JP2005123488A - 磁化反転方法、磁化反転装置、磁気メモリ及び磁気メモリの製造方法 - Google Patents
磁化反転方法、磁化反転装置、磁気メモリ及び磁気メモリの製造方法 Download PDFInfo
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- 230000005415 magnetization Effects 0.000 title claims abstract description 116
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 92
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Semiconductor Memories (AREA)
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Abstract
【解決手段】磁性層2上に圧電素子4を形成し、磁性層2の回りに圧電素子4への配線をコイル5として巻回する。コイル5は外部磁場により磁化容易軸の方向の磁化エネルギーE1を磁性層2内に発生し、圧電素子4は磁性層2に歪みを発生させて磁歪に起因する逆磁歪効果により磁化容易軸と異なる方向の磁気異方性エネルギーK2を発生する。
【選択図】 図2
Description
K2=(3/2)λσ
ただし、λは自由磁性層2の磁歪定数、
σは自由磁性層2の歪みによる応力
である。
2:自由磁性層
3:非磁性絶縁層
4:圧電素子
5:コイル
WL1,WL2,…:ワード線
W1,W2,…:書込み線
BL1,BL2,…:ビット線
DECR:ワード線デコーダ
DECW:書込み線デコーダ
DECB:ビット線デコーダ
Cij:メモリセル
SA1,SA2,…:センスアンプ
Claims (17)
- 磁化容易軸方向に第1の磁気異方性エネルギー(K1)を有して該磁化容易軸方向に磁化された磁性層(2)に対して、外部磁場により前記磁化容易軸の方向の磁化エネルギー(E1)を前記磁性層内に発生すると共に、該磁性層の磁歪に起因する逆磁歪効果により前記磁化容易軸と異なる方向の第2の磁気異方性エネルギー(K2)を前記磁性層内に発生させることにより前記磁性層の磁化方向を反転させる磁化反転方法。
- 垂直磁化容易軸方向に第1の磁気異方性エネルギー(K1)を有して該垂直磁化容易軸方向に磁化された磁性層(2)に対して、外部磁場により前記磁化容易軸の方向の磁化エネルギー(E1)を前記垂直磁性層内に発生すると共に、該磁性層の磁歪に起因する逆磁歪効果により前記磁化容易軸と異なる前記磁性層の面内方向の第2の磁気異方性エネルギー(K2)を前記磁性層内に発生させることにより前記磁性層の磁化方向を反転させる磁化反転方法。
- 固定磁性層(1)と、
自由磁性層(2)と、
該自由磁性層と前記固定磁性層とによって挟まれた非磁性絶縁層(3)とを具備し、前記固定磁性層及び前記自由磁性層は同一の磁化容易軸を有しているトンネル型磁気抵抗素子において、
前記磁化容易軸方向に第1の磁気異方性エネルギー(K1)を有して該磁化容易軸方向に磁化された前記自由磁性層に対して、外部磁場により前記磁化容易軸の方向の磁化エネルギー(E1)を前記磁性層内に発生すると共に、該自由磁性層の磁歪に起因する逆磁歪効果により前記磁化容易軸と異なる方向の第2の磁気異方性エネルギー(K2)を前記自由磁性層内に発生させることにより前記自由磁性層の磁化方向を反転させる磁化反転方法。 - 固定磁性層(1)と、
自由磁性層(2)と、
該自由磁性層と前記固定磁性層とによって挟まれた非磁性絶縁層(3)とを具備し、前記固定磁性層及び前記自由磁性層は同一の垂直磁化容易軸を有しているトンネル型磁気抵抗素子において、
垂直磁化容易軸方向に第1の磁気異方性エネルギー(K1)を有して該垂直磁化容易軸方向に磁化された前記自由磁性層に対して、外部磁場により前記磁化容易軸の方向の磁化エネルギー(E1)を前記垂直磁性層内に発生すると共に、該自由磁性層の磁歪に起因する逆磁歪効果により前記磁化容易軸と異なる前記自由磁性層の面内方向の第2の磁気異方性エネルギー(K2)を前記自由磁性層内に発生させることにより前記自由磁性層の磁化方向を反転させる磁化反転方法。 - 磁化容易軸の方向の第1の磁気異方性エネルギー(K1)を有して該磁化容易軸方向に磁化された磁性層(2)の磁化方向を反転させる磁化反転装置において、
外部磁場により前記磁化容易軸の方向の磁化エネルギー(E1)を前記磁性層内に発生させる外部磁場発生手段(5)と、
前記磁性層上に形成され、該磁性層に歪みを発生させて磁歪に起因する逆磁歪効果により前記磁化容易軸と異なる方向の第2の磁気異方性エネルギー(K2)を前記磁性層内に発生させるための圧電素子(4)と
を具備することを特徴とする磁化反転装置。 - 垂直磁化容易軸の方向の第1の磁気異方性エネルギーを有して該垂直磁化容易軸方向に磁化された磁性層(2)の磁化方向を反転させる磁化反転装置において、
外部磁場により前記垂直磁化容易軸の方向の磁化エネルギー(E1)を前記磁性層内に発生させる外部磁場発生手段(5)と、
前記磁性層上に形成され、該磁性層に歪みを発生させて磁歪に起因する逆磁歪効果により前記垂直磁化容易軸と異なる前記磁性層の膜内方向の第2の磁気異方性エネルギー(K2)を前記磁性層内に発生させるための圧電素子(4)と
を具備することを特徴とする磁化反転装置。 - 固定磁性層(1)と、
自由磁性層(2)と、
該自由磁性層と前記固定磁性層とによって挟まれた非磁性絶縁層(3)とを具備し、前記固定磁性層及び前記自由磁性層は同一の磁化容易軸を有しているトンネル型磁気抵抗素子において、前記磁化容易軸の方向の第1の磁気異方性エネルギー(K1)を有して該磁化容易軸方向に磁化された前記自由磁性層の磁化方向を反転させる磁化反転装置であって、
外部磁場により前記磁化容易軸の方向の磁化エネルギー(E1)を前記自由磁性層内に発生させる外部磁場発生手段(5)と、
前記自由磁性層上に形成され、該自由磁性層に歪みを発生させて磁歪に起因する逆磁歪効果により前記磁化容易軸と異なる方向の第2の磁気異方性エネルギー(K2)を前記自由磁性層内に発生させるための圧電素子(4)と
を具備する磁化反転装置。 - 固定磁性層(1)と、
自由磁性層(2)と、
該自由磁性層と前記固定磁性層とによって挟まれた非磁性絶縁層(3)とを具備し、前記固定磁性層及び前記自由磁性層は同一の垂直磁化容易軸を有しているトンネル型磁気抵抗素子において、前記垂直磁化容易軸の方向の第1の磁気異方性エネルギー(K1)を有して磁化された前記自由磁性層の磁化方向を反転させる磁化反転装置であって、
外部磁場により前記垂直磁化容易軸の方向の磁化エネルギー(E1)を前記自由磁性層内に発生させる外部磁場発生手段(5)と、
前記自由磁性層上に形成され、該自由磁性層に歪みを発生させて磁歪に起因する逆磁歪効果により前記垂直磁化容易軸と異なる前記自由磁性層の膜内方向の第2の磁気異方性エネルギー(K2)を前記自由磁性層内に発生させるための圧電素子(4)と
を具備する磁化反転装置。 - 前記外部磁場発生手段(5)が前記圧電素子の配線(4)により構成された請求項5、6、7または8に記載の磁化反転装置。
- さらに、前記配線を介して前記圧電素子に過渡電流を供給する過渡電流供給手段を具備し、これにより、前記外部磁場及び前記第2の磁気異方性エネルギー(K2)を同時に発生しめるようにした請求項9に記載の磁化反転装置。
- 複数のワード線(WL1,WL2,…)と、
複数のビット線(BL1,BL2,…)と、
複数の書込み線(W1,W2,…)と、
複数のメモリセル(C11,C12,…)と
を具備し、
前記各メモリセルは、
圧電素子(4)と、
前記ビット線の1つに接続され、前記圧電素子に接着された磁化容易軸を有する自由磁性層(2)と、
前記書込み線の1つと前記圧電素子との間に接続され、外部磁場により前記磁化容易軸の方向の磁化エネルギー(E1)を前記自由磁性層内に発生するための外部磁場発生手段(5)と、
前記ビット線の1つに接続され、前記磁化容易軸を有する固定磁性層(1)と、
該固定磁性層と前記自由磁性層とによって挟まれた非磁性絶縁層(3)と、
前記固定磁性層と第1の電源電圧(GND)の第1の電源手段との間に接続され、前記ワード線の1つの電圧によって制御されるスイッチング素子(SW)と
を具備し、
書込みモード時には、前記ビット線の1つに前記第1の電源電圧を供給すると共に、前記書込み線の1つにデータ信号を供給し、
読出しモード時には、前記ビット線の1つに第2の電源電圧(VDD)を供給すると共に前記ワード線の1つの電圧によって前記スイッチング素子をオンとする
磁気メモリ。 - 前記外部磁場発生手段が前記自由磁性層に巻回されたコイルである請求項11に記載の磁気メモリ。
- 前記データ信号は正または負のパルス信号にあり、これにより、前記コイルに過渡電流を発生させる請求項12に記載の磁気メモリ。
- 前記圧電素子により前記自由磁性層の磁歪に起因する逆磁歪効果により前記磁化容易軸の方向と異なる方向の磁気異方性エネルギーを発生する請求項11に記載の磁気メモリ。
- 前記圧電素子により前記自由磁性層の磁歪に起因する逆磁歪効果により前記磁化容易軸の方向と異なる前記自由磁性層の膜内方向の磁気異方性エネルギーを発生する請求項14に記載の磁気メモリ。
- 前記磁化容易軸が前記自由磁性層及び前記固定磁性層に対して垂直である請求項11に記載の磁気メモリ。
- 半導体基板(101)にスイッチング素子(SW)としてのトランジスタを形成する工程と、
該トランジスタの不純物拡散領域(105D)上に固定磁性層(1)を形成する工程と、
該固定磁性層上に非磁性絶縁層(3)を形成する工程と、
前記非磁性絶縁層上に自由磁性層(2)を形成する工程と、
該自由磁性層上に圧電素子(4)を形成する工程と、
該圧電素子に接続され、前記非磁性絶縁層上に前記自由磁性層の回りに渦巻状にコイル(5)を形成する工程と、
前記自由磁性層に接続された導電層(BLj)を形成する工程と
を具備する磁気メモリの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003358654A JP2005123488A (ja) | 2003-10-20 | 2003-10-20 | 磁化反転方法、磁化反転装置、磁気メモリ及び磁気メモリの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003358654A JP2005123488A (ja) | 2003-10-20 | 2003-10-20 | 磁化反転方法、磁化反転装置、磁気メモリ及び磁気メモリの製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2005123488A true JP2005123488A (ja) | 2005-05-12 |
JP2005123488A5 JP2005123488A5 (ja) | 2006-09-28 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2003358654A Pending JP2005123488A (ja) | 2003-10-20 | 2003-10-20 | 磁化反転方法、磁化反転装置、磁気メモリ及び磁気メモリの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2005123488A (ja) |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A02 | Decision of refusal |
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