JP2001084756A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2001084756A5 JP2001084756A5 JP1999264629A JP26462999A JP2001084756A5 JP 2001084756 A5 JP2001084756 A5 JP 2001084756A5 JP 1999264629 A JP1999264629 A JP 1999264629A JP 26462999 A JP26462999 A JP 26462999A JP 2001084756 A5 JP2001084756 A5 JP 2001084756A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- information carrier
- magnetic
- magnetization
- driving force
- functional element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 58
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 25
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 17
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】 駆動力を印加することにより磁性体の磁化ベクトルの方向を変化させるようにした磁化駆動方法であって、
上記駆動力を、その印加以前の始状態における上記磁性体の磁化ベクトルに対してほぼ垂直方向にパルス的に印加するようにした
ことを特徴とする磁化駆動方法。
【請求項2】 磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を変化させるための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値またはそれ以上の多値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記駆動力は、その印加以前の始状態における上記情報担体の磁化ベクトルに対してほぼ垂直方向にパルス的に印加される
ことを特徴とする磁気機能素子。
【請求項3】 上記情報担体と上記駆動力印加手段とが基板上に一体に組み合わされて設けられ、固体素子として機能することを特徴とする請求項2記載の磁気機能素子。
【請求項4】 上記駆動力として磁気異方性を起源とする有効磁場を利用することを特徴とする請求項2記載の磁気機能素子。
【請求項5】 上記駆動力として上記情報担体に結合された別の磁性体からおよばされる交換相互作用を起源とする有効磁場を利用することを特徴とする請求項2記載の磁気機能素子。
【請求項6】 上記情報担体を構成する上記磁性体として一軸磁気異方性を有する磁性体を用い、その磁化容易軸に沿った正逆の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、磁化反転の駆動力が上記情報担体の磁化容易軸とほぼ垂直方向に印加されることを特徴とする請求項2記載の磁気機能素子。
【請求項7】 一軸磁気異方性を有する磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を反転させるための駆動力を上記情報担体の静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向にパルス的に印加するための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記駆動力は、上記情報担体の上記静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向が磁化容易軸となるような磁気異方性を発生させることにより発生される
ことを特徴とする磁気機能素子。
【請求項8】 上記駆動力を印加することにより発生される上記磁気異方性は応力誘起磁気異方性であることを特徴とする請求項7記載の磁気機能素子。
【請求項9】 上記情報担体は上記静状態の磁化容易軸をその面に垂直方向に有する垂直磁化膜からなり、上記駆動力が上記情報担体の面にほぼ平行方向に印加されることを特徴とする請求項7記載の磁気機能素子。
【請求項10】 一軸磁気異方性を有する磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を反転させるための駆動力を上記情報担体の静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向にパルス的に印加するための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記駆動力は、上記情報担体に隣接して設けられた別の磁性体からの交換相互作用により発生される
ことを特徴とする磁気機能素子。
【請求項11】 上記情報担体は上記静状態の磁化容易軸をその面内に有する薄膜または平板状の磁性体からなり、上記駆動力が上記情報担体の面にほぼ垂直方向に印加されることを特徴とする請求項10記載の磁気機能素子。
【請求項12】 上記情報担体は上記静状態の磁化容易軸をその面に垂直方向に有する垂直磁化膜からなり、上記駆動力が上記情報担体の面にほぼ平行方向に印加されることを特徴とする請求項10記載の磁気機能素子。
【請求項13】 上記情報担体を構成する上記垂直磁化膜からなる被制御磁性層と固定磁化層とが結合制御層を介して積層された構造を有し、上記結合制御層の働きにより上記被制御磁性層と上記固定磁化層との間の交換相互作用の強さを変化させるようにしたことを特徴とする請求項10記載の磁気機能素子。
【請求項14】 一軸磁気異方性を有する磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を反転させるための駆動力を上記情報担体の静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向にパルス的に印加するための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記駆動力は、上記情報担体の外部から印加される磁場である
ことを特徴とする磁気機能素子。
【請求項15】 一軸磁気異方性を有する磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を反転させるための駆動力を上記情報担体の静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向にパルス的に印加するための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記情報担体は、2層以上の磁性体層が積層された複合構造を有する
ことを特徴とする磁気機能素子。
【請求項16】 上記情報担体を構成する上記2層以上の磁性体層はその面にほぼ垂直方向に磁化容易軸を有する磁性体層を含むことを特徴とする請求項15記載の磁気機能素子。
【請求項17】 上記情報担体を構成する上記2層以上の磁性体層は、異方性付与層と歪みによって敏感に磁気異方性が変化する磁性薄膜とからなることを特徴とする請求項15記載の磁気機能素子。
【請求項18】 一軸磁気異方性を有する磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を反転させるための駆動力を上記情報担体の静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向にパルス的に印加するための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記情報担体の静状態の磁化ベクトルが上記静状態の磁化容易軸に対して所定の角度傾斜している
ことを特徴とする磁気機能素子。
【請求項19】 A.磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を変化させるための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値またはそれ以上の多値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記駆動力は、その印加以前の始状態における上記情報担体の磁化ベクトルに対してほぼ垂直方向にパルス的に印加される磁気機能素子と、
B.ホール効果または磁気抵抗効果により上記磁気機能素子の上記情報担体の磁化方向を読み出す手段と
を有することを特徴とする磁気装置。
【請求項20】 A.一軸磁気異方性を有する磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を反転させるための駆動力を上記情報担体の静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向にパルス的に印加するための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記駆動力は、上記情報担体の上記静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向が磁化容易軸となるような磁気異方性を発生させることにより発生される磁気機能素子と、
B.ホール効果または磁気抵抗効果により上記磁気機能素子の上記情報担体の磁化方向を読み出す手段と
を有することを特徴とする磁気装置。
【請求項21】 A.一軸磁気異方性を有する磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を反転させるための駆動力を上記情報担体の静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向にパルス的に印加するための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記駆動力は、上記情報担体に隣接して設けられた別の磁性体からの交換相互作用により発生される磁気機能素子と、
B.ホール効果または磁気抵抗効果により上記磁気機能素子の上記情報担体の磁化方向を読み出す手段と
を有することを特徴とする磁気装置。
【請求項22】 A.一軸磁気異方性を有する磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を反転させるための駆動力を上記情報担体の静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向にパルス的に印加するための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記駆動力は、上記情報担体の外部から印加される磁場である磁気機能素子と、
B.ホール効果または磁気抵抗効果により上記磁気機能素子の上記情報担体の磁化方向を読み出す手段と
を有することを特徴とする磁気装置。
【請求項23】 A.一軸磁気異方性を有する磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を反転させるための駆動力を上記情報担体の静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向にパルス的に印加するための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記情報担体は、2層以上の磁性体層が積層された複合構造を有する磁気機能素子と、
B.ホール効果または磁気抵抗効果により上記磁気機能素子の上記情報担体の磁化方向を読み出す手段と
を有することを特徴とする磁気装置。
【請求項24】 A.一軸磁気異方性を有する磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を反転させるための駆動力を上記情報担体の静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向にパルス的に印加するための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記情報担体の静状態の磁化ベクトルが上記静状態の磁化容易軸に対して所定の角度傾斜している磁気機能素子と、
B.ホール効果または磁気抵抗効果により上記磁気機能素子の上記情報担体の磁化方向を読み出す手段と
を有することを特徴とする磁気装置。
【請求項1】 駆動力を印加することにより磁性体の磁化ベクトルの方向を変化させるようにした磁化駆動方法であって、
上記駆動力を、その印加以前の始状態における上記磁性体の磁化ベクトルに対してほぼ垂直方向にパルス的に印加するようにした
ことを特徴とする磁化駆動方法。
【請求項2】 磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を変化させるための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値またはそれ以上の多値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記駆動力は、その印加以前の始状態における上記情報担体の磁化ベクトルに対してほぼ垂直方向にパルス的に印加される
ことを特徴とする磁気機能素子。
【請求項3】 上記情報担体と上記駆動力印加手段とが基板上に一体に組み合わされて設けられ、固体素子として機能することを特徴とする請求項2記載の磁気機能素子。
【請求項4】 上記駆動力として磁気異方性を起源とする有効磁場を利用することを特徴とする請求項2記載の磁気機能素子。
【請求項5】 上記駆動力として上記情報担体に結合された別の磁性体からおよばされる交換相互作用を起源とする有効磁場を利用することを特徴とする請求項2記載の磁気機能素子。
【請求項6】 上記情報担体を構成する上記磁性体として一軸磁気異方性を有する磁性体を用い、その磁化容易軸に沿った正逆の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、磁化反転の駆動力が上記情報担体の磁化容易軸とほぼ垂直方向に印加されることを特徴とする請求項2記載の磁気機能素子。
【請求項7】 一軸磁気異方性を有する磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を反転させるための駆動力を上記情報担体の静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向にパルス的に印加するための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記駆動力は、上記情報担体の上記静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向が磁化容易軸となるような磁気異方性を発生させることにより発生される
ことを特徴とする磁気機能素子。
【請求項8】 上記駆動力を印加することにより発生される上記磁気異方性は応力誘起磁気異方性であることを特徴とする請求項7記載の磁気機能素子。
【請求項9】 上記情報担体は上記静状態の磁化容易軸をその面に垂直方向に有する垂直磁化膜からなり、上記駆動力が上記情報担体の面にほぼ平行方向に印加されることを特徴とする請求項7記載の磁気機能素子。
【請求項10】 一軸磁気異方性を有する磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を反転させるための駆動力を上記情報担体の静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向にパルス的に印加するための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記駆動力は、上記情報担体に隣接して設けられた別の磁性体からの交換相互作用により発生される
ことを特徴とする磁気機能素子。
【請求項11】 上記情報担体は上記静状態の磁化容易軸をその面内に有する薄膜または平板状の磁性体からなり、上記駆動力が上記情報担体の面にほぼ垂直方向に印加されることを特徴とする請求項10記載の磁気機能素子。
【請求項12】 上記情報担体は上記静状態の磁化容易軸をその面に垂直方向に有する垂直磁化膜からなり、上記駆動力が上記情報担体の面にほぼ平行方向に印加されることを特徴とする請求項10記載の磁気機能素子。
【請求項13】 上記情報担体を構成する上記垂直磁化膜からなる被制御磁性層と固定磁化層とが結合制御層を介して積層された構造を有し、上記結合制御層の働きにより上記被制御磁性層と上記固定磁化層との間の交換相互作用の強さを変化させるようにしたことを特徴とする請求項10記載の磁気機能素子。
【請求項14】 一軸磁気異方性を有する磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を反転させるための駆動力を上記情報担体の静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向にパルス的に印加するための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記駆動力は、上記情報担体の外部から印加される磁場である
ことを特徴とする磁気機能素子。
【請求項15】 一軸磁気異方性を有する磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を反転させるための駆動力を上記情報担体の静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向にパルス的に印加するための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記情報担体は、2層以上の磁性体層が積層された複合構造を有する
ことを特徴とする磁気機能素子。
【請求項16】 上記情報担体を構成する上記2層以上の磁性体層はその面にほぼ垂直方向に磁化容易軸を有する磁性体層を含むことを特徴とする請求項15記載の磁気機能素子。
【請求項17】 上記情報担体を構成する上記2層以上の磁性体層は、異方性付与層と歪みによって敏感に磁気異方性が変化する磁性薄膜とからなることを特徴とする請求項15記載の磁気機能素子。
【請求項18】 一軸磁気異方性を有する磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を反転させるための駆動力を上記情報担体の静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向にパルス的に印加するための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記情報担体の静状態の磁化ベクトルが上記静状態の磁化容易軸に対して所定の角度傾斜している
ことを特徴とする磁気機能素子。
【請求項19】 A.磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を変化させるための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値またはそれ以上の多値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記駆動力は、その印加以前の始状態における上記情報担体の磁化ベクトルに対してほぼ垂直方向にパルス的に印加される磁気機能素子と、
B.ホール効果または磁気抵抗効果により上記磁気機能素子の上記情報担体の磁化方向を読み出す手段と
を有することを特徴とする磁気装置。
【請求項20】 A.一軸磁気異方性を有する磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を反転させるための駆動力を上記情報担体の静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向にパルス的に印加するための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記駆動力は、上記情報担体の上記静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向が磁化容易軸となるような磁気異方性を発生させることにより発生される磁気機能素子と、
B.ホール効果または磁気抵抗効果により上記磁気機能素子の上記情報担体の磁化方向を読み出す手段と
を有することを特徴とする磁気装置。
【請求項21】 A.一軸磁気異方性を有する磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を反転させるための駆動力を上記情報担体の静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向にパルス的に印加するための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記駆動力は、上記情報担体に隣接して設けられた別の磁性体からの交換相互作用により発生される磁気機能素子と、
B.ホール効果または磁気抵抗効果により上記磁気機能素子の上記情報担体の磁化方向を読み出す手段と
を有することを特徴とする磁気装置。
【請求項22】 A.一軸磁気異方性を有する磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を反転させるための駆動力を上記情報担体の静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向にパルス的に印加するための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記駆動力は、上記情報担体の外部から印加される磁場である磁気機能素子と、
B.ホール効果または磁気抵抗効果により上記磁気機能素子の上記情報担体の磁化方向を読み出す手段と
を有することを特徴とする磁気装置。
【請求項23】 A.一軸磁気異方性を有する磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を反転させるための駆動力を上記情報担体の静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向にパルス的に印加するための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記情報担体は、2層以上の磁性体層が積層された複合構造を有する磁気機能素子と、
B.ホール効果または磁気抵抗効果により上記磁気機能素子の上記情報担体の磁化方向を読み出す手段と
を有することを特徴とする磁気装置。
【請求項24】 A.一軸磁気異方性を有する磁性体からなる情報担体と、
上記情報担体の磁化ベクトルの方向を反転させるための駆動力を上記情報担体の静状態の磁化容易軸とほぼ垂直方向にパルス的に印加するための駆動力印加手段とを有し、
上記情報担体の磁化方向によって2値の情報を扱う磁気機能素子であって、
上記情報担体の静状態の磁化ベクトルが上記静状態の磁化容易軸に対して所定の角度傾斜している磁気機能素子と、
B.ホール効果または磁気抵抗効果により上記磁気機能素子の上記情報担体の磁化方向を読み出す手段と
を有することを特徴とする磁気装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26462999A JP2001084756A (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | 磁化駆動方法、磁気機能素子および磁気装置 |
US09/664,467 US6483741B1 (en) | 1999-09-17 | 2000-09-18 | Magnetization drive method, magnetic functional device, and magnetic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26462999A JP2001084756A (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | 磁化駆動方法、磁気機能素子および磁気装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001084756A JP2001084756A (ja) | 2001-03-30 |
JP2001084756A5 true JP2001084756A5 (ja) | 2006-04-20 |
Family
ID=17406007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26462999A Abandoned JP2001084756A (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | 磁化駆動方法、磁気機能素子および磁気装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6483741B1 (ja) |
JP (1) | JP2001084756A (ja) |
Families Citing this family (86)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3312174B2 (ja) * | 1999-09-24 | 2002-08-05 | 東北大学長 | 高密度磁気固定メモリの書き込み方法及び高密度磁気固定メモリ |
US6424561B1 (en) * | 2000-07-18 | 2002-07-23 | Micron Technology, Inc. | MRAM architecture using offset bits for increased write selectivity |
US6579635B2 (en) * | 2000-10-12 | 2003-06-17 | International Business Machines Corporation | Smoothing and stabilization of domain walls in perpendicularly polarized magnetic films |
US6724674B2 (en) * | 2000-11-08 | 2004-04-20 | International Business Machines Corporation | Memory storage device with heating element |
EP1239307A1 (en) * | 2001-03-09 | 2002-09-11 | Sicpa Holding S.A. | Magnetic thin film interference device |
JP2003060211A (ja) * | 2001-06-06 | 2003-02-28 | Hokkaido Univ | スピンデバイス及びその製造方法 |
WO2002103798A1 (fr) * | 2001-06-19 | 2002-12-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Memoire magnetique et procede de commande associe, ainsi qu'appareil de memoire magnetique comprenant celle-ci |
JP2003007982A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Nec Corp | 磁気記憶装置及び磁気記憶装置の設計方法 |
EP1310962A1 (en) * | 2001-11-08 | 2003-05-14 | Hitachi Ltd. | Magnetic memory cell |
JP2003124539A (ja) * | 2001-10-09 | 2003-04-25 | Canon Inc | 磁気抵抗効果膜およびそれを用いたメモリ |
US6829157B2 (en) * | 2001-12-05 | 2004-12-07 | Korea Institute Of Science And Technology | Method of controlling magnetization easy axis in ferromagnetic films using voltage, ultrahigh-density, low power, nonvolatile magnetic memory using the control method, and method of writing information on the magnetic memory |
US6795336B2 (en) * | 2001-12-07 | 2004-09-21 | Hynix Semiconductor Inc. | Magnetic random access memory |
DE10214946B4 (de) * | 2002-04-04 | 2006-01-19 | "Stiftung Caesar" (Center Of Advanced European Studies And Research) | TMR-Sensor |
US20030206358A1 (en) * | 2002-05-03 | 2003-11-06 | Loh David Kok Leong | Head instability detection for a data storage device |
US6985318B2 (en) * | 2002-06-06 | 2006-01-10 | Seagate Technology Llc | Method and apparatus for precessional switching of the magnetization of storage medium using a transverse write field |
US6633498B1 (en) * | 2002-06-18 | 2003-10-14 | Motorola, Inc. | Magnetoresistive random access memory with reduced switching field |
US7020015B1 (en) * | 2002-10-03 | 2006-03-28 | Idaho Research Foundation, Inc. | Magnetic elements having unique shapes |
JP3931876B2 (ja) * | 2002-11-01 | 2007-06-20 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗デバイス及びその製造方法 |
US7394626B2 (en) | 2002-11-01 | 2008-07-01 | Nec Corporation | Magnetoresistance device with a diffusion barrier between a conductor and a magnetoresistance element and method of fabricating the same |
JP3813920B2 (ja) * | 2002-11-13 | 2006-08-23 | 株式会社東芝 | 磁気デバイス及び磁気メモリ |
JP2004200245A (ja) | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Nec Corp | 磁気抵抗素子及び磁気抵抗素子の製造方法 |
US6917087B2 (en) * | 2003-02-21 | 2005-07-12 | Micron Technology, Inc. | Tilted array geometry for improved MRAM switching |
US7144640B2 (en) * | 2003-08-01 | 2006-12-05 | Agency For Science, Technology And Research | Tilted media for hard disk drives and magnetic data storage devices |
US6794697B1 (en) * | 2003-10-01 | 2004-09-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Asymmetric patterned magnetic memory |
JP2005123488A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-05-12 | Rikogaku Shinkokai | 磁化反転方法、磁化反転装置、磁気メモリ及び磁気メモリの製造方法 |
US7282755B2 (en) * | 2003-11-14 | 2007-10-16 | Grandis, Inc. | Stress assisted current driven switching for magnetic memory applications |
US7602000B2 (en) | 2003-11-19 | 2009-10-13 | International Business Machines Corporation | Spin-current switched magnetic memory element suitable for circuit integration and method of fabricating the memory element |
US7257018B2 (en) * | 2003-12-12 | 2007-08-14 | Macronix International Co., Ltd. | Method and apparatus for a low write current MRAM having a write magnet |
EP1548702A1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-06-29 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Method for ultra-fast controlling of a magnetic cell and related devices |
US7436700B2 (en) * | 2004-02-06 | 2008-10-14 | Infineon Technologies Ag | MRAM memory cell having a weak intrinsic anisotropic storage layer and method of producing the same |
JP4506242B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-07-21 | Tdk株式会社 | 磁気検出素子 |
JP3863536B2 (ja) * | 2004-05-17 | 2006-12-27 | 株式会社東芝 | 磁気ランダムアクセスメモリ及びその磁気ランダムアクセスメモリのデータ書き込み方法 |
JP2008507805A (ja) * | 2004-07-27 | 2008-03-13 | ユニバーシティー オブ トロント | 調整可能な磁気スイッチ |
JP5093747B2 (ja) * | 2004-11-16 | 2012-12-12 | 日本電気株式会社 | 磁気メモリ |
JP2006165327A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Toshiba Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ |
KR100754930B1 (ko) * | 2004-12-22 | 2007-09-03 | 한국과학기술원 | 전압제어 자화반전 기록방식의 mram 소자 및 이를이용한 정보의 기록 및 판독 방법 |
JP2006185961A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Toshiba Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ |
EP1684305B1 (en) * | 2005-01-14 | 2011-05-11 | Bundesrepublik Deutschland, vertr. durch das Bundesministerium f. Wirtschaft und Technologie, | Magnetic memory device and method of magnetization reversal of the magnetization of at least one magnetic memory element |
ATE541295T1 (de) * | 2005-01-24 | 2012-01-15 | Nxp Bv | Magnetisches speichersystem unter verwendung von mram-abtaster |
DE102005043574A1 (de) * | 2005-03-30 | 2006-10-05 | Universität Duisburg-Essen | Magnetoresistives Element, insbesondere Speicherelement oder Lokikelement, und Verfahren zum Schreiben von Informationen in ein derartiges Element |
US7701756B2 (en) | 2005-12-21 | 2010-04-20 | Governing Council Of The University Of Toronto | Magnetic memory composition and method of manufacture |
US7411803B1 (en) * | 2006-02-27 | 2008-08-12 | Richard Lienau | Resistive coupled hall effect sensor |
JP4150047B2 (ja) | 2006-06-28 | 2008-09-17 | 株式会社東芝 | 磁気記憶装置 |
FR2907587B1 (fr) * | 2006-10-23 | 2008-12-26 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif magnetique a animation perpendiculaire et a couche intercalaire compensatrice d'interactions. |
FR2910716B1 (fr) * | 2006-12-26 | 2010-03-26 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif magnetique multicouches, procede pour sa realisation, capteur de champ magnetique, memoire magnetique et porte logique mettant en oeuvre un tel dispositif |
KR100862183B1 (ko) * | 2007-06-29 | 2008-10-09 | 고려대학교 산학협력단 | 강자성 물질의 도메인 구조 및 다중 상태를 이용한 자기기억 소자 |
EP2015307B8 (en) * | 2007-07-13 | 2013-05-15 | Hitachi Ltd. | Magnetoresistive device |
KR101291778B1 (ko) | 2007-12-19 | 2013-07-30 | 후지 덴키 가부시키가이샤 | 스핀 밸브 소자의 구동 방법 및 스핀 밸브 소자 |
US8279661B2 (en) * | 2007-12-19 | 2012-10-02 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic memory element, driving method for the same, and nonvolatile storage device |
FR2937783B1 (fr) * | 2008-10-24 | 2011-06-10 | Inst Nat Polytech Grenoble | Procede et dispositif d'actionnement magnetique |
US8129043B2 (en) * | 2009-04-14 | 2012-03-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | System, method and apparatus for strain-assisted magnetic recording for controlling switching field and tightening switching field distribution in bit patterned media |
JP5435026B2 (ja) * | 2009-05-19 | 2014-03-05 | 富士電機株式会社 | 磁気メモリ素子およびそれを用いる記憶装置 |
US8134279B2 (en) * | 2009-10-14 | 2012-03-13 | King Fahd University Of Petroleum And Minerals | Piezoelectric damping device |
US9093163B2 (en) * | 2010-01-14 | 2015-07-28 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive device |
KR20110105255A (ko) | 2010-03-18 | 2011-09-26 | 삼성전자주식회사 | 적층 구조를 갖는 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
FR2961632B1 (fr) * | 2010-06-18 | 2013-04-19 | Centre Nat Rech Scient | Memoire magnetoelectrique |
JP2012119565A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Tokyo Institute Of Technology | 磁気異方性制御方法 |
US8921962B2 (en) * | 2011-04-19 | 2014-12-30 | Virginia Commonwealth University | Planar multiferroic/magnetostrictive nanostructures as memory elements, two-stage logic gates and four-state logic elements for information processing |
EP2528060B1 (en) * | 2011-05-23 | 2016-12-14 | Crocus Technology S.A. | Multibit cell with synthetic storage layer |
EP2541554B1 (en) | 2011-06-30 | 2015-12-30 | Hitachi, Ltd. | Magnetic functional device |
KR20130056013A (ko) * | 2011-11-21 | 2013-05-29 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 소자 |
US9007818B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-04-14 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, semiconductor device structures, systems including such cells, and methods of fabrication |
US9054030B2 (en) | 2012-06-19 | 2015-06-09 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, semiconductor device structures, memory systems, and methods of fabrication |
US8923038B2 (en) | 2012-06-19 | 2014-12-30 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, semiconductor device structures, memory systems, and methods of fabrication |
US9379315B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-06-28 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of fabrication, semiconductor device structures, and memory systems |
US20140306303A1 (en) * | 2013-04-16 | 2014-10-16 | Headway Technologies, Inc. | Seed Layer for Perpendicular Magnetic Anisotropy (PMA) Thin Film |
US9368714B2 (en) | 2013-07-01 | 2016-06-14 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of operation and fabrication, semiconductor device structures, and memory systems |
US9466787B2 (en) | 2013-07-23 | 2016-10-11 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of fabrication, semiconductor device structures, memory systems, and electronic systems |
US9461242B2 (en) | 2013-09-13 | 2016-10-04 | Micron Technology, Inc. | Magnetic memory cells, methods of fabrication, semiconductor devices, memory systems, and electronic systems |
US9608197B2 (en) | 2013-09-18 | 2017-03-28 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices |
JP2015162536A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 国立大学法人東京工業大学 | 積層構造体、スイッチング素子、磁気デバイス、及び積層構造体の製造方法 |
US10454024B2 (en) | 2014-02-28 | 2019-10-22 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of fabrication, and memory devices |
US9281466B2 (en) | 2014-04-09 | 2016-03-08 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication |
US9269888B2 (en) | 2014-04-18 | 2016-02-23 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices |
US9269415B1 (en) | 2014-09-18 | 2016-02-23 | International Business Machines Corporation | Utilization of the anomalous hall effect or polarized spin hall effect for MRAM applications |
US9349945B2 (en) | 2014-10-16 | 2016-05-24 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, semiconductor devices, and methods of fabrication |
US9768377B2 (en) | 2014-12-02 | 2017-09-19 | Micron Technology, Inc. | Magnetic cell structures, and methods of fabrication |
US10439131B2 (en) | 2015-01-15 | 2019-10-08 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor devices including tunnel barrier materials |
WO2016194886A1 (ja) | 2015-06-03 | 2016-12-08 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | 磁気抵抗素子および記憶回路 |
WO2017018391A1 (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 国立大学法人東京大学 | メモリ素子 |
CN109003644B (zh) * | 2018-05-31 | 2021-05-14 | 沈阳工业大学 | 一种改变外界温度环境的磁记忆实验装置 |
JP7207671B2 (ja) * | 2018-11-30 | 2023-01-18 | 世宗大学校産学協力団 | 異常ホール効果を利用する磁気センサ、ホールセンサおよびホールセンサの製造方法 |
CN113424331A (zh) | 2019-02-15 | 2021-09-21 | 应用材料公司 | 磁性存储器装置及形成方法 |
US11189780B2 (en) * | 2019-04-18 | 2021-11-30 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Anisotropic strain-driven magnetoelectric devices |
CN112712830B (zh) * | 2020-12-09 | 2022-05-13 | 中国人民解放军国防科技大学 | 电压诱导的纳米点磁化单轴到涡旋态的非易失调控方法 |
JPWO2023153361A1 (ja) * | 2022-02-09 | 2023-08-17 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5695864A (en) * | 1995-09-28 | 1997-12-09 | International Business Machines Corporation | Electronic device using magnetic components |
US5703805A (en) * | 1996-05-08 | 1997-12-30 | Motorola | Method for detecting information stored in a MRAM cell having two magnetic layers in different thicknesses |
US5930165A (en) * | 1997-10-31 | 1999-07-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Fringe field superconducting system |
US5982660A (en) * | 1998-08-27 | 1999-11-09 | Hewlett-Packard Company | Magnetic memory cell with off-axis reference layer orientation for improved response |
-
1999
- 1999-09-17 JP JP26462999A patent/JP2001084756A/ja not_active Abandoned
-
2000
- 2000-09-18 US US09/664,467 patent/US6483741B1/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001084756A5 (ja) | ||
EP0797187A3 (en) | Spin valve magnetoresistive transducers having permanent magnets | |
EP0911810A3 (en) | Magnetic tunnel junction devices | |
EP0875901A3 (en) | Magnetic thin-film memory element utilizing GMR effect, and magnetic thin-film memory | |
EP1310944A3 (en) | Giant magnetoresistive transducer | |
MY128786A (en) | Soft magnetic film for perpendicular recording disk | |
AU2003225795A1 (en) | Synthetic-ferrimagnet sense-layer for high density mram applications | |
KR960011854A (ko) | 자기저항효과 박막 및 그 제조방법 | |
MY114553A (en) | Spin valve magnetoresistive sensor with antiparallel pinned layer and improved exchange bias layer, and magnetic recording system using the sensor | |
EP1061592A3 (en) | Magneto-resistance effect element, and its use as memory element | |
JPH11102508A (ja) | 薄膜磁気変換器 | |
JP7052448B2 (ja) | スピン軌道トルク型磁化回転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び発振器 | |
JP2004510326A5 (ja) | ||
WO2001073762A3 (en) | Magnetic recording medium | |
EP1244118A3 (en) | Magnetoresistive element and MRAM using the same | |
JP7095434B2 (ja) | スピン流磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ | |
EP1398789A3 (en) | Magnetic random access memory with soft magnetic reference layers | |
JP2005019990A5 (ja) | ||
TWI628788B (zh) | Spin control mechanism and spin device | |
EP0989411A3 (en) | Magneto-impedance effect element | |
Duenas et al. | Micro-sensor coupling magnetostriction and magnetoresistive phenomena | |
JP2017168514A5 (ja) | 積層磁性薄膜、積層磁性薄膜の製造方法、および磁気メモリ装置 | |
JP2003516597A5 (ja) | ||
EP1265249A3 (en) | Magneto-resistance effect film and memory using it | |
KR102394058B1 (ko) | 층상구조 자성체를 포함하는 전압 제어 자기 저항 소자 |