JP2001068430A5 - レーザー処理方法 - Google Patents

Claims (9)

1. レーザー発振器からのレーザービームをビームホモジェナイザーによって線状のビームに整形して、前記線状のビームを走査しながら被処理物に照射するレーザー処理方法であって、
   前記ビームホモジェナイザーは、前記レーザービームを複数のビーム分割し、前記分割されたビームを重ね合わせることにより、定常波を被処理物の照射面に照射するレーザー処理方法であって、
   前記線状のビームを、前記線状のビームの幅方向に対して斜めに走査することを特徴とするレーザー処理方法。
2. 縦方向に光をＮ（ｎ′−１）分割する第１のシリンドリカルレンズ群、光を横方向に（２ｎ＋１）分割するための第２のシリンドリカルレンズ群、前記横方向に分割された光を（ｎ′−１）個に結合し、かつ前記（ｎ′−１）個の光を横方向にｄ／（ｎ′−１）ずつ互いにずらして重ね合わせるための（ｎ′−１）個の第１のシリンドリカルレンズ、及び前記縦方向に分割された光を結合させるための第２のシリンドリカルレンズを少なくとも有する光学系を通して、レーザー発振器からのレーザービームを前記横方向に長手形状を有する線状のビームにし、
   前記線状のビームを走査しながら被照射物に照射するレーザー処理方法であって、
   前記線状のビームを、前記線状のビームの幅方向に対して斜めに走査し、
   前記Ｎは自然数であり、
   前記ｎおよびｎ′は、３≦ｎ′≦ｎの範囲にある整数であり、
   前記ｄは、前記（ｎ′−１）個の第１のシリンドリカルレンズを構成するレンズの一つを通過するビームが照射面において形成する干渉縞のピークの間隔として定義されることを特徴とするレーザー処理方法。
3. 縦方向に光をＮ（ｎ′−１）分割するための第１のシリンドリカルレンズ群、光を横方向に（２ｎ＋１）分割するための第２のシリンドリカルレンズ群、前記横方向に分割された光を（ｎ′−１）個に結合し、かつ前記（ｎ′−１）個の光を横方向にｄ／（ｎ′−１）ずつ互いにずらして重ね合わせるための（ｎ′−１）個の第１のシリンドリカルレンズ、及び前記縦方向に分割された光を結合させるための第２のシリンドリカルレンズを少なくとも有する光学系を通して、レーザー発振器からのレーザービームを前記横方向に長手形状を有する線状のビームにし、
   前記線状のビームを走査しながら被照射物に照射するレーザー処理方法であって、
   前記線状のビームを、前記線状のビームの幅方向に対して斜めに走査し、
   前記Ｎは自然数であり、
   前記ｎおよびｎ′は、３≦ｎ′≦ｎの範囲にある整数であり、
   前記ｄは、λを前記レーザービームの波長とし、ｆを前記第１のシリンドリカルレンズの焦点距離とし、Ｌを前記第２のシリンドリカルレンズ群を構成する一つのレンズの幅として、ｄ＝λｆ／Ｌで示されることを特徴とするレーザー処理方法。
4. 縦方向に光をＮ（ｎ′−１）分割するための第１のシリンドリカルレンズ群、光を横方向に（２ｎ）分割するための第２のシリンドリカルレンズ群、前記横方向に分割された光を（ｎ′−１）個に結合し、かつ前記（ｎ′−１）個の光を横方向にｄ／（ｎ′−１）ずつ互いにずらして重ね合わせるための（ｎ′−１）個の第１のシリンドリカルレンズ、及び前記縦方向に分割された光を結合させる役割を果たす第２のシリンドリカルレンズを少なくとも有する光学系を通して、レーザー発振器からのレーザービームを前記横方向に長手形状を有する線状のビームにし、
   前記線状のビームを走査しながら被照射物に照射するレーザー処理方法であって、
   前記線状のビームを、前記線状のビームの幅方向に対して斜めに走査し、
   前記Ｎは自然数であり、
   前記ｎおよびｎ′は、３≦ｎ′≦ｎの範囲にある整数であり、
   前記ｄは、前記（ｎ′−１）個の第１のシリンドリカルレンズを構成するレンズの一つを通過するビームが照射面において形成する干渉縞のピークの間隔として定義されること を特徴とするレーザー処理方法。
5. 縦方向に光をＮ（ｎ′−１）分割するための第１のシリンドリカルレンズ群、光を横方向に（２ｎ）分割する役割を果たす第２のシリンドリカルレンズ群、前記横方向に分割された光を（ｎ′−１）個に結合し、かつ前記（ｎ′−１）個の光を横方向にｄ／（ｎ′−１）ずつ互いにずらして重ね合わせるための（ｎ′−１）個の第１のシリンドリカルレンズ、及び前記縦方向に分割された光を結合させる役割を果たす第２のシリンドリカルレンズを少なくとも有する光学系を通して、レーザー発振器からのレーザービームを前記横方向に長手形状を有する線状のビームにし、
   前記線状のビームを走査しながら被照射物に照射するレーザー処理方法であって、
   前記線状のビームを、前記線状のビームの幅方向に対して斜めに走査し、
   前記Ｎは自然数であり、
   前記ｎおよびｎ′は、３≦ｎ′≦ｎの範囲にある整数であり、
   前記ｄは、λを前記レーザービームの波長とし、ｆを前記第１のシリンドリカルレンズの焦点距離とし、Ｌを前記第２のシリンドリカルレンズ群を構成する一つのレンズの幅として、ｄ＝λｆ／Ｌで示されることを特徴とするレーザー処理方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、前記被処理物は半導体膜であることを特徴とするレーザー処理方法。
7. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、前記被処理物は非晶質珪素膜であり、前記線状のビームを照射することにより、前記非晶質珪素膜を結晶化させることを特徴とするレーザー処理方法。
8. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、前記被処理物はドーパントが添加された珪素膜であり、前記線状のビームを照射することにより、前記添加されたドーパントを活性化することを特徴とするレーザー処理方法。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、前記レーザービームはエキシマレーザービームであることを特徴とするレーザー処理方法。