JPH04105079A - 電子ビーム装置 - Google Patents
電子ビーム装置Info
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- JPH04105079A JPH04105079A JP2222777A JP22277790A JPH04105079A JP H04105079 A JPH04105079 A JP H04105079A JP 2222777 A JP2222777 A JP 2222777A JP 22277790 A JP22277790 A JP 22277790A JP H04105079 A JPH04105079 A JP H04105079A
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Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
電子ビームテスタや走査型電子顕微鏡等の電子ビーム装
置に関し、 操作性を向上させることを目的とし、 電子ビームを制御する各種パラメータの設定値に基づい
て、該電子ビームを制御する電子ビーム装置において、
設定された該制御パラメータを試料の種類と対応させて
記憶する制御パラメータ記憶手段と、人力された試料の
種類に応じて、該試料に対応した該制御パラメータを該
制御パラメタ記憶手段から抽出する制御パラメータ抽出
手段と、抽出された該制御パラメータに基づいて、該電
子ビームを制御する電子ビーム制御手段と、を備えて構
成する。
置に関し、 操作性を向上させることを目的とし、 電子ビームを制御する各種パラメータの設定値に基づい
て、該電子ビームを制御する電子ビーム装置において、
設定された該制御パラメータを試料の種類と対応させて
記憶する制御パラメータ記憶手段と、人力された試料の
種類に応じて、該試料に対応した該制御パラメータを該
制御パラメタ記憶手段から抽出する制御パラメータ抽出
手段と、抽出された該制御パラメータに基づいて、該電
子ビームを制御する電子ビーム制御手段と、を備えて構
成する。
本発明は、電子ビームテスタや走査型電子顕微鏡等の電
子ビーム装置に関する。
子ビーム装置に関する。
第４図は従来の電子ビーム装置を示す。軸を垂直にして
配置した電子ビーム鏡筒１０内には、電子ビーム１２を
射出する電子銃１４と、電子ビーム１２を収束させるコ
ンデンサレンズ１６と、電子ビーム１２を偏向させる偏
向器１８とが配設されている。電子ビーム鏡筒１０の下
端には試料室２０が接続され、試料室２０内には、ｘ−
ｙ−ｚステージ２２上に試料２４が搭載されている。電
子ビーム鏡筒１０内にはまた、電子ビーム１２を試料２
４上に収束させるための対物レンズ２６と、電子ビーム
１２を照射することにより試料２４から放出された２次
電子２８を引出すための引出しグリッド３０と、この２
次電子２８を減速させ゛るエネルギー分析グリッド３２
と、エネルギー分析グリッド３２を通過した２次電子２
８を検出する検出器３４とが配設されている。 電子と一ム１２を制御するパラメータ、すなわち、コン
デンサレンズ１６、偏向器１８及び対物レンズ２６に供
給する電流値、並びに、引出しグリッド３０及びエネル
ギー分析グリッド３２に印加する電圧値は、試料２４の
種類に応じてコンソール３６を操作することにより設定
される。制御装置３８は、測定又は観測の際、この制御
パラメータに基づいて、ドライバ４０を介しコンデンサ
レンズ１６、偏向器１８及び対物レンズ２６に設定電流
を供給し、引出しグリッド３０及びエネルギー分析グリ
ッド３２に設定電圧を印加する。 試料２４に対する電子ビーム１２の制御パラメータは、
制御装置３８に記憶されているので、次に試料２４と同
一種類の試料２４を測定又は観察する場合には、再度制
御パラメータを設定する必要がない。
配置した電子ビーム鏡筒１０内には、電子ビーム１２を
射出する電子銃１４と、電子ビーム１２を収束させるコ
ンデンサレンズ１６と、電子ビーム１２を偏向させる偏
向器１８とが配設されている。電子ビーム鏡筒１０の下
端には試料室２０が接続され、試料室２０内には、ｘ−
ｙ−ｚステージ２２上に試料２４が搭載されている。電
子ビーム鏡筒１０内にはまた、電子ビーム１２を試料２
４上に収束させるための対物レンズ２６と、電子ビーム
１２を照射することにより試料２４から放出された２次
電子２８を引出すための引出しグリッド３０と、この２
次電子２８を減速させ゛るエネルギー分析グリッド３２
と、エネルギー分析グリッド３２を通過した２次電子２
８を検出する検出器３４とが配設されている。 電子と一ム１２を制御するパラメータ、すなわち、コン
デンサレンズ１６、偏向器１８及び対物レンズ２６に供
給する電流値、並びに、引出しグリッド３０及びエネル
ギー分析グリッド３２に印加する電圧値は、試料２４の
種類に応じてコンソール３６を操作することにより設定
される。制御装置３８は、測定又は観測の際、この制御
パラメータに基づいて、ドライバ４０を介しコンデンサ
レンズ１６、偏向器１８及び対物レンズ２６に設定電流
を供給し、引出しグリッド３０及びエネルギー分析グリ
ッド３２に設定電圧を印加する。 試料２４に対する電子ビーム１２の制御パラメータは、
制御装置３８に記憶されているので、次に試料２４と同
一種類の試料２４を測定又は観察する場合には、再度制
御パラメータを設定する必要がない。
しかし、試料２４の種類が前回と異なる場合には、コン
ソール３６を操作して新たに制御パラメータを設定し直
さなければならない。 例えば、第５図に示す如く、試料が製造後の半導体チッ
プ４２の場合、パッケージ４１に装着された半導体チッ
プ４２上には保護膜４４が被着されているので、測定又
は観測の際に電子ビームを半導体チップ４２上に照射す
ると、保護膜４４が帯電する。このため、半導体チップ
４２の上方に配置された引出しグリッド３０に印加する
１０００Ｖ程度の電圧を、保護膜４４が存在しない場合
よりも低くし、かつ、対物レンズ２６に供給する電流を
変更する必要がある。 また、半導体チップ４２と引出しグリッド３０との間隔
は通常１順程度であるが、第６図に示すような銅スタツ
ド放熱型の場合、パッケージ４１Ａの半導体チップ４２
側にピン４６が突出している。このため、テスト信号供
給用ソケット４７に、パッケージ４１Ａを装着すると、
半導体チップ４２と引出しグリッド３０との間隔を第５
図の場合よりも太き（しなければならない。よって、引
出しグリッド３０に印加する電圧やコンデンサレンズ１
６及び対物レンズ２６に供給する電流を、第５図に示す
型の試料に対するものと異なる値にする必要がある。 このように、試料２４の種類が変わると制御パラメータ
も変わるので、試料２４の種類が変わる毎にコンソール
３６を操作して制御パラメータの値を設定し直さなけれ
ばならず、電子ビーム装置の操作が煩雑であるという問
題点があった。 本発明の目的は、このような問題点に鑑み、操作性の良
い電子ビーム装置を提供することにある。
ソール３６を操作して新たに制御パラメータを設定し直
さなければならない。 例えば、第５図に示す如く、試料が製造後の半導体チッ
プ４２の場合、パッケージ４１に装着された半導体チッ
プ４２上には保護膜４４が被着されているので、測定又
は観測の際に電子ビームを半導体チップ４２上に照射す
ると、保護膜４４が帯電する。このため、半導体チップ
４２の上方に配置された引出しグリッド３０に印加する
１０００Ｖ程度の電圧を、保護膜４４が存在しない場合
よりも低くし、かつ、対物レンズ２６に供給する電流を
変更する必要がある。 また、半導体チップ４２と引出しグリッド３０との間隔
は通常１順程度であるが、第６図に示すような銅スタツ
ド放熱型の場合、パッケージ４１Ａの半導体チップ４２
側にピン４６が突出している。このため、テスト信号供
給用ソケット４７に、パッケージ４１Ａを装着すると、
半導体チップ４２と引出しグリッド３０との間隔を第５
図の場合よりも太き（しなければならない。よって、引
出しグリッド３０に印加する電圧やコンデンサレンズ１
６及び対物レンズ２６に供給する電流を、第５図に示す
型の試料に対するものと異なる値にする必要がある。 このように、試料２４の種類が変わると制御パラメータ
も変わるので、試料２４の種類が変わる毎にコンソール
３６を操作して制御パラメータの値を設定し直さなけれ
ばならず、電子ビーム装置の操作が煩雑であるという問
題点があった。 本発明の目的は、このような問題点に鑑み、操作性の良
い電子ビーム装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段］
第１図は本発明に係る電子ビーム装置の原理構成を示す
。 この電子ビーム装置は、電子ビーム１を制御する各種パ
ラメータの設定値に基づいて、電子ビーム１を制御する
。 ３は制御パラメータ記憶手段であり、設定された制御パ
ラメータを試料２の種類と対応させて記憶する。 ４は制御パラメータ抽出手段であり、人力された試料２
の種類に応じて、試料２に対応した制御パラメータを制
御パラメータ記憶手段３から抽出する。 ５は電子ビーム制御手段であり、抽出された制御パラメ
ータに基づいて、電子ビーム１を制御する。 【作用】 本発明では、設定された制御パラメータを試料２の種類
と対応させて制御パラメータ記憶手段３に記憶させ、入
力された試料２の種類に応じて、試料２に対応した制御
パラメータを制御パラメータ記憶手段３から抽出し、抽
出された制御パラメータに基づいて、電子ビーム１を制
御する。 したがって、試料２の種類が変わっても、容易に制御パ
ラメータを設定することができ、電子ビーム装置の操作
性が良い。
。 この電子ビーム装置は、電子ビーム１を制御する各種パ
ラメータの設定値に基づいて、電子ビーム１を制御する
。 ３は制御パラメータ記憶手段であり、設定された制御パ
ラメータを試料２の種類と対応させて記憶する。 ４は制御パラメータ抽出手段であり、人力された試料２
の種類に応じて、試料２に対応した制御パラメータを制
御パラメータ記憶手段３から抽出する。 ５は電子ビーム制御手段であり、抽出された制御パラメ
ータに基づいて、電子ビーム１を制御する。 【作用】 本発明では、設定された制御パラメータを試料２の種類
と対応させて制御パラメータ記憶手段３に記憶させ、入
力された試料２の種類に応じて、試料２に対応した制御
パラメータを制御パラメータ記憶手段３から抽出し、抽
出された制御パラメータに基づいて、電子ビーム１を制
御する。 したがって、試料２の種類が変わっても、容易に制御パ
ラメータを設定することができ、電子ビーム装置の操作
性が良い。
以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説明する。
第２図は電子ビーム装置を示す。第４図と同一構成要素
には同一符号を付してその説明を省略する。 この電子ビーム装置は、第４図に示す構成要素の他に、
記憶装置４８と制御パラメータ設定装置５０とを備えて
いる。 記憶装置４８は、試料２４の種類に応じた制御パラメー
タをパラメータファイルとして記憶させるためのもので
ある。第２図は、試料２４の種類Ａ−Ｘに対するパラメ
ータファイルＡ−Ｘが記憶装置４８に格納されているこ
とを示す。 制御パラメータ設定装置５０は、会話形式により、コン
ソール３６と記憶装置４８と制御装置３８Ａとの間で制
御パラメータの送受等を行うためのものである。 上記構成において、コンソール３６を操作して試料２４
の種類を設定すると、制御パラメータ設定装置５０はこ
の試料２４に対する制御パラメータが記憶装置４８に格
納されているかどうかを判断する。 制御パラメータが記憶装置４８に格納されていなければ
、制御パラメータ設定装置５０は操作者に制御パラメー
タの入力を促す。操作者がこれに応答して、コンソール
３６から制御パラメータを入力すると、制御パラメータ
設定装置５０はこれを記憶装置４８に登録し、かつ、制
御装置３８Ａに供給する。 制御パラメータが記憶装置４８に格納されていれば、制
御パラメータ設定装置５０はこれを読み出し、制御装置
３８Ａに供給する。なお、制御パラメータ設定装置５０
は、必要に応じて、この制御パラメータを操作者に修正
させる。 制御装置３８Ａは、測定又は観測の際、第４図の場合と
同様にこの制御パラメータに基づいて、ドライバ４０を
介しコンデンサレンズ１６、偏向器１８及び対物レンズ
２６に設定電流を供給し、引出しグリッド３０及びエネ
ルギー分析グリッド３２に設定電圧を印加する。 次に、各種の試料２４に対するパラメータファイルが記
憶装置４８に予め登録されている場合の制御パラメータ
設定手順を第３図に基づいて説明する。 （６０）試料のパッケージのタイプの問いに対して答え
る。例えば、第５図に示すような半導体チップ４２の反
対側のパッケージ４１からピン４６が突出しているタイ
プＸであるか、第６図に示すように半導体チップ４２と
同一側のパッケージ４１Ａからビン４６が突出している
タイプＹであるかの問いに対して答える。 （６２）パッケージがタイプＸの場合には、第５図に示
すように半導体チップ４２の表面に保護膜４４が被着さ
れているかどうかの問いに対して答える。 （６４）保護膜４４が被着されている場合には、記憶装
置４８からパラメータファイルＡを読み出し、 （６６）保護膜４４が被着されていない場合には、記憶
装置４８からパラメータファイルＢを読み出す。 上記ステップ６４．６６と同様に、 （６８）パッケージがタイプＹの場合には、半導体テッ
プ４２の表面に保護膜４４が１１Ｍされているかどうか
の問いに対して答える。 （７０）保護膜４４が被着されている場合には、記憶装
置４８からパラメータファイルＣを読み出し、 （７２）保護膜４４が被着されていない場合には、記憶
装置４８からパラメータファイルＤを読み出す。 （７４）読み出した上記パラメータを制御装置３８Δに
供給する。
には同一符号を付してその説明を省略する。 この電子ビーム装置は、第４図に示す構成要素の他に、
記憶装置４８と制御パラメータ設定装置５０とを備えて
いる。 記憶装置４８は、試料２４の種類に応じた制御パラメー
タをパラメータファイルとして記憶させるためのもので
ある。第２図は、試料２４の種類Ａ−Ｘに対するパラメ
ータファイルＡ−Ｘが記憶装置４８に格納されているこ
とを示す。 制御パラメータ設定装置５０は、会話形式により、コン
ソール３６と記憶装置４８と制御装置３８Ａとの間で制
御パラメータの送受等を行うためのものである。 上記構成において、コンソール３６を操作して試料２４
の種類を設定すると、制御パラメータ設定装置５０はこ
の試料２４に対する制御パラメータが記憶装置４８に格
納されているかどうかを判断する。 制御パラメータが記憶装置４８に格納されていなければ
、制御パラメータ設定装置５０は操作者に制御パラメー
タの入力を促す。操作者がこれに応答して、コンソール
３６から制御パラメータを入力すると、制御パラメータ
設定装置５０はこれを記憶装置４８に登録し、かつ、制
御装置３８Ａに供給する。 制御パラメータが記憶装置４８に格納されていれば、制
御パラメータ設定装置５０はこれを読み出し、制御装置
３８Ａに供給する。なお、制御パラメータ設定装置５０
は、必要に応じて、この制御パラメータを操作者に修正
させる。 制御装置３８Ａは、測定又は観測の際、第４図の場合と
同様にこの制御パラメータに基づいて、ドライバ４０を
介しコンデンサレンズ１６、偏向器１８及び対物レンズ
２６に設定電流を供給し、引出しグリッド３０及びエネ
ルギー分析グリッド３２に設定電圧を印加する。 次に、各種の試料２４に対するパラメータファイルが記
憶装置４８に予め登録されている場合の制御パラメータ
設定手順を第３図に基づいて説明する。 （６０）試料のパッケージのタイプの問いに対して答え
る。例えば、第５図に示すような半導体チップ４２の反
対側のパッケージ４１からピン４６が突出しているタイ
プＸであるか、第６図に示すように半導体チップ４２と
同一側のパッケージ４１Ａからビン４６が突出している
タイプＹであるかの問いに対して答える。 （６２）パッケージがタイプＸの場合には、第５図に示
すように半導体チップ４２の表面に保護膜４４が被着さ
れているかどうかの問いに対して答える。 （６４）保護膜４４が被着されている場合には、記憶装
置４８からパラメータファイルＡを読み出し、 （６６）保護膜４４が被着されていない場合には、記憶
装置４８からパラメータファイルＢを読み出す。 上記ステップ６４．６６と同様に、 （６８）パッケージがタイプＹの場合には、半導体テッ
プ４２の表面に保護膜４４が１１Ｍされているかどうか
の問いに対して答える。 （７０）保護膜４４が被着されている場合には、記憶装
置４８からパラメータファイルＣを読み出し、 （７２）保護膜４４が被着されていない場合には、記憶
装置４８からパラメータファイルＤを読み出す。 （７４）読み出した上記パラメータを制御装置３８Δに
供給する。
以上説明した如く、本発明に係る電子ビーム装置では、
設定された制御パラメータを試料の種類と対応させて制
御パラメータ記憶手段に記憶させ、人力された試料の種
類に応じて、試料に対応した制御パラメータを制御パラ
メータ託憶手段から抽出し、抽出された制御パラメータ
に基づいて、電子ビームを制御するので、試料の種類が
変わっても、容易に制御パラメータを設定することがで
き、電子ビーム装置の操作性が良いという効果を奏する
。
設定された制御パラメータを試料の種類と対応させて制
御パラメータ記憶手段に記憶させ、人力された試料の種
類に応じて、試料に対応した制御パラメータを制御パラ
メータ託憶手段から抽出し、抽出された制御パラメータ
に基づいて、電子ビームを制御するので、試料の種類が
変わっても、容易に制御パラメータを設定することがで
き、電子ビーム装置の操作性が良いという効果を奏する
。
第１図は本発明に係る電子ビーム装置の原理構成を示す
ブロック図である。 第２図及び第３図は本発明の一実施例に係り、第２図は
電子ビーム装置の構成図、 第３図は制御パラメータ設定手順を示すフローチャート
である。 第４図は従来の電子ビーム装置の構成図である。 第５図及び第６図は試料の種類を示し、第５図は半導体
チップ４２上に保護膜４４が被着されたＬＳＩの側面図
、 第６図はピン４６がパッケージ４１Ａの半導体チップ４
２側から突出したＬＳＩをソケット４７に装着した側面
図である。 図中、 １２は電子ビーム ６はコンデンサレンズ ８は偏向器 ４は試料 ６は対物レンズ ８は２次電子 ０は引出しグリッド ２はエネルギー分析グリッド ４は検出器 １．４１Ａはパッケージ ２は半導体チップ ４は保護膜 ６はピン １、電子ビーム ２：試料 第１図 従来の電子ビーム装置 第４図 制御パラメータ設定手順 第３図 ３０：引出しグリッド ４２：半導体チップ ４４：保護膜 ４６：ピン ４７：ソケット 試料としてのＬＳＩ 試料としてのＬＳＩ 第６図
ブロック図である。 第２図及び第３図は本発明の一実施例に係り、第２図は
電子ビーム装置の構成図、 第３図は制御パラメータ設定手順を示すフローチャート
である。 第４図は従来の電子ビーム装置の構成図である。 第５図及び第６図は試料の種類を示し、第５図は半導体
チップ４２上に保護膜４４が被着されたＬＳＩの側面図
、 第６図はピン４６がパッケージ４１Ａの半導体チップ４
２側から突出したＬＳＩをソケット４７に装着した側面
図である。 図中、 １２は電子ビーム ６はコンデンサレンズ ８は偏向器 ４は試料 ６は対物レンズ ８は２次電子 ０は引出しグリッド ２はエネルギー分析グリッド ４は検出器 １．４１Ａはパッケージ ２は半導体チップ ４は保護膜 ６はピン １、電子ビーム ２：試料 第１図 従来の電子ビーム装置 第４図 制御パラメータ設定手順 第３図 ３０：引出しグリッド ４２：半導体チップ ４４：保護膜 ４６：ピン ４７：ソケット 試料としてのＬＳＩ 試料としてのＬＳＩ 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電子ビーム（１）を制御する各種パラメータの設定値に
基づいて、該電子ビームを制御する電子ビーム装置にお
いて、 設定された該制御パラメータを試料（２）の種類と対応
させて記憶する制御パラメータ記憶手段（３）と、 入力された試料の種類に応じて、該試料に対応した該制
御パラメータを該制御パラメータ記憶手段から抽出する
制御パラメータ抽出手段（４）と、抽出された該制御パ
ラメータに基づいて、該電子ビームを制御する電子ビー
ム制御手段（５）と、を有することを特徴とする電子ビ
ーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2222777A JPH04105079A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | 電子ビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2222777A JPH04105079A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | 電子ビーム装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04105079A true JPH04105079A (ja) | 1992-04-07 |
Family
ID=16787731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2222777A Pending JPH04105079A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | 電子ビーム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04105079A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07282764A (ja) * | 1994-04-01 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | 電子顕微鏡用画像処理装置及び電子顕微鏡制御装置 |
| FR2832546A1 (fr) * | 2001-11-20 | 2003-05-23 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif de reglage d'un appareil de generation d'un faisceau de particules chargees |
| JP2010198998A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型電子顕微鏡 |
| WO2013129210A1 (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
-
1990
- 1990-08-24 JP JP2222777A patent/JPH04105079A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07282764A (ja) * | 1994-04-01 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | 電子顕微鏡用画像処理装置及び電子顕微鏡制御装置 |
| FR2832546A1 (fr) * | 2001-11-20 | 2003-05-23 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif de reglage d'un appareil de generation d'un faisceau de particules chargees |
| WO2003044824A1 (fr) * | 2001-11-20 | 2003-05-30 | Centre National De La Recherche Scientifique | Dispositif de reglage d'un appareil de generation d'un faisceau de particules chargees |
| US7238956B2 (en) | 2001-11-20 | 2007-07-03 | Centre National De La Recherche Scientifique | Device for controlling an apparatus generating a charged particle beam |
| US7365348B2 (en) | 2001-11-20 | 2008-04-29 | Centre National De La Recherche Scientifique | Adjusting device of an apparatus for generating a beam of charged particles |
| JP2010198998A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型電子顕微鏡 |
| WO2013129210A1 (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
| JP2013182792A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
| US9245710B2 (en) | 2012-03-02 | 2016-01-26 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam device |
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