JP2001066422A - Ｕｖ放射線供給源用の反射装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 放射線エネルギーを選択的かつ有効に利用す
るための反射装置および当該装置を用いた放射線システ
ムを提供する。 【解決手段】 本発明の放射線システムに用いる反射装
置は２４０乃至２８０ｎｍの放射線の５０％以上を反射
する拡散反射性の表面により構成されている。さらに、
本発明の放射線システムは少なくとも１個の放射線供給
源および当該少なくとも１個の放射線供給源を少なくと
も部分的に囲む少なくとも１個の反射装置により構成さ
れていて、当該少なくとも１個の反射装置が拡散反射装
置である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は紫外放射線を供給す
る放射用の新規な反射装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】米国特許第５，７８６，５９８号はフラ
ッシュランプシステムがコンタクトレンズおよび防腐性
流体を収容する金属箔背面部材を備えるポリオレフィン
コンテナを含むコンテナ内における微生物を不活性化す
るために使用できるという一般的な概念を開示してい
る。さらに、この特許はコンテナ内の防腐性溶液中のコ
ンタクトレンズを滅菌処理するためのフラッシュランプ
を使用する方法を開示しているが、当該方法は滅菌を行
なう条件について何ら定めておらず、滅菌処理を行なう
実施例を何ら示していない。

【０００３】また、米国特許第５，０３４，２３５号お
よび同第４，８７１，５５９号は食物製品の表面上の微
生物を不活性化するための光の極めて強度が高く極めて
短い持続性のパルスの断続的な使用を開示しており、こ
の方法がコンテナ、医療装置、およびパッケージ内の食
品に使用できることを示唆している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】コンテナ内のコンタク
トレンズの滅菌処理用のフラッシュランプシステムを使
用する試みが今日まで行なわれてきたが、システム内に
おいて高信頼性の滅菌処理を継続的に行なえるシステム
は依然として開発されていない。また、市販のシステム
による実験では、通常の動作条件下で全ての微生物に対
する滅菌処理が実現されていない。コンテナに対する放
射線強度を高めるためにフラッシュランプに供給する電
圧を高める必要があるが、このことによりランプの寿命
が短くなり、コンテナや製品の材料が損傷する。さら
に、ランプの短縮化した寿命によりさらに高い頻度が必
要となるランプの交換の度に、ランプ毎の放射線強度の
変化により達成される滅菌度において変化が生じる。使
い捨てコンタクトレンズの滅菌処理の場合に、ＵＳＦＤ
Ａは１０^-6（コンテナ当たりの微生物の数）の最小滅菌
度保証値（ＳＡＬ）を要求している。この１０^-6の滅菌
度保証値は１００万個のコンテナに１個の非滅菌状態の
コンテナが存在する確率である。それゆえ、繰り返し使
用可能で市販のものの使用を可能にするフラッシュラン
プシステムを用いる滅菌処理用の製品に対して均一に高
エネルギーＵＶ放射線を供給するための方法が依然とし
て要望されている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は高エネルギー放
射線システム用の反射装置を提供し、当該反射装置はこ
の反射装置を照射する２４０ｎｍ乃至２８０ｎｍの放射
線の５０％以上を反射する拡散反射表面を有する反射性
材料により構成される放射線供給源に少なくとも部分的
に及ぶ。本発明の反射装置は標的物の面積または体積に
対して均一なＵＶ放射線を供給する。さらに、放射線を
より均一にするだけでなく、この拡散反射装置は鏡面反
射装置に比べた場合に当該反射装置を照射するランプか
らの放射線をさらに反射することができる。この均一な
ＵＶ放射線は標的物の体積内の全ての場所に最小量の放
射線を低電圧で供給するようにランプを使用して当該ラ
ンプの有効寿命を延長することができる。この結果、ラ
ンプ間の変異性がこの拡散反射装置により減少できる。

【０００６】また、本発明は楕円形状の単数または複数
の反射装置を提供する。複数の楕円形状の反射装置を使
用して反射性の空孔部を形成する場合に、好ましくはこ
の空孔部の表面のほぼ全体または全体が拡散性の反射表
面であり、反射装置が交差して標的部により満たされる
空間部を形成する場合にこれらの反射装置の基部が当該
標的部に適合する大きさを有していて、不要な空間部が
最小にできるように構成されている。この不要な空間部
とは、放射線が標的物を照射することなく標的物のそば
を通過することができる空間を意味する。このような反
射装置の構成により、ランプから標的物への放射線の反
射が最大にできる。

【０００７】本発明の新規な反射装置は薬剤、医療、お
よび化粧用の製品を含む製品を滅菌処理するためにこれ
らの反射装置を有する好ましくはパルスフラッシュラン
プシステムのような放射線システムを使用可能にし、こ
れらの製品の製造においてインラインモードで使用でき
る。さらに、この標的物に対して均一な放射線を供給す
る本発明に開示される反射装置は光重合化、表面処理お
よびレーザー用途等にも使用できる。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基いて
説明する。用語の「紫外放射線」または「ＵＶ放射線」
とは、２００ｎｍ乃至４００ｎｍの単一または複数の放
射線を意味する。なお、「紫外放射線」または「ＵＶ放
射線」において範囲を特定する場合は、放射線の比較的
狭い範囲とは２００ｎｍ乃至４００ｎｍの範囲内を意味
する。さらに、特定された範囲は、特別な断りのない限
り、この範囲内の単一または複数の波長を有する放射線
を意味する。

【０００９】さらに、「幅広いスペクトルの放射線」と
は、放射線の少なくとも一部分がＵＶ放射線である２０
ｎｍ乃至１１００ｎｍの波長の少なくとも大部分を有し
ている放射線を意味する。

【００１０】また、「放射線を標的物に向ける（照射す
る）」とは、反射、透過、または反射性発光により放射
線を標的物に送給することを意味する。この照射される
放射線は標的物に直接的または間接的に到達して、その
幾分の量が意図的または偶然に減衰して減らされる。な
お、この場合の「標的物」とは、医療装置、コンテナ、
または放射線が照射される表面等である。

【００１１】本発明は高エネルギー放射線供給源用に使
用するための反射装置を提供する。この本発明の反射装
置と共に使用できる高エネルギー放射線供給源はフラッ
シュランプ、アークランプ、レーザー（連続式または不
連続式）、重水素ランプ、またはキセノンガスまたは水
銀蒸気光供給源等の連続波光供給源のような分離式また
は連続式の非干渉性ランプを含む。これらのＵＶ放射線
供給源は高エネルギー式であり、フラッシュランプの場
合に０．１ジュール／ｃｍ² または連続式放射線供給源
の場合に２０ワット／ｃｍ² 以上のエネルギーを発生し
て、好ましくは、２４０ｎｍ乃至２８０ｎｍの放射線を
少なくとも１％含んでいる。現在において好ましいと思
われるＵＶ放射線供給源は、１回のフラッシュ当たりの
少なくとも１０ミリジュール／ｃｍ² がＵＶ放射線であ
る１回のフラッシュ当たりに少なくとも１ジュール／ｃ
ｍ² の幅広い放射線（１００ｎｍ乃至３０００ｎｍ）を
生じる例えば１個乃至６個の任意数のランプを備えてい
るフラッシュランプシステムである。本発明の好ましい
用途はコンタクトレンズ（標的物）の滅菌処理用のフラ
ッシュランプシステムにおける使用を含む。本明細書に
参考文献として含まれる「滅菌処理の方法」と題する米
国特許出願第０９／２５９，７５８号（代理人整理番
号：ＶＴＮ−３８８）はコンタクトレンズを滅菌処理す
る方法をさらに詳細に説明している。この場合に、２４
０ｎｍ乃至２８０ｎｍの放射線が微生物の滅菌処理に最
も有効な範囲であるが、多くの文献において２５４ｎｍ
がこの範囲の最高値であることが示されている。

【００１２】上記の反射装置は反射性材料および拡散性
の反射表面により構成されている。この反射装置は標的
物を照射する２４０ｎｍ乃至２８０ｎｍの放射線の５０
％以上、さらに好ましくは７５％以上、最も好ましくは
９０％以上を反射する。本明細書に記載する材料を使用
する本発明の反射装置の多くは２４０ｎｍ乃至２８０ｎ
ｍの放射線の９５％以上を反射する。幾つかの実施形態
の場合に、上記の反射性材料はは当該材料を照射する２
５０ｎｍ乃至２７０ｎｍの放射線の５０％以上、さらに
好ましくは７５％以上、最も好ましくは９０％以上を反
射する。これらの２４０ｎｍ乃至２８０ｎｍおよび２５
０ｎｍ乃至２７０ｎｍの範囲は所望の範囲と言われ、反
射装置はこの特定の範囲外の付加的な放射線を反射して
もしなくてもよいが、少なくとも当該所望の範囲内の特
定の割合の放射線を反射する。反射される放射線の量に
は反射装置により吸収される放射線および所望の範囲内
の異なる波長で再発光される放射線が含まれる。また、
この反射装置は当該装置に照射する所望の放射線の全て
の波長の少なくとも一部分を反射するのが好ましい。ま
た、上記の反射性材料は単一の割合で所望範囲内の全て
の波長を反射しなくてもよく、特定の反射性材料は用途
により適したものを選ぶことができる。また、反射性材
料の混合物を使用して所望範囲内の特定または全ての波
長における反射性を改善することができる。

【００１３】本発明の反射装置は好ましくは１．７以
上、さらに好ましくは２以上、最も好ましくは３以上の
品質（Ｑ）係数（Quality Factor）を有している。この
品質係数は全ての放射線供給源および閉じた空孔部に構
成されたそれらの反射装置からの標的物領域内において
測定された全エネルギーを開口した空孔部における標的
物の領域または空間内において個々に測定された各ラン
プおよび反射装置からのエネルギーで割った比率値とし
て定義される。２個の反射装置および２個のランプによ
り構成される好ましい実施形態において、このＱ係数は
３以上であり、好ましくは４以上で、最も好ましくは５
以上である。

【００１４】反射装置の一部分である上記の反射性材料
は放射線供給源からの放射線を標的物に対して反射す
る。この標的物は、例えば、滅菌処理、光活性化、表面
処理、光重合化等の目的のために放射線により影響を受
ける任意の材料である。さらに、この標的物は、例え
ば、製品、特に医療製品、ポリマー、モノマー、レーザ
ー媒体、および色素とすることができる。さらに好まし
い標的物は滅菌処理用の医療製品である。また、本発明
の反射装置は標的物に放射線を向けるような形状に形成
されている。好ましくは、本発明の１個以上の反射装置
が１個以上のランプを備えている放射線システム内にお
いて使用されている。好ましくは、上記の単一または複
数の反射装置は単一または複数の放射線供給源をほぼ取
り囲んでいるか、少なくとも部分的に取り囲んでいる。
好ましくは、これらの反射装置はランプの中心線から少
なくとも１８０°取り囲んでいる。加えて、本発明の単
一または複数の反射装置は標的物をも取り囲んでいるの
が好ましい。さらに、本発明の単一または複数の反射装
置は標的物の寸法および形状とほぼ同じである大きさの
標的物の領域または空間部を取り囲む空孔部、トンネ
ル、中空球、またはチャンバーを形成していて、１個の
反射装置から他の１個の反射装置または標的物の対向側
に位置する反射面の１個の表面から他の１個の表面に標
的物を通過またはこれに吸収されることなく通過できる
放射線の量が最小になっているのが好ましい。好ましく
は、各放射線供給源により発生する全放射線の好ましく
は５０％以下、さらに好ましくは２５％以下、最も好ま
しくは１０％以下の放射線が標的物を通過またはこれに
吸収されることなく当該標的物のそばを通過するように
なっている。また、標的物の領域または空間部は反射装
置の焦点または焦点面に局在化している。反射装置は標
的物に対して直接的または間接的に所望の放射線を反射
して、所望の放射線が標的物を照射する前に、例えば単
一または複数の反射装置の別の表面、ミラー、光ファイ
バー等の、他の装置を照射することがあり得る。

【００１５】本発明の拡散反射装置は標的物の領域また
は空間部に対して少なくとも所望の放射線の均一な量の
放射線を供給する。この「均一な量の放射線」とは、標
的物の領域または空間部内のエネルギーの高さにおける
変化が８ミリジュール／ｃｍ ² 以下、さらに好ましくは
６ミリジュール／ｃｍ² 以下、最も好ましくは５ミリジ
ュール／ｃｍ² 以下であることを意味する。また、この
標的物の領域または空間部内のエネルギーの高さにおけ
る変化は１５％以下、さらに好ましくは１０％以下、最
も好ましくは５％以下である。それゆえ、標的物の領域
または空間部を有する処理空孔部を形成するために反射
装置により囲まれた等価な放射線供給源を有する２個の
放射線システムにおいて、唯一の差異が反射装置の種類
である場合に、拡散反射装置を使用するシステムは標的
物の領域または空間部に対して少なくとも等価な平均量
の放射線を一般的に供給して、より均一な量の放射線を
標的物の領域または空間部に供給できる。

【００１６】さらに、上記の反射装置は本発明において
境界の角度領域に有効に放射線を供給して微生物の放射
線から逃れる機会を少なくしている。鏡面反射装置を使
用する場合は、放射線の入射角度はそれほど変化しない
ために、別の微生物、または屈折、回折、またはパッケ
ージ内の反射性要素により微生物が放射線から遮蔽され
る可能性が増大する。すなわち、１個以上の鏡面反射装
置を有するシステムの場合の標的物の領域または空間部
に対する入射角度は０．５°乃至６°である。一方、本
発明の１個以上の反射装置を有するシステムの場合は、
この入射角度は４０°乃至１８０°である。標的物に対
する放射線の入射角度が大きくなるほど、微生物の滅菌
度が高まり、その隠ぺい率値が大きくなる。すなわち、
この「隠ぺい率値」とは、障害物のない（空の）標的物
領域または空間部内における放射線の強度の障害物のあ
る標的物領域または空間部内における放射線の強度の比
率値である。さらに、障害物のある標的物の領域または
空間部には吸収、反射、屈折、回折または分散により強
度を低下する１種類以上の要素が存在している。このよ
うな要素の例として、レンズ、パッケージ材、微生物、
気泡、表面形状等が含まれる。なお、放射線は本明細書
に参考文献として含まれる「滅菌処理システム」と題す
るEbel他の米国特許出願題 号（代理人整理番号：
ＶＴＮ−４４３）に記載されるモニターシステムにより
測定できる。また、障害物のある場合の放射線測定はパ
ッケージ内にセンサーを配置することにより行える。本
発明の反射装置は標的物の領域または空間部において
１．５以下の隠ぺい率値を示す。この値は１０以上の隠
ぺい率値を示す鏡面反射装置に比べて相当の差がある。

【００１７】本発明の拡散反射装置用の好ましい反射性
材料としては、アルカリ金属化合物（酸化物およびハロ
ゲン化物）、重金属酸化物（例えば、バリウム）、２価
金属酸化物（例えば、マグネシウム）、および多価金属
酸化物（例えば、イッテルビウムまたはアルミニウム）
等が含まれるがこれらに限らない。さらに、この反射性
材料は組成式Ｍ_a Ｏ_b Ｘ_c Ｈ_d に従って選択することが
でき、この式において、Ｍは単一または混合の金属、好
ましくは希土類金属であり、Ｏは酸素、Ｘは硫黄、窒
素、およびリン等のヘテロ原子、およびＨはハロゲン化
物、好ましくはフッ素であり、ａは１乃至２０、好まし
くは１乃至１２、ｂは０乃至２０、好ましくは０乃至１
２、ｃは０乃至２０、好ましくは０乃至１２、およびｄ
は０乃至２０、好ましくは０乃至１２であり、少なくと
もｂ，ｃまたはｄは１とする。これらの材料は不純物の
量が反射装置の特性を低下しない程度に十分な純度を有
する必要がある。好ましくは、これらの材料の純度は９
９．９％以上であり、さらに好ましくは９９．９９％以
上である。表１に有用な固体の材料の例を示す。表１に
有用な反射性材料を示しており、さらに当該反射性材料
の平均の反射能の％値を示している。これらの屈折能の
％値はキュベット内に固体材料サンプルの乾燥パウダー
を詰めて、このキュベットをサンプルから反射した放射
線を測定する一体の球面を有する分光光度計内に入れる
ことにより決定した。 表１ 反射性材料 観測 ％Ｒ ％Ｒ ％Ｒ ％Ｒ ％Ｒ ％Ｒ 目視 平均 標準偏差 平均 標準偏差 平均 標準偏差 材料 色 200- 200- 240- 240- 200- 200- 400 400 280 280 240 240 酸化− 白 93.39 4.93 90.53 0.43 87.24 3.58 アルミニウム 硫酸バリウム 白 100.09 1.71 100.8 0.27 101.03 3.53 チタン酸− ベージュ 18.55 10.11 14.42 0.27 21.44 9.04 バリウム 酸化セリウム ベージュ 62.69 26.63 55.84 18.08 23.08 11.18 酸化エルビウム ピンク 62.69 26.63 55.84 18.08 23.08 11.18 酸化− 白 54.79 34.3 45.1 1.26 23.78 10.73 ユーロピウム 二酸化− 白 84.13 21.32 72.83 10.51 50.72 14.64 ゲルマニウム 酸化ハフニウム ベージュ 32.26 7.49 25.83 0.51 31.04 9.69 酸化ホルミウム ピンク 66.75 27.37 67.18 20.46 20.88 9.31 酸化ランタン 白 82.99 28.39 88.23 11.97 29.49 12.36 フッ化− 白 100.44 6.12 95.79 0.75 110.28 7.2 マグネシウム 酸化− 白 97.27 14.21 101.44 0.52 19.68 24.49 マグネシウム 酸化− 黒 13.67 5.59 12.13 0.33 20.7 9.49 プラセオジミウム 酸化サマリウム 明黄色 68.84 27.62 51.32 23.08 27.58 6.59 酸化テルリウム 白 35.95 22.24 18.56 0.39 28.1 11.42 酸化テルビウム 褐色 13.11 6.09 11.55 0.58 21.15 9.99 酸化チタン 14.92 5.17 13.12 0.28 20.75 9.14 酸化− 白 70.72 33.16 45.8 26.02 23.2 11.84 イッテルビウム 酸化− 白 85.81 24.14 89.38 6.51 41.14 15.4 イットリウム 酸化亜鉛 白 15.85 13.39 10.99 0.35 20.72 11.36

【００１８】上記の反射性材料の組成式において、ａが
１乃至６、ｂが２乃至１１、およびｃおよびｄが０の場
合に、この反射性材料は酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸
化ハフニウム（ＨｆＯ₂ ）、酸化ランタン（Ｌａ
₂ Ｏ₃ ）、酸化テルビウム（Ｔｂ₄Ｏ₇ ）、およびチタ
ン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃ ）のような金属酸化物であ
る。ａが１で、ｄが２で、ｂおよびｃが０である反射性
材料の一例はフッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂ ）である。
別の反射性材料として、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、
酸化アルミニウム（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）、酸化バリウム（Ｂａ
Ｏ）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃ ）、酸化ホルミ
ウム（Ｈｏ₂ Ｏ₃ ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化
ランタン（Ｌａ₂ Ｏ₃ ）、酸化ゲルマニウム（Ｇｅ
Ｏ₂ ）、酸化テルリウム（ＴｅＯ₂ ）、酸化ユーロピウ
ム（Ｅｕ₂ Ｏ₃ ）、酸化エルビウム（Ｅｒ₂Ｏ₃ ）、酸
化ネオジミウム（Ｎｄ₂ Ｏ₃ ）、酸化サマリウム（Ｓｍ
₂ Ｏ₃ ）、酸化イッテルビウム（Ｙｂ₂ Ｏ₃ ）、酸化イ
ットリウム（Ｙ₂ Ｏ₃ ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ
₂ ）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ₄ ）および酸化ジスプロ
ジウム（Ｄｙ₂ Ｏ₃ ）が含まれる。さらに別の例とし
て、他の希土類元素の無反応性酸化物、希土類ハロゲン
化物、および金属混合酸化物が含まれる。好ましい反射
性材料は酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化
アルミニウム、硫酸バリウム、酸化ランタン、酸化イッ
トリウム、および酸化イッテルビウムであり、酸化マグ
ネシウム、フッ化マグネシウム、酸化アルミニウムおよ
び硫酸バリウムが最も好ましい。

【００１９】上記の反射装置の好ましい形状は楕円形で
ある。単一の楕円形状を有する反射装置の場合に、標的
物の領域または空間部およびランプの位置はこの楕円の
各焦点に配置されているのが好ましい。また、２個以上
の反射装置を有する反射システムの場合は、これらが交
差して空孔部を形成しているのが好ましく、標的物の領
域または空間部が楕円形の焦点に位置するかこれを囲ん
でおり、１個以上のランプが当該楕円形の反対側の焦点
に配置されている。２個の楕円形状の反射装置を有する
好ましい構成において、各反射装置の焦点は標的の空間
部内の異なる位置にある。このような好ましい構成（図
１参照）において、下方の反射装置の焦点は標的物空間
部の上部にあり、上方の反射装置の焦点は標的物空間部
の底部にある。

【００２０】図１は例えばフラッシュランプシステム１
００（このようなフラッシュランプについてのさらに詳
細な説明が本明細書に参考文献として含まれる米国特許
第４，４６４，３３６号、同第５，０３４，２３５号お
よび同第４，８７１，５５９号に記載されている。）等
の放射線システム１００において使用するための本発明
の２個の拡散反射装置１１０および１２０を示している
図である。この放射線システムは反射装置１１０および
１２０、およびフラッシュランプ１３０および１４０に
より構成されている。反射装置１１０はフラッシュラン
プ１３０をほぼ囲んでいる。また、反射装置１２０はフ
ラッシュランプ１４０をほぼ囲んでいる。各ランプ１３
０，１４０は各反射装置１２０，１３０の一方の焦点に
それぞれ配置されている。さらに、反射装置１１０およ
び１２０は標的物７０が配置されている標的物空間部１
６０（点線で示されている）を囲んでいる。反射装置１
２０，１３０の他方の焦点（図示せず）はこの標的物空
間部の内部に存在している。図示のように、反射装置は
標的物を通過することなく一方の反射装置から他方の反
射装置に至る放射線を最少にするように標的物空間部を
構成する形状に形成されている。標的物１７０はコンタ
クトレンズ（図示せず）および溶液（図示せず）を収容
しているコンタクトレンズコンテナである。この標的物
１７０は標的物空間部１６０の底部を形成している標的
物支持体１５０により保持されている。この標的物支持
体１５０は透明ガラス、結晶材料、石英板等である。図
１において、フラッシュランプ１００は垂直形状を有し
て示されているが、このシステムはあらゆる回転角度で
回転可能であり、標的物支持体１５０は例えば、標的物
１７０に適応するフック、コンベア、または中空ブロッ
ク等に変更または交換できる。あるいは、標的物に放射
線を照射するために任意数の反射装置を使用できる。好
ましくは、これらの反射装置は閉じた空孔部を形成する
ように構成されており、この空孔部はドア等を介して開
けることができて当該空孔部内に標的物を入れることが
でき、空孔部が閉じている時に放射線の処理を行なうこ
とができ、その後、この空孔部を開いてまたは他の接近
手段により処理した標的物を取り出す。また、空孔部が
閉じている時に、光が漏れない状態になっている。

【００２１】これらの反射装置は同一の大きさおよび形
状を有して示されているが、必要に応じてこれらを異な
るものにすることも可能である。図示のように、反射装
置１１０および１２０はそれぞれ反射装置支持体１２
１，１２３および反射コーティング１２２，１２４を備
えている。これらの反射コーティング１２２，１２４は
拡散反射層を形成する任意の反射性材料により作成でき
る。さらに、これらの反射性コーティング１２２，１２
４は単一の層として示されているが、必要に応じて、こ
れらを種々の反射性材料から成る多数の層に構成でき
る。

【００２２】これらの反射性コーティング１２２，１２
４は同一または異なっていてもよく、塗布、スプレー、
浸漬、キャスティング、コンバージョンコーティング、
ゲルコーティング、エッチング、化学蒸着、スパッタリ
ング、プラズマスプレー、レーザー蒸着、または、例え
ば、反射性材料から成るフィルムの接着剤による化学的
または機械的な結合により反射装置支持体１２１，１２
３に対して適用できる。好ましい反射性コーティングの
適用方法は反射性材料を反射装置支持体１２１，１２３
上に塗布またはスプレーする方法である。反射性材料を
支持体１２１，１２３上に塗布するために、好ましく
は、反射性材料および結合剤から成る水性または非水性
の懸濁液を形成する。有用な結合剤はポリマー、無機物
またはゾル−ゲルであり、さらに好ましくは無機物また
はゾル−ゲルであり、最も好ましくは無機物である。好
ましい懸濁液は０．１重量％乃至５０重量％の結合剤、
０．１重量％乃至９９．９重量％の反射性材料、および
０．１重量％乃至９０重量％のキャリヤにより構成され
ている。このキャリヤはコーティングを適用するための
反射性材料および結合剤の希釈液を形成するために使用
する液体である。有用なキャリヤの例は水、アルコー
ル、アルカン、フレオン等であり、水が最も好ましい。

【００２３】さらに、反射性材料から成るコーティング
を作成するのに有用なポリマー結合剤の例はポリビニル
アルコール、シアノアクリレート、アクリル樹脂、およ
びシリコーンである。なお、現在においては、ポリマー
結合剤は高エネルギーＵＶ放射線において劣化しやすい
のでその使用が制限されている。また、反射性材料から
成るコーティングを作成するのに有用な無機物の結合剤
の例はケイ酸ナトリウム、低温焼結ガラス、ナトリウ
ム、カリウムおよびリチウムのケイ酸塩のようなアルカ
リ酸化物のケイ酸塩である。さらに、反射性材料から成
るコーティングを作成するのに有用なゾル−ゲル結合剤
前駆体の例はアルミニウムターシャリーブトキシド、ケ
イ酸ナトリウム、テトラエチルオルトシリケート（ＴＥ
ＯＳ）、金属イソプロポキシド、イソプロパノール中に
おけるジスプロジウムエチルヘキサノ−ジイソプロポキ
シド、ヘキサン中におけるジスプロジウム２−エチルヘ
キサノエート、トルエン−イソプロパノール中における
ジスプロジウムイソプロポキシド、２−メトキシエタノ
ール中におけるジスプロジウム２−メトキシエトキシ
ド、イソプロパノール中におけるエルビウムエチルヘキ
サノ−ジイソプロポキシド、ヘキサン中におけるエルビ
ウム２−エチルヘキサノエート、トルエン−イソプロパ
ノール中におけるエルビウムイソプロポキシド、イソプ
ロパノール中におけるホルミウムエチルヘキサノ−ジイ
ソプロポキシド、トルエン−イソプロパノール中におけ
るホルミウムイソプロポキシド、２−メトキシエタノー
ル中におけるホルミウム２−メトキシエトキシド、酢酸
ランタン、ヘキサン中におけるランタン２−エチルヘキ
サノエート、ランタンイソプロポキシド、２−メトキシ
エタノール中におけるランタン２−メトキシエトキシ
ド、エタノール中におけるマグネシウムエトキシド、メ
タノール中におけるマグネシウムメトキシド、２−メト
キシエタノール中におけるマグネシウム２−メトキシエ
トキシド、イソプロパノール中におけるネオジミウムエ
チルヘキサノ−ジイソプロポキシド、ヘキサン中におけ
るネオジミウム２−エチルヘキサノエート、トルエン−
イソプロパノール中におけるネオジミウムイソプロポキ
シド、２−メトキシエタノール中におけるネオジミウム
２−メトキシエトキシド、トルエン−イソプロパノール
中におけるサマリウムエチルヘキサノ−モノイソプロポ
キシド、ヘキサン中におけるサマリウム２−エチルヘキ
サノエート、トルエン−イソプロパノール中におけるサ
マリウムイソプロポキシド、２−メトキシエタノール中
におけるサマリウム２−メトキシエトキシド、トルエン
−イソプロパノール中におけるイッテルビウムイソプロ
ポキシド、２−メトキシエタノール中におけるイッテル
ビウム２−メトキシエトキシド、トルエン−イソプロパ
ノール中におけるイットリウムエチルヘキサノ−ジイソ
プロポキシド、およびトルエン−イソプロパノール中に
おけるイットリウムエチルヘキサノ−モノイソプロポキ
シド等がある。さらに、好ましいゾル−ゲル前駆体はイ
ソプロパノール中におけるエルビウムエチルヘキサノ−
ジイソプロポキシド、ヘキサン中におけるエルビウム２
−エチルヘキサノエート、トルエン−イソプロパノール
中におけるエルビウムイソプロポキシド、イソプロパノ
ール中におけるホルミウムエチルヘキサノ−ジイソプロ
ポキシド、トルエン−イソプロパノール中におけるホル
ミウムイソプロポキシド、２−メトキシエタノール中に
おけるホルミウム２−メトキシエトキシド、酢酸ランタ
ン、ヘキサン中におけるランタン２−エチルヘキサノエ
ート、ランタンイソプロポキシド、２−メトキシエタノ
ール中におけるランタン２−メトキシエトキシド、エタ
ノール中におけるマグネシウムエトキシド、メタノール
中におけるマグネシウムメトキシド、２−メトキシエタ
ノール中におけるマグネシウム２−メトキシエトキシ
ド、トルエン−イソプロパノール中におけるサマリウム
エチルヘキサノ−モノイソプロポキシド、ヘキサン中に
おけるサマリウム２−エチルヘキサノエート、トルエン
−イソプロパノール中におけるサマリウムイソプロポキ
シド、２−メトキシエタノール中におけるサマリウム２
−メトキシエトキシド、トルエン−イソプロパノール中
におけるイッテルビウムイソプロポキシド、２−メトキ
シエタノール中におけるイッテルビウム２−メトキシエ
トキシド、トルエン−イソプロパノール中におけるイッ
トリウムエチルヘキサノ−ジイソプロポキシド、および
トルエン−イソプロパノール中におけるイットリウムエ
チルヘキサノ−モノイソプロポキシドである。さらに好
ましいゾル−ゲル前駆体は酢酸ランタン、ヘキサン中に
おけるランタン２−エチルヘキサノエート、ランタンイ
ソプロポキシド、２−メトキシエタノール中におけるラ
ンタン２−メトキシエトキシド、トルエン−イソプロパ
ノール中におけるイッテルビウムイソプロポキシド、２
−メトキシエタノール中におけるイッテルビウム２−メ
トキシエトキシド、トルエン−イソプロパノール中にお
けるイットリウムエチルヘキサノ−ジイソプロポキシ
ド、およびトルエン−イソプロパノール中におけるイッ
トリウムエチルヘキサノ−モノイソプロポキシドであ
る。

【００２４】これらの結合剤の一部は反射性材料として
単独で使用でき、特に懸濁液内において上述のように適
用されるか、焼結されて反射性組成物、コーティングま
たは固体ブロックのいずれかを形成するゾル−ゲルとし
て使用できる。このような反射性材料として単独で使用
できる結合剤前駆体の例として、ジスプロジウムイソプ
ロポキシド、イソプロパノール中におけるジスプロジウ
ムエチルヘキサノ−ジイソプロポキシド、ヘキサン中に
おけるジスプロジウム２−エチルヘキサノエート、トル
エン−イソプロパノール中におけるジスプロジウムイソ
プロポキシド、２−メトキシエタノール中におけるジス
プロジウム２−メトキシエトキシド、イソプロパノール
中におけるエルビウムエチルヘキサノ−ジイソプロポキ
シド、ヘキサン中におけるエルビウム２−エチルヘキサ
ノエート、トルエン−イソプロパノール中におけるエル
ビウムイソプロポキシド、イソプロパノール中における
ホルミウムエチルヘキサノ−ジイソプロポキシド、トル
エン−イソプロパノール中におけるホルミウムイソプロ
ポキシド、２−メトキシエタノール中におけるホルミウ
ム２−メトキシエトキシド、酢酸ランタン、ヘキサン中
におけるランタン２−エチルヘキサノエート、ランタン
イソプロポキシド、２−メトキシエタノール中における
ランタン２−メトキシエトキシド、エタノール中におけ
るマグネシウムエトキシド、メタノール中におけるマグ
ネシウムメトキシド、２−メトキシエタノール中におけ
るマグネシウム２−メトキシエトキシド、イソプロパノ
ール中におけるネオジミウムエチルヘキサノ−ジイソプ
ロポキシド、ヘキサン中におけるネオジミウム２−エチ
ルヘキサノエート、トルエン−イソプロパノール中にお
けるネオジミウムイソプロポキシド、２−メトキシエタ
ノール中におけるネオジミウム２−メトキシエトキシ
ド、トルエン−イソプロパノール中におけるサマリウム
エチルヘキサノ−モノイソプロポキシド、ヘキサン中に
おけるサマリウム２−エチルヘキサノエート、トルエン
−イソプロパノール中におけるサマリウムイソプロポキ
シド、２−メトキシエタノール中におけるサマリウム２
−メトキシエトキシド、トルエン−イソプロパノール中
におけるイッテルビウムイソプロポキシド、２−メトキ
シエタノール中におけるイッテルビウム２−メトキシエ
トキシド、トルエン−イソプロパノール中におけるイッ
トリウムエチルヘキサノ−ジイソプロポキシド、および
トルエン−イソプロパノール中におけるイットリウムエ
チルヘキサノ−モノイソプロポキシド等が含まれる。

【００２５】あるいは、上記の反射性コーティングは上
記反射性材料および結合剤の任意のものにより構成でき
てフィルムの形態に形成された後に反射装置支持体に化
学的または物理的に結合できる。あるいは、上記の反射
性材料を金属酸化物またはパウダー化したガラスと混合
して焼結することにより反射装置支持体に化学的または
機械的に結合できる反射性材料のフィルムを形成でき
る。既に述べたように、最も好ましい反射性材料は硫酸
バリウム、酸化アルミニウム、フッ化マグネシウム、お
よび酸化マグネシウムである。

【００２６】上記の反射性コーティングは０．１ミクロ
ン乃至２５００ミクロンの厚さを有するコーティングを
形成するのに適用されるのが好ましい。（２５００ミク
ロンよりも厚いコーティングは材料のブロックと考えら
れる。）このコーティングは同一の反射性材料の多層構
造に適用されるのが好ましく、同一のコーティング組成
を用いるのが好ましい。

【００２７】上記の反射装置支持体１２１，１２３は上
記の１種類以上の反射性コーティングを適用したフィル
ムまたは箔のような付加的なコーティングにより構成で
きる非反射性の反射装置支持体または反射性の反射装置
支持体とすることができる。また、反射性支持体は拡散
性または鏡面にできる。さらに、この反射性支持体を金
属により構成してもよい。反射性の反射装置支持体の一
例は固体の研磨処理したアルミニウムのような金属でそ
の形状を維持できるのに十分な厚さを有するものでラン
プを囲む場所にボルト等で取り付けできるもの、あるい
は、反射性の反射装置支持体を形成するための所望の反
射装置の形状を有する別の部品に接着できる例えば蒸着
した鏡面金属シートのようなフィルムである。この反射
性の反射装置支持体は上記の反射性コーティングが適用
できる反射性材料から成る固体ブロックにより作成する
ことも可能である。このような反射性材料の固体ブロッ
クから成る反射装置を以下に説明する。

【００２８】非反射性の反射装置支持体として木材、ポ
リマー、金属およびセラミックを含むほとんどあらゆる
材料が使用できる。

【００２９】別の実施形態において、本発明の拡散反射
装置は反射性材料から成る成形固体により構成できる。
この成形固体は反射性材料と金属酸化物またはパウダー
化したガラスを混合し、これらを焼結して反射装置を形
成することにより形成できる。さらに、反射性材料およ
び金属酸化物またはパウダー化したガラスは反射装置の
形状に焼結できる。あるいは、反射装置は反射性材料と
結合剤を混合して反射装置の形状またはそれ以外の形状
に成形固体を形成した後にこの成形固体を機械加工して
反射装置の形状にできる。あるいは、反射性材料を供給
材料に調合剤として添加して反射装置の形状に石英、結
晶材料、サファイア、またはＵＶ放射線透過性ガラスを
形成することによりガラス反射装置を作成できる。

【００３０】図２は本発明の別の実施形態を示している
図である。この図２において、放射線システムは単一の
ランプおよび単一の反射装置２２０を示している。この
反射装置２２０はランプおよび標的物の両方を囲ってい
る。標的物空間部２６０は反射装置の焦点または焦点面
に配置されており（点線で示されている）、この中に標
的物２７０が配置される。この場合、標的物２７０はコ
ンタクトレンズコンテナである。反射装置２２０は反射
装置支持体２２１、材料層２１０、および透明支持体２
０１により構成されている。この透明支持体２０１は当
該支持体を照射する放射線、好ましくは、所望の放射線
の少なくとも一部分に対して透明である。好ましくは、
透明支持体２０１はガラス、石英、サファイア、結晶材
料等により構成されている。また、反射装置支持体２２
１は反射性または非反射性の支持体、または上記のよう
な支持体上のコーティングの任意の組合せにより構成で
きる。さらに、材料層２１０は１種類以上の反射性材料
および／または上記の反射性材料から成る任意の組成物
により構成されているが、この実施形態は詰め込んだパ
ウダーのような透明な支持体２０１の存在無しには状態
が維持できない反射性材料の場合に特に適している。好
ましくは、この材料層２１０は０．１ミクロン乃至２５
００ミクロンの厚さを有している。

【００３１】図２に示すように、放射線システム２００
は選択的な反射性遮断要素２０２を備えている。この反
射性遮断装置２０２は特に放射線供給源から直接の放射
線が不均一である場合に標的物の領域または空間部によ
り均一な放射性を供給するために使用できる。放射線供
給源からの放射線が標的物に直接に当たることを避ける
ために、反射性の遮断要素２０２が放射線供給源２４０
および標的物２７０の間に配置されている。この反射性
の遮断要素２０２は単純な形態をしているのが好まし
く、さらに好ましくは光学的に集中性を有する形態であ
り、最も好ましくは反射性光学機器の一体の形態を有し
ている。有用な形状としては三角形（図２参照）および
半円形がある。この反射性遮断要素は本明細書において
記載する反射性材料から成る拡散反射装置であるのが好
ましい。また、この反射性遮断要素は本明細書において
記載する反射性組成物のいずれかにより構成できる。好
ましくは、この遮断要素は放射線供給源から直接に標的
物に当たるあらゆる放射線を遮断する大きさである。

【００３２】本明細書に記載する全ての拡散反射装置は
反射装置上のコーティングまたは反射装置の組成物に対
する添加材としての選択的な光減衰性材料により構成で
きる。この光減衰性材料は放射線供給源により発生され
て標的物に到達する放射線から不所望な放射線を減衰す
るために使用される。これらの光減衰性材料および当該
光減衰性材料を放射線システムに添加するための方法に
ついては本明細書に参考文献として含まれる「放射線を
選択的に減衰するための材料を有するＵＶ放射線システ
ム」と題する本出願と同時に出願されたKimble他の米国
特許出願第 号（代理人整理番号ＶＴＮ−０４６２）に記
載および開示されている。この文献に開示される光減衰
性材料および当該光減衰性材料を放射線システムに組み
込むための方法のあらゆるものが本発明の反射装置と共
に使用できる。実際に、上記参考文献の特許出願に開示
される光減衰性材料の幾つかが本発明に有用な反射性材
料である。すなわち、上記の反射性材料の幾つかが一部
の放射線の波長を反射して他の部分の放射線を吸収する
ので、反射性材料を慎重に選択することにより不所望な
放射線を減衰することができる。本発明の反射装置の好
ましい使用の場合において、すなわち、コンタクトレン
ズを滅菌処理する放射線システムにおいて、コンタクト
レンズポリマーを損傷する１００ｎｍ乃至２４０ｎｍの
放射線を減衰するのが好ましい。さらに、このような放
射線はコンタクトレンズポリマーに供給される放射線か
ら好ましくは３０％以上、さらに好ましくは６０％以
上、最も好ましくは９０％以上の不所望な放射線を減衰
するのが好ましい。このような１００ｎｍ乃至２４０ｎ
ｍの放射線を減衰する反射性材料の例は酸化マグネシウ
ム、酸化ランタン、酸化イッテルビウム、よびび酸化イ
ットリウムである。

【００３３】標的物の領域または空間部を照射する放射
線の均一さは同一形状の鏡面反射装置に比して任意の形
状の拡散反射装置により大幅に改善される。加えて、放
射線の量は、１個以上の拡散反射装置により、１個以上
のランプを少なくとも部分的に、さらに好ましくは、こ
れらのランプおよび標的物を少なくともほとんど囲んで
空孔部またはチャンバー、好ましくは、閉じた空孔部材
を形成してこの中においてランプおよび当該空孔部の反
射性表面により放射線を標的物に向けることにより増大
できる。このような１個以上の反射装置は円筒形、多角
形、放物線状または楕円形状を有することができるが、
好ましい形状は楕円形状である。図１および図２に楕円
形状の反射装置を示す。なお、従来技術の反射装置は鏡
面であり、直線状の面を有していて、特に放射線が比較
的小さい入射角度で直線状の面に照射する場合に放射線
の損失が大きい。好ましい放射線システムは２個の楕円
形状の反射装置を備えており、これらは反射装置の空孔
部と標的物との間に最小の空間の標的物空間部を有して
いて標的物を照射することなく一方の反射装置から他方
の反射装置に通過する放射線の量を最少にする。しかし
ながら、上記の１個以上の反射装置の任意の形状が本明
細書に記載する利点を提供し得る。

【００３４】実施例および比較例 分光測光モニターシステムを使用して２個の従来技術の
反射装置および本発明の反射装置が個別および対を成し
てパルス放射線システムにより標的物領域に照射した標
的物領域における２４０ｎｍ乃至２８０ｎｍの所望範囲
内の放射線を測定した。このモニターシステムは既に述
べた「滅菌処理システム」と題するEbel他の米国特許出
願第 号（代理人整理番号：ＶＴＮ−４４３）にさ
らに詳細に記載されている。このEbel他に開示されてい
るモニターシステムは各フラッシュの分光測光出力を測
定できる。上記の反射装置は同一の放射線システム内に
対を成して取り付けられ、分光測光測定を行なった。こ
れらの反射装置は同一の放物線形状をしている。また、
放射線システムはPurePulse PBS 1-4システム（カリフ
ォルニア州サンディエゴのPurePulse 社により製造され
る）であり、直列に接続した２個のフラッシュランプに
より構成されていて、各フラッシュランプ組立体がラン
プを備えており、反射装置が部分的にこのランプを囲ん
でいる。このＰＢＳ１−４システムはその大容量（８０
μＦ乃至１６０μＦ）および高電位（６ｋＶ以上）の故
に高エネルギーパルスを発生できるパルス発生装置と制
御回路とにより構成されている。両方のランプは紫外
光、赤外光、および可視光を含む幅広いスペクトルの放
射線を発生する。以下に記載する反射装置を用いてこの
実施例において行なった上記３種類の内の２種類の測定
において、上記のランプ組立体の間にアルミニウムシー
トを使用することにより第２のランプおよび反射装置か
らの放射線を第１のランプおよび反射装置（これらのた
めに測定を行なっている）から分離した。この第１の測
定はランプ組立体の保護ウインドウから２１ｍｍの標的
物領域における１個のランプおよび１個の反射装置（１
個のランプ組立体）に対応する１回のフラッシュ当たり
の放射エネルギーの等高線プロットを作成するために使
用できる。

【００３５】この等高線プロットを作成した後に、ラン
プに対する電圧を変化しながら以下に説明する１個のラ
ンプおよび各反射装置の１個に対応してランプから２１
ｍｍ離れた１個の点（ここに一体の球面が置かれてい
る）における放射エネルギーを測定した。さらに、２４
０ｎｍ乃至２８０ｎｍにおいて測定した合計の放射線エ
ネルギーを電圧の関数としてプロットした。その後、そ
れぞれ以下に説明するランプおよび反射装置から成る両
方のランプ組立体を使用して同一点における合計の２４
０ｎｍ乃至２８０ｎｍの放射線エネルギーを測定するた
めに上記の工程を繰り返した。（この場合に、ランプ組
立体の間のアルミニウムシートを取り外した。）さら
に、２４０ｎｍ乃至２８０ｎｍの測定した放射線エネル
ギーの合計を１個のランプ組立体のみからの放射線エネ
ルギーを測定した場合と同一のグラフ上に電圧の関数と
してプロットした。

【００３６】遮断要素は放射線システムの一部として加
えなかった。従来技術の反射装置Ａは上記のＰＢＳ１−
４システムの製造者により提供される保護用のシリコン
モノオキシドのコーティングを施したアルミニウムの蒸
着層を有する整形アルミニウム反射装置である。この従
来技術の反射装置Ａを用いた放射エネルギーの等高線プ
ロットを図３に示す。また、図６は従来技術の反射装置
Ａを用いた１個のランプ組立体の場合に測定した異なる
ランプ電圧における２４０ｎｍ乃至２８０ｎｍの合計の
エネルギーの曲線と、従来技術の反射装置Ａを用いた両
方のランプ組立体により形成されてランプ組立体の間に
直線状の面を有する空孔部の中における全エネルギーの
第２の曲線を示している図である。

【００３７】反射装置Ｂは従来技術の反射装置Ａの上に
酸化防止用の保護層をコーティングした鏡面アルミニウ
ム箔の薄いシートを付着することにより従来技術の反射
装置Ａを改変して作成した。この使用した鏡面のアルミ
ニウム箔材はライトシート（Light Sheet)と呼ばれる。
この従来技術の反射装置Ｂを用いたランプの標的物領域
内に照射した放射エネルギーの等高線プロットを図４に
示す。また、図７は従来技術の反射装置Ｂを用いた１個
のランプ組立体の場合に測定した異なるランプ電圧にお
ける２４０ｎｍ乃至２８０ｎｍの合計のエネルギーの曲
線と、従来技術の反射装置Ｂを用いた両方のランプ組立
体により形成された空孔部の中における全エネルギーの
第２の曲線を示している図である。反射装置Ｂは従来技
術の反射装置Ａよりもより均一なエネルギーレベルを示
している。

【００３８】反射装置ＣはＢａＳＯ₄をコーティングす
ることにより従来技術の反射装置Ａを改変して作成し
た。この従来技術の反射装置Ａの表面にまず小さなガラ
スビーズを吹付けた。また、硫酸バリウムコーティング
組成物を１重量部のケイ酸ナトリウム（結合剤）、１０
重量部の硫酸バリウム（反射性材料）、および１０重量
部の水（キャリヤ）を混合することにより作成した。さ
らに、このコーティング組成物を２０層に分けてアルミ
ニウム基板上にスプレーした。これらのコーティング処
理の間に各コーティングを空気乾燥した。この反射装置
Ｃによるランプの標的物領域内に照射した放射エネルギ
ーの等高線プロットを図５に示す。また、図８は反射装
置Ｃを用いた１個のランプ組立体の場合に測定した異な
るランプ電圧における２４０ｎｍ乃至２８０ｎｍの合計
のエネルギーの曲線と、反射装置Ｃを用いた両方のラン
プ組立体により形成された空孔部の中における全エネル
ギーの第２の曲線を示している図である。

【００３９】この結果、反射装置Ｃの等高線プロット
（図５）は従来技術の反射装置Ａおよび反射装置Ｂ（図
３および図４）に比べてこの拡散反射装置が標的物領域
に向けるエネルギーの均一さを高めていることが分か
る。このように均一さを高めることにより、微生物が滅
菌処理に必要な最少の線量から逃れる可能性を減少す
る。等高線プロット上の各円は標的物、すなわち、互い
に取り外し可能に取り付けられた１２個のコンタクトレ
ンズコンテナを現している。これらの取り外し可能に取
り付けたコンテナは一般にコンタクトレンズコンテナの
多数個パックを構成するために使用される。

【００４０】図８は図６に比して本発明の好ましい拡散
反射装置が、ランプおよび標的物の領域または空間部を
少なくとも部分的に囲んでいる場合に、好ましくは空孔
部、さらに好ましくはランプからの放射線が標的物に反
射、再発光および照射される閉じた空孔部を形成するよ
うに用いられるのが好ましいが、より高いＱ係数を示
し、鏡面反射装置による同一のチャンバーよりも高いエ
ネルギーを供給することを示している図である。

【００４１】以上本発明を特定の実施形態に基いて説明
したが、当該技術分野における通常の熟練者であれば、
これらの実施形態の種々の変形または変更が特許請求の
範囲およびその実施態様に含まれることが理解できると
考える。

【００４２】本発明の実施態様は以下の通りである。 （１）前記反射装置が２４０ｎｍ乃至２８０ｎｍの放射
線の７５％以上を反射する請求項１に記載の反射装置。 （２）前記反射装置が２４０ｎｍ乃至２８０ｎｍの放射
線の９０％以上を反射する請求項１に記載の反射装置。 （３）前記反射装置が２５０ｎｍ乃至２７０ｎｍの放射
線の９０％以上を反射する請求項１に記載の反射装置。 （４）前記反射装置が楕円形である請求項１に記載の反
射装置。 （５）前記反射装置が放射線エネルギーを標的物領域に
供給し、当該エネルギーにおけるばらつきが８ミリジュ
ール／ｃｍ² 以下である請求項１に記載の反射装置。

【００４３】（６）前記反射装置が放射線エネルギーを
標的物領域に供給し、当該エネルギーにおけるばらつき
が１５％以下である請求項１に記載の反射装置。 （７）前記反射装置が放射線エネルギーを標的物領域に
供給し、当該エネルギーにおけるばらつきが１０％以下
である請求項１に記載の反射装置。 （８）前記反射装置が放射線エネルギーを標的物領域に
供給し、当該放射線が４０°乃至１８０°の入射角度に
より構成されている請求項１に記載の反射装置。 （９）前記反射装置が１．５以下の隠ぺい率を有してい
る請求項１に記載の反射装置。 （１０）組成式Ｍ_a Ｏ_b Ｘ_c Ｈ_d に従って選択される１
種類以上の反射性材料から成り、当該組成式において、
Ｍが単一または混合の金属であり、Ｏが酸素、Ｘがヘテ
ロ原子、およびＨがハロゲン化物であり、ａが１乃至２
０、ｂが０乃至２０、ｃが０乃至２０、およびｄが０乃
至２０であって、少なくともｂ，ｃまたはｄが１である
請求項１に記載の反射装置。

【００４４】（１１）前記１種類以上の反射性材料の純
度が９９．９％以上である請求項１に記載の反射装置。 （１２）前記１種類以上の反射性材料が酸化カルシウ
ム、酸化ハフニウム、酸化ランタン、酸化テルビウム、
チタン酸バリウム、フッ化マグネシウム、酸化マグネシ
ウム、酸化アルミニウム、酸化バリウム、チタン酸バリ
ウム、酸化ホルミウム、酸化カルシウム、酸化ランタ
ン、酸化ゲルマニウム、酸化テルリウム、酸化ユーロピ
ウム、酸化エルビウム、酸化ネオジミウム、酸化サマリ
ウム、酸化イッテルビウム、酸化イットリウム、フッ化
マグネシウム、硫酸バリウム、および酸化ジスプロジウ
ムから成る群から選択される請求項１に記載の反射装
置。 （１３）前記１種類以上の反射性材料が希土類金属酸化
物、希土類金属ハロゲン化物、および金属混合酸化物か
ら成る群から選択される請求項１に記載の反射装置。 （１４）前記１種類以上の反射性材料が酸化マグネシウ
ム、フッ化マグネシウム、酸化アルミニウム、硫酸バリ
ウム、酸化ランタン、酸化イットリウム、および酸化イ
ッテルビウムから成る群から選択される請求項１に記載
の反射装置。 （１５）前記１種類以上の反射性材料が酸化マグネシウ
ム、フッ化マグネシウム、酸化アルミニウム、および硫
酸バリウムから成る群から選択される請求項１に記載の
反射装置。

【００４５】（１６）支持体に取り付けた反射性コーテ
ィングまたはフィルムから成る請求項１に記載の反射装
置。 （１７）塗布、スプレー、浸漬、キャスティング、コン
バージョンコーティング、ゲルコーティング、エッチン
グ、化学蒸着、スパッタリング、プラズマスプレー、レ
ーザー蒸着から成る群から選択される方法により適用さ
れる反射性コーティングから成る実施態様（１６）に記
載の反射装置。 （１８）前記反射性コーティングの厚さが０．１ミクロ
ン乃至２５００ミクロンである実施態様（１６）に記載
の反射装置。 （１９）反射性材料の詰め込んだパウダーまたはブロッ
クから成る請求項１に記載の反射装置。 （２０）ポリビニルアルコール、シアノアクリレート、
アクリル樹脂、およびシリコーンから成る群から選択さ
れる材料から成る請求項１に記載の反射装置。

【００４６】（２１）ケイ酸ナトリウム、低温焼結ガラ
ス、アルカリ酸化物のケイ酸塩から成る群から選択され
る材料から成る請求項１に記載の反射装置。 （２２）アルミニウムターシャリーブトキシド、ケイ酸
ナトリウム、テトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯ
Ｓ）、金属イソプロポキシド、ジスプロジウムイソプロ
ポキシド、イソプロパノール中におけるジスプロジウム
エチルヘキサノ−ジイソプロポキシド、ヘキサン中にお
けるジスプロジウム２−エチルヘキサノエート、トルエ
ン−イソプロパノール中におけるジスプロジウムイソプ
ロポキシド、２−メトキシエタノール中におけるジスプ
ロジウム２−メトキシエトキシド、イソプロパノール中
におけるエルビウムエチルヘキサノ−ジイソプロポキシ
ド、ヘキサン中におけるエルビウム２−エチルヘキサノ
エート、トルエン−イソプロパノール中におけるエルビ
ウムイソプロポキシド、イソプロパノール中におけるホ
ルミウムエチルヘキサノ−ジイソプロポキシド、トルエ
ン−イソプロパノール中におけるホルミウムイソプロポ
キシド、２−メトキシエタノール中におけるホルミウム
２−メトキシエトキシド、酢酸ランタン、ヘキサン中に
おけるランタン２−エチルヘキサノエート、ランタンイ
ソプロポキシド、２−メトキシエタノール中におけるラ
ンタン２−メトキシエトキシド、エタノール中における
マグネシウムエトキシド、メタノール中におけるマグネ
シウムメトキシド、２−メトキシエタノール中における
マグネシウム２−メトキシエトキシド、イソプロパノー
ル中におけるネオジミウムエチルヘキサノ−ジイソプロ
ポキシド、ヘキサン中におけるネオジミウム２−エチル
ヘキサノエート、トルエン−イソプロパノール中におけ
るネオジミウムイソプロポキシド、２−メトキシエタノ
ール中におけるネオジミウム２−メトキシエトキシド、
トルエン−イソプロパノール中におけるサマリウムエチ
ルヘキサノ−モノイソプロポキシド、ヘキサン中におけ
るサマリウム２−エチルヘキサノエート、トルエン−イ
ソプロパノール中におけるサマリウムイソプロポキシ
ド、２−メトキシエタノール中におけるサマリウム２−
メトキシエトキシド、トルエン−イソプロパノール中に
おけるイッテルビウムイソプロポキシド、２−メトキシ
エタノール中におけるイッテルビウム２−メトキシエト
キシド、トルエン−イソプロパノール中におけるイット
リウムエチルヘキサノ−ジイソプロポキシド、およびト
ルエン−イソプロパノール中におけるイットリウムエチ
ルヘキサノ−モノイソプロポキシドから成る群から選択
される材料から成る請求項１に記載の反射装置。 （２３）硫酸バリウム、酸化アルミニウム、フッ化マグ
ネシウム、および酸化マグネシウムから成る群から選択
される反射性材料から成る請求項１に記載の反射装置。 （２４）前記少なくとも１個の放射線供給源がフラッシ
ュランプである請求項２に記載の放射線システム。 （２５）さらに、それぞれが多数個の反射装置により少
なくとも部分的に囲まれる多数個の放射線供給源から成
り、当該多数個の反射装置が拡散反射装置である請求項
２に記載の放射線システム。

【００４７】（２６）前記拡散反射性の表面を有する少
なくとも１個の反射装置が２４０ｎｍ乃至２８０ｎｍの
放射線の５０％以上を反射する請求項２に記載の放射線
システム。 （２７）前記少なくとも１個の反射装置が前記少なくと
も１個の放射線供給源を完全に囲んで閉じた空孔部を形
成する請求項２に記載の放射線システム。 （２８）前記空孔部の全ての内面部が拡散反射性を有し
ていて、２４０ｎｍ乃至２８０ｎｍの放射線の５０％以
上を反射する実施態様（２７）に記載の放射線システ
ム。 （２９）さらに、それぞれが多数個の前記反射装置によ
り少なくとも部分的に囲まれている多数個の放射線供給
源から成り、当該反射装置が空孔部を形成していて、標
的物領域が当該反射装置の焦点または焦点面に配置され
ている請求項２に記載の放射線システム。 （３０）前記反射装置が楕円形状をしており、前記放射
線供給源が当該楕円形状の反射装置の対向する焦点に配
置されている実施態様（２９）に記載の放射線システ
ム。

【００４８】（３１）前記少なくとも１個の反射装置が
楕円形状をしている請求項２に記載の放射線システム。 （３２）さらに、標的物空間部を備えており、当該標的
物空間部がコンタクトレンズパッケージ内のコンタクト
レンズにより構成されている請求項２に記載の放射線シ
ステム。 （３３）滅菌処理に使用される請求項２に記載の放射線
システム。 （３４）各ランプが少なくとも１個の反射装置を有して
おり、当該少なくとも１個の反射装置が１．７以上の品
質係数を示す請求項２に記載の放射線システム。 （３５）前記少なくとも１個の反射装置が２以上の品質
係数を示す実施態様（３４）に記載の放射線システム。

【００４９】（３６）前記少なくとも１個の反射装置が
３以上の品質係数を示す実施態様（３４）に記載の放射
線システム。 （３７）前記標的物を通過することなく１個の反射装置
から別の反射装置に到達できる放射線の量が５０％以下
である実施態様（２９）に記載の放射線システム。 （３８）さらに、反射性の遮断要素から成る請求項２に
記載の放射線システム。 （３９）さらに、光減衰性の材料から成る請求項２に記
載の放射線システム。 （４０）前記少なくとも１個の反射装置が純度９９．９
％以上の反射性材料から成る請求項２に記載の放射線シ
ステム。 （４１）前記少なくとも１個の反射装置が硫酸バリウ
ム、酸化アルミニウム、フッ化マグネシウム、および酸
化マグネシウムから成る群から選択される反射性材料か
ら成る請求項２に記載の放射線システム。

【００５０】

【発明の効果】従って、本発明によれば、放射線エネル
ギーを選択的かつ有効に利用するための反射装置および
当該装置を用いた放射線システムが提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】２個の本発明の反射装置を備える放射線システ
ムの断面図である。

【図２】１個の本発明の反射装置を備える放射線システ
ムの断面図である。

【図３】従来技術の反射装置による標的物の領域内にお
ける放射線エネルギーの等高線を示している図である。

【図４】図３に示す等高線を生じるために使用したもの
と同一の反射装置による標的物の領域内における放射線
エネルギーの等高線を示しているが、反射装置の表面が
拡散コーティングを備えている点が異なる図である。

【図５】図１に示す形状を有する反射装置による標的物
の領域内における放射線エネルギーの等高線を示してい
る図である。

【図６】図３に示す等高線を生じるために使用した２個
の反射装置により形成される空孔部を有する放射線シス
テムにおけるＱ係数を示すグラフである。

【図７】図４に示す等高線を生じるために使用した２個
の反射装置により形成される空孔部を有する放射線シス
テムにおけるＱ係数を示すグラフである。

【図８】図５に示す等高線を生じるために使用した２個
の反射装置により形成される空孔部を有する放射線シス
テムにおけるＱ係数を示すグラフである。

【符号の説明】

１００ 放射線システム １１０，１２０ 拡散反射装置 １３０，１４０ フラッシュランプ １５０ 標的物支持体 １６０ 標的物空間部 １７０ 標的物

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 500092561 7500 Ｃｅｎｔｕｒｉｏｎ Ｐａｒｋｗａ ｙ−Ｓｕｉｔｅ 100， Ｊａｃｋｓｏｎ ｖｉｌｌｅ， Ｆｌｏｒｉｄａ 32256, Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ジェイムズ・エイ・エーベル アメリカ合衆国、32256 フロリダ州、ジ ャクソンビル、ロック・ヒル・レーン 8220 (72)発明者 アラン・ダブリュ・キンブル アメリカ合衆国、32217 フロリダ州、ジ ャクソンビル、ブラッドフォード・ロード 5085 (72)発明者 ジョン・ビー・エンス アメリカ合衆国、32257 フロリダ州、ジ ャクソンビル、ジェイバード・サークル・ イースト 9251

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ２４０ｎｍ乃至２８０ｎｍの放射線の５
   ０％以上を反射する拡散反射性の表面から成る放射線シ
   ステム用の反射装置。
2. 【請求項２】 少なくとも１個の放射線供給源および当
   該少なくとも１個の放射線供給源を部分的に囲む少なく
   とも１個の反射装置から成り、当該少なくとも１個の反
   射装置が拡散反射装置である放射線システム。