JP2001064681A - 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 環境への負荷が少なく、かつ、化学的機械研
磨（ＣＭＰ）後に、半導体基板などの半導体部品上に残
った不純物に対して洗浄効果の高い洗浄剤、および、半
導体基板などの半導体部品、記録媒体部品および光学用
部品などの表面を研磨するために使用される研磨用組成
物を提供すること。 【解決手段】 スルホン酸（塩）基を有する単量体、カ
ルボン酸（塩）基を有する単量体、水酸基を有する単量
体およびエチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサ
イドに由来する骨格を有する単量体の群から選ばれた少
なくとも１種の単量体、ならびに、ビニルホスホン酸
（塩）からなる単量体成分を共重合してなる共重合体
（塩）を主成分とする半導体部品用洗浄剤、ならびに、
上記半導体部品用洗浄剤からなる研磨助剤を含有する研
磨用組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体用部品用洗
浄剤および半導体部品の洗浄方法に関し、特に半導体製
造工程において、化学的機械研磨（ＣＭＰ）の前後の半
導体基板などの半導体部品の表面を清浄するために使用
される半導体部品用洗浄剤および半導体部品の洗浄方法
に関する。また、本発明は、研磨用組成物および研磨方
法に関し、特に半導体基板などの半導体部品、記録媒体
部品および光学用部品などの表面を研磨するために使用
される研磨用組成物および研磨方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイス製造プロセスにおける新
たな平坦化技術として、化学的機械研磨（ＣＭＰ）が注
目されており、従来のリフロー技術やＲＩＥ（反応性イ
オンエッチング）などのエッチバック技術に比べ工程が
短縮でき、しかもパターン依存性を受けにくく、良好な
平坦化が実現できるという利点がある。この種のＣＭＰ
は、例えば、多層でのメタル平坦化あるいは層間絶縁膜
の平坦化などに適用されている。従来から、層間絶縁膜
の平坦化工程としての化学的機械研磨後の基板洗浄方法
として、さまざまな方法が提案されている。最も汎用性
の高いものとしては、半導体製造工程でよく使われるＲ
ＣＡ洗浄が挙げられる。このＲＣＡ洗浄は、アンモニア
と過酸化水素水と水の混合液による洗浄工程と、塩酸と
過酸化水素水と水の混合液による洗浄工程からなるもの
である。

【０００３】また、希フッ酸溶液での層間絶縁膜表面の
エッチングや、アルカリ系研磨剤を用いる際、酸洗浄を
行う方法なども提案されている。化学的機械研磨工程の
後処理として現在最も多く使用されているのは、ブラシ
スクラブ洗浄後、例えば、アンモニア：過酸化水素：水
（重量比）が１：１：５のアルカリ性洗浄液によるＳＣ
１洗浄を行い、基板表面に研磨工程で付着した粒子の除
去を行うというものである。さらに、ＣＭＰ後の基板表
面に吸着した金属不純物の洗浄として、クエン酸の水溶
液が使用されること、さらには、クエン酸水溶液または
エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）などがフッ化水素
とともに使用されることなどが知られている。また、ク
エン酸などの有機酸と錯化剤とを含む洗浄液も知られて
いる。しかしながら、上記洗浄液では、化学的機械研磨
後に基板上に残った研磨粒子などの金属不純物を問題の
ないレベルまで除去することが難しいうえ、洗浄効果を
出すためには高濃度にする必要があり、廃液処理など環
境への負担が大きいという問題がある。

【０００４】また、従来から、半導体基板、層間絶縁膜
などの半導体部品、記録媒体部品および光学用部品など
の平坦化工程で採用されている化学的機械研磨（ＣＭ
Ｐ）に使用する研磨用組成物としては、例えば、サブミ
クロンから数１０ミクロンオーダーのダイヤモンド、ア
ルミナ、ＳｉＣなどの研磨砥粒を水中に分散させた研磨
用組成物などが知られている（特開平１−２０５９７３
号公報、特開昭６２−２５１８７号公報、特開平９−１
４３４５５号公報など）。しかし、これらの研磨用組成
物を使用した場合、研磨砥粒の分散性、研磨により発生
する研磨屑の分散除去・再付着防止が不充分であるた
め、被研磨物表面に、ピット、スクラッチ、オレンジピ
ール、クラックなどの凹凸が生じやすく、研磨速度が上
げられず、生産性に劣るものである。また、研磨効果の
高い研磨用組成物も知られているが、それらは高価なた
め、低コスト化には限界がある。

【０００５】また、近年、電子機器の発達に従い、磁気
ディスク記録装置の記録の高密度化が要求されている。
高密度化には、磁気ディスクからの磁気ヘッドの浮上量
低減が必要である。浮上量が小さいと、ハードディスク
面上に突起が存在した場合、ヘッドクラッシュを招き、
ハードディスクや磁気ヘッドを損傷させる恐れがある。
また、ヘッドクラッシュに至らない微小突起でも、突起
部の磁気特性の乱れにより、情報の読み書きに際し、種
々のエラー原因となりやすい。従って、ハードディスク
基板の研磨工程では、優れた平滑性を有する研磨面を形
成することが重要である。磁気ディスク基板としては、
従来のアルミニウム基板のほか、脆性材料であるガラス
状炭素基板も使用されており、ガラス状炭素基板、ガラ
ス基板、セラミックス基板などの脆性材料を研磨して、
高い研磨速度で、高度の平滑性を有する表面とするのに
適した、比較的安価な研磨用組成物は提供されていな
い。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、環境
への負荷が少なく、かつ、化学的機械研磨（ＣＭＰ）後
に、半導体基板などの半導体部品上に残った、シリカ、
アルミナなどのＣＭＰ研磨砥粒、ＣＭＰ中に含まれる金
属不純物あるいは金属配線などに基づくＦｅ，Ｍｎ，Ａ
ｌ，Ｃｅ，Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉなどの不純物に対して洗浄効
果の高い洗浄剤および半導体部品の洗浄方法を提供する
ことにある。また、本発明の目的は、半導体基板、層間
絶縁膜などの半導体部品や、記録媒体部品および光学用
部品などの化学的機械研磨（ＣＭＰ）に適し、被研磨物
の表面を平坦にし、かつ研磨速度を高くできる研磨用組
成物および研磨方法を提供することにもある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、（ａ）スルホ
ン酸（塩）基を有する単量体、カルボン酸（塩）基を有
する単量体、水酸基を有する単量体、エチレンオキサイ
ドもしくはプロピレンオキサイドに由来する骨格を有す
る単量体、および窒素原子を有する単量体の群から選ば
れた少なくとも１種の単量体、ならびに（ｂ）ビニルホ
スホン酸（塩）からなる単量体成分を共重合してなる共
重合体（塩）を主成分とする半導体部品用洗浄剤に関す
る。上記半導体部品用洗浄剤は、アニオン系界面活性
剤、カチオン系界面活性剤およびノニオン系界面活性剤
の群から選ばれた少なくとも１種の界面活性剤をさらに
配合してなるものが好ましい。また、上記半導体部品用
洗浄剤は、化学的機械研磨後の半導体部品洗浄に使用す
ることが好ましい。また、本発明は、上記半導体部品用
洗浄剤を使用して半導体部品を洗浄することを特徴とす
る半導体部品の洗浄方法に関する。さらに、本発明は、
少なくとも研磨材、および、上記記載の半導体部品用洗
浄剤からなる研磨助剤を含有することを特徴とする研磨
用組成物に関する。上記研磨用組成物には、さらに溶剤
を配合することが好ましい。また、上記研磨用組成物
は、化学的機械研磨に使用することが好ましい。さら
に、本発明は、上記研磨用組成物を使用して被研磨物を
研磨することを特徴とする研磨方法に関する。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明の半導体部品用洗浄剤の主
成分である共重合体（塩）は、（ａ）スルホン酸（塩）
基を有する単量体、カルボン酸（塩）基を有する単量
体、水酸基を有する単量体、エチレンオキサイドもしく
はプロピレンオキサイドに由来する骨格を有する単量体
および窒素原子を有する単量体の群から選ばれた少なく
とも１種の単量体、ならびに（ｂ）ビニルホスホン酸
（塩）からなる単量体成分を共重合してなる。

【０００９】ここで、スルホン酸（塩）基を有する単量
体としては、例えば、イソプレンスルホン酸、（メタ）
アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、スチ
レンスルホン酸、メタリルスルホン酸、ビニルスルホン
酸、アリルスルホン酸、イソアミレンスルホン酸、下記
一般式（Ｉ) で表される不飽和（メタ）アリルエーテル
系単量体〔例えば、３−アリロキシ−２−ヒドロキシプ
ロパンスルホン酸、３−メタアリロキシ−２−ヒドロキ
シプロパンスルホン酸〕、

【００１０】

【００１１】〔式中、Ｒ¹ は水素原子または炭素数１〜
８のアルキル基、ａ〜ｄは同一または異なり、０または
１〜１００の整数を示し（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝０
〜１００）、（ＯＣ₂ Ｈ₄ ）単位と（ＯＣ₃ Ｈ₆ ）単位
とは、任意の順序で結合しており、Ｙ，Ｚはスルホン酸
基または水酸基であり、Ｙ，Ｚの少なくとも一方はスル
ホン酸基である。〕、スルホエチル（メタ）アクリレー
ト、下記一般式（II）で表される共役ジエンスルホン酸
（例えば、２−メチル−１，３−ブタジエン−１−スル
ホン酸）

【００１２】

【００１３】（式中、Ｒ² 〜Ｒ⁷ は水素原子、炭素数１
〜８のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基または
−ＳＯ₃ Ｘであり、ここでＸは水素原子、金属原子、ア
ンモニウム基、もしくはアミノ基であり、Ｒ² 〜Ｒ⁷ の
少なくとも一つは−ＳＯ₃ Ｘである）、（メタ）アクリ
ルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸）、２−ヒド
ロキシ−３−アクリルアミドプロパンスルホン酸、およ
びこれらの塩などが挙げられる。好ましくは、イソプレ
ンスルホン酸、（メタ）アクリルアミド−２−メチルプ
ロパンスルホン酸およびこれらの塩である。特に好まし
くは、イソプレンスルホン酸、（メタ）アクリルアミド
−２−メチルプロパンスルホン酸、およびこれらの塩で
ある。これらのスルホン酸（塩）基含有単量体は、１種
単独で使用することも、あるいは２種以上を混合して用
いることもできる。

【００１４】カルボン酸（塩）基を有する単量体として
は、カルボン酸基を含み重合可能な二重結合を有する単
量体であれば特に限定されないが、例えば、イタコン
酸、無水イタコン酸、（メタ）アクリル酸、マレイン
酸、無水マレイン酸、フマル酸、無水フマル酸、シトラ
コン酸、無水シトラコン酸、グルタコン酸、ビニル酢
酸、アリル酢酸、フォスフィノカルボン酸、α−ハロア
クリル酸、β−カルボン酸、またはこれらの塩類、（メ
タ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、
（メタ）アクリル酸オクチルなどの（メタ）アクリル酸
アルキルエステル類、などが挙げられる。好ましくは、
イタコン酸、無水イタコン酸、アクリル酸、メタクリル
酸またはこれらの塩類である。これらのカルボン酸
（塩）基を含み重合可能な二重結合を有する単量体は、
１種単独で使用することも、あるいは２種以上を混合し
て用いることもできる。

【００１５】水酸基を有する単量体としては、例えば、
ビニルアルコール、アリルアルコール、メチルビニルア
ルコール、エチルビニルアルコール、ビニルグリコール
酸などの不飽和アルコール類、ヒドロキシメチル（メ
タ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレ
ート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリ
エチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプ
ロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、グリセ
ロールモノ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メ
タ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコールモノ
（メタ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコール
ジ（メタ）アクリレート、ブタンジオールモノ（メタ）
アクリレート、ヘキサンジオールモノ（メタ）アクリレ
ート、ペンタエリスリトールモノ（メタ）アクリレー
ト、ヒドロキシフェノキシエチル（メタ）アクリレート
などの水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル類が挙げ
られる。好ましくはヒドロキシエチル（メタ）アクリレ
ートである。これらの水酸基を有する単量体は、１種単
独で使用することも、あるいは２種以上を混合して用い
ることもできる。

【００１６】エチレンオキサイドもしくはプロピレンオ
キサイドに由来する骨格を有する単量体としては、ポリ
オキシエチレンモノメタクリレート（アルキレンオキサ
イド２〜２０モル付加物）、および下記一般式（III)で
表される構造を有する化合物、 （式中、Ｒ⁸ は水素原子またはメチル基、Ｒ⁹ は、炭素
数１〜１８の脂肪族基または芳香族基であり、Ａはメチ
レン基、プロピレン基、テトラメチレン基である）など
が挙げられる。好ましくはポリオキシエチレンモノメタ
クリレート（エチレンオキサイド５モル付加物）であ
る。上記単量体は、１種または２種以上使用できる。

【００１７】窒素原子を有する単量体としては、アミ
ン、アミドなどの官能基を有する単量体が挙げられる。
具体的には、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチル（メ
タ）アクリルアミド、Ｎ−エチル（メタ）アクリルアミ
ド、Ｎ−ｎ−プロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−イ
ソプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ジメチル（メ
タ）アクリルアミド、Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルア
ミド、Ｎ−ジ−ｎ−ジプロピル（メタ）アクリルアミ
ド、Ｎ−メチル−Ｎ−エチル（メタ）アクリルアミド、
Ｎ−ビニルホルムアミド、Ｎ―ビニルピロリドン、２−
ビニルピリジン、４−ビニルピリジンなどが挙げられ
る。好ましくは、アクリルアミド、Ｎ−ジメチル（メ
タ）アクリルアミド、ビニルピリジンである。上記窒素
原子を有する単量体は、１種または２種以上を併用でき
る。

【００１８】本発明の単量体成分中に含まれる（ａ）成
分の量は、単量体成分中に、好ましくは３〜９５モル
％、さらに好ましくは５〜９０モル％以下である。３モ
ル％未満では、洗浄剤として使用した場合に、粒子の除
去能が低下し、また、研磨材組成物として使用した場合
には、スクラッチが増加する場合があり好ましくない。
また９５モル％を超えると、洗浄剤として使用した場合
に、金属（イオン）除去能が低下し、また、研磨材組成
物として使用した場合には、十分な研磨速度が得られな
い場合があり好ましくない。

【００１９】（ｂ）ビニルホスホン酸（塩）は、ビニル
ホスホン酸、およびビニルホスホン酸の塩である。好ま
しくはビニルホスホン酸の塩である。上記ビニルホスホ
ン酸（塩）は１種または２種以上を併用できる。本発明
の単量体成分中に含まれるビニルホスホン酸（塩）の量
は、単量体成分中に、好ましくは９７〜５モル％、さら
に好ましくは９５〜１０モル％である。５モル％未満で
あると洗浄剤として使用した場合に、金属（イオン）除
去能が低下し、また、研磨材組成物として使用した場合
には、十分な研磨速度が得られない場合があり好ましく
ない。一方９７モル％を超えると、洗浄剤として使用し
た場合に、粒子の除去能が低下し、また、研磨材組成物
として使用した場合には、スクラッチが増加する場合が
あり好ましくない。

【００２０】本発明の共重合体（塩）は、上記単量体成
分のほかに、共重合可能なその他の単量体を共重合して
得ることもできる。その他の単量体としては、スチレ
ン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、ｐ−メチル
スチレンなどの芳香族ビニル化合物、ブタジエン、イソ
プレン、２−クロル−１，３−ブタジエン、１−クロル
−１，３−ブタジエンなどの脂肪族共役ジエン、（メ
タ）アクリロニトリルなどのシアン化ビニル化合物、ビ
ニルホスホン酸（塩）以外のリン酸化合物などが挙げら
れる。上記単量体は、１種または２種以上使用できる。
これらその他の単量体を共重合させる場合には、単量体
成分中に、３０モル％以下であることが好ましい。

【００２１】本発明において、（ａ）成分および（ｂ）
成分からなる単量体成分から、共重合体（塩）を製造す
る方法は、例えば、下記のとおりである。すなわち、上
記単量体成分を過酸化水素、過硫酸ナトリウム、過硫酸
カリウムなどの公知の重合開始剤の存在下、反応温度
を、通常、２０〜２００℃、好ましくは４０〜１５０℃
で、０．１〜２０時間、好ましくは１〜１５時間にわた
り重合反応させ、共重合体（塩）を製造することができ
る。一つの処方として、重合に使用する単量体成分を逐
次添加し共重合を行うことができる。ここで、逐次重合
とは、単位時間あたり一定量で、あるいは添加量を変量
させて単量体成分を重合系に所定時間内に投入すること
である。

【００２２】上記共重合反応において、反応を円滑に行
うため重合溶媒を用いることができ、この重合溶媒とし
ては、水、または水と混合可能な有機溶剤と水との混合
物などを用いることができる。この有機溶剤の具体例と
しては、水と混合可能であれば特に限定されないが、例
えば、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、アル
コール類などが挙げられる。さらに、本発明の共重合体
（塩）の重量平均分子量は、１，０００〜５０万、好ま
しくは３，０００〜３０万、さらに好ましくは５，００
０〜３０万である。１，０００未満では、洗浄効果が充
分発揮されない場合があり、一方、５０万を超えると、
ゲル化などを伴い、取り扱いが困難となる。

【００２３】本発明の共重合体（塩）として、好ましく
は、ビニルホスホン酸／アクリル酸共重合体（塩）、ビ
ニルホスホン酸／イタコン酸共重合体（塩）、ビニルホ
スホン酸／アクリルアミド−２−メチルスルホン酸共重
合体（塩）、ビニルホスホン酸／ヒドロキシエチルメタ
クリレート共重合体（塩）、ビニルホスホン酸／ポリオ
キシエチレンモノメタクリレート共重合体（塩）、ビニ
ルホスホン酸／アクリル酸／アクリルアミド−２−メチ
ルスルホン酸共重合体（塩）である。

【００２４】なお、本発明の共重合体（塩）は、半導体
部品用洗浄剤とするために、水溶性であることが好まし
い。水溶性にするためには、カチオン種の対イオンを有
する共重合体（塩）とすればよい。カチオン種は、特に
限定されるものでないが、水素、アルカリ金属、アルカ
リ土類金属、アンモニア、アミンなどが好ましい。上記
アルカリ金属としては、ナトリウム、カリウムなどを、
アルカリ土類金属としてはカルシウム、マグネシウムな
どを、アミンとしてはメチルアミン、エチルアミン、プ
ロピルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、トリ
エチルアミン、ブチルアミンジブチルアミン、トリブチ
ルアミンなどのアルキルアミン、エチレンジアミン、ジ
エチレントリアミン、トリエチレンテトラミンなどのポ
リアミン、モルホリン、ピペリジンなどを例示すること
ができる。好ましくは、水素、カリウム、アンモニア、
アルキルアミンである。

【００２５】また、これらのカチオン種を有する共重合
体（塩）を得るためには、好ましいカチオン種を有する
単量体を共重合してもよいし、酸タイプの単量体を共重
合したのち、該当するアルカリで中和してもよい。ま
た、共重合体（塩）を種々のイオン交換技法により他種
のカチオン種と相互に交換することも可能である。これ
ら、カチオン種は１種単独で用いることも、２種以上併
用することも可能である。

【００２６】本発明の半導体部品用洗浄剤は、水および
／または親水性有機溶剤（以下「溶剤」ともいう）中
に、共重合体（塩）の濃度が０．１〜２０重量％、特に
好ましくは１．０〜１０重量％となるように溶解して使
用することが好ましい。共重合体（塩）の濃度が０．１
重量％未満では、洗浄効果は充分に発揮されず、一方、
２０重量％を超えて高濃度にした場合、濃度に見合う効
果が期待できず効率的でない。

【００２７】上記溶剤のうち、水としては、蒸留水、脱
イオン水、水道水、工業用水などが適宜選択できる。ま
た、他の溶剤としては、アルコール、エーテル、ケトン
などが挙げられる。なかでも、水を主成分とするもの、
特に水が好ましい。上記親水性有機溶剤のうち、アルコ
ール類の具体例としては、メタノール、エタノール、ｎ
−プロピルアルコール、ｉ−プロピルアルコール、ｎ−
ブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔ−ブ
チルアルコール、ｎ−ヘキシルアルコール、ｎ−オクチ
ルアルコール、エチレングリコール、ジエチレングリコ
ール、トリエチレングリコール、エチレングリコールモ
ノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエー
テルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエー
テル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロ
ピレンモノメチルエーテルアセテート、ジアセトンアル
コールなどを挙げることができる。また、エーテル類の
具体例としては、テトラヒドロフラン、ジオキサンなど
を、ケトン類の具体例としては、アセトン、メチルエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケト
ンなどが挙げられる。これらの親水性有機溶剤は、１種
単独であるいは２種以上を併用することができる。

【００２８】本発明の半導体部品用洗浄剤は、上記共重
合体（塩）に、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面
活性剤、およびノニオン系界面活性剤の群から選ばれた
少なくとも１種の界面活性剤をさらに配合してなるもの
でもよい。アニオン系界面活性剤としては、例えば、高
級アルコールの硫酸エステル塩、アルキルベンゼンスル
ホン酸塩、脂肪族スルホン酸塩、脂肪族有機酸塩、リン
酸系などが挙げられる。好ましくは、オレイン酸アンモ
ニウムなどのオレイン酸塩、ラウリン酸塩、ロジン酸
塩、ドデシルベンゼンスルホン酸塩、ポリオキシエチレ
ンアルキルエーテル硫酸エステル塩である。カチオン系
界面活性剤としては、ラウリルトリメチルアンモニウム
クロライド、オクチルトリメチルアンモニウムブロマイ
ド、ジオクチルジメチルアンモニウムクロライドなどが
挙げられる。好ましくは、ラウリルトリメチルアンモニ
ウムクロライドである。

【００２９】ノニオン系界面活性剤としては、通常、ポ
リエチレングリコールのアルキルエステル型、トリエチ
レングリコールモノブチルエーテルなどのアルキルエー
テル型、ポリオキシソルビタンエステルなどのエステル
型、アルキルフェノール型などが挙げられる。好ましく
は、トリエチレングリコールモノブチルエーテルであ
る。また、界面活性剤として、両性界面活性剤を使用す
ることもでき、アニオン部分としてカルボン酸塩、硫酸
エステル塩、スルホン酸塩、リン酸エステル塩を、カチ
オン部分としてアミン塩、第４級アンモニウム塩などを
持つものが挙げられる。上記界面活性剤の使用量は、上
記共重合体（塩）に対して、好ましくは０．０１〜５重
量％、さらに好ましくは．０．０５〜２重量％、特に好
ましくは０．１〜１重量％である。０．０１重量％未満
であると，顕著な洗浄効果がみられない場合があり、一
方、５重量％を超えても添加した量に見合う効果は得ら
れず、かつ泡立ちの問題を生じる場合もあり好ましくな
い。

【００３０】なお、本発明の半導体部品用洗浄剤には、
他の公知の洗浄剤成分を併用することも可能である。他
の洗浄剤成分としては、例えば、エチレンジアミン四酢
酸（ＥＤＴＡ）、トランス−１，２−シクロヘキサンジ
アミン四酢酸（ＣｙＤＴＡ）、ニトリロトリ酢酸（ＮＴ
Ａ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）、
Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン−Ｎ，
Ｎ′，Ｎ′−トリ酢酸（ＥＤＴＡ−ＯＨ）などの化合物
およびその塩などのポリアミノカルボン酸類のほか、シ
ュウ酸、クエン酸、グルコン酸、コハク酸、酒石酸、フ
マル酸、リンゴ酸、ピロリン酸、乳酸、安息香酸などの
有機酸、フッ化水素、過酸化水素、炭酸、塩酸、過塩素
酸、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、リン酸、亜リン酸、
次亜リン酸などの無機酸、およびこれらを官能基として
有する有機酸が挙げられる。一般に、これらの化合物
は、遊離酸あるいは塩の形で用いられ、半導体製造用に
は特性に悪影響を及ぼさない、プロトンタイプ、アンモ
ニウム塩、アミン塩や、リチウム、ナトリウム、カリウ
ムなどのアルカリ金属、マグネシウム、カルシウムなど
のアルカリ土類金属、亜鉛、アルミニウム、ニッケル、
鉄などとの塩、などの塩の形で使用することが好まし
い。なかでも、アンモニア、アミン、カリウムなどの塩
がさらに好ましく、最も好ましくはアンモニア、カリウ
ムとの塩である。これらの化合物は、１種単独で使用す
ることもできるし、２種以上使用することも可能であ
る。また、これらの化合物の使用量は、特に制限はない
が、通常、本発明の共重合体（塩）に対して、５倍重量
以下である。また、洗浄効果を上げるために、各種アル
カリ溶液、オゾン水、酸化還元水などの機能水を併用し
てもよい。

【００３１】本発明の半導体部品用洗浄剤は、主とし
て、ＣＭＰ後に半導体用部品上に残った研磨粒子に基づ
く金属不純物を除去するために使用されるが、使用方法
としては特に制限はなく、公知の方法が採用できる。ま
た、本発明の洗浄剤を使用して洗浄を行う前、あるいは
後に、公知の洗浄剤の使用、あるいは浸漬洗浄、パドル
洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、超音波洗浄などの公
知の洗浄方法を実施することにより、さらに、金属不純
物の除去効率を上げることも可能である。本発明の洗浄
剤のＰＨに特に制限はないが、通常、１〜１２で使用で
き、好ましくは２〜１０、さらに好ましくは３〜９であ
る。この範囲外では、洗浄能力が低下したり、金属部分
の腐食が生じる場合があり、好ましくない。ＰＨは、対
イオン種の種類を適宜選択すること、または酸、塩基を
添加することにより調整することが可能である。例え
ば、対イオンに使用する、Ｈ⁺ とアンモニアイオン（Ｎ
Ｈ₃ ⁺ ）などのアルカリ成分の割合を変化させることで
ＰＨの調整を行うことができる。また、使用温度は、通
常、５〜５０℃である。

【００３２】本発明の半導体部品用洗浄剤は、環境への
負荷が少なく、かつ、化学的機械研磨後に、半導体部品
上に残った、シリカ、アルミナなどのＣＭＰ研磨砥粒、
ＣＭＰ中に含まれる金属不純物あるいは金属配線などに
基づくＦｅ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｃｅ，Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉなどの
不純物に対して洗浄効果があるので、半導体基板、層間
絶縁膜、メタル配線などの半導体部品の洗浄に有用であ
る。

【００３３】また、本発明の半導体部品洗浄剤に使用す
る共重合体（塩）は、半導体基板などの半導体部品、記
録媒体部品および光学用部品などの表面を研磨するのに
使用される、研磨用組成物中の研磨助剤としても使用で
きる。上記研磨材としては、研磨砥粒として通常使用さ
れるものを適宜使用できる。研磨粒径として、例えば、
ダイヤモンド粒子、アルミナ粒子、炭化ケイ素（Ｓｉ
Ｃ）粒子、酸化マグネシウム粒子、酸化セリウム粒子、
酸化ジルコニウム粒子、クロミア（Ｃｒ₂ Ｏ₃ ）粒子、
ヒュームドシリカ粒子、コロイダルシリカ粒子などが挙
げられる。半導体基板、記録媒体用基板および光学用部
品などの研磨用としては、中でも、アルミナ粒子、Ｓｉ
Ｃ粒子、酸化セリウム粒子、酸化ジルコニウム粒子、ヒ
ュームドシリカ粒子、コロイダルシリカ粒子などが挙げ
られ、好ましくはアルミナ粒子、ヒュームドシリカ粒
子、コロイダルシリカ粒子である。アルミナ粒子の中で
も、γ−アルミナ粒子、δ−アルミナ粒子、θ−アルミ
ナ粒子、η−アルミナ粒子および無定形アルミナ粒子が
好ましい。これらは、１種単独でも、または２種以上を
組み合わせて使用してもよい。

【００３４】一般に、研磨砥粒には、大きな粒子を破砕
し、所望の粒度に分級して得られる破砕タイプのもの
と、コロイド溶液から生成させる球状タイプのものがあ
る。破砕タイプとしては、例えば、湿式スラリー方式で
は、微粉砕装置（ボールミルなど）で粉砕し、粗大粒子
は重力沈降、遠心分離して得られるもの、乾式方式で
は、ジェット気流による粉砕分級して得られるものなど
が挙げられる。同一粒径で比較した場合、破砕タイプの
ものは、球状タイプのものに比べ、比表面積が大きく、
研磨速度も大きい。本発明の研磨材として、層間絶縁
膜、金属膜を研磨する場合、どちらのタイプでも使用で
きるが、好ましくは破砕タイプのものである。

【００３５】研磨砥粒の平均粒径は、好ましくは０．０
０１〜１０．０μｍ、さらに好ましくは０．０１〜５．
０μｍ、特に好ましくは０．０２〜３．０μｍである。
０．００１μｍ未満であると、研磨速度が著しく低下
し、一方、１０．０μｍを超えると、被研磨物の表面の
平坦性を保つことが困難となる。また、大小粒径の研磨
材を組み合わせて使用することもできる。なお、上記平
均粒径は、例えば、ＳＥＭ観察、ＴＥＭ観察で得られる
粒径を測定して得られるものである。

【００３６】研磨砥粒の硬度は、ヌープ硬度（ＪＩＳ
Ｚ２２５１）が、好ましくは６００〜１０，０００、さ
らに好ましくは１，０００〜５，０００、特に好ましく
は１，５００〜３，０００である。ヌープ硬度が６００
未満であると、充分な研磨速度を得られず、生産性が低
下し、一方、１０，０００を超えると、被研磨物の表面
の平坦性が低下し、品質が低下する。また、上記研磨砥
粒の比表面積は、好ましくは０．１〜５０ｍ² ／ｇ、比
重が好ましくは２〜５、さらに好ましくは３〜４であ
る。比重がこの範囲内であると、取り扱い性、研磨の際
の分散性、回収再利用性の点で好ましい。

【００３７】上記研磨材は、研磨助剤と共にスラリー状
の研磨用組成物として使用される。研磨用組成物中の研
磨材の配合割合は、研磨用組成物の粘度や被研磨物に要
求される品質などに応じて適宜選択することができる
が、好ましくは０．０１〜４０重量％、さらに好ましく
は０．１〜３５重量％、特に好ましくは１〜３０重量％
である。０．０１重量％未満であると目標とする研磨特
性が得られず、一方、４０重量％を超えると、組成物の
粘度が高くなりすぎるので好ましくない。

【００３８】本発明の研磨用組成物が、本発明の半導体
部品洗浄剤からなる研磨助剤を含むことにより、研磨効
果が上昇し、研磨表面の平坦性が上昇する理由として、
下記の理由が考えられる。すなわち、研磨により発生し
た研磨屑に研磨助剤が吸着することにより、研磨屑の間
に働く凝集力が低下し、研磨屑が研磨用組成物中に均一
に分散して被研磨物の表面から素早く除去され、被研磨
物の表面は常に新しい面が露出する。また、研磨材は、
研磨助剤が吸着することにより、均一に分散化して研磨
パッド表面に捕捉された状態を保ち、研磨に使用される
研磨材量が増大し、それぞれの研磨材にかかる荷重が低
下し、研磨材が被研磨物表面に均一に作用する。さら
に、本発明の半導体部品洗浄剤からなる研磨助剤は、安
定性が高く、高加圧条件においても研磨処理を行えるた
め、研磨速度の上昇が可能である。

【００３９】本発明の研磨助剤は、ホスホン酸（塩）を
含む単量体成分を共重合してなる共重合体（塩）を主成
分とするものである。本発明の研磨助剤の使用量は、研
磨用組成物中に好ましくは０．００１〜１０重量％、さ
らに好ましくは０．０１〜５重量％である。０．００１
重量％未満であると、充分な研磨特性が得られない場合
があり、一方、１０重量％を超えると、添加効果の向上
が見られず効果的でない。

【００４０】本発明における研磨材と研磨助剤との配合
量の関係は、研磨用組成物中の研磨材と研磨助剤との濃
度比〔研磨材の濃度（重量％）／研磨助剤の濃度（重量
％）〕が、好ましくは０．１／３０〜４０／０．０１、
さらに好ましくは１／２０〜３０／０．１、特に好まし
くは５／１０〜２５／１となるように配合する。０．１
／３０未満であると、研磨効果の低下が生じ、一方、４
０／０．０１を超えると研磨助剤を配合した効果が充分
に発現しない。

【００４１】本発明の研磨用組成物に配合される溶剤
は、上記の水および／または親水性有機溶剤である。通
常、上記半導体部品用洗浄剤からなる研磨助剤を、溶剤
中に溶解させ、研磨砥粒とともにスラリー状の研磨用組
成物とする。上記溶剤としては、上記半導体部品用洗浄
剤を溶解して使用する溶剤として挙げられたものと同じ
ものが挙げられる。溶剤は、１種単独であるいは２種以
上を併用することができる。本発明の研磨用組成物中の
固形分濃度は、好ましくは１〜６０重量％、さらに好ま
しくは５〜４０重量％、特に好ましくは１０〜３０重量
％である。固形分濃度が１重量％未満であると、充分な
研磨特性が得られない場合があり、一方、６０重量％を
超えると、添加効果の向上がみられず効果的でない。

【００４２】本発明の研磨用組成物のＰＨに特に制限は
ないが、通常、１〜１３、好ましくは２〜１２、さらに
好ましくは３〜１１で使用できる。この範囲外では、研
磨助剤が不安定になり、研磨能力が低下したり、金属部
分の腐食が生じる場合があり、好ましくない。ＰＨの調
節は、上記洗浄剤のＰＨの調節と同様に行うことができ
る。本発明の研磨用組成物には、上記研磨助剤のほか
に、各種増粘剤、分散剤、防錆剤などの公知の添加剤を
加えることができる。これらの添加剤は、本発明の研磨
助剤中に好ましくは０〜３重量％含まれる。

【００４３】本発明の研磨用組成物は、主として、半導
体用部品、記録媒体部品および光学用部品の研磨のため
に使用される。これら被研磨物の材質としては、例え
ば、半導体製造過程で使用されるタングステン、銅、ア
ルミニウムなどが配線された金属膜、Ｎｉ−Ｐメッキさ
れたアルミニウム合金などの金属、シリコン、ガラス状
炭素材料、ガラス、Ａｌ₂ Ｏ₃ ・ＴｉＣなどのセラミッ
クなどの脆性材料が挙げられる。上記ガラス状炭素材料
としては、例えば、アモルファス炭素のマトリックス中
にグラファイトが分散した構造となっているものなどが
挙げられる。

【００４４】これら被研磨物の形状としては、例えば、
ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状、レン
ズ状など、様々な形状のものが挙げられる。本発明の研
磨用組成物を使用する研磨には、上記被研磨物を粗研磨
（ラッピング）して、通常、０．０１〜１μｍ、好まし
くは０．０５〜０．５μｍの表面粗さにしたものを使用
する。なお、本発明における表面粗さは、中心線平均粗
さＲａのことであり、ランク・テーラーホブソン社製の
タリ０ステップを用いて測定される。

【００４５】本発明の研磨用組成物の使用方法として
は、特に制限はなく公知の方法が採用できる。例えば、
ＳＰＥＥＤ ＦＡＭ（株）製両面研磨機９Ｂ型により研
磨加工を行える。加工圧力は、通常、１０〜２，０００
ｇｆ／ｃｍ² 、好ましくは５０〜５００ｇｆ／ｃｍ² 、
加工時間は、通常、０．５〜１５０分、好ましくは１〜
１００分、加工温度は、通常、５〜７０℃、好ましくは
５〜５０℃である。また、研磨パッドの硬度（ＪＩＳ
Ｋ６３０１に準拠）は、硬質であるほど表面の平坦性を
上昇させることができるため、通常、８６〜９９、好ま
しくは８８〜９５である。研磨パッドの材料としては、
例えば、発泡ポリウレタンなどの樹脂、ポリエステル不
織布およびポリウレタンの複合体などの樹脂複合体など
が挙げられる。さらに、下定盤回転数は、通常、５〜１
００ｒｐｍ、好ましくは１０〜６０ｒｐｍ、研磨用組成
物流量は、通常、３〜３００ｍｌ／分、好ましくは１０
〜２００ｍｌ／分である。

【００４６】本発明の研磨用組成物は、半導体基板、層
間絶縁膜などの半導体部品や、ガラス状炭素基板、ガラ
ス基板、セラミックス基板のような脆性材料からなる、
記録媒体部品および光学用部品などの化学的機械研磨
（ＣＭＰ）に適し、被研磨物の表面を平坦にし、かつ研
磨速度を高くできる。なお、本発明において、「基板」
とは、平面部を有する形状のものに限られず、曲面部を
有する形状のものも含む。

【００４７】

【実施例】以下、実施例を挙げ、本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもの
ではない。なお、実施例中の％および部は、特に断らな
い限り重量基準である。また、実施例中における各種の
測定は、以下のようにして実施した。

【００４８】重量平均分子量 重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロ
マトグラフィー（ＧＰＣ）によって判定した結果を、ポ
リスチレンスルホン酸ナトリウムを標準サンプルとして
作成した検量線を用いて換算したものである。ここで、
ＧＰＣの測定条件は、下記のとおりである。 カラム；Ｇ３０００ＰＷＸＬ〔東ソー（株）製〕 カラム；ＧＭＰＷＸＬ 〔東ソー（株）製〕 カラム；ＧＭＰＷＸＬ 〔東ソー（株）製〕 カラムを〜の順に直列につなぎ、カラム側より試
料を導入する。 検出器；示差屈折計ＲＩ−８０２１〔東ソー（株）製〕 溶離液；水／アセトニトリル／硫酸ナトリウム＝２，１
００／９００／１５（重量比） 流速；１．０ｍｌ／分 温度；４０℃ サンプル濃度；０．２％ サンプル注入量；４００μｌ

【００４９】研磨 粗研磨により表面粗さを０．１μｍとした直径２．５イ
ンチの銅膜付きウェハ基板を研磨用組成物を用いて、両
面研磨機により研磨加工を行った。なお、被研磨物の表
面粗さ（中心線平均粗さＲａ）は、ランク・テーラーホ
ブソン社製のタリ０ステップを用いて測定した。加工条
件は、下記のとおりである。 両面研磨機：ラップマスター社製、型式ＬＧＰ−５１０ 加工圧力：１５０ｇｆ／ｃｍ² 加工時間：２分 加工温度：２５℃ 研磨パッドの硬度：９０（ＪＩＳ Ｋ６３０１に準拠） 下定盤回転数：５０ｒｐｍ 研磨用組成物流量：５０ｍｌ／分

【００５０】研磨速度 銅膜付きウェハ基板を、上記と同条件で研磨し、下式
（IV）により研磨速度（μｍ／分）を求めた。 研磨速度（μｍ／分）＝〔研磨前の銅膜の厚さ（μｍ）−研磨後の銅膜の厚さ （μｍ）〕／研磨時間（分） ・・・・・（IV） なお、銅膜の厚さ（μｍ）は、抵抗率測定機（ＮＰＳ社
製、型式Σ−５）により、直流４探針法でシート抵抗を
測定し、このシート抵抗値と銅の抵抗率から、下式
（Ｖ）により算出した。 銅膜の厚さ（μｍ）＝〔シート抵抗値（Ω／ｃｍ² ）×銅の抵抗率（Ω／ｃｍ ）〕×１０⁴ ・・・・・（Ｖ）

【００５１】スクラッチ数 光学顕微鏡を使用して、倍率５０倍で研磨した基板の表
面を、６０度おきに６個所観察し、スクラッチの数を測
定した。スクラッチの深さは、Ｚｙｇｏ（株）製のＺｙ
ｇｏで測定した。評価基準は下記のとおりである。 ○：深さ０．０５μｍ以上のスクラッチが、１視野に
０．５本未満。 △：深さ０．０５μｍ以上のスクラッチが、１視野に
０．５〜１本。 ×：深さ０．０５μｍ以上のスクラッチが、１視野に１
本を超える。

【００５２】参考例１ ２０％濃度のビニルホスホン酸水溶液７１ｇ、および２
０％濃度のアクリル酸水溶液４２９ｇ、３５％過酸化水
素水１４．３ｇを溶解したものを、水１，０００ｇを仕
込んだ内容積２リットルの容器中に、還流下で撹拌しな
がら１０時間かけて均等に滴下した。滴下終了後、２時
間還流下で保ったのち、アンモニア水溶液で中和して対
イオンを（ＮＨ₃ ⁺ ）とし、ビニルホスホン酸／アクリ
ル酸共重合体（１０／９０モル比）のアンモニウム塩
（Ａ）を得た。共重合体（塩）の重量平均分子量は、１
５，０００であった。

【００５３】参考例２ 参考例１において、２０％濃度のビニルホスホン酸水溶
液７１ｇを２０％濃度のビニルホスホン酸水溶液８４ｇ
に、２０％濃度のアクリル酸水溶液４２９ｇを２０％濃
度のイタコン酸水溶液４１４ｇに変更した以外は、参考
例１と同様に実施し、ビニルホスホン酸／イタコン酸共
重合体（２０／８０モル比）のアンモニウム塩（Ｂ）を
得た。共重合体（塩）の重量平均分子量は、１３，００
０であった。

【００５４】参考例３ 参考例１において、２０％濃度のビニルホスホン酸水溶
液７１ｇを２０％濃度のビニルホスホン酸水溶液５８ｇ
に、２０％濃度のアクリル酸水溶液４２９ｇを２０％濃
度のアクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸水
溶液４４２ｇに変更して、対イオンを（Ｈ⁺ ）とした以
外は、参考例１と同様に実施し、ビニルホスホン酸／ア
クリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体
（２０／８０モル比）（Ｃ）を得た。共重合体の重量平
均分子量は、１０，０００であった。

【００５５】参考例４ 参考例１において、２０％濃度のビニルホスホン酸水溶
液７１ｇを２０％濃度のビニルホスホン酸水溶液３５７
ｇに、２０％濃度のアクリル酸水溶液４２９ｇを２０％
濃度のヒドロキシエチルメタクリレート水溶液１４３ｇ
に変更して、対イオンを（Ｈ⁺ ）とした以外は、参考例
１と同様に実施し、ビニルホスホン酸／ヒドロキシエチ
ルメタクリレート共重合体（７５／２５モル比）（Ｄ）
を得た。共重合体の重量平均分子量は、１０，０００で
あった。

【００５６】参考例５ 参考例１において、２０％濃度のビニルホスホン酸水溶
液７１ｇを２０％濃度のビニルホスホン酸水溶液４２ｇ
に、２０％濃度のアクリル酸水溶液４２９ｇを２０％濃
度のポリオキシエチレンモノメタクリレート（エチレン
オキサイド５モル付加物）水溶液４５８ｇに変更して、
対イオンを（Ｈ⁺ ）とした以外は、参考例１と同様に実
施し、ビニルホスホン酸／ポリオキシエチレンモノメタ
クリレート共重合体（２０／８０モル比）（Ｅ）を得
た。共重合体の重量平均分子量は、１５，０００であっ
た。

【００５７】参考例６ 参考例１において、２０％濃度のビニルホスホン酸水溶
液７１ｇを２０％濃度のビニルホスホン酸水溶液２９．
５ｇに、２０％濃度のアクリル酸水溶液４２９ｇを２０
％濃度のアクリル酸水溶液１９．５ｇおよび２０％濃度
のアクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸水溶
液４５１ｇに変更して、対イオンを（Ｈ ⁺ ）とした以外
は、参考例１と同様に実施し、ビニルホスホン酸／アク
リル酸／アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン
酸共重合体（１０／１０／８０モル比）（Ｆ）を得た。
共重合体の重量平均分子量は、１０，０００であった。

【００５８】実施例１〜６ ＳｉＯ₂ 膜付きシリコンウェハを、３％ＫＯＨ水溶液、
３％Ｆｅ（ＮＯ₃ ）₂水溶液、３％ＣｕＳＯ₄ 水溶液に
順次３分間浸漬し、かるく水洗して汚染処理を行った。
この汚染したＳｉＯ₂ 膜付きシリコンウェハを、テクノ
ス（株）製全反射蛍光Ｘ線装置（装置名；ＴＲＥＸ−６
１０Ｔ）を用いてウェハ表面のＣｕ，Ｆｅ，Ｋの濃度を
測定した。Ｃｕの表面濃度は、１００×１０¹⁰（原子／
ｃｍ² ）、Ｆｅの表面濃度は、１５，０００×１０
¹⁰（原子／ｃｍ² ）、Ｋの表面濃度は、９０×１０
¹⁰（原子／ｃｍ² ）であった。次に、参考例１〜６の共
重合体（塩）（Ａ〜Ｆ）の２％水溶液を洗浄液として調
製した。汚染したＳｉＯ₂ 膜付きシリコンウェハを、洗
浄液中で４０℃、３分洗浄し、水洗、乾燥後、再びウェ
ハ表面のＣｕ，Ｆｅ，Ｋの濃度を測定し、Ｃｕ，Ｆｅ，
Ｋの除去能力を評価した。結果を表１に示す。

【００５９】実施例７ 実施例３において、参考例３の共重合体（Ｃ）を用いて
調製した２％水溶液にトリエチレングリコールモノブチ
ルエーテルを０．０５％となるように添加した以外は、
同様に実施した。結果を表１に示す。

【００６０】実施例８ 実施例３において、参考例３の共重合体（Ｃ）を用いて
調製した２％水溶液にラウリルトリメチルアンモニウム
クロライドを０．０５％となるように添加した以外は、
同様に実施した。結果を表１に示す。

【００６１】実施例９ 実施例３において、参考例３の共重合体（Ｃ）を用いて
調製した２％水溶液にオレイン酸アンモニウムを０．０
５％となるように添加した以外は、同様に実施した。結
果を表１に示す。

【００６２】比較例１ 実施例１において、参考例１の共重合体（塩）水溶液の
代わりに、クエン酸１０％水溶液を使用した以外は、同
様に実施した。結果を表１に示す。表１に示すように、
本発明の洗浄剤は、クエン酸を使用した比較例よりも、
Ｃｕ，Ｆｅ，Ｋの除去能力、およびパーティクル除去能
力に優れていることが分かる。

【００６３】

【表１】

【００６４】実施例１０〜１８ 研磨材としてアルミナ砥粒〔住友化学（株）製、商品
名：ＡＫＰ１０−αアルミナ〕（純度９９．９％、平均
粒径１．０μｍ、比表面積２．０ｍ² ／ｇ）を表２に示
す濃度で、濃度３０％の過酸化水素水を研磨用組成物に
対し６．７％使用し、参考例１〜６の共重合体（塩）
（Ａ〜Ｆ）、ならびに必要に応じて界面活性剤を、表２
に示す濃度で混合・攪拌し、研磨用組成物を得た。な
お、表２に示す量は、水を溶剤として含む研磨用組成物
に対する濃度（％）である。ＰＨは４〜１０であった。
上記研磨用組成物を用いて、両面研磨機により研磨加工
を行った。研磨後の基板を洗浄液にて洗浄し、研磨表面
の評価を行った。結果を表２に示す。

【００６５】比較例２ 実施例１０において、共重合体（塩）を使用しない以外
は、同様に実施した。結果を表２に示す。表２に示すよ
うに、本発明の研磨用組成物を使用すると、被研磨物の
スクラッチ数が低く、平坦性を保ったままで、研磨速度
を高くできた。

【００６６】

【表２】

【００６７】上記実施例において、本発明の研磨用組成
物を使用して研磨すると、被研磨物の表面粗さが低く、
かつ研磨速度を高くできた。また、本発明の研磨用組成
物は、研磨材の分散が安定しており、流動性に富み、取
り扱い性に優れていた。さらに、研磨パッドの目詰まり
が少なく、研磨パッドの清掃、交換頻度を低く抑えられ
た。

【００６８】

【発明の効果】本発明の半導体部品用洗浄剤を使用して
半導体部品を洗浄すると、環境への負荷が少なく、か
つ、化学的機械研磨後に半導体部品上に残存している金
属不純物を効率良く除去できる。また、本発明の研磨用
組成物は、半導体基板、層間絶縁膜などの半導体部品
や、ガラス状炭素基板、ガラス基板、セラミックス基板
のような脆性材料からなる、記録媒体部品および光学用
部品などの化学的機械研磨（ＣＭＰ）に適し、被研磨物
の表面粗さが低く、かつ研磨速度を高くできる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小野 寿男 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 石川 克廣 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 4H003 AB03 AB46 AC08 AE05 DA15 DB01 EA25 EB28 FA05

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （ａ）スルホン酸（塩）基を有する単量
   体、カルボン酸（塩）基を有する単量体、水酸基を有す
   る単量体、エチレンオキサイドもしくはプロピレンオキ
   サイドに由来する骨格を有する単量体、および窒素原子
   を有する単量体の群から選ばれた少なくとも１種の単量
   体、ならびに、 （ｂ）ビニルホスホン酸（塩）、からなる単量体成分を
   共重合してなる共重合体（塩）を主成分とする半導体部
   品用洗浄剤。
2. 【請求項２】 アニオン系界面活性剤、カチオン系界面
   活性剤およびノニオン系界面活性剤の群から選ばれた少
   なくとも１種の界面活性剤をさらに配合してなる請求項
   １記載の半導体部品用洗浄剤。
3. 【請求項３】 化学的機械研磨前後の半導体部品洗浄に
   使用する請求項１または２記載の半導体部品用洗浄剤。
4. 【請求項４】 請求項１〜３いずれか１項記載の半導体
   部品用洗浄剤を使用して半導体部品を洗浄することを特
   徴とする半導体部品の洗浄方法。
5. 【請求項５】 少なくとも研磨材、および請求項１また
   は２記載の半導体部品用洗浄剤からなる研磨助剤を含有
   することを特徴とする研磨用組成物。
6. 【請求項６】 さらに溶剤を配合してなる請求項５記載
   の研磨用組成物。
7. 【請求項７】 化学的機械研磨に使用する請求項５また
   は６記載の研磨用組成物。
8. 【請求項８】 請求項５または６記載の研磨用組成物を
   使用して被研磨物を研磨することを特徴とする研磨方
   法。