RU2598046C2 - Композиция для химико-механического полирования, содержащая поливинилфосфоновую кислоту и ее производные - Google Patents
Композиция для химико-механического полирования, содержащая поливинилфосфоновую кислоту и ее производные Download PDFInfo
- Publication number
- RU2598046C2 RU2598046C2 RU2014129612/05A RU2014129612A RU2598046C2 RU 2598046 C2 RU2598046 C2 RU 2598046C2 RU 2014129612/05 A RU2014129612/05 A RU 2014129612/05A RU 2014129612 A RU2014129612 A RU 2014129612A RU 2598046 C2 RU2598046 C2 RU 2598046C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- composition
- particles
- cmp
- polishing
- composition according
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 139
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 239000002253 acid Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 title abstract description 10
- IVHVNMLJNASKHW-UHFFFAOYSA-M Chlorphonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCC[P+](CCCC)(CCCC)CC1=CC=C(Cl)C=C1Cl IVHVNMLJNASKHW-UHFFFAOYSA-M 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 150000005846 sugar alcohols Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 79
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 28
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 claims description 9
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 7
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 claims description 7
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 14
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 53
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 32
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 21
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 21
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 16
- ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-N vinylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)C=C ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- -1 alkanolamines Chemical class 0.000 description 15
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 15
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 9
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 8
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 8
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical class OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000003115 biocidal effect Effects 0.000 description 5
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 5
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 4
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 3
- 150000005324 oxide salts Chemical class 0.000 description 3
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical class [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FBPFZTCFMRRESA-KVTDHHQDSA-N D-Mannitol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-KVTDHHQDSA-N 0.000 description 2
- UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N Erythritol Natural products OCC(O)C(O)CO UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SQUHHTBVTRBESD-UHFFFAOYSA-N Hexa-Ac-myo-Inositol Natural products CC(=O)OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC(C)=O SQUHHTBVTRBESD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical class C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003926 acrylamides Chemical class 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CDAISMWEOUEBRE-GPIVLXJGSA-N inositol Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H]1O CDAISMWEOUEBRE-GPIVLXJGSA-N 0.000 description 2
- 229960000367 inositol Drugs 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- MGIYRDNGCNKGJU-UHFFFAOYSA-N isothiazolinone Chemical compound O=C1C=CSN1 MGIYRDNGCNKGJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N meso ribitol Natural products OCC(O)C(O)C(O)CO HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N methacrylamide Chemical class CC(=C)C(N)=O FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- CDAISMWEOUEBRE-UHFFFAOYSA-N scyllo-inosotol Natural products OC1C(O)C(O)C(O)C(O)C1O CDAISMWEOUEBRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- SERLAGPUMNYUCK-DCUALPFSSA-N 1-O-alpha-D-glucopyranosyl-D-mannitol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO[C@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1O SERLAGPUMNYUCK-DCUALPFSSA-N 0.000 description 1
- KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 1H-tetrazole Substances C=1N=NNN=1 KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100026735 Coagulation factor VIII Human genes 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 1
- HEBKCHPVOIAQTA-QWWZWVQMSA-N D-arabinitol Chemical compound OC[C@@H](O)C(O)[C@H](O)CO HEBKCHPVOIAQTA-QWWZWVQMSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 1
- UNXHWFMMPAWVPI-QWWZWVQMSA-N D-threitol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@H](O)CO UNXHWFMMPAWVPI-QWWZWVQMSA-N 0.000 description 1
- 239000004386 Erythritol Substances 0.000 description 1
- 101000911390 Homo sapiens Coagulation factor VIII Proteins 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-O Htris Chemical compound OCC([NH3+])(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195725 Mannitol Natural products 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical group O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical class C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100107923 Vitis labrusca AMAT gene Proteins 0.000 description 1
- TVXBFESIOXBWNM-UHFFFAOYSA-N Xylitol Natural products OCCC(O)C(O)C(O)CCO TVXBFESIOXBWNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000607479 Yersinia pestis Species 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000007630 basic procedure Methods 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical class C* 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002925 chemical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 235000019414 erythritol Nutrition 0.000 description 1
- UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N erythritol Chemical compound OC[C@H](O)[C@H](O)CO UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N 0.000 description 1
- 229940009714 erythritol Drugs 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000009408 flooring Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 150000002443 hydroxylamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 239000000905 isomalt Substances 0.000 description 1
- 235000010439 isomalt Nutrition 0.000 description 1
- HPIGCVXMBGOWTF-UHFFFAOYSA-N isomaltol Natural products CC(=O)C=1OC=CC=1O HPIGCVXMBGOWTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000832 lactitol Substances 0.000 description 1
- 235000010448 lactitol Nutrition 0.000 description 1
- VQHSOMBJVWLPSR-JVCRWLNRSA-N lactitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]([C@H](O)CO)O[C@@H]1O[C@H](CO)[C@H](O)[C@H](O)[C@H]1O VQHSOMBJVWLPSR-JVCRWLNRSA-N 0.000 description 1
- 229960003451 lactitol Drugs 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000845 maltitol Substances 0.000 description 1
- 235000010449 maltitol Nutrition 0.000 description 1
- VQHSOMBJVWLPSR-WUJBLJFYSA-N maltitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]([C@H](O)CO)O[C@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1O VQHSOMBJVWLPSR-WUJBLJFYSA-N 0.000 description 1
- 229940035436 maltitol Drugs 0.000 description 1
- 239000000594 mannitol Substances 0.000 description 1
- 235000010355 mannitol Nutrition 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- AKBZLSDTRZFLRP-UHFFFAOYSA-N n-cyclohexylnitrous amide Chemical compound O=NNC1CCCCC1 AKBZLSDTRZFLRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M phosphonate Chemical compound [O-]P(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 150000003856 quaternary ammonium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001542 size-exclusion chromatography Methods 0.000 description 1
- 235000019333 sodium laurylsulphate Nutrition 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical group 0.000 description 1
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000000825 ultraviolet detection Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N vinylsulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=C NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000811 xylitol Substances 0.000 description 1
- 235000010447 xylitol Nutrition 0.000 description 1
- HEBKCHPVOIAQTA-SCDXWVJYSA-N xylitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO HEBKCHPVOIAQTA-SCDXWVJYSA-N 0.000 description 1
- 229960002675 xylitol Drugs 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/04—Aqueous dispersions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
Изобретение главным образом относится к композиции для химико-механического полирования (ХМП) и ее применению в полирующих субстратах полупроводниковой промышленности. Композиция содержит (A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь, или их композит, (B) по меньшей мере один тип поливинилфосфоновой кислоты или ее соль в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, (C) водную среду и (D) сахарный спирт в качестве подавителя SiN. Изобретение также относится к способу получения полупроводниковых устройств, включающему полирование субстрата в присутствии указанной композиции, и применению композиции для полирования субстрата, содержащего нитрид кремния и/или поликремний. Композиция проявляет улучшенные полирующие характеристики. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 3 табл.
Description
Изобретение главным образом относится к композиции для химико-механического полирования (ХМП) и ее применению в полирующих субстратах полупроводниковой промышленности. Композиция ХМП согласно изобретению содержит поливинилфосфоновую кислоту и ее производные.
В полупроводниковой промышленности химико-механическое полирование (сокращенно ХМП) является широко известной технологией, применяемой в изготовлении современных фотонных, микроэлектромеханических и микроэлектронных материалов и устройств, таких как полупроводниковые пластины.
В ходе изготовления материалов и устройств, применяемых в полупроводниковой промышленности, ХМП используется для выравнивания металлических и/или оксидных поверхностей. ХМП использует взаимосвязь химического и механического воздействия для достижения выравнивания поверхностей, которые следует полировать. Химическое воздействие обеспечивается химической композицией, также именуемой как композиция ХМП или суспензия ХМП. Механическое воздействие обычно осуществляют полировальником (полировальной подушкой), который, как правило, оказывает давление на поверхность, которую следует полировать, и закреплен на подвижной платформе. Перемещение платформы обычно является линейным, вращательным или орбитальным.
На стадии типичного процесса ХМП вращающийся держатель пластины приводит пластину, которую следует полировать, в контакт с полировальником. Между пластиной, которую следует полировать, и полировальником обычно наносят композицию ХМП.
В современном уровне развития техники полирующие композиции, содержащие поливинилфосфонаты в качестве пленкообразующего вещества, известны и описаны, например, в следующей ссылке.
В американской патентной заявке US 2007/0077865 A1 описана полирующая система, содержащая абразив, поверхностно-активное вещество сополимер полиэтиленоксида и полипропиленоксида, обладающего HLB, равного около 15 или менее, жидкий носитель и полировальник. Согласно US 2007/0077865 A1, вместе с полирующей системой можно применять любое подходящее пленкообразующее вещество (например, ингибитор коррозии), и эти подходящие пленкообразующие вещества включают, например, алкиламины, алканоламины, гидроксиламины, сложные фосфатные эфиры, лаурилсульфат натрия, жирные кислоты, полиакрилаты, полиметакрилаты, поливинилфосфонаты, полималат, полистиролсульфонат и поливинилсульфонат.
Одна из целей настоящего изобретения заключалась в предоставлении композиции ХМП и способа ХМП, подходящих для химико-механического полирования субстратов, содержащих нитрид кремния и/или поликремний, и проявляющих улучшенные полирующие характеристики, особенно комбинацию высокой скорости удаления материала (именуемая далее как "MRR") оксида кремния и высокой избирательностью по отношению к оксиду кремния по сравнению с нитридом кремния или поликремнием применительно к MRR. Кроме того, искали способ ХМП, который легок в использовании и требует как можно меньше стадий. Соответственно была обнаружена композиция ХМП, содержащая:
(A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь или их композит,
(B) по меньшей мере один тип органического полимерного соединения в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, содержащий фрагмент фосфоната (-P(=O)(OR1)(OR2)) или фосфоновой кислоты (-P(=O)(OH)2) или их депротонированные формы в качестве боковых групп,
где R1 представляет собой алкил, арил, алкиларил или арилалкил,
R2 представляет собой H, алкил, арил, алкиларил или арилалкил,
и
(C) водная среда.
Эта композиция ХМП далее именуется как композиция (Q) или композиция ХМП (Q).
Кроме того, обнаружен способ изготовления полупроводниковых устройств, включающий в себя химико-механическое полирование субстрата в присутствии композиции ХМП (Q).
Кроме того, обнаружено применение композиции ХМП (Q) для химико-механического полирования субстрата, содержащего нитрид кремния и/или поликремний.
Предпочтительные варианты выполнения изложены в формуле изобретения и описании. Понятно, что в объем настоящего изобретения входят комбинации предпочтительных вариантов выполнения.
Полупроводниковое устройство можно изготовить способом, который включает в себя химико-механическое полирование субстрата в присутствии композиции ХМП изобретения. Предпочтительно, указанный способ включает в себя химико-механическое полирование диэлектрического субстрата, который является субстратом, обладающим диэлектрической константой, равной менее чем 6. Указанный способ включает в себя более предпочтительно химико-механическое полирование субстрата, содержащего диоксид кремния, наиболее предпочтительно химико-механическое полирование субстрата, содержащего диоксид кремния и нитрид кремния или поликремний, в частности химико-механическое полирование слоя диоксида кремния субстрата, который представляет собой устройство с узкощелевой изоляцией (УЩИ) или его часть, например химико-механическое полирование слоя диоксида кремния субстрата, содержащего диоксид кремния и нитрид кремния или поликремний.
Если указанный способ включает в себя химико-механическое полирование субстрата, содержащего диоксид кремния и нитрид кремния, избирательность в отношении диоксида кремния по сравнению с нитридом кремния применительно к MRR составляет предпочтительно выше чем 3:1, более предпочтительно выше чем 7:1, наиболее предпочтительно выше чем 12:1, в частности выше чем 18:1, например выше чем 24:1. Эту избирательность можно регулировать типом и концентрацией органического полимерного соединения (B) и установкой других параметров, таких как значение pH.
Если указанный способ включает в себя химико-механическое полирование субстрата, содержащего диоксид кремния и поликремний, избирательность в отношении диоксида кремния по сравнению с поликремнием применительно к MRR составляет предпочтительно выше чем 1,45:1, более предпочтительно выше чем 7:1, наиболее предпочтительно выше чем 12:1, в частности выше чем 25:1, например выше чем 50:1. Эту избирательность можно регулировать типом и концентрацией органического полимерного соединения (B) и установкой других параметров, таких как значение pH.
Композицию ХМП изобретения применяют для полирования любого субстрата, применяемого в полупроводниковой промышленности. Указанную композицию ХМП применяют предпочтительно для полирования диэлектрического субстрата, который является субстратом, обладающим диэлектрической константой, равной менее чем 6, более предпочтительно для полирования субстрата, содержащего диоксид кремния, наиболее предпочтительно для полирования субстрата, содержащего диоксид кремния и нитрид кремния или поликремний, в частности для полирования слоя диоксида кремния субстрата, который представляет собой устройство с узкощелевой изоляцией (УЩИ) или его часть, и например, для полирования слоя диоксида кремния субстрата, содержащего диоксид кремния и нитрид кремния или поликремний.
Если композицию ХМП изобретения применяют для полирования субстрата, содержащего диоксид кремния и нитрид кремния, избирательность в отношении диоксида кремния по сравнению с нитридом кремния применительно к MRR составляет предпочтительно выше чем 3:1, более предпочтительно выше чем 7:1, наиболее предпочтительно выше чем 12:1, в частности выше чем 18:1, например выше чем 24:1.
Если композицию ХМП изобретения применяют для полирования субстрата, содержащего диоксид кремния и поликремний, избирательность в отношении диоксида кремния по сравнению с поликремнием применительно к MRR составляет предпочтительно выше чем 1,45:1, более предпочтительно выше чем 7:1, наиболее предпочтительно выше чем 12:1, в частности выше чем 25:1, например выше чем 50:1.
Композиция ХМП (Q) содержит компоненты (A), (B), и (C), как описано далее.
Композиция ХМП (Q) содержит неорганические частицы, органические частицы или их смесь или их композит (A). (A) может представлять собой
- один тип неорганических частиц,
- смесь или композит различных типов неорганических частиц,
- один тип органических частиц,
- смесь или композит различных типов органических частиц, или
- смесь или композит одного или более типов неорганических частиц и одного или более типов органических частиц.
Композит представляет собой составную частицу, содержащую два или более типов частиц таким образом, чтобы они механически, химически или другим образом были связаны друг с другом. Примером композита является частица со структурой ядро-оболочка, содержащая один тип частицы во внешней сфере (оболочке) и другой тип частицы во внутренней сфере (ядре).
Как правило, частицы (A) могут содержаться в композиции ХМП (Q) в различных количествах. Предпочтительно, количество (A) составляет не более чем 8 мас. % (мас. % означает "массовый процент"), более предпочтительно не более чем 4 мас. %, наиболее предпочтительно не более чем 1,5 мас. %, в частности не более чем 0,9 мас. %, например не более чем 0,6 мас. %, в расчете на общую массу композиции (Q). Предпочтительно количество (A) составляет по меньшей мере 0,002 мас. %, более предпочтительно по меньшей мере 0,01 мас. %, наиболее предпочтительно по меньшей мере 0,05 мас. %, в частности по меньшей мере 0,2 мас. %, например по меньшей мере 0,4 мас. %, в расчете на общую массу композиции (Q).
Как правило, частицы (A) могут содержаться в различных распределениях частиц по размеру. Распределения частиц по размеру частиц (A) могут быть мономодальными или мультимодальными. В случае мультимодальных распределений частиц по размерам, часто предпочтительным является бимодальное. Для того чтобы иметь легко воспроизводимый профиль свойств и легко воспроизводимые условия в ходе способа ХМП согласно изобретению, для (A) предпочтительным является мономодальное распределение частиц по размеру. Наиболее предпочтительно, чтобы (A) обладал мономодальным распределением частиц по размеру.
Средний размер частиц для частиц (A) может изменяться в широком интервале. Средний размер частиц представляет собой значение d50 распределения частиц по размеру (A) в водной среде (D) и может определяться с применением методик динамического рассеяния света. Затем значения d50 вычисляют с допущением, что частицы являются по существу сферическими. Ширина среднего распределения частиц по размеру представляет собой расстояние (данное в единицах оси x) между двумя точками пересечений, где кривая распределения частиц по размеру пересекает 50% высоты относительного количества частиц, где высота максимального количества частиц принимается за 100% высоту.
Предпочтительно средний размер частиц для частиц (A) составляет предпочтительно не более чем 1000 нм, более предпочтительно не более чем 500 нм, наиболее предпочтительно не более чем 300 нм, в частности не более чем 250 нм, например не более чем 220 нм, и средний размер частиц для частиц (A) составляет предпочтительно по меньшей мере 5 нм, более предпочтительно по меньшей мере 25 нм, наиболее предпочтительно по меньшей мере 50 нм, в частности по меньшей мере 65 нм, например, по меньшей мере 80 нм, как измерено с помощью технологий динамического светорассеяния с применением инструментов, таких как высоточный измеритель частиц High Performance Particle Sizer (HPPS) от Malvern Instruments, Ltd. или Horiba LB550.
Частицы (A) могут быть разных форм. В связи с этим, частицы (A) могут быть одного или по существу только одного типа формы. Однако также возможно, чтобы частицы (A) имели различные формы. Например, могут присутствовать частицы (A) двух типов различных форм. Например, (A) могут иметь форму кубов, кубов с закругленными краями, октаэдров, икосаэдров, глобул или сфер с выступами или углублениями или без них. Предпочтительно они являются сферическими без выступов или углублений или только с очень небольшим количеством выступов или углублений.
На химическую природу частиц (A) не наложены особые ограничения. (A) могут быть одинаковой химической природы или смесью или композитом частиц различной химической природы. Как правило, предпочтительными являются частицы (A) одинаковой химической природы. В основном, (A) могут представлять собой
- неорганические частицы, такие как металл, оксид или карбид металла, включая металлоид, оксид или карбид металлоида, или
- органические частицы, такие как полимерные частицы,
- смесь или композит неорганических и органических частиц.
Частицы (A) являются предпочтительно неорганическими частицами. Из них предпочтительно оксиды и карбиды металлов или металлоидов. Более предпочтительно частицы (A) представляют собой оксид алюминия, диоксид церия, оксид меди, оксид железа, оксид никеля, оксид марганца, диоксид кремния, нитрид кремния, карбид кремния, оксид олова, диоксид титана, карбид титана, оксид вольфрама, оксид иттрия, диоксид циркония или их смеси или композиты. Наиболее предпочтительно частицы (A) представляют собой оксид алюминия, диоксид церия, диоксид кремния, диоксид титана, диоксид циркония или их смеси или композиты. В частности (A) являются частицами диоксида церия. Например, (A) являются коллоидными частицами диоксида церия. В основном, коллоидные частицы диоксида церия получают способом мокрого осаждения.
В другом варианте выполнения, в котором (A) представляют собой органические частицы или смесь или композит неорганических и органических частиц, в качестве органических частиц предпочтительны полимерные частицы. Полимерные частицы могут быть гомо- или сополимерами. Последние могут быть, например, блок-сополимерами или статистическими сополимерами. Гомо- или сополимеры могут обладать различными структурами, например, линейной, разветвленной, гребенчатой, дендримерной, спутанной или сшитой. Полимерные частицы можно получить согласно анионному, катионному, контролируемому радикальному, свободно радикальному механизму и посредством процесса полимеризации в суспензии или эмульсии. Предпочтительно полимерные частицы представляют собой по меньшей мере один из полистиролов, сложных полиэфиров, алкидных смол, полиуретанов, полилактонов, поликарбонатов, полиакрилатов, полиметакрилатов, простых полиэфиров, поли(N-акриламидов), простых полиметилвиниловых эфиров или сополимеров, содержащих по меньшей мере одно из винилароматических соединений, акрилатов, метакрилатов, акриламидов малеинового ангидрида, метакриламидов, акриловой кислоты или метакриловой кислоты в качестве мономерных звеньев, или их смесей или композитов. Из них предпочтительными являются полимерные частицы со сшитой структурой.
Композиция ХМП (Q) содержит (B) по меньшей мере один тип органического полимерного соединения в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, содержащего фрагмент фосфоната (-P(=O)(OR1)(OR2)) или фосфоновой кислоты (-P(=O)(OH)2) или их депротонированные формы в качестве боковых групп, где R1 представляет собой алкил, арил, алкиларил или арилалкил, R2 представляет собой Н, алкил, арил, алкиларил или арилалкил. Предпочтительно, (Q) содержит от одного до двух типов органического полимерного соединения (B), более предпочтительно один тип органического полимерного соединения (B). В основном, диспергирующий агент, применяемый в композиции ХМП, является поверхностно-активным соединением, которое в случае добавления к суспензии способно к улучшению разделения частиц и предотвращению оседания или агрегации. В основном, агент для обращения заряда в композиции ХМП представляет собой соединение, способное обращать заряд абразивных частиц, присутствующих в композиции ХМП. Обычно диспергирующий агент не является одновременно пленкообразующим веществом или ингибитором коррозии. Обычно агент для обращения заряда не является одновременно пленкообразующим веществом или ингибитором коррозии.
Органическое полимерное соединение (B) может содержаться в различных количествах в композиции ХМП (Q). Предпочтительно количество (B) составляет не более чем 4000 част./млн ("част./млн" означает "части на миллион"), более предпочтительно не более чем 1600 част./млн, наиболее предпочтительно не более чем 800 част./млн, в частности не более чем 350 част./млн, например не более чем 220 част./млн, в расчете на общую массу композиции (Q). Предпочтительно количество (B) составляет по меньшей мере 0,1 част./млн, более предпочтительно по меньшей мере 1 част./млн, наиболее предпочтительно по меньшей мере 10 част./млн, в частности по меньшей мере 50 част./млн, например по меньшей мере 80 част./млн, в расчете на общую массу композиции (Q).
Отношение массового процента частиц (A) в расчете на общую массу композиции (Q) к массовому проценту органического полимерного соединения (B) в расчете на общую массу композиции (Q) может меняться в широком интервале. Это отношение далее упоминается как "отношение (А/В)". Предпочтительно, отношение (А/В) составляет не более чем 3000:1, более предпочтительно не более чем 1000:1, наиболее предпочтительно не более чем 500:1, в частности не более чем 100:1, например не более чем 60:1. Предпочтительно отношение (А/В) составляет по меньшей мере 1:1, более предпочтительно по меньшей мере 5:1, наиболее предпочтительно по меньшей мере 10:1, в частности по меньшей мере 15:1, например, по меньшей мере 20:1.
Если (B) представляет собой органическое полимерное соединение в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, содержащее фрагмент фосфоната (-P(=O)(OR1)(OR2)) или их депротонированные формы в качестве боковых групп, R1 может представлять собой в целом любой замещенный или незамещенный алкил, арил, алкиларил или арилалкил, предпочтительно любой незамещенный алкил, арил, алкиларил или арилалкил, более предпочтительно любую незамещенную алкильную группу, и R2 может представлять собой H или любой замещенный или незамещенный алкил, арил, алкиларил или арилалкил, предпочтительно H или любой незамещенный алкил, арил, алкиларил или арилалкил, более предпочтительно Н или любой незамещенный алкил, в особенности H.
Предпочтительно органическое полимерное соединение (B) представляет собой по меньшей мере один тип органического полимерного соединения в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, содержащего фрагмент фосфоновой кислоты (-P(=O)(ОН)2) или их депротонированные формы в качестве боковых групп. Более предпочтительно органическое полимерное соединение (B) представляет собой
(B1) по меньшей мере один тип поливинилфосфоновой кислоты формулы (I) или ее соль в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, причем n является целым числом от 5 до 1000,
и/или
(B2) по меньшей мере один тип сополимера, содержащего
(M1) винилфосфоновую кислоту и
(M2) по меньшей мере один тип другого мономера, в качестве мономерных звеньев, или соль этого сополимера в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда.
Наиболее предпочтительно органическое полимерное соединение (B) представляет собой (B2). В частности органическое полимерное соединение (B) представляет собой
(B2A) по меньшей мере один тип сополимера, содержащего
(M1) винилфосфоновую кислоту, и
(M2) по меньшей мере один тип мономера, выбираемого из группы, состоящей из винилароматических соединений, винил-замещенных гетероциклических соединений, акрилатов, метакрилатов, акриламидов, метакриламидов, акриловой кислоты, метакриловой кислоты, простых виниловых эфиров, винил-замещенных соединений сахаров,
в качестве мономерных звеньев, или соль этого сополимера в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда.
Особенно предпочтительно органическое полимерное соединение (В) представляет собой
(В2а) по меньшей мере один тип сополимера, содержащего винилфосфоновую кислоту и акриловую кислоту в качестве мономерных звеньев, или соль этого сополимера в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда.
Например, органическое полимерное соединение (В) является сополимером винилфосфоновой кислоты и акриловой кислоты (далее также упоминается как сополимер PVPA-PAA), полученным сополимеризацией незамещенной винилфосфоновой кислоты и незамещенной акриловой кислоты.
Мономеры винилфосфоновой кислоты (М1), содержащиеся в (В), могут быть замещенными или незамещенными и предпочтительно являются незамещенными. Мономеры (М2), содержащиеся в (В), могут быть замещенными или незамещенными и предпочтительно являются незамещенными. Мономеры акриловой кислоты, содержащиеся в (В2а), могут быть замещенными или незамещенными и предпочтительно являются незамещенными.
Если органическое полимерное соединение (B) представляет собой поливинилфосфоновую кислоту формулы (I) или ее соль, число "n" в формуле (I) может быть любым целым числом от 5 до 1000, предпочтительно составляет не более чем 900, более предпочтительно не более чем 750, наиболее предпочтительно не более чем 600, в частности не более чем 500, например не более чем 400, и предпочтительно составляет по меньшей мере 10, более предпочтительно по меньшей мере 30, наиболее предпочтительно по меньшей мере 60, в частности по меньшей мере 100, например по меньшей мере 200.
Как правило, органическое полимерное соединение (B) может иметь любую среднемассовую молекулярную массу. Среднемассовая молекулярная масса (B) составляет предпочтительно не более чем 120000 дальтон, более предпочтительно не более чем 70000 дальтон, наиболее предпочтительно не более чем 40000 дальтон, в частности не более чем 20000 дальтон, например не более чем 13000 дальтон, и среднемассовая молекулярная масса предпочтительно составляет по меньшей мере 500 дальтон, более предпочтительно по меньшей мере 1500 дальтон, наиболее предпочтительно по меньшей мере 4000 дальтон, в частности по меньшей мере 7000 дальтон, например по меньшей мере 9000 дальтон, как определено гельпроникающей хроматографией (ГПХ).
Согласно изобретению композиция ХМП (Q) содержит водную среду (C). (C) может быть одним типом или смесью различных типов водных сред. Как правило, водной средой (С) может быть любая среда, которая содержит воду. Предпочтительно водная среда (С) представляет собой смесь воды и органического растворителя, способного смешиваться с водой (например, спирт, предпочтительно спирт, содержащий от 1 до 3 атомов углерода, или производное алкиленгликоля). Более предпочтительно, водной средой (С) является вода. Наиболее предпочтительно водной средой (С) является деионизированная вода.
Если количества компонентов, не являющихся (С), в общем составляют «у» мас. % от композиции ХМП, тогда количество (С) равно (100-у) мас. % от композиции ХМП.
Композиция ХМП (Q) может дополнительно необязательно содержать по меньшей мере один подавитель SiN (D1), например один подавитель SiN (D1). В общем, "подавитель SiN" является соединением, которое - при добавлении к композиции ХМП - ингибирует химико-механическое полирование слоев на основе нитрида кремния и таким образом вызывает низкое MRR нитрида кремния по сравнению с другими субстратами, такими как оксид кремния, т.е. высокая избирательность других субстратов (например, оксида кремния) по сравнению с нитридом кремния. Предпочтительно, (D1) представляет собой сахарный спирт. Более предпочтительно, (D1) представляет собой сахарный спирт, содержащий по меньшей мере четыре гидроксильные группы (-ОН). Наиболее предпочтительно, (D1) представляет собой эритрит, треит, арабит, ксилит,
рибит, маннит, сорбит, дульцит, идит, изомальт, мальтит, лактит, полиглицит, инозит или их стереоизомер или их смесь. Например, (D1) является инозитом.
Если присутствует подавитель SiN (D1), он может содержаться в различных количествах. Если присутствует (D1), его количество предпочтительно составляет не более чем 10 мас. %, более предпочтительно не более чем 5 мас. %, наиболее предпочтительно не более чем 2,5 мас. %, в частности не более чем 1,5 мас. %, например не более чем 1,1 мас. %, в расчете на общую массу соответствующей композиции ХМП. Если присутствует (D1), его количество предпочтительно составляет по меньшей мере 0,0005 мас. %, более предпочтительно по меньшей мере 0,005 мас. %, наиболее предпочтительно по меньшей мере 0,025 мас. %, в частности по меньшей мере 0,1 мас. %, например, по меньшей мере 0,5 мас. %, в расчете на общую массу соответствующей композиции ХМП.
Композиция ХМП (Q) может дополнительно необязательно содержать по меньшей мере один подавитель поликремния (D2), например один подавитель поликремния (D2). В общем, "подавитель поликремния" является соединением, которое - в случае добавления к композиции ХМП - ингибирует химико-механическое полирование слоев на основе поликремния и таким образом вызывает низкое MRR поликремния по сравнению с другими субстратами, такими как оксид кремния, т.е. высокая избирательность других субстратов (например, оксида кремния) по
сравнению с поликремнием. Предпочтительно, (D2) представляет собой соединение на основе простого полиэфира. Более предпочтительно, (D2) является соединением на основе алифатического простого полиэфира. Наиболее предпочтительно, (D2) представляет собой параформальдегид, полиэтилен гликоль, полипропиленгликоль, политетраметиленгликоль или их смесь. Например, (D2) является полиэтиленгликолем.
Если присутствует подавитель поликремния (D2), он может содержаться в различных количествах. Если присутствует (D2), его количество предпочтительно составляет не более чем 0,5 мас. %, более предпочтительно не более чем 0,1 мас. %, наиболее предпочтительно не более чем 0,05 мас. %, в частности не более чем 0,02 мас. %, например не более чем 0,012 мас. %, в расчете на общую массу соответствующей композиции ХМП. Если присутствует (D2), его количество предпочтительно составляет по меньшей мере 0,0001 мас. %, более предпочтительно по меньшей мере 0,0005 мас. %, наиболее предпочтительно по меньшей мере 0,001 мас. %, в частности по меньшей мере 0,004 мас. %, например по меньшей мере 0,008 мас. %, в расчете на общую массу соответствующей композиции ХМП.
Композиция ХМП (Q) может дополнительно необязательно содержать по меньшей мере один биоцид (E), например один биоцид. В общем, биоцид является соединением, которое сдерживает, обезвреживает или оказывает контролируемое воздействие на любой вредный организм химическими или биологическими средствами. Предпочтительно, (E) представляет собой соединение на основе четвертичного аммония, соединение на основе изотиазолинона, N-замещенный диазений диоксид или соль N′-гидроксидиазений оксида. Более предпочтительно, (E) является N-замещенным диазений диоксидом или солью N′-гидроксидиазений оксида. В частности, (E) представляет собой калиевую соль N′-гидрокси-N-циклогексил-диазений оксида.
Если присутствует биоцид (E), он может содержаться в различных количествах. Если присутствует (E), его количество предпочтительно составляет не более чем 0,5 мас. %, более предпочтительно не более чем 0,1 мас. %, наиболее предпочтительно не более чем 0,05 мас. %, в частности не более чем 0,02 мас. %, например не более чем 0,008 мас. %, в расчете на общую массу соответствующей композиции ХМП. Если присутствует (E), его количество предпочтительно составляет по меньшей мере 0,00001 мас. %, более предпочтительно по меньшей мере 0,0001 мас. %, наиболее предпочтительно по меньшей мере 0,0005 мас. %, в частности по меньшей мере 0,0008 мас. %, например по меньшей мере 0,001 мас. %, в расчете на общую массу соответствующей композиции ХМП.
Композиция ХМП (Q) может дополнительно необязательно содержать по меньшей мере один ингибитор коррозии (F), например два ингибитора коррозии. Как правило, все соединения, образующие защитный молекулярный слой на поверхности Ge и/или оксида германия, могут применяться в качестве ингибитора коррозии. Предпочтительными ингибиторами коррозии являются тиолы, пленкообразующие полимеры, полиолы, диазолы, триазолы, тетразолы и их производные, например, бензотриазол или толилтриазол.
Если присутствует ингибитор коррозии (F), он может содержаться в различных количествах. Если присутствует (F), его количество предпочтительно составляет не более чем 10 мас. %, более предпочтительно не более чем 2 мас. %, наиболее предпочтительно не более чем 0,5 мас. %, в частности не более чем 0,1 мас. %, например не более чем 0,05 мас. %, в расчете на общую массу соответствующей композиции ХМП. Если присутствует (F), его количество предпочтительно составляет по меньшей мере 0,0005 мас. %, более предпочтительно по меньшей мере 0,005 мас. %, наиболее предпочтительно по меньшей мере 0,025 мас. %, в частности по меньшей мере 0,1 мас. %, например по меньшей мере 0,4 мас. %, в расчете на общую массу соответствующей композиции ХМП.
Свойства композиции ХМП (Q) и способа в присутствии (Q), такие как стабильность и полирующие характеристики, могут зависеть от pH соответствующей композиции ХМП. Значение pH композиции (Q) предпочтительно составляет по меньшей мере 4, более предпочтительно по меньшей мере 5, наиболее предпочтительно по меньшей мере 5,5, в частности по меньшей мере 6, например по меньшей мере 6,5. Значение pH композиции (Q) составляет предпочтительно не более чем 10, более предпочтительно не более чем 9, наиболее предпочтительно не более чем 8, в частности не более чем 7,5, например не более чем 7,0.
Композиция ХМП (Q) может дополнительно необязательно содержать по меньшей мере один регулятор pH (G). Как правило, регулятор pH (G) представляет собой соединение, которое добавляют к композиции ХМП (Q), чтобы регулировать ее значение pH до требуемого значения. Предпочтительно, композиция ХМП (Q) содержит по меньшей мере дин регулятор pH (G). Предпочтительными регуляторами pH являются неорганические кислоты, карбоновые кислоты, аминные основания, гидроксиды щелочных металлов, гидроксиды аммония, включая гидроксиды тетраалкиламмония. Например, регулятором pH (G) является азотная кислота, серная кислота, аммиак, гидроксид натрия или гидроксид калия.
Если присутствует регулятор pH (G), он может содержаться в различных количествах. Если присутствует (G), его количество составляет предпочтительно не более чем 10 мас. %, более предпочтительно не более чем 2 мас. %, наиболее предпочтительно не более чем 0,5 мас. %, в частности не более чем 0,1 мас. %, например не более чем 0,05 мас. %, в расчете на общую массу соответствующей композиции ХМП. Если присутствует (G), его количество составляет предпочтительно по меньшей мере 0,0005 мас. %, более предпочтительно по меньшей мере 0,005 мас. %, наиболее предпочтительно по меньшей мере 0,025 мас. %, в частности по меньшей мере 0,1 мас. %, например по меньшей мере 0,4 мас. %, в расчете на общую массу соответствующей композиции ХМП.
Композиция ХМП (Q) может также содержать при необходимости различные другие добавки, включая, но не ограничиваясь ими, стабилизаторы, поверхностно-активные вещества, понижающие трение агенты и т.д. Указанные другие добавки представляют собой, например, добавки, обычно используемые в композициях ХМП и таким образом известные специалисту в данной области техники. Подобные добавки могут, например, стабилизировать дисперсию или улучшать полирующие характеристики или избирательность между различными слоями.
Если присутствует указанная другая добавка, она может содержаться в различных количествах. Предпочтительно, общее количество указанных других добавок составляет не более чем 10 мас. %, более предпочтительно не более чем 2 мас. %, наиболее предпочтительно не более чем 0,5 мас. %, в частности не более чем 0,1 мас. %, например не более чем 0,01 мас. %, в расчете на общую массу соответствующей композиции ХМП. Предпочтительно, общее количество указанных других добавок составляет по меньшей мере 0,0001 мас. %, более предпочтительно по меньшей мере 0,001 мас. %, наиболее предпочтительно по меньшей мере 0,008 мас. %, в частности по меньшей мере 0,05 мас. %, например по меньшей мере 0,3 мас. %, в расчете на общую массу соответствующей композиции ХМП.
Предпочтительно композиция ХМП (Q) не содержит или содержит менее чем 0,5 част./млн - в расчете на общую массу соответствующей композиции ХМП - сополимера полиэтиленоксида и полипропиленоксида. Композиция ХМП (Q) содержит более предпочтительно менее чем 0,5 част./млн, наиболее предпочтительно менее чем 0,1 част./млн, в частности менее чем 0,01 част./млн, в частности предпочтительно менее чем 0,001 част./млн - в расчете на общую массу соответствующей композиции ХМП - сополимера полиэтиленоксида и полипропиленоксида. Например, (Q) не содержит сополимера полиэтиленоксида и полипропиленоксида.
Согласно одному предпочтительному варианту выполнения композиция ХМП (Q) содержит
(A) частицы диоксида церия со средним размером частиц от 50 до 250 нм, как определено с помощью динамического рассеяния света, в количестве от 0,05 до 4 мас. % по весу композиции ХМП,
(B) поливинилфосфоновую кислоту формулы (I) или ее соль в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, причем n является целым числом от 5 до 1000, в количестве от 10 до 800 част./млн по весу композиции ХМП, и
(C) водную среду.
Согласно другому предпочтительному варианту выполнения композиция ХМП (Q) содержит
(A) частицы диоксида церия со средним размером частиц от 50 до 250 нм, как определено с помощью метода динамического рассеяния света, в количестве от 0,05 до 4 мас. % по весу композиции ХМП,
(B) поливинилфосфоновую кислоту формулы (I) или ее соль в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, причем n является целым числом от 5 до 1000, в количестве от 10 до 800 част./млн по весу композиции ХМП, и
(C) водную среду,
где композиция ХМП не содержит или содержит менее чем 0,5 част./млн - в расчете на общую массу соответствующей композиции ХМП - сополимера полиэтиленоксида и полипропиленоксида.
Согласно другому предпочтительному варианту выполнения композиция ХМП (Q) содержит
(A) частицы диоксида церия в количестве от 0,05 до 4 мас. % по весу композиции ХМП,
(B) поливинилфосфоновую кислоту формулы (I), причем n является целым числом от 5 до 1000, и/или сополимер, содержащий винилфосфоновую кислоту и акриловую кислоту в качестве мономерных звеньев, или их соль,
в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, в количестве от 10 до 800 част./млн по весу композиции ХМП,
(C) водную среду, и
(D) (D1) подавитель нитрида кремния и/или
(D2) подавитель поликремния,
где композиция ХМП не содержит или содержит менее чем 0,5 част./млн - в расчете на общую массу соответствующей композиции ХМП - сополимера полиэтиленоксида и полипропиленоксида.
Согласно другому предпочтительному варианту выполнения композиция ХМП (Q) содержит
(A) частицы диоксида церия в количестве от 0,05 до 4 мас. % по весу композиции ХМП,
(B) сополимер, содержащий винилфосфоновую кислоту и акриловую кислоту в качестве мономерных звеньев, или соль этого сополимера, в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, в количестве от 10 до 800 част./млн по весу композиции ХМП,
(C) водную среду и
(D) (D1) сахарный спирт в качестве подавителя нитрида кремния и/или (D2) параформальдегид, полиэтиленгликоль, полипропиленгликоль, политетраметиленгликоль или их смесь в качестве подавителя поликремния.
Согласно другому предпочтительному варианту выполнения композиция ХМП (Q) содержит
(A) частицы диоксида церия в количестве от 0,05 до 4 мас. % по весу композиции ХМП,
(B) сополимер, содержащий винилфосфоновую кислоту и акриловую кислоту в качестве мономерных звеньев, или соль этого сополимера, в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, в количестве от 10 до 800 мас. част./млн по весу композиции ХМП,
(B) водную среду и
(C) соединение четвертичного аммония, соединение на основе изотиазолинона, N-замещенный диазений диоксид или соль N′-гидроксидиазений оксида в качестве биоцида.
Способы получения композиций ХМП в целом известны. Эти способы можно применять для получения композиции ХМП (Q). Это можно осуществить путем диспергирования или растворения описанных выше компонентов (A) и (B) в водной среде (C), предпочтительно воде, и необязательно при помощи регулирования значения pH благодаря добавлению регулятора pH (G). Для этой цели можно применять обычные и стандартные способы смешивания и устройства для смешивания, такие как сосуды с мешалкой, лопастные мешалки с высоким уровнем сдвига, ультразвуковые смесители, гомогенизирующие насадки или противоточные смесители.
Композицию ХМП (Q) предпочтительно получают путем диспергирования частиц (A), диспергирования и/или растворения по меньшей мере одного типа органического полимерного соединения (B) и необязательных других добавок в водной среде (C).
Способ полирования в целом известен и может осуществляться с помощью процессов и оборудования в условиях, обычно используемых для ХМП в производстве пластин с интегральными схемами. На оборудование, с помощью которого можно осуществлять процесс полирования, не наложены особые ограничения.
Как известно в технике, типичное оборудование для процесса ХМП состоит из вращающейся платформы, покрытой полировальником. Также применялись орбитальные полировальные машины. Пластину устанавливают на носитель или зажимное устройство. Сторона пластины, которая является рабочей, обращена к полировальнику (процесс полирования одной стороны). Стопорное кольцо закрепляет пластину в горизонтальном положении.
Под носителем также обычно горизонтально располагается платформа большего диаметра и предоставляет собой поверхность, параллельную поверхности пластины, которую следует полировать. Полировальник на платформе контактирует с поверхностью пластины в ходе процесса выравнивания.
Для того чтобы вызвать потерю материала, осуществляют надавливание пластины на полировальник. Как носителю, так и платформе придается вращение вокруг их соответствующих осей, которые проходят перпендикулярно носителю и платформе. Вращающийся вал носителя может оставаться зафиксированным в положении относительно вращающейся платформы или может испытывать горизонтальные колебания по отношению к платформе. Направление вращения носителя обычно, хотя необязательно, является таким же, как направление вращения платформы. Скорости вращения носителя и платформы обычно, хотя необязательно, установлены на разные значения. Во время способа ХМП, соответствующего настоящему изобретению, композицию ХМП (Q) обычно наносят на полировальник в виде непрерывного потока или по каплям. Обычно температуру платформы устанавливают при температурах от 10 до 70°С.
Нагрузить пластину можно плоской плитой, изготовленной, например, из стали, покрытой мягкой подкладкой, которую часто называют защитной пленкой. Если используется более современное оборудование, гибкая мембрана, которая заполнена воздухом или азотом, придавливает пластину на полировальник. Подобный мембранный носитель предпочтителен для процессов с низким усилием прижатия в случае применения твердого полировальника, так как распределение прижимного давления по пластине более однородно по сравнению с давлением носителя с конструкцией с твердой плитой. Согласно изобретению можно также применять носители с опцией контроля распределения давления на пластину. Обычно их разрабатывают с рядом различных полостей, которые можно нагрузить до определенной степени независимо друг от друга.
Более подробно методика описана в международной патентной заявке WO 2004/063301 A1, в частности стр. 16, параграф [0036] - стр. 18, параграф [0040] в сочетании с фигурой 2.
Посредством способа ХМП, соответствующего настоящему изобретению, можно получить пластины с интегральными схемами, содержащие диэлектрический слой, обладающие превосходной функциональностью.
Композицию ХМП (Q) можно применять в процессе ХМП как готовую к применению суспензию, они обладают длительным сроком годности и проявляют стабильное распределение частиц по размерам в течение длительного времени. Таким образом, они легки в обращении и хранении. Они проявляют превосходные полирующие характеристики, в частности касающиеся комбинации высокой скорости удаления материала (именуемой далее "MRR") оксида кремния и высокой избирательности по отношению к оксиду кремния по сравнению с нитридом кремния или поликремнием применительно к MRR.
Примеры и Сравнительные Примеры
Значение pH измеряли с помощью pH-электрода (Schott, голубая линия, pH 0-14 / -5…100°C / 3 мол/л хлорида натрия).
Распределение частиц по размерам (значения d50) измеряли с применением Horiba LA-920.
Дзета-потенциал измеряли с применением анализатора дзета-потенциала от Malvern.
Неорганические частицы (A), применяемые в Примерах
Частицы диоксида церия, применяемые в Примерах в качестве частиц (A), являются коллоидными частицами диоксида церия, обладающими первичным размером частиц, равным 60 нм, и средним размером частиц от 100 до 200 нм, как определено с помощью динамического рассеяния света с применением прибора, такого как High Performance Particle Sizer (HPPS) от Malvern Instruments, Ltd. или Horiba LB550. Эти частицы диоксида церия упоминаются далее как частицы диоксида церия (A1).
Органическое полимерное соединение (B), применяемое в Примерах В качестве органического полимерного соединения (B) в Примерах применяли поливинилфосфоновую кислоту и сополимер винилфосфоновой кислоты и акриловой кислоты. Поливинилфосфоновую кислоту синтезировали посредством радикальной сополимеризации винилфосфоновой кислоты в водном растворе в присутствии радикальных инициаторов (азо типа или пероксидов), как описано в разделе 3.1.1 статьи "Poly(vinylphosphonic acid) and its derivatives", Lavinia Macarie and Gheorghe Ilia, в журнале: Progress in Polymer Science (2010), 35(8), стр. 1078-1092.
Сополимер винилфосфоновой кислоты и акриловой кислоты синтезировали, как описано далее: Раствор 130 г винилфосфоновой кислоты, 9,6 г акриловой кислоты и 1 г пероксодисульфата натрия в 320 г воды нагревали в атмосфере азота и перемешивании до 99°C. При этой температуре добавляли 183 г акриловой кислоты в течение пяти часов, и через шесть часов добавляли раствор 18 г пероксодисульфата натрия в 100 г воды. Реакционную смесь выдерживали при 99°C в течение еще 2 часов. Получали чистый полимерный раствор с содержанием твердого вещества, равным 45%.
Среднемассовые молекулярные массы поливинилсульфоновой кислоты или сополимера винилсульфоновой кислоты и акриловой кислоты определяли эксклюзионной хроматографией (гельпроникающей хроматографией) в 0,08 моль/л буферном растворе 2-амино-2-гидроксиметил-пропан-1,3-диола при pH=7,0 в дистиллированной воде в присутствии 0,15 моль/NaCl и 0.01 моль/л NaN3 на трех колоннах SUPREMA-Gel(HEMA) с применением УФ-детектирования при 260 нм. Калибровку проводили относительно натриевой соли полиакриловой кислоты, следуя методологии в публикации М.J.R. Cantow et al., J. Polym. Sci A-1, 5, 1391-1394 (1967).
Константы Фикентчера (К) определяли согласно публикации Н. Fikentscher, Cellulose-Chemie, vol. 13, page 58-64 и 71-74 (1932) в 1 мас. % водном растворе при 25°C без корректировки pH.
Основная процедура для экспериментов ХМП
Процесс ХМП:
Полирующий прибор: АМАТ Mirra, способный полировать 200 мм пластины Полированные субстраты: Многослойный субстрат, содержащий оксид кремния, осажденный из плазмы высокой плотностью (HDP), или оксид кремния из тетраэтоксисилана (TEOS), нитрид кремния (SiN), осажденный методом химического осаждения из паровой фазы при пониженном давлении (LPCVD), и аморфные поликремниевые пластины (поли-Si).
Этот субстрат упоминается далее как субстрат (S1).
Скорость потока: 160 мл/мин
Полировальник: подушка IC1010-k groove
Кондиционер: алмазный чистящий диск А166 компании ЗМ; придание требуемых характеристик полировальнику производят на месте при 5 фунтах
Частота вращения платформы: 93 об./мин
Частота вращения носителя: 87 об./мин
Усилие прижатия: 2 фунта/кв. дюйм или 3,5 фунта/кв. дюйм
Время полирования: 60 секунд
Толщину пленок субстрата, который полируется, измеряли до и после ХМП с применением прибора Thermawave Optiprobe 2600. Таким образом определяли скорости удаления материала.
Процедура получения суспензии:
Для получения водных полирующих композиций Q1-Q7,
- частицы диоксида церия (A1),
- поливинилфосфоновую кислоту (среднемассовая молекулярная масса ~ 10000; pH ~ 1,0; поливинилфосфоновая кислота формулы (I), причем n приблизительно равно 82), или
сополимер винилфосфоновой кислоты и акриловой кислоты (среднемассовая молекулярная масса ~30000-40000 дальтон, константа Фикентчера (К) приблизительно равна 18), и
- необязательно дополнительные добавки,
как перечислено в Таблице 1, диспергировали или растворяли в ультрачистой воде. Обычно, для регулирования pH можно применять регуляторы pH, такие как гидроксид калия, гидроксид аммония и гидроксид тетраметиламмония (ТМАН). При получении водных полирующих композиций Q1-Q7 для регулирования pH применяли гидроксид калия.
Таблица 1: Композиции ХМП Q1-Q7
Композиции ХМП примеров Q1-Q7 и их свойства pH показаны в таблице 1, где водной средой (C) композиций ХМП является деионизированная вода. Количества компонентов (A), (B), (D1), (D2) и (E) установлены в массовых процентах (мас. %) или частях на миллион (част./млн) в расчете на массу соответствующей композиции ХМП. Если количества компонентов, не являющихся (C), вместе составляют «у» мас. % в расчете на массу композиции ХМП, тогда количество (C) равно (100-у) мас. % композиции ХМП.
Таблица 2: Распределение частиц по размерам и дзета-потенциал частиц диоксида церия, диспергированных с помощью поливинилфосфоновой кислоты (среднемассовая молекулярная масса ~ 10000; pH ~ 1,0; поливинилфосфоновая кислота формулы (I), причем n приблизительно равно 82) или сополимера винилфосфоновой кислоты и акриловой кислоты (среднемассовая молекулярная масса ~30000-40000 дальтон, константа Фикентчера (К) равна приблизительно 18) в композициях ХМП Q1-Q4. Значения d50 измеряли с применением Horiba LA-920 и вычисляли с допущением, что частицы по существу сферические [ширина среднего распределения частиц по размерам представляет собой расстояние (данное в единицах оси x) между двумя точками пересечений, где кривая распределения частиц по размерам пересекает 50% высоты относительного количества частиц, где высота максимального количества частиц принимается за 100% высоту]. Дзета-потенциал измеряли с применением измерителя дзета-потенциала от Malvern.
№ композиции | Значение d50 (нм) | Дзета-потенциал (мВ) |
Q1 | 131 | -56 |
Q2 | 109 | -58 |
Q3 | 151 | -56 |
Q4 | 135 | -59 |
Из результатов можно сделать вывод, что поливинилфосфоновая кислота и сополимер винилфосфоновой кислоты и акриловой кислоты обладают хорошими диспергирующими свойствами.
Таблица 3: Полирующие характеристики композиций ХМП от Q1 до Q7
Таблица 3 показывает полирующие характеристики в процессе химико-механического полирования субстрата (S1) с применением композиций ХМП Q1-Q7 при различных усилиях прижатия (2 фунта/кв. дюйм и 3,5 фунта/кв. дюйм); Избирательность HDP/SiN представляет собой избирательность удаления оксида кремния, осажденного из плазмы высокой плотности (HDP), к удалению нитрида кремния (SiN) применительно к скорости MRR; избирательность HDP/PolySi представляет собой избирательность удаления оксида кремния, осажденного из плазмы высокой плотности (HDP), к удаления поликремния (полиSi), применительно к скорости MRR
Способы ХМП изобретения, в которых используются эти примеры композиций ХМП, проявляют улучшенные полирующие характеристики.
Claims (9)
1. Композиция для химико-механического полирования, содержащая:
(A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь, или их композит,
(B) по меньшей мере один тип поливинилфосфоновой кислоты формулы (I)
или ее соль в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, причем n является целым числом от 5 до 1000,
(C) водную среду, и
(D) сахарный спирт в качестве подавителя SiN.
(A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь, или их композит,
(B) по меньшей мере один тип поливинилфосфоновой кислоты формулы (I)
или ее соль в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, причем n является целым числом от 5 до 1000,
(C) водную среду, и
(D) сахарный спирт в качестве подавителя SiN.
2. Композиция по п.1, которая не содержит или содержит менее чем 0,5 ч./млн в расчете на общую массу соответствующей композиции сополимера полиэтиленоксида и полипропиленоксида.
3. Композиция по п.1, в которой среднемассовая молекулярная масса (В) находится в интервале от 1000 до 20000 Дальтон, как определено с помощью гельпроникающей хроматографии.
4. Композиция по п.1, в которой частицы (А) являются частицами диоксида церия.
5. Композиция по п.1, в которой частицы (А) обладают средним размером частиц от 50 до 250 нм, как определено с помощью динамического рассеяния света.
6. Композиция по п.1, которая имеет значение рН, составляющее от 5,5 до 9.
7. Композиция по п.1 или 2, содержащая:
(A) частицы диоксида церия, обладающие средним размером частиц от 50 до 250 нм, как определено с помощью динамического рассеяния света, в количестве от 0,05 до 4 мас.% по весу композиции,
(B) поливинилфосфоновую кислоту формулы (I)
или ее соль в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, причем n является целым числом от 5 до 1000, в количестве от 10 до 800 ч./млн по весу композиции,
(C) водную среду, и
(D) сахарный спирт в качестве подавителя SiN.
(A) частицы диоксида церия, обладающие средним размером частиц от 50 до 250 нм, как определено с помощью динамического рассеяния света, в количестве от 0,05 до 4 мас.% по весу композиции,
(B) поливинилфосфоновую кислоту формулы (I)
или ее соль в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, причем n является целым числом от 5 до 1000, в количестве от 10 до 800 ч./млн по весу композиции,
(C) водную среду, и
(D) сахарный спирт в качестве подавителя SiN.
8. Способ получения полупроводниковых устройств, включающий химико-механическое полирование субстрата в присутствии композиции по любому из пп.1-7.
9. Применение композиции по любому из пп.1-7 для химико-механического полирования субстрата, содержащего нитрид кремния и/или поликремний.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/IB2011/055864 WO2013093557A1 (en) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | Chemical mechanical polishing composition comprising polyvinyl phosphonic acid and its derivatives |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2014129612A RU2014129612A (ru) | 2016-02-10 |
RU2598046C2 true RU2598046C2 (ru) | 2016-09-20 |
Family
ID=48667833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014129612/05A RU2598046C2 (ru) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | Композиция для химико-механического полирования, содержащая поливинилфосфоновую кислоту и ее производные |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9487675B2 (ru) |
EP (1) | EP2794790B1 (ru) |
JP (1) | JP6013504B2 (ru) |
KR (1) | KR101931926B1 (ru) |
CN (1) | CN103998547A (ru) |
IL (1) | IL232794B (ru) |
MY (1) | MY166785A (ru) |
RU (1) | RU2598046C2 (ru) |
SG (1) | SG11201403354RA (ru) |
TW (1) | TWI567147B (ru) |
WO (1) | WO2013093557A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2681623C2 (ru) * | 2016-11-25 | 2019-03-11 | 3М Инновейтив Пропертиз Компани | Морозоустойчивые водные композиции, содержащие частицы оксидов металлов |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2776518B1 (en) | 2011-11-10 | 2015-08-12 | Basf Se | Paper coating slip additive comprising acid monomer, associative monomer and nonionic monomer |
JP6243791B2 (ja) * | 2014-05-09 | 2017-12-06 | 信越化学工業株式会社 | Cmp研磨剤及びその製造方法、並びに基板の研磨方法 |
EP3020689A1 (en) | 2014-11-12 | 2016-05-18 | Rhodia Operations | Cerium oxide particles and method for production thereof |
US9803109B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-10-31 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP composition for silicon nitride removal |
CN107533967A (zh) * | 2015-03-30 | 2018-01-02 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物 |
KR102475282B1 (ko) | 2017-03-29 | 2022-12-07 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물 |
US20200002607A1 (en) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | Versum Materials Us, Llc | Low Oxide Trench Dishing Chemical Mechanical Polishing |
US11078417B2 (en) * | 2018-06-29 | 2021-08-03 | Versum Materials Us, Llc | Low oxide trench dishing chemical mechanical polishing |
KR20200069446A (ko) | 2018-12-06 | 2020-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터와 그것을 구비한 디스플레이 장치 및 그들의 제조방법 |
US11608451B2 (en) * | 2019-01-30 | 2023-03-21 | Versum Materials Us, Llc | Shallow trench isolation (STI) chemical mechanical planarization (CMP) polishing with tunable silicon oxide and silicon nitride removal rates |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001064681A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-03-13 | Jsr Corp | 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法 |
RU2002103040A (ru) * | 1999-07-07 | 2003-09-20 | Кабот Майкроэлектроникс Корпорейшн | Химико-механическая полировочная композиция, содержащая модифицированные силаном абразивные частицы |
US20050271602A1 (en) * | 2004-06-02 | 2005-12-08 | Nebojsa Milanovich | Method for inhibiting chemical staining of teeth |
JP2009001810A (ja) * | 1999-06-23 | 2009-01-08 | Jsr Corp | 研磨用組成物および研磨方法 |
US20100129612A1 (en) * | 2008-05-20 | 2010-05-27 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Electrically conducting layer structure and process for the production thereof |
JP2010170649A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Kao Corp | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4134458B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2008-08-20 | Jsr株式会社 | 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法 |
JP2001107089A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-17 | Jsr Corp | 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法 |
JP4123685B2 (ja) | 2000-05-18 | 2008-07-23 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体 |
KR100378180B1 (ko) * | 2000-05-22 | 2003-03-29 | 삼성전자주식회사 | 화학기계적 연마 공정용 슬러리 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법 |
US6616514B1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-09-09 | Ferro Corporation | High selectivity CMP slurry |
US20040175942A1 (en) | 2003-01-03 | 2004-09-09 | Chang Song Y. | Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals |
KR100674927B1 (ko) * | 2004-12-09 | 2007-01-26 | 삼성전자주식회사 | Cmp용 슬러리 조성물 및 그 제조 방법과 이들을 이용한기판 연마 방법 |
KR101126124B1 (ko) * | 2005-05-30 | 2012-03-30 | 주식회사 동진쎄미켐 | 연마 평탄도를 향상시킨 산화 세륨 슬러리 조성물 |
US20070077865A1 (en) | 2005-10-04 | 2007-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for controlling polysilicon removal |
WO2009058274A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-07 | Ekc Technology, Inc. | Chemical mechanical polishing and wafer cleaning composition comprising amidoxime compounds and associated method for use |
TW201038690A (en) * | 2008-09-26 | 2010-11-01 | Rhodia Operations | Abrasive compositions for chemical mechanical polishing and methods for using same |
CN101735730A (zh) * | 2008-11-12 | 2010-06-16 | 长兴开发科技股份有限公司 | 化学机械研磨组合物和方法 |
JP5657247B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2015-01-21 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
CN102108260B (zh) * | 2009-12-25 | 2015-05-27 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种用于多晶硅抛光的化学机械抛光液 |
WO2012032467A1 (en) | 2010-09-08 | 2012-03-15 | Basf Se | Process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectric films and polysilicon and/or silicon nitride films |
US9070632B2 (en) | 2010-10-07 | 2015-06-30 | Basf Se | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers |
SG10201510122PA (en) | 2010-12-10 | 2016-01-28 | Basf Se | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectric and polysilicon films |
US10407594B2 (en) | 2011-03-22 | 2019-09-10 | Basf Se | Chemical mechanical polishing (CMP) composition comprising a polymeric polyamine |
-
2011
- 2011-12-21 US US14/362,510 patent/US9487675B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-21 KR KR1020147019532A patent/KR101931926B1/ko active IP Right Grant
- 2011-12-21 JP JP2014548233A patent/JP6013504B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-21 MY MYPI2014001795A patent/MY166785A/en unknown
- 2011-12-21 RU RU2014129612/05A patent/RU2598046C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2011-12-21 SG SG11201403354RA patent/SG11201403354RA/en unknown
- 2011-12-21 WO PCT/IB2011/055864 patent/WO2013093557A1/en active Application Filing
- 2011-12-21 CN CN201180075487.4A patent/CN103998547A/zh active Pending
- 2011-12-21 EP EP11878201.0A patent/EP2794790B1/en not_active Not-in-force
-
2012
- 2012-12-21 TW TW101149111A patent/TWI567147B/zh not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-05-26 IL IL232794A patent/IL232794B/en active IP Right Grant
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001064681A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-03-13 | Jsr Corp | 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法 |
JP2009001810A (ja) * | 1999-06-23 | 2009-01-08 | Jsr Corp | 研磨用組成物および研磨方法 |
RU2002103040A (ru) * | 1999-07-07 | 2003-09-20 | Кабот Майкроэлектроникс Корпорейшн | Химико-механическая полировочная композиция, содержащая модифицированные силаном абразивные частицы |
US20050271602A1 (en) * | 2004-06-02 | 2005-12-08 | Nebojsa Milanovich | Method for inhibiting chemical staining of teeth |
US20100129612A1 (en) * | 2008-05-20 | 2010-05-27 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Electrically conducting layer structure and process for the production thereof |
JP2010170649A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Kao Corp | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2681623C2 (ru) * | 2016-11-25 | 2019-03-11 | 3М Инновейтив Пропертиз Компани | Морозоустойчивые водные композиции, содержащие частицы оксидов металлов |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IL232794B (en) | 2019-03-31 |
MY166785A (en) | 2018-07-23 |
EP2794790B1 (en) | 2018-02-21 |
CN103998547A (zh) | 2014-08-20 |
KR20140107447A (ko) | 2014-09-04 |
WO2013093557A1 (en) | 2013-06-27 |
EP2794790A4 (en) | 2015-07-29 |
TWI567147B (zh) | 2017-01-21 |
US20150159050A1 (en) | 2015-06-11 |
SG11201403354RA (en) | 2014-09-26 |
JP2015506386A (ja) | 2015-03-02 |
RU2014129612A (ru) | 2016-02-10 |
EP2794790A1 (en) | 2014-10-29 |
US9487675B2 (en) | 2016-11-08 |
TW201333132A (zh) | 2013-08-16 |
KR101931926B1 (ko) | 2018-12-24 |
IL232794A0 (en) | 2014-07-31 |
JP6013504B2 (ja) | 2016-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2598046C2 (ru) | Композиция для химико-механического полирования, содержащая поливинилфосфоновую кислоту и ее производные | |
JP6082097B2 (ja) | 酸化物および窒化物に選択的な高除去速度および低欠陥のcmp組成物 | |
RU2588620C2 (ru) | Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, содержащих пленки на основе оксидкремниевого диэлектрика и на основе поликремния | |
KR102239037B1 (ko) | 높은 제거율 및 낮은 결함성으로 산화물 및 질화물에 대해 선택적인 cmp 조성물 | |
US9157012B2 (en) | Process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing of borophosphosilicate glass (BPSG) material in the presence of a CMP composition comprising anionic phosphate or phosphonate | |
RU2631875C2 (ru) | Композиция для химико-механического полирования (смр), содержащая белок | |
EP3099756A1 (en) | A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a poly(aminoacid) | |
KR20180039176A (ko) | 개선된 안정성 및 개선된 연마 특징을 갖는 선택적 질화물 슬러리 | |
JP6595510B2 (ja) | 高い除去速度と低欠陥性を有する、ポリシリコン及び窒化物を上回り酸化物に対して選択的なcmp組成物 | |
JP6930976B2 (ja) | 低k基板の研磨方法 | |
JP7041135B2 (ja) | 改善されたディッシングおよびパターン選択性を有する酸化物および窒化物選択性のcmp組成物 | |
JP7041714B2 (ja) | 酸化珪素膜用研磨液組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20161222 |
|
NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20171006 |
|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20191222 |