JP6344078B2 - 電子ビーム装置並びに電子ビーム装置の制御装置及び制御方法 - Google Patents

電子ビーム装置並びに電子ビーム装置の制御装置及び制御方法 Download PDF

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本発明は、電子ビームを試料に照射して、試料から発生する二次電子やX線などを検出し、それに基づき試料の形状を観察して元素分析を行う電子線マイクロアナライザや走査型電子顕微鏡などの電子ビーム装置並びに電子ビーム装置の制御装置及び制御方法に関する。
電子ビーム装置の一つである電子線マイクロアナライザ(EPMA)は、電子銃で発生した電子ビームを集束レンズを用いて小さな径に絞り、試料に照射する。電子ビームが照射された試料からは、特性X線や二次電子などが放出され、これを検出器で検出することにより、試料に含まれる元素の定性・定量分析が行われる。
特許文献1には、このような電子ビーム装置が記載されている。図5に特許文献1に記載の電子ビーム装置の概略図を示す。この電子ビーム装置520は、電子銃51と試料台59の間に、集束レンズ52、遮蔽板56、ファラデーカップ55、及び対物レンズ53を備える。ファラデーカップ55には、入口側に通過アパーチャ板57、出口側に対物アパーチャ板58が設けられている。これらのうち電子銃51、ファラデーカップ55、遮蔽板56、通過アパーチャ板57、及び対物アパーチャ板58は、真空チャンバ50に収容されている。
この電子ビーム装置520は以下のように動作する。電子銃51から発生した電子ビーム510は集束レンズ52で一旦集束され、その後、遮蔽板56に設けられたアパーチャ56a以上の拡がりを持つように、遮蔽板56に照射される。アパーチャ56aを通過した電子ビームは、通過アパーチャ板57に設けられたアパーチャ57aからファラデーカップ55内に入る。ここで電子ビームの一部は出口側の対物アパーチャ板58で遮られ、その電流量が検出される。一方、対物アパーチャ板58の開口部(対物アパーチャ)を通り抜けた電子ビームは、対物レンズ53で小さな径に絞られ、試料台59上に載置された分析対象の試料54に照射される。この電子線照射により試料54から放射される特性X線は、図示しないX線分光器によって分光されつつ検出され、試料に含まれる元素からの特性X線の強度に基づいてその元素の濃度が求められる。
ファラデーカップ55の対物アパーチャ板58で遮られた電子ビームの強度(電子の流量)は、電流検出回路512により検出される。集束レンズ制御部513は、電流検出回路512で検出される電流値が一定の値となるように、集束レンズ電源514を介して集束レンズ52をフィードバック制御している。電子ビーム装置520では、このように、ファラデーカップ55によって電子ビーム強度(ビーム電流量)を確認し、その強度が一定となるように集束レンズ52のパワーをフィードバック制御して、試料に照射される電子ビーム強度を安定化させている。
特開平10-162760号公報
このような電子ビーム装置520において、通常の状態では前記のとおり集束レンズ52のパワーは正しくフィードバック制御されているが、過渡的な状態、例えば、電子銃51を立ち上げた直後や電子ビームの加速電圧を大きく変化させる際には、集束レンズ52のフィードバック制御がそのような変化に追随できず、図6の断面模式図に範囲(S)で示すように、電子ビーム510は、集束レンズ52により十分な集束を受けずに真空チャンバ50の側壁に直接照射される場合がある。このような場合に、真空チャンバ50の側壁に照射された電子は、そこに付着している汚れやパーティクル等に蓄積し、その部分にチャージアップが生じる。真空チャンバ50の側壁にチャージアップが生じると、真空チャンバ50で囲まれた領域を進行する電子ビームはその電位により影響を受け、軸ずれが生じる。
試料54の分析の精度を高め、感度を高めるためには、電子ビームの強度(電流量)を大きくする必要がある。しかし、電子ビームの強度を大きくすると、上述の場合に生じるチャージアップの量が大きくなり、電子ビームの軸ずれの量が大きくなる。
本発明が解決しようとする課題は、真空チャンバの側壁におけるチャージアップを防止することのできる電子ビーム装置並びに電子ビーム装置の制御装置及び制御方法を提供することである。
上記課題を解決するために成された本発明に係る電子ビーム制御装置は、真空チャンバ内に配設された電子銃とアパーチャ板を備える電子ビーム装置において、前記電子銃から射出され、前記アパーチャ板に設けられたアパーチャを通過する電子ビームを制御するために集束レンズに供給する集束電流の量を制御する装置であって、
a) 前記電子銃に印加される加速電圧が変更されることを検出する加速電圧変更検出部と、
b) 前記変更が検出された場合に、前記加速電圧を変更する前に、前記集束電流の量に所定の最小値を設定する最小集束電流値設定部と、
を備えることを特徴とする。
前記「所定の最小値」としては、集束レンズにより集束された電子ビームが真空チャンバの側壁に照射されないような値とすることができる。これにより、前記のようなチャージアップが防止され、電子ビームの軸ずれを防止することができる。このような「所定の最小値」は、電子銃とアパーチャ板の間に設けられた集束レンズからアパーチャ板までの距離及び真空チャンバの大きさ等の幾何学的配置に基づいて予め定めることができる。
また、「所定の最小値」として、電子ビームがアパーチャ板の、アパーチャの周囲の所定の範囲のみを照射するような値や、ユーザが分析で使用する最小のビーム電流の値とすることもできる。
また、上記課題を解決するために成された本発明に係る電子ビーム装置は、
a) 電子ビームを射出する電子銃と、
b) 前記電子ビームを集束する集束レンズと、
c) 前記集束レンズによって集束した前記電子ビームが通過するアパーチャを有するアパーチャ板と、
d) 前記電子銃と前記アパーチャ板を収容する真空チャンバと、
e) 前記アパーチャを通過する電子ビームを制御するために前記集束レンズに供給する集束電流の量を制御する装置であって、
e1) 前記電子銃に印加される加速電圧が変更されることを検出する加速電圧変更検出部と、
e2) 前記変更が検出された場合に、前記加速電圧を変更する前に、前記集束電流の量に所定の最小値を設定する最小集束電流値設定部と、
を有する電子ビーム制御装置と、
を備えることを特徴とする。
さらに、上記課題を解決するために成された本発明に係る電子ビーム装置の制御方法は、
真空チャンバ内に配設された電子銃とアパーチャ板を備える電子ビーム装置の制御方法であって、
a) 前記電子銃に印加される加速電圧が変更されることを検出する検出ステップと、
b) 前記変更が検出された場合に、前記加速電圧を変更する前に、前記アパーチャ板に設けられたアパーチャを通過する電子ビームを制御するために集束レンズに供給する集束電流の量を所定の最小値に設定するステップと、
を有することを特徴とする。
上記構成の電子ビーム制御装置、該制御装置を備える電子ビーム装置、及び電子ビーム装置の制御方法によれば、電子銃に印加する加速電圧の設定値を変更する場合に、電子ビーム制御装置が、集束レンズに供給する集束電流の量を所定の最小値に設定する。所定の最小値として、集束レンズにより集束された電子ビームが真空チャンバの側壁に照射されないような値とすることができる。これにより、真空チャンバ側壁におけるチャージアップを防止でき、電子ビームの軸ずれを防止することができる。
実施例に係る電子ビーム装置の構成概略図。 本実施例における電子ビームの集束の態様を説明する概略図。 本実施例におけるシミュレーションを説明する図。 本実施例における電子ビーム制御装置の動作を説明するフローチャート。 従来の電子ビーム装置を説明する概略図。 従来の電子ビーム装置の集束レンズが制御されていない場合における、電子ビームを説明する断面模式図。
以下、本発明を実施するための形態を実施例を用いて説明する。
図1に本実施例に係る電子ビーム装置120の構成の概略図を示す。電子ビーム装置120は、電子銃11、集束レンズ12、対物レンズ13、遮蔽板15、真空チャンバ16、アパーチャ板18、試料台19、集束レンズ電源114、及び電子ビーム制御装置115を備える。本実施例では、電子銃11に所定の加速電圧を印加した状態で電子銃から射出される電子ビーム110を、集束レンズ12で集束して、該集束レンズ12の位置に設けられた遮蔽板15の開口及びアパーチャ板18に設けられたアパーチャに通し、対物レンズ13で再度集束して試料台19上に載置された試料14に照射することにより、試料から放出される二次電子線を図示しない検出器により検出する電子線マイクロアナライザ(EPMA)を例に説明する。電子ビーム制御装置115は、メモリ111、最小集束電流値設定部112及び加速電圧変更検出部113を備え、具体的にはコンピュータで具現化される。電子ビーム制御装置115には、入力部116が接続されており、入力部116は、電子ビーム制御装置115に対して、ユーザが指示を入力するためのキーボードやマウス等、コンピュータに対する公知の入力手段で構成される。
電子ビーム装置120の電子ビームの集束の態様を図2(A)及び図2(B)を用いて説明する。電子銃11から発生した電子ビーム110は、集束レンズ12で集束された後、アパーチャ板18に至る。ここで、通常の動作時には、集束レンズ12に供給する集束電流量が十分に大きく、電子ビーム110は、図2(B)のように、アパーチャ板18に設けられたアパーチャを通るように集束レンズ12によって集束される。
集束レンズ12に供給する集束電流の量が小さくなるにつれて、電子ビーム110は、集束レンズ12により十分な集束を受けなくなり、アパーチャ板18で一部が遮られるようになり、やがて、図2(A)に示すように、アパーチャ板18が設けられた位置での電子ビーム110の直径がアパーチャ板18の一辺の長さと等しくなる。換言すると、アパーチャ板18が設けられた位置における電子ビーム110の直径が、真空チャンバ16の側壁間距離と等しくなる。本実施例では、この場合の集束電流の量を所定の最小値とする。
ここで、上述の最小値は、電子銃11とアパーチャ板18の間に設けられた集束レンズ12からアパーチャ板18までの距離及び真空チャンバ16の大きさ等の幾何学的配置に基づく光線追跡により予め定めることができる。本実施例では、図3に示すように、遮蔽板15に設けられた開口の直径φが1mm、遮蔽板15からアパーチャ板18までの距離Dが260mm、該アパーチャ板18が設けられた位置での真空チャンバ16の側壁間距離φが6mmである場合を説明する。なお、図3の物点Oは、電子ビーム110を射出する電子銃11に相当する。アパーチャ板18が設けられた位置における電子ビーム110の直径が、真空チャンバ16の側壁間距離と等しくなる場合における、アパーチャ板18が設けられた位置の像に対応する像点Iのアパーチャ板18からの距離Lは、φ:φ=(L−D):Lという比例関係から、L=312mmと求まる。
像点Iが形成される位置は集束レンズ12等の光学系の特性による。そのため、上述のように各部の大きさが決まると、近軸近似による光線追跡(シミュレーション)などの計算により、アパーチャ板18からの距離Lに像点Iが形成される場合に対応する集束電流の量を求めることができる。本実施例では、この集束電流の量Iは、加速電圧Vが10kV、集束レンズ12のコイルの巻き数が850の場合、0.75Aと計算される。なお、アパーチャ板18が設けられた位置での電子ビーム110の広がりは、加速電圧の平方根に比例する。そのため、加速電圧Vの場合の上述の計算結果から、装置に設定する設定加速電圧がVkVである場合の集束電流の量Iは、I=I×√(V/V)により、計算することができる。例えば、設定加速電圧Vが20kVの場合の集束電流の量Iは、Ir=0.75×√(20/10)=1.06Aと計算される。
このように、所定の最小値として、集束レンズ12により集束された電子ビーム110が真空チャンバ16の側壁に照射されないような値とすることができる。このように、予め定めた最小値は、キーボードで構成された入力部116を操作して、電子ビーム制御装置115内のメモリ111に記憶させる。本実施例では、設定加速電圧が20kVの場合を説明するため、上述の1.06Aを最小値としてメモリ111に記憶させる。
本実施例に係る電子ビーム装置並びに電子ビーム装置の制御装置及び制御方法は、電子銃11を立ち上げた直後や電子ビームの加速電圧を大きく変化させる際等の過渡的な状態における動作に特徴を有する。そのため、以下では、電子ビーム装置120において、電子銃11に印加する加速電圧を10kVから20kVに変更する場合の動作を図4を参照しつつ説明する。
まず、電子ビーム装置120のユーザは、入力部116を操作して、加速電圧の値20kVを入力する(ステップS41)。電子ビーム制御装置115の加速電圧変更検出部113は、入力部116から加速電圧の値が入力されたことをトリガーとして、加速電圧の変更を検出する(ステップS42)。加速電圧変更検出部113は、この変更を検出すると、最小集束電流値設定部112がメモリ111から所定の最小値(1.06A)を読み出し、集束レンズ12に供給する集束電流の量に該所定の最小値を設定する(ステップS43)。これにより、最小集束電流値設定部112から集束レンズ電源114に該最小値の電流を流す制御信号が送出され、集束レンズ電源114から集束レンズ12に該最小値の集束電流が供給される。このように、集束レンズ12に所定の最小値を供給した後、電子ビーム制御装置115は、電子銃11に印加する加速電圧をステップS41で入力された値(20kV)に変更する(ステップS44)。
このように、加速電圧の変更が指示される場合において、直ちに加速電圧が変更されることなく、集束レンズ12に所定の最小値である集束電流を供給した後に加速電圧が変更される。そして、該最小値は集束レンズ12により集束された電子ビーム110が真空チャンバ16の側壁に照射されないような値であるため、電子ビーム110が真空チャンバ16の側壁に直接照射されることがない。これにより、真空チャンバ側壁におけるチャージアップを防止でき、電子ビーム110の軸ずれを防止することができる。
また、所定の最小値として、ユーザが分析で使用する最小のビーム電流の値にする場合では、加速電圧の設定値の変更に伴って集束電流の値が変化する範囲を小さくすることができる。これにより、電子ビーム装置が所期の分析条件となるのに要する時間を短くすることができ、電子ビーム装置の操作性を向上させることができる。
上述の実施例では、電子銃11に印加する加速電圧を10kVから20kVに変化させる場合を説明したが、加速電圧の値はこれに限られない。また、加速電圧変更検出部113が、入力部116から加速電圧の値が入力されたこと(ユーザの指示)をトリガーとして、加速電圧の変更を検出する場合を説明したが、加速電圧変更検出部113は、ユーザの指示によらず、試料台19の位置情報など別の信号をトリガーとして、加速電圧の変更を検出してもよい。
電子銃11を立ち上げる場合は、加速電圧が印加されていない状態(0kV)から所定の加速電圧(例えば10kV)へ加速電圧を変化させる場合と見なすことができ、このように電子銃を立ち上げる場合も、上述の実施例と同様に集束電流の量を制御することができる。また、電子線マイクロアナライザ(EPMA)を例に説明したが、本発明の電子ビーム制御装置を、走査型電子顕微鏡など他の電子ビーム装置に適用可能であることは明らかである。
11、51…電子銃
12、52…集束レンズ
13、53…対物レンズ
14、54…試料
16、50…真空チャンバ
18、57、58…アパーチャ板
19、59…試料台
55…ファラデーカップ
15、56…遮蔽板
56a、57a…アパーチャ
110、510…電子ビーム
111…メモリ
112…最小集束電流量設定部
113…加速電圧変更検出部
114、514…集束レンズ電源
115…電子ビーム制御装置
116…入力部
120、520…電子ビーム装置
512…電流検出回路
513…集束レンズ制御部

Claims (6)

  1. 真空チャンバ内に配設された電子銃とアパーチャ板を備える電子ビーム装置において、前記電子銃から射出され、前記アパーチャ板に設けられたアパーチャを通過する電子ビームを制御するために集束レンズに供給する集束電流の量を制御する装置であって、
    a) 前記電子銃に印加される加速電圧が変更されることを検出する加速電圧変更検出部と、
    b) 前記変更が検出された場合に、前記加速電圧を変更する前に、前記集束電流の量に0でない所定の最小値を設定する最小集束電流値設定部と、
    を備えることを特徴とする、電子ビーム制御装置。
  2. 前記所定の最小値は、前記電子銃と前記アパーチャ板の間に設けられた前記集束レンズから前記アパーチャ板までの距離及び前記真空チャンバの大きさに基づいて定められることを特徴とする、請求項1に記載の電子ビーム制御装置。
  3. a) 電子ビームを射出する電子銃と、
    b) 前記電子ビームを集束する集束レンズと、
    c) 前記集束レンズによって集束した前記電子ビームが通過するアパーチャを有するアパーチャ板と、
    d) 前記電子銃と前記アパーチャ板を収容する真空チャンバと、
    e) 前記アパーチャを通過する電子ビームを制御するために前記集束レンズに供給する集束電流の量を制御する装置であって、
    e1) 前記電子銃に印加される加速電圧が変更されることを検出する加速電圧変更検出部と、
    e2) 前記変更が検出された場合に、前記加速電圧を変更する前に、前記集束電流の量に0でない所定の最小値を設定する最小集束電流値設定部と、
    を有する電子ビーム制御装置と、
    を備えることを特徴とする、電子ビーム装置。
  4. 前記所定の最小値は、前記電子銃と前記アパーチャ板の間に設けられた前記集束レンズから前記アパーチャ板までの距離及び前記真空チャンバの大きさに基づいて定められることを特徴とする、請求項3に記載の電子ビーム装置。
  5. 真空チャンバ内に配設された電子銃とアパーチャ板を備える電子ビーム装置の制御方法であって、
    a) 前記電子銃に印加される加速電圧が変更されることを検出する検出ステップと、
    b) 前記変更が検出された場合に、前記加速電圧を変更する前に、前記アパーチャ板に設けられたアパーチャを通過する電子ビームを制御するために集束レンズに供給する集束電流の量を0でない所定の最小値に設定するステップと、
    を有することを特徴とする、電子ビーム装置の制御方法。
  6. 前記所定の最小値は、前記電子銃と前記アパーチャ板の間に設けられた前記集束レンズから前記アパーチャ板までの距離及び前記真空チャンバの大きさに基づいて定められることを特徴とする、請求項5に記載の電子ビーム装置の制御方法。
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JPS63276856A (ja) * 1986-12-27 1988-11-15 Jeol Ltd 電界放射電子源を有した電子線装置
JP2582151B2 (ja) * 1989-02-03 1997-02-19 富士通株式会社 電子ビーム中心軸自動調整装置
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