〜４４２のキ
ャパシタ成分が大きくなるので、第２の共振素子片４４
０〜４４２のインピーダンス値は小さくなる。したがっ
て、共振周波数の低下という観点では第１の実施の形態
に係るものよりもその効果は小さくなる。

【００８５】一方、本実施の形態に係る積層型誘電体フ
ィルタ４００は、第１の実施の形態のものと比較して、
ビアホール４９１による第１の共振素子片４２６〜４２
８と第２の共振素子片４４０〜４４２との接続距離が短
くなる。このビアホール４９１は共振素子のインダクタ
成分となる。したがって、このビアホール４９１による
接続距離が小さいほど、共振素子の品質係数（Ｑ）に優
れたものとなる。つまり、本実施の形態に係る積層型誘
電体フィルタ４００では、この品質係数（Ｑ）という観
点で第１の実施の形態に係るものよりも優れたものとな
る。他の作用・効果は第１の実施の形態と同様である。

【００８６】なお、本実施の形態に係る積層型誘電体フ
ィルタ４００においても、第２の実施の形態で説明した
ように、第１の共振素子片４２６〜４２８の表面積を第
２の共振素子片４４０〜４４２の表面積よりも大きくし
てもよい。さらに、第３の実施の形態で説明したよう
に、第１の共振素子片４２６〜４２８及び第２の共振素
子片４４０〜４４２において、開放端側の表面積を短絡
端側の表面積よりも大きくしてもよい。

【００８７】（第５の実施の形態）本発明の第５の実施
形態に係る積層型誘電体フィルタについて図１３及び図
１４を参照して説明する。図１３は第５の実施形態に係
る積層型誘電体フィルタの外観斜視図、図１４は第５の
実施形態に係る積層型誘電体フィルタの積層構造を説明
する図である。

【００８８】本実施の形態に係る積層型誘電体フィルタ
５００が第１の実施の形態と相違する点は、第１の共振
素子片と第２の共振素子片との接続形態にある。その他
の構成については第１の実施の形態と同様なので、ここ
では相違点のみ説明する。

【００８９】図１３に示すように、この積層型誘電体フ
ィルタ５００は、誘電体と導体を積層してなる積層体５
０１と、積層体５０１の両端部に付設した一対の入出力
端子５０２と、積層体５０１の外面に形成したグランド
端子５０３と、後述する第１の共振素子片と第２の共振
素子片とを接続する複数の接続電極５０４，５０５，５
０６とを備えている。

【００９０】入出力端子５０２は、第１の実施の形態と
同様に、積層体５０１の両端面の中央部において上面及
び下面の端部に亘り線状に形成されている。グランド端
子５０３は、積層体５０１の一方の側面の全面から端
面，上面及び下面の端部に亘り形成されている。接続電
極５０４〜５０６は、前記グランド端子５０３と反対側
の側面に形成されている。各接続電極５０４〜５０６
は、それぞれ上面及び下面の端部に亘り、互いに間隔を
おいて平行に形成されている。

【００９１】図１４に示すように、積層体５０１は、導
体が形成されていない誘電体層５１０と所定パターンの
導体を形成した複数の誘電体層５１１〜５１７を積層し
た一体構造となっている。各誘電体層５１０〜５１７
は、例えばＢａＴｉＯ₃系の誘電性を有するセラミック
焼結体からなる。この積層体５０１が前記第１の実施の
形態に係る積層体１０１と相違する主な点はビアホール
を備えていない点にある。

【００９２】誘電体層５１１には、第１のグランド電極
５２１が形成されている。第１のグランド電極５２１
は、前記グランド端子５０３と接続するよう誘電体層５
１１の一方の長辺に露出している。

【００９３】誘電体層５１２には、矩形の波長短縮用電
極５２２，５２３，５２４と、結合用電極５２５が形成
されている。各波長短縮用電極５２２〜５２４及び結合
用電極５２５の形状等については、第１の実施の形態と
同様なので説明を省略する。

【００９４】誘電体層５１３には、ストリップライン型
の第１の共振素子片５２６，５２７，５２８が互いに平
行となるように形成されている。各第１の共振素子片５
２６〜５２８は、誘電体層５１３の短手方向に延びてい
る。すなわち、各第１の共振素子片５２６〜５２８は、
前記入出力端子５０２を結ぶ方向と直交する方向に延び
ている。各第１の共振素子片５２６〜５２８の一方の端
部は、誘電体層５１３の一方の長辺に露出し、それぞれ
前記接続電極５０４〜５０６に接続している。この誘電
体層５１３には、前記第１の実施の形態と異なりビアホ
ールが形成されていない。

【００９５】誘電体層５１４には、前記誘電体層５１２
と同様に、矩形の波長短縮用電極５２９，５３０，５３
１と、結合用電極５３２が形成されている。各波長短縮
用電極５２９〜５３１及び結合用電極５３２の形状等に
ついては、第１の実施の形態と同様なので説明を省略す
る。この誘電体層５１４には、前記第１の実施の形態と
異なりランド及びビアホールが形成されていない。

【００９６】誘電体層５１５には、第２のグランド電極
５３６が形成されている。第２のグランド電極５３６の
形状等は、前記誘電体層５１１に形成された第１のグラ
ンド電極５２１と同様である。この誘電体層５１５に
は、前記第１の実施の形態と異なりランド及びビアホー
ルが形成されていない。

【００９７】誘電体層５１６には、ストリップライン型
の第２の共振素子片５４０，５４１，５４２が形成され
ている。各第２の共振素子片５４０〜５４２は、前記第
１の共振素子片５２６〜５２８と誘電体層５１３〜５１
５を挟んで対向するように配置されている。第２の共振
素子片５４０〜５４２の一端側は、誘電体層５１６の一
方の長辺に露出し、それぞれ接続電極５０４〜５０６に
接続している。したがって、第２の共振素子片５４０〜
５４２の一端側は、積層体５０１の外面に形成された接
続電極５０４〜５０６を介してそれぞれ対応する第１の
共振素子片５２６〜５２８の一端側と接続している。こ
れにより、第１の共振素子片５２６と第２の共振素子片
５４０が組となって１つの共振素子を構成している。同
様に、第１の共振素子片５２７と第２の共振素子片５４
１、第１の共振素子片５２８と第２の共振素子片５４１
が組となって、それぞれ１つの共振素子を構成してい
る。また、各第２の共振素子片５４０〜５４２の他端側
は、前記グランド端子５０３に接続するよう誘電体層５
１６の一方の長辺に露出している。

【００９８】３つの第２の共振素子片５４０〜５４２の
うち入出力側の第２の共振素子片５４０及び５４２に
は、前記入出力端子５０２と接続する入出力電極５４３
及び５４４が接続されている。この入出力電極５４３及
び５４４の形状等は、第１の実施の形態に係る入出力端
子電極１４３及び１４４と同様である。

【００９９】誘電体層５１７には、第３のグランド電極
５４５が形成されている。第３のグランド電極５４５
は、前記第１のグランド電極５２１と同一の形状を有す
る。

【０１００】ここで、第１のグランド電極５２１，第１
の共振素子片５２６〜５２８，第２のグランド電極５３
６，第２の共振素子片５４０〜５４２，第３のグランド
電極５４５の相互の間隔は、第１の実施の形態と同様で
ある。

【０１０１】このような積層型誘電体フィルタ５００に
よれば、第１の実施形態と同様に、共振素子がそれぞれ
互いに異なる層に形成された１組の第１の共振素子片５
２６〜５２８と第２の共振素子片５４０〜５４２で構成
されるので、各共振素子の電気長を大きく取ることがで
きる。これにより、各共振素子の共振周波数を下げるこ
とができるので、高い品質係数（Ｑ）を維持しつつ小型
化が容易となる。

【０１０２】また、この積層型誘電体フィルタ５００
は、ビアホールを形成する必要がないので、第１の実施
形態と比較して製造が容易である。その他の作用及び効
果については第１の実施形態と同様である。

【０１０３】なお、本実施の形態における積層型誘電体
フィルタ５００においても、第２の実施の形態で説明し
たように、第１の共振素子片５２６〜５２８の表面積を
第２の共振素子片５４０〜５４２の表面積よりも大きく
してもよい。さらに、第３の実施の形態で説明したよう
に、第１の共振素子片５２６〜５２８及び第２の共振素
子片５４０〜５４２において、開放端側の表面積を短絡
端側の表面積よりも大きくしてもよい。さらに、第４の
実施の形態で説明したように、第２の共振素子片５４０
〜５４２と第２のグランド電極５３６の間隔を、第２の
共振素子片５４０〜５４２と第３のグランド電極５４５
の間隔より小さくしてもよい。

【０１０４】また、前述した第１〜第５の各実施形態で
は、結合用電極は、それぞれ誘電体層の短手方向中央付
近に形成したが、設計目標であるフィルタ特性に応じ
て、適宜、波長短縮用電極側又はその反対側へずらした
位置に形成してもよい。

【０１０５】さらに、前述した第１〜第５の各実施形態
では、各入出力端子に対してインダクタを介して共振回
路に接続するようにしたが、一方又は双方をキャパシタ
を介して接続するようにしてもよい。

【０１０６】さらに、前述した第１〜第５の各実施形態
では、各入出力端子を第２の共振素子片に接続するよう
にしたが、一方又は双方を第１の共振素子片に接続する
ようにしてもよい。また、前述した第１〜第３の各実施
形態においては、各入出力端子の一方又は双方を、第１
の共振素子片と第２の共振素子片とを接続するビアホー
ルに接続するようにしてもよい。

【０１０７】さらに、前述した第１〜第５の各実施形態
では、積層体内に３つの共振素子を備えるものを例示し
たが、共振素子が２つであっても、４つ以上であっても
よい。

【０１０８】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
共振素子は第１の共振素子片と第２の共振素子片を有
し、且つ、第１の共振素子片と第２の共振素子片とは第
２のグランド電極を挟んで異なる層に形成されているの
で、共振素子全体の共振周波数を下げることができる。
これにより、共振周波数が同一であれば従来の積層型誘
電体フィルタよりも部品サイズの小型化を図ることがで
きる。

【０１０９】また、第２の共振素子片のインピーダンス
値が第１の共振素子片のインピーダンス値より大きいの
で、共振素子の共振周波数を下げることができる。これ
により、共振周波数が同一であれば従来の積層型誘電体
フィルタよりも部品サイズの小型化を図ることができ
る。

【０１１０】さらに、第２の共振素子片のインピーダン
ス値が第１の共振素子片のインピーダンス値より小さい
ので、所望の共振周波数より高い周波数帯域における不
要な通過帯域の発生を軽減することができる。すなわ
ち、高調波特性に優れたものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態に係る積層型誘電体フィルタの
外観斜視図

【図２】第１の実施形態に係る積層型誘電体フィルタの
積層構造を説明する図

【図３】図２のＡ−Ａ線拡大断面図

【図４】第１の実施形態に係る積層型誘電体フィルタの
等価回路

【図５】第１の実施形態に係る積層型誘電体フィルタの
共振素子の等価回路

【図６】第２の共振素子片のインピーダンスと共振周波
数との関係を示すグラフ

【図７】共振素子の周波数特性を示すグラフ

【図８】第１の実施形態に係る積層型誘電体フィルタの
周波数特性を示すグラフ

【図９】第２の実施の形態に係る積層型誘電体フィルタ
の拡大断面図

【図１０】第２の実施の形態に係る他の例の積層型誘電
体フィルタの拡大断面図

【図１１】第３の実施の形態に係る積層型誘電体フィル
タの各共振素子片を説明する図

【図１２】第４の実施の形態に係る積層型誘電体フィル
タの拡大断面図

【図１３】第５の実施形態に係る積層型誘電体フィルタ
の外観斜視図

【図１４】第５の実施形態に係る積層型誘電体フィルタ
の積層構造を説明する図

【図１５】従来の積層型誘電体フィルタの外観斜視図

【図１６】従来の積層型誘電体フィルタの積層構造を説
明する図

【符号の説明】

１００，２００，３００，４００，５００…積層型誘電
体フィルタ、１０１，２０１，３０１，４０１，５０１
…積層体、１０２，５０２…入出力端子、１０３，５０
３…グランド端子、５０４〜５０６…接続電極、１２
１，２２１，３２１，４２１，５２１…第１のグランド
電極、１２６〜１２８，２２６〜２２８，３２６〜３２
８，４２６〜４２８，５２６〜５２８…第１の共振素子
片、１３６，２３６，３３６，４３６，５３６…第２の
グランド電極、１４０〜１４２，２４０〜２４２，３４
０〜３４２，４４０〜４４２，５４０〜５４２…第２の
共振素子片、１４５，２４５，３４５，４４５，５４５
…第３のグランド電極

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｐ 1/212 Ｈ０１Ｇ 4/40 ３２１Ａ (72)発明者 安田 寿博 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 天野 崇 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AC01 AC05 AH01 AJ01 AJ03 AZ01 5E082 AA01 AB03 BC14 DD08 EE04 EE16 EE23 EE35 FF05 FG06 FG26 FG54 GG10 GG11 JJ02 JJ15 JJ23 KK08 LL15 5J006 HA35 HB05 HB13 HB17 HB21 HB22 JA01 JA31 LA13 LA21 NA03 NB07 NC03 NF02

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電体と導体とを積層してなり共振素子
   が埋設された積層体と、該積層体の外面に形成された入
   出力端子及びグランド端子とを備えた積層型誘電体フィ
   ルタにおいて、 それぞれ前記グランド端子と接続し且つ互いに誘電体層
   を介して配置された第１，第２及び第３のグランド電極
   を備え、 前記共振素子は、 前記第１のグランド電極と前記第２のグランド電極との
   間に誘電体層を介して配置され、且つ、一端側が開放端
   となっている第１の共振素子片と、 前記第２のグランド電極と前記第３のグランド電極との
   間に誘電体層を介して配置され、一端側が前記第１の共
   振素子片の他端側と接続され、他端側が前記グランド端
   子に短絡され、且つ、前記第１の共振素子片よりインピ
   ーダンス値が大きい第２の共振素子片とを有することを
   特徴とする積層型誘電体フィルタ。
2. 【請求項２】 前記第１のグランド電極と前記第２のグ
   ランド電極との間隔が前記第２のグランド電極と前記第
   ３のグランド電極との間隔より小さいことを特徴とする
   請求項１記載の積層型誘電体フィルタ。
3. 【請求項３】 前記第２の共振素子片の表面積が前記第
   １の共振素子片の表面積より小さいことを特徴とする請
   求項１記載の積層型誘電体フィルタ。
4. 【請求項４】 前記第１の共振素子片及び前記第２の共
   振素子片はそれぞれストリップラインからなり、前記第
   ２の共振素子片の幅が前記第１の共振素子片の幅より狭
   いことを特徴とする請求項３記載の積層型誘電体フィル
   タ。
5. 【請求項５】 前記第１の共振素子片又は前記第２の共
   振素子片は、開放端側におけるインピーダンス値が短絡
   端側におけるインピーダンス値よりも小さいことを特徴
   とする請求項１記載の積層型誘電体フィルタ。
6. 【請求項６】 前記第１の共振素子片及び前記第２の共
   振素子片はそれぞれストリップラインからなり、前記第
   １の共振素子片又は前記第２の共振素子片は、短絡端側
   における幅が開放端側における幅よりも狭いことを特徴
   とする請求項５記載の積層型誘電体フィルタ。
7. 【請求項７】 前記第１の共振素子片と第２のグランド
   電極との間隔が前記第１の共振素子片と第１のグランド
   電極との間隔より小さいことを特徴とする請求項１記載
   の積層型誘電体フィルタ。
8. 【請求項８】 前記第２の共振素子片と第２のグランド
   電極との間隔が前記第２の共振素子片と第３のグランド
   電極との間隔より小さいことを特徴とする請求項１記載
   の積層型誘電体フィルタ。