JP2001076634A - 集束イオンビーム装置 - Google Patents
集束イオンビーム装置Info
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- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching for microworking, e.g. etching of gratings, trimming of electrical components
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 集束イオンビーム装置のイオン銃のサプレッ
サ電極を削除してイオン引き出し電圧を下げてイオンビ
ーム径を小さくし、且つ、引き出し電圧を制御すること
によってエミッション電流を安定化する装置を提供する
こと。 【解決手段】引き出し電圧を、設定すべき目標電流値と
観測される観測電流との差と、フラッシング後のエミッ
ションの積算時間と、エミッション停止の積算時間との
関数として制御する制御系を備える。更に、必要に応じ
て上記引き出し電圧の変更を禁止するフラッグをソフト
ウェアプログラムに備える。
サ電極を削除してイオン引き出し電圧を下げてイオンビ
ーム径を小さくし、且つ、引き出し電圧を制御すること
によってエミッション電流を安定化する装置を提供する
こと。 【解決手段】引き出し電圧を、設定すべき目標電流値と
観測される観測電流との差と、フラッシング後のエミッ
ションの積算時間と、エミッション停止の積算時間との
関数として制御する制御系を備える。更に、必要に応じ
て上記引き出し電圧の変更を禁止するフラッグをソフト
ウェアプログラムに備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集束イオンビーム
装置に関し、詳しくはエミッタからのイオンビームの引
き出しに関する。
装置に関し、詳しくはエミッタからのイオンビームの引
き出しに関する。
【０００２】
【従来の技術】Ga等の金属イオン源を用いた集束イオン
ビームによる材料の加工や集束イオンビームを二次元的
に走査しながら材料に照射して試料から得られる二次イ
オンを検出して走査イオン顕微鏡（SIM、Scanning Ion
Microscope）像の観察を目的とした集束イオンビーム
（FIB、Focused Ion Beam) 装置が広く用いられてい
る。
ビームによる材料の加工や集束イオンビームを二次元的
に走査しながら材料に照射して試料から得られる二次イ
オンを検出して走査イオン顕微鏡（SIM、Scanning Ion
Microscope）像の観察を目的とした集束イオンビーム
（FIB、Focused Ion Beam) 装置が広く用いられてい
る。
【０００３】そのFIBのイオン光学系の一例を図４に示
す。図中、１は高真空に保持されたイオン照射系の鏡
筒、２はイオン源となるエミッタ、３はイオンビームを
引き出すための引き出し電極、４はイオンビームを所望
のエネルギに加速する加速電極、５はイオンビームの電
流を所望の電流値に調節する集束レンズであって、引き
出し電極３と加速電極４とを兼ねた静電型のものであ
る。６はイオンビームを制限するアパーチャ、７はイオ
ンビームを二次元的に偏向・走査する偏向電極である。
８はイオンビームをフォーカスして試料に照射する対物
レンズであって、例えば３枚の電極から成る静電型のも
のである。９は加工またはSIM像を観察しようとする試
料、１０は試料を載置し試料の位置と傾きを自在に調節
できる試料ステージ、１１は試料室である。なお、図示
しないが、エミッタ２、各電極３等、各レンズ５等、試
料ステージ１０には、これらを動作させるための電源や
制御回路が接続されている。更に、同じく図示しない
が、試料９で発生した信号、例えば二次イオンを検出す
る検出器、検出器からの信号の処理回路、SIM像観察の
ための表示装置等が接続されている。この様なFIB装置
で材料（試料９）をイオンビーム加工する、あるいはSI
M像を観察するに際しては、できるだけ高い分解能（イ
オンビームの径と考えてよい）とイオンビーム電流等が
十分に安定していることが望まれる。このため、一般的
なFIB装置では、 図５に示すように、エミッタ２と引き
出し電極３との間に、更にサプレッサ電極Ｓを追加し
て、エミッタ２からのエミッション電流を安定化する方
法が広く採用されている。このサプレッサ電極Ｓの挿入
は、エミッション電流ひいてはイオンビーム電流を容易
に安定化できる以外にも利点が多い。例えば、引き出し
電圧を一定にできるとか、安定化のためにサプレッサ電
極Ｓに印加する電圧を制御しても、イオンビームへの影
響（照射位置やビーム径の変化など）が少ない等であ
る。
す。図中、１は高真空に保持されたイオン照射系の鏡
筒、２はイオン源となるエミッタ、３はイオンビームを
引き出すための引き出し電極、４はイオンビームを所望
のエネルギに加速する加速電極、５はイオンビームの電
流を所望の電流値に調節する集束レンズであって、引き
出し電極３と加速電極４とを兼ねた静電型のものであ
る。６はイオンビームを制限するアパーチャ、７はイオ
ンビームを二次元的に偏向・走査する偏向電極である。
８はイオンビームをフォーカスして試料に照射する対物
レンズであって、例えば３枚の電極から成る静電型のも
のである。９は加工またはSIM像を観察しようとする試
料、１０は試料を載置し試料の位置と傾きを自在に調節
できる試料ステージ、１１は試料室である。なお、図示
しないが、エミッタ２、各電極３等、各レンズ５等、試
料ステージ１０には、これらを動作させるための電源や
制御回路が接続されている。更に、同じく図示しない
が、試料９で発生した信号、例えば二次イオンを検出す
る検出器、検出器からの信号の処理回路、SIM像観察の
ための表示装置等が接続されている。この様なFIB装置
で材料（試料９）をイオンビーム加工する、あるいはSI
M像を観察するに際しては、できるだけ高い分解能（イ
オンビームの径と考えてよい）とイオンビーム電流等が
十分に安定していることが望まれる。このため、一般的
なFIB装置では、 図５に示すように、エミッタ２と引き
出し電極３との間に、更にサプレッサ電極Ｓを追加し
て、エミッタ２からのエミッション電流を安定化する方
法が広く採用されている。このサプレッサ電極Ｓの挿入
は、エミッション電流ひいてはイオンビーム電流を容易
に安定化できる以外にも利点が多い。例えば、引き出し
電圧を一定にできるとか、安定化のためにサプレッサ電
極Ｓに印加する電圧を制御しても、イオンビームへの影
響（照射位置やビーム径の変化など）が少ない等であ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一方、このサプレッサ
電極Ｓを追加すると、必然的に引き出し電圧を高くしな
ければならない。例えば、４〜５ｋＶで引き出し可能な
とき、サプレッサ電極Ｓを追加すると、９〜１２ｋＶ程
度となる。この様に、引き出し電圧が高くなると図６に
示すようにビーム径が大きくなってしまうという欠点が
あった。近年、益々、加工や観察の細密化が進み、より
一層ビーム径を細くすることが急務となってきた。そこ
で、再びこのサプレッサ電極Ｓを廃止することが考えら
れるようになった。サプレッサ電極Ｓを廃止した場合、
エミッション電流の安定化は、引き出し電極３に印加す
る電圧によって行うことになる。即ち、設定すべき目標
電流と現在の観測される観測電流との差がなくなる様
に、引き出し電極３に印加する電圧を変えてやればよ
い。しかしながら、実験によれば、この方法では次のよ
うな欠点があることが分かる。即ち、帰還量を適正に行
わないと、応答性のよい制御ができなかったり、発振が
起ったりする。この様な現象を避けるためには、エミッ
タの状態ができるだけ常に一定であるようにしてやれば
よい。そのためにはフラッシング（flashing、エミッタ
近傍に設けたヒーターに電流を一時的に通電する等し
て、エミッタを加熱し、エミッタの表面の不純物等を除
去する操作をいう）を頻繁に行って、エミッタが常にフ
レッシュな状態であるようにする。しかし、頻繁なフラ
ッシングは、装置のスループットを下げ、エミッタの寿
命を縮める結果となる。
電極Ｓを追加すると、必然的に引き出し電圧を高くしな
ければならない。例えば、４〜５ｋＶで引き出し可能な
とき、サプレッサ電極Ｓを追加すると、９〜１２ｋＶ程
度となる。この様に、引き出し電圧が高くなると図６に
示すようにビーム径が大きくなってしまうという欠点が
あった。近年、益々、加工や観察の細密化が進み、より
一層ビーム径を細くすることが急務となってきた。そこ
で、再びこのサプレッサ電極Ｓを廃止することが考えら
れるようになった。サプレッサ電極Ｓを廃止した場合、
エミッション電流の安定化は、引き出し電極３に印加す
る電圧によって行うことになる。即ち、設定すべき目標
電流と現在の観測される観測電流との差がなくなる様
に、引き出し電極３に印加する電圧を変えてやればよ
い。しかしながら、実験によれば、この方法では次のよ
うな欠点があることが分かる。即ち、帰還量を適正に行
わないと、応答性のよい制御ができなかったり、発振が
起ったりする。この様な現象を避けるためには、エミッ
タの状態ができるだけ常に一定であるようにしてやれば
よい。そのためにはフラッシング（flashing、エミッタ
近傍に設けたヒーターに電流を一時的に通電する等し
て、エミッタを加熱し、エミッタの表面の不純物等を除
去する操作をいう）を頻繁に行って、エミッタが常にフ
レッシュな状態であるようにする。しかし、頻繁なフラ
ッシングは、装置のスループットを下げ、エミッタの寿
命を縮める結果となる。
【０００５】本発明は、かかる状況に対処すべくなされ
たものであって、より一層細いビーム径を得、しかも十
分に安定なエミッションを得るFIBを提供することを目
的としている。
たものであって、より一層細いビーム径を得、しかも十
分に安定なエミッションを得るFIBを提供することを目
的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明に基づくFIB
装置は、イオンビーム源であるエミッタと、エミッタか
らイオンビームを引き出す引き出し電極と、引き出した
イオンビームにエネルギを与える加速電極と、加速され
たイオンビームを試料上に集束するレンズとを備えた集
束イオンビーム装置において、前記引き出し電極に印加
する電圧を制御して前記エミッタからのエミッション電
流を安定化するに際して、前記引き出し電極に印加する
電圧は、設定すべき目標値である設定エミッション電流
と、現在の観測される観測エミッション電流と、最後の
フラッシングから現在までの積算されたエミッション時
間とを関数として設定するようにしたことを特徴とす
る。第２の発明に基づくFIB装置は、イオンビーム源で
あるエミッタと、エミッタからイオンビームを引き出す
引き出し電極と、引き出したイオンビームにエネルギを
与える加速電極と、加速されたイオンビームを試料上に
集束するイオンビームを集束するレンズとを備えた集束
イオンビーム装置において、前記引き出し電極に印加す
る電圧を制御して前記エミッタからのエミッション電流
を安定化するに際して、前記引き出し電極に印加する電
圧は、設定すべき目標値である設定エミッション電流
と、現在の観測される観測エミッション電流と、最後の
フラッシングから現在までの積算されたエミッション時
間と、最後のフラッシングから現在までの積算されたエ
ミッション休止時間とを関数として設定するようにした
ことを特徴とする。第３の発明に基づく集束イオンビー
ム装置は、第１または２の発明の前記引き出し電極に印
加する電圧を変更することを禁止するフラッグを備えた
ことを特徴とする。第４の発明に基づく集束イオンビー
ム装置は、第１、２または３の発明の前記引き出し電極
に印加する電圧の制御は、コンピュータ上のソフトウェ
アによって行われることを特徴とする。
装置は、イオンビーム源であるエミッタと、エミッタか
らイオンビームを引き出す引き出し電極と、引き出した
イオンビームにエネルギを与える加速電極と、加速され
たイオンビームを試料上に集束するレンズとを備えた集
束イオンビーム装置において、前記引き出し電極に印加
する電圧を制御して前記エミッタからのエミッション電
流を安定化するに際して、前記引き出し電極に印加する
電圧は、設定すべき目標値である設定エミッション電流
と、現在の観測される観測エミッション電流と、最後の
フラッシングから現在までの積算されたエミッション時
間とを関数として設定するようにしたことを特徴とす
る。第２の発明に基づくFIB装置は、イオンビーム源で
あるエミッタと、エミッタからイオンビームを引き出す
引き出し電極と、引き出したイオンビームにエネルギを
与える加速電極と、加速されたイオンビームを試料上に
集束するイオンビームを集束するレンズとを備えた集束
イオンビーム装置において、前記引き出し電極に印加す
る電圧を制御して前記エミッタからのエミッション電流
を安定化するに際して、前記引き出し電極に印加する電
圧は、設定すべき目標値である設定エミッション電流
と、現在の観測される観測エミッション電流と、最後の
フラッシングから現在までの積算されたエミッション時
間と、最後のフラッシングから現在までの積算されたエ
ミッション休止時間とを関数として設定するようにした
ことを特徴とする。第３の発明に基づく集束イオンビー
ム装置は、第１または２の発明の前記引き出し電極に印
加する電圧を変更することを禁止するフラッグを備えた
ことを特徴とする。第４の発明に基づく集束イオンビー
ム装置は、第１、２または３の発明の前記引き出し電極
に印加する電圧の制御は、コンピュータ上のソフトウェ
アによって行われることを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の基
本的な考え方と実施の形態を詳細に説明する。図１は本
発明にかかる、サプレッサ電極を除いて引き出し電圧で
エミッション電流を制御する場合のエミッタ近傍（イオ
ンビーム発生部）の構成図である。図２（Ａ）は、図１
の構成のイオンビーム発生部を用いた場合において、引
き出し電圧でエミッション電流を制御する原理を説明す
る図である。図２（Ｂ）は、同じく図１の構成におい
て、エミッション開始から現在までのエミッションの経
過時間とエミッション電流との関係を示す図である。図
２（Ｃ）は、同じく図１の構成において、エミッション
開始以前の休止時間とエミッション電流との関係を示す
図である。図２（Ａ）において、横軸は引き出し電圧
Ｖ、縦軸はエミッション電流Ｉである。今、エミッショ
ン電流ＩはＩoに設定しているにもかかわらず、実際の
エミッション電流Ｉを測定するとＩmであったとする。
エミッション電流ＩがＩoとなるべきときの引き出し電
圧Ｖoと、現在の引き出し電圧Ｖmとの差分ΔＶ＝Ｖo−
Ｖmだけ現在の引き出し電圧Ｖmに加算してやれば、エミ
ッション電流ＩはＩoに設定されるはずである。これが
エミッション電流Ｉを引き出し電圧Ｖで制御する基本原
理である。しかし、実際には、前述の如く、応答性が悪
かったり、発振したりしてうまく行かない。それは主に
以下の様なことに起因している。図２（Ｂ）は、サプレ
ッサ電極Ｓを廃止し引き出し電圧でエミッション電流を
制御したときの実験の結果のひとつである。横軸を引き
出し電圧Ｖ、縦軸をエミッション電流Ｉとしてその関係
を示している。図中の曲線ａは、エミッション開始後間
もない場合、曲線ｂはエミッション開始後しばらく経過
した場合、曲線ｃは更に時間が経過しそろそろフラッシ
ングを行うべき頃の場合である。図から分かることは、
エミッション開始後の時間経過によって、曲線の傾きも
位置も異なっていることである。その結果、エミッショ
ン開始後間もないａの場合に合った制御の仕方では、エ
ミッション開始後時間が経過したｂ、更にはもっと時間
が経過したｃの場合には、応答性の悪い制御となってし
まう。逆に、ｃの場合に合った制御の仕方では、ｂ、更
にはａの場合には、発振が起こり易くなる。両方を妥協
させるひとつの方法としては、ａのみの曲線を利用し、
かつフラッシングを早めに、すなわち頻繁に行えばよ
い。しかしそうすれば、当然、装置のスループットは悪
くなり、エミッタの寿命は短く成らざるを得ない結果と
なる。そこで、エミッション開始後の時間経過を図２
（Ａ）のグラフに加味してやればよいことが分かる。即
ち、 図２（Ｂ）のエミッション開始後間もないａの場
合を基準にすれば、エミッション開始後の時間経過と共
に、図２（Ａ）のグラフの傾きを緩やかになるようにす
ればよい。更に、図２（Ｃ）は、サプレッサ電極Ｓを廃
止し引き出し電圧でエミッション電流を制御したときの
もうひとつの実験の結果である。同じく横軸を引き出し
電圧Ｖ、縦軸をエミッション電流Ｉとしている。図中の
曲線ｄは、エミッション開始後間もない場合であって、
先の図２（Ｂ）の曲線ａと同じである。曲線ｅは、エミ
ッションを開始する前にエミッションをせずに長時間経
過してから、つまり長時間の休止後、エミッション開始
したときのエミッション開始後間もない場合である。即
ち、図２（Ｂ）では、エミッションをしている時間経過
が問題であったが、図２（Ｃ）では、エミッションをし
ていなくとも、休止している時間が長時間であれば、エ
ミッションをしていない時間経過即ち休止時間の長さも
問題となるということである。勿論、エミッション停止
（休止）の時間経過の影響は、エミッションしている時
間経過の影響よりは小さい。この様な要因を加味して引
き出し電圧Ｖを適正に制御するためには、図２（Ｂ）の
曲線ａ、ｂ、ｃや（Ｃ）の曲線ｅを決定するためのパラ
メータを知らなければならない。実は、図２の曲線ａ、
ｂ、ｃ、ｅを決定するためのパラメータは、装置の設計
の違いやエミッタの微妙な形状の違いによって異なって
くる。そこで、実機によって、まず図２（Ｂ）のａの曲
線を求め、例えば、２次曲線で近似する。加えて、曲線
ｂ、ｃ、ｅについては、同様に実測値があればそれらを
用い、無ければ取り敢えず推定値を用いて、これらも、
例えば、２次曲線で近似する。そして、実際の稼働に伴
って、求めた制御値と制御の結果のずれを記録して置く
ようにして、データとして積み上げ、適時、上記パラメ
ータの値を更新すればよい。以上説明したように、サプ
レッサ電極Ｓを廃止し引き出し電圧でエミッション電流
を制御する場合には、エミッション開始後の経過時間を
加味して制御することが必要であり、更には、エミッシ
ョン停止の経過時間をも加味すればなお万全であるとい
える。この様にして、エミッション電流の安定化は解決
できた。
本的な考え方と実施の形態を詳細に説明する。図１は本
発明にかかる、サプレッサ電極を除いて引き出し電圧で
エミッション電流を制御する場合のエミッタ近傍（イオ
ンビーム発生部）の構成図である。図２（Ａ）は、図１
の構成のイオンビーム発生部を用いた場合において、引
き出し電圧でエミッション電流を制御する原理を説明す
る図である。図２（Ｂ）は、同じく図１の構成におい
て、エミッション開始から現在までのエミッションの経
過時間とエミッション電流との関係を示す図である。図
２（Ｃ）は、同じく図１の構成において、エミッション
開始以前の休止時間とエミッション電流との関係を示す
図である。図２（Ａ）において、横軸は引き出し電圧
Ｖ、縦軸はエミッション電流Ｉである。今、エミッショ
ン電流ＩはＩoに設定しているにもかかわらず、実際の
エミッション電流Ｉを測定するとＩmであったとする。
エミッション電流ＩがＩoとなるべきときの引き出し電
圧Ｖoと、現在の引き出し電圧Ｖmとの差分ΔＶ＝Ｖo−
Ｖmだけ現在の引き出し電圧Ｖmに加算してやれば、エミ
ッション電流ＩはＩoに設定されるはずである。これが
エミッション電流Ｉを引き出し電圧Ｖで制御する基本原
理である。しかし、実際には、前述の如く、応答性が悪
かったり、発振したりしてうまく行かない。それは主に
以下の様なことに起因している。図２（Ｂ）は、サプレ
ッサ電極Ｓを廃止し引き出し電圧でエミッション電流を
制御したときの実験の結果のひとつである。横軸を引き
出し電圧Ｖ、縦軸をエミッション電流Ｉとしてその関係
を示している。図中の曲線ａは、エミッション開始後間
もない場合、曲線ｂはエミッション開始後しばらく経過
した場合、曲線ｃは更に時間が経過しそろそろフラッシ
ングを行うべき頃の場合である。図から分かることは、
エミッション開始後の時間経過によって、曲線の傾きも
位置も異なっていることである。その結果、エミッショ
ン開始後間もないａの場合に合った制御の仕方では、エ
ミッション開始後時間が経過したｂ、更にはもっと時間
が経過したｃの場合には、応答性の悪い制御となってし
まう。逆に、ｃの場合に合った制御の仕方では、ｂ、更
にはａの場合には、発振が起こり易くなる。両方を妥協
させるひとつの方法としては、ａのみの曲線を利用し、
かつフラッシングを早めに、すなわち頻繁に行えばよ
い。しかしそうすれば、当然、装置のスループットは悪
くなり、エミッタの寿命は短く成らざるを得ない結果と
なる。そこで、エミッション開始後の時間経過を図２
（Ａ）のグラフに加味してやればよいことが分かる。即
ち、 図２（Ｂ）のエミッション開始後間もないａの場
合を基準にすれば、エミッション開始後の時間経過と共
に、図２（Ａ）のグラフの傾きを緩やかになるようにす
ればよい。更に、図２（Ｃ）は、サプレッサ電極Ｓを廃
止し引き出し電圧でエミッション電流を制御したときの
もうひとつの実験の結果である。同じく横軸を引き出し
電圧Ｖ、縦軸をエミッション電流Ｉとしている。図中の
曲線ｄは、エミッション開始後間もない場合であって、
先の図２（Ｂ）の曲線ａと同じである。曲線ｅは、エミ
ッションを開始する前にエミッションをせずに長時間経
過してから、つまり長時間の休止後、エミッション開始
したときのエミッション開始後間もない場合である。即
ち、図２（Ｂ）では、エミッションをしている時間経過
が問題であったが、図２（Ｃ）では、エミッションをし
ていなくとも、休止している時間が長時間であれば、エ
ミッションをしていない時間経過即ち休止時間の長さも
問題となるということである。勿論、エミッション停止
（休止）の時間経過の影響は、エミッションしている時
間経過の影響よりは小さい。この様な要因を加味して引
き出し電圧Ｖを適正に制御するためには、図２（Ｂ）の
曲線ａ、ｂ、ｃや（Ｃ）の曲線ｅを決定するためのパラ
メータを知らなければならない。実は、図２の曲線ａ、
ｂ、ｃ、ｅを決定するためのパラメータは、装置の設計
の違いやエミッタの微妙な形状の違いによって異なって
くる。そこで、実機によって、まず図２（Ｂ）のａの曲
線を求め、例えば、２次曲線で近似する。加えて、曲線
ｂ、ｃ、ｅについては、同様に実測値があればそれらを
用い、無ければ取り敢えず推定値を用いて、これらも、
例えば、２次曲線で近似する。そして、実際の稼働に伴
って、求めた制御値と制御の結果のずれを記録して置く
ようにして、データとして積み上げ、適時、上記パラメ
ータの値を更新すればよい。以上説明したように、サプ
レッサ電極Ｓを廃止し引き出し電圧でエミッション電流
を制御する場合には、エミッション開始後の経過時間を
加味して制御することが必要であり、更には、エミッシ
ョン停止の経過時間をも加味すればなお万全であるとい
える。この様にして、エミッション電流の安定化は解決
できた。
【０００８】しかし、このままでは、サプレッサ電極Ｓ
を取り除いたことによって、イオンビームへの影響（照
射位置やビーム径の変化など、特に照射位置の変化）が
出や易くなる。すなわち、引き出し電圧Ｖの制御を行っ
たときに、制御に伴って引き出し電圧Ｖが変化すると共
に同時にビームの位置もわずかながらずれるという問題
が残る。この問題の原因は、エミッタ近傍の形状と配置
の極く僅かな非対称性によるが、旨い解決策は未だ見い
だされてはいない。そこで、次善の策として、以下の様
にする。即ち、コンピュータソフト上に、「エミッショ
ン電流の制御禁止」のフラッグを用意して、例えば、一
連の加工等の動作が行われているときには、エミッショ
ン電流の制御は行われないようにするのである。なお、
ここでの「一連の加工等の動作」とは、例えば、試料９
のある一つの部分の加工開始から終了までの動作や、一
つのSIM像を得るために１フレーム分のイオンビームの
走査の開始から終了までの動作などである。また、この
ような一連の動作の継続時間は、通常数秒から１０分程
度であり、長い場合は数十分である。次いで、この様な
装置の具体的な実施例について詳しく説明する。図３
は、図１に示されたイオンビーム発生部を備えた本発明
の構成を説明するためのブロック図である。図３では、
前述の図４の構成に本発明にかかる構成が追加されてい
る。即ち、図３において、２はエミッタ、３は引き出し
電極、７は偏向電極、９は試料である。更に、５０はイ
オンビームを発生させ制御するためのイオン発生電源・
制御部、５５は集束レンズの電源・制御部、６０はイオ
ンビームを試料９上で走査するための走査電源・制御
部、７０はFIB装置に付属のホストコンピュータであ
る。７１はイオン発生電源・制御部５０あるいは走査電
源・制御部６０とホストコンピュータ７０とを結ぶI/O
インターフェース、７２はエミッション電流を安定化す
るためのエミッション電流安定化プログラム、７３は後
述するデータを格納している制御用データファイルであ
る。７４はFIB装置付属の諸々のFIBプログラムであっ
て、ホストコンピュータ７０に組み込まれている。７５
はホストコンピュータ７０のキーボード等のパラメータ
入力装置である。制御用データファイル７３には、例え
ば、以下のデータを格納している。制御禁止フラッグ
Ｆ、フラッグＦ設定のためのサンプリング時間ｔf、設
定エミッション電流値Ｉo、エミッションの積算時間
Ｔe、エミッション停止の積算時間Ｔb、引き出し電圧の
設定制御を実行する間隔時間ｔi、設定エミッション電
流値Ｉoと観測エミッション電流値Ｉmとの差ΔＩ＝Ｉm
−Ｉoと、エミッションの積算時間Ｔeと、エミッション
停止の積算時間Ｔbとから引き出し電圧の変更分を求め
るための関数ΔＶ＝ｆ（ΔＩ，Ｔe，Ｔb）、および、設
定の許容誤差εである。更に、前述のパラメータの更新
のために、引き出し電圧変更後のエミッション電流値の
測定値をその他のデータと共に記録できるようにすると
よい。なお、種々の実験の結果に基づき、フラッグＦ設
定のためのサンプリング時間ｔfは１０秒程度、引き出
し電圧の設定制御を実行する間隔時間ｔiは１５分程度
に設定してある。次に、この様な装置の動作について説
明する。まず、フラッシングを行った時点で、エミッシ
ョンの積算時間Ｔeとエミッション停止の積算時間Ｔbと
をクリアしておく。そうした上で、例えば、オペレータ
が入力装置７５からFIBプログラム７４の一つを起動さ
せると、そのFIBプログラム７４の指令によって、エミ
ッション電流安定化プログラム７２が起動され、これと
並行してI/Oインターフェース７１を介してイオン発生
電源・制御部５０を動作させ、エミッタ２に加速電圧を
印加し、引き出し電極３に引き出し電圧を印加する。印
加と同時にその時刻は制御用データファイル７３に転送
されエミッションの積算時間Ｔeの積算が開始され、記
録される。なお、ここではまだエミッション停止の積算
時間Ｔbは積算は開始されていない。更に、FIBプログラ
ム７４は徐々にその引き出し電圧を上げるようにイオン
発生電源・制御部５０を制御し、所望のエミッション電
流になるようにする。この所望のエミッション電流の値
（設定エミッション電流値Ｉo）は、エミッション電流
安定化プログラム７２を介して制御用データファイル７
３に記録される。所望のエミッション電流が設定された
後は、エミッション電流安定化プログラム７２は、引き
出し電圧制御の間隔時間ｔi毎（例えば１５分毎）に、
制御禁止フラッグＦが立っていないことを確認の上、イ
オン発生電源・制御部５０においてエミッション電流値
Ｉmを計測する。なお、制御禁止フラッグＦが立ってい
るときは、次の引き出し電圧制御の時刻まで何もしな
い。このエミッション電流値Ｉmと制御用データファイ
ル７３に記録された設定エミッション電流値Ｉoとを比
較し、もしその差が設定の許容誤差ε以下であれば、次
の引き出し電圧制御の時刻まで何もしない。もしその差
が設定の許容誤差εを超えていれば、その差ΔＩ＝Ｉm
−Ｉoと、制御用データファイル７３に記録されたエミ
ッションの積算時間Ｔeと、エミッション停止の積算時
間Ｔbとを変数とする関数ΔＶ＝ｆ（ΔＩ，Ｔ e，Ｔb）
を計算する。その結果を基に、エミッション電流安定化
プログラム７２は、I/Oインターフェース７１を介して
イオン発生電源・制御部５０に、現在の引き出し電圧に
ΔＶだけ加算するよう指令する。これを受けて、イオン
発生電源・制御部５０は、引き出し電極３の電圧を変更
する。また、前述したパラメータの更新のための実測デ
ータの積み上げのためには、上記の制御の完了後、再
度、エミッション電流値Ｉmを計測して、制御の結果の
値としてその他のデータと共に制御用データファイル７
３に記録する。上記と並行して、エミッション電流安定
化プログラム７２は、サンプリング時間ｔf毎に、I/Oイ
ンターフェース７１を介して、集束レンズ電源・制御部
５５、走査電源・制御部６０等に一連の動作が続行中で
あるかどうかを問合て、続行中である場合には制御禁止
フラッグＦを立て、そうでないときは降ろす様にする。
を取り除いたことによって、イオンビームへの影響（照
射位置やビーム径の変化など、特に照射位置の変化）が
出や易くなる。すなわち、引き出し電圧Ｖの制御を行っ
たときに、制御に伴って引き出し電圧Ｖが変化すると共
に同時にビームの位置もわずかながらずれるという問題
が残る。この問題の原因は、エミッタ近傍の形状と配置
の極く僅かな非対称性によるが、旨い解決策は未だ見い
だされてはいない。そこで、次善の策として、以下の様
にする。即ち、コンピュータソフト上に、「エミッショ
ン電流の制御禁止」のフラッグを用意して、例えば、一
連の加工等の動作が行われているときには、エミッショ
ン電流の制御は行われないようにするのである。なお、
ここでの「一連の加工等の動作」とは、例えば、試料９
のある一つの部分の加工開始から終了までの動作や、一
つのSIM像を得るために１フレーム分のイオンビームの
走査の開始から終了までの動作などである。また、この
ような一連の動作の継続時間は、通常数秒から１０分程
度であり、長い場合は数十分である。次いで、この様な
装置の具体的な実施例について詳しく説明する。図３
は、図１に示されたイオンビーム発生部を備えた本発明
の構成を説明するためのブロック図である。図３では、
前述の図４の構成に本発明にかかる構成が追加されてい
る。即ち、図３において、２はエミッタ、３は引き出し
電極、７は偏向電極、９は試料である。更に、５０はイ
オンビームを発生させ制御するためのイオン発生電源・
制御部、５５は集束レンズの電源・制御部、６０はイオ
ンビームを試料９上で走査するための走査電源・制御
部、７０はFIB装置に付属のホストコンピュータであ
る。７１はイオン発生電源・制御部５０あるいは走査電
源・制御部６０とホストコンピュータ７０とを結ぶI/O
インターフェース、７２はエミッション電流を安定化す
るためのエミッション電流安定化プログラム、７３は後
述するデータを格納している制御用データファイルであ
る。７４はFIB装置付属の諸々のFIBプログラムであっ
て、ホストコンピュータ７０に組み込まれている。７５
はホストコンピュータ７０のキーボード等のパラメータ
入力装置である。制御用データファイル７３には、例え
ば、以下のデータを格納している。制御禁止フラッグ
Ｆ、フラッグＦ設定のためのサンプリング時間ｔf、設
定エミッション電流値Ｉo、エミッションの積算時間
Ｔe、エミッション停止の積算時間Ｔb、引き出し電圧の
設定制御を実行する間隔時間ｔi、設定エミッション電
流値Ｉoと観測エミッション電流値Ｉmとの差ΔＩ＝Ｉm
−Ｉoと、エミッションの積算時間Ｔeと、エミッション
停止の積算時間Ｔbとから引き出し電圧の変更分を求め
るための関数ΔＶ＝ｆ（ΔＩ，Ｔe，Ｔb）、および、設
定の許容誤差εである。更に、前述のパラメータの更新
のために、引き出し電圧変更後のエミッション電流値の
測定値をその他のデータと共に記録できるようにすると
よい。なお、種々の実験の結果に基づき、フラッグＦ設
定のためのサンプリング時間ｔfは１０秒程度、引き出
し電圧の設定制御を実行する間隔時間ｔiは１５分程度
に設定してある。次に、この様な装置の動作について説
明する。まず、フラッシングを行った時点で、エミッシ
ョンの積算時間Ｔeとエミッション停止の積算時間Ｔbと
をクリアしておく。そうした上で、例えば、オペレータ
が入力装置７５からFIBプログラム７４の一つを起動さ
せると、そのFIBプログラム７４の指令によって、エミ
ッション電流安定化プログラム７２が起動され、これと
並行してI/Oインターフェース７１を介してイオン発生
電源・制御部５０を動作させ、エミッタ２に加速電圧を
印加し、引き出し電極３に引き出し電圧を印加する。印
加と同時にその時刻は制御用データファイル７３に転送
されエミッションの積算時間Ｔeの積算が開始され、記
録される。なお、ここではまだエミッション停止の積算
時間Ｔbは積算は開始されていない。更に、FIBプログラ
ム７４は徐々にその引き出し電圧を上げるようにイオン
発生電源・制御部５０を制御し、所望のエミッション電
流になるようにする。この所望のエミッション電流の値
（設定エミッション電流値Ｉo）は、エミッション電流
安定化プログラム７２を介して制御用データファイル７
３に記録される。所望のエミッション電流が設定された
後は、エミッション電流安定化プログラム７２は、引き
出し電圧制御の間隔時間ｔi毎（例えば１５分毎）に、
制御禁止フラッグＦが立っていないことを確認の上、イ
オン発生電源・制御部５０においてエミッション電流値
Ｉmを計測する。なお、制御禁止フラッグＦが立ってい
るときは、次の引き出し電圧制御の時刻まで何もしな
い。このエミッション電流値Ｉmと制御用データファイ
ル７３に記録された設定エミッション電流値Ｉoとを比
較し、もしその差が設定の許容誤差ε以下であれば、次
の引き出し電圧制御の時刻まで何もしない。もしその差
が設定の許容誤差εを超えていれば、その差ΔＩ＝Ｉm
−Ｉoと、制御用データファイル７３に記録されたエミ
ッションの積算時間Ｔeと、エミッション停止の積算時
間Ｔbとを変数とする関数ΔＶ＝ｆ（ΔＩ，Ｔ e，Ｔb）
を計算する。その結果を基に、エミッション電流安定化
プログラム７２は、I/Oインターフェース７１を介して
イオン発生電源・制御部５０に、現在の引き出し電圧に
ΔＶだけ加算するよう指令する。これを受けて、イオン
発生電源・制御部５０は、引き出し電極３の電圧を変更
する。また、前述したパラメータの更新のための実測デ
ータの積み上げのためには、上記の制御の完了後、再
度、エミッション電流値Ｉmを計測して、制御の結果の
値としてその他のデータと共に制御用データファイル７
３に記録する。上記と並行して、エミッション電流安定
化プログラム７２は、サンプリング時間ｔf毎に、I/Oイ
ンターフェース７１を介して、集束レンズ電源・制御部
５５、走査電源・制御部６０等に一連の動作が続行中で
あるかどうかを問合て、続行中である場合には制御禁止
フラッグＦを立て、そうでないときは降ろす様にする。
【０００９】ここでオペレータが入力装置７５を介して
エミッションを停止させれば、エミッション停止の積算
時間Ｔbの積算は開始され、エミッションの積算時間Ｔe
の積算は停止する。
エミッションを停止させれば、エミッション停止の積算
時間Ｔbの積算は開始され、エミッションの積算時間Ｔe
の積算は停止する。
【００１０】更に、次回のフラッシングの時点で、エミ
ッションの積算時間Ｔeやエミッション停止の積算時間
Ｔbの積算はご破算に（クリア）する。
ッションの積算時間Ｔeやエミッション停止の積算時間
Ｔbの積算はご破算に（クリア）する。
【００１１】なお、上記の実施の形態例では、制御禁止
フラッグＦが立っているときは、次の引き出し電圧制御
の時刻まで何もしないと説明した。しかし、時には下記
のような問題が生じる場合が無いとは云えない。
フラッグＦが立っているときは、次の引き出し電圧制御
の時刻まで何もしないと説明した。しかし、時には下記
のような問題が生じる場合が無いとは云えない。
【００１２】まず第１の場合は、「一連の動作」そのも
のの時間は短いにも関わらず、引き出し電圧制御を行お
うとしたとき、たまたま制御禁止フラッグＦが立ってい
る状態が連続して起こってしまうような場合である。こ
のような状態に陥るのを避けるためには、制御禁止フラ
ッグＦが立っていたために引き出し電圧制御が行われな
かった場合は、その後制御禁止フラッグＦが降りた時点
で直ちに引き出し電圧制御が行われるようにすればよ
い。
のの時間は短いにも関わらず、引き出し電圧制御を行お
うとしたとき、たまたま制御禁止フラッグＦが立ってい
る状態が連続して起こってしまうような場合である。こ
のような状態に陥るのを避けるためには、制御禁止フラ
ッグＦが立っていたために引き出し電圧制御が行われな
かった場合は、その後制御禁止フラッグＦが降りた時点
で直ちに引き出し電圧制御が行われるようにすればよ
い。
【００１３】第２の場合は、「一連の動作」そのものの
時間が長いため、その間制御禁止フラッグＦが立ってい
る時間が続き、引き出し電圧制御が行われず、結果とし
てエミッション電流が許容値以上に変化してしまう場合
である。このような場合に対しては、先の設定の許容誤
差εよりも適当に大きな第２の許容誤差δを設け、フラ
ッグＦの状態には関わらず、エミッション電流値Ｉmを
計測して、設定エミッション電流値Ｉoと観測エミッシ
ョン電流値Ｉmとの差ΔＩ＝Ｉm−Ｉoと第２の許容誤差
δとを比較する。そして、もし差ΔＩが第２の許容誤差
δを超えていたら、オペレータに警告を発したり、ある
いは「一連の動作」を一時中止し、エミッション電流を
設定・制御した後、再び残りの「一連の動作」を継続す
るようにプログラムするとよい。
時間が長いため、その間制御禁止フラッグＦが立ってい
る時間が続き、引き出し電圧制御が行われず、結果とし
てエミッション電流が許容値以上に変化してしまう場合
である。このような場合に対しては、先の設定の許容誤
差εよりも適当に大きな第２の許容誤差δを設け、フラ
ッグＦの状態には関わらず、エミッション電流値Ｉmを
計測して、設定エミッション電流値Ｉoと観測エミッシ
ョン電流値Ｉmとの差ΔＩ＝Ｉm−Ｉoと第２の許容誤差
δとを比較する。そして、もし差ΔＩが第２の許容誤差
δを超えていたら、オペレータに警告を発したり、ある
いは「一連の動作」を一時中止し、エミッション電流を
設定・制御した後、再び残りの「一連の動作」を継続す
るようにプログラムするとよい。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、サプレッサ電極Ｓを廃止し、引き出し電圧でエミッ
ション電流を制御するに際して、引き出し電圧の変更分
ΔＶを、設定エミッション電流値Ｉoとエミッション電
流値Ｉmとの差ΔＩ＝Ｉm−Ｉoと、エミッションの積算
時間Ｔeと、エミッション停止の積算時間Ｔbとの関数と
して求めるようにした。これによって、引き出し電圧
は、サプレッサ電極Ｓ付きのとき、９〜１２ｋＶであっ
たものが、５〜７ｋＶと低くすることができ、分解能が
改善できた。また、制御禁止フラッグＦを設けたことに
よって、引き出し電圧の変更に伴うビーム位置の変動等
の問題も回避できた。更に、この様な適切なエミッショ
ン電流安定化によって、フラッシングの回数を少なくす
ることができ、装置のスループット向上に寄与でき、且
つ、エミッタの長寿命化が図れた。
は、サプレッサ電極Ｓを廃止し、引き出し電圧でエミッ
ション電流を制御するに際して、引き出し電圧の変更分
ΔＶを、設定エミッション電流値Ｉoとエミッション電
流値Ｉmとの差ΔＩ＝Ｉm−Ｉoと、エミッションの積算
時間Ｔeと、エミッション停止の積算時間Ｔbとの関数と
して求めるようにした。これによって、引き出し電圧
は、サプレッサ電極Ｓ付きのとき、９〜１２ｋＶであっ
たものが、５〜７ｋＶと低くすることができ、分解能が
改善できた。また、制御禁止フラッグＦを設けたことに
よって、引き出し電圧の変更に伴うビーム位置の変動等
の問題も回避できた。更に、この様な適切なエミッショ
ン電流安定化によって、フラッシングの回数を少なくす
ることができ、装置のスループット向上に寄与でき、且
つ、エミッタの長寿命化が図れた。
【図１】本発明にかかる引き出し電圧を制御してエミッ
ション電流を安定化するエミッタ近傍の構成を説明する
図である。
ション電流を安定化するエミッタ近傍の構成を説明する
図である。
【図２】本発明にかかる引き出し電圧を制御してエミッ
ション電流を安定化する基本原理を説明する図である。
ション電流を安定化する基本原理を説明する図である。
【図３】本発明にかかる装置の構成を説明する図であ
る。
る。
【図４】FIB装置を説明する図である。
【図５】FIB装置のエミッタ近傍の構成を説明する図で
ある。
ある。
【図６】引き出し電圧とイオンビーム径の関係を説明す
る図である。
る図である。
１…イオン照射系の鏡筒、２…エミッタ、３…引き出し
電極、４…加速電極、５…集束レンズ、６…アパーチ
ャ、７…偏向電極、８…対物レンズ、９…試料、１０…
試料ステージ、１１…試料室、５０…イオン発生電源・
制御部、５５…集束レンズ電源・制御部、６０…走査電
源・制御部、７０…ホストコンピュータ、７１…Ｉ／Ｏ
オンターフェース、７２…エミッション電流安定化プロ
グラム、７３…制御用データファイル、７４…FIBプロ
グラム、７５…入力装置
電極、４…加速電極、５…集束レンズ、６…アパーチ
ャ、７…偏向電極、８…対物レンズ、９…試料、１０…
試料ステージ、１１…試料室、５０…イオン発生電源・
制御部、５５…集束レンズ電源・制御部、６０…走査電
源・制御部、７０…ホストコンピュータ、７１…Ｉ／Ｏ
オンターフェース、７２…エミッション電流安定化プロ
グラム、７３…制御用データファイル、７４…FIBプロ
グラム、７５…入力装置
Claims (4)
- 【請求項１】イオンビーム源であるエミッタと、エミッ
タからイオンビームを引き出す引き出し電極と、引き出
したイオンビームにエネルギを与える加速電極と、加速
されたイオンビームを集束して試料上に照射するレンズ
とを備えた集束イオンビーム装置において、前記引き出
し電極に印加する電圧を制御して前記エミッタからのエ
ミッション電流を安定化するに際して、前記引き出し電
極に印加する電圧は、設定すべき目標値である設定エミ
ッション電流と、現在の観測される観測エミッション電
流と、最後のフラッシングから現在までの積算されたエ
ミッション時間とを関数として設定するようにしたこと
を特徴とする集束イオンビーム装置。 - 【請求項２】イオンビーム源であるエミッタと、エミッ
タからイオンビームを引き出す引き出し電極と、引き出
したイオンビームにエネルギを与える加速電極と、加速
されたイオンビームを集束して試料上に照射するレンズ
とを備えた集束イオンビーム装置において、前記引き出
し電極に印加する電圧を制御して前記エミッタからのエ
ミッション電流を安定化するに際して、前記引き出し電
極に印加する電圧は、設定すべき目標値である設定エミ
ッション電流と、現在の観測される観測エミッション電
流と、最後のフラッシングから現在までの積算されたエ
ミッション時間と、最後のフラッシングから現在までの
積算されたエミッション休止時間とを関数として設定す
るようにしたことを特徴とする集束イオンビーム装置。 - 【請求項３】前記引き出し電極に印加する電圧を変更す
ることを禁止するフラッグを備えたことを特徴とする請
求項１または２記載の集束イオンビーム装置。 - 【請求項４】前記引き出し電極に印加する電圧の制御
は、コンピュータ上のソフトウェアプログラムによって
行われることを特徴とする請求項１、２または３記載の
集束イオンビーム装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000201684A JP3773398B2 (ja) | 1999-07-08 | 2000-07-04 | 集束イオンビーム装置 |
| US09/611,995 US6459082B1 (en) | 1999-07-08 | 2000-07-07 | Focused ion beam system |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19506899 | 1999-07-08 | ||
| JP11-195068 | 1999-07-08 | ||
| JP2000201684A JP3773398B2 (ja) | 1999-07-08 | 2000-07-04 | 集束イオンビーム装置 |
| US09/611,995 US6459082B1 (en) | 1999-07-08 | 2000-07-07 | Focused ion beam system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001076634A true JP2001076634A (ja) | 2001-03-23 |
| JP3773398B2 JP3773398B2 (ja) | 2006-05-10 |
Family
ID=27327052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000201684A Expired - Fee Related JP3773398B2 (ja) | 1999-07-08 | 2000-07-04 | 集束イオンビーム装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6459082B1 (ja) |
| JP (1) | JP3773398B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007506255A (ja) * | 2003-09-22 | 2007-03-15 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 液体金属イオン源および液体金属イオン源を制御する方法 |
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| JP2006313704A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Jeol Ltd | 集束イオンビーム装置 |
| US7667209B2 (en) * | 2006-07-06 | 2010-02-23 | Hitachi High-Technologies Corporation | Focused ION beam apparatus |
| US7566887B2 (en) * | 2007-01-03 | 2009-07-28 | Axcelis Technologies Inc. | Method of reducing particle contamination for ion implanters |
| JP2011171009A (ja) * | 2010-02-16 | 2011-09-01 | Sii Nanotechnology Inc | 集束イオンビーム装置 |
| DE102017202339B3 (de) * | 2017-02-14 | 2018-05-24 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Strahlsystem mit geladenen Teilchen und Verfahren dafür |
| FR3070791B1 (fr) * | 2017-09-05 | 2023-04-14 | Centre Nat Rech Scient | Generateur de faisceau ionique a nanofils |
| US11380519B1 (en) * | 2020-11-05 | 2022-07-05 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Operating a particle beam generator for a particle beam device |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2807719B2 (ja) * | 1990-04-04 | 1998-10-08 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 集束イオンビーム装置の液体金属イオン源の動作方法 |
| US5825035A (en) * | 1993-03-10 | 1998-10-20 | Hitachi, Ltd. | Processing method and apparatus using focused ion beam generating means |
| US5847408A (en) * | 1996-03-25 | 1998-12-08 | Agency Of Industrial Science & Technology, Ministry Of International Trade & Industry | Field emission device |
| US5969355A (en) | 1997-09-04 | 1999-10-19 | Seiko Instruments Inc. | Focused ion beam optical axis adjustment method and focused ion beam apparatus |
-
2000
- 2000-07-04 JP JP2000201684A patent/JP3773398B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-07 US US09/611,995 patent/US6459082B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007506255A (ja) * | 2003-09-22 | 2007-03-15 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 液体金属イオン源および液体金属イオン源を制御する方法 |
| JP4742041B2 (ja) * | 2003-09-22 | 2011-08-10 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 液体金属イオン源および液体金属イオン源を制御する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3773398B2 (ja) | 2006-05-10 |
| US6459082B1 (en) | 2002-10-01 |
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